JPWO2017065078A1

JPWO2017065078A1 - ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子

Info

Publication number: JPWO2017065078A1
Application number: JP2017545174A
Authority: JP
Inventors: 平田　真一; 真一平田; 直美幡野; 淳子山本
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2015-10-16
Filing date: 2016-10-06
Publication date: 2018-03-08
Also published as: WO2017065078A1; CN108026449A

Abstract

本発明は、粘度（η）や回転粘性（γ１）が十分に小さく、重合性化合物の反応速度が十分に速く、ＵＶ照射後の重合性化合物の残留がないか、十分に抑制された液晶組成物を提供する。応答速度が十分に速く、均一かつ安定な配向制御がより少ないエネルギーコストで得られると同時に、更に、ＶＨＲが良好であって、表示ムラや焼き付きが発生しないか、極めて抑制されるＰＳＡ型等の液晶表示素子が作製できるため有用である。

Description

本発明は重合性化合物を含有するネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子に関する。

ＰＳＡ（ＰｏｌｙｍｅｒＳｕｓｔａｉｎｅｄＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示素子は、液晶分子のプレチルト角を制御するためにセル内にポリマー構造物を形成したものであり、高速応答や高コントラスト等の特徴を有する液晶表示素子として実用化されている。

ＰＳＡ型液晶表示素子は、液晶化合物及び重合性化合物からなる重合性化合物含有液晶組成物を用いて製造される液晶表示素子であり、電圧印加により液晶分子を配向させた状態で重合性化合物を重合させ、液晶分子の配向を固定することにより製造される。ＰＳＡ型液晶表示素子の重合性化合物を重合させる工程において、重合性化合物の重合反応速度は生産性にとって非常に重要である。ＰＳＡ型液晶表示素子の応答速度やコントラスト等に影響を与えるプレチルト角の調整や、表示ムラ及び焼き付きといった信頼性に影響を及ぼす重合性化合物の残留量の調整も非常に重要である。重合性化合物の重合反応速度はＵＶ照射ランプの波長や照射強度に依存するため、ＵＶ照射ランプの仕様に適合させた重合性化合物を含有する重合性化合物含有液晶組成物の開発が求められているが、十分な対応は困難であった。

製造方法とは別に、液晶組成物の面から改良するアプローチとして、ターフェニル環を有する液晶化合物を含有する組成物（特許文献１）やナフタレン環とフェニル環を有する液晶化合物を含有する組成物（特許文献２）を用いることで重合反応速度を短縮する技術が紹介されているが、ターフェニル環を有する液晶化合物を用いると、製造された液晶表示素子において、電圧保持率（ＶＨＲ）の低下による表示ムラや焼き付きといった信頼性に影響を及ぼすことがあった。

以上のように、ＵＶ照射ランプの仕様に適合させた重合反応速度の調整と同時に液晶表示素子の高速応答や高コントラスト、表示ムラや焼き付き等の悪影響が抑えられた重合性化合物を含有する液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子が求められていた。

ＵＳ８０９２８７１Ｂ２号公報ＷＯ２０１４／１４８１９７Ａ１号公報

本発明が解決しようとする課題は、粘度（η）が十分に小さく、回転粘性（γ１）が十分に小さく、重合性化合物が十分に速く反応し、ＵＶ照射後の重合性化合物の残留がないか、十分に抑制された重合性化合物を含有する液晶組成物を提供し、更にこれを用いた、応答速度が十分に速く、３Ｄ表示も可能で、均一かつ安定な配向制御がより少ないエネルギーコストで得られると同時に、更に、ＶＨＲが良好であって、表示ムラや焼き付きが発生しないか、極めて抑制されるＰＳＡ型等の液晶表示素子を提供することにある。

本発明者は、種々の重合性化合物及び液晶化合物を検討した結果、特定の構造を有する重合性化合物及び液晶化合物で構成される組成物が前述の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、これらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子によって置換されていても良く、Ｘ^１１からＸ^２０は、それぞれ独立的に、水素原子、メチル基、−ＣＦ_３基、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｌ^１１及びＬ^１２は、それぞれ独立的に、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表し、ｍ^１１及びｍ^１２は、それぞれ独立的に、０又は１を表し、かつｍ^１１＋ｍ^１２が１又は２を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、重合性化合物を１種又は２種以上含有することを特徴とする組成物、これを用いた液晶表示素子及び一般式（Ｉ）で表される化合物を提供する。

