JPWO2016148095A1 - 下層膜形成用樹脂組成物、インプリント形成用キット、積層体、パターン形成方法およびデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

基材との密着性が良好で、面状の良好な下層膜を形成できる下層膜形成用樹脂組成物、インプリント形成用キット、積層体、パターン形成方法およびデバイスの製造方法を提供する。樹脂と、求核触媒と、溶剤とを含有する下層膜形成用樹脂組成物であって、求核触媒の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物の固形分に対して、０．０１〜３質量％である。

Description

本発明は、下層膜形成用樹脂組成物、インプリント形成用キット、積層体、パターン形成方法およびデバイスの製造方法に関する。

インプリント法は、光ディスクの作製で知られているエンボス技術を発展させたもので、凹凸のパターンを形成した金型原器（一般的にモールド、スタンパ、テンプレートと呼ばれる）の微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノ構造等の微細構造が簡単に繰り返し成型できるために経済的であり、近年、さまざまな分野への応用が期待されている。

インプリント法としては、被加工材料として熱可塑性樹脂を用いる熱インプリント法（例えば、非特許文献１参照）と、光硬化性組成物を用いる光インプリント法（例えば、非特許文献２参照）が提案されている。熱インプリント法は、ガラス転移温度以上に加熱した熱可塑性樹脂にモールドをプレスした後、ガラス転移温度以下に冷却してからモールドを剥離することで、微細構造を樹脂に転写するものである。

一方、光インプリント法は、光透過性モールドや光透過性基板を通して光照射して光硬化性組成物を硬化させた後、モールドを剥離することで微細パターンを光硬化物に転写するものである。この方法は、室温でのインプリントが可能になるため、半導体集積回路の作製などの超微細パターンの精密加工分野に応用できる。

ここで、光インプリント法の活発化に伴い、基材と光硬化性組成物の間の密着性が問題視されるようになってきた。すなわち、光インプリント法は、基材の表面に光硬化性組成物を塗布し、その表面にモールドを接触させた状態で光照射して光硬化性組成物を硬化させた後、モールドを剥離するが、モールドを剥離する工程で、硬化物が基材から剥れてモールドに付着してしまう場合がある。これは、基材と硬化物との密着性が、モールドと硬化物との密着性よりも低いことが原因と考えられる。上記問題を解決するため、基材と硬化物との密着性を向上させる下層膜形成用樹脂組成物が検討されている（特許文献１、特許文献２）。

特表２００９−５０３１３９号公報 特表２０１０−５２６４２６号公報

S.Chou et al.:Appl.Phys.Lett.Vol.67,3114(1995) M.Colbun et al,:Proc.SPIE,Vol. 3676,379 (1999)

下層膜形成用樹脂組成物は、基材との密着性が良好で、表面の面状の良好な下層膜を形成できることが求められている。
すなわち、基材上に製膜した下層膜の表面の面状が不十分であると、下層膜の表面に光硬化性組成物を塗布した際に、光硬化性組成物が濡れ広がり難くなって、モールドのパターン部への光硬化性組成物の充填性が低下し、パターン欠陥などが発生する恐れがある。更には、下層膜の塗布欠陥が存在する領域では、光硬化性組成物層と下層膜との十分な密着性が得られず、光硬化性組成物層からモールドを離型する際に、光硬化性組成物層の一部が剥がれてモールド側に付着する恐れがある。
また、下層膜の基材との密着性が不十分であると、光硬化性組成物層からモールドを離型する際に、光硬化性組成物層が剥がれてモールド側に付着する恐れがある。

本発明者が、特許文献１、２に開示された下層膜形成用樹脂組成物について検討したところ、基材との密着性や、下層膜の表面の面状が不十分であることが分かった。

よって、本発明の目的は、基材との密着性が良好で、表面の面状の良好な下層膜を形成することができる、下層膜形成用樹脂組成物、インプリント形成用キット、積層体、パターン形成方法およびデバイスの製造方法を提供することである。

本発明者らが鋭意検討したところ、下層膜形成用樹脂組成物中に、求核触媒を、下層膜形成用樹脂組成物の固形分に対して０．０１〜３質量％含有させることで、基材に対する密着性および表面の面状が良好な下層膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、以下を提供する。
＜１＞ 樹脂と、求核触媒と、溶剤とを含有する下層膜形成用樹脂組成物であって、求核触媒の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物の固形分に対して、０．０１〜０．３質量％である、下層膜形成用樹脂組成物。
＜２＞ 求核触媒が、アンモニウム塩、ホスフィン系化合物、ホスホニウム塩、および、複素環化合物から選ばれる少なくとも１種である、＜１＞に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
＜３＞ 樹脂が、ラジカル反応性基を有する樹脂を含む、＜１＞または＜２＞に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
＜４＞ 樹脂が、ラジカル反応性基と、下記一般式（Ｂ）で表される基、オキシラニル基、オキセタニル基、ノニオン性親水性基および基材に対して相互作用を有する基から選択される少なくとも一つの基とを側鎖に有する樹脂を含む、＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物；

一般式（Ｂ）中、波線は、樹脂の主鎖または側鎖との連結位置を表し、
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3のうちの２つが互いに結合して環を形成していてもよい。
＜５＞ 樹脂が、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ４）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１つ有する、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物；

式（Ｘ１）〜（Ｘ４）中、Ｒ^X1、Ｒ^X2、および、Ｒ^X3は、各々独立に、水素原子またはメチル基を表し、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子または原子団との連結位置を表す。
＜６＞ 水の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物に対し、０．０１〜３質量％である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物。
＜７＞ 溶剤の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物に対し、９５〜９９．９質量％である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物。
＜８＞ 光インプリント用の下層膜形成に用いられる、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物。
＜９＞ ＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物と、光硬化性組成物とを有する、インプリント形成用キット。
＜１０＞ 基材の表面に、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物を硬化してなる下層膜を有する、積層体。
＜１１＞ 基材の表面に、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の下層膜形成用樹脂組成物を層状に適用する工程と、適用された下層膜形成用樹脂組成物を加熱して下層膜を形成する工程と、下層膜の表面、または、パターンを有するモールド上に、光硬化性組成物を層状に適用する工程と、光硬化性組成物をモールドと基材とで挟持する工程と、光硬化性組成物をモールドと基材とで挟持した状態で光照射して、光硬化性組成物を硬化させる工程と、モールドを剥離する工程とを含む、パターン形成方法。
＜１２＞ ＜１１＞に記載のパターン形成方法を含む、デバイスの製造方法。

本発明によれば、基材との密着性が良好で、表面の面状の良好な下層膜を形成できる下層膜形成用樹脂組成物、インプリント形成用キット、積層体、パターン形成方法およびデバイスの製造方法を提供可能になった。

インプリント用光硬化性組成物をエッチングによる基材の加工に用いる場合の製造プロセスの一例を示す図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。「（メタ）アクリロイルオキシ」は、アクリロイルオキシおよびメタクリロイルオキシを表す。
本明細書において、「インプリント」は、好ましくは、１ｎｍ〜１０ｍｍのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ１０ｎｍ〜１００μｍのサイズ（ナノインプリント）のパターン転写をいう。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書において、「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。放射線には、例えばマイクロ波、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線が含まれる。また２４８ｎｍエキシマレーザー、１９３ｎｍエキシマレーザー、１７２ｎｍエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルタを通したモノクロ光（単一波長光）を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
本発明における重量平均分子量および数平均分子量（Ｍｎ）は、特に述べない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）で測定したものをいう。
本明細書において、固形分とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書における固形分は、２５℃における固形分である。

＜下層膜形成用樹脂組成物＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、樹脂と、求核触媒と、溶剤とを含有する、基材に適用して下層膜を形成するための下層膜形成用樹脂組成物であって、求核触媒を、下層膜形成用樹脂組成物の固形分中に０．０１〜３質量％含有する。
本発明の下層膜形成用樹脂組成物を基材に適用することにより、基材との密着性が良好で、表面の面状が良好な下層膜を形成できる。
すなわち、本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、求核触媒を下層膜形成用樹脂組成物の固形分中に０．０１質量％以上の割合で含有することで、基材に対する密着性が向上する。密着性が向上するメカニズムは、定かではないが、基材表面の官能基と、下層膜形成用樹脂との間の共有結合形成反応を触媒的に促進するためと推測される。
一方、求核触媒の含有量を、下層膜形成用樹脂組成物の固形分中に対して、３質量％以下とすることで、表面の面状が良好な下層膜を形成できる。下層膜樹脂組成物を塗布、乾燥する工程において、求核触媒の析出や相分離を抑制できるためと考えられる。
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、光硬化性組成物の硬化物との密着性が良好な下層膜を形成できるので、光インプリント用の下層膜形成に好ましく用いることができる。
以下、本発明の下層膜形成用樹脂組成物の各成分について説明する。

＜求核触媒＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、少なくとも１種の求核触媒を含有する。求核触媒は、酸触媒、Ｌｅｗｉｓ酸触媒、または塩基触媒とはその触媒機構が異なり、求核反応によって触媒作用を発現するものである。求核触媒としては、アンモニウム塩、ホスフィン系化合物、ホスホニウム塩、複素環化合物が挙げられる。

アンモニウム塩としては、下記式（ＡＭ１）または下記式（ＡＭ２）で表されるアンモニウムカチオンとアニオンとの塩が挙げられる。アニオンは、アンモニウムカチオンのいずれかの一部と共有結合を介して結合していてもよく、アンモニウムカチオンの分子外に有していてもよい。

式（ＡＭ１）および（ＡＭ２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁷は、それぞれ独立に、置換されていても良い炭化水素基を表す。Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴、Ｒ⁵とＲ⁶およびＲ⁵とＲ⁷は、それぞれ結合して環を形成していてもよい。Ｒ¹〜Ｒ⁷は、無置換の炭化水素基であることが好ましい。

アンモニウム塩の具体例としては、例えば、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化トリオクチルメチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、臭化ベンジルトリエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。

ホスフィン系化合物としては、下記式（ＰＰ１）で表される化合物が挙げられる。

式（ＰＰ１）中、Ｒ⁸〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、置換されていても良い炭化水素基を表す。Ｒ⁸とＲ⁹およびＲ⁹とＲ¹⁰は、それぞれ結合して環を形成していてもよい。

ホスフィン系化合物の具体例としては、例えば、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、１，３，５−トリアザ−７−ホスファアダマンタン等が挙げられる。

ホスホニウム塩の具体例としては、例えば、塩化エチルトリフェニルホスホニウム、臭化テトラブチルホスホニウム、臭化エチルトリフェニルホスホニウム、ヨウ化テトラブチルホスホニウム、ヨウ化エチルトリフェニルホスホニウム等が挙げられる。
複素環化合物の具体例としては、例えば、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどのピリジン類、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリアゾール類、1，３−ジメシチルイミダゾリウムクロリド、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムヨージド、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリウムクロリドなどのイミダゾリウム類、１，４−ジメチル−１,２,４−トリアゾリウムヨージド、過塩素酸６，７−ジヒドロ−２−メシチル−５Ｈ−ピロロ［２，１−ｃ］−１，２，４−トリアゾリウムなどのトリアゾリウム類、３−ベンジル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルチアゾリウムクロリド、３−エチル−５−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルチアゾリウムブロミドなどのチアゾリウム類が挙げられる。

本発明の下層膜形成用樹脂組成物において、求核触媒は、アンモニウム塩、ホスフィン系化合物、ホスホニウム塩、および、複素環化合物であることが好ましく、ホスフィン系化合物、ホスホニウム塩、および、複素環化合物がより好ましく、中でも、トリフェニルホスフィン、イミダゾール類、ピリジン類が特に好ましい。

本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、求核触媒を、下層膜形成用樹脂組成物の固形分対して０．０１〜３質量％含有する。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましい。下限は、０．０２質量％以上が好ましく、０．０３質量％以上がより好ましく、０．０５質量％以上がさらに好ましい。求核触媒の含有量が０．０１質量％以上であれば、基材との密着性が良好な下層膜を形成することができる。また、求核触媒の含有量が３質量％以下であれば、面状が良好な下層膜を形成することができる。

＜樹脂＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、樹脂を含む。樹脂としては、ラジカル反応性基を有する樹脂が好ましく、ラジカル反応性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。ラジカル反応性基を有する樹脂を用いることで、光硬化性組成物の硬化物層（以下、インプリント層ともいう）との密着性が良好な下層膜を形成することができる。
ラジカル反応性基としては、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、マレイミド基、アリル基、ビニル基が挙げられ、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、アリル基、ビニル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましく、（メタ）アクリロイルオキシ基が特に好ましい。この態様によれば、得られる下層膜のインプリント層との密着性をより向上させることができる。

樹脂は、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ４）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１つ有することが好ましく、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ３）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１つ有することがより好ましく、下記式（Ｘ１）の繰り返し単位を有することがさらに好ましい。この態様によれば、得られる下層膜は、基材との親和性に優れ、数ｎｍから数十ｎｍの薄膜の塗布性に優れる傾向にある。

