JPWO2017094087A1 - Light emitting device - Google Patents

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真滋 中嶋
真滋 中嶋
幸二 藤田
幸二 藤田
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Tohoku Pioneer Corp
Pioneer Corp
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Tohoku Pioneer Corp
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Abstract

発光部（１４０）は基板（１００）の上に形成されており、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を有している。有機層（１２０）は第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間に位置している。絶縁層（１５０）は発光部（１４０）を画定している。被覆膜（２００）は、発光部（１４０）、及び絶縁層（１５０）の少なくとも一部を覆っている。そして、絶縁層（１５０）の少なくとも一部の上において、第２電極（１３０）は、有機層（１２０）の端部を覆っていて、かつ絶縁層（１５０）に接している。また、被覆膜（２００）は、第２電極（１３０）の端部を覆っていて、かつ絶縁層（１５０）に接している。The light emitting unit (140) is formed on the substrate (100) and includes a first electrode (110), an organic layer (120), and a second electrode (130). The organic layer (120) is located between the first electrode (110) and the second electrode (130). The insulating layer (150) defines a light emitting portion (140). The covering film (200) covers at least part of the light emitting portion (140) and the insulating layer (150). Then, on at least a part of the insulating layer (150), the second electrode (130) covers the end of the organic layer (120) and is in contact with the insulating layer (150). The coating film (200) covers the end of the second electrode (130) and is in contact with the insulating layer (150).

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置において、有機ＥＬ素子の発光部を画定するために絶縁層が用いられることがある（例えば特許文献１）。   One of the light sources of light emitting devices such as lighting devices and display devices is an organic EL element. The organic EL element has a configuration in which an organic layer is disposed between the first electrode and the second electrode. In a light emitting device having an organic EL element, an insulating layer may be used to define a light emitting portion of the organic EL element (for example, Patent Document 1).

特許文献１には、さらに、有機ＥＬ素子を封止するために封止膜を用いることが記載されている。特許文献１において、封止膜は窒化ケイ素を用いて形成されている。   Patent Document 1 further describes that a sealing film is used to seal the organic EL element. In Patent Document 1, the sealing film is formed using silicon nitride.

特開２００７−２５０５２０号公報JP 2007-250520 A

有機ＥＬ素子の発光部を画定するための絶縁層の上に、有機層の端部及び第２電極の端部が位置することがある。本発明者が検討した結果、このような構造を有する発光装置において、封止膜など、発光部を覆う被覆膜を形成したときに、絶縁層の上で封止膜と有機層が接触していると、有機層のうち封止膜と接触している部分から有機層が劣化することが判明した。   An end portion of the organic layer and an end portion of the second electrode may be positioned on the insulating layer for defining the light emitting portion of the organic EL element. As a result of investigations by the present inventors, in a light emitting device having such a structure, when a coating film covering the light emitting part such as a sealing film is formed, the sealing film and the organic layer are in contact with each other on the insulating layer. It was found that the organic layer deteriorates from the portion of the organic layer that is in contact with the sealing film.

本発明が解決しようとする課題としては、発光部を覆う被覆膜を有する発光装置において、有機層の端部のうち絶縁層の上に位置する部分から有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。   As a problem to be solved by the present invention, in a light-emitting device having a coating film covering a light-emitting portion, it is necessary to prevent the organic layer from deteriorating from a portion located on the insulating layer among the end portions of the organic layer. As an example.

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記絶縁層の少なくとも一部の上において、
前記第２電極は前記有機層の端部を覆い、
前記被覆膜は前記第２電極の端部を覆う発光装置である。The invention according to claim 1 is a substrate;
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode;
An insulating layer defining the light emitting portion;
A coating film covering at least a part of the light emitting portion and the insulating layer;
With
On at least a part of the insulating layer,
The second electrode covers an end of the organic layer;
The coating film is a light emitting device that covers an end of the second electrode.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。   The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 発光装置の製造方法の第１例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st example of the manufacturing method of a light-emitting device. 図２（ｂ）の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of FIG.2 (b). 発光装置の製造方法の第２例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd example of the manufacturing method of a light-emitting device. 実施例に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device concerning an example. 図５から被覆膜を取り除いた図である。It is the figure which removed the coating film from FIG. 図６から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図５のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図５のＢ−Ｂ断面図である。It is BB sectional drawing of FIG. 図５のＣ−Ｃ断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. 発光装置の製造方法の第１例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 1st example of the manufacturing method of a light-emitting device. 発光装置の製造方法の第２例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 2nd example of the manufacturing method of a light-emitting device. 発光装置の製造方法の第３例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the 3rd example of the manufacturing method of a light-emitting device.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、及び被覆膜２００を備えている。発光部１４０は基板１００の上に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。被覆膜２００は、発光部１４０、及び絶縁層１５０の少なくとも一部を覆っている。そして、絶縁層１５０の少なくとも一部の上において、第２電極１３０は、有機層１２０の端部を覆っている。また、被覆膜２００は、第２電極１３０の端部を覆っている。本図に示す例では、第２電極１３０及び被覆膜２００は、いずれも絶縁層１５０に接している。以下、発光装置１０について詳細に説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, and a coating film 200. The light emitting unit 140 is formed on the substrate 100 and includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. The insulating layer 150 defines the light emitting part 140. The coating film 200 covers at least a part of the light emitting unit 140 and the insulating layer 150. The second electrode 130 covers the end of the organic layer 120 on at least a part of the insulating layer 150. The covering film 200 covers the end portion of the second electrode 130. In the example shown in this drawing, both the second electrode 130 and the coating film 200 are in contact with the insulating layer 150. Hereinafter, the light emitting device 10 will be described in detail.