本発明の組成物は、粘度（η）が十分に低いため、これを用いた液晶表示素子は応答速度が十分に速く、３Ｄ表示も可能であり、なおかつ、重合性化合物の残留がないか、十分に抑制されるため、更に、ＶＨＲが良好であって、表示ムラや焼き付きが発生しないか、極めて抑制される。また、重合性化合物の重合反応速度が十分に速いため、製造のためのエネルギーコストを削減し、生産効率を向上でき、均一かつ安定な配向制御が得られるため、非常に有用である。

本発明の組成物は、一般式（Ｉ）

で表される化合物を１種又は２種以上含有する。一般式（Ｉ）で表される化合物は、ナフタレン環、フェニル環及び１つ以上のシクロヘキサン環を有する構造となっている。

一般式（Ｉ）において、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、これらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子によって置換されていても良いが、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシル基が更に好ましい。

Ｘ^１１からＸ^２０は、それぞれ独立的に、水素原子、メチル基、−ＣＦ_３基、フッ素原子又は塩素原子を表すが、水素原子、メチル基又はフッ素原子であることが好ましく、水素原子又はフッ素原子であることが更に好ましく、Ｘ^１１からＸ^２０の内の２つ又は３つがフッ素原子で、その他が水素原子であることが更に好ましく、Ｘ^１１からＸ^２０の内の２つがフッ素原子で、その他が水素原子であることが特に好ましい。

Ｌ^１１及びＬ^１２は、それぞれ独立的に、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すが、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合であることが好ましく、酸素原子を含まない構造である−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合であることがより好ましく、単結合であることが更に好ましい。

ｍ^１１及びｍ^１２は、それぞれ独立的に、０又は１を表し、ｍ^１１＋ｍ^１２が１又は２を表すが、ｍ^１１＋ｍ^１２が１であることが好ましい。

一般式（Ｉ）で表される化合物は１種又は２種以上を含有するが、１種から５種含有することが好ましく、１種から３種含有することが更に好ましく、１種含有することが特に好ましい。また、その含有量は組成物に対して、０．１質量％から５０質量％であるが、０．１質量％から１０質量％であることが好ましく、０．３質量％から８質量％の範囲であることが更に好ましく、０．５質量％から５質量％であることが特に好ましく、０．５質量％から３質量％であっても良く、０．５質量％から２質量％であっても良い。

更に詳述すると、一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｎ−００２）から一般式（Ｎ−０７９）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−００２）から一般式（Ｎ−０７９）で表される化合物の中では、一般式（Ｎ−０３０）から一般式（Ｎ−０４２）で表される化合物、一般式（Ｎ−０５８）から一般式（Ｎ−０６２）で表される化合物、一般式（Ｎ−０７１）から一般式（Ｎ−０７４）で表される化合物、一般式（Ｎ−０７７）から一般式（Ｎ−０７９）で表される化合物であることが好ましく、一般式（Ｎ−０３０）から一般式（Ｎ−０３５）で表される化合物であることが更に好ましい。

本発明の組成物は、重合性化合物を１種又は２種以上含有する。

該重合性化合物は、メソゲン骨格を有するものが好ましく、具体的には、一般式（Ｍ）

で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ^２０１は、Ｐ^２０１−Ｓｐ^２０１−を表し、Ｒ^２０２は、Ｐ^２０２−Ｓｐ^２０２−を表す。
Ｐ^２０１及びＰ^２０２はそれぞれ独立的に、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）

のいずれかを表すが、式（Ｒ−１）又は式（Ｒ−２）であることが好ましい。Ｐ^２０１及びＰ^２０２は、同じであっても異なっていても良い。

Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立的に単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよいが、それぞれ独立的に単結合又は、ひとつのメチレンが−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよい炭素数１〜７のアルキレン基であることが好ましく、ＰＳＡモードの液晶表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜４のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−であることが好ましく、この場合、炭素原子数１〜４のアルキレン基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。また、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は共に単結合であることも好ましい。

