JPWO2014080742A1 - Optical member with transparent conductive layer - Google Patents

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Abstract

透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供する。透明導電層付き光学部材１は、高屈折率誘電体層２１と、パターニングされた透明導電層２３と、低屈折率誘電体層２２とを備える。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．６５〜１．９５である。透明導電層２３は、高屈折率誘電体層２１の上に配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３と高屈折率誘電体層２１との間に配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３及び高屈折率誘電体層２１のそれぞれよりも屈折率が低い。Provided is an optical member with a transparent conductive layer in which the transparent conductive layer is hardly visible. The optical member 1 with a transparent conductive layer includes a high refractive index dielectric layer 21, a patterned transparent conductive layer 23, and a low refractive index dielectric layer 22. The refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is 1.65 to 1.95. The transparent conductive layer 23 is disposed on the high refractive index dielectric layer 21. The low refractive index dielectric layer 22 is disposed between the transparent conductive layer 23 and the high refractive index dielectric layer 21. The low refractive index dielectric layer 22 has a lower refractive index than each of the transparent conductive layer 23 and the high refractive index dielectric layer 21.

Description

本発明は、透明導電層付き光学部材に関する。   The present invention relates to an optical member with a transparent conductive layer.

従来、例えば、タッチパネルなどに、パターニングされた透明導電層を有する光学フィルムが用いられている。このような光学フィルムには、パターニングされた透明導電層が視認され、タッチパネルの見栄えが悪くなるという問題がある。   Conventionally, for example, an optical film having a patterned transparent conductive layer is used for a touch panel or the like. Such an optical film has a problem that the patterned transparent conductive layer is visually recognized and the appearance of the touch panel is deteriorated.

これに鑑み、特許文献１では、フィルム基材と透明導電層との間に、所定の屈折率及び厚みを有する第１及び第２の透明誘電体層を配することにより、透明導電層が設けられた部分と設けられていない部分とにおける反射率差を低減し、透明導電層が視認されにくくすることが提案されている。具体的には、特許文献１に記載の透明導電性フィルムでは、透明フィルム基材側から、第１の透明誘電体層と、第２の透明誘電体層と、透明導電層とがこの順番で形成されている。第１の透明誘電体層の屈折率ｎ１は、透明導電層の屈折率ｎ３よりも大きい。透明導電層の屈折率ｎ３は、第２の透明誘電体層の屈折率ｎ２よりも大きい。具体的には、ｎ１は、２．０〜２．３である。ｎ２は、１．４〜１．５である。ｎ３は、１．９〜２．１である。第１の透明誘電体層の厚みは、２ｎｍ〜１０ｎｍである。第２の透明誘電体層の厚みは、２０ｎｍ〜５５ｎｍである。透明導電層の厚みは、１５ｎｍ〜３０ｎｍである。   In view of this, in Patent Document 1, a transparent conductive layer is provided by arranging first and second transparent dielectric layers having a predetermined refractive index and thickness between a film substrate and a transparent conductive layer. It has been proposed to reduce the difference in reflectance between the formed portion and the portion where the transparent conductive layer is not provided. Specifically, in the transparent conductive film described in Patent Document 1, the first transparent dielectric layer, the second transparent dielectric layer, and the transparent conductive layer are arranged in this order from the transparent film substrate side. Is formed. The refractive index n1 of the first transparent dielectric layer is larger than the refractive index n3 of the transparent conductive layer. The refractive index n3 of the transparent conductive layer is larger than the refractive index n2 of the second transparent dielectric layer. Specifically, n1 is 2.0 to 2.3. n2 is 1.4 to 1.5. n3 is 1.9 to 2.1. The thickness of the first transparent dielectric layer is 2 nm to 10 nm. The thickness of the second transparent dielectric layer is 20 nm to 55 nm. The thickness of the transparent conductive layer is 15 nm to 30 nm.

特許第４９６６９２４号公報Japanese Patent No. 4966924

透明導電層がさらに視認されにくく、より優れた見栄えを実現したいという要望がある。   There is a demand that the transparent conductive layer is less visible and it is desired to realize a more excellent appearance.

本発明の主な目的は、透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供することにある。   A main object of the present invention is to provide an optical member with a transparent conductive layer in which the transparent conductive layer is hardly visible.

本発明に係る透明導電層付き光学部材は、高屈折率誘電体層と、パターニングされた透明導電層と、低屈折率誘電体層とを備える。高屈折率誘電体層の屈折率は、１．６５〜１．９５である。透明導電層は、高屈折率誘電体層の上に配されている。低屈折率誘電体層は、透明導電層と高屈折率誘電体層との間に配されている。低屈折率誘電体層は、透明導電層及び高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い。   The optical member with a transparent conductive layer according to the present invention includes a high refractive index dielectric layer, a patterned transparent conductive layer, and a low refractive index dielectric layer. The refractive index of the high refractive index dielectric layer is 1.65 to 1.95. The transparent conductive layer is disposed on the high refractive index dielectric layer. The low refractive index dielectric layer is disposed between the transparent conductive layer and the high refractive index dielectric layer. The low refractive index dielectric layer has a lower refractive index than each of the transparent conductive layer and the high refractive index dielectric layer.