発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。The light emitting device 10 may be either a bottom emission type light emitting device or a top emission type light emitting device. When the light emitting device 10 is a bottom emission type, the substrate 100 is formed of a light transmissive material such as glass or a light transmissive resin, and the surface of the substrate 100 opposite to the first electrode 110. Is the light extraction surface of the light emitting device 10. On the other hand, when the light emitting device 10 is a top emission type, the substrate 100 may be formed of the above-described light-transmitting material, or may be formed of a material that does not have light-transmitting properties. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Further, the substrate 100 may have flexibility. In the case where the substrate 100 has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. In particular, when the substrate 100 is made of a glass material and has flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 μm or less. In the case where the substrate 100 is made of a resin material and is flexible, the material of the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. Is formed. In the case where the substrate 100 includes a resin material, an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least the light emitting surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to suppress moisture from passing through the substrate 100. ing.

発光部１４０は、第１電極１１０、第２電極１３０、及び有機層１２０を有している。   The light emitting unit 140 includes the first electrode 110, the second electrode 130, and the organic layer 120.

第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。   Of the first electrode 110 and the second electrode 130, at least the electrode on the light emitting side is a transparent electrode having optical transparency. Note that both the first electrode 110 and the second electrode 130 may be transparent electrodes.

透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。   The transparent conductive material constituting the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide). is there. The thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. The first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube, a conductive organic material such as PEDOT / PSS, or a thin metal electrode.

第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。   Of the first electrode 110 and the second electrode 130, the non-transparent electrode is selected from, for example, a first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In. Or a metal layer made of an alloy of metals selected from the first group. This electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Further, this electrode may have a structure in which a metal layer and a transparent conductive layer are laminated in this order.

以下、第１電極１１０が透光性を有しており、第２電極１３０が透光性を有していないとして、説明を行う。この場合、第２電極１３０の厚さは、例えば６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。   In the following description, it is assumed that the first electrode 110 has translucency and the second electrode 130 does not have translucency. In this case, the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 60 nm and not more than 200 nm.

有機層１２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。   The organic layer 120 has, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. The hole injection layer and the hole transport layer are formed using a material in which holes move (a hole-moving organic material). The thickness of the hole injection layer is, for example, not less than 50 nm and not more than 100 nm. The hole transport layer is thinner than the hole injection layer, and the thickness thereof is, for example, 20 nm or more and 50 nm or less. The light emitting layer is formed using a material that emits light upon recombination of electrons and holes. The luminescent color of the light emitting layer may be any color. For this reason, the material of the light emitting layer may be anything as long as it is a light emitting organic material. The electron transport layer is formed using a material (electron mobility organic material) through which electrons move. The thickness of the electron transport layer is, for example, 5 nm or more and 100 nm or less. The electron injection layer is formed using, for example, an alkali metal compound such as LiF, a metal oxide typified by aluminum oxide, or a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq). The thickness of the electron injection layer is, for example, not less than 0.1 nm and not more than 10 nm. The total thickness of the organic layer 120 is, for example, not less than 50 nm and not more than 200 nm.

なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。   One of the hole injection layer and the hole transport layer may be omitted. One of the electron transport layer and the electron injection layer may be omitted.

有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。   At least one (or all) of each layer constituting the organic layer 120 is formed using a coating material. The film forming method used here is, for example, a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. For example, at least one (or all) of the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer in the organic layer 120 may be formed using a coating material. The remaining layers of the organic layer 120 are formed using a vapor deposition method.

