JPWO2015019533A1 - Sensor, input device and electronic device - Google Patents

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Abstract

センサは、導体層と、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、導体層および検出層を離間する複数の構造体とを備える。複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている。【選択図】図１The sensor includes a conductor layer, a detection layer that includes a detection region and includes a plurality of detection units that are two-dimensionally arranged in the detection region, and a plurality of structures that separate the conductor layer and the detection layer. Among the plurality of detection units, at least the detection unit located on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the periphery of the detection region toward the inner side with respect to the reference position of the two-dimensional array. [Selection] Figure 1

Description

本技術は、入力操作を静電的に検出することが可能なセンサ、入力装置および電子機器に関する。   The present technology relates to a sensor capable of electrostatically detecting an input operation, an input device, and an electronic apparatus.

電子機器用のセンサとして、例えば容量素子を備え、入力操作面に対する操作子の操作位置と押圧力とを検出することが可能な構成を有するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。   As a sensor for an electronic device, for example, a sensor that includes a capacitive element and has a configuration capable of detecting an operation position and a pressing force of an operator with respect to an input operation surface is known (for example, see Patent Document 1). .

特開２０１１−１７０６５９号公報JP 2011-170659 A

近年、センサの操作性を向上するために、種々の特性向上が望まれているが、そのうちの１つとして操作の検出精度の向上がある。   In recent years, in order to improve the operability of the sensor, various characteristics are desired to be improved. One of them is improvement of operation detection accuracy.

したがって、本技術の目的は、検出精度を向上できるセンサ、入力装置および電子機器を提供することにある。   Therefore, an object of the present technology is to provide a sensor, an input device, and an electronic device that can improve detection accuracy.

上述の課題を解決するために、
第１の技術は、
導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
導体層および検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサである。In order to solve the above problems,
The first technology is
A conductor layer;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is a sensor provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region.

第２の技術は、
第１の導体層と、
第２の導体層と、
第１の導体層および第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
第１の導体層および検出層を離間する複数の第１の構造体と、
検出層および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサである。The second technology is
A first conductor layer;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units that are two-dimensionally arranged in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures separating the detection layer and the second conductor layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is a sensor provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region.

第３の技術は、
操作部と、
操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
導体層および検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置である。The third technology is
An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation unit;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is an input device provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. .

第４の技術は、
操作部と、
操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
第１の導体層および第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
第１の導体層および検出層を離間する複数の第１の構造体と、
検出層および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置である。The fourth technology is
An operation unit;
A first conductor layer provided on the surface or inside of the operation unit;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units that are two-dimensionally arranged in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures separating the detection layer and the second conductor layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is an input device provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. .

第５の技術は、
操作部と、
操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
導体層および検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器である。The fifth technology is
An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation unit;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is an electronic device provided at a position shifted from the peripheral edge of the detection region toward the inner side with respect to the reference position of the two-dimensional array. .

第６の技術は、
操作部と、
操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
第１の導体層および第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
第１の導体層および検出層を離間する複数の第１の構造体と、
検出層および第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器である。The sixth technology is
An operation unit;
A first conductor layer provided on the surface or inside of the operation unit;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units that are two-dimensionally arranged in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures separating the detection layer and the second conductor layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is an electronic device provided at a position shifted from the peripheral edge of the detection region toward the inner side with respect to the reference position of the two-dimensional array. .

以上説明したように、本技術によれば、センサの検出精度を向上できる。   As described above, according to the present technology, the detection accuracy of the sensor can be improved.

図１は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the first embodiment of the present technology. 図２は、図１の一部を拡大して表す断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. 図３は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating an example of the configuration of the input device according to the first embodiment of the present technology. 図４Ａは、Ｘ電極素子の構成の一例を示す平面図である。図４Ｂは、Ｙ電極素子の構成の一例を示す平面図である。FIG. 4A is a plan view showing an example of the configuration of the X electrode element. FIG. 4B is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode element. 図５Ａは、Ｘ電極の構成の一例を示す平面図である。図５Ｂは、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。FIG. 5A is a plan view showing an example of the configuration of the X electrode. FIG. 5B is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode. 図６Ａ〜図６Ｐは、単位電極体の形状例を示す模式図である。6A to 6P are schematic views showing examples of the shape of the unit electrode body. 図７は、検出部の構成の一例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating an example of the configuration of the detection unit. 図８は、センサのシフト位置を説明するための平面図である。FIG. 8 is a plan view for explaining the shift position of the sensor. 図９Ａは、検出部の構成の一例を説明するための断面図である。図９Ｂは、検出領域の中央部における構造体の配置位置の一例を示す平面図である。FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining an example of a configuration of a detection unit. FIG. 9B is a plan view showing an example of an arrangement position of the structure body in the center portion of the detection region. 図１０は、検出領域の全体における構造体の配置位置の一例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view illustrating an example of an arrangement position of a structure in the entire detection region. 図１１は、操作子により入力装置の入力操作面をＺ軸方向（下方）に押圧した際に、構造体に付加される力の様子を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state of a force applied to the structure when the input operation surface of the input device is pressed in the Z-axis direction (downward) by the operator. 図１２は、構造体上の位置を操作子により押圧したときの入力装置の状態と、そのときの各検出部の静電容量変化量との関係を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating the relationship between the state of the input device when the position on the structure is pressed by the operator and the capacitance change amount of each detection unit at that time. 図１３は、空間部上の位置を操作子により押圧したときの入力装置の状態と、そのときの各検出部の静電容量変化量との関係を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating the relationship between the state of the input device when a position on the space is pressed by an operator and the capacitance change amount of each detection unit at that time. 図１４は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の電気回路の構成の一例を示すブロック図である。FIG. 14 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an electric circuit of the input device according to the first embodiment of the present technology. 図１５Ａ、図１５Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置の検出原理について説明するための図である。15A and 15B are diagrams for explaining the detection principle of the input device according to the first embodiment of the present technology. 図１６Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。図１６Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例１に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。FIG. 16A is a cross-sectional view illustrating a first example of the configuration of the input device according to the first modification of the first embodiment of the present technology. FIG. 16B is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the first modification of the first embodiment of the present technology. 図１７は、本技術の第１の実施形態の変形例２に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the second modification of the first embodiment of the present technology. 図１８は、構造体とＸ、Ｙ電極との配置の一例を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing an example of the arrangement of the structure and the X and Y electrodes. 図１９は、本技術の第１の実施形態の変形例３に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the third modification of the first embodiment of the present technology. 図２０Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例４に係る入力装置における電極層の構成の一例を示す平面図である。図２０Ｂは、図２０Ａに示したＸ、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。FIG. 20A is a plan view illustrating an example of a configuration of an electrode layer in an input device according to Modification 4 of the first embodiment of the present technology. 20B is a plan view showing an example of the configuration of the X and Y electrodes shown in FIG. 20A. 図２１は、本技術の第１の実施形態の変形例５に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view illustrating a first example of the configuration of the input device according to the fifth modification of the first embodiment of the present technology. 図２２Ａは、本技術の第１の実施形態の変形例５に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。図２２Ｂは、本技術の第１の実施形態の変形例５に係る入力装置の構成の第３の例を示す断面図である。FIG. 22A is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the modification 5 of the first embodiment of the present technology. FIG. 22B is a cross-sectional view illustrating a third example of the configuration of the input device according to the modification 5 of the first embodiment of the present technology. 図２３は、本技術の第１の実施形態の変形例５に係る入力装置の構成の第４の例を示す断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view illustrating a fourth example of the configuration of the input device according to the fifth modification of the first embodiment of the present technology. 図２４Ａは、本技術の第２の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａの一部を拡大して表す断面図である。FIG. 24A is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the second embodiment of the present technology. 24B is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of FIG. 24A. 図２５Ａは、Ｘ電極の構成の一例を示す平面図である。図２５Ｂは、Ｙ電極の構成の一例を示す平面図である。FIG. 25A is a plan view showing an example of the configuration of the X electrode. FIG. 25B is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode. 図２６Ａは、Ｘ電極およびＹ電極の配列の一例を示す平面図である。図２６Ｂは、図２５ＡのＡ−Ａ線に沿った断面図である。FIG. 26A is a plan view showing an example of an arrangement of X electrodes and Y electrodes. 26B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 25A. 図２７Ａは、本技術の第２の実施形態の変形例に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。図２７Ｂは、本技術の第２の実施形態の変形例に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。FIG. 27A is a cross-sectional view illustrating a first example of a configuration of an input device according to a modification of the second embodiment of the present technology. FIG. 27B is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the modified example of the second embodiment of the present technology. 図２８Ａは、Ｘ電極の構成の第１の例を示す平面図である。図２８Ｂは、Ｙ電極の構成の第１の例を示す平面図である。FIG. 28A is a plan view showing a first example of the configuration of the X electrode. FIG. 28B is a plan view showing a first example of the configuration of the Y electrode. 図２９Ａは、Ｘ電極の構成の第２の一例を示す平面図である。図２９Ｂは、Ｙ電極の構成の第２の例を示す平面図である。FIG. 29A is a plan view showing a second example of the configuration of the X electrode. FIG. 29B is a plan view showing a second example of the configuration of the Y electrode. 図３０Ａは、本技術の第３の実施形態に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。図３０Ｂは、本技術の第３の実施形態に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。FIG. 30A is a cross-sectional view illustrating a first example of the configuration of the input device according to the third embodiment of the present technology. FIG. 30B is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the third embodiment of the present technology. 図３１Ａは、本技術の第３の実施形態の変形例１に係る入力装置の構成の第１の例を示す断面図である。図３１Ｂは、本技術の第３の実施形態の変形例１に係る入力装置の構成の第２の例を示す断面図である。FIG. 31A is a cross-sectional view illustrating a first example of the configuration of the input device according to the first modification of the third embodiment of the present technology. FIG. 31B is a cross-sectional view illustrating a second example of the configuration of the input device according to the first modification of the third embodiment of the present technology. 図３２Ａは、本技術の第３の実施形態の変形例２に係る入力装置におけるＸ、Ｙ電極の構成の第１の例を示す平面図である。図３２Ｂは、本技術の第３の実施形態の変形例２に係る入力装置におけるＸ、Ｙ電極の構成の第２の例を示す平面図である。FIG. 32A is a plan view illustrating a first example of the configuration of the X and Y electrodes in the input device according to the second modification of the third embodiment of the present technology. FIG. 32B is a plan view illustrating a second example of the configuration of the X and Y electrodes in the input device according to the second modification of the third embodiment of the present technology. 図３３は、本技術の第４の実施形態に係る入力装置のＸ電極およびＹ電極の構成の一例を示す断面図である。FIG. 33 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the X electrode and the Y electrode of the input device according to the fourth embodiment of the present technology. 図３４は、本技術の第５の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 34 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the fifth embodiment of the present technology. 図３５は、図３４に示した入力装置の電極層の構成の一例を示す平面図である。FIG. 35 is a plan view showing an example of the configuration of the electrode layer of the input device shown in FIG. 図３６Ａは、本技術の第６の実施形態に係る入力装置の外観の一例を示す斜視図である。図３６Ｂは、図３６Ａに示した入力装置の電極層の構成の一例を示す斜視図である。図３６Ｃは、本技術の第６の実施形態の変形例に係る入力装置の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 36A is a perspective view illustrating an example of an appearance of an input device according to the sixth embodiment of the present technology. 36B is a perspective view illustrating an example of the configuration of the electrode layer of the input device illustrated in FIG. 36A. FIG. 36C is a perspective view illustrating an example of a configuration of an input device according to a modification of the sixth embodiment of the present technology. 図３７Ａは、第７の実施形態に係る入力装置の外観の一例を示す平面図である。図３７Ｂは、図３７Ａに示した入力装置の電極層の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 37A is a plan view illustrating an example of an appearance of the input device according to the seventh embodiment. FIG. 37B is a perspective view illustrating an example of a configuration of an electrode layer of the input device illustrated in FIG. 37A. 図３８は、本技術の第８の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。FIG. 38 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the eighth embodiment of the present technology. 図３９Ａは、本技術の第８の実施形態に係る入力装置に係る操作部材の構成の一例を示す断面図である。図３９Ｂは、操作部材の変形例を示す断面図である。FIG. 39A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of an operation member according to an input device according to an eighth embodiment of the present technology. FIG. 39B is a cross-sectional view showing a modification of the operation member. 図４０Ａは、本技術の第９の実施形態に係る電子機器の第１の例を示す斜視図である。図４０Ｂは、本技術の第９の実施形態に係る電子機器の第２の例を示す斜視図である。FIG. 40A is a perspective view illustrating a first example of an electronic apparatus according to the ninth embodiment of the present technology. FIG. 40B is a perspective view illustrating a second example of the electronic device according to the ninth embodiment of the present technology. 図４１Ａは、本技術の第９の実施形態に係る電子機器の第３の例を示す斜視図である。図４１Ｂは、本技術の第９の実施形態に係る電子機器の第４の例を示す斜視図である。FIG. 41A is a perspective view illustrating a third example of an electronic apparatus according to the ninth embodiment of the present technology. FIG. 41B is a perspective view illustrating a fourth example of the electronic device according to the ninth embodiment of the present technology. 図４２Ａは、試験例に係るシミュレーションの条件を示す断面図である。図４２Ｂは、試験例に係るシミュレーションの条件を示す平面図である。FIG. 42A is a cross-sectional view showing the simulation conditions according to the test example. FIG. 42B is a plan view showing the simulation conditions according to the test example. 図４３は、試験例に係るシミュレーションの結果を示す図である。FIG. 43 is a diagram illustrating a simulation result according to the test example. 図４４は、試験例に係るシミュレーションの結果を示す図である。FIG. 44 is a diagram illustrating a result of simulation according to a test example.

本技術において、センサおよび入力装置の形状は、それらを適応する対象の形状に応じて選択することが好ましい。例示するならば、平板状、曲板状、筒状、球殻状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。   In the present technology, the shape of the sensor and the input device is preferably selected according to the shape of the target to which they are applied. Examples include a flat plate shape, a curved plate shape, a cylindrical shape, and a spherical shell shape, but are not limited thereto.

本技術において、検出領域の形状は、それらを適応する対象の形状に応じて選択することが好ましい。例示するならば、矩形状、円形状、楕円形状、筒状、多角形状、不定形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。   In the present technology, the shape of the detection region is preferably selected according to the shape of a target to which they are applied. Illustrative examples include a rectangular shape, a circular shape, an elliptical shape, a cylindrical shape, a polygonal shape, and an indefinite shape, but are not limited thereto.

本技術において、複数の構造体は、検出領域において導体層と検出層との間の距離を保持できる構成を有していればよく、その構成は限定されるものではない。複数の構造体は、検出感度などの観点からすると、検出領域に点在して設けられていることが好ましい。   In the present technology, the plurality of structures may have a configuration capable of maintaining the distance between the conductor layer and the detection layer in the detection region, and the configuration is not limited. From the viewpoint of detection sensitivity and the like, the plurality of structures are preferably provided scattered in the detection region.

本技術において、検出領域の周縁に設けられ、導体層および検出層を離間する周縁構造体がさらに備えられていることが好ましい。この周縁構造体は、検出領域の周縁において導体層と検出層との間の距離を保持できる構成を有していればよく、その構成は限定されるものではない。例示するならば、検出領域の周縁に沿って連続的に設けられる構成、検出領域の周縁に沿って間欠的に設けられる構成などが挙げられる。検出領域の周縁に沿って連続的に設けられる構成を有する周縁構造体としては、枠体、壁体などが挙げられる。   In the present technology, it is preferable that a peripheral structure that is provided at the periphery of the detection region and separates the conductor layer and the detection layer is further provided. The peripheral structure only needs to have a configuration capable of maintaining the distance between the conductor layer and the detection layer at the periphery of the detection region, and the configuration is not limited. For example, a configuration that is provided continuously along the periphery of the detection region, a configuration that is provided intermittently along the periphery of the detection region, and the like can be given. Examples of the peripheral structure having a configuration that is continuously provided along the periphery of the detection region include a frame and a wall.

本技術において、検出領域が矩形状、円形状、楕円形状、多角形状、不定形状などの形状を有し、検出領域の四方が周縁構造体により取り囲まれている場合には、検出部のシフトの方向は、検出領域の周縁から中心の方向であることが好ましい。   In this technology, when the detection region has a shape such as a rectangular shape, a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, an indefinite shape, and the detection region is surrounded by the peripheral structure, the shift of the detection unit is performed. The direction is preferably the direction from the periphery of the detection region to the center.

本技術において、検出領域に設けられた複数の構造体と、検出領域の周縁に設けられた周縁構造体とが設けられていることが好ましい。この場合、複数の構造体のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある構造体は、構造体の配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられていることが好ましい。また、検出領域が矩形状、円形状、楕円形状、多角形状、不定形状などの形状を有し、検出領域の四方が周縁構造体により取り囲まれている場合には、構造体のシフト方向は、検出領域の周縁から中心の方向であることが好ましい。   In the present technology, it is preferable that a plurality of structures provided in the detection region and a peripheral structure provided in the periphery of the detection region are provided. In this case, among the plurality of structures, at least the structure on the periphery side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the structure array toward the inside from the periphery of the detection region. It is preferable. In addition, when the detection region has a shape such as a rectangular shape, a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, an indefinite shape, and the detection region is surrounded by the peripheral structure, the shift direction of the structure is The direction from the peripheral edge of the detection region to the center is preferable.

本技術において、検出層が有する検出領域の数は、単数に限定されるものではなく、複数とすることも可能である。この場合、複数の検出領域の周囲にそれぞれ、周縁構造体が設けられていることが好ましい。   In the present technology, the number of detection regions included in the detection layer is not limited to a single number, and may be a plurality. In this case, it is preferable that a peripheral structure is provided around each of the plurality of detection regions.

本発明者らは、鋭意検討の結果、導体層と、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、導体層および検出層を離間する複数の構造体とを備えた新規なセンサを見出すに至った。このセンサでは、入力操作面に荷重を加えて、導体層および検出層の少なくとも一方を変形させ、導体層と検出層との間の距離を変化させることで、入力操作が行われる。しかしながら、本発明者の知見によれば、このセンサでは、検出領域の周縁またはその近傍において導体層および検出層が固定されているため、荷重位置が入力操作面の周縁（外周）に近づくと、加重位置と変形のピークとの間に位置にずれが生じて、変形ピークの位置が中央よりになる傾向がある。このような傾向は、入力操作面側にガラス基板（例えばガラス基板を含むディスプレイ）が設けられている場合に顕著となる。このように変形ピークに位置ずれが生じると、入力操作の検出精度の低下を招くことになる。   As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have a conductor layer, a detection region, a detection layer including a plurality of detection units two-dimensionally arranged in the detection region, and a plurality of layers separating the conductor layer and the detection layer. A new sensor with a structure has been found. In this sensor, an input operation is performed by applying a load to the input operation surface, deforming at least one of the conductor layer and the detection layer, and changing the distance between the conductor layer and the detection layer. However, according to the knowledge of the present inventors, in this sensor, since the conductor layer and the detection layer are fixed at or near the periphery of the detection region, when the load position approaches the periphery (outer periphery) of the input operation surface, There is a tendency that the position of the deformation peak is closer to the center due to a shift in position between the weighted position and the deformation peak. Such a tendency becomes prominent when a glass substrate (for example, a display including a glass substrate) is provided on the input operation surface side. Thus, when a displacement occurs at the deformation peak, the detection accuracy of the input operation is lowered.

そこで、本発明者らは、上述した変形ピークの位置ずれの発生を抑制すべく、鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、複数の検出部のうち、少なくとも検出領域の周縁側にある検出部を、２次元配列の基準位置よりも検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設け、制御部内における各検出部の設定位置を２次元配列の基準位置（仮想的な等間隔の配列位置）に設定することを見出すに至った。   Therefore, the present inventors have intensively studied to suppress the occurrence of the displacement of the deformation peak described above. As a result, the present inventors have shifted the detection unit at least on the peripheral side of the detection region among the plurality of detection units from the reference position of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. It has been found that the setting position of each detection unit in the control unit is set to the reference position (virtual equidistant arrangement position) of the two-dimensional arrangement.

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態（Ｘ、Ｙ電極がそれぞれ異なる面に設けられた入力装置の例）
２ 第２の実施形態（Ｘ、Ｙ電極が同一面に設けられた入力装置の例）
３ 第３の実施形態（異なる種類のＸ、Ｙ電極（単位電極体）を組合せた入力装置の例）
４ 第４の実施形態（検出領域の中心から周縁の方向に向かって、検出部の大きさが大きくなる入力装置の例）
５ 第５の実施形態（複数の検出領域を有する入力装置の例）
６ 第６の実施形態（円筒形状を有する入力装置の例）
５ 第６の実施形態（不定形状を有する入力装置の例）
７ 第７の実施形態（フレキシブルシートを備えた入力装置の例）
８ 第８の実施形態（電子機器の例）Embodiments of the present technology will be described in the following order with reference to the drawings. In all the drawings of the following embodiments, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.
1 First Embodiment (an example of an input device in which X and Y electrodes are provided on different surfaces)
2 Second Embodiment (an example of an input device in which X and Y electrodes are provided on the same surface)
3 Third Embodiment (an example of an input device in which different types of X and Y electrodes (unit electrode bodies) are combined)
4 Fourth Embodiment (an example of an input device in which the size of the detection unit increases from the center of the detection region toward the periphery)
5 Fifth embodiment (an example of an input device having a plurality of detection regions)
6 Sixth embodiment (an example of an input device having a cylindrical shape)
5 Sixth embodiment (an example of an input device having an indefinite shape)
7 Seventh Embodiment (Example of Input Device with Flexible Sheet)
8. Eighth Embodiment (Example of Electronic Device)

＜１ 第１の実施形態＞
［１．１ 入力装置の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の構成の一例を示す断面図である。図２は、図１の一部を拡大して表す断面図である。図３は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の構成の一例を示す分解斜視図である。入力装置１００は、ユーザによる操作を受け付けるフレキシブルディスプレイ（表示部）２と、ユーザの操作を検出するセンサ１とを有する。入力装置１００は、例えばタッチパネルディスプレイとして構成され、後述する電子機器に組み込まれる。なお、本明細書において、Ｘ軸およびＹ軸は、センサ１の主面内において互いに直交する軸を示し、Ｚ軸は、Ｘ軸およびＹ軸に直交する軸（センサ１の厚さ方向と平行な軸）を示している。センサ１およびディスプレイ２は、Ｚ軸に垂直な方向に延びる平板状である。<1 First Embodiment>
[1.1 Configuration of input device]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating an example of the configuration of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology. The input device 100 includes a flexible display (display unit) 2 that receives an operation by a user, and a sensor 1 that detects the user's operation. The input device 100 is configured as a touch panel display, for example, and is incorporated in an electronic device described later. In the present specification, the X axis and the Y axis indicate axes orthogonal to each other in the main surface of the sensor 1, and the Z axis is an axis orthogonal to the X axis and the Y axis (parallel to the thickness direction of the sensor 1). The right axis). The sensor 1 and the display 2 have a flat plate shape extending in a direction perpendicular to the Z axis.

ディスプレイ２は、第１の面２ｍと、この第１の面２ｍとは反対側となる第２の面２ｎとを有する。センサ１は、ディスプレイ２の第２の面２ｎ側に配置されている。センサ１とディスプレイ２とは、接着層１７を介して貼り合わされるようにしてもよい。ディスプレイ２は、入力装置１００における入力操作部としての機能と、表示部としての機能とを兼ね備える。すなわち、ディスプレイ２は、第１の面２ｍを入力操作面および表示面として機能させ、第１の面２ｍからユーザによる操作に応じた画像をＺ軸方向上方に向けて表示する。第１の面２ｍには、例えばキーボードに対応する画像や、ＧＵＩ（Graphical User Interface）などが表示される。ディスプレイ２に対する操作を行う操作子としては、例えば、指やスタイラスなどが挙げられる。   The display 2 has a first surface 2m and a second surface 2n that is opposite to the first surface 2m. The sensor 1 is disposed on the second surface 2n side of the display 2. The sensor 1 and the display 2 may be bonded together via the adhesive layer 17. The display 2 has both a function as an input operation unit in the input device 100 and a function as a display unit. That is, the display 2 causes the first surface 2m to function as an input operation surface and a display surface, and displays an image corresponding to an operation by the user from the first surface 2m upward in the Z-axis direction. For example, an image corresponding to a keyboard, a GUI (Graphical User Interface), or the like is displayed on the first surface 2m. Examples of the operator that performs an operation on the display 2 include a finger and a stylus.