Ｍ^２０１、Ｍ^２０２及びＭ^２０３は、それぞれ独立的にフェニル基、１，４−フェニレン基、ベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，２，４，６−テトライル基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフチル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、基は無置換であるか又は炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜１２のアルコキシル基、ハロゲン、シアノ基又はニトロ基で置換されていても良いが、それぞれ独立的に、無置換又は、炭素原子数１〜３のアルキル基あるいはハロゲンに置換されている、１，４−フェニレン基、ベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，２，４，６−テトライル基、１，４−シクロヘキシレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基であることが好ましく、無置換又は炭素原子数１〜３のアルキル基あるいはハロゲンに置換されている１，４−フェニレン基、ベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，２，４，６−テトライル基又はナフタレン−２，６−ジイル基であることが更に好ましい。

Ｚ^２０１及びＺ^２０２は、それぞれ独立的に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ａ−、−ＮＲ^ａ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）ｚ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）ｚ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、Ｃ≡Ｃ−又は単結合（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜４のアルキル基を表し、前記式中、ｚは１〜４の整数を表す。）を表すが、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−又は単結合が更に好ましい。

ｎ^２０１、ｎ^２０２及びｎ^２０３は、それぞれ独立的に０から３の整数を表し、ｎ^２０１とｎ^２０３の総数は２以上であるが、ｎ^２０２は、０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることが更に好ましい。ｎ^２０１及びｎ^２０３は、それぞれ独立的に０、１又は２であることが好ましく、１又は２であることが更に好ましく、ｎ^２０１とｎ^２０３の総数は、２又は３が好ましい。

複数する存在するＰ^２０１、Ｐ^２０２、Ｓｐ^２０１、Ｓｐ^２０２、Ｚ^２０１及びＭ^２０２は同一であっても良く異なっていても良い。

本発明の組成物は、一般式（Ｍ）で表される重合性化合物を少なくとも１種含有するが、１種〜５種含有することが好ましく、１種〜３種含有することが更に好ましい。一般式（Ｍ）で表される重合性化合物の含有量が少ない場合、重合性化合物を反応させて製造した液晶表示素子において液晶組成物に対する配向規制力が弱くなる。逆に、一般式（Ｍ）で表される重合性化合物の含有量が多すぎる場合、重合性化合物の重合時の必要エネルギーが上昇し、重合せず残存してしまう重合性化合物の量が増加し、残存する重合性化合物が表示不良の原因となるため、その含有量は０．０１〜２．００質量％であることが好ましく、０．０５〜１．００質量％であることが更に好ましく、０．１０〜０．５０質量％であることが特に好ましい。

更に具体的には、一般式（Ｍ）においてｎ^２０１及びｎ^２０３が１の場合、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２の間の環構造は、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−５）であることが好ましく、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−３）であることが更に好ましく、式（ＸＸａ−１）又は式（ＸＸａ−２）であることが特に好ましい。但し、式の両端はＳｐ^２０１又はＳｐ^２０２に結合するものとする。

これらの骨格を含む一般式（Ｍ）で表される重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡモードの液晶表示素子に好ましい。

一般式（Ｍ）の具体的な化合物として、式（ＸＸ−１）から一般式（ＸＸ−１０）で表される化合物が好ましく、式（ＸＸ−１）から式（ＸＸ−４）が更に好ましい。

式中、Ｓｐ^ｘｘは炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は環に結合するものとする。）を表す。

式中のフェニル基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていても良い。

一般式（Ｍ）においてｎ^２０２が１の場合、例えば、式（Ｍ３１）から式（Ｍ５２）のような重合性化合物が好ましい。

式中のフェニル基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）のいずれかによって置換されていても良い。

一般式（Ｍ）においてｎ^２０１が１、ｎ^２０２が１、かつｎ^２０３が２である場合、例えば、式（Ｍ３０１）から式（Ｍ３２０）のような重合性化合物が好ましい。

式中のフェニル基及びナフタレン基中の水素原子は、更に、−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＦ_３、−ＣＨ_３によって置換されていても良い。

本発明の組成物は、更に、一般式（Ｎ−１）

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、それぞれ独立的に炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に−Ｏ−及び／又は−Ｓ−に置換されても良く、また、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^Ｎ１１は、１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）又は１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）を表し、ｎ^Ｎ１１は、１又は２を表し、Ｚ^Ｎ１１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表し、複数する存在するＡ^Ｎ１１は同一であっても良く異なっていても良い。）で表される化合物を含有することが好ましい。

この場合、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は１種又は２種以上含有するが、１種から１０種含有することが好ましく、１種から６種含有することが更に好ましく、その含有量は組成物に対して１０質量％から９０質量％であることが好ましく、１０質量％から７０質量％であることが更に好ましく、２０質量％から５０質量％であることが特に好ましい。