基板１００のうち発光部１４０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。具体的には、絶縁層１５０は第１電極１１０を覆っている。そして絶縁層１５０は、第１電極１１０と重なる領域の一部に開口１５２を有している。開口１５２内において、第１電極１１０は有機層１２０と接している。言い換えると、絶縁層１５０の開口１５２と重なる部分において、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０が重なっており、この積層部によって有機ＥＬ素子すなわち発光部１４０が形成されている。   A region of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is to be formed is surrounded by an insulating layer 150. Specifically, the insulating layer 150 covers the first electrode 110. The insulating layer 150 has an opening 152 in a part of the region overlapping with the first electrode 110. Within the opening 152, the first electrode 110 is in contact with the organic layer 120. In other words, the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are overlapped at a portion overlapping the opening 152 of the insulating layer 150, and the organic EL element, that is, the light emitting portion 140 is formed by this stacked portion.

絶縁層１５０は、例えば無機材料を用いて形成されており、その厚さは例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。絶縁層１５０を構成する無機材料は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料であるのが好ましい。このような材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つである。また、絶縁層１５０は、これらのうち少なくとも２つを含んでいてもよい。絶縁層１５０の開口１５２は、例えば絶縁層１５０を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相法を用いて形成する際に、開口１５２となる領域をマスクパターンで覆えばよい。なお、開口１５２は、レジストパターンを用いたエッチング処理により形成されてもよい。   The insulating layer 150 is formed using, for example, an inorganic material, and the thickness thereof is, for example, not less than 50 nm and not more than 500 nm. The inorganic material constituting the insulating layer 150 is preferably a material having higher water repellency than photosensitive polyimide. Such a material is, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. The insulating layer 150 may include at least two of these. For example, the opening 152 of the insulating layer 150 may be formed by covering a region to be the opening 152 with a mask pattern when the insulating layer 150 is formed using a vapor phase method such as a CVD method or a sputtering method. Note that the opening 152 may be formed by an etching process using a resist pattern.

なお、絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の有機材料を用いて形成されていてもよい。この場合、絶縁層１５０の開口１５２は、露光及び現像工程を経て形成される。   The insulating layer 150 may be formed using a photosensitive organic material such as polyimide. In this case, the opening 152 of the insulating layer 150 is formed through exposure and development processes.

そして、発光部１４０は、被覆膜２００によって封止されている。被覆膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。被覆膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの金属酸化物によって形成されている。また、被覆膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また被覆膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。   The light emitting unit 140 is sealed with the coating film 200. The covering film 200 is formed on at least the surface of the substrate 100 where the light emitting part 140 is formed, and covers the light emitting part 140. The covering film 200 is formed of, for example, an insulating material, more specifically, a metal oxide such as aluminum oxide or titanium oxide. Moreover, the thickness of the coating film 200 is preferably 300 nm or less. Further, the thickness of the coating film 200 is, for example, 50 nm or more.

被覆膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、被覆膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、被覆膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、被覆膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。   The coating film 200 is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. In this case, the step coverage of the coating film 200 is increased. In this case, the coating film 200 may have a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked. In this case, it may have a structure in which a first sealing layer made of a first material (for example, aluminum oxide) and a second sealing layer made of a second material (for example, titanium oxide) are repeatedly stacked. . The lowermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. Further, the uppermost layer may be either the first sealing layer or the second sealing layer. The coating film 200 may be a single layer in which the first material and the second material are mixed.

ただし、被覆膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、被覆膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。However, the coating film 200 may be formed using other film forming methods such as a CVD method or a sputtering method. In this case, the coating film 200 is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN, and the film thickness is, for example, not less than 10 nm and not more than 1000 nm.

本図に示す例において、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、有機層１２０の端部は絶縁層１５０と重なっている。第２電極１３０は、有機層１２０の端部を覆っており、かつ絶縁層１５０に接している。例えば有機層１２０の端部に側面が形成されている場合、第２電極１３０は有機層１２０の端部の側面も覆っている。なお、絶縁層１５０の側面が傾斜している場合、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の側面の上に位置していてもよい。この場合、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の側面の上に位置していてもよい。   In the example shown in this drawing, the end portion of the organic layer 120 is located on the insulating layer 150. In other words, the end portion of the organic layer 120 overlaps the insulating layer 150. The second electrode 130 covers the end portion of the organic layer 120 and is in contact with the insulating layer 150. For example, when the side surface is formed at the end portion of the organic layer 120, the second electrode 130 also covers the side surface of the end portion of the organic layer 120. Note that in the case where the side surface of the insulating layer 150 is inclined, the end portion of the organic layer 120 may be positioned on the side surface of the insulating layer 150. In this case, the end portion of the second electrode 130 may also be located on the side surface of the insulating layer 150.