（ディスプレイ）
ディスプレイ２は、例えば、ガラス基板を含むディスプレイ、フィルムディスプレイ、フレキシブルディスプレイである。ディスプレイ２としてガラス基板を含むものを用いた場合に、本実施形態に係る効果は特に顕著である。ディスプレイ２の具体的な構成は特に限定されるものではない。ディスプレイ２としては、例えば、電子ペーパー、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイなどを用いることができるが、これに限定されるものではない。また、ディスプレイ２の厚みは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍの範囲であるが、この範囲に限定されるものではない。ディスプレイ２のヤング率は、例えば７０ＧＰａ以上２５０ＧＰａ以下の範囲であるが、この範囲に限定されるものではない。(display)
The display 2 is, for example, a display including a glass substrate, a film display, or a flexible display. When the display 2 including a glass substrate is used, the effect according to this embodiment is particularly remarkable. The specific configuration of the display 2 is not particularly limited. As the display 2, for example, electronic paper, an organic EL (electroluminescence) display, an inorganic EL display, a liquid crystal display, and the like can be used. However, the display 2 is not limited thereto. Moreover, although the thickness of the display 2 is the range of 0.1 mm-1 mm, for example, it is not limited to this range. The Young's modulus of the display 2 is, for example, in a range from 70 GPa to 250 GPa, but is not limited to this range.

（操作部材）
ディスプレイ２は、入力装置１００の操作部材３の一部として構成される。操作部材３は、第１の面２ｍと第２の面２ｎとを有するディスプレイ２と、金属層１１との積層構造を有する。すなわち、操作部材３は、ユーザによる操作を受け付ける第１の面２ｍと、金属層１１が形成された第２の面２ｎとを有し、変形可能なシート状に構成される。(Operation member)
The display 2 is configured as a part of the operation member 3 of the input device 100. The operation member 3 has a laminated structure of a display 2 having a first surface 2m and a second surface 2n and a metal layer 11. That is, the operation member 3 has a first surface 2m that receives an operation by the user and a second surface 2n on which the metal layer 11 is formed, and is configured in a deformable sheet shape.

（センサ）
以下、センサ１の構成の一例について説明する。センサ１は、金属層（第１の導体層）１１と、支持層（第１の支持層）１２と、接着層１３と、電極層（検出層）１４と、支持層（第２の支持層）１５と、導体層（第２の導体層）１６とを備える。(Sensor)
Hereinafter, an example of the configuration of the sensor 1 will be described. The sensor 1 includes a metal layer (first conductor layer) 11, a support layer (first support layer) 12, an adhesive layer 13, an electrode layer (detection layer) 14, and a support layer (second support layer). ) 15 and a conductor layer (second conductor layer) 16.

センサ１（入力装置１００）は、ディスプレイ２の第１の面２ｍ上での入力操作による金属層１１および電極層１４と、導体層１６および電極層１４との間の距離の変化を静電的に検出することで、当該入力操作を検出する。当該入力操作は、第１の面２ｍに対する意識的な押圧（プッシュ）操作に限られず、接触（タッチ）操作であってもよい。すなわち、入力装置１００は、一般的なタッチ操作により付加される微小な押圧力（例えば約数十ｇ程度）であっても検出可能であるため、通常のタッチセンサと同様のタッチ操作が可能に構成される。   The sensor 1 (input device 100) electrostatically changes a distance between the metal layer 11 and the electrode layer 14, and the conductor layer 16 and the electrode layer 14 due to an input operation on the first surface 2m of the display 2. By detecting this, the input operation is detected. The input operation is not limited to a conscious pressing (push) operation on the first surface 2m, and may be a contact (touch) operation. That is, since the input device 100 can detect even a minute pressing force (for example, about several tens of grams) applied by a general touch operation, a touch operation similar to a normal touch sensor can be performed. Composed.

電極層１４の一方の主面の側に金属層１１が設けられ、他方の主面の側に導体層１６が設けられている。電極層１４と金属層１１との間に支持層１２が設けられている。電極層１４と導体層１６との間に支持層１５が設けられている。支持層１２と電極層１４との間に接着層１３が設けられ、この接着層１３を介して支持層１２と電極層１４とが貼り合わされている。なお、接着層１３を省略して、電極層１４の一主面に支持層１２を直接設ける構成を採用してもよい。電極層１４は、複数の検出部４０ｓを含んでいる。   The metal layer 11 is provided on one main surface side of the electrode layer 14, and the conductor layer 16 is provided on the other main surface side. A support layer 12 is provided between the electrode layer 14 and the metal layer 11. A support layer 15 is provided between the electrode layer 14 and the conductor layer 16. An adhesive layer 13 is provided between the support layer 12 and the electrode layer 14, and the support layer 12 and the electrode layer 14 are bonded together via the adhesive layer 13. Note that a configuration in which the adhesive layer 13 is omitted and the support layer 12 is directly provided on one main surface of the electrode layer 14 may be employed. The electrode layer 14 includes a plurality of detection units 40s.

（金属層）
金属層１１は、可撓性を有している。このため、金属層１１は、ディスプレイ２の変形に倣って変形可能である。金属層１１は、例えば、シート状、箔状またはメッシュ状を有している。金属層１１は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属を主成分として含んでいる。金属層１１の厚みは、例えば数１０ｎｍ〜数１０μｍであるが、この範囲に限定されるものではない。金属層１１は、例えばグランド電位に接続される。(Metal layer)
The metal layer 11 has flexibility. For this reason, the metal layer 11 can be deformed following the deformation of the display 2. The metal layer 11 has, for example, a sheet shape, a foil shape, or a mesh shape. The metal layer 11 contains, for example, a metal such as Cu (copper), Al (aluminum), stainless steel (SUS) as a main component. The thickness of the metal layer 11 is, for example, several tens of nm to several tens of μm, but is not limited to this range. The metal layer 11 is connected to a ground potential, for example.

金属層１１の形成方法としては、例えば、接着層１７を介して金属層１１をディスプレイ２の第２の面２ｎに貼り付ける方法、スパッタリング法や蒸着法などの真空成膜プロセスによりディスプレイ２の第２の面２ｎに金属層１１を直接形成する方法、ディスプレイ２の第２の面２ｎに導電性ペーストを印刷または塗布し、乾燥硬化する方法などが挙げられるが、これに限定されるものではない。   As a method for forming the metal layer 11, for example, a method in which the metal layer 11 is attached to the second surface 2 n of the display 2 through the adhesive layer 17, a vacuum film formation process such as a sputtering method or a vapor deposition method is used. Examples include a method of directly forming the metal layer 11 on the second surface 2n, a method of printing or applying a conductive paste on the second surface 2n of the display 2, and drying and curing, but are not limited thereto. .

（接着層）
接着層１３は、例えば、絶縁性を有する接着剤または粘着テープにより構成される。接着剤としては、例えば、アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤およびウレタン系接着剤などからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。本技術において、粘着（pressure sensitive adhesion）は接着（adhesion）の一種と定義する。この定義に従えば、粘着層は接着層の一種と見なされる。(Adhesive layer)
The adhesive layer 13 is made of, for example, an insulating adhesive or pressure-sensitive adhesive tape. As the adhesive, for example, one or more selected from the group consisting of an acrylic adhesive, a silicone adhesive, a urethane adhesive, and the like can be used. In the present technology, pressure sensitive adhesion is defined as a kind of adhesion. According to this definition, the adhesive layer is regarded as a kind of adhesive layer.

（導電層）
導体層１６は、センサ１の最下部を構成し、金属層１１とＺ軸方向に対向して配置される。導体層１６は、例えば、金属層１１および電極層１４などよりも高い曲げ剛性を有し、入力装置１００の支持プレートとして機能する。導体層１６としては、例えばＡｌ合金またはＭｇ（マグネシウム）合金などの金属材料を含む金属板、またはカーボン繊維強化型プラスチックなどの導体板、プラスチック材料などを含む絶縁体層上に、メッキ膜、蒸着膜、スパッタリング膜または金属箔などの導電層を形成した積層体を用いることができる。導体層１６の厚みは、例えば約０．３ｍｍ程度であるが、この厚みに特に限定されるものではない。導体層１６は、例えばグランド電位に接続される。(Conductive layer)
The conductor layer 16 constitutes the lowermost part of the sensor 1 and is disposed to face the metal layer 11 in the Z-axis direction. The conductor layer 16 has higher bending rigidity than, for example, the metal layer 11 and the electrode layer 14, and functions as a support plate for the input device 100. As the conductor layer 16, for example, a plating film or vapor deposition is formed on a metal plate containing a metal material such as an Al alloy or Mg (magnesium) alloy, or a conductor plate such as a carbon fiber reinforced plastic, or an insulator layer containing a plastic material. A laminate in which a conductive layer such as a film, a sputtering film, or a metal foil is formed can be used. The thickness of the conductor layer 16 is, for example, about 0.3 mm, but is not particularly limited to this thickness. The conductor layer 16 is connected to a ground potential, for example.

導体層１６の形状としては、例えば、平坦な板状が挙げられるが、これに限定されるものではない。例えば、導体層１６が段差部を有していてもよい。また、導体層１６に１または複数の開口が設けられてもよい。さらには、導体層１６がメッシュ状の構成を有していてもよい。   Examples of the shape of the conductor layer 16 include, but are not limited to, a flat plate shape. For example, the conductor layer 16 may have a step portion. One or more openings may be provided in the conductor layer 16. Furthermore, the conductor layer 16 may have a mesh configuration.

（支持層）
支持層１２は、複数の構造体２１と、枠体（周縁構造体）２２とを備える。複数の構造体２１および枠体２２は、金属層１１と電極層１４との間に設けられ、金属層１１と電極層１４との間を離間する。複数の構造体２１は、金属層１１または導体層１６の一主面（ＸＹ面）に二次元的に所定間隔で配列され、各構造体２１間には空間部２３が設けられている。(Support layer)
The support layer 12 includes a plurality of structures 21 and a frame body (peripheral structure) 22. The plurality of structures 21 and the frame body 22 are provided between the metal layer 11 and the electrode layer 14, and are separated from the metal layer 11 and the electrode layer 14. The plurality of structures 21 are two-dimensionally arranged at a predetermined interval on one principal surface (XY plane) of the metal layer 11 or the conductor layer 16, and a space portion 23 is provided between the structures 21.

構造体２１は、構造部２１ａと、接合部２１ｂとを備える。構造部２１ａは、例えば、錐体状、柱状（例えば円柱状、多角柱状）、針状、球体の一部の形状（例えば半球体状）、楕円体の一部の形状（例えば半楕円体状）、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。   The structure 21 includes a structure portion 21a and a joint portion 21b. The structure portion 21a is, for example, a cone shape, a column shape (for example, a columnar shape or a polygonal column shape), a needle shape, a partial shape of a sphere (for example, a hemispherical shape), or a partial shape of an ellipsoid (for example, a semi-elliptical shape). ), Polygonal shapes, and the like, but are not limited to these shapes, and other shapes may be adopted.

接合部２１ｂは構造部２１ａ上に設けられ、この接合部２１ｂを介して構造部２１ａと金属層１１とが接着される。なお、構造体２１の構成は、上述のように構造部２１ａと接合部２１ｂとが別体となった構成に限定されるものではなく、構造部２１ａと接合部２１ｂとが予め一体成形された構成を採用するようにしてもよい。この場合、構造体２１の材料としては、例えば、構造部２１ａと接合部２１ｂとの両機能を実現可能な材料が選択される。   The joint portion 21b is provided on the structure portion 21a, and the structure portion 21a and the metal layer 11 are bonded via the joint portion 21b. In addition, the structure of the structure 21 is not limited to the structure in which the structure portion 21a and the joint portion 21b are separated as described above, and the structure portion 21a and the joint portion 21b are integrally formed in advance. You may make it employ | adopt a structure. In this case, as the material of the structure body 21, for example, a material capable of realizing both functions of the structure portion 21a and the joint portion 21b is selected.

枠体２２は、構造部２２ａと、接合部２２ｂとを備える。構造部２２ａは、基材２５の一主面の周囲を取り囲むように連続的に形成されている。枠体２２の幅は、支持層１２および入力装置１００全体の強度を十分に確保できれば、特に限定されるものではない。構造体２１および枠体２２の厚み（高さ）は、略同一であり、例えば数μｍ〜数１００μｍである。   The frame body 22 includes a structure portion 22a and a joint portion 22b. The structure portion 22a is continuously formed so as to surround the periphery of one main surface of the base material 25. The width of the frame 22 is not particularly limited as long as the strength of the support layer 12 and the entire input device 100 can be sufficiently secured. The thickness (height) of the structural body 21 and the frame body 22 is substantially the same, for example, several μm to several hundred μm.

接合部２２ｂは構造体２２ａ上に設けられ、この接合部２２ｂを介して構造体２２ａと金属層１１とが接着される。なお、枠体２２の構成は、上述のように構造部２２ａと接合部２２ｂとが別体となった構成に限定されるものではなく、構造部２２ａと接合部２２ｂとが予め一体成形された構成を採用するようにしてもよい。この場合、枠体２２の材料としては、例えば、構造部２２ａと接合部２２ｂとの両機能を実現可能な材料が選択される。   The joint 22b is provided on the structure 22a, and the structure 22a and the metal layer 11 are bonded to each other through the joint 22b. The structure of the frame body 22 is not limited to the structure in which the structure portion 22a and the joint portion 22b are separated as described above, and the structure portion 22a and the joint portion 22b are integrally formed in advance. You may make it employ | adopt a structure. In this case, as the material of the frame body 22, for example, a material capable of realizing both functions of the structure portion 22 a and the joint portion 22 b is selected.

構造部２１ａ、２２ａの材料としては、例えば、絶縁性を有する樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、紫外線硬化樹脂などの光硬化性樹脂を用いることができる。接合部２１ｂ、２２ｂの材料としては、例えば、粘着性の樹脂材料などが用いられる。   As a material of the structural portions 21a and 22a, for example, a resin material having insulating properties is used. As such a resin material, a photocurable resin such as an ultraviolet curable resin can be used. For example, an adhesive resin material or the like is used as the material of the joining portions 21b and 22b.

構造部２１ａの弾性率は特に限定されず、目的とする検出感度などが得られる範囲で適宜選択可能である。例えば、構造部２１ａは、操作子（例えばスタイラス）などによる第１の面２ｍの押圧に応じて、ディスプレイ２とともに変形可能であり、かつ、電極層１４を変形させることが可能な程度の弾性を有する。   The elastic modulus of the structure portion 21a is not particularly limited, and can be appropriately selected within a range where desired detection sensitivity can be obtained. For example, the structure portion 21a can be deformed together with the display 2 in accordance with the pressing of the first surface 2m by an operation element (for example, a stylus) or the like, and can be elastic enough to deform the electrode layer 14. Have.

支持層１２が、複数の接着防止部（図示せず）をさらに備えるようにしてもよい。接着防止部は、構造体２１間の空間部２３に設けられる。より具体的には、空間部２３のうち電極層１４の一主面に設けられる。接着防止部の高さは、構造体２１および枠体２２の高さよりも低ければ特に限定されず、例えば構造部２１ａ、２２ａよりも低くなるように形成される。接着防止部の形状は特に限定されるものではないが、例示するならば、島状、平坦膜状などが挙げられる。   The support layer 12 may further include a plurality of adhesion preventing portions (not shown). The adhesion preventing portion is provided in the space portion 23 between the structures 21. More specifically, it is provided on one main surface of the electrode layer 14 in the space 23. The height of the adhesion preventing portion is not particularly limited as long as it is lower than the height of the structural body 21 and the frame body 22, and is formed to be lower than, for example, the structural portions 21 a and 22 a. The shape of the adhesion preventing portion is not particularly limited, but examples thereof include island shapes and flat film shapes.

支持層１２は、基材２５と、構造層２６と、接合層２７との積層構造により構成されていてもよい。構造層２６は、基材２５の一主面に設けられている。構造層２６は、例えば、基材２５の一主面に二次元的に所定間隔で配列された複数の構造部２１ａ、２２ａを含んでいる。接合層２７は、複数の構造部２１ａ、２２ａ上にそれぞれ設けられた複数の接合部２１ｂ、２２ｂを含んでいる。   The support layer 12 may be configured by a laminated structure of the base material 25, the structural layer 26, and the bonding layer 27. The structural layer 26 is provided on one main surface of the substrate 25. The structural layer 26 includes, for example, a plurality of structural portions 21a and 22a that are two-dimensionally arranged on the one main surface of the substrate 25 at a predetermined interval. The bonding layer 27 includes a plurality of bonding portions 21b and 22b provided on the plurality of structure portions 21a and 22a, respectively.

基材２５は、例えば、可撓性を有するシートである。基材２５の材料としては、絶縁性および可撓性を有する材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。基材２５の厚みは、例えば数μｍ〜数１００μｍであるが、この範囲に限定されるものではない。   The base material 25 is, for example, a flexible sheet. As a material of the base material 25, it is preferable to use an insulating and flexible material. Examples of such materials include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin (PMMA) polyimide (PI), triacetyl cellulose (TAC), polyester, polyamide (PA). , Aramid, polyethylene (PE), polyacrylate, polyether sulfone, polysulfone, polypropylene (PP), diacetyl cellulose, polyvinyl chloride, epoxy resin, urea resin, urethane resin, melamine resin, cyclic olefin polymer (COP), norbornene Based thermoplastic resins. The thickness of the substrate 25 is, for example, several μm to several 100 μm, but is not limited to this range.

（支持層）
支持層１５は、複数の構造体５１と、枠体（周縁構造体）５２とを備える。複数の構造体５１および枠体５２は、電極層１４と導体層１６との間に設けられ、電極層１４と導体層１６との間を離間する。複数の構造体５１は、電極層１４または導体層１６の一主面に所定間隔で二次元的に配列され、各構造体５１間には空間部５３が設けられている。構造体５１と枠体５２との間にも空間部５３が設けられている。構造体５１は、Ｚ軸方向から入力装置１００を見ると、隣り合う構造体２１間に配置されている。(Support layer)
The support layer 15 includes a plurality of structures 51 and a frame body (peripheral structure) 52. The plurality of structural bodies 51 and the frame body 52 are provided between the electrode layer 14 and the conductor layer 16, and are separated from the electrode layer 14 and the conductor layer 16. The plurality of structures 51 are two-dimensionally arranged at a predetermined interval on one main surface of the electrode layer 14 or the conductor layer 16, and a space 53 is provided between the structures 51. A space 53 is also provided between the structural body 51 and the frame body 52. The structure 51 is disposed between adjacent structures 21 when the input device 100 is viewed from the Z-axis direction.

枠体５２は、電極層１４または導体層１６の一主面の周囲を取り囲むように連続的に形成される。枠体５２の幅は、支持層１５および入力装置１００全体の強度を十分に確保できれば特に限られず、例えば枠体２２と略同一の幅で構成される。   The frame body 52 is continuously formed so as to surround the periphery of one main surface of the electrode layer 14 or the conductor layer 16. The width of the frame 52 is not particularly limited as long as the strength of the support layer 15 and the input device 100 as a whole can be sufficiently ensured. For example, the width of the frame 52 is configured to be substantially the same as that of the frame 22.

構造体５１は、例えば、錐体状、柱状（例えば円柱状、多角柱状）、針状、球体の一部の形状（例えば半球体状）、楕円体の一部の形状（例えば半楕円体状）、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。   The structure 51 is, for example, a cone shape, a column shape (for example, a columnar shape or a polygonal column shape), a needle shape, a partial shape of a sphere (for example, a hemispherical shape), or a partial shape of an ellipsoid (for example, a semi-ellipsoidal shape). ), Polygonal shapes, and the like, but are not limited to these shapes, and other shapes may be adopted.

構造体５１および枠体５２の材料としては、例えば、粘着性および絶縁性を有する樹脂材料が用いられる。構造体５１および枠体５２は、電極層１４と導体層１６との間を離間する離間部としての機能に加えて、電極層１４と導体層１６との間を接合する接合部の機能も兼ねている。   As a material of the structure 51 and the frame 52, for example, a resin material having adhesiveness and insulating properties is used. The structure body 51 and the frame body 52 have a function of a joint portion that joins the electrode layer 14 and the conductor layer 16 in addition to a function as a separation portion that separates the electrode layer 14 and the conductor layer 16. ing.

構造体５１および枠体５２の厚みは、例えば数μｍ〜数１００μｍであるが、この範囲に限定されるものではない。なお、構造体５１の厚みは、構造体２１の厚みよりも小さいことがこのましい。図１２に示すように、電極層１４を導体層１６に底付きさせるまで変形させ、大きな静電容量変化量を得ることができるからである。   The thicknesses of the structural body 51 and the frame body 52 are, for example, several μm to several hundred μm, but are not limited to this range. The thickness of the structure 51 is preferably smaller than the thickness of the structure 21. This is because, as shown in FIG. 12, the electrode layer 14 can be deformed until it bottoms on the conductor layer 16 to obtain a large change in capacitance.

構造体５１の弾性率は特に限定されず、目的とする検出感度などが得られる範囲で適宜選択可能である。例えば、構造体５１は、操作子などによる第１の面２ｍの押圧に応じて、電極層１４とともに変形可能な程度の弾性を有する。   The elastic modulus of the structure 51 is not particularly limited, and can be appropriately selected within a range where desired detection sensitivity and the like can be obtained. For example, the structure 51 has an elasticity that can be deformed together with the electrode layer 14 in response to the pressing of the first surface 2m by an operator or the like.

（電極層）
電極層１４は、可撓性を有し、操作子などによる第１の面２ｍの押圧に応じて変形可能に構成されている。電極層１４は、金属層１１と導体層１６との間に設けられ、金属層１１および導体層１６各々との距離の変化を静電的に検出することが可能である。(Electrode layer)
The electrode layer 14 has flexibility and is configured to be deformable in response to pressing of the first surface 2m by an operation element or the like. The electrode layer 14 is provided between the metal layer 11 and the conductor layer 16, and can detect electrostatically changes in the distance between the metal layer 11 and the conductor layer 16.

電極層１４は、例えば、Ｘ電極素子（第１の電極素子）４１と、Ｙ電極素子（第２の電極素子）４２と、接着層４３とを備える積層体である。接着層４３は、Ｘ電極素子４１とＹ電極素子４２との間に設けられ、接着層４３を介してＸ電極素子４１とＹ電極素子４２とが貼り合わされる。   The electrode layer 14 is a laminate including, for example, an X electrode element (first electrode element) 41, a Y electrode element (second electrode element) 42, and an adhesive layer 43. The adhesive layer 43 is provided between the X electrode element 41 and the Y electrode element 42, and the X electrode element 41 and the Y electrode element 42 are bonded together via the adhesive layer 43.

