JPWO2014109264A1 - Transparent electrode for touch panel, touch panel, display device, and method for manufacturing transparent electrode for touch panel - Google Patents

Transparent electrode for touch panel, touch panel, display device, and method for manufacturing transparent electrode for touch panel Download PDF

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和央 吉田
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Abstract

タッチパネル用透明電極は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜され、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を備えている。The transparent electrode for a touch panel is formed using silver or an alloy containing silver as a main component, having a film thickness of 12 nm or less capable of measuring a sheet resistance, formed at a film forming speed of 0.3 nm / second or more. Provided with an electrode layer.

Description

本発明は、タッチパネル用透明電極、タッチパネル、表示装置、およびタッチパネル用透明電極の製造方法に関し、特には薄型化に適するタッチパネル用透明電極と、これを備えたタッチパネルおよび表示装置、さらにはこのタッチパネル用透明電極の製造方法に関する。   The present invention relates to a transparent electrode for a touch panel, a touch panel, a display device, and a method for manufacturing the transparent electrode for a touch panel, and in particular, a transparent electrode for a touch panel suitable for thinning, a touch panel and a display device including the same, and further for this touch panel The present invention relates to a method for producing a transparent electrode.

表示パネルの表示面側に配置されるタッチパネルには、抵抗膜式、表面型静電容量式、投影型静電容量式、光学式、超音波式などの様々な方式があるが、投影型静電容量式は多点入力できるという特徴を有しており、スマートフォンなどでの実用化が進んでいる。   There are various types of touch panels arranged on the display surface side of the display panel, such as a resistive film type, a surface type capacitive type, a projected type capacitive type, an optical type, and an ultrasonic type. Capacitance type has the feature that multi-point input is possible, and practical use is progressing in smartphones.

ところで、投影型静電容量方式のように、パネル面の全面にわたって電極が配置される構成のタッチパネルにおいては、透明導電性材料を用いて電極を構成することにより、タッチパネルを介して配置される表示画像の視認性を確保している。このようなタッチパネル用の電極（すなわち透明電極）としては、主としてインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような金属酸化物が用いられてきた。しかしながら、ＩＴＯ等の金属酸化物は、光透過性には優れるものの導電性が十分ではなく、パネルの中央付近で電圧降下が起こりやく、タッチパネルの大型化が阻害される。また、抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の膜厚が必要とされるため、投影型静電容量方式のように電極がパターンを有する場合、このパターンが視認され易くなり、結果として下地となる表示画像の視認性が低下する。   By the way, in the touch panel in which the electrodes are arranged over the entire surface of the panel surface as in the projected capacitive method, the display is arranged via the touch panel by configuring the electrodes using a transparent conductive material. The visibility of the image is secured. As such an electrode for a touch panel (that is, a transparent electrode), a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) has been mainly used. However, although metal oxides such as ITO are excellent in light transmittance, the conductivity is not sufficient, voltage drop is likely to occur near the center of the panel, and an increase in the size of the touch panel is hindered. In addition, when the resistance value is to be kept low, a certain amount of film thickness is required. Therefore, when the electrode has a pattern as in the projected capacitance method, this pattern is easily visible, and as a result, the ground The visibility of the displayed image becomes lower.

そこで近年においては、タッチパネル用の透明電極として、ＩＴＯよりも導電性が高い金属ナノワイヤーを用いた構成が提案されている（例えば下記特許文献１参照）。   Therefore, in recent years, a configuration using metal nanowires having higher conductivity than ITO has been proposed as a transparent electrode for a touch panel (see, for example, Patent Document 1 below).

特開２０１２−３３４６６号公報JP 2012-33466 A

ところが、金属ナノワイヤーを用いた透明電極は、抵抗を下げるために金属ナノワイヤーの添加量を増加させると、金属ナノワイヤーにおいての光散乱により下地となる表示画像の視認性が低下する課題を有していた。   However, a transparent electrode using metal nanowires has a problem that when the amount of metal nanowires added is increased in order to reduce resistance, the visibility of a display image as a base is reduced due to light scattering in the metal nanowires. Was.

そこで本発明は、薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を提供することと、さらにはこれを用いることにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供すること、ならびにこのタッチパネル用透明電極の製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention provides a transparent electrode for a touch panel that is a thin film but has sufficient light transmittance and sufficient conductivity, and further improves the visibility of a display image as a base by using this transparent electrode. An object of the present invention is to provide a touch panel and a display device, and to provide a method for producing the transparent electrode for a touch panel.

このような目的を達成するための本発明のタッチパネル用透明電極は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜され、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を備えている。   The transparent electrode for a touch panel of the present invention for achieving such an object is formed at a film forming speed of 0.3 nm / second or more, has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance, and is silver Or the electrode layer comprised using the alloy which has silver as a main component is provided.

また本発明はこのような構成のタッチパネル用透明電極を用いたタッチパネル、およびこのタッチパネルとタッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた表示装置でもある。   Moreover, this invention is also a display apparatus provided with the touchscreen using the transparent electrode for touchscreens of such a structure, and the display panel arrange | positioned on this touchscreen and the touchscreen.

さらに本発明は、このような構成のタッチパネルの製造方法でもあり、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有すると共に銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度によって形成する工程とを含む。   Furthermore, the present invention is also a method for manufacturing a touch panel having such a structure, and has an electrode layer having a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance and using silver or an alloy containing silver as a main component. And a step of forming at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

以上のように構成された本発明のタッチパネル用透明電極は、当該タッチパネル用透明電極を構成する電極層が、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚であることにより、電極用の膜としての実用性を確保しつつも、吸収成分又は反射成分が低く抑えられたものとなる。また特に電極層は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された銀または銀を主成分とした合金で構成されたことにより、上述したように１２ｎｍ以下といった薄膜でありながらも、連続膜として構成され易くなっている。つまり、確実にシート抵抗の測定が可能で導電性が確保されたものとなる。   The transparent electrode for a touch panel of the present invention configured as described above has an electrode layer constituting the transparent electrode for a touch panel having a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance. While ensuring the practicality of the above, the absorption component or the reflection component is kept low. In particular, the electrode layer is made of silver or an alloy mainly composed of silver formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more, so that although it is a thin film of 12 nm or less as described above, It is easy to be configured as a continuous film. That is, the sheet resistance can be reliably measured and the conductivity is ensured.

以上の結果、この様な電極層を備えたタッチパネル用透明電極は、実質的に電極としての機能を果たす電極層が、薄い膜厚であることで光透過性を確保しつつも、導電性も確保されているため、導電性の向上と光透過性の向上との両立が図られたものとなる。   As a result of the above, the transparent electrode for a touch panel provided with such an electrode layer has a thin electrode layer that substantially functions as an electrode, while ensuring light transmissivity while also having conductivity. Since it is ensured, both the improvement of conductivity and the improvement of light transmittance are achieved.

以上説明したように本発明によれば、実質的に電極としての機能を果たす電極層が、薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を提供することが可能であり、またこのタッチパネル用透明電極を用いたことにより下地となる表示画像の視認性の向上が図られたタッチパネルおよび表示装置を提供することが可能である。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a transparent electrode for a touch panel in which an electrode layer that substantially functions as an electrode is a thin film but has sufficient light conductivity and conductivity. Moreover, it is possible to provide a touch panel and a display device in which the visibility of a display image as a base is improved by using the transparent electrode for a touch panel.

本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極（２層構造）の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (2 layer structure) which concerns on 1st Embodiment of this invention. 窒素原子の結合様式を説明するためのＴＢＡＣとＩｒ（ｐｐｙ）３の構造式を示す図である。It is a figure which shows the structural formula of TBAC and Ir (ppy) 3 for demonstrating the coupling | bonding mode of a nitrogen atom. ピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of a pyridine ring. ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows structural formula and molecular orbital of a pyrrole ring. イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of an imidazole ring. δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。It is a figure which shows the structural formula and molecular orbital of (delta) -carboline ring. 本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極の製造方法を示す工程図である。It is process drawing which shows the manufacturing method of the transparent electrode for touchscreens which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係るタッチパネル用透明電極（３層構造）の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (3 layer structure) which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係るタッチパネル用透明電極（４層構造）の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the transparent electrode for touchscreens (4 layer structure) which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極の平面図である。It is a top view of two transparent electrodes which show the electrode structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the planar arrangement | positioning of the electrode part of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図１２に示すＡ−Ａ断面に相当する図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention, and is a figure equivalent to the AA cross section shown in FIG. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの変形例１の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the modification 1 of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの変形例２の構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the modification 2 of the touchscreen which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the planar arrangement | positioning of the electrode part of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの電極部分の拡大図である。It is an enlarged view of the electrode part of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図１８に示すＢ−Ｂ断面に相当する図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 7th Embodiment of this invention, and is a figure equivalent to the BB cross section shown in FIG. 本発明の第８実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the display apparatus which concerns on 8th Embodiment of this invention. 実施例１で作製した試料６の透明電極のＳＥＭ画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 6 produced in Example 1. 実施例１で作製した試料７の透明電極のＳＥＭ画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 7 produced in Example 1. 実施例１で作製した試料１５の透明電極のＳＥＭ画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 15 produced in Example 1. 実施例１で作製した試料１６の透明電極のＳＥＭ画像である。2 is an SEM image of a transparent electrode of Sample 16 produced in Example 1. 実施例１で作製した試料１７の透明電極のＳＥＭ画像である。3 is a SEM image of a transparent electrode of Sample 17 produced in Example 1. 実施例１で作製した試料１８の透明電極のＳＥＭ画像である。2 is a SEM image of a transparent electrode of Sample 18 produced in Example 1. 透明電極を構成する窒素含有層の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］とシート抵抗との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the effective unshared electron pair content [n / M] of a nitrogen containing layer which comprises a transparent electrode, and sheet resistance.

以下、本発明の実施の形態を、図面に基づいて次に示す順に説明する。
１．第１実施形態：２層構造のタッチパネル用透明電極
２．第２実施形態：３層構造のタッチパネル用透明電極
３．第３実施形態：４層構造のタッチパネル用透明電極
４．第４実施形態：タッチパネル（１枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成）
４-1．タッチパネルの変形例１
４-2．タッチパネルの変形例２
４-3．タッチパネルの変形例３
５．第５実施形態：タッチパネル（２枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成）
６．第６実施形態：タッチパネル（１枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成）
７．第７実施形態：タッチパネル（透明基板上に２パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成）
８．第８実施形態：表示装置（タッチパネルを用いた構成）Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in the following order based on the drawings.
1. 1. First embodiment: Transparent electrode for touch panel having a two-layer structure 2. Second embodiment: Transparent electrode for touch panel having a three-layer structure 3. Third embodiment: 4-layer structure transparent electrode for touch panel Fourth embodiment: Touch panel (configuration in which two transparent electrodes are provided on one transparent substrate)
4-1. Modification 1 of touch panel
4-2. Modification 2 of touch panel
4-3. Modification 3 of touch panel
5. Fifth embodiment: Touch panel (configuration in which a transparent electrode is provided on each of two transparent substrates)
6). Sixth embodiment: Touch panel (configuration in which transparent electrodes are provided on both sides of a single transparent substrate)
7). Seventh embodiment: Touch panel (configuration in which connection electrodes are provided together with two patterns of transparent electrodes on a transparent substrate)
8). Eighth embodiment: Display device (configuration using a touch panel)

≪１．第１実施形態：２層構造のタッチパネル用透明電極≫
図１は、本発明の第１実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１は、窒素含有層３に隣接して設けられた電極層５を有する構成であり、電極層５のみを透明電極１としても良く、窒素含有層３と電極層５との積層構造を透明電極１としても良い。このような透明電極１は、例えば透明基板１１の上部に、窒素含有層３、電極層５の順に設けられている。このうち、透明電極１における電極部分を構成する電極層５が、以降に詳細に説明するように、所定の膜厚を有し、所定の成膜速度で形成されたところが特徴的である。また、電極層５に隣接して設けられた窒素含有層３は、例えば電極層５を構成する電極材料との間に特定の関係を有する材料を用いて構成された層である。<< 1. First Embodiment: Transparent Electrode for Touch Panel with Two-Layer Structure >>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a first embodiment of the present invention. The transparent electrode 1 shown in this figure has an electrode layer 5 provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3, and only the electrode layer 5 may be the transparent electrode 1, and the nitrogen-containing layer 3, the electrode layer 5, The laminated structure may be used as the transparent electrode 1. Such a transparent electrode 1 is provided in the order of, for example, a nitrogen-containing layer 3 and an electrode layer 5 on the transparent substrate 11. Among them, the electrode layer 5 constituting the electrode portion in the transparent electrode 1 is characterized in that it has a predetermined film thickness and is formed at a predetermined film formation rate, as will be described in detail later. Further, the nitrogen-containing layer 3 provided adjacent to the electrode layer 5 is a layer formed using a material having a specific relationship with the electrode material constituting the electrode layer 5, for example.

以下に、このような積層構造の透明電極１が設けられる透明基板１１、透明電極１を構成する窒素含有層３、および電極層５の順に、詳細な構成を説明する。尚、本発明の透明電極１の透明とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。   Below, a detailed structure is demonstrated in order of the transparent substrate 11 with which the transparent electrode 1 of such a laminated structure is provided, the nitrogen-containing layer 3 which comprises the transparent electrode 1, and the electrode layer 5. In FIG. In addition, the transparency of the transparent electrode 1 of the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.

＜透明基板１１＞
本発明の透明電極１が形成される透明基板１１は、例えば表示パネルの前面板を兼ねるものであっても良い。このような透明基板１１としては、例えばガラス、石英、透明樹脂フィルムである。<Transparent substrate 11>
The transparent substrate 11 on which the transparent electrode 1 of the present invention is formed may also serve as a front plate of a display panel, for example. Examples of such a transparent substrate 11 include glass, quartz, and a transparent resin film.

ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、窒素含有層３との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理を施したり、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成される。特に好ましい透明基板１１は、透明電極１およびこれを用いて構成されるタッチパネルや表示装置などの電子デバイスにフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。   Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. From the viewpoints of adhesion, durability, and smoothness with the nitrogen-containing layer 3 on the surface of these glass materials, if necessary, physical treatment such as polishing is performed, a film made of an inorganic material or an organic material, A hybrid film combining these films is formed. The particularly preferable transparent substrate 11 is a resin film that can give flexibility to the transparent electrode 1 and electronic devices such as a touch panel and a display device configured using the transparent electrode 1.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Is mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。このような被膜およびハイブリッド被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ2・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましい。またさらには、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１０-3ｍｌ／（ｍ2・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０-5ｇ／（ｍ2・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。On the surface of the resin film, a film made of an inorganic material or an organic material or a hybrid film combining these films may be formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) of 0.01 g / (measured by a method according to JIS-K-7129-1992. m 2 · 24 hours) or less of a barrier film (also referred to as a barrier film or the like) is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 10 −5 g / (m 2 · 24 hours) or less high barrier film is preferable.

以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層（有機層）の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   The material for forming the barrier film as described above may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. be able to. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

＜窒素含有層３＞
窒素含有層３は、図１の断面模式図に示すように、電極層５の下地として設けられる層である。この窒素含有層３は、例えば有機材料で構成された層であって、この上部に単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって電極層５が成膜されるような材料で構成されていれば良い。一例として、電極層５が銀または銀を主成分とした合金で構成される場合であれば、窒素含有層３は窒素原子（Ｎ）を含む有機材料を用いる構成が例示される。<Nitrogen-containing layer 3>
The nitrogen-containing layer 3 is a layer provided as a base for the electrode layer 5 as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. The nitrogen-containing layer 3 is a layer made of, for example, an organic material, and the electrode layer 5 is formed on the upper part by film growth of a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type). What is necessary is just to be comprised with the material. As an example, when the electrode layer 5 is made of silver or an alloy containing silver as a main component, the nitrogen-containing layer 3 is exemplified by a configuration using an organic material containing nitrogen atoms (N).

以上のような窒素含有層３を構成する窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物は、特に次のような化合物であることが好ましい。すなわち、窒素含有層３を構成する窒素原子（Ｎ）を含んだ化合物は、化合物に含有される窒素原子のうち、特に電極層５を構成する主材料である銀と安定的に結合する窒素原子の非共有電子対を［有効非共有電子対］とし、この［有効非共有電子対］の含有率が所定範囲であることを特徴としている。   The compound containing the nitrogen atom (N) constituting the nitrogen-containing layer 3 as described above is particularly preferably the following compound. That is, the compound containing the nitrogen atom (N) constituting the nitrogen-containing layer 3 is a nitrogen atom that stably bonds to silver, which is the main material constituting the electrode layer 5, among nitrogen atoms contained in the compound. The non-shared electron pair is [effective unshared electron pair], and the content ratio of the [effective unshared electron pair] is within a predetermined range.

ここで［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造を言い、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」(ｎ＝０、または自然数)個であることを条件としている。   Here, “effective unshared electron pair” means an unshared electron pair that is not involved in aromaticity and is not coordinated to a metal among the unshared electron pairs of the nitrogen atom contained in the compound. And The aromaticity here refers to an unsaturated cyclic structure in which atoms having π electrons are arranged in a ring, and is aromatic according to the so-called “Hückel's rule”. The condition is that the number is “4n + 2” (n = 0 or a natural number).

以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子の非共有電子対が、芳香族性に必須要素として直接的に関与しない非共有電子対、すなわち共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に芳香族性発現のために必須のものとして関与していない非共有電子対であれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対が芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。尚、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。   [Effective unshared electron pair] as described above refers to an unshared electron pair possessed by a nitrogen atom regardless of whether or not the nitrogen atom itself provided with the unshared electron pair is a hetero atom constituting an aromatic ring. Is selected depending on whether or not is involved in aromaticity. For example, even if a nitrogen atom is a hetero atom constituting an aromatic ring, the lone pair of the nitrogen atom does not directly participate as an essential element in aromaticity, that is, a conjugated unsaturated ring An unshared electron pair that is not involved in the delocalized π-electron system on the structure (aromatic ring) as an essential element for the expression of aromaticity is [effective unshared electron] It is counted as one of the pair. On the other hand, even if a nitrogen atom is not a heteroatom constituting an aromatic ring, if the lone pair of the nitrogen atom is involved in aromaticity, the lone pair of the nitrogen atom Are not counted as [valid unshared electron pairs]. In each compound, the number n of [effective unshared electron pairs] described above matches the number of nitrogen atoms having [effective unshared electron pairs].

次に、上述した［有効非共有電子対］について、具体例を挙げて詳細に説明する。   Next, the [effective unshared electron pair] described above will be described in detail with a specific example.

窒素原子は、第１５族元素であり、最外殻に５個の電子を有する。このうち３個の不対電子は他の原子との共有結合に用いられ、残りの２個は一対の非共有電子対となる。このため、通常、窒素原子の結合本数は３本である。   The nitrogen atom is a Group 15 element and has 5 electrons in the outermost shell. Of these, three unpaired electrons are used for covalent bonds with other atoms, and the remaining two become a pair of unshared electron pairs. For this reason, the number of bonds of nitrogen atoms is usually three.

例えば、窒素原子を有する基として、アミノ基（−ＮＲ１Ｒ２）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ１Ｒ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、シアノ基（−ＣＮ）、ジアゾ基（−Ｎ２）、アジド基（−Ｎ３）、ウレア結合（−ＮＲ１Ｃ＝ＯＮＲ２−）、イソチオシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、チオアミド基（−Ｃ（＝Ｓ）ＮＲ１Ｒ２）などが挙げられる。尚、Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ水素原子（Ｈ）または置換基である。これらの基を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していないため、［有効非共有電子対］に該当する。このうち、ニトロ基（−ＮＯ２）の窒素原子が有する非共有電子対は、酸素原子との共鳴構造に利用されているものの、以降の実施例で示すように良好な効果が得られていることから、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］として窒素上に存在すると考えられる。For example, as a group having a nitrogen atom, an amino group (—NR 1 R 2 ), an amide group (—C (═O) NR 1 R 2 ), a nitro group (—NO 2 ), a cyano group (—CN), diazo Group (—N 2 ), azide group (—N 3 ), urea bond (—NR 1 C═ONR 2 —), isothiocyanate group (—N═C═S), thioamide group (—C (═S) NR 1 R 2 ) and the like. R 1 and R 2 are each a hydrogen atom (H) or a substituent. The non-shared electron pair of the nitrogen atom constituting these groups does not participate in aromaticity and is not coordinated to the metal, and thus corresponds to [effective unshared electron pair]. Among these, the unshared electron pair possessed by the nitrogen atom of the nitro group (—NO 2 ) is used for the resonance structure with the oxygen atom, but has a good effect as shown in the following examples. Therefore, it is considered that it exists on nitrogen as an [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to a metal.

また、窒素原子は、非共有電子対を利用することで４本目の結合を作り出すこともできる。この場合の一例を図２を用いて説明する。図２は、テトラブチルアンモニウムクロライド（ＴＢＡＣ）の構造式と、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］の構造式である。A nitrogen atom can also create a fourth bond by using an unshared electron pair. An example of this case will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows the structural formula of tetrabutylammonium chloride (TBAC) and the structural formula of tris (2-phenylpyridine) iridium (III) [Ir (ppy) 3 ].

このうち、ＴＢＡＣは、四つのブチル基のうちの１つが窒素原子とイオン結合しており、対イオンとして塩化物イオンを有する第四級アンモニウム塩である。この場合、窒素原子の非共有電子対を構成する電子のうちの１つは、ブチル基とのイオン結合に供与される。このため、ＴＢＡＣの窒素原子は、そもそも非共有電子対が存在していないと同等になる。したがって、ＴＢＡＣを構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。   Among these, TBAC is a quaternary ammonium salt in which one of four butyl groups is ionically bonded to a nitrogen atom and has a chloride ion as a counter ion. In this case, one of the electrons constituting the unshared electron pair of the nitrogen atom is donated to the ionic bond with the butyl group. For this reason, the nitrogen atom of TBAC is equivalent to the absence of an unshared electron pair in the first place. Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting TBAC does not correspond to the [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to the metal.