式（Ｘ１）〜（Ｘ４）中、Ｒ^X1、Ｒ^X2、および、Ｒ^X3は、各々独立に、水素原子またはメチル基を表し、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子または原子団との連結位置を表す。

本発明において、樹脂は、ラジカル反応性基と、下記一般式（Ｂ）で表される基、オキシラニル基、オキセタニル基、ノニオン性親水性基および基材に対して相互作用を有する基から選択される少なくとも一つの基とを側鎖に有することが好ましい。以下、オキシラニル基とオキセタニル基とを併せて環状エーテル基ともいう。

一般式（Ｂ）中、波線は、樹脂の主鎖または側鎖との連結位置を表し、
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3のうちの２つが互いに結合して環を形成していてもよい。

本発明において、樹脂の好ましい態様としては、ラジカル反応性基と一般式（Ｂ）で表される基とを側鎖に有する樹脂（第１の態様）、ラジカル反応性基と環状エーテル基とを側鎖に有する樹脂（第２の態様）、ラジカル反応性基とノニオン性親水性基とを側鎖に有する樹脂（第３の態様）、および、ラジカル反応性基と基材に対して相互作用を有する基とを側鎖に有する樹脂（第４の態様）である。
樹脂は、上記各態様の樹脂を単独で使用してもよく、各態様の樹脂を併用してもよい。また、各態様の樹脂は、１種類のみであってもよく、２種類以上を併用してもよい。また、樹脂の市販品としては、ＮＫオリゴ ＥＡ７１２０、ＥＡ７１４０、ＥＡ７４２０、ＥＡ７４４０（新中村化学工業社製）などが挙げられる。
以下、各態様の樹脂について説明する。

＜＜第１の態様の樹脂＞＞
第１の態様の樹脂は、ラジカル反応性基と一般式（Ｂ）で表される基とを側鎖に有する樹脂である。一般式（Ｂ）で表される基は、脱保護反応におけるカルボカチオン中間体、または反応の遷移状態のエネルギーが低いため、酸および加熱の少なくとも一方により、３級エステルの脱保護反応がより進行しやすい。このため、インプリント層および基材との接着力が高い下層膜を形成しやすい。
第１の態様の樹脂は、下記一般式（Ａ）で表される基と、一般式（Ｂ）で表される基とを側鎖に有することが好ましい。

一般式（Ａ）および（Ｂ）中、波線は、樹脂の主鎖または側鎖との連結位置を表し、
Ｒ^a1は、水素原子またはメチル基を表し、
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3のうちの２つが互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表す。
無置換の直鎖アルキル基の炭素数は、１〜２０であり、１〜１５が好ましく、１〜１０がより好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
無置換の分岐アルキル基の炭素数は、３〜２０であり、３〜１５が好ましく、３〜１０がより好ましい。具体例としては、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基等を挙げることができる。
無置換のシクロアルキル基の炭素数は、３〜２０であり、３〜１５が好ましく、３〜１０がより好ましい。シクロアルキル基は、単環であってもよく、多環であってもよい。具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、アダマンチル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基等を挙げることができる。
Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3のうちの２つが互いに結合して環を形成していてもよい。２つが互いに結合して形成する環としては、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、イソボルナン環、アダマンタン環等が挙げられる。
なお、Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3が互いに結合して環を形成することは好ましくない。橋頭位のカルボカチオンは安定でないため、酸および加熱の少なくとも一方による３級エステルの脱保護反応が進行し難いためである。−Ｃ（Ｒ^b1）（Ｒ^b2）（Ｒ^b3）として、好ましくない基としては、例えば、１−アダマンチル基、ノルボルン−１−イル基、イソボルン−１−イル基等が挙げられる。

また、Ｒ^b1〜Ｒ^b3の少なくとも一つが炭素数３〜２０のシクロアルキル基であることが好ましい。
上記態様によれば、カルボカチオンがより安定して存在しやすいため、酸および加熱の少なくとも一方により、３級エステルの脱保護反応がより進行しやすい。

第１の態様の樹脂は、下記一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１つ有することが好ましい。

一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）中、Ｒ²¹およびＲ³¹は、各々独立に水素原子またはメチル基を表し、
Ｒ²²〜Ｒ²⁴、Ｒ³²〜Ｒ³⁴、Ｒ⁴²〜Ｒ⁴⁴は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、Ｒ²³とＲ²⁴、Ｒ³³とＲ³⁴、および、Ｒ⁴³とＲ⁴⁴は互いに結合して環を形成していても良く、
Ｌ³およびＬ⁴は、各々独立に、２価の連結基を表す。

Ｒ²²〜Ｒ²⁴、Ｒ³²〜Ｒ³⁴、Ｒ⁴²〜Ｒ⁴⁴は、上記一般式（Ｂ）のＲ^b1〜Ｒ^b3と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｌ³およびＬ⁴は、各々独立に、２価の連結基を表す。
２価の連結基としては、直鎖または分岐のアルキレン基、シクロアルキレン基、またはこれらを組み合わせてなる基が挙げられる。これらの基は、エステル結合、エーテル結合、アミド結合およびウレタン結合から選ばれる少なくとも一つを含んでいてもよい。また、これらの基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、ヒドロキシル基等が挙げられる。
直鎖アルキレン基の炭素数は、２〜１０が好ましい。
分岐アルキレン基の炭素数は、３〜１０が好ましい。
シクロアルキレン基の炭素数は、３〜１０が好ましい。
２価の連結基の具体例としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、２−ヒドロキシ−１，３−プロパンジイル基、３−オキサ−１，５−ペンタンジイル基、３，５−ジオキサ−１，８−オクタンジイル基等が挙げられる。

第１の態様の樹脂は、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位および一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の少なくとも一方とを有することがより好ましい。
樹脂が、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有することにより、インプリント層との密着性を向上させることができる。そして、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位および一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の少なくとも一方を有することにより、基材との密着性を向上させることができる。さらに、上記繰り返し単位を含む樹脂を用いることで、低分子の架橋剤などを使用しなくても下層膜を硬化させることができ、硬化時の架橋剤の昇華に起因する欠陥発生を回避することができる。

一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ²¹およびＲ³¹は、各々独立に水素原子またはメチル基を表し、
Ｒ²²〜Ｒ²⁴、Ｒ³²〜Ｒ³⁴は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、Ｒ²³とＲ²⁴、およびＲ³³とＲ³⁴は、互いに結合して環を形成していても良く、
Ｌ¹およびＬ³は、各々独立に、２価の連結基を表す。

Ｒ²²〜Ｒ²⁴、Ｒ³²〜Ｒ³⁴は、上記一般式（Ｂ）のＲ^b1〜Ｒ^b3と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ²⁴およびＲ³⁴は、上記一般式（Ｂ）のＲ^b3と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｌ¹およびＬ³は、各々独立に、２価の連結基を表す。
２価の連結基は、上述した２価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

第１の態様の樹脂は、一般式（ＩＩ）において、Ｒ²²〜Ｒ²⁴の少なくとも一つが炭素数３〜２０のシクロアルキル基であるか、あるいは、Ｒ²³とＲ²⁴が互いに結合して環を形成している繰り返し単位、および、一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ³²〜Ｒ³⁴の少なくとも一つが炭素数３〜２０のシクロアルキル基であるか、あるいは、Ｒ³³とＲ³⁴が互いに結合して環を形成している繰り返し単位から選択される繰り返し単位を含有することが好ましい。この態様によれば、カルボカチオンがより安定して存在しやすいため、酸および加熱の少なくとも一方により、３級エステルの脱保護反応がより進行しやすい。

第１の態様の樹脂は、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位と、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位および一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の合計とのモル比が、５：９５〜９５：５であることが好ましく、１０：９０〜９０：１０がより好ましく、２０：８０〜８０：２０がさらに好ましく、３０：７０〜７０：３０が一層好ましく、４０：６０〜６０：４０がより一層好ましい。
一般式（Ｉ）の割合を５モル％以上とすることにより、インプリント層との密着性を向上でき、好ましい。一般式（ＩＩ）および一般式（ＩＩＩ）から選択される繰り返し単位の割合を５モル％以上とすることにより、基材との密着性を向上でき、好ましい。

第１の態様の樹脂は、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでいてもよい。他の繰り返し単位としては、例えば、上述した一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位などが挙げられる。また、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００２２〜００５５に記載の繰り返し単位、段落番号００４３に記載の一般式（Ｖ）および一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位などが挙げられる。
他の繰り返し単位の含有量は、樹脂の全繰り返し単位中に例えば、１０モル％以下であることが好ましく、５モル％以下であることがより好ましく、１モル％以下であることが更に好ましい。また、含有させないこともできる。樹脂が、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位のみで構成されている場合は、上述した本発明の効果がより顕著に得られやすい。

一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の具体例としては、以下の構造が挙げられる。本発明はこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。Ｒ¹¹およびＲ¹²は、各々独立に水素原子またはメチル基を表し、メチル基が好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例としては、以下の構造が挙げられる。

一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例としては、以下の構造が挙げられる。

一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の具体例としては、以下の構造が挙げられる。

以下に、第１の態様の樹脂の具体例を示す。なお、下記具体例中、ｘは、５〜９９モル％を表し、ｙは、５〜９５モル％を表す。

＜＜第２の態様の樹脂＞＞
第２の態様の樹脂は、ラジカル反応性基と環状エーテル基とを側鎖に有する樹脂である。樹脂が、オキシラニル基およびオキセタニル基から選択される基（環状エーテル基）を有する場合においては、熱硬化の際の収縮を抑制し、下層膜表面のひび割れなどを抑制して下層膜の面状を良化できる。
第２の態様の樹脂は、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位と、環状エーテル基を側鎖に有する繰り返し単位とを有することが好ましい。

第２の態様の樹脂においては、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位と、環状エーテル基を有する繰り返し単位とのモル比が、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位：環状エーテル基を有する繰り返し単位＝１０：９０〜９７：３であることが好ましく、３０：７０〜９５：５がより好ましく、５０：５０〜９０：１０が更に好ましい。上記範囲であれば、低温で硬化してもより良好な下層膜を形成でき、意義が高い。
第２の態様の樹脂は、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位と、環状エーテル基以外の繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位」ということがある）を含んでいても良い。他の繰り返し単位を含む場合、その割合は、１〜３０モル％であることが好ましく、５〜２５モル％であることがより好ましい。

第２の態様の樹脂において、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位は、下記一般式（１）〜（３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。

一般式（１）〜（３）中、Ｒ¹¹¹、Ｒ¹¹²、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹³¹およびＲ¹³²は、各々独立に水素原子またはメチル基を表し、Ｌ¹¹⁰、Ｌ¹²⁰およびＬ¹³⁰は、各々独立に、単結合または２価の連結基を表す。

Ｒ¹¹¹およびＲ¹³¹はメチル基であることが好ましい。Ｒ¹¹²、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²およびＲ¹³²は、水素原子であることが好ましい。
Ｌ¹¹⁰、Ｌ¹²⁰およびＬ¹³⁰は、各々独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）のＬ³およびＬ⁴で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。なかでも、１以上の−ＣＨ₂−からなる基、または、１以上の−ＣＨ₂−と、−ＣＨ（ＯＨ）−、−Ｏ−および−Ｃ（＝Ｏ）−の少なくとも１つとの組み合わせからなる基が好ましい。Ｌ¹¹⁰、Ｌ¹²⁰、およびＬ¹³⁰の連結鎖を構成する原子数（例えば、一般式（２）では、Ｌ¹²⁰に隣接するベンゼン環と酸素原子の間をつなぐ鎖の原子数をいう）は、１〜２０であることが好ましく、２〜１０がより好ましい。
第２の態様の樹脂における、ラジカル反応性基を側鎖に有する繰り返し単位の具体例としては、以下の構造が挙げられる。本発明はこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。Ｒ¹¹¹、Ｒ¹¹²、Ｒ¹²¹、Ｒ¹²²、Ｒ¹³¹およびＲ¹³²は、各々独立に水素原子またはメチル基を表す。

環状エーテル基を有する繰り返し単位は、下記一般式（４）〜（６）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。

一般式（４）〜（６）中、Ｒ¹⁴¹、Ｒ¹⁵¹およびＲ¹⁶¹は、各々独立に水素原子またはメチル基を表し、Ｌ¹⁴⁰、Ｌ¹⁵⁰およびＬ¹⁶⁰は、各々独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｔは、一般式（Ｔ−１）、（Ｔ−２）および一般式（Ｔ−３）で表される環状エーテル基のいずれかを表す。

一般式（Ｔ−１）〜（Ｔ−３）中、Ｒ^T1およびＲ^T3は、各々独立に、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｐは０または１を表し、ｑは０または１を表し、ｎは０〜２の整数を表し、波線は、Ｌ¹⁴⁰、Ｌ¹⁵⁰またはＬ¹⁶⁰との連結位置を表す。