電極層１４は、図１〜図３に示すように、検出領域１４Ｒａと、枠体配置領域１４Ｒｂとを有する。枠体配置領域１４Ｒｂは、検出領域１４Ｒａを取り囲むように設けられている。検出領域１４Ｒａと枠体配置領域１４Ｒｂとは、通常は隣接して設けられる。検出領域１４Ｒａには、複数の検出部４０ｓおよび複数の構造体２１、５１が２次元配列されている。枠体配置領域１４Ｒｂは、枠体２２、５２を配置するための領域である。具体的には、金属層１１と対応する側の枠体配置領域１４Ｒｂには、枠体２２が配置され、導体層１６と対応する側の枠体配置領域１４Ｒｂには、枠体５２が配置される。検出領域１４Ｒａは、ユーザが操作子などにより入力操作を行うための領域であり、枠体配置領域１４Ｒｂ、すなわち枠体２２、５２により規定される。   As shown in FIGS. 1 to 3, the electrode layer 14 includes a detection area 14Ra and a frame body arrangement area 14Rb. The frame arrangement region 14Rb is provided so as to surround the detection region 14Ra. The detection area 14Ra and the frame body arrangement area 14Rb are usually provided adjacent to each other. In the detection region 14Ra, a plurality of detection units 40s and a plurality of structures 21 and 51 are two-dimensionally arranged. The frame body arrangement region 14Rb is a region for arranging the frame bodies 22 and 52. Specifically, the frame body 22 is arranged in the frame body arrangement region 14Rb on the side corresponding to the metal layer 11, and the frame body 52 is arranged in the frame body arrangement region 14Rb on the side corresponding to the conductor layer 16. The The detection area 14Ra is an area for the user to perform an input operation using an operator or the like, and is defined by the frame body arrangement area 14Rb, that is, the frame bodies 22 and 52.

（接着層）
接着層４３は、上述の接着層１３と同様である。(Adhesive layer)
The adhesive layer 43 is the same as the adhesive layer 13 described above.

（Ｘ、Ｙ電極素子）
Ｘ電極素子４１は、例えば、基材４１ａと、複数のＸ電極４１ｂとを備える。複数のＸ電極４１ｂは、例えば、基材４１ａの一方の主面に設けられている。Ｙ電極素子４２は、基材４２ａと、複数のＹ電極４２ｂとを備える。複数のＹ電極４２ｂは、例えば、基材４２ａの一方の主面に設けられている。複数のＸ電極４１ｂと複数のＹ電極４２ｂとは、Ｚ軸方向から見ると、直交交差する関係にある。(X and Y electrode elements)
The X electrode element 41 includes, for example, a base material 41a and a plurality of X electrodes 41b. The plurality of X electrodes 41b are provided on one main surface of the base material 41a, for example. The Y electrode element 42 includes a base material 42a and a plurality of Y electrodes 42b. The plurality of Y electrodes 42b are provided, for example, on one main surface of the base material 42a. When viewed from the Z-axis direction, the plurality of X electrodes 41b and the plurality of Y electrodes 42b are in a relationship of orthogonally intersecting.

（基材）
基材４１ａ、４２ａは、可撓性を有するシートである。基材４１ａ、４２ａの材料としては、絶縁性および可撓性を有する材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）ポリイミド（ＰＩ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。基材４１ａ、４２ａの厚みは、例えば数１０μｍ〜数１００μｍであるが、この範囲に限定されるものではない。(Base material)
The base materials 41a and 42a are flexible sheets. As a material of the base materials 41a and 42a, an insulating and flexible material can be used. Examples of such materials include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin (PMMA) polyimide (PI), triacetyl cellulose (TAC), polyester, polyamide (PA). , Aramid, polyethylene (PE), polyacrylate, polyether sulfone, polysulfone, polypropylene (PP), diacetyl cellulose, polyvinyl chloride, epoxy resin, urea resin, urethane resin, melamine resin, cyclic olefin polymer (COP), norbornene Based thermoplastic resins. The thickness of the base materials 41a and 42a is, for example, several tens of micrometers to several hundreds of micrometers, but is not limited to this range.

第１の実施形態では、センサ１が、図１などに示すように、導体層１６から金属層１１の方向に向かって、支持層１５、電極層（検出層）１４、接着層１３、支持層１２の順に積層された構成を有する例について説明したが、センサ１の構成はこれに限定されるものではない。例えば、センサ１が、上記積層の順序とは逆に、導体層１６から金属層１１の方向に向かって、支持層１２、接着層１３、電極層（検出層）１４、支持層１５の順に積層された構成を有していてもよい。また、第１の実施形態では、センサ１が、図１などに示すように、基材２５が電極層１４の表面に配置され、この基材２５と金属層１１との間に複数の構造体２１および枠体２２が配置される構成を有する例について説明するが、センサ１の構成はこれに限定されるものではない。例えば、センサ１が、基材２５が金属層１１の表面に配置され、この基材２５と電極層１４との間に複数の構造体２１および枠体２２が配置される構成を有していてもよい。   In the first embodiment, the sensor 1 includes a support layer 15, an electrode layer (detection layer) 14, an adhesive layer 13, and a support layer from the conductor layer 16 toward the metal layer 11 as shown in FIG. Although the example which has the structure laminated | stacked in order of 12 was demonstrated, the structure of the sensor 1 is not limited to this. For example, the sensor 1 is laminated in the order of the support layer 12, the adhesive layer 13, the electrode layer (detection layer) 14, and the support layer 15 from the conductor layer 16 toward the metal layer 11 in the reverse order of the above-described lamination. You may have the structure made. In the first embodiment, as shown in FIG. 1 and the like, in the first embodiment, the substrate 25 is disposed on the surface of the electrode layer 14, and a plurality of structures are provided between the substrate 25 and the metal layer 11. Although the example which has the structure by which 21 and the frame 22 are arrange | positioned is demonstrated, the structure of the sensor 1 is not limited to this. For example, the sensor 1 has a configuration in which the base material 25 is disposed on the surface of the metal layer 11, and the plurality of structures 21 and the frame body 22 are disposed between the base material 25 and the electrode layer 14. Also good.

（Ｘ、Ｙ電極）
図４Ａは、Ｘ電極素子４１の構成の一例を示す平面図である。複数のＸ電極４１ｂは、Ｚ軸方向から見ると、Ｘ軸方向にほぼ直線的に延在され、かつ、Ｙ軸方向に所定の間隔離して配列されている。複数のＸ電極４１ｂはそれぞれ、引き出し線などにより基材４１ａの周縁部に引き出されて、複数のＸ電極端子（図示せず）にそれぞれ電気的に接続される。そして、これらのＸ電極端子を介して、複数のＸ電極４１ｂは、制御部７１に電気的に接続される。(X and Y electrodes)
FIG. 4A is a plan view showing an example of the configuration of the X electrode element 41. When viewed from the Z-axis direction, the plurality of X electrodes 41b extend substantially linearly in the X-axis direction and are arranged at a predetermined interval in the Y-axis direction. Each of the plurality of X electrodes 41b is led out to the peripheral portion of the base material 41a by a lead wire or the like, and electrically connected to a plurality of X electrode terminals (not shown). The plurality of X electrodes 41 b are electrically connected to the control unit 71 via these X electrode terminals.

図４Ｂは、Ｙ電極素子４２の構成の一例を示す平面図である。複数のＹ電極４２ｂは、Ｚ軸方向から見ると、Ｙ軸方向にほぼ直線的に延在され、かつ、Ｘ軸方向に所定の間隔離して配列されている。複数のＹ電極４２ｂはそれぞれ、引き出し線などにより基材４２ａの周縁部に引き出されて、複数のＹ電極端子（図示せず）にそれぞれ電気的に接続される。そして、これらの端子を介して、複数のＹ電極４２ｂは、制御部７１に電気的に接続される。   FIG. 4B is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode element 42. When viewed from the Z-axis direction, the plurality of Y electrodes 42b extend substantially linearly in the Y-axis direction and are arranged at a predetermined interval in the X-axis direction. Each of the plurality of Y electrodes 42b is led out to the peripheral edge of the base material 42a by a lead line or the like, and is electrically connected to each of a plurality of Y electrode terminals (not shown). The plurality of Y electrodes 42 b are electrically connected to the control unit 71 via these terminals.

Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの形成方法としては、例えば、スクリーン印刷法、グラビアオフセット印刷法もしくはインクジェット印刷法などの印刷法、またはフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング法を用いることができる。   As a method for forming the X and Y electrodes 41b and 42b, for example, a screen printing method, a printing method such as a gravure offset printing method or an ink jet printing method, or a patterning method using a photolithography technique can be used.

図５Ａは、Ｘ電極４１ｂの構成の一例を示す平面図である。Ｘ電極４１ｂは、複数の単位電極体４１ｍと、複数の単位電極体４１ｍ同士を連結する複数の連結部４１ｎとを備える。単位電極体４１ｍは、複数のサブ電極（電極要素）４１ｗの群からなる電極群により構成されている。複数のサブ電極は、規則的または不規則的なパターンを有している。図５Ａでは、複数のサブ電極が、規則的なパターンを有している例が示されている。この例では、具体的には、複数のサブ電極４１ｗは、Ｘ軸方向に延在された線状の導電部材であり、それらの導電部材が、ストライプ状に配列されている。連結部４１ｎは、Ｘ軸方向に延在されており、隣り合う単位電極体４１ｍ同士を連結する。   FIG. 5A is a plan view showing an example of the configuration of the X electrode 41b. The X electrode 41b includes a plurality of unit electrode bodies 41m and a plurality of connecting portions 41n that connect the plurality of unit electrode bodies 41m to each other. The unit electrode body 41m is configured by an electrode group including a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements) 41w. The plurality of sub-electrodes have a regular or irregular pattern. FIG. 5A shows an example in which the plurality of sub-electrodes have a regular pattern. In this example, specifically, the plurality of sub-electrodes 41w are linear conductive members extending in the X-axis direction, and these conductive members are arranged in a stripe shape. The connecting portion 41n extends in the X-axis direction and connects adjacent unit electrode bodies 41m.

図５Ｂは、Ｙ電極４２ｂの構成の一例を示す平面図である。Ｙ電極４２ｂは、複数の単位電極体４２ｍと、複数の単位電極体４２ｍ同士を連結する複数の連結部４２ｎとを備える。単位電極体４２ｍは、複数のサブ電極（電極要素）４２ｗの群からなる電極群により構成されている。複数のサブ電極は、規則的または不規則的なパターンを有している。図５Ｂでは、複数のサブ電極が、規則的なパターンを有している例が示されている。この例では、具体的には、複数のサブ電極４２ｗは、Ｙ軸方向に延在された線状の導電部材であり、それらの導電部材が、ストライプ状に配列されている。連結部４２ｎは、Ｙ軸方向に延在されており、隣り合う単位電極体４２ｍ同士を連結する。   FIG. 5B is a plan view showing an example of the configuration of the Y electrode 42b. The Y electrode 42b includes a plurality of unit electrode bodies 42m and a plurality of connecting portions 42n that connect the plurality of unit electrode bodies 42m to each other. The unit electrode body 42m is configured by an electrode group including a group of a plurality of sub-electrodes (electrode elements) 42w. The plurality of sub-electrodes have a regular or irregular pattern. FIG. 5B shows an example in which the plurality of sub-electrodes have a regular pattern. In this example, specifically, the plurality of sub-electrodes 42w are linear conductive members extending in the Y-axis direction, and these conductive members are arranged in stripes. The connecting portion 42n extends in the Y-axis direction and connects adjacent unit electrode bodies 42m.

Ｚ軸方向から見て、単位電極体４１ｍと単位電極体４２ｍとが重なるように、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂは交差して配置される。なお、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂは、上述の構成に限定されるものではなく、例えば単位電極体４１ｍ、４２ｍとしては種々の構成のものを採用することができる。   The X and Y electrodes 41b and 42b are arranged so as to intersect each other so that the unit electrode body 41m and the unit electrode body 42m overlap each other when viewed from the Z-axis direction. Note that the X and Y electrodes 41b and 42b are not limited to the above-described configuration, and for example, the unit electrode bodies 41m and 42m may have various configurations.

図６Ａ〜図６Ｐは、単位電極体４１ｍ、４２ｍの形状例を示す模式図である。なお、図６Ａ〜図６Ｐは、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの交差部における形状を示しており、それ以外の部分の形状は特に限定されるものではなく、例えば直線状としてもよい。また、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの単位電極体４１ｍ、４２ｍの形状の組み合わせは、図５Ａ、図５Ｂおよび図６Ａ〜図６Ｐに示した形状のうち同一種の２組でもよいし、異種の２組でもよい。   6A to 6P are schematic diagrams illustrating examples of shapes of the unit electrode bodies 41m and 42m. 6A to 6P show the shapes of the intersections of the X and Y electrodes 41b and 42b, and the shapes of the other portions are not particularly limited, and may be, for example, linear. Further, the combination of the shapes of the unit electrode bodies 41m and 42m of the X and Y electrodes 41b and 42b may be two sets of the same type among the shapes shown in FIG. 5A, FIG. 5B and FIGS. Two sets are also acceptable.

図６Ａは、中心部から放射状に伸びる複数本の直線的な電極パターンの集合体で単位電極体４１ｍを構成した例が示されている。図６Ｂは、図６Ａの例に示した放射状の線電極のうちの一本が他の線電極よりも太く形成される例を示す。これにより、太い線電極上の静電容量変化量を他の線電極上よりも高めることができる。さらに図６Ｃ、図６Ｄは、略中心に環状の線状電極が配置され、そこから放射状に線電極が形成されている例を示す。これにより、中心部における線状電極の集中を抑制し、感度低下領域の発生を防止することができる。   FIG. 6A shows an example in which the unit electrode body 41m is composed of an assembly of a plurality of linear electrode patterns extending radially from the central portion. FIG. 6B shows an example in which one of the radial line electrodes shown in the example of FIG. 6A is formed thicker than the other line electrodes. Thereby, the electrostatic capacitance change amount on a thick line electrode can be made higher than on other line electrodes. Furthermore, FIG. 6C and FIG. 6D show an example in which an annular linear electrode is disposed substantially at the center, and the linear electrode is formed radially therefrom. Thereby, the concentration of the linear electrodes in the central portion can be suppressed, and the occurrence of the sensitivity reduction region can be prevented.

図６Ｅ〜図６Ｈは、いずれも環状または矩形環状に形成された複数の線状電極を組み合わせて集合体を形成した例を示す。これにより、電極の密度を調整することが可能となり、かつ、感度低下領域の形成を抑制することが可能となる。また、図６Ｉ〜図６Ｌは、いずれもＸ軸方向またはＹ軸方向に配列した複数の線状電極を組み合わせて集合体を形成した例を示す。当該線状電極の形状、長さおよびピッチなどを調整することで、所望の電極密度とすることが可能となる。さらに図６Ｍ〜図６Ｐは、線電極がＸ軸方向またはＹ軸方向に非対称に配置された例である。   6E to 6H show examples in which an aggregate is formed by combining a plurality of linear electrodes formed in an annular shape or a rectangular shape. As a result, the density of the electrodes can be adjusted, and the formation of the sensitivity reduction region can be suppressed. 6I to 6L show examples in which an aggregate is formed by combining a plurality of linear electrodes arranged in the X-axis direction or the Y-axis direction. By adjusting the shape, length, pitch, and the like of the linear electrode, a desired electrode density can be obtained. 6M to 6P are examples in which the line electrodes are arranged asymmetrically in the X-axis direction or the Y-axis direction.

（検出部）
図７に示すように、電極層１４は、検出領域１４Ｒａを有し、この検出領域１４Ｒａに複数の検出部４０ｓを含んでいる。複数の検出部４０ｓは、検出領域１４Ｒａにおいて、ほぼマトリックス状に２次元配列されている。複数の検出部４０ｓはそれぞれ、Ｘ電極４１ｂとＹ電極４２ｂとの交差領域に形成されている。検出部４０ｓは、金属層１１および導体層１６各々との相対距離に応じて変化する静電容量を検出する。(Detection unit)
As shown in FIG. 7, the electrode layer 14 has a detection region 14Ra, and the detection region 14Ra includes a plurality of detection units 40s. The plurality of detection units 40s are two-dimensionally arranged in a substantially matrix form in the detection region 14Ra. Each of the plurality of detection units 40s is formed in an intersecting region between the X electrode 41b and the Y electrode 42b. The detection unit 40 s detects a capacitance that changes according to the relative distance between the metal layer 11 and the conductor layer 16.

なお、図４、図５および図７では、単位電極体４１ｍ、４２ｍが同一の大きさの正方形状を有し、電極層１４をＺ軸方向から見ると、単位電極体４１ｍ、４２ｍが完全に重なり、検出部４０ｓが構成される例を示しているが、単位電極体４１ｍ、４２ｍの構成はこの例に限定されるものではない。すなわち、電極層１４をＺ軸方向から見ると、単位電極体４１ｍ、４２ｍの一部が重なり、この重なり部分により検出部４０ｓが構成されるようにしてもよい。このような構成を得るための単位電極体４１ｍ、４２ｍの形状例として、例えば次のようなものが好ましい。すなわち、単位電極体４１ｍが、Ｘ軸方向に平行な長辺とＹ軸方向に平行な短辺とを持つ長方形状を有する。一方、単位電極体４２ｍが、Ｙ軸方向に平行な長辺とＸ軸方向に平行な短辺とを持つ長方形状を有する。このような形状を採用することで、単位電極体４１ｍ、４２ｍに位置ずれが生じた場合にも、単位電極体４１ｍ、４２ｍの重なり部分の面積、すなわち検出部４０ｓの面積を保持することができる。   4, 5, and 7, the unit electrode bodies 41 m and 42 m have a square shape with the same size, and when the electrode layer 14 is viewed from the Z-axis direction, the unit electrode bodies 41 m and 42 m are completely Although an example in which the overlapping and detection unit 40s is configured is shown, the configuration of the unit electrode bodies 41m and 42m is not limited to this example. That is, when the electrode layer 14 is viewed from the Z-axis direction, part of the unit electrode bodies 41m and 42m may overlap, and the overlapping portion may constitute the detection unit 40s. As examples of the shape of the unit electrode bodies 41m and 42m for obtaining such a configuration, for example, the following is preferable. That is, the unit electrode body 41m has a rectangular shape having a long side parallel to the X-axis direction and a short side parallel to the Y-axis direction. On the other hand, the unit electrode body 42m has a rectangular shape having a long side parallel to the Y-axis direction and a short side parallel to the X-axis direction. By adopting such a shape, even when the unit electrode bodies 41m and 42m are displaced, the area of the overlapping portion of the unit electrode bodies 41m and 42m, that is, the area of the detection unit 40s can be maintained. .

また、図４、図５および図７では、隣り合う単位電極体４１ｍの間を１つの連結部４１ｎにより連結すると共に、隣り合う単位電極体４２ｍの間を１つの連結部４２ｎにより連結する例について説明したが、連結部４１ｎ、４２ｎの個数はこの例に限定されるものではない。すなわち、隣り合う単位電極体４１ｍ間を複数の連結部４１ｎにより連結すると共に、隣り合う単位電極体４２ｍ間を複数の連結部４２ｎにより連結するようにしてもよい。   4, 5, and 7, an example in which adjacent unit electrode bodies 41 m are connected by one connecting portion 41 n and adjacent unit electrode bodies 42 m are connected by one connecting portion 42 n. Although explained, the number of connecting parts 41n, 42n is not limited to this example. That is, the adjacent unit electrode bodies 41m may be connected by a plurality of connecting portions 41n, and the adjacent unit electrode bodies 42m may be connected by a plurality of connecting portions 42n.

ここで、図８を参照して、検出部４０ｓ、４０ｓｉの配置の一例について説明する。図８中、実線にて示した検出部４０ｓは、現実の検出部を示している。一方、破線にて示した検出部４０ｓｉは、仮想的な検出部を示している。なお、図１、図２では、各検出部４０ｓをＺ軸方向から見たときの各検出部４０ｓの中心位置、すなわち２次元配列の基準位置を破線４０ｃにより示している。   Here, an example of the arrangement of the detection units 40s and 40si will be described with reference to FIG. In FIG. 8, a detection unit 40s indicated by a solid line represents an actual detection unit. On the other hand, the detection unit 40si indicated by a broken line indicates a virtual detection unit. In FIGS. 1 and 2, the center position of each detection unit 40s when each detection unit 40s is viewed from the Z-axis direction, that is, the reference position of the two-dimensional array is indicated by a broken line 40c.

仮想的な検出部４０ｓｉは、マトリックス状に等間隔に２次元配列されている。ここでは、このように等間隔に２次元配列された仮想的な検出部４０ｓｉの位置、すなわち検出部４０ｓの仮想的な配置位置を、「２次元配列の基準位置」という。複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側（外周側）にある検出部４０ｓは、等間隔の２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設けられている。   The virtual detectors 40si are two-dimensionally arranged in a matrix at regular intervals. Here, the positions of the virtual detection units 40si that are two-dimensionally arranged at equal intervals in this way, that is, the virtual arrangement positions of the detection units 40s are referred to as “two-dimensional array reference positions”. Among the plurality of detection units 40s, at least the detection unit 40s on the peripheral side (outer periphery side) of the detection region 14Ra is provided at a position shifted toward the center of the detection region 14Ra from the reference position of the two-dimensional array at equal intervals. It has been.

具体的には、検出部４０ｓの２次元配列の基準位置は、検出領域１４Ｒａの中心およびその近傍における検出部４０ｓの２次元配列パターンが、検出領域１４Ｒａの周縁側まで続いていると仮想したときの２次元配列の位置（すなわち仮想的な２次元配列の位置）である。センサ１の中心またはその近傍では、現実の検出部４０ｓの配置位置がシフトしていないため、現実の検出部４０ｓと仮想的な検出部４０ｓｉとの配置位置が同一となる。一方、センサ１の周縁側またはその近傍では、現実の検出部４０ｓの配置位置がシフトしているため、現実の検出部４０ｓと仮想的な検出部４０ｓｉとの配置位置に差が生じる。   Specifically, when the reference position of the two-dimensional array of the detection unit 40s is assumed that the two-dimensional array pattern of the detection unit 40s at the center of the detection region 14Ra and the vicinity thereof continues to the peripheral side of the detection region 14Ra. The position of the two-dimensional array (ie, the position of the virtual two-dimensional array). At the center of the sensor 1 or in the vicinity thereof, the arrangement position of the actual detection unit 40s is not shifted, so the arrangement position of the actual detection unit 40s and the virtual detection unit 40si are the same. On the other hand, on the peripheral side of the sensor 1 or in the vicinity thereof, the actual arrangement position of the detection unit 40s is shifted, so that there is a difference in the arrangement position between the actual detection unit 40s and the virtual detection unit 40si.

図８に示すように、マトリックス状に２次元配列された仮想的な複数の検出部４０ｓｉにそれぞれ番号（ｉ，ｊ）を付す。具体的には、Ｘ軸方向に並んだ複数の検出部４０ｓの一群を行、Ｙ軸方向に並んだ複数の検出部４０ｓの一群を列と定義する。そして、番号ｉ、ｊをそれぞれ、行番号、列番号とする。複数の行の中央に位置する行の番号をｉ＝０とし、この行番号ｉ＝０の行を基準にして、行番号ｉは＋Ｙ軸方向に向かって１ずつ増加し、−Ｙ軸方向に向かって１ずつ減少するものとする。また、複数の列の中央に位置する列の番号をｊ＝０とし、この列番号ｊ＝０の行を基準にして、列番号ｊは＋Ｘ軸方向に向かって１ずつ増加し、−Ｘ軸方向に向かって１ずつ減少するものとする。したがって、マトリックス状に２次元配列された仮想的な複数の検出部４０ｓｉのうち、その中心に位置する検出部４０ｓ、すなわち０行、０列に位置する検出部の番号は、番号（０、０）となる。そして、ｉ行、ｊ列に位置する検出部の番号は、番号（ｉ、ｊ）となる。   As shown in FIG. 8, numbers (i, j) are respectively assigned to a plurality of virtual detection units 40si that are two-dimensionally arranged in a matrix. Specifically, a group of detection units 40s arranged in the X-axis direction is defined as a row, and a group of detection units 40s arranged in the Y-axis direction is defined as a column. The numbers i and j are the row number and the column number, respectively. The number of the row located at the center of the plurality of rows is set to i = 0, and the row number i is incremented by 1 in the + Y-axis direction with reference to the row of the row number i = 0, and in the -Y-axis direction. It is assumed that the value decreases by one toward the target. In addition, the column number located in the center of the plurality of columns is set to j = 0, and the column number j is incremented by 1 in the + X axis direction with reference to the row of the column number j = 0, and the −X axis It shall decrease by 1 toward the direction. Therefore, out of a plurality of virtual detection units 40si that are two-dimensionally arranged in a matrix, the number of the detection unit 40s located at the center, that is, the detection unit located in the 0th row and the 0th column is the number (0, 0 ) And the number of the detection part located in i row and j column becomes a number (i, j).