一般式（Ｎ−１）の式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、それぞれ独立的に炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシル基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基であることが好ましく、Ｒ^Ｎ１１が炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基であり、Ｒ^Ｎ１２が炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数１から５のアルコキシル基であることが更に好ましい。

Ａ^Ｎ１１は、１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。

Ｚ^Ｎ１１は、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合であることが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合であることが更に好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、具体的には、一般式（Ｎ−１−１）〜一般式（Ｎ−１−４）、一般式（Ｎ−１−１０）又は一般式（Ｎ−１−１１）

（式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−４−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）及び式（Ｎ−１−１．３）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．１４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３７％であり、４０％であり、４２％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４８％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましく、Δεの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）で表される化合物が好ましく、Ｔ_ＮＩの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−３．１）から式（Ｎ−１−３．１１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−３．１）〜式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、式（Ｎ−１−３．１）及び式（Ｎ−１−３．２）の組み合わせ、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種又は３種の組み合わせが好ましい。本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）及び式（Ｎ−１−４．２）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−１０．１）から式（Ｎ−１−１０．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の内、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

本発明の組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、具体的には、式（Ｎ−１−１１．１）から式（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

本発明の組成物は、誘電率異方性（Δε）がほぼ０の化合物として、一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−６）

（式中、Ｒ^Ｌ１１〜Ｒ^Ｌ６２はお互い独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも一方は水素原子を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−６）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有するが、１種から１０種が好ましく、１種から６種が更に好ましく、その含有量は１０から９０質量％であるが、２０質量％から７０質量％であることが更に好ましく、３０質量％から６０質量％であることが特に好ましい。

一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−６）で表される化合物群から選ばれる化合物の内、一般式（Ｌ−１）、（Ｌ−３）、（Ｌ−４）及び（Ｌ−６）で表される化合物が好ましく、一般式（Ｌ−１）で表される化合物が特に好ましい。

本発明の組成物は、一般式（Ｉ）、一般式（Ｍ）及び一般式（Ｎ−１）の化合物を同時に含有することが好ましく、一般式（Ｉ）、一般式（Ｍ）、一般式（Ｎ−１）及び一般式（Ｌ−１）の化合物を同時に含有することが更に好ましい。

本発明の組成物は、一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（Ｍ）で表される化合物、一般式（Ｎ−１）で表される化合物及び一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−６）で表される化合物群から選ばれる化合物の総計が８５質量％から１００質量％であることが好ましく、９０質量％から１００質量％であることがより好ましく、９５質量％から１００質量％であることが更に好ましく、９８質量％から１００質量％であることが更に好ましい。

本発明の組成物に含まれる液晶化合物において、焼き付きや表示ムラ等の表示不良を抑制するため、又は、全く発生させないためには、アルケニル基を有する化合物を１２質量％以下にすることが好ましく、全く含まないことがより好ましく、また、液晶化合物の中のシクロヘキサン環又はベンゼン環はフッ素原子で置換されていても良いが、塩素原子で置換されていることは好ましくない。

本発明の組成物は、２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０であるが、−２．０から−６．０が好ましく、−２．０から−５．０がより好ましく、−２．５から−４．０が更に好ましい。

本発明の組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２５であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明の組成物は、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓであるが、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の組成物は、２０℃における回転粘性（γ_１）が６０から１３０ｍＰａ・ｓであるが、６０から１１０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、６０から１００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、６８℃から１００℃がより好ましく、６８℃から８５℃が特に好ましい。

本発明の組成物は、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有しても良い。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

本発明の組成物は、更に、一般式（Ｑ）で表される化合物を含有しても良い。

式中、Ｒ^Ｑは、炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、基中の１つ又は非隣接の２つ以上のＣＨ_２基は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−によって置換されていても良い。

Ｍ^Ｑは、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表す。

一般式（Ｑ）で表される化合物は、具体的には、下記の一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましい。

Ｒ^Ｑ２は、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましい。

Ｒ^Ｑ３は、炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましい。

Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。

一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ−ｃ）及び一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が更に好ましい。

本発明の組成物は、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、１種から５種含有することが好ましく、１種から３種含有することが更に好ましく、１種含有することが更に好ましい。また、その含有量は０．００１質量％から１質量％であることが好ましく、０．００１質量％から０．１質量％が更に好ましく、０．００１質量％から０．０５質量％が更に好ましい。