本発明に係る透明導電層付き光学部材は、さらに、第２の高屈折率誘電体層と、第２の低屈折率誘電体層とを備えていてもよい。第２の高屈折率誘電体層は、透明導電層と低屈折率誘電体層との間に配されており、屈折率が１．６５以上である。第２の低屈折率誘電体層は、透明導電層と第２の高屈折率誘電体層との間に配されており、透明導電層、高屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い。   The optical member with a transparent conductive layer according to the present invention may further include a second high refractive index dielectric layer and a second low refractive index dielectric layer. The second high refractive index dielectric layer is disposed between the transparent conductive layer and the low refractive index dielectric layer, and has a refractive index of 1.65 or more. The second low-refractive index dielectric layer is disposed between the transparent conductive layer and the second high-refractive index dielectric layer, and the transparent conductive layer, the high-refractive index dielectric layer, and the second high-refractive index. The refractive index is lower than each of the dielectric layers.

高屈折率誘電体層の屈折率は、第２の高屈折率誘電体層の屈折率以下であることが好ましい。   The refractive index of the high refractive index dielectric layer is preferably less than or equal to the refractive index of the second high refractive index dielectric layer.

高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましい。   The thickness of the high refractive index dielectric layer and / or the second high refractive index dielectric layer is preferably 10 nm or more.

高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層の屈折率が１．７以上であることが好ましい。   The refractive index of the high refractive index dielectric layer and / or the second high refractive index dielectric layer is preferably 1.7 or more.

高屈折率誘電体層及び／または第２の高屈折率誘電体層が、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物からなるものであってもよい。   The high refractive index dielectric layer and / or the second high refractive index dielectric layer is made of a complex oxide containing at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti and Si. May be.

低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層の屈折率が１．６以下であることが好ましい。   The refractive index of the low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer is preferably 1.6 or less.

低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層が、酸化ケイ素からなるものであってもよい。   The low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer may be made of silicon oxide.

低屈折率誘電体層及び／または第２の低屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上であることが好ましい。   The thickness of the low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer is preferably 10 nm or more.

透明導電層の屈折率が、１．７〜２．２であることが好ましい。   The transparent conductive layer preferably has a refractive index of 1.7 to 2.2.

透明導電層の厚みが、１５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。   The thickness of the transparent conductive layer is preferably 15 nm to 200 nm.

高屈折率誘電体層、第２の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層のそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層、第２の高屈折率誘電体層、低屈折率誘電体層及び第２の低屈折率誘電体層が設けられていない場合と比べて、透明導電層が設けられた領域における光反射率と、透明導電層が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されていることが好ましい。   The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer, the second high refractive index dielectric layer, the low refractive index dielectric layer, and the second low refractive index dielectric layer are the same as the high refractive index dielectric layer, Compared with the case where the high-refractive-index dielectric layer, the low-refractive-index dielectric layer, and the second low-refractive-index dielectric layer are not provided, the light reflectance in the region where the transparent conductive layer is provided and the transparent It is preferable that the difference between the light reflectance in the region where the conductive layer is not provided is set to be small.

本発明に係る透明導電層付き光学部材は、高屈折率誘電体層または第２の高屈折率誘電体層の上に、透明導電層を覆うように反射抑制層が配されるものであることが好ましい。   In the optical member with a transparent conductive layer according to the present invention, a reflection suppressing layer is disposed on the high refractive index dielectric layer or the second high refractive index dielectric layer so as to cover the transparent conductive layer. Is preferred.

本発明によれば、透明導電層が視認されにくい透明導電層付き光学部材を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an optical member with a transparent conductive layer in which the transparent conductive layer is hardly visible.

図１は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材の略図的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical member with a transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材の使用態様の一例を表す略図的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a usage mode of the optical member with a transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention. 図３は、透明導電層が設けられた領域と、透明導電層が設けられていない領域との間の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける反射率差が最小となる場合の、高屈折率誘電体層の屈折率と高屈折率誘電体層の厚みとの関係を表すグラフである。FIG. 3 shows the refraction of the high refractive index dielectric layer when the difference in reflectance at the wavelength of 400 nm to 800 nm between the region where the transparent conductive layer is provided and the region where the transparent conductive layer is not provided is minimized. It is a graph showing the relationship between a refractive index and the thickness of a high refractive index dielectric material layer. 図４は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材の略図的断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an optical member with a transparent conductive layer according to another embodiment of the present invention. 図５は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材の使用態様の一例を表す略図的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a usage mode of an optical member with a transparent conductive layer according to another embodiment of the present invention.

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。   Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。   Moreover, in each drawing referred in embodiment etc., the member which has a substantially the same function shall be referred with the same code | symbol. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described. A ratio of dimensions of an object drawn in a drawing may be different from a ratio of dimensions of an actual object. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.

図１は、本発明の一実施形態に係る透明導電層付き光学部材１の略図的断面図である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an optical member 1 with a transparent conductive layer according to an embodiment of the present invention.

図１に示されるように、光学部材１は、基材１０を備える。基材１０は、透光性を有するものである限りにおいて特に限定されない。本実施形態では、基材１０は、ガラス板１１と、ガラス板１１の上に設けられた酸化ケイ素層１２とを有する。酸化ケイ素層１２は、例えば、ガラス板１１がアルカリを含む場合にアルカリバリア層としての機能や、後述する高屈折率誘電体層２１と基材１０との間の密着力を改善する密着層としての機能等を有していてもよい。もっとも、基材１０は、例えば、ガラス板のみにより構成されていてもよい。また、基材１０は、樹脂板や、表面にハードコート層等が形成された樹脂板等により構成されていてもよい。   As shown in FIG. 1, the optical member 1 includes a base material 10. The substrate 10 is not particularly limited as long as it has translucency. In the present embodiment, the substrate 10 includes a glass plate 11 and a silicon oxide layer 12 provided on the glass plate 11. For example, when the glass plate 11 contains an alkali, the silicon oxide layer 12 functions as an alkali barrier layer, or as an adhesion layer that improves adhesion between the high refractive index dielectric layer 21 and the substrate 10 described later. It may have the function of. But the base material 10 may be comprised only by the glass plate, for example. Moreover, the base material 10 may be comprised with the resin board etc. by which the hard-coat layer etc. were formed in the resin board or the surface.