Ｒ¹⁴¹およびＲ¹⁶¹はメチル基が好ましく、Ｒ¹⁵¹は水素原子が好ましい。

Ｌ¹⁴⁰、Ｌ¹⁵⁰またはＬ¹⁶⁰は、各々独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）のＬ³およびＬ⁴で説明したものが挙げられる。なかでも、１以上の−ＣＨ₂−からなる基、または、１以上の−ＣＨ₂−と、−ＣＨ（ＯＨ）−、−Ｏ−および−Ｃ（＝Ｏ）−の少なくとも１つとの組み合わせからなる基が好ましく、単結合または１以上の−ＣＨ₂−からなる基がより好ましく、１〜３の−ＣＨ₂−からなる基がさらに好ましい。Ｌ１⁴⁰、Ｌ¹⁵⁰、およびＬ¹⁶⁰の連結鎖を構成する原子数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２がさらに好ましい。

Ｒ^T1およびＲ^T3は、各々独立に、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基が好ましく、水素原子、メチル基、エチル基がより好ましい。
ｐは０または１を表し、０が好ましい。
ｑは０または１を表し、０が好ましい。
ｎは０〜２の整数を表し、０が好ましい。
Ｔは、一般式（Ｔ−１）〜（Ｔ−３）で表される基は、一般式（Ｔ−１）および一般式（Ｔ−２）が好ましく、一般式（Ｔ−１）がより好ましい。

環状エーテル基を有する繰り返し単位としては、以下の構造が挙げられる。本発明はこれらに限定されるものではないことは言うまでもない。Ｒ¹⁴¹、Ｒ¹⁵¹およびＲ¹⁶¹は、各々独立に水素原子またはメチル基を表す。

第２の態様の樹脂が有していても良い他の繰り返し単位は、下記一般式（７）および一般式（８）の少なくとも一方で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（７）および（８）中、Ｒ¹⁷¹およびＲ¹⁸¹は、各々独立に、水素原子またはメチル基を表し、Ｌ¹⁷⁰およびＬ¹⁸⁰は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表し、Ｑはノニオン性親水性基を表し、Ｒ¹⁸²は、炭素数１〜１２の脂肪族基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、または炭素数６〜１２の芳香族基を表す。

Ｒ¹⁷¹およびＲ¹⁸¹は、それぞれ、水素原子またはメチル基を表し、メチル基がより好ましい。

Ｌ¹⁷⁰およびＬ¹⁸⁰は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）のＬ³およびＬ⁴で説明したものが挙げられる。Ｌ¹⁷⁰およびＬ¹⁸⁰の連結鎖を構成する原子数は、１〜１０が好ましい。

Ｑは、ノニオン性親水性基を表す。ノニオン性親水性基としては、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、エーテル基（好ましくはポリオキシアルキレン基）、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基が挙げられる。これらの中でも、アルコール性水酸基、ポリオキシアルキレン基、ウレイド基、ウレタン基が好ましく、アルコール性水酸基、ウレタン基が特に好ましい。

Ｒ¹⁸²は、炭素数１〜１２の脂肪族基、炭素数３〜１２の脂環族基、炭素数６〜１２の芳香族基を表す。
炭素数１〜１２の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、２−エチルへキシル基、３，３，５−トリメチルヘキシル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基）などが挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環族基としては、炭素数３〜１２のシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基）などが挙げられる。
炭素数６〜１２の芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられる。中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
脂肪族基、脂環族基および芳香族基は、置換基を有していてもよいが、置換基を有さない方が好ましい。

第２の態様の樹脂としては、一般式（１）で表される繰り返し単位と一般式（４）で表される繰り返し単位とを含む樹脂、一般式（２）で表される繰り返し単位と一般式（５）で表される繰り返し単位とを含む樹脂、および、一般式（３）で表される繰り返し単位と一般式（６）で表される繰り返し単位とを含む樹脂が好ましく、一般式（１ａ）で表される繰り返し単位と一般式（４ａ）で表される繰り返し単位とを含む樹脂、一般式（２ａ）で表される繰り返し単位と一般式（５ａ）で表される繰り返し単位とを含む樹脂、および、一般式（３ａ）で表される繰り返し単位と一般式（６ａ）で表される繰り返し単位とを含む樹脂がより好ましい。

第２の態様の樹脂の具体例としては、特開２０１４−１９２１７８号公報の段落番号００４０〜００４２に記載の樹脂が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

＜＜第３の態様の樹脂＞＞
第３の態様の樹脂は、ラジカル反応性基とノニオン性親水性基とを側鎖に有する樹脂である。
本発明におけるノニオン性親水性基とは、ヘテロ原子（好ましくはＮまたはＯ）を一つ以上含む非イオン性極性基を意味する。
ノニオン性親水性基としては、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、エーテル基（好ましくはポリオキシアルキレン基、環状エーテル基）、アミノ基（環状アミノ基を含む）、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基、スルホンアミド基、ラクトン基、シクロカーボネート基などが挙げられる。これらの中でも、アルコール性水酸基、ポリオキシアルキレン基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基が好ましく、アルコール性水酸基、ウレタン基、ポリオキシアルキレン基、ウレイド基がより好ましく、アルコール性水酸基、ウレタン基が特に好ましい。

第３の態様の樹脂は、ラジカル反応性基を含む繰り返し単位を２０モル％以上含むことが好ましく、３０モル％以上含むことがより好ましく、４０モル％以上がさらに好ましく、５０モル％以上が特に好ましい。
第３の態様の樹脂は、ノニオン性親水性基を含む繰り返し単位を４０モル％以上含むことが好ましく、５０モル％以上含むことがより好ましく、６０モル％以上がさらに好ましく、７０モル％以上が特に好ましい。
ラジカル反応性基とノニオン性親水性基は、同一の繰り返し単位に含まれていてもよいし、別々の繰り返し単位に含まれていてもよい。
さらに、第３の態様の樹脂は、エチレン性不飽和基およびノニオン性親水性基の両方を含まない、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。樹脂中における他の繰り返し単位の割合は、５０モル％以下であることが好ましい。

第３の態様の樹脂は、酸価が１．０ミリモル／ｇ未満であることが好ましく、０．３ミリモル／ｇ未満であることがより好ましく、０．０５ミリモル／ｇ未満であることが更に好ましく、実質的に酸基を持たないことが特に好ましい。ここで、実質的に酸基を持たないとは、例えば、下記方法で測定した時に検出限界以下であることをいう。また、酸基とは、プロトンを解離する基、およびその塩を表す。具体的には、カルボキシル基、スルホ基、ホスホン酸基等が挙げられる。
本発明における酸価とは、単位質量あたりの酸基のミリモル数を表す。酸価は、電位差滴定法によって測定することができる。すなわち、樹脂を滴定溶剤（例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルと水との９対１混合溶剤）に溶かし、０．１モル／Ｌの水酸化カリウム水溶液で滴定し、滴定曲線上の変曲点までの滴定量から、酸価を算出することができる。

＜＜＜第一の形態＞＞＞
第３の態様の樹脂は、下記一般式（１０）で表される繰り返し単位および一般式（１１）で表される繰り返し単位の少なくとも１つを含むことが好ましい。

一般式（１０）および（１１）中、Ｒ²⁰¹およびＲ²⁰²は、それぞれ、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシメチル基を表し、Ｌ²⁰¹は、３価の連結基を表し、Ｌ^202aは、単結合または２価の連結基を表し、Ｌ^202bは、単結合、２価の連結基、または３価の連結基を表し、Ｐは、ラジカル反応性基を表し、Ｑはノニオン性親水性基を表し、ｎは１または２である。

Ｒ²⁰¹およびＲ²⁰²は、各々独立に、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基を表し、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｌ²⁰¹は、３価の連結基を表し、脂肪族基、脂環族基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた３価の基であり、エステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、および窒素原子を含んでいても良い。３価の連結基の炭素数は１〜９が好ましい。
Ｌ^202aは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、またはこれらを組み合わせた２価の基であり、エステル結合、エーテル結合、およびスルフィド結合を含んでいてもよい。２価の連結基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜８がより好ましい。
Ｌ^202bは、単結合、２価の連結基、または３価の連結基を表す。Ｌ^202bが表す２価の連結基としては、Ｌ^202aが表す２価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ^202bが表す３価の連結基としては、Ｌ²⁰¹が表す３価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｐは、ラジカル反応性基を表し、（メタ）アクリロイル基、マレイミド基、アリル基、ビニル基が挙げられ、（メタ）アクリロイル基、アリル基、ビニル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。
Ｑは、ノニオン性親水性基を表し、上記に例示したノニオン性親水性基と同義であり、好ましいノニオン性親水性基も同様である。
ｎは１または２であり、１が好ましい。
なお、Ｌ²⁰¹、Ｌ^202aおよびＬ^202bは、ラジカル反応性基、および、ノニオン性親水性基を含まない。

第３の態様の樹脂は、さらに、下記一般式（１２）および一般式（１３）の少なくとも一方で表される繰り返し単位を有していてもよい。

一般式（１２）および（１３）中、Ｒ²⁰³およびＲ²⁰⁴は、それぞれ、水素原子、メチル基、または、ヒドロキシメチル基を表し、Ｌ²⁰³およびＬ²⁰⁴は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表し、Ｑはノニオン性親水性基を表し、Ｒ²⁰⁵は、炭素数１〜１２の脂肪族基、炭素数３〜１２の脂環族基、または炭素数６〜１２の芳香族基を表す。

Ｒ²⁰³およびＲ²⁰⁴は、それぞれ、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基を表し、水素原子、メチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｒ²⁰⁵は、炭素数１〜１２の脂肪族基、脂環族基、芳香族基を表す。
炭素数１〜１２の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、へプチル基、オクチル基、２−エチルへキシル基、３，３，５−トリメチルヘキシル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基）などが挙げられる。
炭素数３〜１２の脂環族基としては、炭素数３〜１２のシクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデカニル基）などが挙げられる。
炭素数６〜１２の芳香族基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基などが挙げられる。中でも、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
脂肪族基、脂環族基および芳香族基は、置換基を有していてもよい。
Ｌ²⁰³およびＬ²⁰⁴は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、式（１１）中のＬ^202aが表す２価の連結基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｑはノニオン性親水性基を表し、上記に例示したノニオン性親水性基と同義であり、好ましいノニオン性親水性基も同様である。
Ｌ²⁰³およびＬ²⁰⁴は、ラジカル反応性基、および、ノニオン性親水性基を含まない態様とすることができる。

ノニオン性親水性基を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００３６に記載されたものが挙げられ、本願明細書にはこれらの内容が組み込まれる。
また、樹脂の具体例としては、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００３８〜００３９に記載されたものが挙げられ、本願明細書にはこれらの内容が組み込まれる。

＜＜＜第二の形態＞＞＞
第３の態様の樹脂は、ノニオン性親水性基として、カルボニル基を環構造内に有する環状置換基を有することが好ましい。

カルボニル基を環構造内に有する環状置換基としては、ラクトン基（環状エステル基）、環状カーボネート基、環状ケトン基、環状アミド（ラクタム）基、環状ウレタン基、環状ウレア基、環状ジカルボン酸無水物基、環状イミド基が挙げられる。これらの中でも、ラクトン基または環状カーボネート基が好ましく、ラクトン基が特に好ましい。
ラクトン基は、ラクトン構造から水素原子を一つ取り除いた残基である。好ましいラクトン構造は、５〜７員環ラクトン構造である。ラクトン基の具体例としては、特開２０１４−０２４３２２号公報の段落番号００４８〜００４９に記載された構造が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。
環状カーボネート基は、環状カーボネート構造から水素原子を一つ取り除いた残基である。好ましい構造は、５員環または６員環構造である。環状カーボネート基の具体例としては、特開２０１４−０２４３２２号公報の段落番号００５２に記載された構造が挙げられ、この内容は本願明細書に組み込まれることとする。

樹脂は、ラジカル反応性基とカルボニル基を環構造内に有する環状置換基とを、同一の繰り返し単位に含んでいてもよいし、別々の繰り返し単位に含んでいてもよいが、ラジカル反応性基を有する繰り返し単位（例えば、下記一般式（１４）で表される繰り返し単位）と、カルボニル基を環構造内に有する環状置換基を有する繰り返し単位（例えば、下記一般式（１５）で表される繰り返し単位）とを有する共重合体であることが好ましい。
ラジカル反応性基を含む繰り返し単位（例えば、下記一般式（１４）で表される繰り返し単位）の割合は、全繰り返し単位の２０〜９５モル％が好ましく、３０〜９０モル％がより好ましく、４０〜８５モル％がさらに好ましく、５０〜８０モル％が特に好ましい。
カルボニル基を環構造内に有する環状置換基を有する繰り返し単位（例えば、下記一般式（１５）で表される繰り返し単位）の割合は、全繰り返し単位の５〜８０モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましく、１５〜６０モル％がさらに好ましく、２０〜５０モル％が特に好ましい。