また、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、第２電極１３０の端部は絶縁層１５０と重なっている。そして、被覆膜２００は第２電極１３０の端部を覆っており、かつ絶縁層１５０に接している。例えば第２電極１３０の端部に側面が形成されている場合、被覆膜２００は第２電極１３０の端部の側面も覆っている。   The end portion of the second electrode 130 is also located on the insulating layer 150. In other words, the end portion of the second electrode 130 overlaps the insulating layer 150. The covering film 200 covers the end portion of the second electrode 130 and is in contact with the insulating layer 150. For example, when the side surface is formed at the end portion of the second electrode 130, the coating film 200 also covers the side surface of the end portion of the second electrode 130.

なお、被覆膜２００の上に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。この樹脂層は、エポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成される。   Note that a resin layer for protecting the coating film 200 may be provided on the coating film 200. This resin layer is formed using an epoxy resin or an acrylic resin.

図２は、図１に示した発光装置１０の製造方法の第１例を示す断面図である。本図に示す方法において、絶縁層１５０は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを用いて形成される。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a first example of a manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIG. In the method shown in this drawing, the insulating layer 150 is formed using a material having higher water repellency than photosensitive polyimide, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の上に第１電極１１０を形成する。次いで、第１電極１１０の上に絶縁層１５０を形成する。この際、絶縁層１５０には開口１５２が形成される。次いで、第１電極１１０の上に有機層１２０を形成する。   First, as illustrated in FIG. 2A, the first electrode 110 is formed on the substrate 100. Next, the insulating layer 150 is formed on the first electrode 110. At this time, an opening 152 is formed in the insulating layer 150. Next, the organic layer 120 is formed on the first electrode 110.

次いで、有機層１２０を熱処理する。この熱処理は、例えば有機層１２０を形成した処理容器内において行われ、その温度は、例えば１００℃以上２００℃以下である。これにより、図２（ｂ）に示すように、有機層１２０の流動性は向上する。また、絶縁層１５０は撥水性の高い材料を用いて形成されている。従って、有機層１２０のうち絶縁層１５０と重なっている部分は絶縁層１５０の開口１５２内に移動し、その結果、有機層１２０の端部が絶縁層１５０の上に位置することになる。   Next, the organic layer 120 is heat-treated. This heat treatment is performed, for example, in a processing container in which the organic layer 120 is formed, and the temperature is, for example, 100 ° C. or more and 200 ° C. or less. Thereby, as shown in FIG.2 (b), the fluidity | liquidity of the organic layer 120 improves. The insulating layer 150 is formed using a material having high water repellency. Accordingly, the portion of the organic layer 120 that overlaps the insulating layer 150 moves into the opening 152 of the insulating layer 150, and as a result, the end of the organic layer 120 is positioned on the insulating layer 150.

その後、第２電極１３０を、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。この工程において、図１に示すように、有機層１２０の端部は第２電極１３０で覆われる。そしてこの工程において、例えばマスクパターンを用いることにより、第２電極１３０の端部が絶縁層１５０の上に位置するようにする。   Thereafter, the second electrode 130 is formed using a vapor deposition method or a sputtering method. In this step, as shown in FIG. 1, the end portion of the organic layer 120 is covered with the second electrode 130. In this step, the end portion of the second electrode 130 is positioned on the insulating layer 150 by using, for example, a mask pattern.

次いで、被覆膜２００を形成する。この工程において、被覆膜２００は第２電極１３０の端部を覆い、かつ絶縁層１５０に接する。このようにして、図１に示した発光装置１０が形成される。   Next, the coating film 200 is formed. In this step, the coating film 200 covers the end portion of the second electrode 130 and is in contact with the insulating layer 150. In this way, the light emitting device 10 shown in FIG. 1 is formed.

なお、図２（ｂ）に示す状態において、図３に示すように、有機層１２０の全体が開口１５２の内側に位置していてもよい。この場合、有機層１２０の端部において有機層１２０が絶縁層１５０よりも薄い場合、有機層１２０の端部（平面形状における角部も含む）は第２電極１３０によって覆われることになる。そして、有機層１２０と絶縁層１５０の界面も、第２電極１３０によって覆われる。   In the state shown in FIG. 2B, the entire organic layer 120 may be located inside the opening 152 as shown in FIG. In this case, when the organic layer 120 is thinner than the insulating layer 150 at the end of the organic layer 120, the end of the organic layer 120 (including the corner in the planar shape) is covered with the second electrode 130. The interface between the organic layer 120 and the insulating layer 150 is also covered with the second electrode 130.