現実の各検出部４０ｓにも、上述の仮想的な各検出部４０ｓｉと同様に番号（ｉ，ｊ）を付す。すなわち、現実の各検出部４０ｓには、それぞれに対応する仮想的な各検出部４０ｓｉの番号（ｉ，ｊ）を付す。   The actual detection units 40s are also numbered (i, j) in the same manner as the virtual detection units 40si described above. In other words, each actual detection unit 40s is assigned the number (i, j) of each virtual detection unit 40si corresponding thereto.

現実の検出部４０ｓの配置が、以下の関係（ａ）〜（ｃ）をすべて満たしていることが好ましい。
（Ａ）現実の各検出部４０ｓは、その１つ内側に配置された各検出部４０ｓの位置を超えないように配置されている。
（Ｂ）Ｘ軸方向およびＹ軸方向に隣り合う２つの検出部４０ｓのうち、外側に位置する検出部４０ｓのシフト距離は、内側に位置する検出部４０ｓのシフト距離以上である。
（Ｃ）現実の各検出部４０ｓは、その１つ内側に配置された検出部４０ｓとは重ならないように配置されている。It is preferable that the actual arrangement of the detection unit 40s satisfies all of the following relationships (a) to (c).
(A) Each actual detection unit 40s is arranged so as not to exceed the position of each detection unit 40s arranged inside the detection unit 40s.
(B) Of the two detection units 40s adjacent in the X-axis direction and the Y-axis direction, the shift distance of the detection unit 40s located outside is equal to or greater than the shift distance of the detection unit 40s located inside.
(C) Each actual detection unit 40s is arranged so as not to overlap with the detection unit 40s arranged inside one of the detection units 40s.

以下に、上記関係（Ａ）〜（Ｃ）を、より具体的に関係式（Ａ−１）〜（Ｃ−４）を用いて表す。この場合、仮想的な検出部４０ｓｉおよび現実の検出部４０ｓが、以下の関係式（Ａ−１）〜（Ｃ−４）を満たしていることが好ましい。   Hereinafter, the above relations (A) to (C) are more specifically expressed using relational expressions (A-1) to (C-4). In this case, it is preferable that the virtual detection unit 40si and the actual detection unit 40s satisfy the following relational expressions (A-1) to (C-4).

ここでは、Ｘ軸およびＹ軸の原点Ｏを検出領域１４Ｒａの中心位置とする。番号（ｉ、ｊ）で特定される仮想的な検出部４０ｓｉの中心位置（Ｘ、Ｙ）を（Ｘ0 i,j、Ｙ0 i,j）と表し、番号（ｉ、ｊ）で特定される現実の検出部４０ｓの中心位置（Ｘ、Ｙ）を（Ｘi,j、Ｙi,j）と表す。検出部４０ｓのＸ軸方向の幅をＤｘ、Ｙ軸方向の幅をＤｙと表す（図９Ｂ参照）。Here, the origin O of the X axis and the Y axis is set as the center position of the detection region 14Ra. The center position (X, Y) of the virtual detection unit 40si specified by the number (i, j) is represented as (X 0 i, j , Y 0 i, j ), and is specified by the number (i, j). The center position (X, Y) of the actual detection unit 40s is expressed as (X i, j , Y i, j ). The width in the X-axis direction of the detection unit 40s is represented as Dx, and the width in the Y-axis direction is represented as Dy (see FIG. 9B).

上記関係（Ａ）は、より具体的には、以下の関係式（Ａ−１−１）〜（Ａ−４−２）により表される。
・番号（ｉ≧０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j｜＞｜Ｘi,j｜ ・・・（Ａ−１−１）
｜Ｙi,j+1｜＞｜Ｙi,j｜ ・・・（Ａ−１−２）
・番号（ｉ≦０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j｜＞｜Ｘi,j｜ ・・・（Ａ−２−１）
｜Ｙi,j+1｜＞｜Ｙi,j｜ ・・・（Ａ−２−２）
・番号（ｉ≧０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j｜＞｜Ｘi,j｜ ・・・（Ａ−３−１）
｜Ｙi,j-1｜＞｜Ｙi,j｜ ・・・（Ａ−３−２）
・番号（ｉ≦０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j｜＞｜Ｘi,j｜ ・・・（Ａ−４−１）
｜Ｙi,j-1｜＞｜Ｙi,j｜ ・・・（Ａ−４−２）More specifically, the relationship (A) is represented by the following relational expressions (A-1-1) to (A-4-2).
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≧ 0)
| X i + 1, j | >> | X i, j | (A-1-1)
| Y i, j + 1 |> | Y i, j | (A-1-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≧ 0)
| X i-1, j | >> | X i, j | (A-2-1)
| Y i, j + 1 | >> | Y i, j | (A-2-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≦ 0)
| X i + 1, j |> | X i, j | (A-3-1)
| Y i, j-1 |> | Y i, j | (A-3-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≦ 0)
| X i-1, j | >> | X i, j | (A-4-1)
| Y i, j-1 |> | Y i, j | (A-4-2)

上記関係（Ｂ）は、より具体的には、以下の関係式（Ｂ−１−１）〜（Ｂ−４−２）により表される。
・番号（ｉ≧０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j−Ｘ0 i+1,j｜≧｜Ｘi,j−Ｘ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−１−１）
｜Ｙi,j+1−Ｙ0 i,j+1｜≧｜Ｙi,j−Ｙ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−１−２）
・番号（ｉ≦０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j−Ｘ0 i-1,j｜≧｜Ｘi,j−Ｘ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−２−１）
｜Ｙi,j+1−Ｙ0 i,j+1｜≧｜Ｙi,j−Ｙ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−２−２）
・番号（ｉ≧０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j−Ｘ0 i+1,j｜≧｜Ｘi,j−Ｘ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−３−１）
｜Ｙi,j-1−Ｙ0 i,j-1｜≧｜Ｙi,j−Ｙ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−３−２）
・番号（ｉ≦０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j−Ｘ0 i-1,j｜≧｜Ｘi,j−Ｘ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−４−１）
｜Ｙi,j-1−Ｙ0 i,j-1｜≧｜Ｙi,j−Ｙ0 i,j｜ ・・・（Ｂ−４−２）More specifically, the relationship (B) is represented by the following relational expressions (B-1-1) to (B-4-2).
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≧ 0)
| X i + 1, j −X 0 i + 1, j | ≧ | X i, j −X 0 i, j | (B-1-1)
| Y i, j + 1 −Y 0 i, j + 1 | ≧ | Y i, j −Y 0 i, j | (B-1-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≧ 0)
| X i-1, j -X 0 i-1, j | ≧ | X i, j -X 0 i, j | (B-2-1)
| Y i, j + 1 −Y 0 i, j + 1 | ≧ | Y i, j −Y 0 i, j | (B-2-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≦ 0)
| X i + 1, j −X 0 i + 1, j | ≧ | X i, j −X 0 i, j | (B-3-1)
| Y i, j-1 −Y 0 i, j−1 | ≧ | Y i, j −Y 0 i, j | (B-3-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≦ 0)
| X i-1, j -X 0 i-1, j | ≧ | X i, j -X 0 i, j | (B-4-1)
| Y i, j-1 −Y 0 i, j−1 | ≧ | Y i, j −Y 0 i, j | (B-4-2)

上記関係（Ｃ）は、より具体的には、以下の関係式（Ｃ−１−１）〜（Ｃ−４−２）により表される。
・番号（ｉ≧０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j−Ｘi,j｜ ＞Ｄｘ・・・（Ｃ−１−１）
｜Ｙi,j+1−Ｙi,j｜ ＞Ｄｙ・・・（Ｃ−１−３）
・番号（ｉ≦０、ｊ≧０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j−Ｘi,j｜ ＞Ｄｘ・・・（Ｃ−２−１）
｜Ｙi,j+1−Ｙi,j｜ ＞Ｄｙ・・・（Ｃ−２−２）
・番号（ｉ≧０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi+1,j−Ｘi,j｜ ＞Ｄｘ・・・（Ｃ−３−１）
｜Ｙi,j-1−Ｙi,j｜ ＞Ｄｙ・・・（Ｃ−３−２）
・番号（ｉ≦０、ｊ≦０）を有する現実の各検出部４０ｓ
｜Ｘi-1,j−Ｘi,j｜ ＞Ｄｘ・・・（Ｃ−４−１）
｜Ｙi,j-1−Ｙi,j｜ ＞Ｄｙ・・・（Ｃ−４−２）More specifically, the relationship (C) is represented by the following relational expressions (C-1-1) to (C-4-2).
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≧ 0)
| X i + 1, j −X i, j |> Dx (C-1-1)
| Y i, j + 1 −Y i, j |> Dy (C-1-3)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≧ 0)
| X i-1, j −X i, j |> Dx (C-2-1)
| Y i, j + 1 −Y i, j |> Dy (C-2-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≧ 0, j ≦ 0)
| X i + 1, j −X i, j |> Dx (C-3-1)
| Y i, j-1 −Y i, j |> Dy (C-3-2)
Each actual detection unit 40s having a number (i ≦ 0, j ≦ 0)
| X i-1, j −X i, j |> Dx (C-4-1)
| Y i, j-1 −Y i, j |> Dy (C-4-2)

仮想的な検出部４０ｓｉが配置された位置に加重を加えると、現実の検出部４０ｓの位置が変形のピークの位置となる。したがって、現実の検出部４０ｓが最大の信号を出力する。制御部７１には、仮想的な検出部４０ｓｉの位置が検出部の位置として設定されている。このため、仮想的な検出部４０ｓｉの位置に加重が加えられたとことを示す信号が、制御部７１から出力される。   When a weight is applied to the position where the virtual detection unit 40si is arranged, the actual position of the detection unit 40s becomes the position of the deformation peak. Therefore, the actual detection unit 40s outputs the maximum signal. In the control unit 71, the position of the virtual detection unit 40si is set as the position of the detection unit. For this reason, a signal indicating that a weight is applied to the position of the virtual detection unit 40si is output from the control unit 71.

荷重位置と変形ピークとの位置ずれを抑制する観点からすると、以下の（Ａ）から（Ｄ）の構成のうちの１つ以上を採用することが好ましい。
（Ａ）検出領域１４Ｒａが角部および辺部を有し、この検出領域１４Ｒａを取り囲むように枠体２２、５２が設けられ、辺部の中央近傍の領域における検出部４０ｓのシフト距離は、角部の近傍の領域における検出部４０ｓのシフト距離に比べて大きい（図８：領域Ｒ１、Ｒ２参照）。
（Ｂ）検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって当該中心から離れるに従って、検出部４０ｓのシフト距離が大きくなる（図８：領域Ｒ１〜Ｒ３参照）。
（Ｃ）検出領域１４Ｒａが長辺と短辺を有し、この検出領域１４Ｒａを取り囲むように枠体２２、５２が設けられ、長辺の中央近傍の領域および短辺の中央近傍の領域における検出部４０ｓのシフト距離が、ほぼ等しい。（図８：領域Ｒ２、Ｒ３参照）
（Ｄ）検出領域１４Ｒａが長辺と短辺を有し、この検出領域１４Ｒａを取り囲むように枠体２２、５２が設けられ、長辺の中央近傍に含まれる各検出部４０ｓのシフト距離が、ほぼ等しい（図８：領域Ｒ２参照）。From the viewpoint of suppressing the displacement between the load position and the deformation peak, it is preferable to employ one or more of the following configurations (A) to (D).
(A) The detection region 14Ra has corners and sides, and the frame bodies 22 and 52 are provided so as to surround the detection region 14Ra. The shift distance of the detection unit 40s in the region near the center of the side is This is larger than the shift distance of the detection unit 40s in the region near the portion (see FIG. 8: regions R1 and R2).
(B) The shift distance of the detection unit 40s increases as the distance from the center increases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery (see FIG. 8: regions R1 to R3).
(C) The detection region 14Ra has a long side and a short side, and frame bodies 22 and 52 are provided so as to surround the detection region 14Ra, and detection is performed in a region near the center of the long side and a region near the center of the short side. The shift distance of the part 40s is almost equal. (See FIG. 8: Regions R2 and R3)
(D) The detection region 14Ra has a long side and a short side, the frame bodies 22 and 52 are provided so as to surround the detection region 14Ra, and the shift distance of each detection unit 40s included in the vicinity of the center of the long side is Approximately equal (see FIG. 8: region R2).

複数の構造体２１が仮想的な各検出部４０ｓｉに対応付けられたグループを構成していてもよい。また、複数の構造体５１が仮想的な各検出部４０ｓｉに対応付けられたグループを構成していてもよい。これらの各グループを構成する複数の構造体２１、５１は、仮想的な検出部（交差領域）４０ｓｉの中心に対して対称に配置されていてもよい。より具体的には、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂそれぞれの中心線に対して線対称に配置されていてもよい。   The plurality of structures 21 may constitute a group associated with each virtual detection unit 40si. A plurality of structures 51 may constitute a group associated with each virtual detection unit 40si. The plurality of structures 21 and 51 constituting each of these groups may be arranged symmetrically with respect to the center of the virtual detection unit (intersection region) 40si. More specifically, the X and Y electrodes 41b and 42b may be arranged symmetrically with respect to the center line.

また、仮想的な複数の検出部４０ｓｉ各々は、構造体２１、または構造体２１が構成するグループとＺ軸方向に対向して配置されていてもよい。あるいは、仮想的な複数の検出部４０ｓｉ各々は、構造体５１、または構造体５１が構成するグループとＺ軸方向に対向して配置されていてもよい。   In addition, each of the plurality of virtual detection units 40si may be arranged to face the structure 21 or a group formed by the structure 21 in the Z-axis direction. Alternatively, each of the plurality of virtual detection units 40si may be arranged to face the structure 51 or a group formed by the structure 51 in the Z-axis direction.

図９Ａは、検出部４０ｓの構成の一例を説明するための断面図である。検出部４０ｓは、Ｘ電極４１ｂと、Ｘ電極４１ｂと対向するＹ電極４２ｂと、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの間に設けられた誘電層とを有する相互キャパシタンス方式の容量素子である。なお、図９Ａでは、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂが単一の電極線で構成された例が示されている。   FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining an example of the configuration of the detection unit 40s. The detection unit 40s is a mutual capacitance capacitive element having an X electrode 41b, a Y electrode 42b facing the X electrode 41b, and a dielectric layer provided between the X and Y electrodes 41b and 42b. FIG. 9A shows an example in which the X and Y electrodes 41b and 42b are configured by a single electrode line.

図９Ａは、Ｘ電極４１ｂiとＹ電極４２ｂi、４２ｂi+1、４２ｂi+2とがＺ軸方向に互いに対向して配置されている例を示している。この例では、Ｘ電極素子４１およびＹ電極素子４２が接着層４３により互いに接合されており、Ｘ電極素子４１の基材４１ａと接着層４３とが上記誘電層を構成する。この場合は、Ｘ電極４１ｂiとＹ電極４２ｂi、４２ｂi+1、４２ｂi+2とが容量結合する交差領域にそれぞれ検出部４０ｓi、４０ｓi+1、４０ｓi+2が形成され、これらの静電容量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2が、金属層１１および導体層１６各々とＸ電極４１ｂi、Ｙ電極４２ｂi、４２ｂi+1、４２ｂi+2との容量結合に応じて変化するように構成される。なお、検出部４０ｓの初期容量は、例えば、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂ間の対向面積、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂ間の対向距離、接着層４３の誘電率によって設定される。FIG. 9A shows an example in which the X electrode 41b i and the Y electrodes 42b i , 42b i + 1 , 42b i + 2 are arranged to face each other in the Z-axis direction. In this example, the X electrode element 41 and the Y electrode element 42 are joined to each other by the adhesive layer 43, and the base material 41a of the X electrode element 41 and the adhesive layer 43 constitute the dielectric layer. In this case, detection units 40s i , 40s i + 1 , 40s i + 2 are formed in the intersecting regions where the X electrode 41b i and the Y electrodes 42b i , 42b i + 1 , 42b i + 2 are capacitively coupled, These electrostatic capacitances C i , C i + 1 , C i + 2 are the capacitances of the metal layer 11 and the conductor layer 16 and the X electrode 41b i , Y electrode 42b i , 42b i + 1 , 42b i + 2 , respectively. It is configured to change depending on the coupling. The initial capacity of the detection unit 40s is set by, for example, the facing area between the X and Y electrodes 41b and 42b, the facing distance between the X and Y electrodes 41b and 42b, and the dielectric constant of the adhesive layer 43.

ここでは、Ｙ電極素子４２がＸ電極素子４１よりも上層となるように積層された例について説明したが、電極層１４の構成はこれに限定されるものではなく、Ｘ電極素子４１をＹ電極素子４２よりも上層となるように積層してもよい。   Here, an example in which the Y electrode element 42 is stacked so as to be an upper layer than the X electrode element 41 has been described. However, the configuration of the electrode layer 14 is not limited thereto, and the X electrode element 41 is replaced with the Y electrode. You may laminate | stack so that it may become an upper layer rather than the element 42. FIG.

（構造体の配置例）
図１０は、検出領域１４Ｒａの全体における構造体２１、５１の配置位置の一例を示す。図９Ｂは、検出領域１４Ｒａの中央部における構造体２１、５１の配置位置の一例を示す。検出領域１４Ｒａの中央部では、構造体２１の配置位置と検出部４０ｓの中心とがほぼ一致している。一方、検出領域１４Ｒａの周縁部では、検出部４０ｓは等間隔の２次元配列の基準位置よりも中心に向けてシフトした位置に設けられているので、構造体２１の配置位置と検出部４０ｓの中心とはずれている。(Structure example)
FIG. 10 shows an example of the arrangement positions of the structures 21 and 51 in the entire detection region 14Ra. FIG. 9B shows an example of the arrangement positions of the structures 21 and 51 in the center of the detection region 14Ra. In the center of the detection region 14Ra, the arrangement position of the structure 21 and the center of the detection unit 40s are substantially coincident. On the other hand, at the peripheral portion of the detection region 14Ra, the detection unit 40s is provided at a position shifted toward the center from the reference position of the equally spaced two-dimensional array, and therefore the arrangement position of the structure 21 and the detection unit 40s. Off center.

Ｚ軸方向から構造体２１、５１を見ると、構造体２１、５１の配置は、以下の直線Ｍｘ、Ｍｙと線対称な関係にある。
直線Ｍｘ：仮想的な検出部４０ｓｉの中心を通り、かつ、Ｘ軸と平行な直線
直線Ｍｙ：仮想的な検出部４０ｓｉの中心を通り、かつ、Ｙ軸と平行な直線
但し、検出領域１４Ｒａの周縁およびその近傍に配置される構造体２１、５１は、直線Ｍｘ、Ｍｙに対して非対称であってもよい。When the structures 21 and 51 are viewed from the Z-axis direction, the arrangement of the structures 21 and 51 is in a line-symmetric relationship with the following straight lines Mx and My.
Straight line Mx: a straight line passing through the center of the virtual detection unit 40si and parallel to the X axis Straight line My: a straight line passing through the center of the virtual detection unit 40si and parallel to the Y axis However, the detection region 14Ra The structures 21 and 51 arranged in the periphery and the vicinity thereof may be asymmetric with respect to the straight lines Mx and My.

構造体２１は、仮想的なセンサ２０ｓｉの中心に配置されている。一方、構造体５１は、仮想的な中点に配置されている。ここで、仮想的な中点とは、Ｘ軸またはＹ軸に対して斜めの方向で隣り合う、仮想的なセンサ２０ｓｉ、２０ｓｉの中心を結ぶ直線の中点を意味する。構造体２１のＸ、Ｙ軸方向のピッチはそれぞれ、一定のピッチＬｘ、Ｌｙである。同様に、構造体５１のＸ、Ｙ軸方向のピッチもそれぞれ、一定のピッチＬｘ、Ｌｙである。   The structure 21 is disposed at the center of the virtual sensor 20si. On the other hand, the structure 51 is disposed at a virtual midpoint. Here, the virtual midpoint means a midpoint of a straight line connecting the centers of the virtual sensors 20si and 20si adjacent to each other in an oblique direction with respect to the X axis or the Y axis. The pitches of the structures 21 in the X and Y axis directions are constant pitches Lx and Ly, respectively. Similarly, the pitches of the structures 51 in the X and Y axis directions are also constant pitches Lx and Ly, respectively.

図９Ｂでは、構造体２１は、仮想的なセンサ２０ｓｉの中心に配置され、構造体５１は、仮想的な中点に配置されている例が記載されているが、構造体２１、５１の配置はこれに限定されるものではなく、例えば、構造体５１が、仮想的なセンサ２０ｓｉの中心に配置され、構造体２１が、仮想的な中点に配置されていてもよい。   9B shows an example in which the structure 21 is arranged at the center of the virtual sensor 20si and the structure 51 is arranged at a virtual midpoint. However, the arrangement of the structures 21, 51 is described. For example, the structure 51 may be disposed at the center of the virtual sensor 20si, and the structure 21 may be disposed at the virtual midpoint.

なお、図１０、図９Ｂでは、構造体２１のＸ、Ｙ軸方向のピッチＬｘ、Ｌｙと、構造体５１のＸ、Ｙ軸方向のピッチＬｘ、Ｌｙとが同一である例を示しているが、構造体２１、５１のピッチＬｘ、Ｌｙはこの例に限定されるものではなく、構造体２１のＸ、Ｙ軸方向のピッチＬｘ、Ｌｙと、構造体５１のＸ、Ｙ軸方向のピッチとＬｘ、Ｌｙが異なっていてもよい。また、図１０、図９Ｂでは、構造体２１、５１の数が略同一となる例を示しているが、構造体２１、５１の数はこの例に限定されるものではなく、構造体２１、５１の数は異なっていてもよい。   10 and 9B show an example in which the pitches Lx and Ly in the X and Y axis directions of the structure 21 and the pitches Lx and Ly in the X and Y axis directions of the structure 51 are the same. The pitches Lx and Ly of the structures 21 and 51 are not limited to this example. The pitches Lx and Ly of the structures 21 in the X and Y axis directions and the pitches of the structures 51 in the X and Y axis directions Lx and Ly may be different. 10 and 9B show an example in which the number of the structures 21 and 51 is substantially the same. However, the number of the structures 21 and 51 is not limited to this example. The number of 51 may be different.

［１．２ センサの検出動作］
以下、図１１〜図１３を参照して、入力装置１００の中央部（すなわち検出部４０ｓに位置シフトが殆どない領域）に位置する検出部４０ｓを例として、センサ１の検出動作について説明する。[1.2 Sensor detection operation]
Hereinafter, with reference to FIGS. 11 to 13, the detection operation of the sensor 1 will be described using the detection unit 40 s located in the center of the input device 100 (that is, the region where the detection unit 40 s has almost no position shift) as an example.

図１１は、操作子１０１により第１の面２ｍ上の点ＰをＺ軸方向下方へ押圧した際の、構造体２１、５１へ付加される力の様子を示す断面図である。図中の白抜き矢印は、Ｚ軸方向下方（以下、単に「下方」とする）への力の大きさを模式的に示している。図１１においては、金属層１１および電極層１４等の撓み、構造体２１、５１の弾性変形等の状態は示していない。   FIG. 11 is a cross-sectional view showing the state of the force applied to the structures 21 and 51 when the point P on the first surface 2m is pressed downward in the Z-axis direction by the operating element 101. The white arrow in the figure schematically shows the magnitude of the force downward in the Z-axis direction (hereinafter simply referred to as “downward”). In FIG. 11, states such as bending of the metal layer 11 and the electrode layer 14 and elastic deformation of the structures 21 and 51 are not shown.