一般式（１４）および（１５）中、Ｒ²⁰⁵およびＲ²⁰⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、またはヒドロキシメチル基を表し、Ｌ²⁰⁵およびＬ²⁰⁶は、それぞれ、単結合または２価の連結基を表し、Ｐはラジカル反応性基を表し、Ｑ２は、カルボニル基を環構造内に有する環状置換基を表す。

Ｒ²⁰⁵およびＲ²⁰⁶は、それぞれ、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基を表し、水素原子、メチル基であることが好ましく、メチル基がより好ましい。
Ｌ²⁰⁵およびＬ²⁰⁶は、それぞれ、単結合または炭素数１〜１０の２価の連結基を表す。２価の連結基は、無置換またはヒドロキシル基が置換したアルキレン基であり、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合を含んでいてもよい。
尚、Ｌ²⁰⁵およびＬ²⁰⁶は、ラジカル反応性基、および、ノニオン性親水基を含まない態様とすることができる。
Ｐは、ラジカル反応性基を表し、（メタ）アクリロイル基、マレイミド基、アリル基、ビニル基が挙げられ、（メタ）アクリロイル基、アリル基、ビニル基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。
Ｑ２は、カルボニル基を環構造内に有する環状置換基を表す。上記例示した環状置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。

第３の態様の樹脂は、ラジカル反応性基およびカルボニル基を環構造内に有する環状置換基の両方を含まない、他の繰り返し単位を含んでいてもよい。樹脂中における他の繰り返し単位の割合は、５０モル％以下であることが好ましい。

ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００５０〜００５１に記載されたものが挙げられ、本願明細書にはこれらの内容が組み込まれる。
環状カーボネート構造を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００５３に記載されたものが挙げられ、本願明細書にはこれらの内容が組み込まれる。
また、第３の態様の樹脂の具体例としては、特開２０１４−２４３２２号公報の段落番号００５４〜００５５に記載されたものが挙げられ、本願明細書にはこれらの内容が組み込まれる。

＜＜第４の態様の樹脂＞＞
第４の態様の樹脂は、ラジカル反応性基と、基材に対して相互作用を有する基とを側鎖に有する樹脂である。
本明細書において、「基材に対して相互作用を有する基」とは、基材に対して化学的または物理的に作用して結合しうる基である。基材としては、後述する基材が挙げられる。
基材に対して相互作用を有する基としては、例えば、カルボキシル基、エーテル基、アミノ基、イミノ基、モルフォリノ基、アミド基、イミド基、チオール基、チオエーテル基、アルコキシシリル基、およびこれらを環構造中に有する官能基などが挙げられ、カルボキシル基が好ましい。

第４の態様の樹脂としては、例えば、以下の構造Ａおよび構造Ｂの少なくとも１つを含む樹脂が挙げられる。以下の構造中、ｘおよびｙは、繰り返し単位の数を表し、ｘとｙの合計は、８〜１１が好ましい。

構造Ａおよび構造Ｂの少なくとも１つを含む樹脂の市販品としては、例えば、ＩＳＯＲＡＤ（登録商標）５０１（スケネクタディインターナショナル社製）などが挙げられる。

本発明において、樹脂の重量平均分子量は、５，０００〜５０，０００であることが好ましい。下限は、より好ましくは８，０００以上であり、さらに好ましくは１０，０００以上である。上限は、より好ましくは３５，０００以下であり、さらに好ましくは２５，０００以下である。重量平均分子量を上記範囲とすることで、製膜性を良好にすることができる。
本発明の下層膜形成用樹脂組成物における樹脂の含有量は、下層膜形成用樹脂組成物の固形分の、７０〜９９．９９質量％が好ましい。下限は、例えば、８０質量％以上がより好ましく、８５質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上が特に好ましい。上限は、例えば、９９．９５質量％以下がより好ましく、９９．９質量％以下がさらに好ましい。
また、樹脂は、下層膜形成用樹脂組成物の全量中に、０．０１〜５質量％含有することが好ましく、０．０５〜４質量％がより好ましく、０．１〜３質量％が更に好ましい。
樹脂の含有量が上記範囲であれば、密着性および面状がより良好な下層膜を形成しやすい。
樹脂は、１種類のみであってもよく、２種類以上を併用してもよい。２種類以上の樹脂を用いる場合は、その合計量が上記範囲であることが好ましい。

＜＜溶剤＞＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、溶剤を含有する。溶剤としては、常圧における沸点が８０〜２００℃の有機溶剤が好ましい。有機溶剤の種類としては下層膜形成用樹脂組成物を構成する各成分を溶解可能な溶剤であればいずれも用いることができる。例えば、エステル基、カルボニル基、水酸基、エーテル基のいずれか１つ以上を有する有機溶剤が挙げられる。具体的に、好ましい有機溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エトキシエチルプロピオネート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが挙げられる。これらのなかでも、ＰＧＥＭＡ、エトキシエチルプロピオネート、２−ヘプタノンが好ましく、ＰＧＭＥＡが特に好ましい。２種類以上の有機溶剤を混合して使用してもよく、水酸基を有する有機溶剤と水酸基を有さない有機溶剤との混合溶剤も好適である。
下層膜形成用樹脂組成物における溶剤の含有量は、組成物の粘度や目的とする下層膜の膜厚によって適切に調整される。塗布適性の観点からは、下層膜形成用樹脂組成物の全量に対して溶剤を９５〜９９．９質量％の範囲で含有することが好ましく、９７〜９９．９質量％がより好ましく、９８〜９９．９質量％が更に好ましく、９９〜９９．９質量％が一層好ましく、９９．５〜９９．９質量％が最も好ましい。

＜＜水＞＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、水を含有してもよい。水を含むことで、基材との親和性が向上し、下層膜の基材との密着性がより向上する傾向がある。
本発明の下層膜形成用樹脂組成物が水を含有する場合、水の含有量は、下層膜形成用樹脂組成物の全量に対して０．０１〜０．３質量％であることが好ましい。下限値は、例えば、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０３質量％以上が更に好ましい。上限値は、例えば、０．２５質量％以下がより好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。水の含有量が上記範囲であれば、上述した効果が得られ易い。
また、本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、水を実質的に含まない組成とすることもできる。水を実質的に含まないとは、水の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物の全量に対して、例えば、０．００５質量％以下であり、０．００１質量％以下が好ましい。

＜＜界面活性剤＞＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤を含有することにより、下層膜形成用樹脂組成物の塗布性が向上して、下層膜の面状が良化する。

界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤が好ましい。
本発明において、ノニオン性界面活性剤とは、少なくとも一つの疎水部と少なくとも一つのノニオン性親水部を有する化合物である。疎水部と親水部は、それぞれ、分子の末端にあっても、内部にあっても良い。疎水部は、炭化水素基、含フッ素基、含Ｓｉ基から選択される疎水基で構成され、疎水部の炭素数は、１〜２５が好ましく、２〜１５がより好ましく、４〜１０が更に好ましく、５〜８が最も好ましい。ノニオン性親水部は、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、エーテル基（好ましくはポリオキシアルキレン基、環状エーテル基）、アミド基、イミド基、ウレイド基、ウレタン基、シアノ基、スルホンアミド基、ラクトン基、ラクタム基、シクロカーボネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基を有する。これらの中でも、アルコール性水酸基、ポリオキシアルキレン基、アミド基が好ましく、ポリオキシアルキレン基が特に好ましい。ノニオン性界面活性剤としては、炭化水素系、フッ素系、Ｓｉ系、またはフッ素・Ｓｉ系のいずれのノニオン性界面活性剤であっても良いが、フッ素系またはＳｉ系が好ましく、フッ素系がより好ましい。ここで、「フッ素・Ｓｉ系ノニオン性界面活性剤」とは、フッ素系およびＳｉ系の両方の要件を併せ持つノニオン性界面活性剤をいう。このようなノニオン性界面活性剤を用いることによって、上述した効果が得られ易い。さらには、塗布均一性を改善でき、スピンコーターやスリットスキャンコーターを用いた塗布において、良好な塗膜が得られる。

また、本発明において、フッ素系ノニオン性界面活性剤は、樹脂とフッ素系ノニオン性界面活性剤との相溶性、および数ｎｍ〜十数ｎｍの薄膜の塗布性、塗布膜表面のラフネス低減、製膜後に積層するインプリント層の流動性の観点から、フッ素含率が６〜７０質量％の範囲内であることが好ましい。より具体的な化合物構造の例としては、含フッ素アルキル基とポリオキシアルキレン基とを有するフッ素系ノニオン性界面活性剤が好ましい。含フッ素アルキル基の炭素数は１〜２５が好ましく、２〜１５がより好ましく、４〜１０が更に好ましく、５〜８が最も好ましい。ポリオキシアルキレン基は、ポリオキシエチレン基またはポリオキシプロピレン基が好ましく、ポリオキシアルキレン基の繰り返し数は、２〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、８〜１５が更に好ましい。

フッ素系ノニオン性界面活性剤は、一般式（Ｗ１）または一般式（Ｗ２）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（Ｗ１）
Ｒｆ¹−（Ｌ¹）_a−（ＯＣ_p1Ｈ_2p1）_q1−Ｏ−Ｒ
一般式（Ｗ２）
Ｒｆ²¹−（Ｌ²¹）_b−（ＯＣ_p2Ｈ_2p2）_q2−Ｏ−（Ｌ²²）_c−Ｒｆ²²
ここで、Ｒｆ¹、Ｒｆ²¹、Ｒｆ²²、は、炭素数１〜２５の含フッ素基を表し、Ｒは、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、または炭素数６〜８のアリール基を表す。
Ｌ¹およびＬ²¹は、単結合、または、−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ₂−および−ＯＣＨ₂（Ｃ＝Ｏ）−から選択される２価の連結基を表す。Ｌ²²は、単結合、または、−ＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）−、−ＣＨ₂（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−および−（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ₂Ｏ−から選択される２価の連結基を表す。
ａ、ｂ、ｃは、０または１を表す。
ｐ１およびｐ２は、２〜４の整数を表し、ｑ１およびｑ２は、２〜３０を表す。

Ｒｆ¹、Ｒｆ²¹、Ｒｆ²²、は、炭素数１〜２５の含フッ素基を表す。含フッ素基としては、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルケニル基、ω−Ｈ−パーフルオロアルキル基、パーフルオロポリエーテル基が挙げられる。炭素数は、１〜２５であり、好ましくは２〜１５、より好ましくは４〜１０、さらに好ましくは５〜８である。Ｒｆ¹、Ｒｆ²¹、Ｒｆ²²の具体例としては、ＣＦ₃ＣＨ₂−、ＣＦ₃ＣＦ₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、（ＣＦ₃）₂ＣＨ−、（ＣＦ₃）₂Ｃ（ＣＨ₃）ＣＨ₂−、（ＣＦ₃）₂ＣＦ（ＣＦ₂）₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、（ＣＦ₃）₂ＣＦ（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂ＣＨ₂−、Ｈ（ＣＦ₂）₂ＣＨ₂−、Ｈ（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂−、Ｈ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂−、Ｈ（ＣＦ₂）₈ＣＨ₂−、（ＣＦ₃）₂Ｃ＝Ｃ（ＣＦ₂ＣＦ₃）−、｛（ＣＦ₃ＣＦ₂）₂ＣＦ｝₂Ｃ＝Ｃ（ＣＦ₃）−等が挙げられる。
これらの中でも、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₃ＣＨ₂ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₄ＣＨ₂−、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂−、Ｈ（ＣＦ₂）₆ＣＨ₂−が好ましく、ＣＦ₃（ＣＦ₂）₅ＣＨ₂ＣＨ₂−が特に好ましい。

Ｒは、水素原子または炭素数１〜８のアルキル基、炭素数２〜８のアルケニル基、炭素数６〜８のアリール基を表す。これらの中でも、炭素数１〜８のアルキル基が好ましい。
Ｒの具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、アリル基、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。これらの中でも、水素原子、メチル基、ｎ−ブチル基、アリル基、フェニル基、ベンジル基がより好ましく、水素原子またはメチル基が特に好ましい。

ポリオキシアルキレン基（−（ＯＣ_p1Ｈ_2p1）_q1−、及び−（ＯＣ_p2Ｈ_2p2）_q2−）は、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、およびポリ（オキシエチレン／オキシプロピレン）基から選択され、より好ましくはポリオキシエチレン基またはポリオキシプロピレン基であり、最も好ましくはポリオキシエチレン基である。繰り返し数ｑ１、ｑ２は、平均として２〜３０であり、６〜２０が好ましく、８〜１６がより好ましい。