図４は、発光装置１０の製造方法の第２例を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置１０の製造方法は、有機層１２０を蒸着法で形成する際に、マスクパターン３００を用いている点を除いて、図２又は図３に示した発光装置１０の製造方法と同様である。本例によれば、基板１００のうち有機層１２０が蒸着される領域を、マスクパターン３００で画定しているため、有機層１２０を熱処理により移動させなくてもすむ。このため、絶縁層１５０を感光性の樹脂で形成することができる。   FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a second example of the method for manufacturing the light emitting device 10. The manufacturing method of the light emitting device 10 according to the present embodiment is the manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIG. 2 or 3 except that the mask pattern 300 is used when the organic layer 120 is formed by vapor deposition. It is the same as the method. According to this example, since the area | region where the organic layer 120 is vapor-deposited among the board | substrates 100 is demarcated by the mask pattern 300, it is not necessary to move the organic layer 120 by heat processing. Therefore, the insulating layer 150 can be formed using a photosensitive resin.

本発明者が検討した結果、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域を有している場合、少なくとも有機層１２０の上層（例えば電子注入層や電子輸送層）は、被覆膜２００と接している部分から劣化する場合があることが判明した。このような劣化が生じた場合、発光部１４０の輝度は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接している領域から低下してしまう。また、この輝度の低下は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域が大きいほど、顕著になっていた。例えば被覆膜２００に酸化チタンが含まれている場合（例えば酸化チタン層を含む場合）、上記した現象が確認された。この場合、酸化チタン層が有機層２００に触れていなくても、上記した現象が確認された。このような現象が生じる理由は、有機層１２０のうち被覆膜２００と接している部分に酸素原子が到達するため、と推定されるが、そのメカニズムは判明していない。   As a result of examination by the present inventors, when the organic layer 120 and the coating film 200 have a region in direct contact, at least the upper layer of the organic layer 120 (for example, an electron injection layer or an electron transport layer) It turned out that it may deteriorate from the contacted part. When such deterioration occurs, the luminance of the light emitting unit 140 decreases from a region where the organic layer 120 and the coating film 200 are in direct contact. In addition, the decrease in luminance becomes more remarkable as the area where the organic layer 120 and the coating film 200 are in direct contact with each other is larger. For example, when the coating film 200 contains titanium oxide (for example, when a titanium oxide layer is included), the above-described phenomenon was confirmed. In this case, the above phenomenon was confirmed even when the titanium oxide layer did not touch the organic layer 200. The reason why such a phenomenon occurs is presumed that oxygen atoms reach the portion of the organic layer 120 that is in contact with the coating film 200, but the mechanism is not known.

これに対して、本実施形態では、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われている。このため、有機層１２０は被覆膜２００と直接接しない。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。また、有機層１２０は第１電極１１０、第２電極１３０、及び絶縁層１５０によって封止されることになる。従って、絶縁層１５０が無機材料で形成されている場合、有機層１２０が劣化することを特に抑制できる。
（実施例）In contrast, in the present embodiment, the end portion of the organic layer 120 is covered with the second electrode 130. For this reason, the organic layer 120 is not in direct contact with the coating film 200. Therefore, it is possible to suppress the above-described deterioration in the light emitting unit 140. In addition, the organic layer 120 is sealed by the first electrode 110, the second electrode 130, and the insulating layer 150. Therefore, when the insulating layer 150 is formed of an inorganic material, it is possible to particularly suppress the deterioration of the organic layer 120.
(Example)

図５は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図６は、図５から被覆膜２００を取り除いた図である。図７は、図６から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図８は図５のＡ−Ａ断面図であり、図８は図５のＢ−Ｂ断面図であり、図９は図５のＣ−Ｃ断面図である。   FIG. 5 is a plan view of the light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 6 is a view in which the coating film 200 is removed from FIG. 7 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 5, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 5, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.

本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、及び被覆膜２００を有している。   The light emitting device 10 according to the present embodiment is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, a first layer. It has two electrodes 130, a plurality of lead wires 134, a plurality of partition walls 170, and a coating film 200.

第１電極１１０は、第１方向（図７におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。   The first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 7). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。   The lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112. In the example shown in the drawing, one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112. In the example shown in the figure, the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated. A conductor layer 180 is formed on the first terminal 112 and the lead wiring 114. The conductor layer 180 is formed using a metal having a lower resistance than that of the first electrode 110, such as Al or Ag. A part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.

第１端子１１２は発光部１４０の第１電極１１０に電気的に接続されており、第２端子１３２は発光部１４０の第２電極１３０に接続されている。第１端子１１２は引出配線１１４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１１４と一体になっている。また、第２端子１３２は引出配線１３４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１３４と一体になっている。   The first terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110 of the light emitting unit 140, and the second terminal 132 is connected to the second electrode 130 of the light emitting unit 140. The first terminal 112 is located at the end of the lead wiring 114, and at least a part of the layer is integrated with the lead wiring 114. The second terminal 132 is located at the end of the lead wire 134, and at least a part of the layer is integrated with the lead wire 134.