基材１０の形状は特に限定されないが、本実施形態では、基材１０は、板状である。   Although the shape of the base material 10 is not specifically limited, In this embodiment, the base material 10 is plate shape.

基材１０の上には、高屈折率誘電体層２１が設けられている。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．６５〜１．９５である。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．７以上であることが好ましく、１．７５以上であることがより好ましい。高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．９以下であることが好ましく、１．８５以下であることがより好ましい。   A high refractive index dielectric layer 21 is provided on the substrate 10. The refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is 1.65 to 1.95. The refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably 1.7 or more, and more preferably 1.75 or more. The refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably 1.9 or less, and more preferably 1.85 or less.

高屈折率誘電体層２１の構成材料は、屈折率が１．６５〜１．９５である限りにおいて特に限定されない。高屈折率誘電体層２１は、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物により構成することができる。Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物の具体例としては、ＮｂとＳｉとの複合酸化物、ＴｉとＳｉとの複合酸化物、ＺｒとＳｉとの複合酸化物、ＴａとＳｉとの複合酸化物等が挙げられる。高屈折率誘電体層２１は、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとの原子比（Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種：Ｓｉ）が１５：８５〜８０：２０である複合酸化物からなることが好ましく、２５：７５〜７０：３０である複合酸化物からなることがより好ましい。   The constituent material of the high refractive index dielectric layer 21 is not particularly limited as long as the refractive index is 1.65 to 1.95. The high refractive index dielectric layer 21 can be composed of, for example, a complex oxide containing Si and at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti. Specific examples of composite oxides containing at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti and Si include composite oxides of Nb and Si, composite oxides of Ti and Si, Zr And a composite oxide of Ta and Si, and the like. The high refractive index dielectric layer 21 is at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti and an atomic ratio with Si (at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti: Si) is preferably composed of a complex oxide of 15:85 to 80:20, and more preferably composed of a complex oxide of 25:75 to 70:30.

高屈折率誘電体層２１の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１２ｎｍ以上であることがより好ましい。高屈折率誘電体層２１の厚みは、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以下であることがより好ましい。   The thickness of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably 10 nm or more, and more preferably 12 nm or more. The thickness of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably 40 nm or less, and more preferably 35 nm or less.

高屈折率誘電体層２１の上には、透明導電層２３が配されている。透明導電層２３は、パターニングされている。このため、透明導電層２３は、高屈折率誘電体層２１の一部の上に配されており、高屈折率誘電体層２１の残りの部分は、透明導電層２３により覆われていない。   A transparent conductive layer 23 is arranged on the high refractive index dielectric layer 21. The transparent conductive layer 23 is patterned. For this reason, the transparent conductive layer 23 is disposed on a part of the high refractive index dielectric layer 21, and the remaining part of the high refractive index dielectric layer 21 is not covered with the transparent conductive layer 23.

透明導電層２３は、例えば、透明導電性酸化物により構成することができる。具体的には、透明導電層２３は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、等により構成されていてもよい。   The transparent conductive layer 23 can be composed of, for example, a transparent conductive oxide. Specifically, the transparent conductive layer 23 is made of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO), or the like. May be.

透明導電層２３が透明導電性酸化物により構成されている場合は、透明導電層２３の屈折率は、通常、１．７〜２．２程度である。また、シート抵抗を低くする観点から、透明導電層２３の厚みは、通常、１５〜２００ｎｍ程度とされる。透明導電層２３が厚すぎると、光の吸収が大きくなる。従って、透明導電層２３の厚みは、５０ｎｍ以下であることがより好ましく、３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。   When the transparent conductive layer 23 is composed of a transparent conductive oxide, the refractive index of the transparent conductive layer 23 is usually about 1.7 to 2.2. Further, from the viewpoint of reducing the sheet resistance, the thickness of the transparent conductive layer 23 is usually about 15 to 200 nm. If the transparent conductive layer 23 is too thick, light absorption is increased. Therefore, the thickness of the transparent conductive layer 23 is more preferably 50 nm or less, and further preferably 30 nm or less.

透明導電層２３と高屈折率誘電体層２１との間には、低屈折率誘電体層２２が配されている。低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３が設けられた領域と、透明導電層２３が設けられていない領域とに跨がって設けられている。本実施形態では、低屈折率誘電体層２２は、透明導電層２３が設けられた領域を含め、高屈折率誘電体層２１の実質的に全体の上に設けられている。よって、高屈折率誘電体層２１は、低屈折率誘電体層２２から露出していない。低屈折率誘電体層２２と透明導電層２３とにより、光学部材１の表面が構成されている。   A low refractive index dielectric layer 22 is arranged between the transparent conductive layer 23 and the high refractive index dielectric layer 21. The low refractive index dielectric layer 22 is provided across a region where the transparent conductive layer 23 is provided and a region where the transparent conductive layer 23 is not provided. In this embodiment, the low refractive index dielectric layer 22 is provided on substantially the entire high refractive index dielectric layer 21 including the region where the transparent conductive layer 23 is provided. Therefore, the high refractive index dielectric layer 21 is not exposed from the low refractive index dielectric layer 22. The low refractive index dielectric layer 22 and the transparent conductive layer 23 constitute the surface of the optical member 1.

