JPWO2013150715A1 - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の平面図である。図2は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10であって、図1の2−2線による断面図である。図3は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10であって、図1の3−3線による断面図である。図4は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の断面図であって、図2の点線部分の拡大図である。図5は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の断面図であって、図3の点線部分の拡大図である。
図7は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例1を説明する断面図である。
図8は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例2を説明する断面図である。
図9は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例3を説明する断面図である。
図10は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例4を説明する断面図である。
図11〜13は、本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
次に、図14は本実施の形態に係る半導体レーザ装置のうちの半導体レーザ素子の断面図である。実施の形態1と共通する点については、説明を省略する。
11 半導体レーザ素子
12 半田層
13 サブマウント
14 半田層
15 ヒートシンク
16 ボンド板
17 接着テープ
21 n型の半導体基板
22 電流狭窄層
23 電流伝送窓層
24 レーザ射出エミッタ
25 活性層
26 p型の半導体層
27 p電極
28 n電極
29 反射防止膜
101 半導体レーザ素子
102 半田層
103 ヒートシンク
104 レーザ光
図1は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の平面図である。図2は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10であって、図1の2−2線による断面図である。図3は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10であって、図1の3−3線による断面図である。図4は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の断面図であって、図2の点線部分の拡大図である。図5は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10の断面図であって、図3の点線部分の拡大図である。
図7は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例1を説明する断面図である。
図8は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例2を説明する断面図である。
図9は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例3を説明する断面図である。
図10は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置10のレーザ光が射出される側面の変形例4を説明する断面図である。
図11〜13は、本実施の形態の半導体レーザ装置の製造方法を示す断面図である。
次に、図14は本実施の形態に係る半導体レーザ装置のうちの半導体レーザ素子の断面図である。実施の形態1と共通する点については、説明を省略する。
11 半導体レーザ素子
12 半田層
13 サブマウント
14 半田層
15 ヒートシンク
16 ボンド板
17 接着テープ
21 n型の半導体基板
22 電流狭窄層
23 電流伝送窓層
24 レーザ射出エミッタ
25 活性層
26 p型の半導体層
27 p電極
28 n電極
29 反射防止膜
101 半導体レーザ素子
102 半田層
103 ヒートシンク
104 レーザ光
Claims (13)
- 導電性の第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材の上に設けられた導電性の第1の接着剤と、
前記第1の接着剤の上に設けられた半導体レーザ素子とを備え、
前記第1の接着剤は、前記半導体レーザ素子のレーザ射出面の下では、前記第1の放熱部材の側面に達している半導体レーザ装置。 - 前記半導体レーザ素子の前記レーザ射出面と前記第1の放熱部材のレーザ射出側の側面とは、同一平面上である請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子の前記レーザ射出面は、前記第1の放熱部材のレーザ射出側の側面よりも、前記放熱部材の中心寄りに位置する請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子の前記レーザ射出面と、前記第1の放熱部材の前記レーザ射出側の側面との平面視における距離は、5μm以下である請求項3に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子の前記レーザ射出面は、前記第1の放熱部材のレーザ射出側の側面よりも、前記放熱部材の中心とは反対寄りに位置する請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記半導体レーザ素子の前記レーザ射出面と、前記第1の放熱部材の前記レーザ射出側の側面との平面視における距離は、5μm以下である請求項5に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の接着剤は、前記第1の放熱部材のレーザ射出側の側面全面に設けられている請求項1〜6のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の放熱部材の前記レーザ射出側の側面の上部における前記第1の接着剤の厚みは、前記第1の放熱部材の前記レーザ射出側の側面の上部以外における前記第1の接着剤の厚みよりも大きい請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- 導電性の第2の放熱部材と、前記第2の放熱部材の上に設けられた導電性の第2の接着剤と、前記第2の放熱部材の上に設けられた絶縁性の接着テープと、前記絶縁性の接着テープの上に設けられた導電性のボンド板とをさらに備え、
前記第1の放熱部材は、前記第2の接着剤の上に設けられ、
前記ボンド板の平面形状は、前記半導体レーザ素子を囲むようなコの字上である請求項1〜8のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 - 導電性の第1の放熱部材に、導電性の第1の接着剤を介して半導体レーザ素子を搭載する工程を備え、
前記第1の接着剤は、前記半導体レーザ素子のレーザ射出面の下では、第1の放熱部材の側面の上に達している半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記半導体レーザ素子を搭載する工程よりも前に、
前記第1の放熱部材の上面およびレーザ射出側の側面に前記第1の接着剤を形成する工程をさらに備える請求項10に記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 前記第1の接着剤を形成する工程は、前記第1の接着剤を蒸着またはめっきにより形成する請求項11に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
- 前記半導体レーザ素子を搭載する工程は、前記第1の放熱部材のレーザ射出側の側面の上部における前記第1の接着剤の厚みが、前記第1の放熱部材の前記レーザ射出側の側面の上部以外における前記第1の接着剤の厚みよりも大きくなるように前記半導体レーザ素子を搭載する請求項11または12に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015076425A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-04-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置、情報処理装置および面発光型半導体レーザの製造方法 |
WO2016009622A1 (ja) | 2014-07-14 | 2016-01-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
DE102015106712A1 (de) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Substrat und einem Halbleiterlaser |
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JP6652856B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-02-26 | 株式会社フジクラ | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
JP6911567B2 (ja) | 2017-06-22 | 2021-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ |
JP6939120B2 (ja) | 2017-06-19 | 2021-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
US10608412B2 (en) * | 2017-06-19 | 2020-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser, light emitting apparatus |
JP6939119B2 (ja) * | 2017-06-19 | 2021-09-22 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法 |
US10476237B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
US10476235B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
US10404038B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-09-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quantum cascade laser |
WO2019225128A1 (ja) * | 2018-05-21 | 2019-11-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2022180674A (ja) * | 2019-11-18 | 2022-12-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光半導体装置 |
JP2023143314A (ja) * | 2022-03-25 | 2023-10-06 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体発光装置、基台、半田付き基台、及び、半導体発光装置の製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157284A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05243690A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH07273395A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH11220204A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2000349385A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2001223425A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップ |
JP2003324228A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子の固着方法 |
JP2008166579A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Allied Material Corp | 放熱部材および半導体装置 |
JP2008244440A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び画像表示装置 |
JP2009259866A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザの製造方法、及び、半導体レーザ |
JP2013004571A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0828551B2 (ja) | 1988-05-07 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | アレイレーザ |
JPH08330672A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2001223429A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP3887174B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2007-02-28 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5177358B2 (ja) | 2007-06-15 | 2013-04-03 | 株式会社リコー | 面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム |
JP2010040933A (ja) | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sony Corp | 半導体レーザ素子 |
DE102010043693A1 (de) * | 2010-09-29 | 2012-03-29 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterlaseranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaseranordnung |
-
2013
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-
2014
- 2014-04-01 US US14/242,014 patent/US8897328B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157284A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH05243690A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH07273395A (ja) * | 1994-03-28 | 1995-10-20 | Shimadzu Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH11220204A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2000349385A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2001223425A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップ |
JP2003324228A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子の固着方法 |
JP2008166579A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Allied Material Corp | 放熱部材および半導体装置 |
JP2008244440A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及び画像表示装置 |
JP2009259866A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザの製造方法、及び、半導体レーザ |
JP2013004571A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
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Publication number | Publication date |
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