絶縁層１５０は、図６、及び図８〜図１０に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図６におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。   As shown in FIGS. 6 and 8 to 10, the insulating layer 150 is formed on and between the plurality of first electrodes 110. A plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150. The plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 6). A partition wall 170, which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130. The opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. The plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図６におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。   The opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view. The openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. And when it sees in the direction (For example, the Y direction in FIG. 6, ie, the direction in alignment with the 1st electrode 110) along this one side, the opening 154 is arrange | positioned by the predetermined space | interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154. The lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。   The lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 180 is also formed on the second terminal 132 and the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。なお、絶縁層１５０のうち開口１５２の縁を画定する部分（側面）は傾斜しており、この部分の上にも有機層１２０及び第２電極１３０が位置している。しかし有機層１２０は第１電極１１０に接していないため、この部分は発光部１４０を構成しない。   In the region overlapping with the opening 152, the organic layer 120 is formed. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152. In addition, the part (side surface) which demarcates the edge of the opening 152 among the insulating layers 150 is inclined, and the organic layer 120 and the second electrode 130 are located also on this part. However, since the organic layer 120 is not in contact with the first electrode 110, this portion does not constitute the light emitting unit 140.

なお、図８及び図９に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図９に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１０に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。   In the example shown in FIG. 8 and FIG. 9, each layer constituting the organic layer 120 is shown to protrude to the outside of the opening 152. And as shown in FIG. 9, the organic layer 120 may be continuously formed between the adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good. However, as shown in FIG. 10, the organic layer 120 is not formed in the opening 154.

第２電極１３０は、図６、図８〜図１０に示すように、第１方向と交わる第２方向（図６におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。   As illustrated in FIGS. 6 and 8 to 10, the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 6) that intersects the first direction. A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130. The partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150. The partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed. The partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.

隔壁１７０が延在する方向に対して垂直な断面において、隔壁１７０は、台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。   In a cross section perpendicular to the direction in which the partition wall 170 extends, the partition wall 170 has a trapezoidal shape that is upside down (reverse trapezoidal shape). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively. The partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.

そして、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０は、被覆膜２００によって覆われている。また、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も、被覆膜２００によって覆われている。なお、隔壁１７０の断面が逆台形であっても、   The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 150, and the partition wall 170 are covered with the coating film 200. A part of the lead wiring 114 and a part of the lead wiring 134 are also covered with the coating film 200. Even if the cross section of the partition wall 170 is an inverted trapezoid,

図８及び図１０に示すように、隔壁１７０に交わる方向の断面において、有機層１２０及び第２電極１３０は、いずれも絶縁層１５０の上で分断している。そして、これら分断している有機層１２０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。又、これら分断している第２電極１３０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。言い換えると、有機層１２０は隔壁１７０に沿って分断しており、第２電極１３０も隔壁１７０に沿って分断している。   As shown in FIGS. 8 and 10, the organic layer 120 and the second electrode 130 are both separated on the insulating layer 150 in the cross section in the direction crossing the partition wall 170. A partition wall 170 is located between the two ends of the organic layer 120 that is divided. Further, a partition wall 170 is located between the two ends of the divided second electrode 130. In other words, the organic layer 120 is divided along the partition 170, and the second electrode 130 is also divided along the partition 170.

第２電極１３０の端部は隔壁１７０に接触しておらず、有機層１２０の端部も隔壁１７０に接触していない。有機層１２０の端部は隔壁１７０の上面よりも外側に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合、有機層１２０は隔壁１７０と重なっていない。有機層１２０と隔壁１７０は接触していなため、隔壁１７０が含む水分などの劣化要因の侵入も防止することができる。そして、いずれの有機層１２０の端部も、第２電極１３０によって覆われている。また、被覆膜２００は、隔壁１７０と絶縁層１５０が接している部分も覆っており、また、この部分及びその周囲において絶縁層１５０に接触している。このため、隔壁１７０の両側に位置している第２電極１３０の端部、並びに隔壁１７０の側面及び上面を、連続して覆っている。そして、いずれの第２電極１３０の端部も、被覆膜２００によって覆われている。このようにするためには、段差被覆性が高い成膜方法、例えばＡＬＤ法を用いて被覆膜２００を形成すればよい。   The end of the second electrode 130 is not in contact with the partition 170, and the end of the organic layer 120 is not in contact with the partition 170. The edge part of the organic layer 120 is located outside the upper surface of the partition wall 170. In other words, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the organic layer 120 does not overlap the partition wall 170. Since the organic layer 120 and the partition wall 170 are not in contact with each other, intrusion of deterioration factors such as moisture contained in the partition wall 170 can be prevented. And the edge part of any organic layer 120 is covered with the 2nd electrode 130. FIG. The covering film 200 also covers a portion where the partition wall 170 and the insulating layer 150 are in contact with each other, and is in contact with the insulating layer 150 in this portion and its surroundings. For this reason, the edge part of the 2nd electrode 130 located in the both sides of the partition 170 and the side surface and upper surface of the partition 170 are covered continuously. And the edge part of any 2nd electrode 130 is covered with the coating film 200. FIG. In order to do this, the coating film 200 may be formed by using a film forming method with high step coverage, for example, an ALD method.