低屈折率誘電体層２２の屈折率は、透明導電層２３の屈折率よりも低く、かつ、高屈折率誘電体層２１の屈折率よりも低い。低屈折率誘電体層２２の屈折率は、１．６以下であることが好ましく、１．５５以下であることがより好ましい。低屈折率誘電体層２２の屈折率は、通常、１．３８以上である。   The refractive index of the low refractive index dielectric layer 22 is lower than the refractive index of the transparent conductive layer 23 and lower than the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21. The refractive index of the low refractive index dielectric layer 22 is preferably 1.6 or less, and more preferably 1.55 or less. The refractive index of the low refractive index dielectric layer 22 is usually 1.38 or more.

低屈折率誘電体層２２は、例えば、酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等により構成することができる。低屈折率誘電体層２２の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。低屈折率誘電体層２２の厚みは、５５ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以下であることが好ましい。   The low refractive index dielectric layer 22 can be composed of, for example, silicon oxide, magnesium fluoride, barium fluoride, or the like. The thickness of the low refractive index dielectric layer 22 is preferably 10 nm or more, and more preferably 20 nm or more. The thickness of the low refractive index dielectric layer 22 is preferably 55 nm or less, and preferably 50 nm or less.

図２は、光学部材１の使用態様の一例を表す略図的断面図である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of how the optical member 1 is used.

図２に示されるように、光学部材１は、透明導電層２３側の表面が、粘着層３１によりガラス板３２に粘着された態様で使用され得る。通常、粘着層３１の屈折率はガラス板３２と同程度である。ガラス板３２の光学部材１とは反対側の表面の上には、表面における光反射を抑制する反射抑制層３３が設けられていることが好ましい。すなわち、高屈折率誘電体層２１の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられていることが好ましい。反射抑制層３３は、例えば、相対的に低い屈折率を有する低屈折率層と、相対的に高い屈折率を有する高屈折率層とが交互に積層されてなる誘電体多層膜により構成することができる。   As shown in FIG. 2, the optical member 1 can be used in a mode in which the surface on the transparent conductive layer 23 side is adhered to the glass plate 32 by the adhesive layer 31. Usually, the refractive index of the adhesive layer 31 is approximately the same as that of the glass plate 32. On the surface of the glass plate 32 opposite to the optical member 1, it is preferable to provide a reflection suppressing layer 33 that suppresses light reflection on the surface. That is, it is preferable that the antireflection layer 33 is provided on the high refractive index dielectric layer 21 so as to cover the transparent conductive layer 23. The antireflection layer 33 is constituted by, for example, a dielectric multilayer film in which a low refractive index layer having a relatively low refractive index and a high refractive index layer having a relatively high refractive index are alternately stacked. Can do.

高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とが設けられていない場合と比べて、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている。高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が最小となるように設定されていることが好ましい。透明導電層２３が視認されにくくなるためである。高屈折率誘電体層２１と低屈折率誘電体層２２とのそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が０．５％以下となるように設けられていることが好ましく、０．３％以下となるように設けられていることがより好ましい。   The thickness and refractive index of the high-refractive index dielectric layer 21 and the low-refractive index dielectric layer 22 are compared with the case where the high-refractive index dielectric layer 21 and the low-refractive index dielectric layer 22 are not provided. The difference between the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is provided and the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is set to be small. The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 and the low refractive index dielectric layer 22 are the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is provided in the visible wavelength region (400 nm to 800 nm), and It is preferable that the difference from the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is set to be minimum. This is because the transparent conductive layer 23 is less visible. The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 and the low refractive index dielectric layer 22 are the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is provided in the visible wavelength region (400 nm to 800 nm), and It is preferable that the difference from the light reflectance in a region where the transparent conductive layer 23 is not provided is 0.5% or less, and that the difference is 0.3% or less. More preferred.

下記の表１〜表４に、光学部材１の設計例を示す。なお、表１〜表４において、「波長５５０ｎｍにおける反射率差」は、波長５５０ｎｍにおける、透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差のことである。表１〜表４に示す「波長５５０ｎｍにおける反射率差」は、透明導電層の上に位置する媒質の屈折率が１．５である場合の反射率差のデータである。高屈折率誘電体層の材料の欄に示す比率は、原子比である。   Tables 1 to 4 below show design examples of the optical member 1. In Tables 1 to 4, “reflectance difference at a wavelength of 550 nm” refers to a difference in reflectance between a region where a transparent conductive layer is provided and a region where a transparent conductive layer is not provided at a wavelength of 550 nm. The “reflectance difference at a wavelength of 550 nm” shown in Tables 1 to 4 is data on the difference in reflectance when the refractive index of the medium located on the transparent conductive layer is 1.5. The ratio shown in the column of the material of the high refractive index dielectric layer is an atomic ratio.

Figure 2014080742
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なお、高屈折率誘電体層２１がＴｉとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｔｉ：Ｓｉを１５：８５〜４５：５５程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＮｂとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｎｂ：Ｓｉを３０：７０〜７０：３０程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＺｒとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｚｒ：Ｓｉを２５：７５〜７０：３０程度とすればよい。高屈折率誘電体層２１がＴａとＳｉとの複合酸化物である場合に、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とするためには、Ｔａ：Ｓｉを４０：６０〜８０：２０程度とすればよい。   When the high refractive index dielectric layer 21 is a composite oxide of Ti and Si, in order to set the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 to 1.65 to 1.95, Ti: Si May be about 15:85 to 45:55. When the high refractive index dielectric layer 21 is a complex oxide of Nb and Si, in order to set the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 to 1.65 to 1.95, Nb: Si is set to 30. : 70 to 70:30. When the high refractive index dielectric layer 21 is a composite oxide of Zr and Si, in order to set the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 to 1.65 to 1.95, Zr: Si is 25 : About 75 to 70:30. When the high refractive index dielectric layer 21 is a complex oxide of Ta and Si, in order to set the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 to 1.65 to 1.95, Ta: Si is 40 : About 60 to 80:20.