一般式（Ｗ１）、一般式（Ｗ２）で表されるフッ素系ノニオン性界面活性剤の具体的な化合物例としては、以下に示すものが挙げられる。

フッ素系ノニオン性界面活性剤の市販品としては、住友スリーエム（株）製フロラードＦＣ−４４３０、ＦＣ−４４３１、旭硝子（株）製サーフロンＳ−２４１、Ｓ−２４２、Ｓ−２４３、三菱マテリアル電子化成（株）製エフトップＥＦ−ＰＮ３１Ｍ−０３、ＥＦ−ＰＮ３１Ｍ−０４、ＥＦ−ＰＮ３１Ｍ−０５、ＥＦ−ＰＮ３１Ｍ−０６、ＭＦ−１００、ＯＭＮＯＶＡ社製Ｐｏｌｙｆｏｘ ＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０、（株）ネオス製フタージェント２５０、２５１、２２２Ｆ、２１２Ｍ ＤＦＸ−１８、ダイキン工業（株）製ユニダインＤＳ−４０１、ＤＳ−４０３、ＤＳ−４０６、ＤＳ−４５１、ＤＳＮ−４０３Ｎ、ＤＩＣ（株）製メガファックＦ−４３０、Ｆ−４４４、Ｆ−４７７、Ｆ−５５３、Ｆ−５５６、Ｆ−５５７、Ｆ−５５９、Ｆ−５６２、Ｆ−５６５、Ｆ−５６７、Ｆ−５６９、Ｒ−４０、ＤｕＰｏｎｔ社製Ｃａｐｓｔｏｎｅ ＦＳ−３１００、Ｚｏｎｙｌ ＦＳＯ−１００が挙げられる。
より好ましいフッ素系ノニオン性界面活性剤の例としては、Ｐｏｌｙｆｏｘ ＰＦ−６５２０、ＰＦ−６３２０、メガファックＦ−４４４、Ｃａｐｓｔｏｎｅ ＦＳ−３１００などを挙げることができる。

炭化水素系ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル及びポリオキシアルキレンアリールエーテル類、ソルビタン脂肪酸エステル類、脂肪酸アルカノールアミド類が挙げられる。ポリオキシアルキレンアルキルエーテル及びポリオキシアルキレンアリールエーテル類の具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレン２−エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンナフチルエーテル等が挙げられる。市販品としては、日本乳化剤社製、Ｎｅｗｃｏｌシリーズ（例えば、Ｎｅｗｃｏｌ １００８など）が挙げられる。ソルビタン脂肪酸エステル類の具体例としては、ソルビタンラウレートおよびソルビタンオレエート、ポリオキシエチレンソルビタンラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンオレエート等が挙げられる。脂肪酸アルカノールアミド類の具体例としては、ラウリン酸ジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド等が挙げられる。
Ｓｉ系ノニオン性界面活性剤の市販品としては、竹本油脂（株）製ＳＩ−１０シリーズ、東レ・ダウコーニング（株）製ＳＨ−３７４６、ＳＨ−３７４９、ＳＨ−３７７１、ＳＨ−８４００、ＴＨ−８７００、信越化学工業（株）製信越シリコーン ＫＰ−３２２、ＫＰ−３４１、ＫＦ−３５１、ＫＦ−３５２、ＫＦ−３５３、ＫＦ−３５４Ｌ、ＫＦ−３５５Ａ、ＫＦ−６１５Ａが挙げられる。
フッ素・Ｓｉ系ノニオン性界面活性剤の市販品としては、信越化学工業（株）製Ｘ−７０−０９０、Ｘ−７０−０９１、Ｘ−７０−０９２、Ｘ−７０−０９３、ＦＬ−５、ＤＩＣ（株）製メガファックＲ−０８、ＸＲＢ−４が挙げられる。

本発明の下層膜形成用樹脂組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、樹脂１００質量部に対し、０．０１〜２５質量部であることが好ましい。下限値は、例えば、０．０５質量部以上がより好ましく、０．１質量部以上が更に好ましい。上限値は、例えば、２０質量部以下がより好ましく、１５質量部以下が更に好ましい。界面活性剤の含有量が上記範囲であれば、上述した効果が得られ易い。
界面活性剤は、１種類のみであってもよく、２種類以上を併用してもよい。２種類以上を併用する場合は、合計量が上記範囲である。

＜＜酸触媒＞＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、酸触媒を含有することも好ましい。酸触媒を含有することで、比較的低い加熱温度（ベーク温度ともいう）で下層膜形成用樹脂組成物を硬化させることができる。
酸触媒としては、酸、熱酸発生剤などが挙げられる。
酸としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、１０−カンファースルホン酸、パーフルオロブタンスルホン酸などが挙げられる。
熱酸発生剤は、１００〜１８０℃（より好ましくは１２０〜１８０℃、更に好ましくは１２０〜１６０℃）で、酸を発生する化合物が好ましい。酸発生温度を１００℃以上とすることで、下層膜形成用樹脂組成物の経時安定性を確保することができる。
熱酸発生剤としては、例えば、イソプロピル−ｐ−トルエンスルホネート、シクロヘキシル−ｐ−トルエンスルホネート、芳香族スルホニウム塩化合物である三新化学工業製サンエイドＳＩシリーズ、ＣＹＣＡＴ４０４０（サイテックインダストリーズ社製）などが挙げられる。

酸触媒を含有させる場合、樹脂１００質量部に対して、酸触媒を０．１〜１０質量部含有させることが好ましい。下限は、０．５質量部以上がより好ましい。上限は、５質量部以下がより好ましい。
酸触媒の含有量は、下層膜形成用樹脂組成物の全量中に、０．０００５〜０．１質量％が好ましい。下限は、０．０００５質量％以上がより好まし。上限は、０．０１質量％以下がより好ましく、０．００５質量％以下が更に好ましい。
本発明においては、酸触媒として、酸と熱酸発生剤を併用してもよく、それぞれ単独で用いてもよい。また、酸および熱酸発生剤は、１種類のみを使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。

＜＜他の成分＞＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、他の成分として、架橋剤、重合禁止剤などを含有していても良い。これらの成分の配合量は、下層膜形成用樹脂組成物の溶剤を除く全成分に対し、５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、実質的に含まないことが特に好ましい。ここで実質的に含まないとは、例えば、他の成分は、樹脂の合成の際の反応剤、触媒、重合禁止剤等の添加剤、反応副生成分に由来する不純物等のみであり、下層膜形成用樹脂組成物に対して積極的に添加しないことをいう。具体的には、５質量％以下、さらには１質量％以下とすることができる。

＜＜＜架橋剤＞＞＞
架橋剤としては、エポキシ化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、メチロールエーテル化合物、ビニルエーテル化合物などのカチオン重合性化合物が好ましい。
エポキシ化合物としては、共栄社化学（株）製エポライト、ナガセケムテックス（株）製デナコールＥＸ、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ、ＥＰＰＮ、ＮＣ、ＢＲＥＮ、ＧＡＮ、ＧＯＴ、ＡＫ、ＲＥ等シリーズ、ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート、ＤＩＣ（株）製エピクロン、日産化学工業（株）製テピックなどのシリーズが挙げられる。これらのうち２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
オキセタン化合物としては、宇部興産（株）製エタナコールＯＸＢＰ、ＯＸＴＰ、ＯＸＩＰＡ、東亞合成（株）製アロンオキセタンＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１が挙げられる。
ビニルエーテル化合物としては、ＡｌｌｉｅｄＳｉｇｎａｌ社製ＶＥｃｔｏｍｅｒシリーズが挙げられる。
メチロール化合物、メチロールエーテル化合物としては、ウレア樹脂、グリコウリル樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、フェノール樹脂が挙げられ、具体的には、三和ケミカル社製ニカラックＭＸ−２７０、ＭＸ−２８０、ＭＸ−２９０、ＭＷ−３９０、ＢＸ−４０００、サイテックインダストリーズ社製サイメル３０１、３０３ＵＬＦ、３５０、１１２３などが挙げられる。

＜＜＜重合禁止剤＞＞＞
重合禁止剤を下層膜形成用樹脂組成物に含有させることで、保存安定性を向上させることができる。重合禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ピロガロール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩、フェノチアジン、フェノキサジン、４−メトキシナフトール、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、ニトロベンゼン、ジメチルアニリン等が挙げられる。これらのなかでも、フェノチアジン、４−メトキシナフトール、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカルが、無酸素下でも重合禁止効果を発現する点で好ましい。

＜下層膜形成用樹脂組成物の調製＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。また、各成分を混合した後、例えば、フィルタでろ過することが好ましい。濾過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、ろ過した液を再濾過することもできる。

フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量を含む）等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、０．００３〜５．０μｍ程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合は１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。

＜光硬化性組成物＞
本発明の下層膜形成用樹脂組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物（好ましくは、インプリント用光硬化性組成物）は、通常、重合性化合物および光重合開始剤を含有する。

＜＜重合性化合物＞＞
重合性化合物は、好ましくは重合性モノマーである。例えば、エチレン性不飽和結合含有基を１〜６個有する重合性モノマー；エポキシ化合物、オキセタン化合物；ビニルエーテル化合物；スチレン誘導体；プロペニルエーテルまたはブテニルエーテル等を挙げることができる。
重合性化合物は、本発明の下層膜形成用樹脂組成物に含まれる樹脂が有する重合性基と重合可能な重合性基を有していることが好ましい。これらの中でも、（メタ）アクリレートが好ましい。これらの具体例としては、特開２０１１−２３１３０８号公報の段落番号００２０〜００９８に記載のものが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。市販品としては、例えば、ビスコート＃１９２（大阪有機化学工業製）、Ｒ−１６２０（ダイキン工業製）などが挙げられる。
重合性化合物の含有量は、光硬化性組成物の固形分に対し、例えば、５０〜９９質量％であることが好ましく、より好ましくは６０〜９９質量％であり、さらに好ましくは７０〜９９質量％である。２種類以上の重合性化合物を用いる場合は、その合計量が上記範囲であることが好ましい。

重合性化合物としては、脂環式炭化水素基および芳香族基の少なくとも１つを有する重合性化合物が好ましく、加えて、脂環式炭化水素基および芳香族基の少なくとも１つを有する重合性化合物と、シリコン原子およびフッ素の少なくとも１つを含有する重合性化合物とを含むことがより好ましい。さらに、脂環式炭化水素基および芳香族基の少なくとも１つを有する重合性化合物の合計が、全重合性化合物の、３０〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは５０〜１００質量％、さらに好ましくは７０〜１００質量％である。重合性化合物の分子量は、１０００未満であることが好ましい。

さらに好ましい様態は、重合性化合物として、芳香族基を含有する（メタ）アクリレート重合性化合物の含有量が、全重合性化合物の５０〜１００質量％である場合であり、７０〜１００質量％である場合がより好ましく、９０〜１００質量％である場合が特に好ましい。
特に好ましい様態としては、下記重合性化合物（１）の含有量が、全重合性化合物の０〜８０質量％であり（より好ましくは、２０〜７０質量％）、下記重合性化合物（２）の含有量が、全重合性化合物の２０〜１００質量％であり（より好ましくは、５０〜１００質量％）、下記重合性化合物（３）の含有量が、全重合性化合物の０〜１０質量％である（より好ましくは、０．１〜６質量％）場合である。
（１）芳香族基（好ましくはフェニル基、ナフチル基、さらに好ましくはナフチル基）と（メタ）アクリロイルオキシ基を１つ有する重合性化合物
（２）芳香族基（好ましくはフェニル基、ナフチル基、さらに好ましくはフェニル基）を含有し、（メタ）アクリレート基を２つ有する重合性化合物
（３）フッ素原子とシリコン原子のうち少なくとも一方（より好ましくはフッ素原子）と（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物

さらに、インプリント用光硬化性組成物においては、２５℃における粘度が５ｍＰａ・ｓ未満の重合性化合物の含有量が全重合性化合物に対して５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。上記範囲に設定することでインクジェット吐出時の安定性が向上し、インプリント転写において欠陥が低減できる。

＜＜光重合開始剤＞＞
光重合開始剤は、光照射により上述の重合性化合物を重合する活性種を発生する化合物であればいずれのものでも用いることができる。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。

ラジカル光重合開始剤としては、例えば、市販されている開始剤を用いることができる。これらの例としては、例えば、特開２００８−１０５４１４号公報の段落番号００９１に記載のものを好ましく採用することができる。この中でもアセトフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシムエステル系化合物が、硬化感度、吸収特性の観点から好ましい。市販品としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標） ９０７（ＢＡＳＦ社製）が例示できる。
また、光重合開始剤としてフッ素原子を有するオキシム化合物を用いることも可能である。そのような化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報に記載されている化合物、特表２０１４−５００８５２号公報の０３４５段落に記載されている化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報の０１０１段落に記載されている化合物（Ｃ−３)などが挙げられる。

光重合開始剤の含有量は、光硬化性組成物の固形分に対し、例えば、０．０１〜１５質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜１２質量％であり、さらに好ましくは０．２〜７質量％である。２種類以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が上記範囲であることが好ましい。光重合開始剤の含有量が０．０１質量％以上であると、感度（速硬化性）、解像性、ラインエッジラフネス性、塗膜強度が向上する傾向にあり好ましい。一方、光重合開始剤の含有量を１５質量％以下とすると、光透過性、着色性、取り扱い性などが向上する傾向にあり、好ましい。