なお、本実施例においても、実施形態と同様に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。   Also in this example, a resin layer for protecting the coating film 200 may be provided as in the embodiment.

次に、図１１の断面図を用いて、本実施例における発光装置１０の製造方法の第１例を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。   Next, a first example of a method for manufacturing the light emitting device 10 in this example will be described with reference to the cross-sectional view of FIG. First, the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the substrate 100. These forming methods are the same as the method of forming the first electrode 110 in the embodiment. Next, the conductor layer 180 is formed on the lead wiring 114, on the first terminal 112, on the lead wiring 134, and on the second terminal 132.

次いで、図１１（ａ）に示すように、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。本例において、絶縁層１５０は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを用いて形成される。   Next, as shown in FIG. 11A, an insulating layer 150 is formed, and a partition wall 170 is further formed. In this example, the insulating layer 150 is formed using a material having higher water repellency than photosensitive polyimide, for example, at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.

次いで、有機層１２０を熱処理する。これにより、有機層１２０の流動性は向上し、その結果、図１１（ｂ）に示すように、有機層１２０のうち絶縁層１５０と重なっている部分の一部は絶縁層１５０の開口１５２内に移動する。そして、有機層１２０の端部は、絶縁層１５０の上かつ隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置する。   Next, the organic layer 120 is heat-treated. As a result, the fluidity of the organic layer 120 is improved. As a result, as shown in FIG. 11B, a part of the organic layer 120 that overlaps the insulating layer 150 is part of the opening 152 of the insulating layer 150. Move to. The end portion of the organic layer 120 is located on the insulating layer 150 and at a location that does not overlap with the upper surface of the partition wall 170.

その後、図１１（ｃ）に示すように、第２電極１３０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。この際、隔壁１７０の上面がマスクとなり、第２電極１３０は分断される。ただし、有機層１２０の端部は、隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置している。このため、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われる。また、第２電極１３０の端部は絶縁層１５０に接触する。   Thereafter, as shown in FIG. 11C, the second electrode 130 is formed by using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. At this time, the upper surface of the partition 170 serves as a mask, and the second electrode 130 is divided. However, the end portion of the organic layer 120 is located in a place where it does not overlap with the upper surface of the partition wall 170. Therefore, the end portion of the organic layer 120 is covered with the second electrode 130. Further, the end portion of the second electrode 130 is in contact with the insulating layer 150.

次いで、被覆膜２００を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。これにより、第２電極１３０の端部は被覆膜２００によって覆われる。   Next, the coating film 200 is formed using, for example, an ALD method. Thereby, the end portion of the second electrode 130 is covered with the coating film 200.

図１２は、発光装置１０の製造方法の第２例を示す断面図である。本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の製造方法及び第２電極１３０の製造方法を除いて、図１１を用いて説明した第１例と同様である。   FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a second example of the method for manufacturing the light emitting device 10. The manufacturing method of the light emitting device 10 shown in this example is the same as the first example described with reference to FIG. 11 except for the manufacturing method of the organic layer 120 and the manufacturing method of the second electrode 130.

本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の流動性を向上させるための熱処理工程を有していない。このため、有機層１２０の端部が隔壁１７０の上面と重なることもある。その代わりに、図１２に示すように、第２電極１３０を斜め方向から蒸着する。これにより、隔壁１７０が存在していても、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われる。   The manufacturing method of the light-emitting device 10 shown in this example does not have a heat treatment step for improving the fluidity of the organic layer 120. For this reason, the edge part of the organic layer 120 may overlap with the upper surface of the partition wall 170. Instead, as shown in FIG. 12, the second electrode 130 is deposited from an oblique direction. Thereby, even if the partition wall 170 exists, the end portion of the organic layer 120 is covered with the second electrode 130.

図１３は、発光装置１０の製造方法の第３例を示す断面図である。本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の製造方法を除いて、図１１を用いて説明した第１例と同様である。   FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a third example of the method for manufacturing the light emitting device 10. The manufacturing method of the light emitting device 10 shown in this example is the same as the first example described with reference to FIG. 11 except for the manufacturing method of the organic layer 120.

本例において、図１３に示すように、有機層１２０を蒸着法で形成する際には、マスクパターン３００が用いられる。これにより、有機層１２０の端部は、隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置する。その後、第２電極１３０及び被覆膜２００を、第１例と同様の方法を用いて形成する。   In this example, as shown in FIG. 13, a mask pattern 300 is used when the organic layer 120 is formed by vapor deposition. Thereby, the edge part of the organic layer 120 is located in the place which does not overlap with the upper surface of the partition 170. Thereafter, the second electrode 130 and the coating film 200 are formed using the same method as in the first example.