図３に、透明導電層２３が設けられた領域と、透明導電層２３が設けられていない領域との間の波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにおける反射率差が最小となる場合の、高屈折率誘電体層２１の屈折率と高屈折率誘電体層２１の厚みとの関係を表すグラフを示す。なお、図３に示すグラフは、下記の条件におけるグラフである。   FIG. 3 shows a high-refractive-index dielectric layer when the difference in reflectance at a wavelength of 400 nm to 800 nm between the region where the transparent conductive layer 23 is provided and the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is minimized. 2 is a graph showing the relationship between the refractive index of 21 and the thickness of the high refractive index dielectric layer 21. The graph shown in FIG. 3 is a graph under the following conditions.

透明導電層２３の屈折率：１．８３
透明導電層２３の厚み：１８ｎｍ
ガラス板１１の屈折率：１．５
酸化ケイ素層１２の屈折率：１．４７
酸化ケイ素層１２の厚み：１０ｎｍRefractive index of the transparent conductive layer 23: 1.83
Transparent conductive layer 23 thickness: 18 nm
Refractive index of the glass plate 11: 1.5
Refractive index of the silicon oxide layer 12: 1.47
Silicon oxide layer 12 thickness: 10 nm

図３に示される結果から、高屈折率誘電体層の屈折率が１．９５を超える場合は、透明導電層が視認されにくくするためには、高屈折率誘電体層の厚みを１０ｎｍ未満にする必要がある。しかしながら、厚みが１０ｎｍ未満である場合は、均一な高屈折率誘電体層を形成することが困難である。また、高屈折率誘電体層を所望の厚みに形成することが困難である。また、形成された高屈折率誘電体層の厚みが設計値からずれると、高屈折率誘電体層の光学特性が大きく変化する。従って、透明導電層が視認されにくい光学部材を安定して製造することは困難である。   From the results shown in FIG. 3, when the refractive index of the high refractive index dielectric layer exceeds 1.95, the thickness of the high refractive index dielectric layer should be less than 10 nm in order to make the transparent conductive layer difficult to be seen. There is a need to. However, when the thickness is less than 10 nm, it is difficult to form a uniform high refractive index dielectric layer. In addition, it is difficult to form a high refractive index dielectric layer with a desired thickness. Further, when the thickness of the formed high refractive index dielectric layer deviates from the design value, the optical characteristics of the high refractive index dielectric layer change greatly. Therefore, it is difficult to stably manufacture an optical member in which the transparent conductive layer is hardly visible.

一方、高屈折率誘電体層の屈折率が１．６５を下回ると、高屈折率誘電体層の厚みを厚くしても透明導電層が設けられた領域と設けられた領域とにおける光反射率差を小さくすることが困難となる。   On the other hand, if the refractive index of the high refractive index dielectric layer is less than 1.65, the light reflectance in the region where the transparent conductive layer is provided and the region where the transparent conductive layer is provided even if the thickness of the high refractive index dielectric layer is increased. It becomes difficult to reduce the difference.

それに対して、高屈折率誘電体層２１の屈折率が、１．６５〜１．９５である光学部材１においては、厚みが１０ｎｍ以上の高屈折率誘電体層２１を設けることにより、透明導電層２３が設けられた領域と設けられた領域とにおける光反射率差を小さくすることができる。また、高屈折率誘電体層２１の厚みを１０ｎｍ以上とできるため、均一な厚みの高屈折率誘電体層２１を形成しやすい。形成された高屈折率誘電体層の厚みが設計値からずれたときにおいても、高屈折率誘電体層の光学特性が変化しにくい。従って、透明導電層２３が視認されにくい光学部材１を容易に安定して製造することができる。   On the other hand, in the optical member 1 in which the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is 1.65 to 1.95, the transparent conductive film is provided by providing the high refractive index dielectric layer 21 having a thickness of 10 nm or more. The difference in light reflectance between the region where the layer 23 is provided and the region where the layer 23 is provided can be reduced. Moreover, since the thickness of the high refractive index dielectric layer 21 can be 10 nm or more, it is easy to form the high refractive index dielectric layer 21 having a uniform thickness. Even when the thickness of the formed high refractive index dielectric layer deviates from the design value, the optical characteristics of the high refractive index dielectric layer are unlikely to change. Therefore, the optical member 1 in which the transparent conductive layer 23 is hardly visible can be easily and stably manufactured.

透明導電層２３がより視認されにくいようにする観点からは、高屈折率誘電体層２１の屈折率は、１．７以上であることが好ましく、１．７５以上であることがより好ましい。   From the viewpoint of making the transparent conductive layer 23 less visible, the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably 1.7 or more, and more preferably 1.75 or more.