＜＜界面活性剤＞＞
光硬化性組成物は、界面活性剤を含有することが好ましい。
界面活性剤としては、上述した下層膜形成用樹脂組成物に記載した界面活性剤と同様のものが挙げられる。また、特開２００８−１０５４１４号公報の段落番号００９７の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品も利用でき、例えば、ＰＦ−６３６（オムノバ製）が例示される。
界面活性剤の含有量は、光硬化性組成物の固形分に対し、例えば、０．００１〜５質量％であり、好ましくは０．００２〜４質量％であり、より好ましくは、０．００５〜３質量％である。二種類以上の界面活性剤を用いる場合は、その合計量が上述した範囲であることが好ましい。界面活性剤の含有量が組成物中０．００１〜５質量％の範囲にあると、塗布の均一性の効果が良好である。

＜＜非重合性化合物＞＞
光硬化性組成物は、末端に少なくとも１つ水酸基を有するか、または、水酸基がエーテル化されたポリアルキレングリコール構造を有し、フッ素原子およびシリコン原子を実質的に含有しない非重合性化合物を含んでいてもよい。
非重合性化合物の含有量は、光硬化性組成物の全固形分に対し、例えば、０．１〜２０質量％が好ましく、０．２〜１０質量％がより好ましく、０．５〜５質量％がさらに好ましく、０．５〜３質量％が一層好ましい。

＜＜酸化防止剤＞＞
光硬化性組成物は、酸化防止剤を含有することが好ましい。
酸化防止剤は、熱や光照射による退色およびオゾン、活性酸素、ＮＯｘ、ＳＯｘ（Ｘは整数）などの各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。光硬化性組成物に酸化防止剤を含有させることにより、硬化膜の着色を防止したり、硬化膜の分解による膜厚減少を低減できるという利点がある。
酸化防止剤としては、ヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体などを挙げることができる。この中でも、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤が、硬化膜の着色、膜厚減少の観点で好ましい。
酸化防止剤の市販品としては、商品名Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） １０１０、１０３５、１０７６、１２２２（以上、ＢＡＳＦ（株）製）、商品名Ａｎｔｉｇｅｎｅ Ｐ、３Ｃ、ＦＲ、スミライザーＳ、スミライザーＧＡ８０（住友化学工業（株）製）、商品名アデカスタブＡＯ７０、ＡＯ８０、ＡＯ５０３（（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。
酸化防止剤の含有量は、重合性化合物に対し、例えば、０．０１〜１０質量％であり、好ましくは０．２〜５質量％である。二種類以上の酸化防止剤を用いる場合は、その合計量が上述した範囲であることが好ましい。

＜＜重合禁止剤＞＞
光硬化性組成物は、重合禁止剤を含有することが好ましい。重合禁止剤を含めることにより、経時での粘度変化、異物発生およびパターン形成性劣化を抑制できる傾向にある。
重合禁止剤の含有量は、重合性化合物に対し、例えば、０．００１〜１質量％であり、好ましくは０．００５〜０．５質量％であり、さらに好ましくは０．００８〜０．０５質量％である、重合禁止剤を適切な量配合することで、高い硬化感度を維持しつつ経時による粘度変化を抑制することができる。重合禁止剤は用いる重合性化合物にあらかじめ含まれていても良いし、光硬化性組成物にさらに追加してもよい。
重合禁止剤の具体例については、特開２０１２−０９４８２１号公報の段落番号０１２５の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

＜＜溶剤＞＞
光硬化性組成物には、必要に応じて、溶剤を含有させることができる。溶剤としては、上述した下層膜形成用樹脂組成物で説明した溶剤が挙げられる。
光硬化性組成物中の溶剤の含有量は、光硬化性組成物の粘度、塗布性、目的とする膜厚によって適切に調整されるが、塗布性改善の観点から、光硬化性組成物中に９９質量％以下の範囲で含有させることができる。光硬化性組成物をインクジェット法で基材に塗布する場合、溶剤は、実質的に含まない（例えば、３質量％以下）ことが好ましい。一方、膜厚５００ｎｍ以下のパターンをスピン塗布などの方法で形成する際には、２０〜９９質量％の範囲で含有させてもよく、４０〜９９質量％が好ましく、７０〜９８質量％が特に好ましい。

＜＜ポリマー成分＞＞
光硬化性組成物は、ドライエッチング耐性、インプリント適性、硬化性等の改良の観点からも、さらにポリマー成分を含有していてもよい。ポリマー成分としては側鎖に重合性基を有するポリマーが好ましい。ポリマー成分の重量平均分子量は、重合性化合物との相溶性の観点から、２０００〜１０００００が好ましく、５０００〜５００００がより好ましい。ポリマー成分の含有量は、光硬化性組成物の固形分に対し、例えば０〜３０質量％が好ましく、より好ましくは０〜２０質量％であり、さらに好ましくは０〜１０質量％であり、最も好ましくは０〜２質量％である。
インプリント用光硬化性組成物においては、分子量２０００以上の化合物の含有量が３０質量％以下であると、パターン形成性が向上することから、ポリマー成分は、少ない方が好ましく、界面活性剤や微量の添加剤を除き、ポリマー成分を実質的に含まないことが好ましい。

光硬化性組成物には、上記成分の他に、必要に応じて離型剤、シランカップリング剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、接着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、エラストマー粒子、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調整剤、消泡剤、分散剤等を添加してもよい。

光硬化性組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。各成分の混合は、通常、０℃〜１００℃の範囲で行われる。また、各成分を混合した後、例えば、孔径０．００３〜５．０μｍのフィルタでろ過することが好ましい。ろ過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。フィルタの材質、方法については、下層膜形成用樹脂組成物で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。

光硬化性組成物の粘度は、２３℃において、０．５〜２０ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上がより好ましく、５ｍＰａ・ｓ以上がさらに好ましい。上限は、例えば、１５ｍＰａ・ｓ以下がより好ましく、１０ｍＰａ・ｓ以下がさらに好ましい。なお、本発明における粘度の値は、東機産業（株）社製のＥ型回転粘度計ＲＥ８５Ｌ、標準コーン・ロータ（１°３４’×Ｒ２４）を用い、回転数を５０ｒｐｍに設定し、サンプルカップを２３±０．１℃に温度調節して測定した値である。

＜積層体＞
本発明の積層体は、基材の表面に、上述した本発明の下層膜形成用樹脂組成物を硬化してなる下層膜を有する。
下層膜の膜厚は、特に限定はないが、例えば、１〜１０ｎｍが好ましく、２〜５ｎｍがより好ましい。
基材としては、特に限定はなく、種々の用途によって選択可能である。例えば、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基材、紙、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ポリエステルフイルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等のポリマー基材、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基材、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電極板、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）や金属などの導電性基材、絶縁性基材、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基材などが挙げられる。本発明では、特に、表面エネルギーの小さい（例えば、４０〜６０ｍＪ／ｍ²程度）の基材を用いたときにも、適切な下層膜を形成できる。一方、エッチング用途に用いる場合、半導体作製基材が好ましい。
本発明では特に、表面に極性基を有する基材を好ましく採用できる。表面に極性基を有する基材を用いることにより、下層膜形成用樹脂組成物との密着性がより向上する傾向にある。極性基としては、水酸基、カルボキシル基、シラノール基などが例示される。特に好ましくは、シリコン基材および石英基材である。
基材の形状も特に限定されるものではなく、板状でもよいし、ロール状でもよい。また、モールドとの組み合わせ等に応じて、光透過性、または、非光透過性のものを選択することができる。

下層膜の表面には、上述した光硬化性組成物によってパターンが形成されていてもよい。上記パターンは、例えば、エッチングレジストとして使用することができる。この場合の基材として、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳｉＯ₂や窒化シリコン等の薄膜が形成された基材（シリコンウェハ）が例示される。基材のエッチングは、複数を同時に行っても良い。
また、上記パターンが形成された積層体は、そのままあるいは凹部の残膜、下層膜を除去した状態で永久膜としてデバイスや構造体として利用することもできる。この積層体は、環境変化や応力を加えても膜剥がれが発生しにくく、有用である。

＜パターン形成方法＞
次に、本発明のパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は、基材の表面に、本発明の下層膜形成用樹脂組成物を層状に適用する工程（工程１）と、適用された下層膜形成用樹脂組成物を加熱して下層膜を形成する工程（工程２）と、下層膜の表面、または、パターンを有するモールド上に光硬化性組成物（インプリント用光硬化性組成物）を層状に適用する工程（工程３）と、光硬化性組成物をモールドと基材とで挟持する工程（工程４）と、光硬化性組成物をモールドと基材とで挟持した状態で光照射して、光硬化性組成物を硬化させる工程（工程５）と、モールドを剥離する工程（工程６）とを含む。

図１は、光硬化性組成物を用いて、基材をエッチングする製造プロセスの一例を示す概略図であって、１は基材を、２は下層膜を、３はインプリント層を、４はモールドをそれぞれ示している。図１では、基材１の表面に、下層膜形成用樹脂組成物を適用し（２）、その表面に光硬化性組成物を適用し（３）、その表面にモールドを適用している（４）。そして、光を照射した後、モールドを剥離する（５）。そして、光硬化性組成物によって形成されたパターン（インプリント層３）に沿って、エッチングを行い（６）、インプリント層３および下層膜２を剥離し、要求されるパターンを有する基材を形成する（７）。ここで、基材１とインプリント層３の密着性が悪いと正確なモールド４のパターンが反映されないため、インプリント層３と基材１との密着性は重要である。
以下、本発明のパターン形成方法の詳細について説明する。

＜＜工程１＞＞
まず、基材の表面に、下層膜形成用樹脂組成物を層状に適用する。基材としては、上述した積層体で説明した基材が挙げられる。下層膜形成用樹脂組成物の適用方法としては、塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート方法、スリットスキャン法、インクジェット法などが挙げられる。膜厚均一性の観点からスピンコート法が好ましい。
下層膜形成用樹脂組成物の塗布量は、例えば、硬化後の膜厚として、１〜１０ｎｍであることが好ましく、３〜８ｎｍであることがより好ましい。

＜＜工程２＞＞
次に、基材表面に適用された下層膜形成用樹脂組成物を加熱して下層膜を形成する。
基材表面に適用した下層膜形成用樹脂組成物は、乾燥して溶剤を除去することが好ましい。乾燥温度は、下層膜形成用樹脂組成物に含まれる沸点に応じて適宜調整することができる。例えば、好ましい乾燥温度は、７０〜１３０℃である。
必要に応じて乾燥した後、加熱して下層膜形成用樹脂組成物を硬化させて、下層膜を形成する。加熱条件は、加熱温度（ベーク温度）が１２０〜２５０℃、加熱時間が３０秒〜１０分間であることが好ましい。
溶剤の除去と、加熱による硬化は、同時に行っても良い。
本発明では、下層膜形成用樹脂組成物を基材表面に適用した後、加熱して下層膜形成用樹脂組成物の少なくとも一部を硬化した後、下層膜の表面に光硬化性組成物を適用することが好ましい。このような手段を採用すると、光硬化性組成物の光硬化時に、下層膜形成用樹脂組成物も完全に硬化し、密着性がより向上する傾向にある。

＜＜工程３＞＞
次に、下層膜の表面、または、パターンを有するモールド上に光硬化性組成物を層状に適用（層状に適用された光硬化性組成物を、パターン形成層ともいう）する。光硬化性組成物の適用方法としては、上述した下層膜形成用樹脂組成物の適用方法と同様の方法を採用することができる。

＜＜工程４＞＞

次いで、パターン形成層（光硬化性組成物）をモールドと基材とで挟持する。これにより、モールドの表面にあらかじめ形成された微細なパターンをパターン形成層に転写することができる。

モールドは、転写されるべきパターンを有するモールドが好ましい。モールド上のパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じてパターンが形成できる。
モールドの材質は、特に限定されないが、所定の強度、耐久性を有するものであればよい。具体的には、ガラス、石英、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。また、光透過性の基材を用いた場合には、非光透過型のモールドを用いることもできる。非光透過型のモールドの材質としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属、ＳｉＣ、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどが例示され、特に制約されない。また、モールドの形状も特に制約されるものではなく、板状モールド、ロール状モールドのどちらでもよい。ロール状モールドは、特に転写の連続生産性が必要な場合に適用される。
モールドは、光硬化性組成物とモールド表面との剥離性を向上させるために離型処理を行ったものを用いてもよい。このようなモールドとしては、シリコン系やフッソ系などのシランカップリング剤による処理を行ったもの、例えば、ダイキン工業（株）製のオプツールＤＳＸや、住友スリーエム（株）製のＮｏｖｅｃ ＥＧＣ−１７２０等、市販の離型剤も好適に用いることができる。