また、Ｉｒ（ｐｐｙ）３は、イリジウム原子と窒素原子とが配位結合している中性の金属錯体である。このＩｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対は、イリジウム原子に配位していて、配位結合に利用されている。したがって、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を構成する窒素原子の非共有電子対も、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。Ir (ppy) 3 is a neutral metal complex in which an iridium atom and a nitrogen atom are coordinated. The unshared electron pair of the nitrogen atom constituting this Ir (ppy) 3 is coordinated to the iridium atom, and is utilized for coordination bonding. Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting Ir (ppy) 3 does not correspond to the [effective unshared electron pair] that is not involved in aromaticity and coordinated to the metal.

また、窒素原子は、芳香環を構成することのできるヘテロ原子として一般的であり、芳香族性の発現に寄与することができる。この「含窒素芳香環」としては、たとえば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。   Moreover, a nitrogen atom is general as a hetero atom which can comprise an aromatic ring, and can contribute to the expression of aromaticity. Examples of the “nitrogen-containing aromatic ring” include pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring, tetrazole ring and the like.

図３は、以上に例示した基のうちの一つであるピリジン環の構造式と分子軌道を示す図である。図３に示すとおり、ピリジン環は、６員環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、非局在化したπ電子の数が６個であるため、４ｎ＋２（ｎ＝０または自然数）のヒュッケル則を満たす。６員環内の窒素原子は、−ＣＨ＝を置換したものであるため、１個の不対電子を６π電子系に動員するのみで、非共有電子対は芳香族性発現のために必須のものとして関与していない。   FIG. 3 is a diagram showing a structural formula and molecular orbitals of a pyridine ring which is one of the groups exemplified above. As shown in FIG. 3, in the conjugated (resonant) unsaturated ring structure in which the pyridine ring is arranged in a 6-membered ring, the number of delocalized π electrons is 6, so that 4n + 2 (n = 0 or natural number) Satisfy Hückel's law. Since the nitrogen atom in the 6-membered ring is substituted with —CH═, only one unpaired electron is mobilized to the 6π-electron system, and the unshared electron pair is essential for the expression of aromaticity. Not involved as a thing.

したがって、ピリジン環を構成する窒素原子の非共有電子対は、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］に該当する。   Therefore, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting the pyridine ring corresponds to an [effective unshared electron pair] that does not participate in aromaticity and is not coordinated to the metal.

図４は、ピロール環の構造式と分子軌道を示す図である。図４に示すとおり、ピロール環は、５員環を構成する炭素原子のうちの一つが窒素原子に置換された構造であるが、やはりπ電子の数は６個であり、ヒュッケル則を満たした含窒素芳香環である。ピロール環の窒素原子は、水素原子とも結合しているため、非共有電子対が６π電子系に動員される。   FIG. 4 shows the structural formula and molecular orbitals of the pyrrole ring. As shown in FIG. 4, the pyrrole ring has a structure in which one of the carbon atoms constituting the five-membered ring is substituted with a nitrogen atom, but the number of π electrons is also six and satisfies the Hückel rule. Nitrogen-containing aromatic ring. Since the nitrogen atom of the pyrrole ring is also bonded to a hydrogen atom, an unshared electron pair is mobilized to the 6π electron system.

したがって、ピロール環の窒素原子は、非共有電子対を有するものの、この非共有電子対は、芳香族性発現のために必須のものとして利用されているため、芳香族性に関与せずかつ金属に配位していない［有効非共有電子対］には該当しない。   Therefore, although the nitrogen atom of the pyrrole ring has an unshared electron pair, since this unshared electron pair is used as an essential element for the expression of aromaticity, it does not participate in aromaticity and is a metal. It does not fall under [Effective unshared electron pairs] that are not coordinated to.

図５は、イミダゾール環の構造式と分子軌道を示す図である。図５に示すとおり、イミダゾール環は、二つの窒素原子Ｎ１，Ｎ２が、５員環内の１、３位に置換した構造を有しており、やはりπ電子数が６個の含窒素芳香環である。このうち一つの窒素原子Ｎ１は、１個の不対電子のみを６π電子系に動員し、非共有電子対を芳香族性発現のために利用していないピリジン環型の窒素原子であり、この窒素原子Ｎ１の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当する。これに対して、他方の窒素原子Ｎ２は、非共有電子対を６π電子系に動員しているピロール環型の窒素原子であるため、この窒素原子Ｎ２の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。FIG. 5 is a diagram showing the structural formula and molecular orbitals of the imidazole ring. As shown in FIG. 5, the imidazole ring has a structure in which two nitrogen atoms N 1 and N 2 are substituted at the 1- and 3-positions in a 5-membered ring, and the nitrogen-containing π-electron number is also 6 It is an aromatic ring. Of these, one nitrogen atom N 1 is a pyridine ring-type nitrogen atom that mobilizes only one unpaired electron to the 6π-electron system and does not utilize the unshared electron pair for the expression of aromaticity, This unshared electron pair of the nitrogen atom N 1 corresponds to [effective unshared electron pair]. On the other hand, since the other nitrogen atom N 2 is a pyrrole-ring-type nitrogen atom that mobilizes the unshared electron pair to the 6π electron system, the unshared electron pair of this nitrogen atom N 2 is Does not fall under [Unshared electron pair].

したがって、イミダゾール環においては、これを構成する二つの窒素原子Ｎ１，Ｎ２のうちの一つの窒素原子Ｎ１の非共有電子対のみが、［有効非共有電子対］に該当する。Therefore, in the imidazole ring, only the unshared electron pair of one nitrogen atom N 1 out of the two nitrogen atoms N 1 and N 2 constituting the ring corresponds to the “effective unshared electron pair”.

以上のような「含窒素芳香環」の窒素原子における非共有電子対の選別は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物の場合も同様に適用される。   The selection of the unshared electron pair at the nitrogen atom of the “nitrogen-containing aromatic ring” as described above is similarly applied to a condensed ring compound having a nitrogen-containing aromatic ring skeleton.

図６は、δ−カルボリン環の構造式と分子軌道を示す図である。図６に示すとおり、δ−カルボリン環は、含窒素芳香環骨格を有する縮合環化合物であり、ベンゼン環骨格、ピロール環骨格、およびピリジン環骨格がこの順に縮合したアザカルバゾール化合物である。このうち、ピリジン環の窒素原子Ｎ３は１個の不対電子のみをπ電子系に動員し、ピロール環の窒素原子Ｎ４は非共有電子対をπ電子系に動員しており、環を形成している炭素原子からの１１個のπ電子とともに、全体のπ電子数が１４個の芳香環となっている。FIG. 6 is a diagram showing the structural formula and molecular orbital of the δ-carboline ring. As shown in FIG. 6, the δ-carboline ring is a condensed ring compound having a nitrogen-containing aromatic ring skeleton, and is an azacarbazole compound in which a benzene ring skeleton, a pyrrole ring skeleton, and a pyridine ring skeleton are condensed in this order. Of these, the nitrogen atom N 3 of the pyridine ring mobilizes only one unpaired electron to the π-electron system, and the nitrogen atom N 4 of the pyrrole ring mobilizes an unshared electron pair to the π-electron system. Together with the 11 π electrons from the carbon atoms that are formed, the total number of π electrons is an aromatic ring of 14.

したがって、δ-カルボリン環の二つの窒素原子Ｎ３，Ｎ４のうち、ピリジン環を構成する窒素原子Ｎ３の非共有電子対は［有効非共有電子対］に該当するが、ピロール環を構成する窒素原子Ｎ４の非共有電子対は、［有効非共有電子対］に該当しない。Therefore, among the two nitrogen atoms N 3 and N 4 of the δ-carboline ring, the unshared electron pair of the nitrogen atom N 3 constituting the pyridine ring corresponds to [effective unshared electron pair], but constitutes a pyrrole ring. The unshared electron pair of the nitrogen atom N 4 that does not correspond to [Effective unshared electron pair].

このように、縮合環化合物を構成する窒素原子の非共有電子対は、縮合環化合物を構成するピリジン環やピロール環等の単環化合物中の結合と同様に、縮合環化合物中の結合に関与する。   In this way, the unshared electron pair of the nitrogen atom constituting the condensed ring compound is involved in the bond in the condensed ring compound as well as the bond in the monocyclic compound such as pyridine ring and pyrrole ring constituting the condensed ring compound. To do.

そして以上説明した［有効非共有電子対］は、電極層５の主成分である銀と強い相互作用を発現するために重要である。そのような［有効非共有電子対］を有する窒素原子は、安定性、耐久性の観点から、含窒素芳香環中の窒素原子であることが好ましい。したがって、窒素含有層３に含有される化合物は、［有効非共有電子対］を持つ窒素原子をヘテロ原子とした芳香族複素環を有することが好ましい。   The [effective unshared electron pair] described above is important for exhibiting a strong interaction with silver which is the main component of the electrode layer 5. The nitrogen atom having such an [effective unshared electron pair] is preferably a nitrogen atom in the nitrogen-containing aromatic ring from the viewpoint of stability and durability. Therefore, the compound contained in the nitrogen-containing layer 3 preferably has an aromatic heterocycle having a nitrogen atom having [effective unshared electron pair] as a hetero atom.

特に本実施形態においては、このような化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、例えば有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義する。そして窒素含有層３は、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０-3≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物を用いて構成されているところが特徴的である。また窒素含有層３は、以上のように定義される有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、３．９×１０-3≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば好ましく、６．５×１０-3≦［ｎ／Ｍ］の範囲であればさらに好ましい。Particularly in the present embodiment, the number n of [effective unshared electron pairs] with respect to the molecular weight M of such a compound is defined as, for example, the effective unshared electron pair content [n / M]. The nitrogen-containing layer 3 is characterized in that this [n / M] is composed of a compound selected so that 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M]. The nitrogen-containing layer 3 preferably has an effective unshared electron pair content [n / M] defined as described above in a range of 3.9 × 10 −3 ≦ [n / M]. More preferably, the range is 5 × 10 −3 ≦ [n / M].

また窒素含有層３は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物を用いて構成されていれば良く、このような化合物のみで構成されていても良く、またこのような化合物と他の化合物とを混合して用いて構成されていても良い。他の化合物は、窒素原子が含有されていてもいなくても良く、さらに有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲でなくても良い。   The nitrogen-containing layer 3 only needs to be configured using a compound having an effective unshared electron pair content [n / M] within the predetermined range described above, or may be configured only with such a compound. Further, such a compound and other compounds may be mixed and used. The other compound may or may not contain a nitrogen atom, and the effective unshared electron pair content [n / M] may not be within the predetermined range described above.

窒素含有層３が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。つまり窒素含有層３自体の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であることが好ましい。   When the nitrogen-containing layer 3 is configured using a plurality of compounds, for example, based on the mixing ratio of the compounds, the molecular weight M of the mixed compound obtained by mixing these compounds is obtained, and [effective non- The total number n of [shared electron pairs] is obtained as an average value of the effective unshared electron pair content [n / M], and this value is preferably within the predetermined range described above. That is, the effective unshared electron pair content [n / M] of the nitrogen-containing layer 3 itself is preferably within a predetermined range.

尚、窒素含有層３が、複数の化合物を用いて構成されている場合であって、膜厚方向に化合物の混合比（含有比）が異なる構成であれば、電極層５と接する側の窒素含有層３の表面層における有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が所定範囲であれば良い。   In addition, if the nitrogen-containing layer 3 is composed of a plurality of compounds and the composition ratio (content ratio) of the compounds is different in the film thickness direction, the nitrogen on the side in contact with the electrode layer 5 The effective unshared electron pair content [n / M] in the surface layer of the containing layer 3 may be in a predetermined range.

［化合物Ｉ］
以下に、窒素含有層３を構成する化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０-3≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物の具体例（No.１〜No.４８）を示す。各化合物No.１〜No.４８には、［有効非共有電子対］を有する窒素原子に対して○を付した。また、下記表１には、これらの化合物No.１〜No.４８の分子量Ｍ、［有効非共有電子対］の数ｎ、および有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を示す。下記化合物３３の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。[Compound I]
Hereinafter, specific examples of the compound constituting the nitrogen-containing layer 3 satisfying the above-described effective unshared electron pair content [n / M] of 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] (No. 1 to No. 48). In each compound No. 1 to No. 48, a nitrogen atom having an [effective unshared electron pair] was marked with a circle. Table 1 below shows the molecular weight M of these compounds No. 1 to No. 48, the number n of [effective unshared electron pairs], and the effective unshared electron pair content [n / M]. In the copper phthalocyanine of the following compound 33, unshared electron pairs that are not coordinated to copper among the unshared electron pairs of the nitrogen atom are counted as [effective unshared electron pairs].

尚、上記表１には、これらの例示化合物が、以降に説明する他の化合物を表す一般式（１）〜（８ａ）にも属する場合の該当一般式を示した。   In Table 1, the general formulas in the case where these exemplary compounds also belong to the general formulas (1) to (8a) representing other compounds described below are shown.

［化合物II］
また窒素含有層３を構成する化合物としては、以上のような有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲である化合物に加え、他の化合物を用いても良い。窒素含有層３に用いられる他の化合物は、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した所定範囲で有る無しにかかわらず、窒素原子を含有する化合物が好ましく用いられる。中でも［有効非共有電子対］を有する窒素原子を含有する化合物が特に好ましく用いられる。また、窒素含有層３に用いられる他の化合物は、この窒素含有層３を備えた透明電極１が適用される電子デバイスごとに必要とされる性質を有する化合物が用いられる。例えば、この透明電極１が、タッチパネル用透明電極として用いられる場合、その成膜性の観点から、窒素含有層３を構成する化合物として、以降に説明する一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物が好ましく用いられる。[Compound II]
Moreover, as a compound which comprises the nitrogen containing layer 3, in addition to the compound whose effective unshared electron pair content rate [n / M] is the predetermined range mentioned above, you may use another compound. As the other compound used for the nitrogen-containing layer 3, a compound containing a nitrogen atom is preferably used regardless of whether the effective unshared electron pair content [n / M] is in the predetermined range described above. Among them, a compound containing a nitrogen atom having [effective unshared electron pair] is particularly preferably used. Moreover, the compound which has a property required for every electronic device to which the transparent electrode 1 provided with this nitrogen-containing layer 3 is applied is used for the other compound used for the nitrogen-containing layer 3. For example, when this transparent electrode 1 is used as a transparent electrode for a touch panel, it is represented by the general formulas (1) to (8a) described below as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 from the viewpoint of film formability. A compound having the structure is preferably used.

これらの一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる（上記表１参照）。一方、下記一般式（１）〜（８ａ）で示される構造を有する化合物が、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまらない化合物であれば、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が上述した範囲の化合物と混合することで窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる。   Among the compounds having the structures represented by the general formulas (1) to (8a), compounds that fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above are included, and such compounds If so, it can be used alone as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 (see Table 1 above). On the other hand, if the compound having the structure represented by the following general formulas (1) to (8a) is a compound that does not fall within the range of the effective unshared electron pair content [n / M] described above, the effective unshared electron pair It can be used as a compound constituting the nitrogen-containing layer 3 by mixing with a compound having a content ratio [n / M] in the range described above.

上記一般式（１）中におけるＸ１１は、−Ｎ（Ｒ１１）−または−Ｏ−を表す。また一般式（１）中におけるＥ１０１〜Ｅ１０８は、各々−Ｃ（Ｒ１２）＝または−Ｎ＝を表す。Ｅ１０１〜Ｅ１０８のうち少なくとも１つは−Ｎ＝である。上記Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれが水素原子（Ｈ）または置換基を表す。   X11 in the general formula (1) represents -N (R11)-or -O-. E101 to E108 in the general formula (1) each represent -C (R12) = or -N =. At least one of E101 to E108 is -N =. R11 and R12 each represent a hydrogen atom (H) or a substituent.

この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（上記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。   Examples of this substituent include alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group). Etc.), cycloalkyl groups (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl groups (for example, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl groups (for example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon groups (aromatic Also called group carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group , Pyrenyl group, biphenylyl group), aromatic heterocyclic group (for example, Furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group Any carbon atom constituting the carboline ring is substituted with a nitrogen atom), phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group ( For example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group ( For example, Nonoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group) Etc.), arylthio groups (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl groups (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryl Oxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group) Group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, Acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (For example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenyl group Carbonyloxy group, etc.), amide groups (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonyl) Amino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexyl) Aminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl Bonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido) Group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2 -Pyridylsulfinyl group etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2 -Ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, amino group, ethylamino group, Dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, piperidyl group (also called piperidinyl group), 2,2,6,6 -Tetramethylpiperidinyl group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluoro) Phenyl group, etc.), cyano group Nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphate ester group (for example, dihexyl phosphoryl group, etc.), phosphorous acid An ester group (for example, diphenylphosphinyl group etc.), a phosphono group etc. are mentioned.

これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。これらの置換基は、化合物と銀（Ａｇ）との相互作用を阻害することのないものが好ましく用いられ、さらには上述した有効非共有電子対を有する窒素原子を有するものが特に好ましく適用される。尚、以上の置換基に関する記述は、以降に説明する一般式（２）〜（８ａ）の説明において示される置換基において同様に適用される。   Some of these substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring. As these substituents, those which do not inhibit the interaction between the compound and silver (Ag) are preferably used, and those having a nitrogen atom having an effective unshared electron pair described above are particularly preferably applied. . In addition, the description regarding the above substituent applies similarly to the substituent shown in description of general formula (2)-(8a) demonstrated below.

以上のような一般式（１）で表される構造を有する化合物は、化合物中の窒素原子と、電極層５を構成する銀との間で強力な相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1) as described above is preferable because a strong interaction can be expressed between the nitrogen atom in the compound and the silver constituting the electrode layer 5.

上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｎ（Ｒ１１）−とした化合物である。このような化合物であれば、上記相互作用をより強力に発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (1), and X11 in the general formula (1) is -N (R11)-. A compound. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more strongly.

上記一般式（１ａ−１）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a-1) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (1a), and a compound in which E104 in the general formula (1a) is -N = It is. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

上記一般式（１ａ−２）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１ａ）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１ａ）におけるＥ１０３およびＥ１０６を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物は、窒素原子の数が多いことから、より強力に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1a-2) is another embodiment of the compound having the structure represented by the general formula (1a), and E103 and E106 in the general formula (1a) are represented by —N This is a compound marked with =. Such a compound is preferable because the number of nitrogen atoms is large and the above interaction can be expressed more strongly.

上記一般式（１ｂ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（１）で示される構造を有する化合物の他の一形態であり、一般式（１）におけるＸ１１を−Ｏ−とし、Ｅ１０４を−Ｎ＝とした化合物である。このような化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   The compound having the structure represented by the general formula (1b) is another embodiment of the compound having the structure represented by the general formula (1), and X11 in the general formula (1) is represented by -O-. -N = is a compound. Such a compound is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

さらに、以下の一般式（２）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物であれば、より効果的に上記相互作用を発現できるため、好ましい。   Furthermore, a compound having a structure represented by the following general formulas (2) to (8a) is preferable because the above interaction can be expressed more effectively.

上記一般式（２）は、一般式（１）の一形態でもある。上記一般式（２）の式中、Ｙ２１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ２０１〜Ｅ２１６、Ｅ２２１〜Ｅ２３８は、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝または−Ｎ＝を表す。Ｒ２１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。ただし、Ｅ２２１〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、およびＥ２３０〜Ｅ２３８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｋ２１およびｋ２２は０〜４の整数を表すが、ｋ２１＋ｋ２２は２以上の整数である。   The general formula (2) is also an embodiment of the general formula (1). In the formula of the general formula (2), Y21 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof. E201 to E216 and E221 to E238 each represent -C (R21) = or -N =. R21 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. However, at least one of E221 to E229 and at least one of E230 to E238 represents -N =. k21 and k22 represent an integer of 0 to 4, but k21 + k22 is an integer of 2 or more.

一般式（２）において、Ｙ２１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the arylene group represented by Y21 include an o-phenylene group, a p-phenylene group, a naphthalenediyl group, an anthracenediyl group, a naphthacenediyl group, a pyrenediyl group, a naphthylnaphthalenediyl group, and a biphenyldiyl group. Groups (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), terphenyldiyl group, quaterphenyldiyl group And kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octiphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group and the like.

また一般式（２）において、Ｙ２１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。   In the general formula (2), examples of the heteroarylene group represented by Y21 include a carbazole ring, a carboline ring, a diazacarbazole ring (also referred to as a monoazacarboline ring, and one of carbon atoms constituting the carboline ring is nitrogen. The ring structure is replaced by an atom), a triazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a quinoxaline ring, a thiophene ring, an oxadiazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and an indole ring. And the like.

Ｙ２１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。   As a preferred embodiment of the divalent linking group consisting of an arylene group, heteroarylene group or a combination thereof represented by Y21, among the heteroarylene groups, a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is used. A group derived from a condensed aromatic heterocyclic ring formed by condensing three or more rings is preferably included, and a group derived from a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring is preferable. Are preferred.

一般式（２）において、Ｅ２０１〜Ｅ２０８のうちの６つ以上、およびＥ２０９〜Ｅ２１６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。   In General formula (2), it is preferable that 6 or more of E201 to E208 and 6 or more of E209 to E216 are each represented by -C (R21) =.

一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９の少なくとも１つ、およびＥ２３４〜Ｅ２３８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。   In the general formula (2), it is preferable that at least one of E225 to E229 and at least one of E234 to E238 represent -N =.

さらには、一般式（２）において、Ｅ２２５〜Ｅ２２９のいずれか１つ、およびＥ２３４〜Ｅ２３８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。   Furthermore, in General formula (2), it is preferable that any one of E225-E229 and any one of E234-E238 represent -N =.

また、一般式（２）において、Ｅ２２１〜Ｅ２２４およびＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。   Moreover, in General formula (2), it is mentioned as a preferable aspect that E221-E224 and E230-E233 are each represented by -C (R21) =.

さらに、一般式（２）で表される構造を有する化合物において、Ｅ２０３が−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ２１１も同時に−Ｃ（Ｒ２１）＝で表され、かつＲ２１が連結部位を表すことが好ましい。   Further, in the compound having the structure represented by the general formula (2), it is preferable that E203 is represented by -C (R21) = and R21 represents a linking site, and E211 is also -C (R21). And R21 preferably represents a linking moiety.