図２に示されるように、高屈折率誘電体層２１の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられる場合には、相対的に透明導電層２３が設けられた領域と設けられていない領域の反射率の割合が大きくなる。そのため、透明導電層２３が設けられた領域と設けられていない領域との光反射率の差がより顕著に視認されやすくなるため、高屈折率誘電体層２１の屈折率を１．６５〜１．９５とすることがより好ましい。   As shown in FIG. 2, when a reflection suppressing layer 33 is provided on the high refractive index dielectric layer 21 so as to cover the transparent conductive layer 23, a region where the transparent conductive layer 23 is relatively provided. And the ratio of the reflectance of the area where it is not provided increases. For this reason, the difference in light reflectance between the region where the transparent conductive layer 23 is provided and the region where the transparent conductive layer 23 is not provided becomes more noticeable. Therefore, the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is 1.65 to 1. More preferred is .95.

なお、光学部材１とは異なり、低屈折率誘電体層、高屈折率誘電体層及び透明導電層をこの順番で積層することも考えられる。しかしながら、この場合は、透明導電層が設けられた領域と透明導電層が設けられていない領域とにおける光反射率の差を十分に小さくすることができない。   In addition, unlike the optical member 1, it is also conceivable to stack a low refractive index dielectric layer, a high refractive index dielectric layer, and a transparent conductive layer in this order. However, in this case, the difference in light reflectance between the region where the transparent conductive layer is provided and the region where the transparent conductive layer is not provided cannot be made sufficiently small.

図４は、本発明の他の実施形態に係る透明導電層付き光学部材２の略図的断面図である。本実施形態では、図１に示す実施形態と同様に、基材１０と、基材１０の上に設けられる高屈折率誘電体層２１と、高屈折率誘電体層２１の上に設けられる低屈折率誘電体層２２と、低屈折率誘電体層２２の上に設けられる透明電極層２３とを備えている。本実施形態では、図４に示すように、さらに、低屈折率誘電体層２２と透明電極層２３との間に、第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられている。第２の高屈折率誘電体層２４は、低屈折率誘電体層２２の上に設けられており、第２の低屈折率誘電体層２５は、第２の高屈折率誘電体層２４の上に設けられている。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an optical member 2 with a transparent conductive layer according to another embodiment of the present invention. In the present embodiment, similarly to the embodiment shown in FIG. 1, the base material 10, the high refractive index dielectric layer 21 provided on the base material 10, and the low refractive index dielectric layer 21 provided on the high refractive index dielectric layer 21. A refractive index dielectric layer 22 and a transparent electrode layer 23 provided on the low refractive index dielectric layer 22 are provided. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the second high refractive index dielectric layer 24 and the second low refractive index dielectric are further provided between the low refractive index dielectric layer 22 and the transparent electrode layer 23. A layer 25 is provided. The second high refractive index dielectric layer 24 is provided on the low refractive index dielectric layer 22, and the second low refractive index dielectric layer 25 is the second high refractive index dielectric layer 24. It is provided above.

第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５をさらに備えることにより、透明導電層２３をさらに視認されにくくすることができる。   By further including the second high-refractive index dielectric layer 24 and the second low-refractive index dielectric layer 25, the transparent conductive layer 23 can be further prevented from being visually recognized.

第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、１．６５以上であることが好ましく、１．７以上であることがより好ましく、１．７５以上であることがさらに好ましい。第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、２．２以下であることが好ましく、１．９以下であることがより好ましく、１．８５以下であることがさらに好ましい。上述のように、高屈折率誘電体層２１の屈折率は、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率以下であることが好ましい。したがって、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率は、高屈折率誘電体層２１の屈折率以上であることが好ましい。   The refractive index of the second high refractive index dielectric layer 24 is preferably 1.65 or more, more preferably 1.7 or more, and even more preferably 1.75 or more. The refractive index of the second high refractive index dielectric layer 24 is preferably 2.2 or less, more preferably 1.9 or less, and even more preferably 1.85 or less. As described above, the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21 is preferably equal to or lower than the refractive index of the second high refractive index dielectric layer 24. Accordingly, the refractive index of the second high refractive index dielectric layer 24 is preferably equal to or higher than the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21.

第２の高屈折率誘電体層２４は、例えば、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物により構成することができる。Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物の具体例としては、ＮｂとＳｉとの複合酸化物、ＴｉとＳｉとの複合酸化物、ＺｒとＳｉとの複合酸化物、ＴａとＳｉとの複合酸化物等が挙げられる。第２の高屈折率誘電体層２４は、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとの原子比（Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種：Ｓｉ）が１５：８５〜８０：２０である複合酸化物からなることが好ましく、２５：７５〜７０：３０である複合酸化物からなることがより好ましい。   The second high refractive index dielectric layer 24 can be composed of, for example, a complex oxide containing Si and at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr, and Ti. Specific examples of composite oxides containing at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti and Si include composite oxides of Nb and Si, composite oxides of Ti and Si, Zr And a composite oxide of Ta and Si, and the like. The second high refractive index dielectric layer 24 was selected from the group consisting of at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr and Ti and the atomic ratio of Si (Ta, Nb, Zr and Ti). It is preferable that at least one kind: Si) is made of a composite oxide of 15:85 to 80:20, and more preferably a composite oxide of 25:75 to 70:30.

第２の高屈折率誘電体層２４の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１２ｎｍ以上であることがより好ましい。第２の高屈折率誘電体層２４の厚みは、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３５ｎｍ以下であることがより好ましい。   The thickness of the second high refractive index dielectric layer 24 is preferably 10 nm or more, and more preferably 12 nm or more. The thickness of the second high refractive index dielectric layer 24 is preferably 40 nm or less, and more preferably 35 nm or less.