また、保存安定性を向上させるために、安定剤を添加しても良い。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。

本発明の組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合性モノマーなどを含有しても良い。

本発明の組成物は、液晶表示素子に有用であり、特にアクティブマトリクス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード、ＶＡ−ＩＰＳモード又は高分子安定化モード用液晶表示素子に用いることができる。

本発明の組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

２枚の基板間に本発明の組成物を狭持させる方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができる。

重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いても良いし、非偏光光源を用いても良い。また、重合性化合物の重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、更に活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いても良い。特に紫外線露光する際には、本発明の組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。ＭＶＡモードの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。

照射時の温度は、本発明の組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、液晶組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２が更に好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２から５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２から２００Ｊ／ｃｍ^２が更に好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させても良い。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒から３６００秒が好ましく、１０秒から６００秒が更に好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
-n -C_nH_2n+1 炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
n- C_nH_2n+1- 炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
-On -OC_nH_2n+1 炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
nO- C_nH_2n+1O- 炭素原子数ｎの直鎖状のアルコキシル基
-V -CH=CH₂
V- CH₂=CH-
-V1 -CH=CH-CH₃
1V- CH₃-CH=CH-
-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₂
V2- CH₂=CH-CH₂-CH₂-
-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃
1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₃
（連結基）
-n- -C_nH_2n-
-nO- -C_nH_2n-O-
-On- -O-C_nH_2n-
-COO- -C(=O)-O-
-OCO- -O-C(=O)-
-CF2O- -CF₂-O-
-OCF2- -O-CF₂-
（環構造）

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ：２０℃における屈折率異方性
Δε ：２０℃における誘電率異方性
γ_１：２０℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Ｋ_３３：２０℃における曲がりの弾性定数
プレチルト角：ＵＶを２０Ｊ照射した後のプレチルト角［°］
／ＡＵＴＲＯＮＩＣ−ＭＥＬＣＨＥＲＳ社・ＴＢＡ１０５
ＶＨＲ・初期：ＵＶ照射前の電圧保持率（１Ｖ、６０Ｈｚ、６０℃）
／東陽テクニカ・ＶＨＲ−１
ＶＨＲ・ＵＶ２０Ｊ後：ＵＶ２０Ｊ照射後の電圧保持率（１Ｖ、６０Ｈｚ、６０℃）
／東陽テクニカ・ＶＨＲ−１
（比較例１、比較例２、比較例３及び実施例１）
ＭＬＣ−Ａ１（比較例１）、ＭＬＣ−Ａ２（比較例２）、ＭＬＣ−Ａ３（比較例３）及びＭＬＣ−Ａ４（実施例１）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表１のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ａ１（比較例１）、ＭＬＣ−Ａ２（比較例２）、ＭＬＣ−Ａ３（比較例３）及びＭＬＣ−Ａ４（実施例１）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子は、すべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表２に示す。

実施例１であるＭＬＣ−Ａ４は、ＭＬＣ−Ａ１（比較例１）、ＭＬＣ−Ａ２（比較例２）およびＭＬＣ−Ａ３（比較例３）と比較して、ＵＶ照射後のＶＨＲが顕著に高く、かつ、重合性化合物の残存量が少なくなるという、両方の特徴を兼ね備えていることが分かった。更に、これらのＰＳＶＡ液晶表示素子に焼きつき試験を実施したところ、ＭＬＣ−Ａ１、ＭＬＣ−Ａ２およびＭＬＣ−Ａ３はＵＶ照射後の低いＶＨＲや残存重合性化合物に起因すると思われる焼きつきを示した。一方で、ＭＬＣ−Ａ４は焼きつきが全く発生しなかった。以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＬＣ−Ａ４は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。
（比較例４、実施例２、実施例３及び実施例４）
ＭＬＣ−Ｂ１（比較例４）、ＭＬＣ−Ｂ２（実施例２）、ＭＬＣ−Ｂ３（実施例３）及びＭＬＣ−Ｂ４（実施例４）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表３のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ｂ１（比較例４）、ＭＬＣ−Ｂ２（実施例２）、ＭＬＣ−Ｂ３（実施例３）及びＭＬＣ−Ｂ４（実施例４）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子はすべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表４に示す。