例えば空間部２３i上の点Ｐが力Ｆで下方へ押圧された場合、点Ｐの直下の金属層１１が下方へ撓む。それに伴い、空間部２３iに隣接する構造体２１i、２１i+1が力Ｆ１を受け、Ｚ軸方向に弾性変形して厚みがわずかに減少する。また、金属層１１の撓みにより、構造体２１i、２１i+1に隣接する構造体２１i-1、２１i+2も、Ｆ１より小さい力Ｆ２を受ける。さらに力Ｆ１、Ｆ２により、電極層１４にも力が加えられ、構造体２１i、２１i+1直下の領域を中心に下方へ撓む。これにより構造体２１i、２１i+1の間に配置された構造体５１iが力Ｆ３を受け、Ｚ軸方向に弾性変形して厚みがわずかに減少する。また構造体２１i-1、２１iの間に配置された構造体５１i-1、および構造体２１i+1、２１i+2の間に配置された構造体５１i+1もそれぞれＦ３より小さいＦ４を受ける。For example, when the point P on the space 23 i is pressed downward by the force F, the metal layer 11 immediately below the point P bends downward. Accordingly, the structures 21 i and 21 i + 1 adjacent to the space 23 i receive the force F1, and are elastically deformed in the Z-axis direction to slightly reduce the thickness. Further, due to the bending of the metal layer 11, the structures 21 i-1 and 21 i + 2 adjacent to the structures 21 i and 21 i + 1 also receive a force F2 smaller than F1. Furthermore, force is also applied to the electrode layer 14 by the forces F1 and F2, and the electrode layer 14 bends downward about the region immediately below the structures 21 i and 21 i + 1 . As a result, the structure 51 i disposed between the structures 21 i and 21 i + 1 receives the force F3, elastically deforms in the Z-axis direction, and the thickness is slightly reduced. The structure 51 i-1 disposed between the structures 21 i-1 and 21 i and the structure 51 i + 1 disposed between the structures 21 i + 1 and 21 i + 2 are also F3. Receive a smaller F4.

このように、構造体２１、５１により厚み方向に力を伝達することができ、電極層１４を容易に変形させることができる。また、金属層１１および電極層１４が撓み、面内方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向に平行な方向）に押圧力の影響が及ぶことにより、操作子１０１の直下の領域のみならず、その近傍の構造体２１、５１にも力を及ぼすことができる。   Thus, force can be transmitted in the thickness direction by the structures 21 and 51, and the electrode layer 14 can be easily deformed. Further, the metal layer 11 and the electrode layer 14 are bent and the influence of the pressing force is exerted in the in-plane direction (direction parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction). A force can also be exerted on the neighboring structures 21 and 51.

また、空間部２３、５３により金属層１１および電極層１４を容易に変形させることができる。さらに柱体等で構成された構造体２１、５１により、操作子１０１の押圧力に対して電極層１４へ高い圧力を及ぼすことができ、電極層１４を効率的に撓ませることができる。   Further, the metal layer 11 and the electrode layer 14 can be easily deformed by the spaces 23 and 53. Furthermore, the structures 21 and 51 formed of columns or the like can apply a high pressure to the electrode layer 14 with respect to the pressing force of the operation element 101, and the electrode layer 14 can be flexed efficiently.

さらに、構造体２１、５１がＺ軸方向から見て重複して配置されていないため、構造体２１がその下の空間部５３を介して電極層１４を導体層１６に向けて容易に撓ませることができる。   Further, since the structures 21 and 51 are not overlapped when viewed from the Z-axis direction, the structure 21 easily deflects the electrode layer 14 toward the conductor layer 16 through the space 53 below the structures 21 and 51. be able to.

以下、具体的な操作時における検出部４０ｓの静電容量の変化量の一例を示す。
図１２、図１３は、第１の面２ｍが操作子１０１により押圧されたたときの入力装置１００の状態を示す断面図と、そのときの各検出部４０ｓの静電容量変化量の一例を示す図である。図１２、図１３におけるＸ軸に沿って示す棒グラフは、各検出部４０ｓにおける静電容量の基準値からの変化量を模式的に示している。また、図１２は、操作子１０１が構造体２１（２１i+1）上を押圧した際の状態を示し、図１３は、操作子１０１が空間部２３（２３i+1）上を押圧した際の状態を示す。Hereinafter, an example of the amount of change in the capacitance of the detection unit 40s during a specific operation will be described.
12 and 13 are cross-sectional views showing the state of the input device 100 when the first surface 2m is pressed by the operation element 101, and an example of the amount of change in capacitance of each detection unit 40s at that time. FIG. The bar graph shown along the X-axis in FIGS. 12 and 13 schematically shows the amount of change from the reference value of the capacitance in each detection unit 40s. FIG. 12 shows a state when the operation element 101 presses on the structure 21 (21 i + 1 ), and FIG. 13 shows a state where the operation element 101 presses on the space portion 23 (23 i + 1 ). Shows the situation.

図１２では、押圧位置の直下の構造体２１i+1が最も力を受け、構造体２１i+1自身が弾性変形するとともに、下方へ変位する。その変位により構造体２１i+1直下の検出部４０ｓi+1が下方へと変位する。これにより、空間部５３i+1を介して検出部４０ｓi+1と導体層１６とが近接または接触する。すなわち、検出部４０ｓi+1は、金属層１１との距離が若干変化し、かつ導体層１６との距離が大きく変化することで、静電容量の変化量Ｃi+1を得る。一方で、金属層１１の撓みの影響により、構造体２１i、２１i+2もわずかに下方へと変位し、検出部４０ｓi、４０ｓi+2における静電容量の変化量は、それぞれＣi、Ｃi+2となる。In FIG. 12, the structure 21 i + 1 immediately below the pressing position receives the most force, and the structure 21 i + 1 itself is elastically deformed and displaced downward. Due to the displacement, the detection unit 40s i + 1 immediately below the structure 21 i + 1 is displaced downward. Thereby, the detection unit 40s i + 1 and the conductor layer 16 come close to or in contact with each other through the space portion 53 i + 1 . That is, the detection unit 40s i + 1 obtains the change amount C i + 1 of the capacitance when the distance to the metal layer 11 slightly changes and the distance to the conductor layer 16 changes greatly. On the other hand, the structures 21 i and 21 i + 2 are also slightly displaced downward due to the influence of the bending of the metal layer 11, and the amount of change in capacitance in the detection units 40s i and 40s i + 2 is C. i , C i + 2 .

図１２に示す例において、Ｃi+1が最も大きく、ＣiとＣi+2とは略同一で、かつＣi+1よりも小さい。すなわち、図１２に示すように、静電容量の変化量Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2は、Ｃi+1を頂点とする山形の分布を示す。この場合に、制御部７１が、Ｃi、Ｃi+1、Ｃi+2の比率に基づいて重心などを算出し、押圧位置として検出部４０ｓi+1上のＸＹ座標を算出するようにしてもよい。In the example shown in FIG. 12, C i + 1 is the largest, and C i and C i + 2 are substantially the same and smaller than C i + 1 . That is, as shown in FIG. 12, the capacitance variations C i , C i + 1 , and C i + 2 indicate a mountain-shaped distribution with C i + 1 at the apex. In this case, the control unit 71 calculates the center of gravity and the like based on the ratios of C i , C i + 1 , and C i + 2 and calculates the XY coordinates on the detection unit 40s i + 1 as the pressed position. May be.

一方、図１３では、金属層１１の撓みにより押圧位置近傍の構造体２１i+1、２１i+2がわずかに弾性変形するとともに、下方へと変位する。その変位により、電極層１４が撓み、構造体２１i+1、２１i+2直下の検出部４０ｓi+1、４０ｓi+2が下方へと変位する。これにより空間部５３i+1、５３i+2を介して検出部４０ｓi+1、４０ｓi+2と導体層１６とが近接または接触する。すなわち、検出部４０ｓi+1、４０ｓi+2は、金属層１１との距離がわずかに変化し、かつ導体層１６との距離が比較的大きく変化することで、それぞれ静電容量の変化量Ｃi+1、Ｃi+2を得る。これらの変化量Ｃi+1とＣi+2とは、略同一である。これらの変化量Ｃi+1とＣi+2とに基づいて、制御部７１が、押圧位置として検出部４０ｓi+1、４０ｓi+2の間のＸＹ座標を算出するようにしてもよい。On the other hand, in FIG. 13, the structures 21 i + 1 and 21 i + 2 in the vicinity of the pressing position are slightly elastically deformed and displaced downward due to the bending of the metal layer 11. By the displacement, deflection electrode layer 14, the detection unit 40s i + 1, 40s i + 2 immediately below structure 21 i + 1, 21 i + 2 is displaced downward. As a result, the detectors 40s i + 1 and 40s i + 2 and the conductor layer 16 come close to or in contact with each other through the space parts 53 i + 1 and 53 i + 2 . That is, each of the detection units 40s i + 1 and 40s i + 2 has a slight change in the distance from the metal layer 11 and a relatively large change in the distance from the conductor layer 16, thereby changing the amount of change in capacitance. C i + 1 and C i + 2 are obtained. These change amounts C i + 1 and C i + 2 are substantially the same. Based on these change amounts C i + 1 and C i + 2 , the control unit 71 may calculate the XY coordinates between the detection units 40s i + 1 and 40s i + 2 as the pressed positions. .

このように、本実施形態によれば、検出部４０ｓおよび金属層１１と、検出部４０ｓおよび導体層１６との厚みの双方が押圧力によって可変であることから、検出部４０ｓにおける静電容量の変化量をより大きくすることができる。これにより、入力操作の検出感度を高めることが可能となる。   Thus, according to this embodiment, since both the thickness of the detection part 40s and the metal layer 11, and the detection part 40s and the conductor layer 16 are variable by pressing force, the electrostatic capacitance of the detection part 40s is changed. The amount of change can be made larger. As a result, it is possible to increase the detection sensitivity of the input operation.

また、第１の面２ｍ上の押圧位置が構造体２１上、空間部２３上のいずれの点であっても、押圧位置のＸＹ座標を算出することが可能となる。すなわち、金属層１１が面内方向に押圧力の影響を波及させることにより、押圧位置直下の検出部４０ｓのみならず、Ｚ軸方向から見て押圧位置の近傍の検出部４０ｓにおいても静電容量変化を生じさせることができる。これにより、第１の面２ｍ内における検出精度のバラつきを抑制し、第１の面２ｍ全面において高い検出精度を維持することができる。   Moreover, it becomes possible to calculate the XY coordinates of the pressed position regardless of whether the pressed position on the first surface 2m is on the structure 21 or the space 23. That is, when the metal layer 11 propagates the influence of the pressing force in the in-plane direction, not only the detection unit 40s immediately below the pressing position but also the detection unit 40s near the pressing position as viewed from the Z-axis direction has a capacitance. Changes can be made. Thereby, variation in detection accuracy in the first surface 2m can be suppressed, and high detection accuracy can be maintained over the entire first surface 2m.

［１．３ 電気回路の構成］
図１４は、本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の電気回路の構成の一例を示すブロック図である。図１４に示すように、入力装置１００は、センサ１と、ディスプレイ２と、制御部７１と、コントローラ７２とを備える。[1.3 Electric circuit configuration]
FIG. 14 is a block diagram illustrating an example of a configuration of an electric circuit of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology. As illustrated in FIG. 14, the input device 100 includes a sensor 1, a display 2, a control unit 71, and a controller 72.

制御部７１は、各検出部４０ｓの静電容量の変化に基づいて、操作位置を検出する。制御部７１内における各検出部４０ｓの設定位置は、２次元配列の基準位置である。具体的には、図８に示した仮想的な検出部４０ｓｉの配置位置である。制御部７１は、演算部７３および信号処理部７４を含んでいる。演算部７３は、検出部４０ｓの静電容量の変化に基づいて、ユーザによる操作を検出する。信号処理部７４は、演算部７３による検出結果に基づいて操作信号を生成する。   The control unit 71 detects the operation position based on the change in capacitance of each detection unit 40s. The setting position of each detection unit 40s in the control unit 71 is a reference position of a two-dimensional array. Specifically, it is the arrangement position of the virtual detector 40si shown in FIG. The control unit 71 includes a calculation unit 73 and a signal processing unit 74. The calculation unit 73 detects an operation by the user based on the change in the capacitance of the detection unit 40s. The signal processing unit 74 generates an operation signal based on the detection result by the calculation unit 73.

コントローラ７２は、信号処理部７４にて生成された操作信号に基づいて処理を行う。コントローラ７２によって処理された操作信号は、例えば画像信号として、ディスプレイ２に出力される。ディスプレイ２は、フレキシブル配線基板（図示せず）を介してコントローラ７２に搭載された駆動回路に接続される。上記駆動回路は、配線基板に搭載されていてもよい。   The controller 72 performs processing based on the operation signal generated by the signal processing unit 74. The operation signal processed by the controller 72 is output to the display 2 as an image signal, for example. The display 2 is connected to a drive circuit mounted on the controller 72 via a flexible wiring board (not shown). The drive circuit may be mounted on a wiring board.

［１．４ 原理］
図１５Ａ、図１５Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の検出原理について説明するための図である。図１５Ａ、図１５Ｂにおいて、位置Ｘａ、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは、等間隔の２次元配列の基準位置を示している。また、棒グラフは、各検出部４０ｓにおける静電容量の変化量に基づき、制御部７１から出力される出力信号を示している。また、Ｘ軸上における棒グラフの位置は、各検出部４０ｓの配置位置を示している。[1.4 Principle]
15A and 15B are diagrams for describing the detection principle of the input device 100 according to the first embodiment of the present technology. 15A and 15B, positions Xa, Xb, Xc, and Xd indicate reference positions of a two-dimensional array at equal intervals. The bar graph indicates an output signal output from the control unit 71 based on the amount of change in capacitance in each detection unit 40s. Further, the position of the bar graph on the X axis indicates the arrangement position of each detection unit 40s.

まず、図１５Ａを参照して、検出部４０ｓが位置シフトされていない場合、すなわち、検出部４０ｓの配置位置が基準位置Ｘａ、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄである場合について説明する。入力装置１００の入力操作面の周縁部において、位置Ｘｃに荷重が加えられると、荷重位置はＸｃであるが、変形ピークはＸｐの位置となる。この場合、制御部７１は、重心計算によりＸｐを検出位置として出力する。   First, with reference to FIG. 15A, the case where the position of the detection unit 40s is not shifted, that is, the case where the arrangement position of the detection unit 40s is the reference positions Xa, Xb, Xc, and Xd will be described. When a load is applied to the position Xc at the periphery of the input operation surface of the input device 100, the load position is Xc, but the deformation peak is at the position Xp. In this case, the control unit 71 outputs Xp as a detection position by calculating the center of gravity.

次に、図１５Ｂを参照して、検出部４０ｓが位置シフトされている場合、すなわち、検出部４０ｓの配置位置が基準位置Ｘａ、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄから検出領域１４Ｒａ（入力装置１００）の中心に向けてシフトしている場合について説明する。この場合、図１５Ｂに示すように、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、検出部４０ｓのシフト距離ｄが大きくなることが好ましい。入力装置１００の入力操作面の周縁部において、位置Ｘｃに荷重が加えられると、荷重位置はＸｃであるが、変形ピークはＸｐの位置となり、Ｘｐの位置にある検出部４０ｓN+2が最大信号を出力し、荷重計算も検出部４０ｓN+2の位置となる。しかし、制御部７１内では、検出部４０ｓN+2の位置は、Ｘｃの位置と設定されているため、制御部７１はＸｃを検出位置として出力する。Next, referring to FIG. 15B, when the position of the detection unit 40s is shifted, that is, the arrangement position of the detection unit 40s is the center of the detection region 14Ra (input device 100) from the reference positions Xa, Xb, Xc, Xd. A case in which the shift is made toward will be described. In this case, as shown in FIG. 15B, it is preferable that the shift distance d of the detection unit 40s increases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery. When a load is applied to the position Xc at the peripheral edge of the input operation surface of the input device 100, the load position is Xc, but the deformation peak is the Xp position, and the detection unit 40s N + 2 at the Xp position is the maximum. A signal is output, and the load calculation is also performed at the position of the detection unit 40s N + 2 . However, since the position of the detection unit 40s N + 2 is set as the position of Xc in the control unit 71, the control unit 71 outputs Xc as the detection position.

［１．５ 効果］
第１の実施形態では、検出領域１４Ｒａに含まれる複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側にある検出部４０ｓは、等間隔の２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設けられている。また、制御部７１における各検出部４０ｓの設定位置を、等間隔の２次元配列の基準位置に設定している。これにより、荷重位置と変形ピークとの位置ずれを抑制することができる。したがって、入力装置１００の検出精度を向上することができる。[1.5 Effect]
In the first embodiment, among the plurality of detection units 40s included in the detection region 14Ra, at least the detection unit 40s on the peripheral side of the detection region 14Ra has a detection region 14Ra of the reference region of the two-dimensional array at equal intervals. It is provided at a position shifted toward the center. In addition, the setting position of each detection unit 40s in the control unit 71 is set to the reference position of an equally spaced two-dimensional array. Thereby, the position shift of a load position and a deformation | transformation peak can be suppressed. Therefore, the detection accuracy of the input device 100 can be improved.

操作部材３が、ガラス基板を含むディスプレイ（例えば有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイなど）３を有する場合に、位置ずれの抑制効果が顕著になる。すなわち、入力装置１００の検出精度の向上の度合いが大きい。   When the operation member 3 includes a display (for example, an organic EL display, a liquid crystal display, etc.) 3 including a glass substrate, the effect of suppressing misalignment becomes significant. That is, the degree of improvement in detection accuracy of the input device 100 is large.

［１．６ 変形例］
（変形例１）
上述の第１の実施形態では、電極層１４と導体層１６との間に支持層１５が設けられた例について説明したが（図１参照）、図１６Ａに示すように、支持層１５を省略して、電極層１４と導体層１６とが隣接するようにしてもよい。図１６Ａでは、構造体２１は、検出部４０ｓの中央に配置されているが、隣り合う検出部４０ｓの中間に配置されていても良い。[1.6 Modification]
(Modification 1)
In the first embodiment described above, the example in which the support layer 15 is provided between the electrode layer 14 and the conductor layer 16 has been described (see FIG. 1), but the support layer 15 is omitted as shown in FIG. 16A. The electrode layer 14 and the conductor layer 16 may be adjacent to each other. In FIG. 16A, the structure 21 is disposed in the center of the detection unit 40s, but may be disposed in the middle of the adjacent detection units 40s.

また、上述の第１の実施形態では、金属層１１と電極層１４との間に支持層１２が設けられた例について説明したが（図１参照）、図１６Ｂに示すように、支持層１２を省略して、金属層１１と電極層１４とが隣接するようにしてもよい。図１６Ｂでは、構造体５１は、隣り合う検出部４０ｓの中間に配置されているが、検出部４０ｓの中央に配置されていても良い。   In the first embodiment described above, the example in which the support layer 12 is provided between the metal layer 11 and the electrode layer 14 has been described (see FIG. 1). However, as shown in FIG. May be omitted, and the metal layer 11 and the electrode layer 14 may be adjacent to each other. In FIG. 16B, the structure 51 is arranged in the middle of the adjacent detection units 40s, but may be arranged in the center of the detection units 40s.

（変形例２）
上述の第１の実施形態では、検出部４０ｓおよびその近傍を１つの構造体２１により下方へと押して変位させる場合を例として説明したが、図１７、図１８に示すように、検出部４０ｓおよびその近傍を２つ以上の構造体２１により下方へと押して変位させるようにしてもよい。このように２つ以上の構造体２１により下方へと押すことで、構造体２１の配置に起因する操作部材３の局所的な変形を抑制し、座標計算の精度を改善できる。また、入力装置１００の加重感度を向上することができる。(Modification 2)
In the first embodiment described above, the case where the detection unit 40s and the vicinity thereof are displaced downward by one structure 21 has been described as an example. However, as illustrated in FIGS. The vicinity thereof may be displaced by being pushed downward by two or more structures 21. By pushing downward by two or more structures 21 as described above, local deformation of the operation member 3 due to the arrangement of the structures 21 can be suppressed, and the accuracy of coordinate calculation can be improved. In addition, the weighted sensitivity of the input device 100 can be improved.

図１７、図１８では、構造体２１は、仮想的なセンサ２０ｓｉの中心近傍に配置され、構造体５１は、仮想的な中点に配置されている例が記載されているが、構造体２１、５１の配置はこれに限定されるものではなく、例えば、構造体５１が、仮想的なセンサ２０ｓｉの中心近傍に配置され、構造体２１が、仮想的な中点に配置されていてもよい。   In FIG. 17 and FIG. 18, the structure 21 is arranged in the vicinity of the center of the virtual sensor 20si and the structure 51 is arranged at a virtual midpoint. , 51 is not limited to this. For example, the structure 51 may be disposed near the center of the virtual sensor 20si, and the structure 21 may be disposed at a virtual midpoint. .

（変形例３）
第１の実施形態における構造体２１、５１の互いの層間の配置位置（金属層１１と電極層１４との間の配置位置、および導体層１６と電極層１４との間の配置位置）を入れ替えてもよい。以下に、このような入れ替えをした構成を有する入力装置１００について説明をする。(Modification 3)
The arrangement positions between the layers of the structures 21 and 51 in the first embodiment (the arrangement position between the metal layer 11 and the electrode layer 14 and the arrangement position between the conductor layer 16 and the electrode layer 14) are switched. May be. Hereinafter, the input device 100 having such a switched configuration will be described.

図１９に示すように、入力装置１００は、金属層１１と電極層１４との間に構造体２１ｆを備えると共に、導体層１６と電極層１４との間に構造体５１ｆを備える。構造体２１ｆは、第１の実施形態における構造体５１を金属層１１と電極層１４との間に設けたものであり、それ以外の点（すなわち面内方向の配置位置、構成、材料および形成方法などの点）では、第１の実施形態における構造体５１と同様である。構造体５１ｆは、第１の実施形態における構造体２１を導体層１６と電極層１４との間に設けたものであり、それ以外の点（すなわち面内方向の配置位置、構成、材料および形成方法などの点）では、第１の実施形態における構造体２１と同様である。   As illustrated in FIG. 19, the input device 100 includes a structure 21 f between the metal layer 11 and the electrode layer 14, and includes a structure 51 f between the conductor layer 16 and the electrode layer 14. The structure 21f is obtained by providing the structure 51 in the first embodiment between the metal layer 11 and the electrode layer 14, and other points (that is, the arrangement position, configuration, material, and formation in the in-plane direction) The method and the like are the same as those of the structure 51 in the first embodiment. The structure 51f is obtained by providing the structure 21 in the first embodiment between the conductor layer 16 and the electrode layer 14, and other points (that is, the arrangement position, configuration, material, and formation in the in-plane direction) The method and the like are the same as the structure 21 in the first embodiment.

（変形例４）
上述の第１の実施形態では、Ｘ電極４１ｂが複数の単位電極体４１ｍおよび連結部４１ｎを備えると共に、Ｙ電極４２ｂが複数の単位電極体４２ｍおよび連結部４２ｎを備える構成を例として説明したが（図５参照）、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの構成はこの例に限定されるものではない。(Modification 4)
In the first embodiment described above, the X electrode 41b is provided with a plurality of unit electrode bodies 41m and connecting portions 41n, and the Y electrode 42b is described as an example having a plurality of unit electrode bodies 42m and connecting portions 42n. (See FIG. 5) The configuration of the X and Y electrodes 41b and 42b is not limited to this example.

例えば、図２０Ａに示すように、Ｘ電極４１ｂとして、Ｘ軸方向に延在された、ほぼ一定の幅を有する細長い矩形状電極を用い、Ｙ電極４２ｂとして、Ｙ軸方向に延在された、ほぼ一定の幅を有する細長い矩形状電極を用いるようにしてもよい。つまり、複数のＸ電極４１ｂは、全体として、Ｘ軸方向に延在されたストライプ状の形状を有し、複数のＹ電極４２ｂは、全体として、Ｙ軸方向に延在されたストライプ状の形状を有してもよい。   For example, as shown in FIG. 20A, an elongated rectangular electrode having a substantially constant width is used as the X electrode 41b, and the Y electrode 42b is extended in the Y axis direction. An elongated rectangular electrode having a substantially constant width may be used. That is, the plurality of X electrodes 41b as a whole have a stripe shape extending in the X-axis direction, and the plurality of Y electrodes 42b as a whole extend in the Y-axis direction. You may have.