第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、透明導電層２３の屈折率よりも低く、かつ、高屈折率誘電体層２１の屈折率よりも低く、かつ、第２の高屈折率誘電体層２４の屈折率よりも低い。第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、１．６以下であることが好ましく、１．５５以下であることがより好ましい。第２の低屈折率誘電体層２５の屈折率は、通常、１．３８以上である。   The refractive index of the second low refractive index dielectric layer 25 is lower than the refractive index of the transparent conductive layer 23 and lower than the refractive index of the high refractive index dielectric layer 21, and the second high refractive index. Lower than the refractive index of the dielectric layer 24. The refractive index of the second low refractive index dielectric layer 25 is preferably 1.6 or less, and more preferably 1.55 or less. The refractive index of the second low refractive index dielectric layer 25 is normally 1.38 or more.

第２の低屈折率誘電体層２５は、例えば、酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、フッ化バリウム等により構成することができる。第２の低屈折率誘電体層２５の厚みは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。第２の低屈折率誘電体層２５の厚みは、６０ｎｍ以下であることが好ましく、５５ｎｍ以下であることがより好ましい。   The second low refractive index dielectric layer 25 can be composed of, for example, silicon oxide, magnesium fluoride, barium fluoride, or the like. The thickness of the second low refractive index dielectric layer 25 is preferably 10 nm or more, and more preferably 20 nm or more. The thickness of the second low refractive index dielectric layer 25 is preferably 60 nm or less, and more preferably 55 nm or less.

図５は、光学部材２の使用態様の一例を表す略図的断面図である。
図５に示されるように、低屈折率誘電体層２２と透明電極層２３との間に、第２の高屈折率誘電体層２４及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられている以外は、図２に示す光学部材１の使用態様と同様である。第２の高屈折率誘電体層２４の上に、透明導電層２３を覆うように反射抑制層３３が設けられている。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of how the optical member 2 is used.
As shown in FIG. 5, a second high refractive index dielectric layer 24 and a second low refractive index dielectric layer 25 are provided between the low refractive index dielectric layer 22 and the transparent electrode layer 23. Except for this, it is the same as the usage mode of the optical member 1 shown in FIG. A reflection suppressing layer 33 is provided on the second high refractive index dielectric layer 24 so as to cover the transparent conductive layer 23.

高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５が設けられていない場合と比べて、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている。高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が最小となるように設定されていることが好ましい。透明導電層２３が視認されにくくなるためである。高屈折率誘電体層２１、第２の高屈折率誘電体層２４、低屈折率誘電体層２２及び第２の低屈折率誘電体層２５のそれぞれの厚み及び屈折率は、可視波長域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において、透明導電層２３が設けられた領域における光反射率と、透明導電層２３が設けられていない領域における光反射率との差が０．５％以下となるように設けられていることが好ましく、０．３％以下となるように設けられていることがより好ましい。   The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer 21, the second high refractive index dielectric layer 24, the low refractive index dielectric layer 22, and the second low refractive index dielectric layer 25 are the same as the high refractive index dielectric. Compared to the case where the body layer 21, the second high refractive index dielectric layer 24, the low refractive index dielectric layer 22, and the second low refractive index dielectric layer 25 are not provided, the transparent conductive layer 23 is provided. It is set so that the difference between the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided and the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is small. The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer 21, the second high refractive index dielectric layer 24, the low refractive index dielectric layer 22, and the second low refractive index dielectric layer 25 are in the visible wavelength range ( 400 nm to 800 nm), the difference between the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is provided and the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is set to be minimal. preferable. This is because the transparent conductive layer 23 is less visible. The thickness and refractive index of the high refractive index dielectric layer 21, the second high refractive index dielectric layer 24, the low refractive index dielectric layer 22, and the second low refractive index dielectric layer 25 are in the visible wavelength range ( 400 nm to 800 nm), the difference between the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is provided and the light reflectance in the region where the transparent conductive layer 23 is not provided is 0.5% or less. It is preferable that it is provided so that it may become 0.3% or less.

下記の表５〜表７に、光学部材２の設計例を示す。なお、表５〜表７において、「最大反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、波長４００〜８００ｎｍの領域での透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差が最大となる、波長における反射率差のことである。「平均反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、波長４００〜８００ｎｍの領域での透明導電層が設けられた領域と設けられていない領域との間の反射率差の絶対値の平均のことである。表５〜表７に示す「最大反射率差（４００−８００ｎｍ）」及び「平均反射率差（４００−８００ｎｍ）」は、透明導電層の上に位置する媒質の屈折率が１．５である場合の反射率差のデータである。高屈折率誘電体層及び第２の高屈折率誘電体層の材料の欄に示す比率は、原子比である。   Tables 5 to 7 below show design examples of the optical member 2. In Tables 5 to 7, “maximum reflectance difference (400-800 nm)” is the reflectance between the region where the transparent conductive layer is provided and the region where the transparent conductive layer is not provided in the wavelength region of 400 to 800 nm. This is the difference in reflectance at the wavelength where the difference is maximized. “Average reflectance difference (400-800 nm)” is an average of absolute values of reflectance differences between a region where a transparent conductive layer is provided and a region where a transparent conductive layer is not provided in a wavelength region of 400 to 800 nm. is there. In “Maximum reflectance difference (400-800 nm)” and “Average reflectance difference (400-800 nm)” shown in Tables 5 to 7, the refractive index of the medium located on the transparent conductive layer is 1.5. It is data of the reflectance difference in the case. The ratio shown in the column of the material of the high refractive index dielectric layer and the second high refractive index dielectric layer is an atomic ratio.