以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＭＬＣ−Ｂ２（実施例２）、ＭＬＣ−Ｂ３（実施例３）及びＭＬＣ−Ｂ４（実施例４）は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。
（比較例５、実施例５、実施例６及び実施例７）
ＭＬＣ−Ｃ１（比較例５）、ＭＬＣ−Ｃ２（実施例５）、ＭＬＣ−Ｃ３（実施例６）及びＭＬＣ−Ｃ４（実施例７）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表５のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ｃ１（比較例５）、ＭＬＣ−Ｃ２（実施例５）、ＭＬＣ−Ｃ３（実施例６）及びＭＬＣ−Ｃ４（実施例７）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子はすべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表６に示す。

以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＭＬＣ−Ｃ２（実施例５）、ＭＬＣ−Ｃ３（実施例６）及びＭＬＣ−Ｃ４（実施例７）は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。
（比較例６、実施例８、実施例９及び実施例１０）
ＭＬＣ−Ｄ１（比較例６）、ＭＬＣ−Ｄ２（実施例８）、ＭＬＣ−Ｄ３（実施例９）及びＭＬＣ−Ｄ４（実施例１０）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表７のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ｄ１（比較例６）、ＭＬＣ−Ｄ２（実施例８）、ＭＬＣ−Ｄ３（実施例９）及びＭＬＣ−Ｄ４（実施例１０）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子はすべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表８に示す。

以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＭＬＣ−Ｄ２（実施例８）、ＭＬＣ−Ｄ３（実施例９）及びＭＬＣ−Ｄ４（実施例１０）は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。
（比較例７、実施例１１、実施例１２及び実施例１３）
ＭＬＣ−Ｅ１（比較例７）、ＭＬＣ−Ｅ２（実施例１１）、ＭＬＣ−Ｅ３（実施例１２）及びＭＬＣ−Ｅ４（実施例１３）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表９のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ｅ１（比較例７）、ＭＬＣ−Ｅ２（実施例１１）、ＭＬＣ−Ｅ３（実施例１２）及びＭＬＣ−Ｅ４（実施例１３）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子はすべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表１０に示す。

以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＭＬＣ−Ｅ２（実施例１１）、ＭＬＣ−Ｅ３（実施例１２）及びＭＬＣ−Ｅ４（実施例１３）は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。
（比較例８、実施例１４、実施例１５及び実施例１６）
ＭＬＣ−Ｆ１（比較例８）、ＭＬＣ−Ｆ２（実施例１４）、ＭＬＣ−Ｆ３（実施例１５）及びＭＬＣ−Ｆ４（実施例１６）の重合性化合物含有液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。重合性化合物含有液晶組成物の構成とその物性値の結果は表１１のとおりであった。

次に、ＭＬＣ−Ｆ１（比較例８）、ＭＬＣ−Ｆ２（実施例１４）、ＭＬＣ−Ｆ３（実施例１５）及びＭＬＣ−Ｆ４（実施例１６）をそれぞれセルギャップ３．０μｍでホメオトロピック配向を誘起するポリイミド配向膜を塗布したＩＴＯ付きセルに真空注入法で注入した。周波数１ｋＨｚで９．０Ｖの矩形波を印加しながら、高圧水銀灯により３００ｎｍ以下の紫外線をカットするフィルターを介してＵＶ照射した。このとき、セル表面の照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ）となるように調整した。これにより、重合性化合物含有液晶組成物中の重合性化合物を重合させた、高分子安定化垂直配向（ＰＳＶＡ）液晶表示素子を得た。これらのＰＳＶＡ液晶表示素子はすべて８８°程度の適切なプレチルト角を示し、物性値と相関する応答速度を示すことが確認された。
これらのＰＳＶＡ液晶表示素子について、ＵＶ照射前後のＶＨＲおよびＵＶ照射後に残存した重合性化合物量を測定した。結果を表１２に示す。

以上より、本発明の重合性化合物含有液晶組成物であるＭＬＣ−Ｆ２（実施例１４）、ＭＬＣ−Ｆ３（実施例１５）及びＭＬＣ−Ｆ４（実施例１６）は高い耐ＵＶ性を持ち、かつ、重合性化合物の残存量が少なく、焼きつきなどの表示不良を起こさない、優れた重合性化合物含有液晶組成物であることが分かった。