さらに、Ｅ２２５及びＥ２３４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ２２１〜Ｅ２２４およびＥ２３０〜Ｅ２３３が、各々−Ｃ（Ｒ２１）＝で表されることが好ましい。   Further, E225 and E234 are preferably represented by -N =, and E221 to E224 and E230 to E233 are each preferably represented by -C (R21) =.

上記一般式（３）は、一般式（１ａ−２）の一形態でもある。上記一般式（３）の式中、Ｅ３０１〜Ｅ３１２は、各々−Ｃ（Ｒ３１）＝を表し、Ｒ３１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。また、Ｙ３１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。   The general formula (3) is also an embodiment of the general formula (1a-2). In the general formula (3), E301 to E312 each represent —C (R31) ═, and R31 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Y31 represents a divalent linking group composed of an arylene group, a heteroarylene group, or a combination thereof.

また一般式（３）において、Ｙ３１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（２）のＹ２１と同様のものが挙げられる。   Moreover, in General formula (3), as a preferable aspect of the bivalent coupling group which consists of an arylene group represented by Y31, heteroarylene group, or those combinations, the thing similar to Y21 of General formula (2) is mentioned. .

上記一般式（４）は、一般式（１ａ−１）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ４０１〜Ｅ４１４は、各々−Ｃ（Ｒ４１）＝を表し、Ｒ４１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。またＡｒ４１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらにｋ４１は３以上の整数を表す。   The general formula (4) is also an embodiment of the general formula (1a-1). In the general formula (4), E401 to E414 each represent -C (R41) =, and R41 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar41 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring. Furthermore, k41 represents an integer of 3 or more.

また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（１）のＲ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic hydrocarbon ring, the aromatic hydrocarbon ring includes benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene Ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen And a ring, a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

また一般式（４）において、Ａｒ４１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。尚、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が１つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１１，Ｒ１２として例示した置換基を有しても良い。   In the general formula (4), when Ar41 represents an aromatic heterocycle, the aromatic heterocycle includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, Triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring And azacarbazole ring. The azacarbazole ring refers to one in which at least one carbon atom of the benzene ring constituting the carbazole ring is replaced with a nitrogen atom. These rings may further have the substituents exemplified as R11 and R12 in the general formula (1).

上記一般式（５）の式中、Ｒ５１は置換基を表す。Ｅ５０１，Ｅ５０２、Ｅ５１１〜Ｅ５１５、Ｅ５２１〜Ｅ５２５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝または−Ｎ＝を表す。Ｅ５０３〜Ｅ５０５は、各々−Ｃ（Ｒ５２）＝を表す。Ｒ５２は、水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ｅ５０１およびＥ５０２のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５１１〜Ｅ５１５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝であり、Ｅ５２１〜Ｅ５２５のうちの少なくとも１つは−Ｎ＝である。   In the general formula (5), R51 represents a substituent. E501, E502, E511 to E515, E521 to E525 each represent -C (R52) = or -N =. E503 to E505 each represent -C (R52) =. R52 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. At least one of E501 and E502 is -N =, at least one of E511-E515 is -N =, and at least one of E521-E525 is -N =.

上記一般式（６）の式中、Ｅ６０１〜Ｅ６１２は、各々−Ｃ（Ｒ６１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ６１は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。またＡｒ６１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。   In the general formula (6), E601 to E612 each represent —C (R61) ═ or —N═, and R61 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar61 represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring.

また一般式（６）において、Ａｒ６１が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。   In the general formula (6), examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle represented by Ar61 include those similar to Ar41 in the general formula (4).

上記一般式（７）の式中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表し、Ａｒ７１は、芳香族炭化水素環基あるいは芳香族複素環基を表す。   In the general formula (7), R71 to R73 each represents a hydrogen atom (H) or a substituent, and Ar71 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

また一般式（７）において、Ａｒ７１が表す、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。   In the general formula (7), the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring represented by Ar71 may be the same as Ar41 in the general formula (4).

上記一般式（８）は、一般式（７）の一形態でもある。上記一般式（８）の式中、Ｒ８１〜Ｒ８６は、各々水素原子（Ｈ）又は置換基を表す。Ｅ８０１〜Ｅ８０３は、各々−Ｃ（Ｒ８７）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ８７は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ａｒ８１は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基を表す。   The general formula (8) is also a form of the general formula (7). In the general formula (8), R81 to R86 each represent a hydrogen atom (H) or a substituent. E801 to E803 each represent —C (R87) ═ or —N═, and R87 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. Ar81 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

また一般式（８）において、Ａｒ８１が表す、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（４）のＡｒ４１と同様のものが挙げられる。   In the general formula (8), the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring represented by Ar81 may be the same as Ar41 in the general formula (4).

上記一般式（８ａ）で示される構造を有する化合物は、上記一般式（８）で示される構造を有する化合物の一形態であり、一般式（８）におけるＡｒ８１がカルバゾール誘導体である。上記一般式（８ａ）の式中、Ｅ８０４〜Ｅ８１１は、各々−Ｃ（Ｒ８８）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ８８は水素原子（Ｈ）または置換基を表す。Ｅ８０８〜Ｅ８１１のうち少なくとも一つは−Ｎ＝であり、Ｅ８０４〜Ｅ８０７、Ｅ８０８〜Ｅ８１１は、各々互いに結合して新たな環を形成してもよい。   The compound having the structure represented by the general formula (8a) is one form of the compound having the structure represented by the general formula (8), and Ar81 in the general formula (8) is a carbazole derivative. In the general formula (8a), E804 to E811 each represent —C (R88) ═ or —N═, and R88 represents a hydrogen atom (H) or a substituent. At least one of E808 to E811 is -N =, and E804 to E807 and E808 to E811 may be bonded to each other to form a new ring.

［化合物III］
また窒素含有層３を構成するさらに他の化合物として、以上のような一般式（１）〜（８ａ）で表される構造を有する化合物の他、下記に具体例を示す化合物１〜１６６が例示される。これらの化合物は、電極層５を構成する銀と相互作用する窒素原子を含有する化合物であって、成膜性の観点から好ましい材料である。尚、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の範囲に当てはまる化合物も含まれ、このような化合物であれば単独で窒素含有層３を構成する化合物として用いることができる。さらに、これらの化合物１〜１６６の中には、上述した一般式（１）〜（８ａ）に当てはまる化合物もある。[Compound III]
Further, as other compounds constituting the nitrogen-containing layer 3, in addition to the compounds having the structures represented by the general formulas (1) to (8a) as described above, compounds 1 to 166 shown below as specific examples are exemplified. Is done. These compounds are compounds containing nitrogen atoms that interact with silver constituting the electrode layer 5, and are preferable materials from the viewpoint of film formability. In addition, in these compounds 1-166, the compound applicable to the range of the above-mentioned effective unshared electron pair content [n / M] is also included, and if it is such a compound, the nitrogen-containing layer 3 is formed alone. It can be used as a constituent compound. Furthermore, among these compounds 1-166, there are compounds that fall under the general formulas (1)-(8a) described above.

［化合物の合成例］
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。[Examples of compound synthesis]
Specific examples of the synthesis of compound 5 are shown below as typical synthesis examples of the compound, but are not limited thereto.

工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、２，８−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中で混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、減圧雰囲気下において洗浄物から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１）にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。Step 1: (Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 2,8-dibromodibenzofuran (1.0 mol), carbazole (2.0 mol), copper powder (3.0 mol), potassium carbonate (1.5 mol), DMAc (dimethylacetamide) 300 ml Mixed in and stirred at 130 ° C. for 24 hours. The reaction solution thus obtained was cooled to room temperature, 1 L of toluene was added, washed with distilled water three times, the solvent was distilled off from the washed product under a reduced pressure atmosphere, and the residue was subjected to silica gel flash chromatography (n-heptane: Purification was performed using toluene = 4: 1 to 3: 1), and Intermediate 1 was obtained with a yield of 85%.

工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。Step 2: (Synthesis of Intermediate 2)
Intermediate 1 (0.5 mol) was dissolved in 100 ml of DMF (dimethylformamide) at room temperature under air, NBS (N-bromosuccinimide) (2.0 mol) was added, and the mixture was stirred overnight at room temperature. The resulting precipitate was filtered and washed with methanol, yielding intermediate 2 in 92% yield.

工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η６−Ｃ６Ｈ６）ＲｕＣｌ２］２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。Step 3: (Synthesis of Compound 5)
Under a nitrogen atmosphere, intermediate 2 (0.25 mol), 2-phenylpyridine (1.0 mol), ruthenium complex [(η 6 -C 6 H 6 ) RuCl 2 ] 2 (0.05 mol), triphenyl Phosphine (0.2 mol) and potassium carbonate (12 mol) were mixed in 3 L of NMP (N-methyl-2-pyrrolidone) and stirred at 140 ° C. overnight.

反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。次いで減圧雰囲気下（８００Ｐａ、８０℃）において濾液から溶媒を留去し、その残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：Ｅｔ３Ｎ＝２０：１〜１０：１）にて精製した。After cooling the reaction solution to room temperature, 5 L of dichloromethane was added, and the reaction solution was filtered. Next, the solvent was distilled off from the filtrate under reduced pressure (800 Pa, 80 ° C.), and the residue was purified by silica gel flash chromatography (CH 2 Cl 2 : Et 3 N = 20: 1 to 10: 1).

減圧雰囲気下において、精製物から溶媒を留去した後、その残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。洗浄によって得られた物質を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧雰囲気下において乾燥後の物質から溶媒を留去することにより、化合物５を収率６８％で得た。   After distilling off the solvent from the purified product under reduced pressure, the residue was dissolved again in dichloromethane and washed three times with water. The material obtained by washing was dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off from the dried material in a reduced-pressure atmosphere to obtain Compound 5 in a yield of 68%.

＜電極層５＞
電極層５は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された銀または銀を主成分とした合金で構成された層であって、透明基板１１または窒素含有層３に隣接して設けられた層であり、ここでは一例として窒素含有層３上に成膜された層である。この電極層５は、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有する。電極層５は、シート抵抗の測定が可能な膜厚とすることにより、電極層５を構成する金属が面内方向においての２次元的な連続性を備えたものとなり、電極用の膜としての実用性が確保されている。また電極層５は、１２ｎｍ以下の膜厚であることにより、電極層５における吸収成分または反射成分が低く抑えられ、透明電極１の光透過率が確保されている。また、電極層５は、少なくとも厚さが４ｎｍ以上あれば、透明電極１の導電性が確保される。<Electrode layer 5>
The electrode layer 5 is a layer made of silver or a silver-based alloy formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more, and is adjacent to the transparent substrate 11 or the nitrogen-containing layer 3. In this example, the layer is formed on the nitrogen-containing layer 3. This electrode layer 5 has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring the sheet resistance. By setting the electrode layer 5 to a film thickness that allows the sheet resistance to be measured, the metal constituting the electrode layer 5 has two-dimensional continuity in the in-plane direction, and serves as an electrode film. Practicality is ensured. Moreover, the electrode layer 5 has a film thickness of 12 nm or less, so that the absorption component or reflection component in the electrode layer 5 is kept low, and the light transmittance of the transparent electrode 1 is ensured. Moreover, if the electrode layer 5 has a thickness of at least 4 nm, the conductivity of the transparent electrode 1 is ensured.

このような電極層５を構成する金属は、例えば銀（Ａｇ）、または銀を主成分とした合金である。銀（Ａｇ）とは、銀の安定性を確保するために添加されるパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などを含んでいてもよく、銀の純度が９９％以上のものとする。また銀を主成分とした合金とは、銀の含有率が５０％以上のものとする。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀金（ＡｇＡｕ）、銀アルミ（ＡｇＡｌ）、銀亜鉛（ＡｇＺｎ）、銀錫（ＡｇＳｎ）、銀白金（ＡｇＰｔ）、銀チタン（ＡｇＴｉ）、銀ビスマス（ＡｇＢｉ）などが挙げられる。   The metal constituting the electrode layer 5 is, for example, silver (Ag) or an alloy containing silver as a main component. Silver (Ag) may contain palladium (Pd), copper (Cu), gold (Au), etc. added to ensure the stability of silver, and the purity of silver is 99% or more. And An alloy containing silver as a main component has a silver content of 50% or more. Examples of such alloys include silver magnesium (AgMg), silver copper (AgCu), silver palladium (AgPd), silver palladium copper (AgPdCu), silver indium (AgIn), silver gold (AgAu), silver aluminum (AgAl) Silver zinc (AgZn), silver tin (AgSn), silver platinum (AgPt), silver titanium (AgTi), silver bismuth (AgBi), and the like.

また以上のような電極層５は、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。   Further, the electrode layer 5 as described above may have a configuration in which silver or an alloy layer mainly composed of silver is divided into a plurality of layers as necessary.

また、上述の電極層５は、電極パターンとして形成されていることが好ましい。電極層５の電極パターンとしては、例えば、マトリクス状に複数の電極パターンが形成されていることが好ましい。マトリクス状の電極パターンとしては、複数のｘ電極パターンまたはｙ電極パターンを有し、各ｘ電極パターンまたはｙ電極パターンが、それぞれがｘ方向又はｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置される。これらの各ｘ電極パターン又はｙ電極パターンは、例えばｘ方向に配列されたひし形やその他の形状のパターン部分を、ｘ方向またはｙ方向に直線状に連結した形状とすることができる。また、各ｘ電極パターンとｙ電極パターンとは、絶縁膜を介することで絶縁されていることとする。さらにまた、各ｘ電極パターン、ｙ電極パターンの端部に、電極層５からなる配線パターンが接続され、透明基板１１上における周縁領域から端縁にこの配線パターンが引き出されていてもよい。   The electrode layer 5 is preferably formed as an electrode pattern. As an electrode pattern of the electrode layer 5, for example, it is preferable that a plurality of electrode patterns are formed in a matrix. The matrix electrode pattern has a plurality of x electrode patterns or y electrode patterns, and each x electrode pattern or y electrode pattern is spaced from each other with each extending in the x direction or y direction. Arranged in parallel. Each of these x electrode patterns or y electrode patterns may have a shape in which rhombuses or other pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction or the y direction. Further, each x electrode pattern and y electrode pattern are insulated by interposing an insulating film. Furthermore, the wiring pattern which consists of the electrode layer 5 may be connected to the edge part of each x electrode pattern and y electrode pattern, and this wiring pattern may be pulled out from the peripheral area on the transparent substrate 11 to an edge.

また、透明電極１は、ｘ電極パターン又はｙ電極パターンのいずれか一方の電極パターンを有する構成としてもよく、ｘ電極パターンとｙ電極パターンとの両方の電極パターンを有する構成としてもよい。さらに、電極パターンとしては、上記マトリクス状に限らず、他のパターンとしてもよい。   Further, the transparent electrode 1 may have a configuration having either an x electrode pattern or a y electrode pattern, or may have a configuration having both an x electrode pattern and a y electrode pattern. Furthermore, the electrode pattern is not limited to the matrix shape, and may be other patterns.

＜保護層＞
尚、以上のような電極層５を有する透明電極１は、電極層５を覆う状態で保護層を備えていてもよい。この場合、透明電極１の光透過性を損なうことのないように、保護層が光透過性を有することが好ましい。<Protective layer>
The transparent electrode 1 having the electrode layer 5 as described above may be provided with a protective layer so as to cover the electrode layer 5. In this case, it is preferable that the protective layer has light transparency so as not to impair the light transparency of the transparent electrode 1.

保護層は、透明電極１の電極層５を覆う板状又はフィルム状の部材や、電極層５を覆う無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層等から構成される。この保護層は、透明電極１において少なくとも電極層５を覆う状態で設けられている。   The protective layer includes a plate-like or film-like member that covers the electrode layer 5 of the transparent electrode 1, a protective layer that is configured using an inorganic material, an organic material, or a resin material that covers the electrode layer 5. This protective layer is provided so as to cover at least the electrode layer 5 in the transparent electrode 1.

保護層を構成する板状又はフィルム状の部材としては、上述の透明基板１１と同様の部材を用いることができる。なかでも、透明電極１を薄型化できることから、薄型の樹脂フィルムを好ましく使用することができる。   As a plate-like or film-like member constituting the protective layer, the same member as the above-described transparent substrate 11 can be used. Especially, since the transparent electrode 1 can be reduced in thickness, a thin resin film can be used preferably.

さらに樹脂フィルムは、透明基板１１と同様に、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されていてもよい。被膜は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０-3ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０-3ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが好ましい。Furthermore, as with the transparent substrate 11, the resin film may be formed with a coating made of an inorganic material or an organic material, or a hybrid coating combining these coatings. The film has an oxygen permeability of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less measured by a method according to JIS-K-7126-1987, and a method according to JIS-K-7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is preferably 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.

また、無機材料、有機材料又は樹脂材料を用いて構成された保護層としては、特に、水分や酸素等の電極層５に劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成されることが好ましい。このような材料として、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等の無機材料が用いられる。さらに封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としてもよい。   In addition, the protective layer composed of an inorganic material, an organic material, or a resin material is particularly composed of a material having a function of suppressing entry of a substance that causes deterioration of the electrode layer 5 such as moisture or oxygen. Is preferred. As such a material, for example, an inorganic material such as silicon oxide, silicon dioxide, or silicon nitride is used. Further, in order to improve the brittleness of the sealing film, a laminated structure may be formed by using a film made of an organic material together with a film made of these inorganic materials.

これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。   The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

＜透明電極１の製造方法＞
次に、透明電極１の製造方法を、図７を用いて説明する。<The manufacturing method of the transparent electrode 1>
Next, the manufacturing method of the transparent electrode 1 is demonstrated using FIG.

先ず図７Ａに示すように、透明基板１１上に、窒素含有層３を形成する。この窒素含有層３の形成は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用される。   First, as shown in FIG. 7A, the nitrogen-containing layer 3 is formed on the transparent substrate 11. The nitrogen-containing layer 3 is formed by a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, or a dip method, or a dry process such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, or a CVD method. The method to use etc. are mentioned. Among these, the vapor deposition method is preferably applied from the viewpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated.

尚、複数の化合物を用いて窒素含有層３を成膜する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着が適用される。また化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。化合物を溶解させる溶媒が限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素含有層３を成膜する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すれば良い。   In the case where the nitrogen-containing layer 3 is formed using a plurality of compounds, co-evaporation in which a plurality of compounds are simultaneously supplied from a plurality of evaporation sources is applied. If a polymer material is used as the compound, a coating method is preferably applied. In this case, a coating solution in which the compound is dissolved in a solvent is used. The solvent in which the compound is dissolved is not limited. Furthermore, if the nitrogen-containing layer 3 is formed using a plurality of compounds, a coating solution may be prepared using a solvent capable of dissolving the plurality of compounds.

次に図７Ｂに示すように、窒素含有層３上に隣接して、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度により、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金で構成された電極層５を成膜する。より好ましくは、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度により、電極層５を形成する。電極層５の成膜は、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、蒸着法が好ましく適用されるが、スパッタ法であっても良く、電極層５として用いられる材料によって適する成膜方法が選択される。また、電極層５は、窒素含有層３の上に成膜されることにより、成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであってもよい。   Next, as shown in FIG. 7B, adjacent to the nitrogen-containing layer 3, the film has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring the sheet resistance at a film formation rate of 0.3 nm / second or more, and silver or silver An electrode layer 5 made of an alloy containing as a main component is formed. More preferably, the electrode layer 5 is formed at a deposition rate of 0.5 nm / second or more. The electrode layer 5 is formed using a wet process such as a coating method, an inkjet method, a coating method, or a dip method, or a dry process such as a vapor deposition method (resistance heating, EB method, etc.), a sputtering method, or a CVD method. The method etc. are mentioned. Among these, the vapor deposition method is preferably applied from the viewpoint that it is easy to obtain a homogeneous film and that pinholes are not easily generated. However, a sputtering method may be used, and a composition suitable for the material used as the electrode layer 5 may be used. A membrane method is selected. In addition, the electrode layer 5 is formed on the nitrogen-containing layer 3 so that the electrode layer 5 is sufficiently conductive without a high-temperature annealing treatment after the film formation. The film may be subjected to high-temperature annealing after film formation.

尚、複数の材料を用いた電極層５の成膜において、スパッタ法を適用した電極層５の成膜を行う場合であれば、主材料である銀（Ａｇ）に対して添加する元素の濃度をあらかじめ調整されたスパッタターゲットを用意し、このスパッタターゲットを用いたスパッタ成膜を行う。また特に、添加する元素としてアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、インジウム（Iｎ）を用いる場合であれば、蒸着法を適用した電極層の成膜が行われる。この場合、これらの添加元素と銀（Ａｇ）とを共蒸着する。この際、添加元素の蒸着速度と銀（Ａｇ）の蒸着速度とをそれぞれ調整することにより、主材料である銀（Ａｇ）に対して添加する元素の添加濃度を調整した蒸着成膜を行う。   In addition, in the formation of the electrode layer 5 using a plurality of materials, if the electrode layer 5 to which the sputtering method is applied is formed, the concentration of the element added to the main material silver (Ag) Is prepared in advance, and sputtering film formation is performed using this sputtering target. In particular, when aluminum (Al), gold (Au), or indium (In) is used as the element to be added, an electrode layer to which an evaporation method is applied is formed. In this case, these additive elements and silver (Ag) are co-evaporated. Under the present circumstances, the vapor deposition film which adjusted the addition density | concentration of the element added with respect to silver (Ag) which is a main material by adjusting the vapor deposition rate of an additive element and the vapor deposition rate of silver (Ag), respectively is performed.

さらに、透明電極１の光透過性を阻害しないために、１２ｎｍ以下となるように電極層の厚さを設定することが好ましく、特に１０ｎｍ以下とすることが好ましい。電極層の厚さが１２ｎｍ以下では、その吸収成分および反射成分が低く抑えられ、透明電極１の光透過率が維持されるため好ましい。それに電極層５の厚さを１２ｎｍ以下とすることにより、タッチパネル用透明電極の光透過性がさらに向上する。   Furthermore, in order not to inhibit the light transmittance of the transparent electrode 1, the thickness of the electrode layer is preferably set to 12 nm or less, particularly preferably 10 nm or less. When the thickness of the electrode layer is 12 nm or less, the absorption component and the reflection component are suppressed low, and the light transmittance of the transparent electrode 1 is maintained, which is preferable. Moreover, the light transmittance of the transparent electrode for touch panels is further improved by setting the thickness of the electrode layer 5 to 12 nm or less.