パターン形成層をモールドと基材とで挟持する際には、ヘリウムをモールドとパターン形成層表面との間に導入してもよい。このような方法を用いることにより、気体のモールドの透過を促進して、残留気泡の消失を促進させることができる。また、パターン形成層中の溶存酸素を低減することで、露光におけるラジカル重合阻害を抑制することができる。また、ヘリウムの替わりに、凝縮性ガスをモールドとパターン形成層との間に導入してもよい。このような方法を用いることにより、導入された凝縮性ガスが凝縮して体積が減少することを利用し、残留気泡の消滅をさらに促進させることができる。凝縮性ガスとは、温度や圧力により凝縮するガスのことをいい、例えば、トリクロロフルオロメタン、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン等を用いることができる。凝縮性ガスについては、例えば、特開２００４−１０３８１７号公報の段落００２３、特開２０１３−２５４７８３号公報の段落０００３の記載を参酌することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

＜＜工程５＞＞
次に、パターン形成層（光硬化性組成物）をモールドと基材とで挟持した状態で光照射して、パターン形成層を硬化させる。光照射の照射量は、光硬化性組成物の硬化に必要な照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、光硬化性組成物の不飽和結合の消費量や硬化膜のタッキネスを調べて適宜決定される。

光照射の際の温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために基材を加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドと光硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、本発明のパターン形成方法において、光照射時における好ましい真空度は、１０^-1Ｐａから常圧の範囲である。

露光に際しては、露光照度を１〜５０ｍＷ／ｃｍ²の範囲にすることが望ましい。１ｍＷ／ｃｍ²以上とすることにより、露光時間を短縮することができるため生産性が向上し、５０ｍＷ／ｃｍ²以下とすることにより、副反応が生じることによる永久膜の特性の劣化を抑止できる傾向にあり好ましい。露光量は５〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の範囲にすることが望ましい。この範囲であれば、光硬化性組成物の硬化性が良好である。さらに、露光に際しては、酸素によるラジカル重合の阻害を防ぐため、窒素やアルゴンなどの不活性ガスを流して、酸素濃度を１００ｍｇ／Ｌ未満に制御してもよい。

本発明のパターン形成方法においては、光照射によりパターン形成層（光硬化性組成物）を硬化させた後、必要に応じて硬化させたパターンに熱を加えてさらに硬化させる工程を含んでいてもよい。加熱温度は、例えば、１５０〜２８０℃が好ましく、２００〜２５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、例えば、５〜６０分間が好ましく、１５〜４５分間がさらに好ましい。

＜＜工程６＞＞
上述のようにして光硬化性組成物を硬化させたのち、モールドを剥離することで、モールドの形状に沿ったパターンを形成できる。

パターン形成方法の具体例としては、特開２０１２−１６９４６２号公報の段落番号０１２５〜０１３６に記載のものが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
また、本発明のパターン形成方法は、パターン反転法に応用することができる。パターン反転法とは、具体的には、先ず、炭素膜（ＳＯＣ）などの基材に、本発明のパターン形成方法でレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをＳｉ含有膜（ＳＯＧ）などで被覆した後、Ｓｉ含有膜の上部をエッチングバックしてレジストパターンを露出させ、露出したレジストパターンを酸素プラズマ等により除去することで、Ｓｉ含有膜の反転パターンを形成することができる。さらにＳｉ含有膜の反転パターンをエッチングマスクとして、その下層にある基材をエッチングすることで、基材に反転パターンが転写する。最後に、反転パターンが転写された基材をエッチングマスクとして、基材をエッチング加工する方法である。このような方法の例としては、特開平５−２６７２５３号公報、特開２００２−１１０５１０号公報、特表２００６−５２１７０２号公報の段落００１６〜００３０を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。

＜パターン＞
上述のように本発明のパターン形成方法によって形成されたパターンは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などに用いられる永久膜や、半導体加工用のエッチングレジストとして使用することができる。また、本発明のパターンを利用して液晶表示装置のガラス基板にグリッドパターンを形成し、反射や吸収が少なく、大画面サイズ（例えば５５インチ、６０インチ超）の偏光板を安価に製造することが可能である。例えば、特開２０１５−１３２８２５号公報やＷＯ２０１１／１３２６４９号に記載の偏光板が製造できる。なお、１インチは２５．４ｍｍである。
例えば、半導体集積回路、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）、光ディスク、磁気ディスク等の記録媒体、固体撮像素子等の受光素子、ＬＥＤ、有機ＥＬおよび液晶表示装置（ＬＣＤ）等の発光素子等の光デバイス、回折格子、レリーフホログラム、光導波路、光学フィルタ、マイクロレンズアレイ等の光学部品、薄膜トランジタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、反射防止膜、偏光板等の偏光素子、光学フィルム、柱材等のフラットパネルディスプレイ用部材、ナノバイオデバイス、免疫分析チップ、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）分離チップ、マイクロリアクター、フォトニック液晶、ブロックコポリマーの自己組織化を用いた微細パターン形成（ｄｉｒｅｃｔｅｄ ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ、ＤＳＡ）のためのガイドパターン等の作製に好ましく用いることができる。

＜インプリント形成用キット＞
次に、本発明のインプリント形成用キットについて説明する。
本発明のインプリント形成用キットは、上述した下層膜形成用樹脂組成物と、光硬化性組成物とを有する。
下層膜形成用樹脂組成物および光硬化性組成物のそれぞれの組成、好ましい範囲などは、前述したものと同様である。
本発明のインプリント形成用キットは、上述したパターン形成方法に好ましく用いることができる。

＜デバイスの製造方法＞
本発明のデバイスの製造方法は、上述したパターン形成方法を含む。
すなわち、上述した方法でパターンを形成した後、各種デバイスの製造に用いられている方法を適用してデバイスを製造できる。
上記パターンは、永久膜としてデバイスに含まれていてもよい。また、上記パターンをエッチングマスクとして用い、基材に対してエッチング処理を施すこともできる。例えば、パターンをエッチングマスクとしてドライエッチングを施し、基材の上層部分を選択的に除去する。基材に対してこのような処理を繰り返すことにより、デバイスを製造することもできる。デバイスとしては、ＬＳＩ（large-scale integrated circuit：大規模集積回路）などの半導体デバイスが挙げられる。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。

＜重量平均分子量の測定＞
重量平均分子量は、以下の方法で測定した。
カラムの種類：ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ−Ｈ（東ソー（株）製、４．６ｍｍ（内径）×１５ｃｍ）を３本直列につないだカラム
展開溶媒：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
試料濃度：０．３５質量％
流速：０．３５ｍＬ／ｍｉｎ
サンプル注入量：１０μＬ
装置名：東ソー（株）製 ＨＬＣ−８０２０ＧＰＣ
検出器：ＲＩ（屈折率）検出器
検量線ベース樹脂：ポリスチレン

＜樹脂Ａ−１の合成＞
フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）；１００ｇを入れ、窒素雰囲気下で９０℃に昇温した。その溶液に、メタクリル酸（ＭＡＡ）；３４．５ｇ（０．４０モル）（和光純薬製）、２，２'−アゾビス（２−メチルプロパン酸メチル) （Ｖ−６０１）；２．８ｇ（１２ミリモル）（和光純薬製）、ＰＧＭＥＡ；５０ｇの混合液を、２時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに９０℃で４時間攪拌することにより、ＭＡＡ重合体を得た。
上記ＭＡＡ重合体の溶液に、グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）；８５．４ｇ（０．４０モル）（和光純薬製）、テトラエチルアンモニウムブロミド（ＴＥＡＢ）；２．１ｇ（和光純薬製）、４−ヒドロキシ−テトラメチルピペリジン１−オキシル（４−ＨＯ−ＴＥＭＰＯ）；５０ｍｇ（和光純薬製）を加えて、９０℃で８時間反応させ、Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴）からＧＭＡが反応で消失したことを確認し、反応を終了した。反応終了後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、重曹水、次いで希塩酸水で分液抽出して過剰のアクリル酸や触媒のＴＥＡＢを除き、最後に純水で洗浄したのち、ＰＧＭＥＡに溶解させ、樹脂Ａ−１のＰＧＭＥＡ溶液を得た。得られたＡ−１のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）から求めた重量平均分子量（Ｍｗ、ポリスチレン換算）は１４０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．２であった。

＜樹脂Ａ−２の合成＞
フラスコに、ＰＧＭＥＡ；１００ｇを入れ、窒素雰囲気下で９０℃に昇温した。その溶液に、メタクリル酸（ＭＡＡ）；２０．７ｇ（０．２４モル）（和光純薬製）、ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）；２０．８ｇ（０．１６モル）（和光純薬製）、Ｖ−６０１；２．８ｇ（１２ミリモル））、ＰＧＭＥＡ；５０ｇの混合液を、２時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに９０℃で４時間攪拌することにより、ＭＡＡ／ＨＥＭＡ共重合体を得た。
上記ＭＡＡ／ＨＥＭＡ共重合体の容器に、グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）；５１．３ｇ（０．２４モル）（和光純薬製）、テトラエチルアンモニウムブロミド（ＴＥＡＢ）；２．１ｇ（和光純薬製）、４−ヒドロキシ−テトラメチルピペリジン１−オキシル（４−ＨＯ−ＴＥＭＰＯ）；５０ｍｇ（和光純薬製）を加えて、９０℃で８時間反応させ、Ｈ−ＮＭＲからＧＭＡが反応で消失したことを確認し、反応を終了した。反応終了後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、重曹水、次いで希塩酸水で分液抽出して過剰のアクリル酸や触媒のＴＥＡＢを除き、最後に純水で洗浄したのち、ＰＧＭＥＡに溶解させ、樹脂Ａ−２のＰＧＭＥＡ溶液を得た。得られたＡ−２は、Ｍｗ＝１８０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．２であった。

本発明で用いる樹脂の構造を下記に示す。ｘ、ｚは、それぞれの繰り返し単位のモル比であり、上記表から算出できる。

＜樹脂Ａ−３の合成＞
フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（２８．５ｇ）を入れ、窒素雰囲気下で９０℃に昇温した。その溶液に、グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ、和光純薬工業製）（１４．２ｇ）、１−エチルシクロペンチルメタクリレート（ＥｔＣＰＭＡ、大阪有機化学工業製）（１８．２ｇ）、２，２'−アゾビス（２−メチルプロパン酸メチル)（Ｖ−６０１、和光純薬工業製）（１．１ｇ）、ＰＧＭＥＡ（２８．５ｇ）の混合液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに９０℃で４時間攪拌することにより、ＧＭＡ重合体のＰＧＭＥＡ溶液を得た。
上記ＧＭＡ重合体の溶液に、アクリル酸（ＡＡ、和光純薬工業製）（１５．０ｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ、和光純薬工業製）（２．０ｇ）、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシル フリーラジカル（４−ＨＯ−ＴＥＭＰＯ、和光純薬工業製）（５０ｍｇ）を加えて、９０℃で１０時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、重曹水、次いで希塩酸水で分液抽出して過剰のアクリル酸や触媒のＴＢＡＢを除き、最後に純水で洗浄した。減圧濃縮して酢酸エチルを溜去して得られた樹脂Ａ−３は、重量平均分子量＝１５１００、分散度（重量平均分子量／数平均分子量）＝１．８であった。

＜樹脂Ａ−４の合成＞
フラスコにＰＧＭＥＡ（１００ｇ）を入れ、窒素雰囲気下で９０℃に昇温した。その溶液に、グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ、和光純薬工業製）（５６．９ｇ）、２，２'−アゾビス（２−メチルプロパン酸メチル)（Ｖ−６０１、和光純薬工業製）（３．７ｇ）、ＰＧＭＥＡ（５０ｇ）の混合液を、２時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに９０℃で４時間攪拌することにより、ＧＭＡ重合体のＰＧＭＥＡ溶液を得た。
上記ＧＭＡ重合体の溶液に、ＡＡ（１４．４ｇ）、ＴＢＡＢ（２．１ｇ）、４−ＨＯ−ＴＥＭＰＯ（５０ｍｇ）を加えて、９０℃で１０時間反応させた。反応終了後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、重曹水、次いで希塩酸水で分液抽出して過剰のアクリル酸や触媒のＴＢＡＢを除き、最後に純水で洗浄した。得られた樹脂Ａ−４は、重量平均分子量＝１４０００、分散度＝２．０であった。また、Ｈ−ＮＭＲの面積比より算出したアクリロイルオキシ基とグリシジル基とのモル比は、５０：５０であった。

樹脂の構造を下記に示す。ｘ、ｙは、それぞれの繰り返し単位のモル比を表す。また、以下の式において、Ｍｅは、メチル基を表す。

Ａ−５ ＰＶＥＥＡ 日本触媒社製

重量平均分子量 ２１０００ 分散度 ２．２

＜下層膜形成用樹脂組成物の調製＞
下記表に示した固形分比（質量比）で、かつ総固形分が０．３質量％となるように溶剤に溶解させた。この溶液を、孔径０．１μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルタでろ過して下層膜形成用樹脂組成物を得た。