Claims

一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、これらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子によって置換されていても良く、Ｘ^１１からＸ^２０は、それぞれ独立的に、水素原子、メチル基、−ＣＦ_３基、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｌ^１１及びＬ^１２は、それぞれ独立的に、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表し、ｍ^１１及びｍ^１２は、それぞれ独立的に、０又は１を表し、かつｍ^１１＋ｍ^１２が１又は２を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有し、重合性化合物を１種又は２種以上含有する組成物。
前記重合性化合物が、一般式（Ｍ）

（式中、Ｒ^２０１は、Ｐ^２０１−Ｓｐ^２０１−を表し、Ｒ^２０２は、Ｐ^２０２−Ｓｐ^２０２−を表し、Ｐ^２０１及びＰ^２０２はそれぞれ独立的に、式（Ｒ−１）から式（Ｒ−１５）

のいずれかを表し、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２は、それぞれ独立的に単結合又は炭素数１から１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されてよく、Ｍ^２０１、Ｍ^２０２及びＭ^２０３は、それぞれ独立的にフェニル基、１，４−フェニレン基、ベンゼン−１，２，４−トリイル基、ベンゼン−１，２，４，６−テトライル基、１，４−シクロヘキシレン基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ナフチル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、インダン−２，５−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すが、基は無置換であるか又は炭素原子数１から１２のアルキル基、炭素原子数１から１２のアルコキシル基、ハロゲン、シアノ基又はニトロ基で置換されていても良く、Ｚ^２０１及びＺ^２０２は、それぞれ独立的に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｃ_２Ｈ_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＯＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ^ａ−、−ＮＲ^ａ−ＣＯ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＲ^ａ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＯＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＲ^ａ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−（ＣＨ_２）_ｚ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−（ＣＨ_２）ｚ−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−（ＣＨ_２）ｚ−、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）ｚ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、Ｃ≡Ｃ−又は単結合（式中、Ｒ^ａはそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１から４のアルキル基を表し、前記式中、ｚは１から４のいずれかの整数を表す。）を表し、ｎ^２０１、ｎ^２０２及びｎ^２０３は、それぞれ独立的に０から３のいずれかの整数を表すが、ｎ^２０１とｎ^２０３の総数は２以上であり、複数存在するＰ^２０１、Ｐ^２０２、Ｓｐ^２０１、Ｓｐ^２０２、Ｚ^２０１及びＭ^２０２は同一であっても良く異なっていても良い。）である請求項１記載の組成物。
一般式（Ｎ−１）

（式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、それぞれ独立的に炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立的に−Ｏ−及び／又は−Ｓ−に置換されても良く、また、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立的にフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^Ｎ１１は、１，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）又は１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）を表し、ｎ^Ｎ１１は、１又は２を表し、Ｚ^Ｎ１１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表し、複数する存在するＡ^Ｎ１１は同一であっても良く異なっていても良い。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は２に記載の組成物。
一般式（Ｌ−１）〜一般式（Ｌ−６）

（式中、Ｒ^Ｌ１１〜Ｒ^Ｌ６２は、お互い独立して炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２は、お互い独立して水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも一方は水素原子を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は２に記載の組成物。
前記一般式（Ｎ−１）が、一般式（Ｎ−１−１）〜一般式（Ｎ−１−４）、一般式（Ｎ−１−１０）又は一般式（Ｎ−１−１１）

（式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ４１及びＲ^Ｎ４２と同じ意味を表す。）
である請求項３に記載の組成物。
一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が０．１質量％から１０．０質量％である請求項１又は２に記載の組成物。
２５℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０の範囲であり、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４の範囲であり、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓの範囲であり、２０℃における回転粘性（γ_１）が６０から１３０ｍＰａ・ｓの範囲であり、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃の範囲である請求項１又は２に記載の組成物。
一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立的に、炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシル基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、これらの基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はフッ素原子によって置換されていても良く、Ｘ^１１からＸ^２０は、それぞれ独立的に、水素原子、メチル基、−ＣＦ_３基、フッ素原子又は塩素原子を表し、Ｌ^１１及びＬ^１２は、それぞれ独立的に、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表し、ｍ^１１及びｍ^１２は、それぞれ独立的に、０又は１を表す。）で表される化合物。
請求項１から８のいずれか１項に記載の組成物を用いた液晶表示素子。
請求項１から８のいずれか１項に記載の組成物を用いたＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード又はＶＡ−ＩＰＳモード用液晶表示素子。