以上により、透明基板１１上に所望の透明電極１が得られる。   As described above, a desired transparent electrode 1 is obtained on the transparent substrate 11.

＜透明電極１の効果＞
以上のような構成の透明電極１は、当該透明電極１を構成する電極層５が、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚であることにより、電極用の膜としての実用性を確保しつつも光の吸収成分または反射成分が低く抑えられたものとなる。また特に電極層５は、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜されたことにより、上述したように１２ｎｍ以下といった極薄膜でありながらも、確実にシート抵抗の測定が可能な導電性を有するものとなる。これは、後の実施例で詳細に説明するように、電極層５を０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜した場合には、極薄膜でありながらもシート抵抗の測定が可能な電極層５が形成されることからも確認された。また、成膜速度が０．５ｎｍ／秒以上であれば、さらにシート抵抗を低い値に抑えることができる。<Effect of transparent electrode 1>
The transparent electrode 1 having the above-described configuration ensures practicality as a film for an electrode because the electrode layer 5 constituting the transparent electrode 1 has a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance. However, the light absorption component or the reflection component is suppressed to a low level. In particular, the electrode layer 5 is formed at a film formation speed of 0.3 nm / second or more, so that the sheet resistance can be reliably measured even though it is an extremely thin film of 12 nm or less as described above. It will have. This is because, as will be described in detail in the following examples, when the electrode layer 5 is formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more, the sheet resistance can be measured even though it is an extremely thin film. It was also confirmed from the formation of the electrode layer 5. Moreover, if the film formation rate is 0.5 nm / second or more, the sheet resistance can be further suppressed to a low value.

以上のように、透明電極１は、薄膜でありながらも光透過性の向上と共に導電性の向上が図られたものとなり、さらに電極層５の連続性が高く均質であることによって光散乱も抑えられたものとなる。この結果、透明電極１は下地となる表示画像の視認性が良好であり、タッチパネル用の透明電極として良好に適用できる。   As described above, although the transparent electrode 1 is a thin film, it has improved light transmission and improved conductivity, and further suppresses light scattering due to the high continuity and homogeneity of the electrode layer 5. It will be As a result, the transparent electrode 1 has good visibility of the display image serving as a base, and can be suitably applied as a transparent electrode for a touch panel.

このような透明電極１は、後の実施例１で詳細に説明するように、ＩＴＯを用いた透明電極と比較して、薄膜でありながらもシート抵抗が低いことが確認された。これにより、パターニングされた電極層５の自体の視認性を抑えつつ、電極層５の電圧降下を抑制できるため、大型化されたタッチパネル用の透明電極としても好適に用いられる。   As will be described in detail in Example 1 later, such a transparent electrode 1 was confirmed to have a low sheet resistance despite being a thin film as compared with a transparent electrode using ITO. Thereby, since the voltage drop of the electrode layer 5 can be suppressed while suppressing the visibility of the patterned electrode layer 5 itself, it is also suitably used as a transparent electrode for an enlarged touch panel.

またこのような透明電極１は、レアメタルであるインジウム（Ｉｎ）を用いていないため低コストであり、またＺｎＯのような化学的に不安定な材料を用いていないため長期信頼性にも優れている。   Further, such a transparent electrode 1 is low in cost because it does not use indium (In), which is a rare metal, and has excellent long-term reliability because it does not use a chemically unstable material such as ZnO. Yes.

さらに、このような電極層５を構成する金属が、銀または銀を主成分とした合金を用いたものであって、窒素含有層３に隣接して設けられた構成である場合、窒素含有層３の上部に電極層５を成膜する際に、電極層５を構成する銀原子が窒素含有層３を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の窒素含有層３表面においての拡散距離が減少し、銀の連続膜が形成される。このため、一般的には核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に孤立し易い銀薄膜が、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の電極層５が得られるようになる。   Furthermore, in the case where the metal constituting the electrode layer 5 uses silver or an alloy containing silver as a main component and is provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3, the nitrogen-containing layer When the electrode layer 5 is formed on the upper part of the silver 3, the silver atoms constituting the electrode layer 5 interact with the compound containing the nitrogen atoms constituting the nitrogen-containing layer 3, The diffusion distance is reduced, and a continuous film of silver is formed. Therefore, in general, a silver thin film that is easily isolated in an island shape by film growth of a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type) is a single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type). As a result, a film is formed. Accordingly, it is possible to obtain the electrode layer 5 having a uniform film thickness even though the film thickness is small.

≪２．第２実施形態：３層構造のタッチパネル用透明電極≫
図８は、本発明の第２実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１ａが、先の図１を用いて説明した透明電極と異なるところは、高屈折率層Ｈを設けて３層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪2. Second Embodiment: Three-layer Transparent Electrode for Touch Panel >>
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a second embodiment of the present invention. The transparent electrode 1a shown in this figure is different from the transparent electrode described with reference to FIG. 1 in that a high refractive index layer H is provided to form a three-layer structure, and other configurations are the same. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、透明電極１ａは、電極層５の片面側に、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の高屈折率層を備えた３層構造であり、透明基板１１の上部に、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５の順に設けられている。尚、本実施形態においても、窒素含有層３を設けない構成としてもよく、すなわち電極層５に隣接する位置に波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の高屈折率層Ｈを備えた２層構造としても良い。本実施形態においては、３層構造のタッチパネル用透明電極について説明する。このうち、高屈折率層Ｈは、以下のような構成である。   That is, the transparent electrode 1a has a three-layer structure in which a high refractive index layer having a refractive index (n) at a wavelength of 550 nm of 2.0 or more is provided on one side of the electrode layer 5. The refractive index layer H, the nitrogen-containing layer 3, and the electrode layer 5 are provided in this order. In this embodiment, the nitrogen-containing layer 3 may not be provided, that is, a high refractive index layer H having a refractive index (n) of 2.0 or more at a wavelength of 550 nm is provided at a position adjacent to the electrode layer 5. Alternatively, a two-layer structure may be used. In the present embodiment, a transparent electrode for a touch panel having a three-layer structure will be described. Among these, the high refractive index layer H has the following configuration.

＜高屈折率層Ｈ＞
高屈折率層Ｈは、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の層である。このような高屈折率層Ｈは、先に説明した高い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成され、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２：ｎ＝２．３〜２．４）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ：ｎ＝２．４）、酸化カドミウム（ＣｄＯ：ｎ＝２．４９）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：ｎ＝２．１〜２．２）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３＋ＺｎＯ：ｎ＝２．０〜２．４）、酸化亜鉛（ＺｎＯ：ｎ＝１．９〜２．１）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２：ｎ＝１．９〜２．１）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５：ｎ＝２．１６）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５：ｎ＝２．２〜２．４）、酸化セリウム（ＣｅＯ２：ｎ＝２．２）等の高屈折率材料や、光学フィルムに一般的に用いられる材料が挙げられる。<High refractive index layer H>
The high refractive index layer H is a layer having a refractive index (n) of 2.0 or more at a wavelength of 550 nm. Such a high refractive index layer H is made of a material having the high refractive index and light transmittance described above, and includes, for example, titanium oxide (TiO 2 : n = 2.3 to 2.4), oxidation Zirconium (ZrO: n = 2.4), cadmium oxide (CdO: n = 2.49), indium tin oxide (ITO: n = 2.1 to 2.2), indium zinc oxide (In 2 O 3 + ZnO: n = 2.0 to 2.4), zinc oxide (ZnO: n = 1.9 to 2.1), hafnium oxide (HfO 2 : n = 1.9 to 2.1), tantalum pentoxide (Ta 2) High refractive index materials such as O 5 : n = 2.16), niobium oxide (Nb 2 O 5 : n = 2.2 to 2.4), cerium oxide (CeO 2 : n = 2.2), and optical The material generally used for a film is mentioned.

尚、高屈折率層Ｈは、導電性を有する材料で構成されている場合であっても、電極として用いられるのではなく、導電性を有する材料で構成されている場合であれば電極層５と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。このため、電極として必要な膜厚を備えている必要はない。
ただし、電極層５がパターニングされている場合においては、窒素含有層３を設けない構成における透明電極１ａの高屈折率層Ｈは、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。Even if the high refractive index layer H is made of a conductive material, the electrode layer 5 is not used as an electrode but is made of a conductive material. Similarly to the above, it is patterned so that it can conduct electricity. For this reason, it is not necessary to provide the film thickness required as an electrode.
However, in the case where the electrode layer 5 is patterned, the high refractive index layer H of the transparent electrode 1a in the configuration in which the nitrogen-containing layer 3 is not provided has an insulating property among the materials shown as the above high refractive index materials. It shall be comprised using a favorable material.

以上のような高屈折率層Ｈが透明基板１１上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、またはスパッタ法が挙げられる。特に、ＥＢ蒸着であれば、イオンアシストを用いた方法が好適である。このような高屈折率層Ｈの成膜方法は、これを構成する材料によって適切な方法が選択されることとする。   When the high refractive index layer H as described above is formed on the transparent substrate 11, examples of the film forming method include vapor deposition methods (resistance heating, EB method, etc.) or sputtering methods. In particular, a method using ion assist is suitable for EB deposition. As a method for forming such a high refractive index layer H, an appropriate method is selected depending on the material constituting the layer.

尚、ここでの図示は省略したが、透明電極１ａは、高屈折率層Ｈに接して低屈折率層が設けられていてもよい。図８に示す構成においては、高屈折率層Ｈと窒素含有層３が接する面とは反対の面、すなわち、高屈折率層Ｈと透明基板１１の間に低屈折率層を有していてもよい。高屈折率層Ｈに接して低屈折率層を有することで、光学アドミッタンスを調整することができ、透明電極の光透過性がさらに向上する。   Although illustration is omitted here, the transparent electrode 1a may be provided with a low refractive index layer in contact with the high refractive index layer H. In the configuration shown in FIG. 8, a surface opposite to the surface where the high refractive index layer H and the nitrogen-containing layer 3 are in contact, that is, a low refractive index layer is provided between the high refractive index layer H and the transparent substrate 11. Also good. By having the low refractive index layer in contact with the high refractive index layer H, the optical admittance can be adjusted, and the light transmittance of the transparent electrode is further improved.

このような低屈折率層は、高屈折率層Ｈよりも低い屈折率を有する層である。特に波長５５０ｎｍにおける屈折率が、高屈折率層Ｈよりも０．１以上低いことが好ましく、高屈折率層Ｈよりも０．３以上低いことがさらに好ましい。このような低屈折率層は、低い屈折率と、光透過性とを有する材料で構成される。例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）等の低屈折率材料や、光学フィルムに一般的に用いられる材料が挙げられる。Such a low refractive index layer is a layer having a lower refractive index than the high refractive index layer H. In particular, the refractive index at a wavelength of 550 nm is preferably lower than the high refractive index layer H by 0.1 or more, and more preferably lower than the high refractive index layer H by 0.3 or more. Such a low refractive index layer is composed of a material having a low refractive index and light transmittance. For example, low refractive index materials such as magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium fluoride (LiF), calcium fluoride (CaF 2 ), aluminum fluoride (AlF 3 ), and materials generally used for optical films. Can be mentioned.

＜透明電極１ａの効果＞
以上のように構成された透明電極１ａでは、先の第１実施形態の透明電極の効果に加えて、さらに窒素含有層３に接して高屈折率層Ｈを設けた３層構造であることにより、銀を主成分とする電極層５で生じる反射が抑制され、これと共に透明電極１ａにおける光散乱がさらに抑制される。この結果、透明電極１ａは、光透過性をさらに向上させることができ、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。
尚、窒素含有層３を設けない構成、すなわち電極層５と高屈折率層Ｈとの２層で構成された透明電極１ａにおいても、同様に電極層５のみで構成された透明電極よりも光透過性をさらに向上させることができ、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。<Effect of transparent electrode 1a>
In the transparent electrode 1a configured as described above, in addition to the effect of the transparent electrode of the first embodiment, it has a three-layer structure in which a high refractive index layer H is provided in contact with the nitrogen-containing layer 3. The reflection occurring in the electrode layer 5 containing silver as a main component is suppressed, and the light scattering in the transparent electrode 1a is further suppressed together with this. As a result, the transparent electrode 1a can further improve the light transmittance, the visibility of the display image as a base is further improved, and can be applied more favorably as a transparent electrode for a touch panel.
Note that the transparent electrode 1a constituted by two layers of the electrode layer 5 and the high refractive index layer H is also lighter than the transparent electrode constituted by only the electrode layer 5 in the configuration in which the nitrogen-containing layer 3 is not provided. The transparency can be further improved, the visibility of the display image as a base is further improved, and the transparent electrode for the touch panel can be applied more favorably.

≪３．第３実施形態：４層構造のタッチパネル用透明電極≫
図９は、本発明の第３実施形態に係るタッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）の構成を示す断面模式図である。この図に示す透明電極１ｂが、先の図１を用いて説明した透明電極と異なるところは、２つの高屈折率層Ｈを設けて４層構造としたところにあり、他の構成は同一である。このため、同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪3. Third Embodiment: Four-layer Transparent Electrode for Touch Panel >>
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of a transparent electrode for a touch panel (hereinafter referred to as a transparent electrode) according to a third embodiment of the present invention. The transparent electrode 1b shown in this figure is different from the transparent electrode described with reference to FIG. 1 in that two high refractive index layers H are provided to form a four-layer structure, and other configurations are the same. is there. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、透明電極１ｂは、２つの高屈折率層Ｈの間に、窒素含有層３及び電極層５が挟持された４層構造であり、例えば透明基板１１の上部に、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５、高屈折率層Ｈの順に設けられている。尚、本実施形態においても、窒素含有層３を設けない構成としてもよく、すなわち２つの高屈折率層Ｈの間に電極層５のみを挟んだ３層構造としても良い。本実施形態においては、４層構造のタッチパネル用透明電極について説明する。このうち、２つの高屈折率層Ｈは、先の図８に示した３層構造の透明電極に用いた高屈折率層と同様のものであって良い。これは、窒素含有層３を設けない構成とした場合も同様である。   That is, the transparent electrode 1b has a four-layer structure in which the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are sandwiched between two high refractive index layers H. For example, the high refractive index layer H, The nitrogen-containing layer 3, the electrode layer 5, and the high refractive index layer H are provided in this order. In this embodiment, the nitrogen-containing layer 3 may not be provided, that is, a three-layer structure in which only the electrode layer 5 is sandwiched between the two high refractive index layers H may be employed. In the present embodiment, a transparent electrode for a touch panel having a four-layer structure will be described. Among these, the two high refractive index layers H may be the same as the high refractive index layer used in the transparent electrode having the three-layer structure shown in FIG. The same applies to the case where the nitrogen-containing layer 3 is not provided.

これらの２つの高屈折率層Ｈは、同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。ただし、電極層５がパターニングされている場合であって、２つの高屈折率層Ｈのうち電極層５に隣接して配置される高屈折率層Ｈが、先の高屈折率材料として示した材料のうち、導電性を有する材料で構成されている場合には、電極層５と同様に導電できるようにパターニングされている必要があり、導電性を有していない材料で構成されている場合には、パターニングされていてもされていなくても良い。   These two high refractive index layers H may be made of the same material, or may be made of different materials. Moreover, the film thickness may be the same or different. However, when the electrode layer 5 is patterned, the high refractive index layer H disposed adjacent to the electrode layer 5 out of the two high refractive index layers H is shown as the above high refractive index material. If the material is composed of a conductive material, it must be patterned so that it can conduct electricity in the same way as the electrode layer 5, and it is composed of a material that does not have electrical conductivity. May or may not be patterned.

また透明電極１ｂは、ここでの図示を省略した低屈折率層を備えていてもよい。例えば、図９に示す透明電極１ｂでは、２つの高屈折率層Ｈをさらに外側から挟む状態で、２つの低屈折率層が設けられていても良い。高屈折率層Ｈの外側に低屈折率層を有することにより、透明電極の光透過性がさらに向上する。これらの低屈折率層は、第２実施形態で説明した低屈折率層と同様ものが用いられる。   The transparent electrode 1b may include a low refractive index layer that is not shown here. For example, in the transparent electrode 1b shown in FIG. 9, two low refractive index layers may be provided in a state where the two high refractive index layers H are further sandwiched from the outside. By having the low refractive index layer outside the high refractive index layer H, the light transmittance of the transparent electrode is further improved. These low refractive index layers are the same as the low refractive index layers described in the second embodiment.

＜透明電極１ｂの効果＞
このような透明電極１ｂは、窒素含有層３と電極層５とを２つの高屈折率層Ｈにより挟持した構成であり、高屈折率層Ｈ、窒素含有層３、電極層５、および高屈折率層Ｈがこの順に積層されている。これにより、透明電極１ｂは、図８に示した３層構造の透明電極の有する効果に加えて、さらに、電極層５で生じる光の反射を抑制することができる。また、透明電極を透過する光の散乱を、透明電極における入射側の光と射出側の光の両方において抑制することができる。このため、透明電極１ｂの光の透過性をさらに向上させることができ、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。
尚、窒素含有層３を設けない構成、すなわち電極層５を２つの高屈折率層Ｈにより挟持させた透明電極１ｂにおいても、同様に電極層５と高屈折率層Ｈとの２層で構成された透明電極よりも光透過性をさらに向上させることができ、下地となる表示画像の視認性がさらに良好なものとなり、タッチパネル用の透明電極としてさらに良好に適用可能なものとなる。<Effect of transparent electrode 1b>
Such a transparent electrode 1b has a configuration in which the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 are sandwiched between two high-refractive-index layers H. The high-refractive-index layer H, the nitrogen-containing layer 3, the electrode layer 5, and the high-refractive-index layer H The rate layer H is laminated in this order. Thereby, the transparent electrode 1b can suppress the reflection of the light which arises in the electrode layer 5 in addition to the effect which the transparent electrode of the 3 layer structure shown in FIG. 8 has. Moreover, the scattering of the light which permeate | transmits a transparent electrode can be suppressed in both the incident side light and the emission side light in a transparent electrode. For this reason, the light transmittance of the transparent electrode 1b can be further improved, the visibility of the display image as a base is further improved, and the transparent electrode for the touch panel can be applied more favorably.
Note that the configuration in which the nitrogen-containing layer 3 is not provided, that is, the transparent electrode 1b in which the electrode layer 5 is sandwiched between the two high-refractive index layers H is similarly configured by two layers of the electrode layer 5 and the high-refractive index layer H. The light transmittance can be further improved as compared with the transparent electrode formed, the visibility of the display image serving as the base is further improved, and the transparent electrode for the touch panel can be applied more favorably.

≪第４実施形態：タッチパネル≫
（１枚の透明基板上に二層の透明電極を設けた構成）
図１０は、本発明の第４実施形態に係るタッチパネルの概略構成を示す斜視図である。また図１１は、このタッチパネルの電極構成を示す２枚の透明電極１-1，１-2の平面図である。<< Fourth embodiment: Touch panel >>
(Configuration with two layers of transparent electrodes on one transparent substrate)
FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of a touch panel according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 11 is a plan view of two transparent electrodes 1-1 and 1-2 showing the electrode configuration of the touch panel.

これらの図に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、１枚の透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2がこの順に配置され、この上部が前面板１３で覆われている。第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが、図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第１の透明電極１-1は、第１の窒素含有層３-1と第１の電極層５-1とがこの順に積層された構成である。同様に第２の透明電極１-2は、第２の窒素含有層３-2と第２の電極層５-2とがこの順に積層された構成である。   The touch panel 21 shown in these drawings is a projected capacitive touch panel. In the touch panel 21, a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 are arranged in this order on one main surface of one transparent substrate 11, and the upper part is covered with a front plate 13. ing. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. Therefore, the first transparent electrode 1-1 has a configuration in which the first nitrogen-containing layer 3-1 and the first electrode layer 5-1 are laminated in this order. Similarly, the second transparent electrode 1-2 has a configuration in which a second nitrogen-containing layer 3-2 and a second electrode layer 5-2 are laminated in this order.

以下、タッチパネル２１を構成する主要各層の詳細を、透明基板１１側から順に説明する。尚、ここでは、図１０および図１１と共に、図１２の本実施形態に係るタッチパネル電極部分の平面模式図および、そのＡ−Ａ断面に相当する図１３の断面模式図を用いて説明を行う。また、先の実施形態で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, details of the main layers constituting the touch panel 21 will be described in order from the transparent substrate 11 side. Here, the description will be made with reference to FIG. 10 and FIG. 11 together with the schematic plan view of the touch panel electrode portion according to the present embodiment of FIG. 12 and the schematic sectional view of FIG. 13 corresponding to the AA cross section. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to having demonstrated in previous embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

＜透明基板１１＞
透明基板１１は、先のタッチパネル用透明電極で説明した透明基板１１である。<Transparent substrate 11>
The transparent substrate 11 is the transparent substrate 11 described in the previous transparent electrode for touch panel.

＜第１の窒素含有層３-1（第１の透明電極１-1）＞
第１の窒素含有層３-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、透明基板１１の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第１の窒素含有層３-1は、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第１の電極層５-1と同一形状にパターニングされていても良い。<First Nitrogen-Containing Layer 3-1 (First Transparent Electrode 1-1)>
The first nitrogen-containing layer 3-1 is the nitrogen-containing layer described in the previous transparent electrode for a touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11. Here, as an example, the first nitrogen-containing layer 3-1 is provided so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11. May be patterned in the same shape.