ストライプ状に配列された複数のＸ電極４１ｂのうち、両端およびその近傍に配列された複数のＸ電極４１ｂの中央部は、検出領域１４Ｒａの中心に向かって湾曲した形状を有している。その湾曲の度合いは、検出領域１４Ｒａの中心から遠いＸ電極４１ｂほど大きくなっている。一方、ストライプ状に配列された複数のＹ電極４２ｂのうち、両端およびその近傍に配列された複数のＹ電極４２ｂの中央部は、検出領域１４Ｒａの中心に向かって湾曲した形状を有している。その湾曲の度合いは、検出領域１４Ｒａの中心から遠いＹ電極４２ｂほど大きくなっている。   Among the plurality of X electrodes 41b arranged in a stripe shape, the center part of the plurality of X electrodes 41b arranged at both ends and in the vicinity thereof has a shape curved toward the center of the detection region 14Ra. The degree of curvature increases as the X electrode 41b is farther from the center of the detection region 14Ra. On the other hand, among the plurality of Y electrodes 42b arranged in a stripe shape, the center part of the plurality of Y electrodes 42b arranged at both ends and in the vicinity thereof has a shape curved toward the center of the detection region 14Ra. . The degree of the curvature increases as the Y electrode 42b is farther from the center of the detection region 14Ra.

ストライプ状に配列された複数のＸ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの交差領域に複数の検出部４０ｓが構成されている。このように構成される複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側にある検出部４０ｓは、上述の第１の実施形態と同様に、等間隔の２次元配列の基準位置よりも中心に向けてシフトした位置に設けられている。ストライプ状に配列された複数のＸ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂが湾曲せずに直線状に等間隔で配列されている状態を仮想すると、その仮想状態のＸ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの公差領域には、仮想的な検出部４０ｓｉが構成されていると考えることができる。したがって、本変形例４においても、上述の第１の実施形態と同様に「２次元配列の基準位置」を定義することが可能である。   A plurality of detection units 40s are formed in the intersecting region of the plurality of X and Y electrodes 41b and 42b arranged in a stripe shape. Among the plurality of detection units 40s configured as described above, at least the detection unit 40s on the peripheral side of the detection region 14Ra is more than the reference position of the two-dimensional array at equal intervals, as in the first embodiment described above. It is provided at a position shifted toward the center. If a state in which a plurality of X and Y electrodes 41b and 42b arranged in a stripe shape are arranged in a straight line at an equal interval without being curved is assumed, the tolerance region of the X and Y electrodes 41b and 42b in the virtual state is displayed. It can be considered that a virtual detection unit 40si is configured. Therefore, also in the fourth modification, it is possible to define “a reference position of a two-dimensional array” as in the first embodiment described above.

Ｘ電極４１ｂとして矩形状電極を採用する場合、その矩形状電極は、図２０Ｂに示すように、複数のサブ電極（第１の電極要素）４１ｗの群からなる電極群により構成されていることが好ましい。同様に、Ｙ電極４２ｂとして矩形状電極を採用する場合、その矩形状電極は、図２０Ｂに示すように、複数のサブ電極（第２の電極要素）４２ｗの群からなる電極群により構成されていることが好ましい。押圧などの入力操作前後における静電容量の差を増大し、操作感度を向上することができるからである。サブ電極４１ｗは、例えばＸ軸方向に延在された線状の導電部材である。サブ電極４２ｗは、例えばＹ軸方向に延在された線状の導電部材である。   When a rectangular electrode is employed as the X electrode 41b, the rectangular electrode may be composed of an electrode group including a group of a plurality of sub-electrodes (first electrode elements) 41w as shown in FIG. 20B. preferable. Similarly, when a rectangular electrode is adopted as the Y electrode 42b, the rectangular electrode is constituted by an electrode group consisting of a group of a plurality of sub-electrodes (second electrode elements) 42w as shown in FIG. 20B. Preferably it is. This is because the difference in capacitance before and after the input operation such as pressing can be increased, and the operation sensitivity can be improved. The sub electrode 41w is a linear conductive member extending in the X-axis direction, for example. The sub electrode 42w is, for example, a linear conductive member that extends in the Y-axis direction.

なお、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂのうち一方を上述の第１の実施形態における電極構成とし、他方を本変形例４における電極構成としてもよい。   One of the X electrode 41b and the Y electrode 42b may have the electrode configuration in the first embodiment, and the other may have the electrode configuration in the fourth modification.

（変形例５）
上述の第１の実施形態では、検出部４０ｓを２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設ける構成を例として説明したが、図２１に示すように、検出部４０ｓとともに構造体２１、５１も検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設ける構成を採用するようにしてもよい。(Modification 5)
In the first embodiment described above, a configuration in which the detection unit 40s is provided at a position shifted from the reference position of the two-dimensional array toward the center of the detection region 14Ra has been described as an example. However, as illustrated in FIG. A structure may be employed in which the structures 21 and 51 are provided at a position shifted toward the center of the detection region 14Ra together with the portion 40s.

複数の構造体２１のうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側にある複数の構造体２１は、構造体２１の配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設けられている。複数の構造体５１のうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側にある複数の構造体５１は、構造体５１の配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設けられている。   Among the plurality of structures 21, at least the plurality of structures 21 on the peripheral side of the detection region 14Ra are provided at positions shifted toward the center of the detection region 14Ra from the reference position of the arrangement of the structures 21. . Among the plurality of structures 51, at least the plurality of structures 51 on the peripheral side of the detection region 14Ra are provided at positions shifted toward the center of the detection region 14Ra from the reference position of the arrangement of the structures 51. .

構造体２１、５１の配列の基準位置は、第１の実施形態における構造体２１、５１の配列位置である。具体的には、構造体２１、５１の配列の基準位置は、センサ１の中心またはその近傍における構造体２１、５１の配列パターンが、センサ１の周縁側まで続いていると仮想したときの構造体２１、５１の配置位置（すなわち仮想的な構造体２１、５１の配置位置）である。センサ１の中心またはその近傍では、現実の構造体２１、５１の配置位置がシフトしていないため、現実の構造体２１、５１と仮想的な構造体２１、５１との配置位置が同一となる。一方、センサ１の周縁側またはその近傍では、現実の構造体２１、５１の配置位置がシフトしているため、現実の構造体２１、５１と仮想的な構造体２１、５１との配置位置に差が生じる。   The reference position of the arrangement of the structures 21 and 51 is the arrangement position of the structures 21 and 51 in the first embodiment. Specifically, the reference position of the arrangement of the structures 21 and 51 is a structure when it is assumed that the arrangement pattern of the structures 21 and 51 at or near the center of the sensor 1 continues to the peripheral side of the sensor 1. This is an arrangement position of the bodies 21 and 51 (that is, an arrangement position of the virtual structures 21 and 51). Since the arrangement positions of the actual structures 21 and 51 are not shifted at or near the center of the sensor 1, the arrangement positions of the actual structures 21 and 51 and the virtual structures 21 and 51 are the same. . On the other hand, since the arrangement positions of the actual structures 21 and 51 are shifted on the peripheral side of the sensor 1 or in the vicinity thereof, the arrangement positions of the actual structures 21 and 51 and the virtual structures 21 and 51 are the same. There is a difference.

Ｚ軸方向から構造体２１、５１を見ると、構造体２１、５１の配置は、例えば以下の直線Ｍｘ、Ｍｙと線対称な関係にある。
直線Ｍｘ：検出部４０ｓの中心を通り、かつ、Ｘ軸と平行な直線
直線Ｍｙ：検出部４０ｓｉの中心を通り、かつ、Ｙ軸と平行な直線
但し、検出領域１４Ｒａの周縁およびその近傍に配置される構造体２１、５１は、直線Ｍｘ、Ｍｙに対して非対称であってもよい。また、上述の構造体２１、５１の配列を、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂの湾曲に応じて歪ませるようにしてもよい。When the structures 21 and 51 are viewed from the Z-axis direction, the arrangement of the structures 21 and 51 is, for example, in a line-symmetric relationship with the following straight lines Mx and My.
Straight line Mx: a straight line passing through the center of the detection unit 40s and parallel to the X axis Straight line My: a straight line passing through the center of the detection unit 40si and parallel to the Y axis However, it is arranged at the periphery of the detection region 14Ra and in the vicinity thereof The structures 21 and 51 to be formed may be asymmetric with respect to the straight lines Mx and My. Further, the arrangement of the structures 21 and 51 described above may be distorted according to the curvature of the X electrode 41b and the Y electrode 42b.

構造体２１は、例えば、シフトした検出部４０ｓの中心位置にシフトされる。この場合、検出領域１４Ｒａの全体で、構造体２１の配置位置と検出部４０ｓの中心とがほぼ一致している。   The structure 21 is shifted to the center position of the shifted detection unit 40s, for example. In this case, in the entire detection region 14Ra, the arrangement position of the structure 21 and the center of the detection unit 40s are substantially matched.

また、上述の変形例１においても、図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、構造体２１、５１を検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設ける構成を採用するようにしてもよい。   Also in the first modification described above, as shown in FIGS. 22A and 22B, a configuration in which the structures 21 and 51 are shifted to the center of the detection region 14Ra may be employed.

さらに、上述の変形例２においても、図２３に示すように、構造体２１、５１を検出領域１４Ｒａの中心に向けてシフトした位置に設ける構成を採用するようにしてもよい。   Furthermore, in the above-described second modification, as shown in FIG. 23, a structure in which the structures 21 and 51 are provided at positions shifted toward the center of the detection region 14Ra may be employed.

＜２．第２の実施形態＞
［２．１ 入力装置の構成］
図２４Ａは、本技術の第２の実施形態に係る入力装置の構成の一例を示す断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａの一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態は、電極層１４が電極素子４３Ａを含む点において、第１の実施形態とは異なっている。電極素子４３Ａは、基材４１ａと、この基材４１ａの同一の主面に設けられた複数のＸ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂとを備えている。<2. Second Embodiment>
[2.1 Input device configuration]
FIG. 24A is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device according to the second embodiment of the present technology. 24B is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of FIG. 24A. The second embodiment is different from the first embodiment in that the electrode layer 14 includes the electrode element 43A. The electrode element 43A includes a base material 41a and a plurality of X electrodes 41b and Y electrodes 42b provided on the same main surface of the base material 41a.

ここで、図２５Ａ、図２５Ｂを参照して、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂの構成の一例について説明する。図２５Ａに示すように、Ｘ電極４１ｂは、電極線部４１ｐと、複数の単位電極体４１ｍと、複数の接続部４１ｚとを備える。電極線部４１ｐは、Ｘ軸方向に延在されている。複数の単位電極体４１ｍは、Ｘ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部４１ｐと単位電極体４１ｍとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部４１ｚにより接続されている。なお、接続部４１ｚを省略して、電極線部４１ｐ上に単位電極体４１ｍが直接設けられた構成を採用するようにしてもよい。   Here, an example of the configuration of the X electrode 41b and the Y electrode 42b will be described with reference to FIGS. 25A and 25B. As shown in FIG. 25A, the X electrode 41b includes an electrode line portion 41p, a plurality of unit electrode bodies 41m, and a plurality of connection portions 41z. The electrode wire portion 41p extends in the X-axis direction. The plurality of unit electrode bodies 41m are arranged at regular intervals in the X-axis direction. The electrode wire portion 41p and the unit electrode body 41m are arranged with a predetermined distance therebetween, and the two are connected by a connecting portion 41z. Note that a configuration in which the unit electrode body 41m is directly provided on the electrode line portion 41p may be employed by omitting the connection portion 41z.

単位電極体４１ｍは、全体として櫛歯状を有している。具体的には、単位電極体４１ｍは、複数のサブ電極４１ｗと、結合部４１ｙとを備える。複数のサブ電極４１ｗは、Ｙ軸方向に延在されている。隣り合うサブ電極４１ｗの間は、所定の間隔離されている。複数のサブ電極４１ｗの一端は、Ｘ軸方向に延在された結合部４１ｙに接続されている。   The unit electrode body 41m has a comb-like shape as a whole. Specifically, the unit electrode body 41m includes a plurality of sub-electrodes 41w and a coupling portion 41y. The plurality of sub-electrodes 41w extend in the Y-axis direction. Adjacent sub-electrodes 41w are separated by a predetermined distance. One end of the plurality of sub-electrodes 41w is connected to a coupling portion 41y that extends in the X-axis direction.

図２５Ｂに示すように、Ｙ電極４２ｂは、電極線部４２ｐと、複数の単位電極体４２ｍと、複数の接続部４２ｚとを備える。電極線部４２ｐは、Ｙ軸方向に延在されている。複数の単位電極体４２ｍは、Ｙ軸方向に一定の間隔で配置されている。電極線部４２ｐと単位電極体４２ｍとは所定間隔離して配置されており、両者の間は接続部４２ｚにより接続されている。   As shown in FIG. 25B, the Y electrode 42b includes an electrode line portion 42p, a plurality of unit electrode bodies 42m, and a plurality of connection portions 42z. The electrode line portion 42p extends in the Y-axis direction. The plurality of unit electrode bodies 42m are arranged at regular intervals in the Y-axis direction. The electrode wire portion 42p and the unit electrode body 42m are arranged with a predetermined distance therebetween, and the two are connected by a connecting portion 42z.

単位電極体４２ｍは、全体として櫛歯状を有している。具体的には、単位電極体４２ｍは、複数のサブ電極４２ｗと、結合部４２ｙとを備える。複数のサブ電極４２ｗは、Ｙ軸方向に延在されている。隣り合うサブ電極４２ｗの間は、所定の間隔離されている。複数のサブ電極４２ｗの一端は、Ｘ軸方向に延在された結合部４２ｙに接続されている。   The unit electrode body 42m has a comb-like shape as a whole. Specifically, the unit electrode body 42m includes a plurality of sub-electrodes 42w and a coupling portion 42y. The plurality of sub-electrodes 42w extend in the Y-axis direction. The adjacent sub-electrodes 42w are separated for a predetermined period. One end of the plurality of sub-electrodes 42w is connected to a coupling portion 42y extending in the X-axis direction.

図２６Ａに示すように、単位電極体４１ｍの複数のサブ電極４１ｗと、単位電極体４２ｍの複数のサブ電極４２ｗとは、Ｘ軸方向に向かって交互に配列されている。サブ電極４１ｗ、４２ｗの間は、所定の間隔離されている。   As shown in FIG. 26A, the plurality of sub-electrodes 41w of the unit electrode body 41m and the plurality of sub-electrodes 42w of the unit electrode body 42m are alternately arranged in the X-axis direction. The sub-electrodes 41w and 42w are separated from each other for a predetermined period.

図２６Ｂに示すように、Ｘ電極４１ｂの電極線部４１ｐ上には絶縁層４２ｒが設けられている。そして、この絶縁層４２ｒを跨ぐようにしてジャンパ配線４２ｑが設けられている。このジャンパ配線４２ｑにより電極線部４２ｐが連結されている。   As shown in FIG. 26B, an insulating layer 42r is provided on the electrode line portion 41p of the X electrode 41b. A jumper wiring 42q is provided so as to straddle the insulating layer 42r. The electrode wire portion 42p is connected by the jumper wiring 42q.

［２．２ 変形例］
（変形例）
上述の第２の実施形態では、電極層１４と導体層１６との間に支持層１５が設けられた例について説明したが（図２４Ａ、図２４Ｂ参照）、図２７Ａに示すように、支持層１５を省略して、電極層１４と導体層１６とが隣接するようにしてもよい。図２７Ａでは、構造体２１は、検出部４０ｓの中央に配置されているが、隣り合う検出部４０ｓの中間に配置されていても良い。[2.2 Modification]
(Modification)
In the second embodiment described above, the example in which the support layer 15 is provided between the electrode layer 14 and the conductor layer 16 has been described (see FIGS. 24A and 24B), but as shown in FIG. 15 may be omitted, and the electrode layer 14 and the conductor layer 16 may be adjacent to each other. In FIG. 27A, the structure 21 is disposed in the center of the detection unit 40s, but may be disposed in the middle of the adjacent detection units 40s.

また、上述の第２の実施形態では、金属層１１と電極層１４との間に支持層１２が設けられた例について説明したが（図２４Ａ、図２４Ｂ参照）、図２７Ｂに示すように、支持層１２を省略して、金属層１１と電極層１４とが隣接するようにしてもよい。図２７Ｂでは、構造体５１は、隣り合う検出部４０ｓの中間に配置されているが、検出部４０ｓの中央に配置されていても良い。   In the above-described second embodiment, the example in which the support layer 12 is provided between the metal layer 11 and the electrode layer 14 has been described (see FIGS. 24A and 24B). As illustrated in FIG. 27B, The support layer 12 may be omitted, and the metal layer 11 and the electrode layer 14 may be adjacent to each other. In FIG. 27B, the structure 51 is disposed in the middle of the adjacent detection units 40s, but may be disposed in the center of the detection unit 40s.

＜３．第３の実施形態＞
［３．１ 入力装置の構成］
本技術の第３の実施形態に係る入力装置１００では、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂのうちの一方の単位電極体がサブ電極により構成されるのに対して、他方の単位電極体が平板状の電極により構成される。第３の実施形態は、これ以外の点においては第１の実施形態と同様である。<3. Third Embodiment>
[3.1 Configuration of input device]
In the input device 100 according to the third embodiment of the present technology, one unit electrode body of the X electrode 41b and the Y electrode 42b is configured by a sub electrode, whereas the other unit electrode body is a flat plate shape. It is comprised by the electrode of. The third embodiment is the same as the first embodiment in other points.

（第１の構成例）
図２８Ａに示すように、Ｘ電極４１ｂの単位電極体４１ｍは、平板状の電極により構成されている。一方、図２８Ｂに示すように、Ｙ電極４２ｂの単位電極体４２ｍは、複数のサブ電極４２ｗにより構成されている。(First configuration example)
As shown in FIG. 28A, the unit electrode body 41m of the X electrode 41b is composed of a flat electrode. On the other hand, as shown in FIG. 28B, the unit electrode body 42m of the Y electrode 42b is composed of a plurality of sub-electrodes 42w.

Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂの構成として第１の構成例を採用する場合、図３０Ａに示すように、支持層１５を介してＸ電極４１ｂと対向する導体層１６（図１参照）を省略する、もしくは導体層１６に代えて、高分子樹脂層１６ａを採用するようにしてもよい。このように導体層１６を省略することができるのは、Ｘ電極４１ｂに含まれる平板状の電極（単位電極体４１ｍ）が外部ノイズ（外部電場）のシールド効果を有するためである。また逆に、導体層１６と複合して使用することで、強固なシールド効果を与えることもでき、外部ノイズに対して安定な検出部４０ｓとすることもできる。   When the first configuration example is adopted as the configuration of the X electrode 41b and the Y electrode 42b, the conductor layer 16 (see FIG. 1) facing the X electrode 41b via the support layer 15 is omitted as shown in FIG. 30A. Alternatively, instead of the conductor layer 16, a polymer resin layer 16a may be adopted. The reason why the conductor layer 16 can be omitted in this manner is that the flat electrode (unit electrode body 41m) included in the X electrode 41b has a shielding effect against external noise (external electric field). On the contrary, by using it in combination with the conductor layer 16, it is possible to provide a strong shielding effect and to make the detection unit 40s stable against external noise.

（第２の構成例）
図２９Ａに示すように、Ｘ電極４１ｂの単位電極体４１ｍは複数のサブ電極４１ｗにより構成されている。一方、図２９Ｂに示すように、Ｙ電極４２ｂの単位電極体４２ｍは平板状の電極により構成されている。(Second configuration example)
As shown in FIG. 29A, the unit electrode body 41m of the X electrode 41b is composed of a plurality of sub-electrodes 41w. On the other hand, as shown in FIG. 29B, the unit electrode body 42m of the Y electrode 42b is constituted by a flat electrode.

Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂの構成として第２の構成例を採用する場合、図３０Ｂに示すように、支持層１２を介してＹ電極４２ｂと対向する金属層１１（図１参照）を省略するようにしてもよい。このように金属層１１を省略することができるのは、Ｙ電極４２ｂに含まれる平板状の電極（単位電極体４２ｍ）が外部ノイズ（外部電場）のシールド効果を有するためである。また逆に、金属層１１と複合して使用することで、強固なシールド効果を与えることもでき、外部ノイズに対して安定な検出部４０ｓとすることもできる。   When the second configuration example is adopted as the configuration of the X electrode 41b and the Y electrode 42b, the metal layer 11 (see FIG. 1) facing the Y electrode 42b via the support layer 12 is omitted as shown in FIG. 30B. You may do it. The reason why the metal layer 11 can be omitted in this manner is that the flat electrode (unit electrode body 42m) included in the Y electrode 42b has a shielding effect against external noise (external electric field). On the contrary, by using it in combination with the metal layer 11, it is possible to provide a strong shielding effect, and it is possible to provide a detection unit 40s that is stable against external noise.

なお、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの構成はこれに限定されるものではなく、Ｘ電極４１ｂの単位電極体４１ｍ、およびＹ電極４２ｂの単位電極体４２ｍの両方を平板状の電極により構成するようにしてもよい。   The configuration of the X and Y electrodes 41b and 42b is not limited to this, and both the unit electrode body 41m of the X electrode 41b and the unit electrode body 42m of the Y electrode 42b are configured by flat electrodes. It may be.

［３．２ 変形例］
（変形例１）
上述の第１の構成例では、電極層１４と導体層１６との間に支持層１５が設けられた例について説明したが（図３０Ａ参照）、図３１Ａに示すように、支持層１５を省略して、電極層１４と導体層１６とが隣接するようにしてもよい。[3.2 Modification]
(Modification 1)
In the first configuration example described above, the example in which the support layer 15 is provided between the electrode layer 14 and the conductor layer 16 has been described (see FIG. 30A), but the support layer 15 is omitted as shown in FIG. 31A. The electrode layer 14 and the conductor layer 16 may be adjacent to each other.

また、上述の第２の構成例では、ディスプレイ２と電極層１４との間に支持層１２が設けられた例について説明したが（図３０Ｂ参照）、図３１Ｂに示すように、支持層１２を省略して、ディスプレイ２と電極層１４とが隣接するようにしてもよい。   In the second configuration example described above, the example in which the support layer 12 is provided between the display 2 and the electrode layer 14 has been described (see FIG. 30B). However, as shown in FIG. It may be omitted and the display 2 and the electrode layer 14 may be adjacent to each other.

（変形例２）
上述の第１の実施形態の変形例４において、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂのうちの一方が複数のサブ電極により構成されるのに対して、他方が１つの平板状の電極により構成されるようにしてもよい。(Modification 2)
In the fourth modification of the first embodiment described above, one of the X electrode 41b and the Y electrode 42b is configured by a plurality of sub-electrodes, whereas the other is configured by one flat electrode. You may do it.

（第１の構成例）
図３２Ａに示すように、Ｘ電極４１ｂは平板状の電極により構成されているのに対して、Ｙ電極４２ｂは、複数のサブ電極４２ｗにより構成されている。Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの構成としてこのような構成を採用する場合、第３の実施形態の第１の構成例と同様に、支持層１５を介してＸ電極４１ｂと対向する導体層１６（図１参照）を省略する、もしくは導体層１６に代えて、高分子樹脂層１６ａを採用するようにしてもよい。(First configuration example)
As shown in FIG. 32A, the X electrode 41b is composed of a flat electrode, whereas the Y electrode 42b is composed of a plurality of sub-electrodes 42w. When such a configuration is adopted as the configuration of the X and Y electrodes 41b and 42b, the conductor layer 16 (facing the X electrode 41b via the support layer 15) is provided as in the first configuration example of the third embodiment. 1) may be omitted, or the polymer resin layer 16a may be employed instead of the conductor layer 16.