（樹脂）
Ａ−１〜Ａ−５：上記樹脂Ａ−１〜Ａ−５
Ａ４：フラスコにＰＧＭＥＡ（１００ｇ）を入れ、市販樹脂ＮＫオリゴ ＥＡ７１２０（新中村化学工業社製）４０ｇを入れ２時間攪拌して樹脂を完全に溶解させた。溶解後、酢酸エチル２００ｍＬを加え、重曹水、次いで希塩酸水で分液抽出して過剰の原料成分や触媒成分を除き、最後に純水で洗浄し、Ａ４の樹脂を得た。
Ａ５：Ａ４の調製における市販樹脂としてＮＫオリゴ ＥＡ７１４０（新中村化学工業社製）を使用した以外はＡ４と同様の方法にて、Ａ５の樹脂を得た。
Ａ６：Ａ４の調製における市販樹脂としてＮＫオリゴ ＥＡ７４２０（新中村化学工業社製）を使用した以外はＡ４と同様の方法にて、Ａ６の樹脂を得た。
Ａ７：Ａ４の調製における市販樹脂としてＮＫオリゴ ＥＡ７４４０（新中村化学工業社製）を使用した以外はＡ４と同様の方法にて、Ａ７の樹脂を得た。
（架橋剤）
Ｂ１：サイメル３０３ＵＬＦ（サイテックインダストリーズ社製）
（触媒）
Ｃ１：ＣＹＣＡＴ４０４０（サイテックインダストリーズ社製）
（求核触媒）
ＴＥＡＢ：テトラエチルアンモニウムブロミド（和光純薬工業）
Ｐｈ３Ｐ：トリフェニルホスフィン（和光純薬工業）
ＢＭＩＭ：１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（東京化成工業）
ＤＭＡＰ：ジメチルアミノピリジン（東京化成工業）
ＢＴＡＢ：臭化ベンジルトリエチルアンモニウム（ナカライテスク）
ＥＴＰＰ：臭化エチルトリフェニルホスホニウム（和光純薬工業）
（界面活性剤）
＜ノニオン性界面活性剤＞
Ｗ−１： Ｃａｐｓｔｏｎｅ ＦＳ３１００ （ＤｕＰｏｎｔ社製）
Ｗ−２： Ｐｏｌｙｆｏｘ ＰＦ６５２０ （ＯＭＮＯＶＡ社製）
Ｗ−３： ＦＬ−５ （信越化学工業社製）
Ｗ−４： Ｎｅｗｃｏｌ １００８ （日本乳化剤社製）
（溶剤）
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＰＧＭＥ：プロピレングリコールモノメチルエーテル

＜インプリント用光硬化性組成物Ｖ１の調製＞
下記表に示す重合性化合物、光重合開始剤および添加剤を混合し、さらに重合禁止剤として４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル（東京化成社製）をモノマーに対して２００ｐｐｍ（０．０２質量％）となるように加えて調製した。これを孔径０．１μｍのＰＴＦＥ製フィルタでろ過し、インプリント用光硬化性組成物Ｖ１を調製した。尚、表は、質量比で示した。

＜下層膜の形成＞
シリコンウェハの表面に、下層膜形成用樹脂組成物をスピンコートし、１００℃のホットプレート上で１分間加熱して溶剤を乾燥させた。さらに、１８０℃のホットプレート上で５分間ベーク（加熱）して、シリコンウェハの表面に下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は５ｎｍであった。

＜下層膜の面状の評価＞
以下の表面粗さＲａ、および塗布パーティクルの評価を、塗布面状評価の指標とした。

＜下層膜の表面粗さＲａの評価＞
上記で得られた下層膜について、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、ブルカー・エイエックスエス製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ）を用いて、１０μｍ角を１０２４ｘ１０２４ピッチで表面凹凸データを測定し、算術平均表面粗さ（Ｒａ）を算出した。

＜下層膜の塗布パーティクルの評価＞
上記で得られた下層膜について、Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１（ＫＬＡテンコール社製）を用いた塗布欠陥検査を行い、０．２ｕｍ以上の塗布欠陥として検出される欠陥の個数をｎ＝５で測定し、得られた測定値の平均値を以下の分類により評価した。
Ａ：５０個以下
Ｂ：５０個より多く３００個以下
Ｃ：３００個より多く５００個以下
Ｄ：５００個より多い

＜密着性の評価＞
厚さ５０ｎｍの熱酸化膜を有する７００μｍ厚のシリコンウェエハ表面、および、厚さ５２５μｍの石英ウェハ表面に、それぞれ、上記下層膜形成組成物をスピンコートし、１００℃のホットプレート上で１分間加熱して溶剤を乾燥させた。さらに、２２０℃のホットプレート上で５分間加熱することで、下層膜形成用組成物を硬化させて下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は５ｎｍであった。
シリコンウェハ上に形成した下層膜の表面に、２５℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物Ｖ１を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターＤＭＰ−２８３１を用いて、ノズルあたり１ｐｌの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約１００μｍ間隔の正方配列となるように、半径４０ｍｍの円内に塗布した。上から石英ウエハを下層膜側がパターン形成層（インプリント用硬化性組成物層）と接するように載せ、石英ウエハ側から高圧水銀ランプを用い３００ｍＪ／ｃｍ²の条件で露光した。露光後、石英ウエハを離し、そのときの離型力を測定した。
この離型力がシリコンウェハとインプリント用硬化性組成の接着力Ｆ（単位：Ｎ）に相当する。離型力は特開２０１１−２０６９７７号公報の段落番号０１０２〜０１０７に記載の比較例に記載の方法に準じて測定を行った。すなわち、上記公報の図５の剥離ステップ１〜６および１６〜１８に従って行った。
Ｓ：Ｆ≧４５
Ａ：４５＞Ｆ≧４０
Ｂ：４０＞Ｆ≧３０
Ｃ：３０＞Ｆ≧２０
Ｄ：２０＞Ｆ

＜パターン欠陥の評価１＞
上述したシリコンウェハ上に形成させた下層膜の表面に、２５℃に温度調整したインプリント用光硬化性組成物Ｖ１を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターＤＭＰ−２８３１を用いて、ノズルあたり６ｐｌの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約２８０μｍ間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層を形成した。次に、パターン形成層に、石英モールド（矩形ライン／スペースパターン（１／１）、線幅６０ｎｍ、溝深さ６０ｎｍ、ラインエッジラフネス３．５ｎｍ）を押印し、パターン形成層（インプリント用光硬化性組成物）をモールドに充填した。パターン領域全面でモールドとインプリント用光硬化性組成物がコンタクトしてから１０秒後に、モールド側から高圧水銀ランプを用い、３００ｍＪ／ｃｍ²の条件で露光した後、モールドを剥離することでパターン形成層にパターンを転写させた。
上記パターン形成層に転写されたパターンについて、光学顕微鏡（ニコン社製Ｌ２００Ｄ）を用いて観察し、暗視野で輝点数を求め、１ｃｍ²あたりの欠陥数を算出した。
Ａ：３００個以下
Ｂ：３００個より多く５００個以下
Ｃ：５００個より多く７００個以下
Ｄ：７００個より多く１０００個以下
Ｅ：１０００個より多い

＜パターン欠陥の評価２＞
オルトケイ酸テトラメチル（ＴＭＯＳ）を２０質量部と、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）を８０質量部と、マレイン酸を０．５質量部とを、１−プロポキシ−２−プロパノールに混合して溶解させた溶液を、シリコンウェハ上に４０ｎｍの厚さとなるように製膜し、２００℃で６０秒で焼成して、シリコンウェハの表面に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を製膜した。
シリコンウェハ上に製膜したＳＯＧ膜の表面に、下層膜形成用樹脂組成物をスピンコートし、１００℃のホットプレート上で１分間加熱して溶剤を乾燥させた。さらに、１８０℃のホットプレート上で５分間ベーク（加熱）して、ＳＯＧ膜を有するシリコンウェハの表面に下層膜を形成した。硬化後の下層膜の膜厚は５ｎｍであった。
下層膜の表面に、２５℃に温度調整したインプリント用光硬化性組成物を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターＤＭＰ−２８３１を用いて、ノズルあたり６ｐｌの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約２８０μｍ間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層を形成した。次に、パターン形成層に、石英モールド（矩形ライン／スペースパターン（１／１）、線幅５０ｎｍ、溝深さ９０ｎｍ、ラインエッジラフネス３．５ｎｍ）を押印し、パターン形成層（インプリント用光硬化性組成物）をモールドに充填した。パターン領域全面でモールドとインプリント用光硬化性組成物がコンタクトしてから１０秒後に、モールド側から高圧水銀ランプを用い、３００ｍＪ／ｃｍ²の条件で露光した後、モールドを剥離することでパターン形成層にパターンを転写させた。
上記パターン形成層に転写されたパターンについて、光学顕微鏡（ニコン社製Ｌ２００Ｄ）を用いて観察し、暗視野で輝点数を求め、１ｃｍ²あたりの欠陥数を算出した。
Ａ：３００個以下
Ｂ：３００個より多く５００個以下
Ｃ：５００個より多く７００個以下
Ｄ：７００個より多く１０００個以下
Ｅ：１０００個より多い
結果を以下の表に示す。

上記結果から明らかなように、実施例の下層膜形成用樹脂組成物は、面状が良好で、密着性が良好であった。更には、表面粗さＲａが小さく、塗布パーティクルが極めて少なかった。また、欠陥の少ないパターンを形成することができた。
これに対し、比較例の下層膜形成用樹脂組成物は、下層膜の面状が劣るものであった。更には、パターン欠陥が多かった。

＜インプリント用光硬化性組成物Ｖ２の調製＞
下記表に示す重合性化合物、光重合開始剤および添加剤を混合し、さらに重合禁止剤として４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル（東京化成社製）をモノマーに対して２００ｐｐｍ（０．０２質量％）となるように加えて調製した。これを孔径０．１μｍのＰＴＦＥ製フィルタでろ過し、インプリント用光硬化性組成物Ｖ２を調製した。尚、表は、質量比で示した。

インプリント用光硬化性組成物として、インプリント用光硬化性組成物Ｖ１の代わりに、インプリント用光硬化性組成物Ｖ２を用いて上記と同様の方法でパターン欠陥１の評価を行ったところ、何れのインプリント用光硬化性組成物の場合においても、実施例の下層膜形成用樹脂組成物を用いた場合の方が、比較例の下層膜形成用樹脂組成物を用いた場合よりもパターン欠陥が少なかった。

１ 基材、２ 下層膜、３ インプリント層、４ モールド

Claims (12)

1. 樹脂と、求核触媒と、溶剤とを含有する下層膜形成用樹脂組成物であって、前記求核触媒の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物の固形分に対して、０．０１〜３質量％である、下層膜形成用樹脂組成物。
2. 前記求核触媒が、アンモニウム塩、ホスフィン系化合物、ホスホニウム塩、および、複素環化合物から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
3. 前記樹脂が、ラジカル反応性基を有する樹脂を含む、請求項１または２に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
4. 前記樹脂が、ラジカル反応性基と、下記一般式（Ｂ）で表される基、オキシラニル基、オキセタニル基、ノニオン性親水性基および基材に対して相互作用を有する基から選択される少なくとも一つの基とを側鎖に有する樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物；
   

   

   一般式（Ｂ）中、波線は、樹脂の主鎖または側鎖との連結位置を表し、
   Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3は、各々独立に炭素数１〜２０の無置換の直鎖のアルキル基、炭素数３〜２０の無置換の分岐のアルキル基および炭素数３〜２０の無置換のシクロアルキル基から選択される基を表し、
   Ｒ^b1、Ｒ^b2およびＲ^b3のうちの２つが互いに結合して環を形成していてもよい。
5. 前記樹脂が、下記式（Ｘ１）〜（Ｘ４）から選ばれる繰り返し単位を少なくとも１つ有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物；
   

   

   式（Ｘ１）〜（Ｘ４）中、Ｒ^X1、Ｒ^X2、および、Ｒ^X3は、各々独立に、水素原子またはメチル基を表し、波線は、樹脂の繰り返し単位を構成する原子または原子団との連結位置を表す。
6. 水の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物に対し、０．０１〜３質量％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
7. 前記溶剤の含有量が、下層膜形成用樹脂組成物に対し、９５〜９９．９質量％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
8. 光インプリント用の下層膜形成に用いられる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物と、光硬化性組成物とを有する、インプリント形成用キット。
10. 基材の表面に、請求項１〜８のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物を硬化してなる下層膜を有する、積層体。
11. 基材の表面に、請求項１〜８のいずれか１項に記載の下層膜形成用樹脂組成物を層状に適用する工程と、
    適用された下層膜形成用樹脂組成物を加熱して下層膜を形成する工程と、
    下層膜の表面、または、パターンを有するモールド上に、光硬化性組成物を層状に適用する工程と、
    前記光硬化性組成物を前記モールドと前記基材とで挟持する工程と、
    前記光硬化性組成物を前記モールドと前記基材とで挟持した状態で光照射して、前記光硬化性組成物を硬化させる工程と、
    前記モールドを剥離する工程とを含む、パターン形成方法。
12. 請求項１１に記載のパターン形成方法を含む、デバイスの製造方法。

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