＜第１の電極層５-1（第１の透明電極１-1）＞
第１の電極層５-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第１の窒素含有層３-1上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…として構成されている。各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。<First electrode layer 5-1 (first transparent electrode 1-1)>
The first electrode layer 5-1 is the electrode layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is configured as a plurality of x electrode patterns 5x1, 5x2,... Patterned on the first nitrogen-containing layer 3-1. Has been. Each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other in a state of extending in the x direction. Each of these x electrode patterns 5x1, 5x2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

また、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…には、それぞれの端部にｘ配線１７ｘが接続されている。これらのｘ配線１７ｘは、透明基板１１上の周縁領域において配線され、透明基板１１の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線１７ｘは、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と同様に、銀を主成分とする第１の電極層５-1として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。   Moreover, x wiring 17x is connected to each x electrode pattern 5x1, 5x2,. These x wirings 17 x are wired in the peripheral region on the transparent substrate 11 and are drawn out to the edge of the transparent substrate 11. Each of the x wirings 17x may be configured as the first electrode layer 5-1 mainly composed of silver, as in the case of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It may be composed of an electrode layer.

＜第２の窒素含有層３-2（第２の透明電極１-2）＞
第２の窒素含有層３-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した窒素含有層であり、第１の電極層５-1を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第２の窒素含有層３-2は、第１の電極層５-1を覆いつつ、少なくともｘ配線１７ｘの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第２の窒素含有層３-2は、ｘ配線１７ｘの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、次に説明する第２の電極層５-2と同一形状にパターニングされていても良い。<Second nitrogen-containing layer 3-2 (second transparent electrode 1-2)>
The second nitrogen-containing layer 3-2 is the nitrogen-containing layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the first electrode layer 5-1. ing. The second nitrogen-containing layer 3-2 is provided so as to cover at least the first electrode layer 5-1, and expose at least the terminal portion of the x wiring 17x. Here, as an example, the second nitrogen-containing layer 3-2 is provided in such a manner that the terminal portion of the x wiring 17x is exposed and the other portion covers the entire main surface of the transparent substrate 11. However, it may be patterned in the same shape as a second electrode layer 5-2 described below.

＜第２の電極層５-2（第２の透明電極１-2）＞
第２の電極層５-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した電極層であり、第２の窒素含有層３-2上においてパターニングされた複数のｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…として構成されている。各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、例えばｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状であることとする。<Second electrode layer 5-2 (second transparent electrode 1-2)>
The second electrode layer 5-2 is the electrode layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is configured as a plurality of y electrode patterns 5y1, 5y2,... Patterned on the second nitrogen-containing layer 3-2. Has been. Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is arranged in parallel with a distance from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Each of these y electrode patterns 5y1, 5y2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the y direction are linearly connected in the y direction in the vicinity of the apex of the rhombus.

ここで、図１２に示すように、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板１１の中央部の領域においては、第１の電極層５-1で構成されたｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…、および第２の電極層５-2で構成されたｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…が視認され難い構成となっている。   Here, as shown in FIG. 12, the rhombus pattern portions constituting the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are viewed in plan view with respect to the rhombus pattern portions forming the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It is arranged at a position that does not overlap, and has a shape that occupies as large a range as possible without overlapping. Accordingly, in the central region of the transparent substrate 11, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Constituted by the first electrode layer 5-1, and the y electrode constituted by the second electrode layer 5-2. Patterns 5y1, 5y2,... Are difficult to visually recognize.

各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と積層される。これらの積層部分には、第２の窒素含有層３-2が挟持され、これによってｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。   Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is stacked with each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. The second nitrogen-containing layer 3-2 is sandwiched between these laminated portions, and thereby the insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. ing.

また、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、それぞれの端部にｙ配線１７ｙが接続されている。これらのｙ配線１７ｙは、透明基板１１上の周縁領域において配線され、ｘ配線１７ｘと並ぶように透明基板１１の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線１７ｙは、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…と同様に、銀を主成分とする第２の電極層５-2として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。   Further, a y wiring 17y is connected to each end portion of each y electrode pattern 5y1, 5y2,. These y wirings 17y are wired in the peripheral region on the transparent substrate 11, and are drawn out to the edge of the transparent substrate 11 so as to be aligned with the x wirings 17x. Each of such y wirings 17y may be configured as a second electrode layer 5-2 containing silver as a main component, similarly to the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It may be composed of an electrode layer.

尚、透明基板１１の端縁に引き出されたｘ配線１７ｘおよびｙ配線１７ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。   A flexible printed circuit board or the like is connected to the x wiring 17x and the y wiring 17y drawn to the edge of the transparent substrate 11.

＜前面板１３＞
図１０および図１３に図示した前面板１３は、タッチパネル２１において入力位置に対応する部分が押し圧される板材である。このような前面板１３は、光透過性を有する板材であって、透明基板１１と同様のものが用いられる。またこの前面板１３は、必要に応じて光学特性を備えた材料を選択して用いたものであっても良い。このような前面板１３は、例えば接着剤１５に（図１３参照）よって第２の透明電極１-2側に張り合わせられていることとする。この接着剤１５は、光透過性及び絶縁性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。<Front plate 13>
The front plate 13 illustrated in FIGS. 10 and 13 is a plate material on which a portion corresponding to the input position on the touch panel 21 is pressed. Such a front plate 13 is a plate material having optical transparency, and the same material as the transparent substrate 11 is used. Further, the front plate 13 may be made by selecting and using a material having optical characteristics as required. Such a front plate 13 is attached to the second transparent electrode 1-2 side by, for example, an adhesive 15 (see FIG. 13). The material of the adhesive 15 is not particularly limited as long as it has light transmittance and insulating properties.

またこの前面板１３には、透明基板１１の周縁領域を覆う遮光膜が設けられ（図１０参照）、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…から引き出されたｘ配線１７ｘ、およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…から引き出されたｙ配線１７ｙが、前面板１３側から視認されることを防止している。   Further, the front plate 13 is provided with a light-shielding film that covers the peripheral region of the transparent substrate 11 (see FIG. 10), the x wiring 17x drawn from the x electrode patterns 5x1, 5x2,..., And the y electrode patterns 5y1, 5y2. ,... Is prevented from being viewed from the front plate 13 side.

＜タッチパネルの動作＞
以上のようなタッチパネル２１を動作させる場合、ｘ配線１７ｘおよびｙ配線１７ｙに接続させたフレキシブルプリント基板などから、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板１３の表面に指またはタッチペンが触れると、タッチパネル２１内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…の電圧の変化となって現れる。この変化は、指またはタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指またはタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…でアドレスされた位置が、指またはタッチペンが触れた位置として検出される。<Touch panel operation>
When operating the touch panel 21 as described above, a voltage is applied to the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,... From a flexible printed circuit connected to the x wiring 17x and the y wiring 17y. Keep it. In this state, when a finger or a touch pen touches the surface of the front plate 13, the capacitance of each part existing in the touch panel 21 changes, and the voltages of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It appears as a change. This change varies depending on the distance from the position touched by the finger or touch pen, and is greatest at the position touched by the finger or touch pen. For this reason, the position addressed by the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,.

＜タッチパネルの効果＞
以上のようなタッチパネル２１は、２層の透明電極１-1，１-2として、先に説明した光透過性と共に充分な導電性を備えたタッチパネル用透明電極を用いている。これにより、下地となる表示画像の視認性の向上を図ることが可能である。また、タッチパネル用透明電極を大型化した際の電圧降下を抑えることができ、タッチパネル２１の大型化を図ることも可能となる。<Effect of touch panel>
The touch panel 21 as described above uses, as the two-layer transparent electrodes 1-1 and 1-2, a transparent electrode for a touch panel that has sufficient light conductivity as described above and sufficient conductivity. As a result, it is possible to improve the visibility of the display image as a base. Moreover, the voltage drop at the time of enlarging the transparent electrode for touchscreens can be suppressed, and the touchscreen 21 can also be increased in size.

特に、このタッチパネル２１は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびこれに直交して配置された電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を有する投影型静電容量式である。このため、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、高い導電性が要求される。しかしながら、これらのｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、先に説明したタッチパネル用透明電極の電極層５であるため、導電性を維持しつつ薄膜化が可能である。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…自体が視認され難くなり、タッチパネル２１を介しての下地となる表示画像の視認性を劣化させることをも防止できる。   In particular, the touch panel 21 is a projected capacitive type having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And electrode patterns 5y1, 5y2,. Therefore, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. However, since these x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are the electrode layers 5 of the transparent electrode for touch panel described above, they can be made thin while maintaining conductivity. is there. Therefore, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Themselves are difficult to be visually recognized, and it is possible to prevent the visibility of the display image serving as the ground via the touch panel 21 from being deteriorated.

尚、以上の第４実施形態においては、図１を用いて説明した窒素含有層３と電極層５との２層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、第４実施形態のタッチパネルは、窒素含有層を抜いて、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５のみで構成された透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、タッチパネルを構成する第１の電極層５-1と第２の電極層５-2との間に、窒素含有層３に代わる絶縁膜を設けた構成とする。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５を用いることより、タッチパネル２１と同様の効果を得ることができる。   In addition, in the above 4th Embodiment, the case where a touch panel was comprised using the transparent electrode of the two-layer structure of the nitrogen containing layer 3 and the electrode layer 5 which were demonstrated using FIG. 1 was demonstrated. However, the touch panel according to the fourth embodiment may have a configuration using a transparent electrode including only the electrode layer 5 formed by removing the nitrogen-containing layer and forming the film at a film formation speed of 0.3 nm / second or more. . In this case, an insulating film in place of the nitrogen-containing layer 3 is provided between the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 constituting the touch panel. Even with such a configuration, the same effect as that of the touch panel 21 can be obtained by using the electrode layer 5 formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪４-1．タッチパネルの変形例１≫
図１４は、上述した本発明のタッチパネルの変形例１を示す断面模式図であり、図１２のＡ−Ａ断面に相当する図である。図１４に示すように、変形例１のタッチパネル２１ａは、２枚の透明電極として３層構造の透明電極（図８参照）を用いたことのみが、図１３に示すタッチパネルとは異なる。このため、図１３に示すタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。<< 4-1. Touch panel modification 1 >>
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view illustrating Modification 1 of the touch panel of the present invention described above, and corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 14, the touch panel 21a of Modification 1 is different from the touch panel shown in FIG. 13 only in that a transparent electrode having a three-layer structure (see FIG. 8) is used as two transparent electrodes. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、図１４に示す変形例１のタッチパネル２１ａは、透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１ａ-1および第２の透明電極１ａ-2がこの順に配置され、この上部が接着剤１５を介して前面板１３で覆われている。第１の透明電極１ａ-1および第２の透明電極１ａ-2は、それぞれが、図８を用いて説明した３層構造のタッチパネル用透明電極である。したがって、第１の透明電極１ａ-1は、透明基板１１側から順に、第１の高屈折率層Ｈ-1と、第１の窒素含有層３-1と、第１の電極層５-1とが積層された構成である。同様に第２の透明電極１ａ-2は、第１の透明電極１ａ-1側から順に、第２の高屈折率層Ｈ-2と、第２の窒素含有層３-2と、第２の電極層５-2とが積層された構成である。   That is, in the touch panel 21a of the first modification shown in FIG. 14, the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2 are arranged in this order on one main surface of the transparent substrate 11, and the upper part is The front plate 13 is covered with an adhesive 15. Each of the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2 is a transparent electrode for a touch panel having a three-layer structure described with reference to FIG. Therefore, the first transparent electrode 1a-1 includes, in order from the transparent substrate 11 side, the first high refractive index layer H-1, the first nitrogen-containing layer 3-1, and the first electrode layer 5-1. Are stacked. Similarly, the second transparent electrode 1a-2 includes, in order from the first transparent electrode 1a-1, the second high refractive index layer H-2, the second nitrogen-containing layer 3-2, The electrode layer 5-2 is laminated.

ここで、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2は、次のような構成である。   Here, the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2 have the following configurations.

＜第１の高屈折率層Ｈ-1（第１の透明電極１ａ-1）＞
第１の高屈折率層Ｈ-1は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、透明基板１１の一主面に成膜されている。ここでは一例として、第１の高屈折率層Ｈ-1は、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先に説明した第１の窒素含有層３-1と共に、第１の電極層５-1と同一形状にパターニングされていても良い。尚、第１の高屈折率層Ｈ-1は、先の高屈折率材料として示した材料から適宜選択した材料を用いて構成される。<First High Refractive Index Layer H-1 (First Transparent Electrode 1a-1)>
The first high refractive index layer H-1 is the high refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11. Here, as an example, the first high refractive index layer H-1 is provided so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11, but the first nitrogen-containing layer 3 described above. -1 may be patterned in the same shape as the first electrode layer 5-1. The first high refractive index layer H-1 is configured using a material appropriately selected from the materials shown as the above high refractive index materials.

＜第２の高屈折率層Ｈ-2（第２の透明電極１ａ-2）＞
第２の高屈折率層Ｈ-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第１の電極層５-1を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第２の高屈折率層Ｈ-2は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。このような第２の高屈折率層Ｈ-2は、第１の電極層５-1を覆いつつ、少なくともｘ配線１７ｘの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。ここでは一例として、第２の高屈折率層Ｈ-2は、ｘ配線１７ｘの端子部分を露出させ、他の部分は透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、第２の窒素含有層３-2と共に第２の電極層５-2と同一形状にパターニングされていても良い。<Second High Refractive Index Layer H-2 (Second Transparent Electrode 1a-2)>
The second high refractive index layer H-2 is the high refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the first electrode layer 5-1. It is filmed. Such a second high refractive index layer H-2 is made of a material having a good insulating property among the materials shown as the high refractive index material. Such a second high refractive index layer H-2 is provided so as to cover at least the terminal portion of the x wiring 17x while covering the first electrode layer 5-1. Here, as an example, the second high refractive index layer H-2 is provided in such a manner that the terminal portion of the x wiring 17x is exposed and the other portion covers the entire main surface of the transparent substrate 11. However, it may be patterned in the same shape as the second electrode layer 5-2 together with the second nitrogen-containing layer 3-2.

尚、第２の高屈折率層Ｈ-2は、絶縁性を有していれば第１の高屈折率層Ｈ-1と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良い。また第１の高屈折率層Ｈ-1と同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。   The second high-refractive index layer H-2 may be made of the same material as the first high-refractive index layer H-1 as long as it has an insulating property, or may be made of a different material. It may be configured. Further, the film thickness may be the same as or different from the first high refractive index layer H-1.

＜変形例１のタッチパネル２１ａの効果＞
このような変形例１のタッチパネル２１ａは、先に説明した３層構造の透明電極（図８参照）を、第１の透明電極１ａ-1および第２の透明電極１ａ-2として用いている。これにより、図１３に示した２層構造の透明電極を用いた構成のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、光散乱がさらに抑制される。このため、タッチパネル２１ａの光透過性を向上させることができ、下地となる表示画像の視認性をさらに向上させることができる。<Effect of Touch Panel 21a of Modification 1>
The touch panel 21a of the first modification uses the three-layered transparent electrode (see FIG. 8) described above as the first transparent electrode 1a-1 and the second transparent electrode 1a-2. Thus, the reflection generated in the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 mainly composed of silver as compared with the touch panel configured using the transparent electrode having the two-layer structure shown in FIG. 13. Is suppressed, and light scattering is further suppressed. For this reason, the light transmittance of the touch panel 21a can be improved and the visibility of the display image used as a foundation | substrate can further be improved.

尚、以上の変形例１においては、図８を用いて説明した高屈折率層Ｈと窒素含有層３と電極層５との３層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、変形例１のタッチパネルは、窒素含有層３を抜いて電極層５と高屈折率層Ｈとの２層構造の透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、タッチパネルを構成する第１の電極層５-1と第２の電極層５-2との間には、第２の高屈折率層Ｈ-2のみが設けられる。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５及び高屈折率層Ｈを用いることより、タッチパネル２１aと同様の効果を得ることができる。   In the first modification described above, the case where the touch panel is configured using the transparent electrode having the three-layer structure of the high refractive index layer H, the nitrogen-containing layer 3, and the electrode layer 5 described with reference to FIG. . However, the touch panel of Modification 1 may have a configuration in which the nitrogen-containing layer 3 is removed and a transparent electrode having a two-layer structure of the electrode layer 5 and the high refractive index layer H is used. In this case, only the second high refractive index layer H-2 is provided between the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 constituting the touch panel. Even with such a configuration, the same effect as that of the touch panel 21a can be obtained by using the electrode layer 5 and the high refractive index layer H formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪４-2．タッチパネルの変形例２≫
図１５は、上述した本発明のタッチパネルの変形例２を示す断面模式図であり、図１２のＡ−Ａ断面に相当する図である。図１５に示すように、変形例２のタッチパネル２１ｂは、２枚の透明電極として４層構造の透明電極（図９参照）を用いたことのみが、図１３に示すタッチパネルとは異なる。このため、図１３に示すタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。≪4-2. Touch panel modification 2 >>
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing Modification 2 of the touch panel of the present invention described above, and corresponds to a cross section taken along the line AA of FIG. As shown in FIG. 15, the touch panel 21 b of Modification 2 is different from the touch panel shown in FIG. 13 only in that a transparent electrode having a four-layer structure (see FIG. 9) is used as two transparent electrodes. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち、図１５に示す変形例２のタッチパネル２１ｂは、透明基板１１の一主面上に、第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2がこの順に配置され、この上部が接着剤１５を介して前面板１３で覆われている。第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2は、それぞれが、図９を用いて説明した４層構造のタッチパネル用透明電極である。ここでは、第１の透明電極１ｂ-1と第２の透明電極１ｂ-2とが、１つの高屈折率層を共有した構成であることする。   That is, in the touch panel 21b of Modification 2 shown in FIG. 15, the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 are arranged in this order on one main surface of the transparent substrate 11, and this upper part is The front plate 13 is covered with an adhesive 15. Each of the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 is a transparent electrode for a touch panel having a four-layer structure described with reference to FIG. Here, it is assumed that the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2 share one high refractive index layer.

したがって、第１の透明電極１ｂ-1は、透明基板１１側から順に、第１の高屈折率層Ｈ-1と、第１の窒素含有層３-1と、第１の電極層５-1と、第２の高屈折率材料Ｈ-2が積層された構成である。同様に第２の透明電極１ｂ-2は、透明基板１１側から順に、第２の高屈折率層Ｈ-2と、第２の窒素含有層３-2と、第２の電極層５-2と、第３の高屈折率層Ｈ-3が積層された構成である。   Therefore, the first transparent electrode 1b-1 includes, in order from the transparent substrate 11 side, the first high refractive index layer H-1, the first nitrogen-containing layer 3-1, and the first electrode layer 5-1. The second high refractive index material H-2 is laminated. Similarly, the second transparent electrode 1b-2 includes, in order from the transparent substrate 11 side, a second high refractive index layer H-2, a second nitrogen-containing layer 3-2, and a second electrode layer 5-2. The third high refractive index layer H-3 is laminated.

ここで、透明基板１１から第２の電極層５-2までは、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2を含んで、図１４を用いて説明したタッチパネルの変形例1と同様のものが適用される。また第３の高屈折率層Ｈ-3は、次のような構成である。   Here, the transparent substrate 11 to the second electrode layer 5-2 include the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2, and have been described with reference to FIG. The same touch panel modification 1 is applied. The third high refractive index layer H-3 has the following configuration.

＜第３の高屈折率層Ｈ-3＞
第３の高屈折率層Ｈ-3は、先のタッチパネル用透明電極で説明した高屈折率層であり、第２の電極層５-2を覆う状態で、透明基板１１の一主面に成膜されている。このような第３の高屈折率層Ｈ-3は、例えば先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることとする。この場合、第３の高屈折率層Ｈ-3は、図示したように、第２の電極層５-2を覆いつつ、少なくともｙ配線１７ｙの端子部分を露出する状態で設けられていることとする。これに対して第３の高屈折率層Ｈ-3が、先の高屈折率材料として示した材料のうち、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３＋ＺｎＯ）のような導電性を有する材料を用いて構成されている場合、第３の高屈折率層Ｈ-3は、第２の電極層５-2と同様に導電できるようにパターニングされていることとする。<Third high refractive index layer H-3>
The third high-refractive index layer H-3 is the high-refractive index layer described in the previous transparent electrode for touch panel, and is formed on one main surface of the transparent substrate 11 so as to cover the second electrode layer 5-2. It is filmed. Such a third high refractive index layer H-3 is made of, for example, a material having a good insulating property among the materials shown as the high refractive index material. In this case, as shown in the drawing, the third high refractive index layer H-3 is provided so as to cover at least the second electrode layer 5-2 and expose at least the terminal portion of the y wiring 17y. To do. On the other hand, the third high refractive index layer H-3 is a conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (In 2 O 3 + ZnO) among the materials shown as the high refractive index material. In the case of using a material having a property, the third high refractive index layer H-3 is patterned so as to be conductive in the same manner as the second electrode layer 5-2.

尚、第３の高屈折率層Ｈ-3は、上述した構成に保たれていれば、第１の高屈折率層Ｈ-1および第２の高屈折率層Ｈ-2と同じ材料で構成されたものであっても良いし、異なる材料で構成されたものであっても良く、同じ膜厚であっても良いし異なる膜厚であっても良い。さらに、第３の高屈折率層Ｈ-3が接着性を有する材料で構成される場合には、接着剤１５を兼ねても良い。   The third high refractive index layer H-3 is made of the same material as the first high refractive index layer H-1 and the second high refractive index layer H-2 as long as the above configuration is maintained. May be made of different materials, may have the same film thickness, or may have different film thicknesses. Furthermore, when the third high refractive index layer H-3 is made of an adhesive material, it may also serve as the adhesive 15.

＜変形例２のタッチパネル２１ｂの効果＞
このような変形例２のタッチパネル２１ｂは、先に説明した４層構造の透明電極（図９参照）を、第１の透明電極１ｂ-1および第２の透明電極１ｂ-2として用いている。これにより、図１４に示した３層構造の透明電極を用いた構成の変形例１のタッチパネルよりも、さらに銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、タッチパネル２１ｂを透過する光の散乱を、透明電極における入射側の光と射出側の光の両方において抑制することができる。このため、タッチパネルの光透過性を向上させることができ、さらに下地となる表示画像の視認性をさらに向上させることができる。<Effect of Touch Panel 21b of Modification 2>
The touch panel 21b of Modification 2 uses the transparent electrode having the four-layer structure described above (see FIG. 9) as the first transparent electrode 1b-1 and the second transparent electrode 1b-2. As a result, the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-containing silver as a main component further than the touch panel of the modification example 1 using the transparent electrode having the three-layer structure shown in FIG. The reflection generated in 2 is suppressed, and the scattering of light transmitted through the touch panel 21b can be suppressed in both the incident side light and the exit side light in the transparent electrode. For this reason, the light transmittance of a touch panel can be improved and the visibility of the display image used as a foundation | substrate can further be improved.