（第２の構成例）
図３２Ｂに示すように、Ｘ電極４１ｂは複数のサブ電極４１ｗにより構成されているのに対して、Ｙ電極４２ｂは１つの平板状の電極により構成されている。Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの構成としてこのような構成を採用する場合、第３の実施形態の第２の構成例と同様に、支持層１２を介してＹ電極４２ｂと対向する金属層１１（図１参照）を省略するようにしてもよい。(Second configuration example)
As shown in FIG. 32B, the X electrode 41b is composed of a plurality of sub-electrodes 41w, whereas the Y electrode 42b is composed of one flat electrode. When such a configuration is adopted as the configuration of the X and Y electrodes 41b and 42b, the metal layer 11 (which faces the Y electrode 42b via the support layer 12) (as in the second configuration example of the third embodiment). (See FIG. 1) may be omitted.

なお、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂの構成はこれに限定されるものではなく、Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂの両方を平板状の１つの電極により構成するようにしてもよい。   Note that the configuration of the X and Y electrodes 41b and 42b is not limited to this, and both the X electrode 41b and the Y electrode 42b may be configured by one flat electrode.

＜４．第４の実施形態＞
［４．１ 入力装置の構成］
図３３に示すように、本技術の第４の実施形態では、検出部４０ｓの面積が、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって大きくなる。ここで、「検出部４０ｓの面積」とは、Ｚ軸方向から電極層１４を見たときの検出部４０ｓの面積を意味する。このような構成を採用することで、周縁に近づくに従って静電容量の変化量が減少することを抑制できる。すなわち、周縁に近づくに従って検出感度が低下することを抑制できる。例えば、検出領域１４Ｒａの周縁にある検出部４０ｓの変形量が、同じ加重で検出領域１４Ｒａの中心にある検出部４０ｓの変形量の１／２である場合、周縁にある検出部４０ｓの静電容量の変化量を２倍にすることが好ましい。第４の実施形態は、これ以外の点においては第１の実施形態と同様である。<4. Fourth Embodiment>
[4.1 Configuration of input device]
As shown in FIG. 33, in the fourth embodiment of the present technology, the area of the detection unit 40s increases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery. Here, the “area of the detection unit 40 s” means the area of the detection unit 40 s when the electrode layer 14 is viewed from the Z-axis direction. By adopting such a configuration, it is possible to suppress a decrease in the amount of change in capacitance as it approaches the periphery. That is, it can suppress that a detection sensitivity falls as it approaches a periphery. For example, when the deformation amount of the detection unit 40s at the periphery of the detection region 14Ra is ½ of the deformation amount of the detection unit 40s at the center of the detection region 14Ra with the same weight, the electrostatic capacitance of the detection unit 40s at the periphery. It is preferable to double the amount of change in capacity. The fourth embodiment is the same as the first embodiment in other points.

［４．２ 変形例］
周縁に近づくに従って静電容量の変化量が減少することを抑制するための構成は、上述の例に限定されるものではなく、以下の（ａ）から（ｄ）の構成のうちの１つ以上を採用するようにしてもよい。
（ａ）検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、検出部の面積が大きくなる。
（ｂ）Ｘ電極４１ｂおよびＹ電極４２ｂがそれぞれ、複数のサブ電極４１ｃ、４２ｃを含んでいる場合、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、サブ電極４１ｃ、４２ｃのピッチが小さくなる。
（ｃ）検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、構造体２１、５１の少なくとも一方の高さが低くなる。
（ｄ）検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、検出部４０ｓの誘電率を変化させる。
例えば、第１の実施の形態の場合は、Ｙ電極４２ｂと金属層１１の間の部材（例えば支持層１２など）、または、Ｘ電極４１ｂと導体層１６の間の部材の誘電率を、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって高くするとよい。また、Ｘ電極４１ｂとＹ電極４２ｂの間の部材の誘電率を、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって低くするとよい。
第２の実施の形態の場合は、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂと金属層１１の間の部材、または、Ｘ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂと導体層１６の間の部材の誘電率を、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって低くするとよい。[4.2 Modification]
The configuration for suppressing the decrease in the amount of change in capacitance as it approaches the periphery is not limited to the above example, but one or more of the following configurations (a) to (d): May be adopted.
(A) The area of the detection unit increases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery.
(B) When the X electrode 41b and the Y electrode 42b each include a plurality of sub-electrodes 41c and 42c, the pitch of the sub-electrodes 41c and 42c decreases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery.
(C) The height of at least one of the structures 21 and 51 decreases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery.
(D) The dielectric constant of the detection unit 40s is changed from the center of the detection region 14Ra toward the periphery.
For example, in the case of the first embodiment, the dielectric constant of the member between the Y electrode 42b and the metal layer 11 (for example, the support layer 12) or the member between the X electrode 41b and the conductor layer 16 is detected. It is good to make it high toward the peripheral direction from the center of area | region 14Ra. Further, the dielectric constant of the member between the X electrode 41b and the Y electrode 42b may be lowered from the center of the detection region 14Ra toward the periphery.
In the case of the second embodiment, the dielectric constant of the member between the X and Y electrodes 41b and 42b and the metal layer 11 or the member between the X and Y electrodes 41b and 42b and the conductor layer 16 is determined as the detection region. It is good to make it low from the center of 14Ra toward the periphery.

＜５ 第５の実施形態＞
図３４は、本技術の第５の実施形態に係る入力装置１００Ａの構成の一例を示す断面図である。図３５は、図３４に示した入力装置１００Ａの電極層１４Ａの構成の一例を示す平面図である。第５の実施形態に係る入力装置１００Ａは、４つの検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4を有する電極層１４Ａを備える点において、第１の実施形態に係る入力装置１００とは異なっている。ここでは、入力装置１００Ａが４つの検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4を備える場合を例として説明するが、検出領域の数はこれに限定されるものではなく、４以外の複数とすることも可能である。複数の検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4それぞれの周囲には、枠体配置領域１４Ｒｂが設けられている。この枠体配置領域１４Ｒｂに枠体２２、５２が設けられる。<5 Fifth Embodiment>
FIG. 34 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device 100A according to the fifth embodiment of the present technology. FIG. 35 is a plan view showing an example of the configuration of the electrode layer 14A of the input device 100A shown in FIG. The input device 100A according to the fifth embodiment is different from the input device 100 according to the first embodiment in that it includes an electrode layer 14A having four detection regions 14Ra 1 to 14Ra 4 . Here, a case where the input device 100A includes four detection regions 14Ra 1 to 14Ra 4 will be described as an example. However, the number of detection regions is not limited to this, and a plurality other than four may be possible. is there. A frame arrangement region 14Rb is provided around each of the plurality of detection regions 14Ra 1 to 14Ra 4 . Frame bodies 22 and 52 are provided in the frame body arrangement region 14Rb.

検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4の構成は、上述の第１の実施形態における検出領域１４Ｒａと同様である。したがって、検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4に含まれる複数の検出部４０ｓの配列は、上述の第１の実施形態における検出領域１４Ｒａにおける複数の検出部４０ｓの配列と同様である。つまり、複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4の周縁側（外周側）にある検出部４０ｓはそれぞれ、等間隔の２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａ1〜１４Ｒａ4の中心に向けてシフトした位置に設けられている。The configuration of the detection regions 14Ra 1 to 14Ra 4 is the same as that of the detection region 14Ra in the first embodiment described above. Therefore, the arrangement of the plurality of detection units 40s included in the detection regions 14Ra 1 to 14Ra 4 is the same as the arrangement of the plurality of detection units 40s in the detection region 14Ra in the first embodiment described above. That is, among the plurality of detection units 40 s, at least the detection units 40 s on the peripheral side (outer peripheral side) of the detection regions 14 Ra 1 to 14 Ra 4 are detected regions 14 Ra 1 to 14 Ra than the reference positions of the equally spaced two-dimensional array. It is provided at a position shifted toward the center of 4 .

＜６．第６の実施形態＞
図３６Ａは、本技術の第６の実施形態に係る入力装置１００Ｂの外観の一例を示す斜視図である。第６の実施形態に係る入力装置１００Ｂは、全体として円筒形状を有している。したがって、入力操作面である第１の面２ｍは、円筒面状を有している。<6. Sixth Embodiment>
FIG. 36A is a perspective view illustrating an example of an appearance of an input device 100B according to the sixth embodiment of the present technology. The input device 100B according to the sixth embodiment has a cylindrical shape as a whole. Therefore, the first surface 2m that is the input operation surface has a cylindrical surface shape.

図３６Ｂは、図３６Ａに示した入力装置１００Ｂの電極層１４Ｂの構成の一例を示す斜視図である。電極層１４Ｂは、入力装置１００Ｂと同様に円筒形状を有している。電極層１４Ｂは、円筒状の検出領域１４Ｒａと、この検出領域１４ａの幅方向の両端に設けられた円環状の枠体配置領域１４Ｒｂ1、１４Ｒｂ2とを有する。枠体配置領域１４Ｒｂ1、１４Ｒｂ2の外周面側の面には枠体２２が設けられ、枠体配置領域１４Ｒｂ1、１４Ｒｂ2の内周面側の面には枠体５２が設けられる。36B is a perspective view illustrating an example of the configuration of the electrode layer 14B of the input device 100B illustrated in FIG. 36A. The electrode layer 14B has a cylindrical shape like the input device 100B. The electrode layer 14B has a cylindrical detection region 14Ra, and annular frame arrangement regions 14Rb 1 and 14Rb 2 provided at both ends of the detection region 14a in the width direction. Frame 22 is provided on the surface of the outer peripheral surface of the frame arrangement region 14Rb 1, 14Rb 2, the frame 52 is provided on the surface of the inner peripheral surface side of the frame arrangement region 14Rb 1, 14Rb 2.

電極層１４Ｂは、円筒状の検出領域１４Ｒａの面内方向に２次元配列された複数の検出部４０ｓを含んでいる。また、仮想的な検出部４０ｓｉも、現実の検出部４０ｓと同様に、円筒状の検出領域１４Ｒａの面内方向に２次元配列されている。なお、図３６Ｂでは、複数の検出部４０ｓが、円筒状の電極層１４Ｂの周方向および軸方向（高さ方向）に２次元配列されている例が示されている。また、仮想的な検出部４０ｓｉも、現実の検出部４０ｓと同様に、円筒状の電極層１４Ｂの周方向および軸方向（高さ方向）に２次元配列されている例が示されている。   The electrode layer 14B includes a plurality of detection units 40s that are two-dimensionally arranged in the in-plane direction of the cylindrical detection region 14Ra. The virtual detection units 40si are also two-dimensionally arranged in the in-plane direction of the cylindrical detection region 14Ra, as in the actual detection unit 40s. FIG. 36B shows an example in which a plurality of detection units 40s are two-dimensionally arranged in the circumferential direction and the axial direction (height direction) of the cylindrical electrode layer 14B. Further, an example is also shown in which the virtual detection unit 40si is two-dimensionally arranged in the circumferential direction and the axial direction (height direction) of the cylindrical electrode layer 14B, similarly to the actual detection unit 40s.

複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側（外周側）にある検出部４０ｓは、等間隔の２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの周縁から内側の方向に向けてシフトした位置に設けられている。検出領域１４Ｒａの周縁から内側に向かう方向は、検出領域１４Ｒａの周縁から中心線１４Ｌに向かい、かつ、その中心線１４Ｌの延在方向とは直交する方向であることが好ましい。荷重位置と変形ピークとの位置ずれを抑制する観点からすると、中心線１４Ｌから、この中心線１４Ｌの延在方向とは直交する方向に離れるに従って、検出部４０ｓのシフト距離が大きくなることが好ましい。ここで、中心線１４Ｌとは、円筒状の検出領域１４Ｒａの円周方向に延在し、かつ、円筒状の検出領域１４Ｒａを２分割する仮想的な線のことをいう。   Among the plurality of detection units 40 s, at least the detection unit 40 s on the peripheral side (outer peripheral side) of the detection region 14 Ra is shifted toward the inner side from the periphery of the detection region 14 Ra with respect to the reference position of the two-dimensional array at equal intervals. It is provided at the position. The direction from the periphery of the detection region 14Ra toward the inside is preferably the direction from the periphery of the detection region 14Ra toward the center line 14L and orthogonal to the extending direction of the center line 14L. From the viewpoint of suppressing the displacement between the load position and the deformation peak, it is preferable that the shift distance of the detection unit 40s increases as the distance from the center line 14L increases in a direction orthogonal to the extending direction of the center line 14L. . Here, the center line 14L refers to a virtual line extending in the circumferential direction of the cylindrical detection region 14Ra and dividing the cylindrical detection region 14Ra into two.

具体的には、検出部４０ｓの２次元配列の基準位置は、検出領域１４Ｒａの中心線１４Ｌおよびその近傍における検出部４０ｓの２次元配列パターンが、検出領域１４Ｒａの周縁側まで続いていると仮想したときの２次元配列の位置（すなわち仮想的な２次元配列の位置）である。センサ１の中心線１４Ｌまたはその近傍では、現実の検出部４０ｓの配置位置がシフトしていないため、現実の検出部４０ｓと仮想的な検出部４０ｓｉとの配置位置が同一となる。一方、センサ１の周縁側またはその近傍では、現実の検出部４０ｓの配置位置がシフトしているため、現実の検出部４０ｓと仮想的な検出部４０ｓｉとの配置位置に差が生じる。   Specifically, the reference position of the two-dimensional array of the detection unit 40s is assumed to be virtual when the two-dimensional array pattern of the detection unit 40s in the center line 14L of the detection region 14Ra and its vicinity continues to the peripheral side of the detection region 14Ra. This is the position of the two-dimensional array (ie, the position of the virtual two-dimensional array). At the center line 14L of the sensor 1 or in the vicinity thereof, the actual arrangement position of the detection unit 40s is not shifted, so the arrangement position of the actual detection unit 40s and the virtual detection unit 40si is the same. On the other hand, on the peripheral side of the sensor 1 or in the vicinity thereof, the actual arrangement position of the detection unit 40s is shifted, so that there is a difference in the arrangement position between the actual detection unit 40s and the virtual detection unit 40si.

（変形例）
図３６Ｃは、本技術の第６の実施形態の変形例に係る入力装置１００Ｃの構成の一例を示す斜視図である。検出領域１４Ｒａが、軸方向から見ると、Ｃ字状を有していてもよい。すなわち、検出領域１４Ｒａが、矩形を筒状に湾曲させた形状を有していてもよい。検出領域１４Ｒａの円周方向に対向する２辺の間には、軸方向に延在された細長い枠体配置領域１４Ｒｂ3が設けられ、この枠体配置領域１４Ｒｂ3は、枠体配置領域１４Ｒｂ1、１４Ｒｂ2と繋がっている。このように検出領域１４Ｒａの四方が枠体配置領域１４Ｒｂ1、１４Ｒｂ2、１４Ｒｂ3により取り囲まれている場合には、検出部４０ｓのシフトの方向は、検出領域１４Ｒａの周縁から中心の方向であることが好ましい。(Modification)
FIG. 36C is a perspective view illustrating an example of a configuration of an input device 100C according to a modification of the sixth embodiment of the present technology. The detection region 14Ra may have a C shape when viewed from the axial direction. That is, the detection region 14Ra may have a shape obtained by curving a rectangle into a cylindrical shape. Between the two sides opposite to each other in the circumferential direction of the detection region 14Ra, an elongated frame arrangement region 14Rb 3 extending in the axial direction is provided. The frame arrangement region 14Rb 3 is the frame body arrangement region 14Rb 1. , and it is connected to the 14Rb 2. When the four sides of the detection area 14Ra are thus surrounded by the frame body arrangement areas 14Rb 1 , 14Rb 2 , and 14Rb 3 , the shift direction of the detection unit 40s is the direction from the periphery to the center of the detection area 14Ra. It is preferable.

＜７．第７の実施形態＞
図３７Ａは、第７の実施形態に係る入力装置１００Ｃの外観の一例を示す平面図である。第７の実施形態に係る入力装置１００Ｃは、全体として不定形な板状を有している。すなわち、入力操作面である第１の面２ｍは、不定形状を有している。<7. Seventh Embodiment>
FIG. 37A is a plan view illustrating an example of an appearance of an input device 100C according to the seventh embodiment. The input device 100C according to the seventh embodiment has an irregular plate shape as a whole. That is, the first surface 2m that is an input operation surface has an indefinite shape.

図３７Ｂは、図３７Ａに示した入力装置１００Ｂの電極層１４Ｃの構成の一例を示す斜視図である。複数の検出部４０ｓのうち、少なくとも検出領域１４Ｒａの周縁側（外周側）にある検出部４０ｓは、２次元配列の基準位置よりも検出領域１４Ｒａの周縁から内側の方向に向けてシフトした位置に設けられている。荷重位置と変形ピークとの位置ずれを抑制する観点からすると、検出領域１４Ｒａの中心から周縁の方向に向かって、当該中心から離れるに従って検出部４０ｓのシフト距離が大きくなることが好ましい。仮想的な検出部４０ｓｉは、第１の実施形態と同様に、マトリックス状に等間隔に２次元配列されていてもよいが、検出領域１４Ｒａが不定形状であることを考慮した間隔で配列されていることが好ましい。   FIG. 37B is a perspective view showing an example of the configuration of the electrode layer 14C of the input device 100B shown in FIG. 37A. Among the plurality of detection units 40s, at least the detection unit 40s on the peripheral side (outer peripheral side) of the detection region 14Ra is shifted to a position that is shifted inward from the periphery of the detection region 14Ra with respect to the reference position of the two-dimensional array. Is provided. From the viewpoint of suppressing the displacement between the load position and the deformation peak, it is preferable that the shift distance of the detection unit 40s increases as the distance from the center increases from the center of the detection region 14Ra toward the periphery. Similar to the first embodiment, the virtual detection units 40si may be two-dimensionally arranged in a matrix at regular intervals, but are arranged at intervals that take into account that the detection regions 14Ra have an indefinite shape. Preferably it is.

＜８．第８の実施形態＞
図３８は、本技術の第８の実施形態に係る入力装置１００Ｄの構成の一例を示す断面図である。第８の実施形態に係る入力装置１００Ｄは、操作部材３ａを備える点以外では、第１の実施形態と同様であり、適宜その説明を省略する。<8. Eighth Embodiment>
FIG. 38 is a cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the input device 100D according to the eighth embodiment of the present technology. The input device 100D according to the eighth embodiment is the same as the first embodiment except that it includes the operation member 3a, and the description thereof is omitted as appropriate.

（全体構成）
第８の実施形態に係る入力装置１００Ｄは、ディスプレイ２に代えて、フレキシブルシート４を備える。フレキシブルシート４には、後述するように複数のキー領域４ａが配置されており、入力装置１００Ｄは、全体としてキーボード装置として用いられる。(overall structure)
An input device 100 </ b> D according to the eighth embodiment includes a flexible sheet 4 instead of the display 2. A plurality of key areas 4a are disposed on the flexible sheet 4 as will be described later, and the input device 100D is used as a keyboard device as a whole.

（入力装置）
フレキシブルシート４は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＩ（ポリイミド）などのフレキシブル性を有する絶縁性のプラスチックシートで構成される。フレキシブルシート４の厚みは特に限定されず、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍである。(Input device)
The flexible sheet 4 is made of an insulating plastic sheet having flexibility such as PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PMMA (polymethyl methacrylate), PC (polycarbonate), PI (polyimide), and the like. The The thickness of the flexible sheet 4 is not particularly limited, and is, for example, 0.1 mm to 1 mm.

なお、フレキシブルシート４は単層構造に限定されず、２層以上のシートが積層された構成でもよい。この場合には、上記プラスチックシートに加え、例えば基材としてＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＭＭＡ、ＰＣ、ＰＩなどのフレキシブル性を有する絶縁性のプラスチックシートが積層されていてもよい。   The flexible sheet 4 is not limited to a single-layer structure, and may have a configuration in which two or more layers are laminated. In this case, in addition to the plastic sheet, an insulating plastic sheet having flexibility such as PET, PEN, PMMA, PC, and PI may be laminated as a base material.

フレキシブルシート４は、操作面としての第１の面４ｍと、第１の面４ｍとは反対側となる第２の面４ｎとを有する。第１の面４ｍには、複数のキー領域４ａが配列されている。一方で、第２の面４ｎには金属層１１が積層されていてもよい。   The flexible sheet 4 has a first surface 4m as an operation surface and a second surface 4n opposite to the first surface 4m. A plurality of key areas 4a are arranged on the first surface 4m. On the other hand, the metal layer 11 may be laminated on the second surface 4n.

フレキシブルシート４および金属層１１は、樹脂シートの表面にあらかじめ金属箔が貼り付けられた複合シートなどで構成されてもよいし、第２の面４ｎ面に形成された蒸着膜やスパッタ膜などで構成されてもよい。あるいは第２の面４ｎに印刷された導電ペーストなどの塗膜であってもよい。   The flexible sheet 4 and the metal layer 11 may be formed of a composite sheet or the like in which a metal foil is previously attached to the surface of the resin sheet, or may be a vapor deposition film or a sputtered film formed on the second surface 4n surface. It may be configured. Alternatively, it may be a coating film such as a conductive paste printed on the second surface 4n.

各キー領域４ａは、ユーザによって押圧操作されるキートップに相当し、キーの種類に応じた形状、大きさを有する。各キー領域４ａには、適宜のキー表示が施されていてもよく、当該キー表示は、キーの種類を表示するものであってもよいし、個々のキーの位置（輪郭）を表示するものであってもよいし、これら両方を表示するものであってもよい。表示には、適宜の印刷手法、例えば、スクリーン印刷やフレキソ印刷、グラビア印刷などが採用可能である。   Each key area 4a corresponds to a key top pressed by the user, and has a shape and a size corresponding to the type of key. Each key area 4a may be provided with an appropriate key display. The key display may display a key type or display the position (outline) of each key. It is also possible to display both of them. For the display, an appropriate printing method such as screen printing, flexographic printing, gravure printing, or the like can be employed.

第１の面４ｍは、キー領域４ａの周囲に溝部４ｂが形成された形態を有する。キー領域４ａに相当する凹凸面の形成には、プレス成形やエッチング、レーザ加工などの適宜の加工技術が採用可能である。あるいは、射出成形などの成形技術によって凹凸面を有するフレキシブルシート４が形成されてもよい。   The first surface 4m has a form in which a groove 4b is formed around the key region 4a. Appropriate processing techniques such as press molding, etching, and laser processing can be employed to form the uneven surface corresponding to the key region 4a. Alternatively, the flexible sheet 4 having an uneven surface may be formed by a molding technique such as injection molding.

また、フレキシブルシート４の構成は上述の例に限られない。例えば、図３９Ａ、図３９Ｂは、フレキシブルシート４の変形例を模式的に示す図である。図３９Ａに示すフレキシブルシート４は、第１の面４ｍが平坦面で構成される例を示す。この場合は、不図示の各キー領域は印刷などにより記載してもよいし、キー領域を有さず、タッチセンサとして用いてもよい。また、図３９Ｂに示すフレキシブルシート４では、フレキシブルシート４をプレス成形することなどによって形成され、各キー領域４ａが独立して上下方向（シート厚み方向）へ変形可能に構成される。   Further, the configuration of the flexible sheet 4 is not limited to the above example. For example, FIG. 39A and FIG. 39B are diagrams schematically illustrating modifications of the flexible sheet 4. The flexible sheet 4 shown in FIG. 39A shows an example in which the first surface 4m is a flat surface. In this case, each key area (not shown) may be described by printing or the like, or may be used as a touch sensor without the key area. In addition, the flexible sheet 4 shown in FIG. 39B is formed by press-molding the flexible sheet 4 or the like, and each key region 4a is configured to be independently deformable in the vertical direction (sheet thickness direction).

さらにフレキシブルシート４は、金属などの導電性を有する材料で構成されてもよい。これにより、金属層１１が不要となり、操作部材３を薄型化することができる。この場合、フレキシブルシート４は、金属層１１としての機能をも有し、例えばグランド電位に接続される。   Furthermore, the flexible sheet 4 may be made of a conductive material such as metal. Thereby, the metal layer 11 becomes unnecessary and the operation member 3 can be thinned. In this case, the flexible sheet 4 also has a function as the metal layer 11 and is connected to a ground potential, for example.