Figure 2014080742
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Figure 2014080742
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Figure 2014080742
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１，２…光学部材
１０…基材
１１…ガラス板
１２…酸化ケイ素層
２１…高屈折率誘電体層
２２…低屈折率誘電体層
２３…透明導電層
２４…第２の高屈折率誘電体層
２５…第２の低屈折率誘電体層
３１…粘着層
３２…ガラス板
３３…反射抑制層DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 ... Optical member 10 ... Base material 11 ... Glass plate 12 ... Silicon oxide layer 21 ... High refractive index dielectric layer 22 ... Low refractive index dielectric layer 23 ... Transparent conductive layer 24 ... Second high refractive index dielectric Layer 25 ... second low refractive index dielectric layer 31 ... adhesive layer 32 ... glass plate 33 ... reflection suppression layer

Claims (13)

屈折率が１．６５〜１．９５である高屈折率誘電体層と、
前記高屈折率誘電体層の上に配されており、パターニングされた透明導電層と、
前記透明導電層と前記高屈折率誘電体層との間に配されており、前記透明導電層及び前記高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い低屈折率誘電体層と、
を備える、透明導電層付き光学部材。A high refractive index dielectric layer having a refractive index of 1.65 to 1.95;
A transparent conductive layer patterned on the high refractive index dielectric layer; and
A low refractive index dielectric layer disposed between the transparent conductive layer and the high refractive index dielectric layer, having a lower refractive index than each of the transparent conductive layer and the high refractive index dielectric layer;
An optical member with a transparent conductive layer. さらに、前記透明導電層と前記低屈折率誘電体層との間に配されており、屈折率が１．６５以上である第２の高屈折率誘電体層と、
前記透明導電層と前記第２の高屈折率誘電体層との間に配されており、前記透明導電層、前記高屈折率誘電体層及び前記第２の高屈折率誘電体層のそれぞれよりも屈折率が低い第２の低屈折率誘電体層と、
を備える、請求項１に記載の透明導電層付き光学部材。A second high-refractive-index dielectric layer that is disposed between the transparent conductive layer and the low-refractive-index dielectric layer and has a refractive index of 1.65 or more;
Between the transparent conductive layer and the second high refractive index dielectric layer, each of the transparent conductive layer, the high refractive index dielectric layer, and the second high refractive index dielectric layer A second low refractive index dielectric layer having a low refractive index;
The optical member with a transparent conductive layer according to claim 1, comprising: 前記高屈折率誘電体層の屈折率が、前記第２の高屈折率誘電体層の屈折率以下である、請求項２に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to claim 2, wherein a refractive index of the high refractive index dielectric layer is equal to or lower than a refractive index of the second high refractive index dielectric layer. 前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 3, wherein a thickness of the high refractive index dielectric layer and / or the second high refractive index dielectric layer is 10 nm or more. 前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層の屈折率が１．７以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 4, wherein a refractive index of the high refractive index dielectric layer and / or the second high refractive index dielectric layer is 1.7 or more. . 前記高屈折率誘電体層及び／または前記第２の高屈折率誘電体層が、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも一種と、Ｓｉとを含む複合酸化物からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The high-refractive-index dielectric layer and / or the second high-refractive-index dielectric layer is made of a complex oxide containing Si and at least one selected from the group consisting of Ta, Nb, Zr, and Ti. The optical member with a transparent conductive layer as described in any one of Claims 1-5. 前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層の屈折率が１．６以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 6, wherein a refractive index of the low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer is 1.6 or less. . 前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層が、酸化ケイ素からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to claim 1, wherein the low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer is made of silicon oxide. 前記低屈折率誘電体層及び／または前記第２の低屈折率誘電体層の厚みが１０ｎｍ以上である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 8, wherein a thickness of the low refractive index dielectric layer and / or the second low refractive index dielectric layer is 10 nm or more. 前記透明導電層の屈折率が、１．７〜２．２である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to any one of claims 1 to 9, wherein the transparent conductive layer has a refractive index of 1.7 to 2.2. 前記透明導電層の厚みが、１５ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The optical member with a transparent conductive layer according to claim 1, wherein the transparent conductive layer has a thickness of 15 nm to 200 nm. 前記高屈折率誘電体層、前記第２の高屈折率誘電体層、前記低屈折率誘電体層及び前記第２の低屈折率誘電体層のそれぞれの厚み及び屈折率は、前記高屈折率誘電体層、前記第２の高屈折率誘電体層、前記低屈折率誘電体層及び前記第２の低屈折率誘電体層が設けられていない場合と比べて、前記透明導電層が設けられた領域における光反射率と、前記透明導電層が設けられていない領域における光反射率との差が小さくなるように設定されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The thickness and refractive index of each of the high refractive index dielectric layer, the second high refractive index dielectric layer, the low refractive index dielectric layer, and the second low refractive index dielectric layer are the high refractive index. The transparent conductive layer is provided as compared with the case where the dielectric layer, the second high refractive index dielectric layer, the low refractive index dielectric layer, and the second low refractive index dielectric layer are not provided. The transparent conductive material according to any one of claims 1 to 11, wherein the transparent conductive material is set so that a difference between a light reflectance in a region where the transparent conductive layer is not provided and a light reflectance in a region where the transparent conductive layer is not provided is small. Optical member with layer. 前記高屈折率誘電体層または前記第２の高屈折率誘電体層の上に、前記透明導電層を覆うように反射抑制層が配される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の透明導電層付き光学部材。   The reflection suppression layer is arrange | positioned so that the said transparent conductive layer may be covered on the said high refractive index dielectric layer or the said 2nd high refractive index dielectric layer. Optical member with a transparent conductive layer.
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