尚、以上の変形例２においては、図９を用いて説明した窒素含有層３と電極層５とを２つの高屈折率層Ｈで挟持させた４層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、変形例２のタッチパネルは、窒素含有層３を抜いて電極層５を２つの高屈折率層Ｈで挟持させた３層構造の透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、タッチパネルを構成する第１の電極層５-1と第２の電極層５-2との間には、第２の高屈折率層Ｈ-2のみが設けられる。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５及び高屈折率層Ｈを用いることより、タッチパネル２１ｂと同様の効果を得ることができる。   In the above modification 2, the touch panel is configured using a transparent electrode having a four-layer structure in which the nitrogen-containing layer 3 and the electrode layer 5 described with reference to FIG. 9 are sandwiched between two high refractive index layers H. Explained when to do. However, the touch panel of Modification 2 may have a configuration using a three-layered transparent electrode in which the nitrogen-containing layer 3 is removed and the electrode layer 5 is sandwiched between two high refractive index layers H. In this case, only the second high refractive index layer H-2 is provided between the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 constituting the touch panel. Even in such a configuration, the same effect as that of the touch panel 21b can be obtained by using the electrode layer 5 and the high refractive index layer H which are formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪４-3．タッチパネルの変形例３≫
尚ここでの図示は省略したが、タッチパネルの変形例３として、上記図１５に示した変形例２のタッチパネル２１ｂで用いた第２の高屈折率層Ｈ-2を省略した構成が例示される。この場合、第１の窒素含有層３-1から第２の電極層５-2までの構成を２つの高屈折率層で挟持した構成となる。<< 4-3. Touch panel modification 3 >>
Although illustration is omitted here, as a modification 3 of the touch panel, a configuration in which the second high refractive index layer H-2 used in the touch panel 21b of the modification 2 shown in FIG. 15 is omitted is illustrated. . In this case, the configuration from the first nitrogen-containing layer 3-1 to the second electrode layer 5-2 is sandwiched between two high refractive index layers.

このような変形例３の構成であっても、変形例１の構成と比較して銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、さらに銀を主成分とする第１の電極層５-1および第２の電極層５-2で生じる反射が抑制されたものとなり、タッチパネル２１ｂを透過する光の散乱を、透明電極における入射側の光と射出側の光の両方において抑制することができる。このため、タッチパネルの光透過性を向上させることができ、さらに下地となる表示画像等の視認性をさらに向上させることができる。   Even in the configuration of the third modification example, the reflection generated in the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 mainly composed of silver is suppressed as compared with the configuration of the first modification example. In addition, the reflection generated in the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 mainly containing silver is suppressed, and the scattering of light transmitted through the touch panel 21b is transparent. It is possible to suppress both the incident side light and the exit side light in the electrode. For this reason, the light transmittance of a touch panel can be improved and the visibility of the display image etc. which become a foundation | substrate can further be improved.

≪５．第５実施形態：タッチパネル≫
（２枚の透明基板のそれぞれに透明電極を設けた構成）
図１６は、本発明の第５実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本実施形態のタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図１０〜１２に示す構成と同様であり、図１６は図１２のＡ−Ａ断面に相当する。≪5. Fifth embodiment: Touch panel >>
(Configuration with transparent electrodes on each of two transparent substrates)
FIG. 16: is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 5th Embodiment of this invention. Also in the touch panel of the present embodiment, the schematic configuration of the touch panel, the electrode configuration of the transparent electrode for the touch panel, and the planar arrangement of the electrode portion of the touch panel are the same as the configurations shown in FIGS. This corresponds to 12 AA cross sections.

図１６に示すタッチパネル２２は、２枚の透明基板１１-1,１１-2の一主面上に、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2を設けた構成であり、それ以外の構成は先の図８に示したタッチパネルの構成と同様である。このため、図１３に示したタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。   The touch panel 22 shown in FIG. 16 has a configuration in which a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 are provided on one main surface of two transparent substrates 11-1, 11-2. The rest of the configuration is the same as that of the touch panel shown in FIG. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち図１６に示すタッチパネル２２は、第１の透明電極１-1が設けられた第１の透明基板１１-1と、第２の透明電極１-2が設けられた第２の透明基板１１-2とを有する。これらの透明基板１１-1,１１-2は、透明電極１-1，１-2の形成面を同一方向に向け、第１の透明基板１１-1における第１の透明電極１-1の形成面上に、第２の透明基板１１-2が位置するように重ねて配置されている。また第２の透明基板１１-2に設けた第２の透明電極１-2の上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。   That is, the touch panel 22 shown in FIG. 16 includes a first transparent substrate 11-1 provided with a first transparent electrode 1-1 and a second transparent substrate 11- provided with a second transparent electrode 1-2. And 2. These transparent substrates 11-1 and 11-2 have the formation surfaces of the transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the same direction, and the formation of the first transparent electrode 1-1 on the first transparent substrate 11-1. On the surface, the second transparent substrate 11-2 is placed so as to be positioned. The upper part of the second transparent electrode 1-2 provided on the second transparent substrate 11-2 is covered with the front plate 13 with the adhesive 15 interposed therebetween.

第１の透明基板１１-1および第２の透明基板１１-2は、先のタッチパネル用透明電極で説明した構成と同様の透明基板１１である。また、第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極であり、それぞれが透明基板１１-1，１１-2上に、窒素含有層３-1，３-2、および電極層５-1，５-2をこの順に積層した構成となっている。   The 1st transparent substrate 11-1 and the 2nd transparent substrate 11-2 are the transparent substrates 11 similar to the structure demonstrated by the transparent electrode for touchscreens above. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. On the -2, nitrogen-containing layers 3-1, 3-2 and electrode layers 5-1, 5-2 are laminated in this order.

また、積層された第１の透明基板１１-1と第２の透明基板１１-2との間は、ここでの図示を省略した接着剤によって貼り合せられていることとし、この接着剤によっても、第１の電極層５-1と第２の電極層５-2とが絶縁される。   Further, the laminated first transparent substrate 11-1 and second transparent substrate 11-2 are bonded together by an adhesive not shown here, and also by this adhesive. The first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 are insulated.

以上のようなタッチパネル２２であっても、先の図１３に示したタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 22 as described above can be operated in the same manner as the touch panel shown in FIG.

＜タッチパネルの効果＞
このような構成のタッチパネル２２であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 22 having such a configuration, the use of the transparent electrode for a touch panel, which is the thin film described above, has sufficient light conductivity and sufficient conductivity, and light scattering is suppressed. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル２２は、先に説明したタッチパネルの変形例１〜３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 22 having the above-described configuration can be combined with each of the touch panel modifications 1 to 3 described above, and each effect can be obtained by combining the touch panels 22 with each other.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図１４に示したタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図１６に示すタッチパネル２２における２層構造の透明電極１-1，１-2を、それぞれ図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、第１の透明基板１１-1と第１の窒素含有層３-1との間に高屈折率層を設け、さらに第２の透明基板１１-2と第２の窒素含有層３-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with the touch panel modification 1 shown in FIG. 14, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 22 shown in FIG. Replace with the transparent electrode of the three-layer structure shown. In this case, a high refractive index layer is provided between the first transparent substrate 11-1 and the first nitrogen-containing layer 3-1, and further, the second transparent substrate 11-2 and the second nitrogen-containing layer 3- 2 is provided with a high refractive index layer.

また本実施形態のタッチパネルを、図１５に示したタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図１６に示すタッチパネル２２における２層構造の透明電極１-1，１-2を、それぞれ図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５-1，５-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層５-1，５-2と同一にパターニングされていることとする。   Further, when the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 22 shown in FIG. It is replaced with a transparent electrode having a four-layer structure. In this case, of the two high refractive index layers constituting each transparent electrode, each high refractive index layer provided adjacent to the electrode layers 5-1 and 5-2 is shown as the above high refractive index material. Of the materials, it is configured using a material having good insulation, or if it is configured of a conductive material, it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layers 5-1, 5-2. And

さらに本実施形態のタッチパネルは、上述したタッチパネルの変形例３を応用し、第１の窒素含有層３-1から第２の電極層５-2までの構成を挟持する位置のみに、２つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。   Furthermore, the touch panel of this embodiment applies the above-described modification 3 of the touch panel, and has two high positions only at a position where the configuration from the first nitrogen-containing layer 3-1 to the second electrode layer 5-2 is sandwiched. It can also be set as the structure which provided the refractive index layer.

尚、以上の第５実施形態においては、図１を用いて説明した窒素含有層３と電極層５との２層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、第５実施形態のタッチパネルは、窒素含有層３を抜いて、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５のみで構成された透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、タッチパネルを構成する第１の電極層５-1と第２の電極層５-2との間には、第２の透明基板１１-2のみが設けられる。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５を用いることより、タッチパネル２２と同様の効果を得ることができる。   In addition, in the above 5th Embodiment, the case where a touch panel was comprised using the transparent electrode of the two-layer structure of the nitrogen containing layer 3 and the electrode layer 5 which were demonstrated using FIG. 1 was demonstrated. However, the touch panel of the fifth embodiment has a configuration using a transparent electrode composed only of the electrode layer 5 formed by removing the nitrogen-containing layer 3 and forming the film at a film formation speed of 0.3 nm / second or more. good. In this case, only the second transparent substrate 11-2 is provided between the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 constituting the touch panel. Even with such a configuration, the same effect as that of the touch panel 22 can be obtained by using the electrode layer 5 formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪６．第６実施形態：タッチパネル≫
（１枚の透明基板の両面に透明電極を設けた構成）
図１７は、本発明の第６実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図である。尚、本実施形態のタッチパネルにおいても、タッチパネルの概略構成、タッチパネル用透明電極の電極構成、及びタッチパネルの電極部分の平面配置については、図１０〜１２に示す構成と同様であり、図１７は図１２のＡ−Ａ断面に相当する。≪6. Sixth Embodiment: Touch Panel >>
(Configuration with transparent electrodes on both sides of a single transparent substrate)
FIG. 17: is a cross-sectional schematic diagram which shows the structure of the touchscreen which concerns on 6th Embodiment of this invention. Also in the touch panel of the present embodiment, the schematic configuration of the touch panel, the electrode configuration of the transparent electrode for the touch panel, and the planar arrangement of the electrode portion of the touch panel are the same as the configurations shown in FIGS. This corresponds to 12 AA cross sections.

図１７に示すタッチパネル２３は、一枚の透明基板１１の一主面側に第１の透明電極１-1を設け、この透明基板１１の他主面側に第２の透明電極１-2を設けた構成であり、各構成要素は先の図１３に示したタッチパネルの構成と同様である。このため、図１３に示したタッチパネルと同様の構成には同様の符号を付し、重複する説明は省略する。   A touch panel 23 shown in FIG. 17 is provided with a first transparent electrode 1-1 on one main surface side of one transparent substrate 11, and a second transparent electrode 1-2 on the other main surface side of the transparent substrate 11. Each component is the same as the configuration of the touch panel shown in FIG. For this reason, the same code | symbol is attached | subjected to the structure similar to the touch panel shown in FIG. 13, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

すなわち図１７に示すタッチパネル２３は、透明基板１１の両面に設けられた第１の透明電極１-1と第２の透明電極１-2とを有する。また第２の透明電極１-2の上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。   That is, the touch panel 23 shown in FIG. 17 includes a first transparent electrode 1-1 and a second transparent electrode 1-2 provided on both surfaces of the transparent substrate 11. Further, the upper part of the second transparent electrode 1-2 is covered with the front plate 13 with the adhesive 15 interposed therebetween.

透明基板１１は、先のタッチパネル用透明電極で説明したと同様の透明基板１１である。また第１の透明電極１-1および第２の透明電極１-2は、それぞれが図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極である。このうち、第１の透明電極１-1は、透明基板１１の一主面側から窒素含有層３-1および電極層５-1がこの順に積層された構成である。一方、第２の透明電極１-2は、透明基板１１の他主面側から窒素含有層３-2および電極層５-2がこの順に積層された構成である。   The transparent substrate 11 is the same transparent substrate 11 as described in the previous transparent electrode for a touch panel. Each of the first transparent electrode 1-1 and the second transparent electrode 1-2 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. Among these, the 1st transparent electrode 1-1 is the structure by which the nitrogen containing layer 3-1 and the electrode layer 5-1 were laminated | stacked in this order from the one main surface side of the transparent substrate 11. FIG. On the other hand, the second transparent electrode 1-2 has a configuration in which a nitrogen-containing layer 3-2 and an electrode layer 5-2 are laminated in this order from the other main surface side of the transparent substrate 11.

尚、このような構成のタッチパネル２３において、第１の透明電極１-1の一主面側には、ここでの図示を省略した保護層で覆われていて良い。   In the touch panel 23 having such a configuration, one main surface side of the first transparent electrode 1-1 may be covered with a protective layer (not shown).

以上のようなタッチパネル２３であっても、図１３に示した先のタッチパネルと同様に動作させることができる。   Even the touch panel 23 as described above can be operated in the same manner as the previous touch panel shown in FIG.

＜タッチパネルの効果＞
このような構成のタッチパネル２３であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 23 having such a configuration, the use of the transparent electrode for a touch panel, which is the thin film described above, has sufficient conductivity as well as light transmittance, and also suppresses light scattering. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル２３は、先に説明したタッチパネルの変形例１〜３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 23 having the above-described configuration can be combined with each of the touch panel modifications 1 to 3 described above, and each effect can be obtained by combining them.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図１４に示したタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図１７に示すタッチパネル２３における２層構造の透明電極１-1，１-2を、それぞれ図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板１１と第１の窒素含有層３-1との間に高屈折率層を設け、さらに透明基板１１と第２の窒素含有層３-2との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with the touch panel modification 1 shown in FIG. 14, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 23 shown in FIG. Replace with the transparent electrode of the three-layer structure shown. In this case, a high refractive index layer is provided between the transparent substrate 11 and the first nitrogen-containing layer 3-1, and a high refractive index layer is further provided between the transparent substrate 11 and the second nitrogen-containing layer 3-2. The configuration is provided.

また本実施形態のタッチパネルを、図１５に示したタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図１７に示すタッチパネル２３における２層構造の透明電極１-1，１-2を、それぞれ図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、各透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５-1，５-2に隣接して設けられる各高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されているか、または導電性材料で構成されている場合であれば隣接する電極層５-1，５-2と同一にパターニングされていることとする。   When the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layered transparent electrodes 1-1 and 1-2 in the touch panel 23 shown in FIG. 17 are shown in FIG. It is replaced with a transparent electrode having a four-layer structure. In this case, of the two high refractive index layers constituting each transparent electrode, each high refractive index layer provided adjacent to the electrode layers 5-1 and 5-2 is shown as the above high refractive index material. Of the materials, it is configured using a material having good insulation, or if it is configured of a conductive material, it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layers 5-1, 5-2. And

さらに本実施形態のタッチパネルは、上述したタッチパネルの変形例３を応用し、第１の電極層５-1から第２の電極層５-2までの構成を挟持する位置に、２つの高屈折率層を設けた構成とすることもできる。   Furthermore, the touch panel of the present embodiment applies the above-described modification 3 of the touch panel, and has two high refractive indexes at positions sandwiching the configuration from the first electrode layer 5-1 to the second electrode layer 5-2. It can also be set as the structure which provided the layer.

尚、以上の第６実施形態においても、図１を用いて説明した窒素含有層３と電極層５との２層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、第６実施形態のタッチパネルは、窒素含有層３を抜いて、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５のみで構成された透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、タッチパネルを構成する第１の電極層５-1と第２の電極層５-2との間には、透明基板１１のみが設けられる。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５を用いることより、タッチパネル２３と同様の効果を得ることができる。   In addition, also in the above 6th Embodiment, the case where a touch panel was comprised using the transparent electrode of the 2 layer structure of the nitrogen containing layer 3 and the electrode layer 5 which were demonstrated using FIG. 1 was demonstrated. However, the touch panel of the sixth embodiment has a configuration using a transparent electrode that is formed only of the electrode layer 5 formed by removing the nitrogen-containing layer 3 and forming a film at a film formation speed of 0.3 nm / second or more. good. In this case, only the transparent substrate 11 is provided between the first electrode layer 5-1 and the second electrode layer 5-2 constituting the touch panel. Even with such a configuration, the same effect as that of the touch panel 23 can be obtained by using the electrode layer 5 formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪７．第７実施形態：タッチパネル≫
（透明基板上に２パターンの透明電極と共に接続電極を設けた構成）
図１８は、本発明の第７実施形態に係るタッチパネルの電極部分の平面配置を示す模式図である。図１９は、タッチパネルの電極部分の拡大図である。図２０は、第７実施形態に係るタッチパネルの構成を示す断面模式図であり、図１８および図１９のＢ−Ｂ断面に相当する図である。尚、以下の説明において、図１３に示したタッチパネルと同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。≪7. Seventh Embodiment: Touch Panel >>
(Configuration in which connection electrodes are provided together with two patterns of transparent electrodes on a transparent substrate)
FIG. 18 is a schematic diagram showing a planar arrangement of electrode portions of the touch panel according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 19 is an enlarged view of the electrode portion of the touch panel. FIG. 20 is a schematic cross-sectional view illustrating a configuration of the touch panel according to the seventh embodiment, and corresponds to a cross section taken along line BB in FIGS. 18 and 19. In the following description, the same components as those of the touch panel shown in FIG. 13 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

これらの図に示すタッチパネル２４は、透明基板１１の同一平面上にｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有する電極層５を有する２層構造の透明電極１を設けた構成であり、さらにこの上部に層間絶縁膜７３および接続電極７５を設けた構成である。透明電極１、層間絶縁膜７３、および接続電極７５が設けられた上部が、接着剤１５を介して前面板１３で覆われた状態となっている。   The touch panel 24 shown in these drawings includes a transparent electrode 1 having a two-layer structure having an electrode layer 5 having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,. Further, an interlayer insulating film 73 and a connection electrode 75 are further provided on the upper portion. The upper portion where the transparent electrode 1, the interlayer insulating film 73, and the connection electrode 75 are provided is covered with the front plate 13 via the adhesive 15.

すなわちタッチパネル２４は、透明基板１１と、透明基板１１の一主面上に設けられた透明電極１と、さらにこの上部に設けられた層間絶縁膜７３および接続電極７５を備えている。透明電極１は、図１を用いて説明した２層構造のタッチパネル用透明電極であり、透明基板１１上に、窒素含有層３および電極層５をこの順に積層した構成となっている。このうち電極層５が、窒素含有層３上に互いに絶縁状態を保って設けられたｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有するところが特徴的である。   That is, the touch panel 24 includes the transparent substrate 11, the transparent electrode 1 provided on one main surface of the transparent substrate 11, and the interlayer insulating film 73 and the connection electrode 75 provided on the upper portion. The transparent electrode 1 is a transparent electrode for a touch panel having a two-layer structure described with reference to FIG. 1, and has a configuration in which a nitrogen-containing layer 3 and an electrode layer 5 are laminated in this order on a transparent substrate 11. Among these, the electrode layer 5 is characterized by having x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,.

＜透明基板１１および窒素含有層３＞
透明基板１１および窒素含有層３は、それぞれ先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものである。また窒素含有層３は、一例として、透明基板１１の一主面の全面を覆う状態で設けられていることとするが、先の実施形態と同様に、電極層５と同一形状にパターニングされていても良い。<Transparent substrate 11 and nitrogen-containing layer 3>
The transparent substrate 11 and the nitrogen-containing layer 3 are the same as those described in the previous transparent electrode for touch panel. The nitrogen-containing layer 3 is provided as an example so as to cover the entire surface of one main surface of the transparent substrate 11, but is patterned in the same shape as the electrode layer 5 as in the previous embodiment. May be.

＜電極層５＞
電極層５は、先のタッチパネル用透明電極で説明したものと同様のものであり、窒素含有層３上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、複数のｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…とを有して構成されている。<Electrode layer 5>
The electrode layer 5 is the same as that described for the transparent electrode for a touch panel, and a plurality of x electrode patterns 5x1, 5x2,... Patterned on the nitrogen-containing layer 3 and a plurality of y electrode patterns 5y1, 5y2,...

各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状であることとする。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、全てが窒素含有層３に隣接して設けられている。   Each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,... Is arranged in parallel with an interval between each other in a state of extending in the x direction. Each of these x electrode patterns 5x1, 5x2,... Has, for example, a shape in which rhombus pattern portions arranged in the x direction are linearly connected in the x direction in the vicinity of the apex of the rhombus. These x electrode patterns 5x1, 5x2,... Are all provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3.

各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。ここで、窒素含有層３に隣接して設けられる各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、ｙ方向に配列された複数のパターンＡで構成される。これらのパターンＡは、全てが窒素含有層３に隣接して設けられている。   Each of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is arranged in parallel with a distance from each other in a state of extending in the y direction orthogonal to the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Here, each y electrode pattern 5y1, 5y2,... Provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3 is composed of a plurality of patterns A arranged in the y direction. All of these patterns A are provided adjacent to the nitrogen-containing layer 3.

パターンＡは、例えばひし形であり、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と重なることなく絶縁状態を保てる程度の間隔を有して配置される。これにより、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡとは、絶縁性が確保された状態となっている。またパターンＡは、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と絶縁状態を保てる程度の間隔を有する範囲内で、できるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板１１の中央部の領域においては、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡが視認され難い構成となっている。   The pattern A is, for example, a rhombus, and is arranged with an interval enough to maintain an insulating state without overlapping with the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Thus, the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the pattern A constituting the y electrode patterns 5y1, 5y2,. Further, the pattern A has a shape that occupies as large a range as possible within a range having an interval sufficient to maintain an insulating state with the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Thereby, in the area | region of the center part of the transparent substrate 11, the pattern A which comprises x electrode pattern 5x1, 5x2, ... and y electrode pattern 5y1, 5y2, ... becomes a structure difficult to visually recognize.