本実施形態において、ユーザがキー入力操作を行う際には、キー領域４ａの中央部を押圧する。そこで、構造体２１、５１と検出部４０ｓとを、以下のように配置することができる。   In the present embodiment, when the user performs a key input operation, the center of the key area 4a is pressed. Therefore, the structures 21 and 51 and the detection unit 40s can be arranged as follows.

例えば図３８に示すように、支持層１５の構造体５１が、溝部４ｂの下方に配置されてもよい。この場合に検出部４０ｓは、Ｚ軸方向から見て構造体２１と重複した位置に配置される。   For example, as shown in FIG. 38, the structure 51 of the support layer 15 may be disposed below the groove 4b. In this case, the detection unit 40s is disposed at a position overlapping the structure 21 when viewed from the Z-axis direction.

制御部７１は、上述のように演算部７３と、信号処理部７４とを有し、電極層１４に電気的に接続される。また、本実施形態において、制御部７１は、複数の検出部４０ｓの静電容量の変化に基づいて、複数のキー領域４ａ各々に対する入力操作に応じた信号を生成することが可能に構成される。より具体的には、制御部７１は、複数の検出部４０ｓの出力に基づいて複数のキー領域４ａ各々に対する入力操作に関する情報を生成することが可能に構成される。すなわち、演算部７３は、電極層１４のＸ、Ｙ電極４１ｂ、４２ｂ各々から出力される電気的な信号（入力信号）に基づいて第１の面４ｍ上のＸＹ座標系における操作位置を算出し、当該操作位置に割り当てられたキー領域４ａを決定する。信号処理部７４は、その押圧が検出されたキー領域４ａに対応する操作信号を生成する。   The control unit 71 includes the calculation unit 73 and the signal processing unit 74 as described above, and is electrically connected to the electrode layer 14. Moreover, in this embodiment, the control part 71 is comprised so that the signal according to input operation with respect to each of several key area | region 4a can be produced | generated based on the change of the electrostatic capacitance of several detection part 40s. . More specifically, the control unit 71 is configured to be able to generate information related to an input operation for each of the plurality of key areas 4a based on the outputs of the plurality of detection units 40s. That is, the calculation unit 73 calculates the operation position in the XY coordinate system on the first surface 4m based on the electrical signals (input signals) output from the X and Y electrodes 41b and 42b of the electrode layer 14, respectively. The key area 4a assigned to the operation position is determined. The signal processing unit 74 generates an operation signal corresponding to the key area 4a where the press is detected.

入力装置１００Ｄは、ノート型のパーソナルコンピュータや、携帯電話などの電子機器に組み込まれることで、上述のようにキーボード装置として適用することができる。また、入力装置１００Ｄは、不図示の通信部を有することで、有線または無線によりパーソナルコンピュータなどの他の電子機器と電気的に接続され、当該電子機器を制御するための入力操作が可能に構成されてもよい。   The input device 100D can be applied as a keyboard device as described above by being incorporated in an electronic device such as a notebook personal computer or a mobile phone. In addition, the input device 100D includes a communication unit (not shown) so that the input device 100D is electrically connected to another electronic device such as a personal computer by wire or wirelessly and can perform an input operation for controlling the electronic device. May be.

さらに入力装置１００Ｄは、第１の実施形態で説明したように、ポインティングデバイスとしても用いることができる。すなわち、各検出部４０ｓの出力に対し２以上の閾値が設定され、演算部７３がタッチ操作とプッシュ操作とを判定することにより、ポインティングデバイスとキーボードとを兼ねた入力装置とすることが可能である。   Furthermore, as described in the first embodiment, the input device 100D can also be used as a pointing device. That is, two or more threshold values are set for the output of each detection unit 40s, and the calculation unit 73 determines a touch operation and a push operation, whereby an input device that serves as a pointing device and a keyboard can be obtained. is there.

＜９．第９の実施形態＞
第９の実施形態に係る電子機器は、第１〜第８の実施形態に係る入力装置１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃおよびそれらの変形例のいずれかを表示部に備えている。以下に、本技術の第９の実施形態に係る電子機器の例について説明する。<9. Ninth Embodiment>
The electronic apparatus according to the ninth embodiment includes any of the input devices 100, 100A, 100B, and 100C according to the first to eighth embodiments and their modifications in the display unit. An example of an electronic device according to the ninth embodiment of the present technology will be described below.

図４０Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。携帯電話２１１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体２１２と、この筐体２１２に収容されたタッチパネル付き表示素子２１３とを備える。ここで、タッチパネル付き表示素子２１３は、第１〜第７の実施形態およびそれらの変形例に係る入力装置１００のいずれかである。   FIG. 40A is an external view illustrating an example of a mobile phone as an electronic apparatus. The mobile phone 211 is a so-called smartphone and includes a housing 212 and a display element 213 with a touch panel housed in the housing 212. Here, the display element 213 with a touch panel is any one of the input devices 100 according to the first to seventh embodiments and the modifications thereof.

図４０Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。タブレット型コンピュータ２２１は、筐体２２２と、この筐体２２２に収容されたタッチパネル付き表示素子２２３とを備える。ここで、タッチパネル付き表示素子２２３は、第１〜第７の実施形態およびそれらの変形例に係る入力装置１００のいずれかである。なお、タブレット型コンピュータ２２１は、スタイラス２２４などのポインティングデバイスなどで情報を入力可能なものであってもよい。   FIG. 40B is an external view illustrating an example of a tablet computer as an electronic device. The tablet computer 221 includes a housing 222 and a display element 223 with a touch panel housed in the housing 222. Here, the display element with a touch panel 223 is any one of the input devices 100 according to the first to seventh embodiments and the modifications thereof. Note that the tablet computer 221 may be capable of inputting information using a pointing device such as the stylus 224.

図４１Ａは、電子機器としてタッチパネルディスプレイの例を示す外観図である。タッチパネルディスプレイ２３１は、筐体２３２と、この筐体２３２に収容されたタッチパネル付き表示素子２３３とを備える。ここで、タッチパネル付き表示素子２２３は、第１〜第７の実施形態およびそれらの変形例に係る入力装置１００のいずれかである。   FIG. 41A is an external view illustrating an example of a touch panel display as an electronic device. The touch panel display 231 includes a housing 232 and a display element 233 with a touch panel housed in the housing 232. Here, the display element with a touch panel 223 is any one of the input devices 100 according to the first to seventh embodiments and the modifications thereof.

図４１Ｂは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ２４１は、コンピュータ本体２４２と、ディスプレイ２４３とを備える。コンピュータ本体２４２は、筐体２５１と、この筐体２５１に収容されたキーボード２５２およびタッチパッド２５３を備える。キーボード２５２は、第８の実施形態またはその変形例に係る入力装置１００である。タッチパッド２５３は、第８の実施形態の変形例に係る入力装置１００である。   FIG. 41B is an external view illustrating an example of a notebook personal computer as an electronic apparatus. The notebook personal computer 241 includes a computer main body 242 and a display 243. The computer main body 242 includes a housing 251, a keyboard 252 and a touch pad 253 housed in the housing 251. The keyboard 252 is the input device 100 according to the eighth embodiment or a modification thereof. The touch pad 253 is the input device 100 according to a modified example of the eighth embodiment.

ディスプレイ２４３は、筐体２６１と、この筐体２６１に収容されたタッチパネル付き表示素子２６２とを備える。ここで、タッチパネル付き表示素子２６２は、第１〜第７の実施形態およびそれらの変形例に係る入力装置１００のいずれかである。
［試験例］The display 243 includes a housing 261 and a display element 262 with a touch panel housed in the housing 261. Here, the display element 262 with a touch panel is any one of the input devices 100 according to the first to seventh embodiments and the modifications thereof.
[Test example]

以下、試験例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの試験例のみに限定されるものではない。   Hereinafter, although this technique is concretely demonstrated by a test example, this technique is not limited only to these test examples.

以下のシミュレーションは有限要素法を用いて行った。具体的なプログラムとしては、ムラタソフトウエア社製、商品名：ＦＥＭＴＥＴを用いた。   The following simulation was performed using the finite element method. As a specific program, product name: FEMET manufactured by Murata Software Co., Ltd. was used.

（試験例）
図４２Ａは、試験例に係るシミュレーションの条件を示す断面図である。図４２Ｂは、試験例に係るシミュレーションの条件を示す平面図である。
まず、導電層、支持層、電極層、金属層およびディスプレイをこの順序で積層した入力装置を設定した。支持層は、複数の構造体を２次元配列することにより構成した。電極層は、電極層の面内方向に等間隔で２次元配列した複数のセンサを含む構成とした。なお、導電層、支持層、電極層、金属層およびディスプレイの端部は固定状態とした。(Test example)
FIG. 42A is a cross-sectional view showing the simulation conditions according to the test example. FIG. 42B is a plan view showing the simulation conditions according to the test example.
First, an input device in which a conductive layer, a support layer, an electrode layer, a metal layer, and a display were stacked in this order was set. The support layer was configured by two-dimensionally arranging a plurality of structures. The electrode layer includes a plurality of sensors that are two-dimensionally arranged at equal intervals in the in-plane direction of the electrode layer. Note that the conductive layer, the support layer, the electrode layer, the metal layer, and the edge of the display were fixed.

以下に、シミュレーションの設定数値および部材の形状などを示す。
入力装置の入力操作面：矩形状、サイズ６５ｍｍ×１２０ｍｍ
電極層：厚さ０．３ｍｍ
ディスプレイ：厚さ０．３ｍｍ、ヤング率８０ＧＰａ（ガラス基板を想定したヤング率）
構造体：円柱状、直径０．２ｍｍ、５ＭＰａ
センサ：マトリックス配列（１１×１９［個］）In the following, setting values of simulation, member shapes, and the like are shown.
Input operation surface of the input device: rectangular shape, size 65 mm × 120 mm
Electrode layer: thickness 0.3mm
Display: Thickness 0.3 mm, Young's modulus 80 GPa (Young's modulus assuming a glass substrate)
Structure: Cylindrical, diameter 0.2mm, 5MPa
Sensor: Matrix arrangement (11 x 19 [pieces])

次に、入力操作面に加重を加えたときの加重位置と配線層の変形のピーク位置との関係をシミュレーションにより調べた。その結果を図４３に示す。また、入力操作面に加重を加えたときの断面変位をシミュレーションにより調べた。その結果を図４４に示す。なお、図４４中に記した曲線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３はそれぞれ、図４２Ｂの位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の位置に加重を加えたときの断面変位を示している。   Next, the relationship between the weighted position when a load was applied to the input operation surface and the peak position of the deformation of the wiring layer was examined by simulation. The result is shown in FIG. In addition, the cross-sectional displacement when applying a load to the input operation surface was examined by simulation. The result is shown in FIG. Curves L1, L2, and L3 shown in FIG. 44 indicate cross-sectional displacements when a weight is applied to the positions P1, P2, and P3 in FIG. 42B, respectively.

図４３、図４４から以下のことがわかる。
入力装置の断面の変形は比重にブロードであり、ほぼディスプレイの全面に広がっている。
入力操作面の周縁に近づくほど、断面の変形量が小さくなる傾向にある。
入力操作面の周縁に近づくほど、加重位置と変形ピークとの位置がずれる。その変形ピークのずれの方向は、入力操作面の周縁から中心に向かう方向となる。The following can be understood from FIGS. 43 and 44.
The deformation of the cross section of the input device is broad in specific gravity and spreads almost over the entire surface of the display.
The closer to the periphery of the input operation surface, the smaller the deformation amount of the cross section.
The closer the edge of the input operation surface is, the more the position of the load position and the deformation peak are shifted. The direction of the shift of the deformation peak is a direction from the periphery of the input operation surface toward the center.

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。   As mentioned above, although embodiment of this technique was described concretely, this technique is not limited to the above-mentioned embodiment, Various deformation | transformation based on the technical idea of this technique is possible.

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。   For example, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like given in the above-described embodiments are merely examples, and different configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like are used as necessary. Also good.

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。   The configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like of the above-described embodiments can be combined with each other without departing from the gist of the present technology.

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサ。
（２）
上記検出領域は、角部および辺部を有し、
上記辺部の中央近傍の領域における上記検出部のシフト距離は、上記角部の近傍の領域における上記検出部のシフト距離に比べて大きい（１）に記載のセンサ。
（３）
上記検出領域の中心から周縁の方向に向かって、上記検出部のシフト距離が大きくなる（１）または（２）に記載のセンサ。
（４）
上記検出領域は、長辺と短辺を有し、
上記長辺の中央近傍の領域および上記短辺の中央近傍の領域における上記検出部のシフト距離が、ほぼ等しい（１）から（３）のいずれかに記載のセンサ。
（５）
上記検出領域は、長辺と短辺を有し、
上記長辺の中央近傍の領域における上記検出部のシフト距離が、ほぼ等しい（１）から（４）のいずれかに記載のセンサ。
（６）
上記複数の検出部の静電容量の変化に基づいて、操作位置を検出する制御部をさらに備える（１）から（５）のいずれかに記載のセンサ。
（７）
上記制御部内における上記複数の検出部の設定位置は、上記２次元配列の基準位置である（６）に記載のセンサ。
（８）
上記検出領域の中心から周縁の方向に向かって、上記検出部の面積が大きくなる（１）から（７）のいずれかに記載のセンサ。
（９）
上記複数の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある構造体は、構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ。
（１０）
上記複数の構造体は、上記検出領域に設けられ、
上記検出領域の周縁に設けられ、上記導体層および上記検出層を離間する周縁構造体をさらに備える（１）から（８）のいずれかに記載のセンサ。
（１１）
上記導体層および上記検出層の少なくとも一方が、可撓性を有している（１）から（１０）のいずれかに記載のセンサ。
（１２）
上記検出層は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
上記複数の検出部はそれぞれ、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差部に設けられている（１）から（１１）のいずれかに記載のセンサ。
（１３）
上記第１の電極および上記第２の電極の少なくとも一方は、複数のサブ電極を含んでいる（１２）に記載のセンサ。
（１４）
上記第１の電極は、平板状の電極であり、
上記第２の電極は、複数のサブ電極を含み、
上記第２の電極が、上記第１の電極に比して上記導体層の近くに設けられている（１２）に記載のセンサ。
（１５）
第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサ。
（１６）
上記複数の第１の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある第１の構造体は、上記第１構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられ、
上記複数の第２の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある第２の構造体は、上記第２構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている（１５）に記載のセンサ。
（１７）
操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置。
（１８）
操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置。
（１９）
操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器。
（２０）
操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器。The present technology can also employ the following configurations.
(1)
A conductor layer;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. .
(2)
The detection area has corners and sides,
The sensor according to (1), wherein a shift distance of the detection unit in a region near the center of the side portion is larger than a shift distance of the detection unit in a region near the corner.
(3)
The sensor according to (1) or (2), wherein the shift distance of the detection unit increases from the center of the detection region toward the periphery.
(4)
The detection area has a long side and a short side,
The sensor according to any one of (1) to (3), wherein a shift distance of the detection unit in a region near the center of the long side and a region near the center of the short side is substantially equal.
(5)
The detection area has a long side and a short side,
The sensor according to any one of (1) to (4), wherein a shift distance of the detection unit in a region near the center of the long side is substantially equal.
(6)
The sensor according to any one of (1) to (5), further including a control unit that detects an operation position based on a change in capacitance of the plurality of detection units.
(7)
The sensor according to (6), wherein the setting positions of the plurality of detection units in the control unit are reference positions of the two-dimensional array.
(8)
The sensor according to any one of (1) to (7), wherein the area of the detection unit increases from the center of the detection region toward the periphery.
(9)
Of the plurality of structures, at least the structure on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the structure array toward the inside from the periphery of the detection region. The sensor according to any one of (1) to (8).
(10)
The plurality of structures are provided in the detection region,
The sensor according to any one of (1) to (8), further including a peripheral structure that is provided at a peripheral edge of the detection region and separates the conductor layer and the detection layer.
(11)
The sensor according to any one of (1) to (10), wherein at least one of the conductor layer and the detection layer has flexibility.
(12)
The detection layer includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes,
The sensor according to any one of (1) to (11), wherein each of the plurality of detection units is provided at an intersection of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes.
(13)
The sensor according to (12), wherein at least one of the first electrode and the second electrode includes a plurality of sub-electrodes.
(14)
The first electrode is a flat electrode,
The second electrode includes a plurality of sub-electrodes,
The sensor according to (12), wherein the second electrode is provided closer to the conductor layer than the first electrode.
(15)
A first conductor layer;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures that separate the detection layer and the second conductor layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. .
(16)
Among the plurality of first structures, at least a first structure on the peripheral side of the detection region is directed from the periphery of the detection region toward the inner side with respect to the reference position of the arrangement of the first structures. Provided at the shifted position,
Among the plurality of second structures, at least the second structure on the peripheral side of the detection region is directed from the periphery of the detection region to the inner side with respect to the reference position of the arrangement of the second structures. The sensor according to (15), which is provided at a shifted position.
(17)
An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. apparatus.
(18)
An operation unit;
A first conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures that separate the detection layer and the second conductor layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. apparatus.
(19)
An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. machine.
(20)
An operation unit;
A first conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures that separate the detection layer and the second conductor layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. machine.

１ センサ
２ フレキシブルディスプレイ（表示部）
１００ 入力装置
３ 操作部材
１１ 金属層（第１の導体層）
１２、１５ 支持層
１３、１７、４３ 接着層
１４ 電極層
１４Ｒａ 検出領域
１４Ｒｂ 枠体形成領域
１６ 導体層（第２の導体層）
２１、５１ 構造体
２２、５２ 枠体
４０ｓ 現実の検出部
４０ｓｉ 仮想的な検出部
４１ａ 基材
４１ｂ Ｘ電極
４２ａ 基材
４２ｂ Ｙ電極1 Sensor 2 Flexible display (display unit)
100 Input device 3 Operation member 11 Metal layer (first conductor layer)
12, 15 Support layer 13, 17, 43 Adhesive layer 14 Electrode layer 14Ra Detection area 14Rb Frame body formation area 16 Conductor layer (second conductor layer)
21, 51 Structure 22, 52 Frame 40s Real detection unit 40si Virtual detection unit 41a Base material 41b X electrode 42a Base material 42b Y electrode

Claims (20)

導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサ。A conductor layer;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. . 上記検出領域は、角部および辺部を有し、
上記辺部の中央近傍の領域における上記検出部のシフト距離は、上記角部の近傍の領域における上記検出部のシフト距離に比べて大きい請求項１に記載のセンサ。The detection area has corners and sides,
The sensor according to claim 1, wherein a shift distance of the detection unit in a region near the center of the side portion is larger than a shift distance of the detection unit in a region near the corner. 上記検出領域の中心から周縁の方向に向かって、上記検出部のシフト距離が大きくなる請求項１に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, wherein a shift distance of the detection unit increases from a center of the detection region toward a peripheral direction. 上記検出領域は、長辺と短辺を有し、
上記長辺の中央近傍の領域および上記短辺の中央近傍の領域における上記検出部のシフト距離が、ほぼ等しい請求項１に記載のセンサ。The detection area has a long side and a short side,
The sensor according to claim 1, wherein shift distances of the detection units in a region near the center of the long side and a region near the center of the short side are substantially equal. 上記検出領域は、長辺と短辺を有し、
上記長辺の中央近傍の領域に含まれる上記各検出部のシフト距離が、ほぼ等しい請求項１に記載のセンサ。The detection area has a long side and a short side,
The sensor according to claim 1, wherein shift distances of the detection units included in a region near the center of the long side are substantially equal. 上記複数の検出部の静電容量の変化に基づいて、操作位置を検出する制御部をさらに備える請求項１に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, further comprising a control unit that detects an operation position based on a change in capacitance of the plurality of detection units. 上記制御部内における上記複数の検出部の設定位置は、上記２次元配列の基準位置である請求項６に記載のセンサ。   The sensor according to claim 6, wherein the setting positions of the plurality of detection units in the control unit are reference positions of the two-dimensional array. 上記検出領域の中心から周縁の方向に向かって、上記検出部の面積が大きくなる請求項１に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, wherein an area of the detection unit increases from a center of the detection region toward a peripheral direction. 上記複数の構造体は、上記検出領域に配置され、
上記複数の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある構造体は、構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている請求項１に記載のセンサ。The plurality of structures are arranged in the detection region,
Of the plurality of structures, at least the structure on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the structure array toward the inside from the periphery of the detection region. The sensor according to claim 1. 上記複数の構造体は、上記検出領域に設けられ、
上記検出領域の周縁に設けられ、上記導体層および上記検出層を離間する周縁構造体をさらに備える請求項１に記載のセンサ。The plurality of structures are provided in the detection region,
The sensor according to claim 1, further comprising a peripheral structure that is provided at a peripheral edge of the detection region and separates the conductor layer and the detection layer. 上記導体層および上記検出層の少なくとも一方が、可撓性を有している請求項１に記載のセンサ。   The sensor according to claim 1, wherein at least one of the conductor layer and the detection layer has flexibility. 上記検出層は、複数の第１の電極と、該複数の第１の電極と交差する複数の第２の電極とを含み、
上記複数の検出部はそれぞれ、上記複数の第１の電極と上記複数の第２の電極との交差部に設けられている請求項１に記載のセンサ。The detection layer includes a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes intersecting with the plurality of first electrodes,
The sensor according to claim 1, wherein each of the plurality of detection units is provided at an intersection of the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes. 上記第１の電極および上記第２の電極の少なくとも一方は、複数のサブ電極を含んでいる請求項１２に記載のセンサ。   The sensor according to claim 12, wherein at least one of the first electrode and the second electrode includes a plurality of sub-electrodes. 上記第１の電極は、平板状の電極であり、
上記第２の電極は、複数のサブ電極を含み、
上記第２の電極が、上記第１の電極に比して上記導体層の近くに設けられている請求項１２に記載のセンサ。The first electrode is a flat electrode,
The second electrode includes a plurality of sub-electrodes,
The sensor according to claim 12, wherein the second electrode is provided closer to the conductor layer than the first electrode. 第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられているセンサ。A first conductor layer;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures that separate the detection layer and the second conductor layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. . 上記複数の第１の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある第１の構造体は、上記第１構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられ、
上記複数の第２の構造体のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある第２の構造体は、上記第２構造体の配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている請求項１５に記載のセンサ。Among the plurality of first structures, at least a first structure on the peripheral side of the detection region is directed from the periphery of the detection region toward the inner side with respect to the reference position of the arrangement of the first structures. Provided at the shifted position,
Among the plurality of second structures, at least the second structure on the peripheral side of the detection region is directed from the periphery of the detection region to the inner side with respect to the reference position of the arrangement of the second structures. The sensor according to claim 15, which is provided at a shifted position. 操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置。An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. apparatus. 操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている入力装置。An operation unit;
A first conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A second conductor layer;
A detection layer that is provided between the first conductor layer and the second conductor layer, includes a detection region, and includes a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of first structures separating the first conductor layer and the detection layer;
A plurality of second structures that separate the detection layer and the second conductor layer;
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference region of the two-dimensional array toward the inner side from the peripheral region of the detection region. apparatus. 操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている導体層と、
検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記導体層および上記検出層を離間する複数の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器。An operation unit;
A conductor layer provided on the surface or inside of the operation section;
A detection layer having a detection region and including a plurality of detection units arranged two-dimensionally in the detection region;
A plurality of structures separating the conductor layer and the detection layer,
Among the plurality of detection units, at least the detection unit on the peripheral side of the detection region is provided at a position shifted from the reference position of the two-dimensional array toward the inner side from the periphery of the detection region. machine. 操作部と、
上記操作部の表面または内部に設けられている第１の導体層と、
第２の導体層と、
上記第１の導体層および上記第２の導体層の間に設けられているとともに、検出領域を有し、該検出領域に２次元配列された複数の検出部を含む検出層と、
上記第１の導体層および上記検出層を離間する複数の第１の構造体と、
上記検出層および上記第２の導体層を離間する複数の第２の構造体と
を備え、
上記複数の検出部のうち、少なくとも上記検出領域の周縁側にある検出部は、２次元配列の基準位置よりも上記検出領域の周縁から内側の方向に向かってシフトした位置に設けられている電子機器。An operation unit;
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