なお、図１２に示した第２例及び図１３に示した第３例では、絶縁層１５０を感光性の材料を用いて形成してもよい。   In the second example shown in FIG. 12 and the third example shown in FIG. 13, the insulating layer 150 may be formed using a photosensitive material.

本実施例では、隔壁１７０が存在しているにもかかわらず、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われている。このため、実施形態と同様に、発光部１４０が劣化することを抑制できる。また、有機層１２０は第１電極１１０、第２電極１３０、及び絶縁層１５０によって封止されることになる。従って、絶縁層１５０が無機材料で形成されている場合、有機層１２０が劣化することを特に抑制できる。   In the present embodiment, the end portion of the organic layer 120 is covered with the second electrode 130 despite the presence of the partition wall 170. For this reason, it can suppress that the light emission part 140 deteriorates similarly to embodiment. In addition, the organic layer 120 is sealed by the first electrode 110, the second electrode 130, and the insulating layer 150. Therefore, when the insulating layer 150 is formed of an inorganic material, it is possible to particularly suppress the deterioration of the organic layer 120.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

Claims (13)

基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記絶縁層の少なくとも一部の上において、
前記第２電極は前記有機層の端部を覆い、
前記被覆膜は前記第２電極の端部を覆う発光装置。A substrate,
A light emitting unit formed on the substrate and having a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode;
An insulating layer defining the light emitting portion;
A coating film covering at least a part of the light emitting portion and the insulating layer;
With
On at least a part of the insulating layer,
The second electrode covers an end of the organic layer;
The coating film is a light emitting device that covers an end of the second electrode. 請求項１に記載の発光装置において、
前記有機層及び前記第２電極は、前記絶縁層の上で分断しており、
前記有機層の２つの端部のそれぞれは前記第２電極によって覆われており、
前記第２電極の２つの端部のそれぞれは前記被覆膜によって覆われている発光装置。The light-emitting device according to claim 1.
The organic layer and the second electrode are separated on the insulating layer,
Each of the two ends of the organic layer is covered by the second electrode,
Each of the two ends of the second electrode is a light emitting device covered with the coating film. 請求項２に記載の発光装置において、
前記絶縁層の上に位置する隔壁を備え、
前記隔壁に沿って前記有機層及び前記第２電極は分断している発光装置。The light-emitting device according to claim 2.
A partition located on the insulating layer;
A light emitting device in which the organic layer and the second electrode are divided along the partition. 請求項３に記載の発光装置において、
前記隔壁が延在する方向に対して垂直な断面において、前記隔壁の上面の幅は前記隔壁の下面の幅よりも広い発光装置。The light emitting device according to claim 3.
In a cross section perpendicular to the direction in which the partition wall extends, the light emitting device has a width of an upper surface of the partition wall wider than a width of a lower surface of the partition wall. 請求項４に記載の発光装置において、
前記第２電極の端部は前記隔壁に接触していない発光装置。The light-emitting device according to claim 4.
A light emitting device in which an end of the second electrode is not in contact with the partition. 請求項５に記載の発光装置において、
前記有機層の端部は前記隔壁の上面より外側に位置している発光装置。The light emitting device according to claim 5.
The light emitting device in which an end portion of the organic layer is located outside an upper surface of the partition wall. 請求項３〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置。In the light-emitting device as described in any one of Claims 3-6,
The said coating film is a light-emitting device which has continuously covered the 2nd electrode located in the both sides of the said partition, and the side surface and upper surface of the said partition. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は金属酸化物を有する発光装置。In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-7,
The coating film is a light emitting device having a metal oxide. 請求項８に記載の発光装置において、
前記金属酸化物は酸化チタンである発光装置。The light-emitting device according to claim 8.
The light emitting device wherein the metal oxide is titanium oxide. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は酸化チタン膜と酸化アルミニウム膜とを少なくとも１層ずつ有する発光装置。In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-9,
The coating film is a light emitting device having at least one titanium oxide film and an aluminum oxide film. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記絶縁層は無機材料からなる発光装置。In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-10,
The insulating layer is a light emitting device made of an inorganic material. 請求項１１に記載の発光装置において、
前記無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを含む発光装置。The light-emitting device according to claim 11.
The light-emitting device, wherein the inorganic material includes at least one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記絶縁層は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料を用いて形成されている発光装置。In the light-emitting device as described in any one of Claims 1-12,
The light-emitting device in which the insulating layer is formed using a material having higher water repellency than photosensitive polyimide.
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