また各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…および各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、先の実施形態と同様に、それぞれの端部にｘ配線７７ｘまたはｙ配線７７ｙが接続されている。   .. And x electrode patterns 5x1, 5x2,... And y electrode patterns 5y1, 5y2,... Are connected to x wirings 77x or y wirings 77y at their respective ends as in the previous embodiment.

＜層間絶縁膜７３＞
層間絶縁膜７３は、ひし形の頂点付近を連結した形状の各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…において、少なくともその連結した部分の上方を覆う形状にパターン形成されている。この層間絶縁膜７３は、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…のパターンＡを露出させていれば、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形の部分を覆う状態で設けられていても良い。<Interlayer insulating film 73>
The interlayer insulating film 73 is formed in a pattern so as to cover at least the upper portion of each of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. As long as the pattern A of the y electrode patterns 5y1, 5y2,... Is exposed, the interlayer insulating film 73 may be provided so as to cover the diamond-shaped portions of the x electrode patterns 5x1, 5x2,.

＜接続電極７５＞
接続電極７５は、層間絶縁膜７３の上部にパターン形成されたものであり、ｙ方向に配列された複数のパターンＡを、そのひし形の頂点付近において接続させる状態で設けられて、複数のパターンＡとこれらをｙ方向に連結する各接続電極７５とでｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…が構成されている。<Connection electrode 75>
The connection electrode 75 is formed in a pattern on the upper part of the interlayer insulating film 73. The connection electrode 75 is provided in a state in which a plurality of patterns A arranged in the y direction are connected in the vicinity of the apex of the rhombus. And the connection electrodes 75 linking these in the y direction form y electrode patterns 5y1, 5y2,.

この接続電極７５は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。これらの交差部分において、層間絶縁膜７３がｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分を覆っており、接続電極７５はｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…上に層間絶縁膜７３を介して積層される。したがって、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。   The connection electrode 75 is disposed at each position where the connection electrode 75 intersects a portion connecting the rhombus patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. In these intersecting portions, the interlayer insulating film 73 covers the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,..., And the connection electrode 75 is disposed on the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It is laminated through. Therefore, the insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,.

尚、接続電極７５には、銀等の一般的な電極材料、またはＩＴＯ等の光透過性を有する電極材料を用いればよく、タッチパネル２４を介しての下地となる表示画像の視認性の観点から、好ましくは光透過性を有する電極材料を用いる。   The connection electrode 75 may be made of a general electrode material such as silver or a light-transmissive electrode material such as ITO. From the viewpoint of the visibility of the display image serving as a base through the touch panel 24. Preferably, an electrode material having optical transparency is used.

またここでは接続電極７５が透明電極１の上層に設けられた例を先に説明したが、接続電極７５は透明電極１の下層に設けられてもよい。この場合、接続電極７５は、先の例と同様に、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分と平面視的に交差する各位置に配置される。そして、窒素含有層３に設けた接続孔を介して、接続電極７５と、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するパターンＡとが接続される。また、接続電極７５とｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分との間には、少なくとも窒素含有層３が挟持されている。したがって、接続電極７５が透明電極１の下層に設けられた例においても、先の例と同様に、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。   Although the example in which the connection electrode 75 is provided in the upper layer of the transparent electrode 1 has been described here, the connection electrode 75 may be provided in the lower layer of the transparent electrode 1. In this case, as in the previous example, the connection electrode 75 is disposed at each position where the connection electrode 75 intersects the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. And the connection electrode 75 and the pattern A which comprises each y electrode pattern 5y1, 5y2, ... are connected through the connection hole provided in the nitrogen containing layer 3. FIG. Further, at least the nitrogen-containing layer 3 is sandwiched between the connection electrode 75 and the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. Therefore, also in the example in which the connection electrode 75 is provided in the lower layer of the transparent electrode 1, insulation between the x electrode patterns 5x1, 5x2,... And the y electrode patterns 5y1, 5y2,. It is in the state.

＜タッチパネルの効果＞
このような構成のタッチパネル２４であっても、先に説明した薄膜でありながらも光透過性と共に充分な導電性を備え、また光散乱も抑えられたタッチパネル用透明電極を用いたことにより、先に図１３を用いて説明したタッチパネルと同様に、下地となる表示画像の視認性の向上を図ること、およびパネルの大型化を図ることが可能である。<Effect of touch panel>
Even with the touch panel 24 having such a configuration, the transparent electrode for a touch panel, which is a thin film as described above, has sufficient light conductivity and sufficient conductivity, and suppresses light scattering. Similarly to the touch panel described with reference to FIG. 13, it is possible to improve the visibility of a display image serving as a base and increase the size of the panel.

尚、以上のような構成のタッチパネル２４は、先に説明したタッチパネルの変形例１〜３のそれぞれと組み合わせることが可能であり、組み合わせることによってそれぞれの効果を得ることが可能である。   The touch panel 24 having the above-described configuration can be combined with each of the first to third modifications of the touch panel described above, and the respective effects can be obtained by combining the touch panels.

例えば、本実施形態のタッチパネルを、図１４に示したタッチパネルの変形例１と組み合わせた場合、図２０に示すタッチパネル２４における２層構造の透明電極１を、図８に示した３層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明基板１１と窒素含有層３との間に高屈折率層を設けた構成とする。   For example, when the touch panel of this embodiment is combined with Modification 1 of the touch panel shown in FIG. 14, the transparent electrode 1 having the two-layer structure in the touch panel 24 shown in FIG. 20 is replaced with the transparent having the three-layer structure shown in FIG. Replace with electrode. In this case, a high refractive index layer is provided between the transparent substrate 11 and the nitrogen-containing layer 3.

また本実施形態のタッチパネルを、図１５に示したタッチパネルの変形例２と組み合わせた場合、図２０に示すタッチパネル２４における２層構造の透明電極１を、図９に示した４層構造の透明電極と置き換える。この場合、透明電極を構成する２層の高屈折率層のうち、電極層５に隣接して設けられる高屈折率層は、先の高屈折率材料として示した材料のうち、絶縁性が良好な材料を用いて構成されていることが好ましい。またこの場合、この高屈折率層は、電極層５とともに層間絶縁膜７３および接続電極７５を覆うものであってよく、接着剤１５を兼ねても良い。さらにこの高屈折率層が導電性材料で構成されている場合であれば、隣接する電極層５と同一にパターニングされていることとする。   Further, when the touch panel of the present embodiment is combined with the touch panel modification 2 shown in FIG. 15, the two-layer transparent electrode 1 in the touch panel 24 shown in FIG. 20 is replaced with the four-layer transparent electrode shown in FIG. Replace with In this case, of the two high refractive index layers constituting the transparent electrode, the high refractive index layer provided adjacent to the electrode layer 5 has good insulating properties among the materials shown as the above high refractive index materials. It is preferable to use a simple material. In this case, the high refractive index layer may cover the interlayer insulating film 73 and the connection electrode 75 together with the electrode layer 5, and may also serve as the adhesive 15. Furthermore, if this high refractive index layer is made of a conductive material, it is assumed that it is patterned in the same manner as the adjacent electrode layer 5.

尚、以上の第７実施形態においても、図１を用いて説明した窒素含有層３と電極層５との２層構造の透明電極を用いてタッチパネルを構成する場合を説明した。しかしながら、第７実施形態のタッチパネルは、窒素含有層３を抜いて、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５のみで構成された透明電極を用いた構成であっても良い。この場合、接続電極７５が透明電極１の下層に設けられた例においては、接続電極７５とｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…のひし形のパターンを連結する部分との間には、絶縁膜を挟持させる構成とする。このような構成であっても、成膜速度０．３ｎｍ／秒以上で成膜された電極層５を用いることより、タッチパネル２４と同様の効果を得ることができる。   In addition, also in the above 7th Embodiment, the case where a touch panel was comprised using the transparent electrode of the 2 layer structure of the nitrogen containing layer 3 and the electrode layer 5 which were demonstrated using FIG. 1 was demonstrated. However, the touch panel according to the seventh embodiment may have a configuration using a transparent electrode including only the electrode layer 5 formed by removing the nitrogen-containing layer 3 and forming a film at a film formation speed of 0.3 nm / second or more. good. In this case, in the example in which the connection electrode 75 is provided in the lower layer of the transparent electrode 1, an insulating film is sandwiched between the connection electrode 75 and the portion connecting the rhombic patterns of the x electrode patterns 5x1, 5x2,. It is set as the structure made to do. Even with such a configuration, the same effect as that of the touch panel 24 can be obtained by using the electrode layer 5 formed at a film formation rate of 0.3 nm / second or more.

≪８．第８実施形態：表示装置≫
（タッチパネルを用いた構成）
図２１は、本発明の第８実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。この図に示す表示装置３１は、表示パネル３３における表示面上に、タッチパネルを設けた情報入力機能付きの表示装置であり、タッチパネルとして先に説明した本発明のタッチパネルの何れかを用いたものである。ここでは、例えば図１３に示したタッチパネル、すなわちタッチパネル２１を用いたこととする。≪8. Eighth Embodiment: Display Device >>
(Configuration using touch panel)
FIG. 21 is a perspective view showing a configuration of a display device according to the eighth embodiment of the present invention. The display device 31 shown in this figure is a display device with an information input function in which a touch panel is provided on the display surface of the display panel 33, and uses one of the touch panels of the present invention described above as the touch panel. is there. Here, for example, the touch panel shown in FIG. 13, that is, the touch panel 21 is used.

表示パネル３３は、特に限定されるものではないが、例えば液晶表示パネルや有機電界発光素子を用いた表示パネルなどの平面型の表示パネルであったり、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイであっても良い。また表示パネル３３は、動画を表示する表示パネルに限定されることはなく、静止画用の表示パネルであっても良い。   The display panel 33 is not particularly limited. For example, the display panel 33 may be a flat display panel such as a liquid crystal display panel or a display panel using an organic electroluminescent element, or a CRT (Cathode Ray Tube) display. good. The display panel 33 is not limited to a display panel that displays moving images, and may be a display panel for still images.

このような表示パネル３３における画像の表示面上に、表示面を覆う状態でタッチパネル２１が重ねて配置されている。またタッチパネル２１と表示パネル３３とは、必要に応じてさらに枠状のケース部材３５に収容されていても良く、このケース部材３５にさらに透明板材からなる前面板が設けられていても良い。   The touch panel 21 is arranged on the image display surface of the display panel 33 so as to cover the display surface. Further, the touch panel 21 and the display panel 33 may be further accommodated in a frame-shaped case member 35 as necessary, and a front plate made of a transparent plate material may be further provided on the case member 35.

これにより、ユーザは、表示パネル３３で表示された表示画像の一部に対して、タッチパネル２１を介して指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報をタッチパネル２１に入力することができる。   Thereby, the user can input the position information of the contact portion to the touch panel 21 by bringing a finger or a touch pen into contact with a part of the display image displayed on the display panel 33 via the touch panel 21. .

＜表示装置の効果＞
このような構成の表示装置３１は、上述したタッチパネル２１を用いたことにより、表示特性に優れると共に薄型化および大型化が可能である。<Effect of display device>
By using the touch panel 21 described above, the display device 31 having such a configuration is excellent in display characteristics and can be reduced in thickness and size.

≪タッチパネル用透明電極の作製≫
ここでは、試料１〜２８の各タッチパネル用透明電極（以下、透明電極と称する）を、導電性領域の面積が５ｃｍ×５ｃｍとなるように透明基板上に作製した。透明基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板を用意した。以降の表２には、試料１〜２８の各透明電極における各層の構成を示した。以下に、試料１〜２８の各透明電極の作製手順を説明する。≪Preparation of transparent electrode for touch panel≫
Here, the transparent electrodes for touch panels (hereinafter referred to as transparent electrodes) of Samples 1 to 28 were produced on a transparent substrate so that the area of the conductive region was 5 cm × 5 cm. As the transparent substrate, a polyethylene terephthalate (PET) substrate was prepared. Table 2 below shows the configuration of each layer in each transparent electrode of Samples 1 to 28. Below, the preparation procedure of each transparent electrode of samples 1-28 is demonstrated.

＜試料１の透明電極の作製＞
透明基板の一主面上に、ＩＴＯ膜（膜厚１００ｎｍ）をスパッタ法によって形成した。これにより、ＩＴＯ膜を電極層とした単層構造の透明電極を作製した。<Preparation of transparent electrode of sample 1>
An ITO film (film thickness 100 nm) was formed on one main surface of the transparent substrate by sputtering. Thereby, a transparent electrode having a single layer structure using an ITO film as an electrode layer was produced.

＜試料２〜４の透明電極の作製＞
試料２〜４のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、銀ナノワイヤーを用いた電極層を塗布法によって形成した。これにより銀ナノワイヤーを用いた電極層のみの単層構造の透明電極を作製した。この際、透明基板上に銀ナノワイヤーの分散液を塗布し、その後乾燥処理した後の膜厚が、試料２では５０ｎｍ、試料３では１００ｎｍ、試料４では１５０ｎｍとなるように銀ナノワイヤー分散液の塗布膜厚を調整した。<Preparation of transparent electrodes of samples 2 to 4>
In each of Samples 2 to 4, an electrode layer using silver nanowires was formed on one main surface of the transparent substrate by a coating method. Thus, a transparent electrode having a single-layer structure using only silver nanowires and having only an electrode layer was produced. At this time, the silver nanowire dispersion liquid is applied so that the film thickness after applying the silver nanowire dispersion liquid on the transparent substrate and then drying is 50 nm for sample 2, 100 nm for sample 3, and 150 nm for sample 4. The coating film thickness of was adjusted.

＜試料５〜９の透明電極の作製＞
試料５〜９のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、銀を用いた電極層で構成された単層構造の透明電極を作製した。<Preparation of Transparent Electrodes of Samples 5-9>
In each of Samples 5 to 9, a transparent electrode having a single layer structure composed of an electrode layer using silver was produced on one main surface of the transparent substrate.

試料５〜９の透明電極の作製手順は、次のようである。先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。またタングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電して加熱し、下記表２に示すように各蒸着レート（０．００５ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒）で、膜厚１０ｎｍの銀からなる単層構造の透明電極を形成した。The procedure for producing the transparent electrodes of Samples 5 to 9 is as follows. First, the transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the said vacuum chamber. Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat was energized and heated, and as shown in Table 2 below, at each deposition rate (0.005 nm / second to 2 nm / second), A transparent electrode having a single layer structure made of silver having a thickness of 10 nm was formed.

＜試料１０の透明電極の作製＞
試料１０において、電極層の膜厚を１２ｎｍとした以外は、上記試料７と同様の手順で試料１０の透明電極を得た。<Preparation of transparent electrode of sample 10>
In Sample 10, a transparent electrode of Sample 10 was obtained in the same procedure as Sample 7 except that the film thickness of the electrode layer was 12 nm.

＜試料１１〜２６の透明電極の作製＞
試料１１〜２６のそれぞれにおいて、透明基板の一主面上に、下記表２に示すように、各化合物で構成された窒素含有層と、この上部の銀を用いた電極層との積層構造の透明電極を作製した。<Preparation of Transparent Electrodes of Samples 11 to 26>
In each of Samples 11 to 26, on one main surface of the transparent substrate, as shown in Table 2 below, a layered structure of a nitrogen-containing layer composed of each compound and an electrode layer using silver on the top is provided. A transparent electrode was produced.

試料１１〜１４の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として、窒素を含有する下記ポルフィリン誘導体を用いた。   In the production of the transparent electrodes of Samples 11 to 14, the following porphyrin derivative containing nitrogen was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer.

試料１５〜１８の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物IIIで示した、窒素を含有する下記化合物１０を用いた。この化合物１０は一般式（２）に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 15 to 18, the following compound 10 containing nitrogen, which was shown as the compound III above, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound 10 is a compound included in the general formula (2).

試料１９〜２２の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物Ｉで示した、窒素を含有する下記化合物No.４８を用いた。この化合物No.４８は一般式（１ａ-1）、（７）、（８ａ）に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 19 to 22, the following compound No. 48 containing nitrogen, which was shown as Compound I above, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound No. 48 is a compound contained in the general formulas (1a-1), (7), and (8a).

試料２３〜２６の透明電極の作製においては、窒素含有層を構成する化合物として上記化合物Ｉで示した、窒素を含有する下記化合物No.４６を用いた。この化合物No.46は一般式（１ａ-1）に含まれる化合物である。   In the production of the transparent electrodes of Samples 23 to 26, the following compound No. 46 containing nitrogen, which was shown as the above compound I, was used as the compound constituting the nitrogen-containing layer. This compound No. 46 is a compound contained in the general formula (1a-1).

これらの試料１１〜２６の透明電極の作製手順は、次のようである。先ず、透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、各透明電極の作製において、上記各化合物をそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。さらにタングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。   The procedure for producing the transparent electrodes of these samples 11 to 26 is as follows. First, the transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus. Moreover, in preparation of each transparent electrode, each said compound was put into the resistance heating boat made from a tantalum, respectively. These substrate holders and a heating boat were mounted in the first vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus. Further, silver (Ag) was put in a resistance heating boat made of tungsten and mounted in the second vacuum chamber.

この状態で、先ず、第１真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、各化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、成膜速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で、透明基板上に膜厚２５ｎｍの各化合物で構成された窒素含有層を設けた。In this state, first, the first vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then heated by energizing the heating boat containing each compound, and the film formation rate was 0.1 nm / sec to 0.2 nm / sec. Thus, a nitrogen-containing layer composed of each compound having a film thickness of 25 nm was provided on the transparent substrate.

次に、窒素含有層まで成膜した透明基板を真空のまま第２真空槽に移し、第２真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、下記表２に示すように各蒸着レート（０．００５ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒）で、膜厚８ｎｍの銀からなる電極層を形成し、窒素含有層とこの上部の電極層との積層構造からなる試料１１〜２６の各透明電極を得た。Next, the transparent substrate formed up to the nitrogen-containing layer is transferred to the second vacuum chamber while being vacuumed, the pressure of the second vacuum chamber is reduced to 4 × 10 −4 Pa, and then the heating boat containing silver is energized and heated. did. Thereby, as shown in Table 2 below, an electrode layer made of silver with a film thickness of 8 nm was formed at each deposition rate (0.005 nm / second to 2 nm / second), and the nitrogen-containing layer and the upper electrode layer were formed. Each transparent electrode of Samples 11 to 26 having a laminated structure was obtained.

＜試料２７の透明電極の作製＞
試料２７の透明電極の作製において、透明基板の一主面上に、下記表２に示すように、高屈折率層と電極層とで構成された２層構造の透明電極を作製した。<Preparation of Transparent Electrode of Sample 27>
In the production of the transparent electrode of Sample 27, a transparent electrode having a two-layer structure composed of a high refractive index layer and an electrode layer was produced on one main surface of the transparent substrate as shown in Table 2 below.

透明基板の一主面上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を膜厚３０ｎｍで形成した。これに続けて銀（Ａｇ）からなる電極層を１０ｎｍの膜厚で蒸着法によって形成した。これにより、電極層及び高屈折率層の２層構造の透明電極を作製した。A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed with a film thickness of 30 nm on one main surface of the transparent substrate. Subsequently, an electrode layer made of silver (Ag) was formed to a thickness of 10 nm by a vapor deposition method. Thus, a transparent electrode having a two-layer structure of an electrode layer and a high refractive index layer was produced.

この際、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基板ホルダーに固定し、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を銅製の加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。At this time, the transparent substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is placed in a copper heating boat, and these substrate holder and the heating boat are connected to a vacuum of the electron beam evaporation apparatus. Attached to the tank. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the vacuum chamber of the vacuum evaporation system.

次いで、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明基板上に膜厚３０ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を設けた。Next, after reducing the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is irradiated with an electron beam and heated, and the deposition rate is 0.1 nm / A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate in seconds.

次いで、高屈折率層まで成膜した透明基板を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度２ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍの銀からなる電極層を形成した。Next, the transparent substrate formed up to the high refractive index layer is transferred to the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus while being vacuumed, the vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then the heating boat containing silver is energized and heated. did. Thereby, an electrode layer made of silver having a film thickness of 10 nm was formed at a deposition rate of 2 nm / second.

これにより、高屈折率層と、銀を用いた電極層とを、この順に積層した試料２７の透明電極を作製した。   As a result, a transparent electrode of Sample 27 was produced in which a high refractive index layer and an electrode layer using silver were laminated in this order.

＜試料２８の透明電極の作製＞
試料２８の透明電極の作製において、透明基板の一主面上に、下記表２に示すように、２つの高屈折率層を有する３層構造の透明電極を作製した。<Preparation of transparent electrode of sample 28>
In the production of the transparent electrode of Sample 28, a transparent electrode having a three-layer structure having two high refractive index layers was produced on one main surface of the transparent substrate as shown in Table 2 below.

透明基板の一主面上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を膜厚３０ｎｍで形成した。これに続けて銀（Ａｇ）からなる電極層を１０ｎｍの膜厚で蒸着法によって形成し、さらに酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を膜厚３０ｎｍで形成した。これにより、高屈折率層、電極層、および高屈折率層の３層構造の透明電極を作製した。A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed with a film thickness of 30 nm on one main surface of the transparent substrate. Subsequently, an electrode layer made of silver (Ag) was formed with a thickness of 10 nm by a vapor deposition method, and a high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was formed with a thickness of 30 nm. Thus, a transparent electrode having a three-layer structure of a high refractive index layer, an electrode layer, and a high refractive index layer was produced.

この際、透明基板を市販の電子ビーム蒸着装置の基板ホルダーに固定し、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を銅製の加熱ボートに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを電子ビーム蒸着装置の真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。At this time, the transparent substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available electron beam evaporation apparatus, niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is placed in a copper heating boat, and these substrate holder and the heating boat are connected to a vacuum of the electron beam evaporation apparatus. Attached to the tank. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached to the vacuum chamber of the vacuum evaporation system.

次いで、電子ビーム蒸着装置の真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明基板上に膜厚３０ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を設けた。Next, after reducing the vacuum chamber of the electron beam evaporation apparatus to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing niobium oxide (Nb 2 O 5 ) is irradiated with an electron beam and heated, and the deposition rate is 0.1 nm / A high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate in seconds.

次に、高屈折率層まで成膜した透明基板を真空のまま真空蒸着装置の真空槽に移し、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度２ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍの銀からなる電極層を形成した。Next, the transparent substrate formed up to the high refractive index layer is transferred to the vacuum chamber of the vacuum deposition apparatus while being vacuumed, and the vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then the heating boat containing silver is energized. Heated. Thereby, an electrode layer made of silver having a film thickness of 10 nm was formed at a deposition rate of 2 nm / second.

その後再び、電極層まで成膜した透明基板を真空のまま電子ビーム蒸着装置の真空層に移し、真空層内を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の入った加熱ボートに電子ビームを照射して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明基板上に膜厚３０ｎｍの酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）からなる高屈折率層を設けた。これにより、高屈折率層と、銀を用いた電極層と、高屈折率層とを、この順に積層した試料２８の透明電極を作製した。After that, again, the transparent substrate formed up to the electrode layer was transferred to the vacuum layer of the electron beam evaporation apparatus while being vacuumed, the inside of the vacuum layer was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then niobium oxide (Nb 2 O 5 ) was contained. The heated boat was heated by irradiation with an electron beam, and a high refractive index layer made of niobium oxide (Nb 2 O 5 ) having a thickness of 30 nm was provided on the transparent substrate at a deposition rate of 0.1 nm / second. Thus, a transparent electrode of Sample 28 was produced in which a high refractive index layer, an electrode layer using silver, and a high refractive index layer were laminated in this order.

＜実施例１の各試料の評価＞
上記で作製した試料１〜２８の各透明電極について、シート抵抗（面抵抗）、および文字の視認性を評価した。シート抵抗の測定は、抵抗率計（三菱化学社製ＭＣＰ−Ｔ６１０）を用い、４端子４探針法定電流印加方式で行った。文字の視認性は、文字を表した画像の上部に透明電極が形成された透明基板を重ね合わせ、これらを介しての文字の見えやすさを５段階評価した。５段階評価は、透明電極の電極面に対する法線方向を０°とし０°と４５°の２つの角度から行い、これを平均した。これらの評価結果を下記表２に合わせて示す。<Evaluation of each sample of Example 1>
About each transparent electrode of the samples 1-28 produced above, sheet resistance (surface resistance) and the visibility of a character were evaluated. The sheet resistance was measured using a resistivity meter (MCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) by a four-terminal four-probe method constant current application method. Visibility of characters was evaluated by evaluating the visibility of the characters through five levels by superimposing a transparent substrate on which a transparent electrode was formed on the image representing the characters. The five-level evaluation was performed from two angles of 0 ° and 45 °, with the normal direction to the electrode surface of the transparent electrode being 0 °, and this was averaged. These evaluation results are shown in Table 2 below.

＜実施例１の評価結果＞
表２において、電極層にＡｇを用いずに、ＩＴＯを用いた単層構造の試料１の透明電極は、１００ｎｍの厚膜でありながらも、シート抵抗が非常に高いことがわかる。また、銀ナノワイヤーを用いた単層構造の試料２〜４の透明電極では、厚さに対するシート抵抗の値が高く、さらに最もシート抵抗が低い試料４では、光散乱のために文字の視認性が１．５と極めて低い。<Evaluation result of Example 1>
In Table 2, it can be seen that the transparent electrode of Sample 1 having a single-layer structure using ITO without using Ag for the electrode layer has a very high sheet resistance even though it is a thick film of 100 nm. Further, in the transparent electrodes of Samples 2 to 4 having a single-layer structure using silver nanowires, the value of the sheet resistance with respect to the thickness is high, and in Sample 4 with the lowest sheet resistance, the visibility of characters due to light scattering Is as low as 1.5.

表２において、試料５〜１０を比較すると、試料７〜１０の透明電極、すなわち電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒以上である本発明の構成の透明電極は、シート抵抗の測定が可能であり、文字の視認性が３．３以上であった。また、特に試料８〜９の透明電極、すなわち成膜速度が０．５ｎｍ／秒以上である本発明構成の透明電極は、シート抵抗がさらに低く、文字の視認性が３．７以上であった。これに対して、試料５および６の透明電極、すなわち電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒未満であり本発明の範囲外の透明電極は、シート抵抗が測定不可なだけでなく、文字の視認性も３．１以下と低かった。   In Table 2, when comparing Samples 5 to 10, the transparent electrodes of Samples 7 to 10, that is, the transparent electrode having the electrode layer deposition rate of 0.3 nm / second or more, has a sheet resistance measurement. The character visibility was 3.3 or higher. In particular, the transparent electrodes of Samples 8 to 9, that is, the transparent electrode having the film forming speed of 0.5 nm / second or more according to the present invention had a lower sheet resistance and a character visibility of 3.7 or more. . On the other hand, the transparent electrodes of Samples 5 and 6, that is, the electrode layer deposition rate is less than 0.3 nm / second and the transparent electrode outside the scope of the present invention not only cannot measure sheet resistance, The visibility of was also as low as 3.1 or less.

これにより本発明の構成の透明電極は、高い文字の視認性と導電性とを兼ね備えていることが確認された。また、より好ましくは成膜速度が０．５ｎｍ／秒以上であることが確認された。   Thereby, it was confirmed that the transparent electrode of the structure of the present invention has both high character visibility and conductivity. More preferably, it was confirmed that the film formation rate was 0.5 nm / second or more.

また、図２２および図２３は試料６および７の透明電極のＳＥＭ画像を示しており、これらを比較すると、次に説明するとおり、成膜速度によって銀の成膜状態が異なることが明らかであった。図２２に示すように、試料６の電極層の成膜速度が０．０５ｎｍ／秒である本発明の範囲外の透明電極では、電極層を構成する金属（図中の白表示部）が繋がっていなかった。一方、図２３に示すように、試料７の電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、電極層を構成する金属が繋がっていた。これにより、試料７の電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）ではなく、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）により近い膜成長によって電極層が形成されたことが確認された。また電極層の成膜速度が速いほど、単層成長型（ＦＭ型）になり易い傾向が確認された。   FIGS. 22 and 23 show SEM images of the transparent electrodes of Samples 6 and 7. When these are compared, it is clear that the film formation state of silver varies depending on the film formation rate as described below. It was. As shown in FIG. 22, in the transparent electrode outside the scope of the present invention in which the film formation rate of the electrode layer of Sample 6 is 0.05 nm / second, the metal (white display portion in the figure) constituting the electrode layer is connected. It wasn't. On the other hand, as shown in FIG. 23, in the transparent electrode of the configuration of the present invention in which the film formation rate of the electrode layer of Sample 7 was 0.3 nm / second, the metal constituting the electrode layer was connected. Thereby, in the transparent electrode of the structure of this invention whose film-forming speed | rate of the electrode layer of the sample 7 is 0.3 nm / second, it is not a nuclear growth type | mold (Volume-Weber: VW type | mold) but a single layer growth type | mold (Frank-van). It was confirmed that the electrode layer was formed by the film growth closer to der Merwe (FM type). In addition, it was confirmed that the higher the deposition rate of the electrode layer, the easier it is to be a single layer growth type (FM type).

また、表２において、電極層の成膜速度のみが異なる試料１１〜１４、試料１５〜１８、試料１９〜２２、及び試料２３〜２６をそれぞれ比較すると、窒素含有層を構成する材料が同じであれば、成膜速度が速いほど、シート抵抗が低く、文字の視認性が高かった。また、窒素含有層を構成する材料のみが異なる試料１４、１８、２２、２６をそれぞれ比較すると、上記化合物Ｉ〜IIIで示した化合物で構成されている試料１８、２２、２６は、シート抵抗が低く、文字の視認性が高かった。   In Table 2, when the samples 11 to 14, the samples 15 to 18, the samples 19 to 22, and the samples 23 to 26, which differ only in the film formation rate of the electrode layer, are compared, the materials constituting the nitrogen-containing layer are the same. If so, the faster the film formation rate, the lower the sheet resistance and the higher the visibility of the characters. Further, when samples 14, 18, 22, and 26, which are different only in the material constituting the nitrogen-containing layer, are compared, samples 18, 22, and 26 that are composed of the compounds shown in compounds I to III have a sheet resistance. Low and high visibility of characters.

また、図２２及び図２３は試料６及び７の透明電極のＳＥＭ画像を示しており、これらを比較すると、次に説明するとおり、成膜速度によって銀の成膜状態が異なることが明らかであった。図２２に示すように、試料６の電極層の成膜速度が０．０５ｎｍ／秒である本発明の範囲外の透明電極では、電極層を構成する銀（図中の白表示部）の連続性が低かった。一方、図２３に示すように、試料７の電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、電極層を構成する銀が繋がっていた。これにより、試料７の電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒である本発明構成の透明電極では、核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）ではなく、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）により近い膜成長によって電極層が形成されたことが確認された。また電極層の成膜速度が速いほど、単層成長型（ＦＭ型）になり易い傾向が確認された。   FIGS. 22 and 23 show SEM images of the transparent electrodes of Samples 6 and 7. When these are compared, it is clear that the film formation state of silver varies depending on the film formation rate as described below. It was. As shown in FIG. 22, in the transparent electrode outside the range of the present invention in which the film formation rate of the electrode layer of Sample 6 is 0.05 nm / second, the silver (white display portion in the figure) constituting the electrode layer is continuous. The sex was low. On the other hand, as shown in FIG. 23, in the transparent electrode of the configuration of the present invention in which the film formation rate of the electrode layer of Sample 7 was 0.3 nm / second, silver constituting the electrode layer was connected. Thereby, in the transparent electrode of the structure of this invention whose film-forming speed | rate of the electrode layer of the sample 7 is 0.3 nm / second, it is not a nuclear growth type | mold (Volume-Weber: VW type | mold) but a single layer growth type | mold (Frank-van). It was confirmed that the electrode layer was formed by the film growth closer to der Merwe (FM type). In addition, it was confirmed that the higher the deposition rate of the electrode layer, the easier it is to be a single layer growth type (FM type).

また、図２４Ａ〜２７Ａに試料１５〜１８の各透明電極のＳＥＭ画像を示し、図２４Ｂ〜図２７Ｂに試料１５〜１８の各透明電極のＳＥＭ画像を画像処理した処理画像を示す。これらの図２４Ｂ〜２７Ｂを比較すると、図２４Ｂ及び図２５Ｂに示す試料１５及び１６の透明電極では、電極層を構成する銀（図中の白表示部）の連続性が低かった。一方、図２６Ｂに示す試料１７及び図２７Ｂに示す試料１８の各透明電極では、電極層を構成する銀が連続していた。さらに、図２７Ｂに示す試料１８の透明電極は、図２６Ｂに示す試料１７の透明電極よりも、銀に被覆されていない部分が少なく、電極層を構成する銀の連続性が高かった。   24A to 27A show SEM images of the transparent electrodes of the samples 15 to 18, and FIGS. 24B to 27B show processed images obtained by performing image processing on the SEM images of the transparent electrodes of the samples 15 to 18. Comparing these FIGS. 24B to 27B, the continuity of silver (white display portion in the drawing) constituting the electrode layer was low in the transparent electrodes of Samples 15 and 16 shown in FIGS. 24B and 25B. On the other hand, in each of the transparent electrodes of Sample 17 shown in FIG. 26B and Sample 18 shown in FIG. 27B, silver constituting the electrode layer was continuous. Furthermore, the transparent electrode of Sample 18 shown in FIG. 27B had fewer parts not covered with silver than the transparent electrode of Sample 17 shown in FIG. 26B, and the continuity of silver constituting the electrode layer was high.

これにより、電極層の成膜速度が０．３ｎｍ／秒以上である本発明構成の透明電極では、核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）ではなく、単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）により近い膜成長によって、電極層が形成されたことが確認された。   Thereby, in the transparent electrode of the structure of this invention whose film-forming speed | rate of an electrode layer is 0.3 nm / sec or more, it is not a nuclear growth type | mold (Volume-Weber: VW type | mold) but a single layer growth type | mold (Frank-van der Merwe). : FM type), it was confirmed that the electrode layer was formed by film growth closer.

また、電極層に隣接して設けられた窒素含有層を構成する材料が同じであれば、電極層の成膜速度が速いほど、電極層を構成する銀（図中の白表示部）がより繋がっており、その連続性が高いことが確認された。また、窒素含有層を構成する材料が、上記化合物Ｉ〜IIIで示した化合物で構成されていれば、さらに電極層を構成する銀の連続性が高いことが確認された。   Moreover, if the material which comprises the nitrogen-containing layer provided adjacent to the electrode layer is the same, the silver (white display part in a figure) which comprises an electrode layer is more, so that the film-forming speed | rate of an electrode layer is quick. It is connected and it was confirmed that the continuity is high. Moreover, if the material which comprises a nitrogen containing layer was comprised by the compound shown by the said compounds I-III, it was confirmed that the continuity of the silver which comprises an electrode layer is high further.

また上記表２に示したように、試料２７の透明電極、すなわち透明基板と電極層との間に高屈折率層を設けた構成の透明電極は、高屈折率層を設けない構成の試料９の透明電極に比べて、文字の視認性が向上している。さらに、試料２８の透明電極、すなわち電極層を２層の高屈折率層で挟んだ構成の透明電極は、上記の試料２７の透明電極に比べて、文字の視認性が向上している。   Further, as shown in Table 2 above, the transparent electrode of Sample 27, that is, the transparent electrode having a high refractive index layer provided between the transparent substrate and the electrode layer, is the sample 9 having a configuration in which the high refractive index layer is not provided. Compared with transparent electrodes, the visibility of characters is improved. Further, the transparent electrode of the sample 28, that is, the transparent electrode having the electrode layer sandwiched between two high refractive index layers, has improved character visibility compared to the transparent electrode of the sample 27 described above.

この結果から、高屈折率層を設けることにより、光透過性の向上および光散乱性の低下の効果が確認された。さらに電極層を２層の高屈折率層で挟む構成とすることにより、透明電極の下地となる表示画像等の視認性がさらに向上することがわかる。   From this result, it was confirmed that by providing the high refractive index layer, the effect of improving the light transmittance and decreasing the light scattering property was confirmed. Furthermore, it can be seen that the visibility of a display image or the like serving as a base of the transparent electrode is further improved by sandwiching the electrode layer between two high refractive index layers.

尚、図２８には、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０-3≦［ｎ／Ｍ］≦１．９×１０-2である化合物No.１〜No.20を用いた窒素含有層の上部に、膜厚６ｎｍの電極層を設けた透明電極について、窒素含有層を構成する化合物の有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と、各透明電極について測定されたシート抵抗の値をプロットしたグラフを示す。In FIG. 28, compounds No. 1 to No. in which the effective unshared electron pair content [n / M] is 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] ≦ 1.9 × 10 −2 .20 for a transparent electrode in which an electrode layer having a film thickness of 6 nm is provided on the upper part of the nitrogen-containing layer, the effective unshared electron pair content [n / M] of the compound constituting the nitrogen-containing layer, and each transparent electrode The graph which plotted the value of the sheet resistance measured about was shown.

図２８のグラフから、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０-3≦［ｎ／Ｍ］≦１．９×１０-2の範囲では、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の値が大きいほど、透明電極のシート抵抗が低くなる傾向が見られた。そして有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］＝３．９×１０-3を境にして、３．９×１０-3≦［ｎ／Ｍ］の範囲であれば、飛躍的にシート抵抗を低下させる効果が得られることが確認された。From the graph of FIG. 28, when the effective unshared electron pair content [n / M] is in the range of 2.0 × 10 −3 ≦ [n / M] ≦ 1.9 × 10 −2 , the effective unshared electron pair content is included. As the value of the rate [n / M] is larger, the sheet resistance of the transparent electrode tends to be lower. If the effective unshared electron pair content [n / M] = 3.9 × 10 −3 is a boundary and the range is 3.9 × 10 −3 ≦ [n / M], the sheet resistance is dramatically increased. It was confirmed that the effect of lowering was obtained.

また以上の結果は、塗布成膜によって窒素含有層を形成した場合でも同様であった。   The above results were the same even when the nitrogen-containing layer was formed by coating.

以上より、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］を指標として、電極層に隣接して設けた窒素含有層を構成する化合物を選択して用いることにより、光透過性を得るために薄膜でありながらも低抵抗な電極層（すなわち透明電極）が得られることが確認された。   From the above, a thin film is obtained in order to obtain light transmissivity by selecting and using a compound constituting the nitrogen-containing layer provided adjacent to the electrode layer using the effective unshared electron pair content [n / M] as an index. However, it was confirmed that an electrode layer having low resistance (that is, a transparent electrode) was obtained.

≪タッチパネルの作製≫
実施例１で作製した本発明構成の各透明電極（試料７〜１０，１３,１４,１７，１８，２１，２２，２５〜２８）を、それぞれ２枚重ねて簡易式の各タッチパネルを作製した。≪Production of touch panel≫
Each of the transparent electrodes (samples 7 to 10, 13, 14, 17, 18, 18, 21, 22, 25 to 28) manufactured in Example 1 was overlapped to produce each simple touch panel. .

＜実施例２の各試料の評価および評価結果＞
作製した各タッチパネルについて、実施例１と同様の方法で文字の視認性を評価した。この結果、試料７〜１０，１３,１４,１７，１８，２１，２２，２５〜２８の各透明電極と同程度に、良好な文字の視認性が得られることが確認された。<Evaluation and Evaluation Result of Each Sample of Example 2>
About each produced touch panel, the visibility of the character was evaluated by the method similar to Example 1. FIG. As a result, it was confirmed that good character visibility was obtained to the same extent as the transparent electrodes of Samples 7 to 10, 13, 14, 17, 18, 21, 22, 25 to 28.

１，１ａ，１ｂ…タッチパネル用透明電極（透明電極）
１-1，１ａ-1，１ｂ-1…第１のタッチパネル用透明電極
１-2，１ａ-2，１ｂ-2…第２のタッチパネル用透明電極
３…窒素含有層
３-1…第１の窒素含有層
３-2…第２の窒素含有層
５…電極層
５-1…第１の電極層
５-2…第２の電極層
５ｘ１，５ｘ２，５ｘ３，…ｘ電極パターン（第１の電極層）
５ｙ１，５ｙ２，５ｙ３，…ｙ電極パターン（第２の電極層）
２１，２２，２３，２４…タッチパネル
３１…表示装置
３３…表示パネル
Ｈ…高屈折率層
Ｈ-1…第１の高屈折率層
Ｈ-2…第２の高屈折率層
Ｈ-3…第３の高屈折率層1, 1a, 1b ... Transparent electrode for touch panel (transparent electrode)
1-1, 1a-1, 1b-1 ... transparent electrode for first touch panel 1-2, 1a-2, 1b-2 ... transparent electrode for second touch panel 3 ... nitrogen-containing layer 3-1 ... first Nitrogen-containing layer 3-2 ... second nitrogen-containing layer 5 ... electrode layer 5-1 ... first electrode layer 5-2 ... second electrode layer 5x1, 5x2, 5x3, ... x electrode pattern (first electrode layer)
5y1, 5y2, 5y3,... Y electrode pattern (second electrode layer)
21, 22, 23, 24 ... touch panel 31 ... display device 33 ... display panel H ... high refractive index layer H-1 ... first high refractive index layer H-2 ... second high refractive index layer H-3 ... first 3 high refractive index layer

Claims (9)

０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜され、シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有し、銀または銀を主成分とした合金で構成された電極層を備えた
タッチパネル用透明電極。A touch panel having an electrode layer formed of silver or an alloy containing silver as a main component, having a film thickness of 12 nm or less capable of measuring a sheet resistance, formed at a film forming speed of 0.3 nm / second or more. Transparent electrode. 前記電極層は、０．５ｎｍ／秒以上の成膜速度で成膜された
請求項１に記載のタッチパネル用透明電極。The transparent electrode for a touch panel according to claim 1, wherein the electrode layer is formed at a film formation rate of 0.5 nm / second or more. 前記電極層の片面側に、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の高屈折率層を備えた
請求項１又は２に記載のタッチパネル用透明電極。The transparent electrode for touchscreens of Claim 1 or 2 provided with the high refractive index layer whose refractive index (n) in wavelength 550nm is 2.0 or more in the single side | surface side of the said electrode layer. 前記電極層は、波長５５０ｎｍにおける屈折率（ｎ）が２．０以上の高屈折率層により挟持されている
請求項１〜３のいずれか一項に記載のタッチパネル用透明電極。The transparent electrode for a touch panel according to any one of claims 1 to 3, wherein the electrode layer is sandwiched between high refractive index layers having a refractive index (n) of 2.0 or more at a wavelength of 550 nm. 前記電極層の片面側に隣接する窒素含有層をさらに備えた
請求項１又は２に記載のタッチパネル用透明電極。The transparent electrode for a touch panel according to claim 1, further comprising a nitrogen-containing layer adjacent to one side of the electrode layer. 前記電極層の片面側であって、かつ、前記電極層と前記高屈折率層の間に窒素含有層をさらに備えた
請求項３又は４に記載のタッチパネル用透明電極。The transparent electrode for a touch panel according to claim 3, further comprising a nitrogen-containing layer on one side of the electrode layer and between the electrode layer and the high refractive index layer. 請求項１〜６の何れかに記載のタッチパネル用透明電極を備えた
タッチパネル。A touch panel comprising the transparent electrode for a touch panel according to claim 1. 請求項７に記載のタッチパネルと、
前記タッチパネルに重ねて配置された表示パネルとを備えた
表示装置。A touch panel according to claim 7;
And a display panel disposed on the touch panel. シート抵抗の測定が可能な１２ｎｍ以下の膜厚を有すると共に銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された電極層を、０．３ｎｍ／秒以上の成膜速度によって形成する工程
を含むタッチパネル用透明電極の製造方法。Forming an electrode layer having a film thickness of 12 nm or less capable of measuring sheet resistance and made of silver or a silver-based alloy at a film forming speed of 0.3 nm / second or more. Manufacturing method of transparent electrode for touch panel.
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