JPWO2012017488A1 - 発光素子とその製造方法、および発光装置 - Google Patents
発光素子とその製造方法、および発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012017488A1 JPWO2012017488A1 JP2012527466A JP2012527466A JPWO2012017488A1 JP WO2012017488 A1 JPWO2012017488 A1 JP WO2012017488A1 JP 2012527466 A JP2012527466 A JP 2012527466A JP 2012527466 A JP2012527466 A JP 2012527466A JP WO2012017488 A1 JPWO2012017488 A1 JP WO2012017488A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- bank
- electrode
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 466
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 115
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 115
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 82
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N Chrysene Natural products C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
前記電荷注入輸送層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆されているものとする。
本発明者等は、上記[背景技術]の欄において記載した内容、即ち、金属酸化物を用い電荷注入輸送層を形成する場合には、その後におけるバンクの形成でのウェットプロセスで用いられる液により電荷注入輸送層の表面が浸食されることにより沈下し、素子発光時に凹入構造における凹部縁に電界が集中してしまうという問題が生じることを鋭意研究により究明した。そして、この点に関し、本発明者等が検討を重ねた結果、以下のような知見を得るに至った。
本発明の一態様に係る発光素子は、第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入輸送層と、発光層を含む機能層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有し、前記第1電極側と前記第2電極側の双方から光を取り出す両面発光型の発光素子であって、前記第1電極は、酸化されてなる一方の表面側部分と、酸化されずに残る部分とを含む層中の、前記酸化されずに残る金属層であり、前記第1電極及び第2電極は透明電極からなり、前記電荷注入輸送層は、前記酸化されてなる金属酸化物層であり、前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、前記電荷注入輸送層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆されているものことを特徴とする。
1.表示装置1の全体構成
本実施の形態に係る、表示装置1の全体構成について、図2を用い説明する。
表示パネル10の構成について、図3から図4を用い説明する。
基板101は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
陽極102は透明電極として構成され、ここでは陽極ベース層1021からなる。陽極ベース層1021は、ITOやIZO等の金属酸化物の他、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)等で形成される。或いは、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含む金属膜であってもよい。いずれの場合も、十分な透明性を持たせるため、適度な厚み(例えば3nm〜30nmの膜厚)で構成する。なお、陽極102と、後述する陰極107は、いずれも透明電極ではあるが、一定の光透過率を有する構成であるため、これを言い換えると、「半透明もしくは透明」な薄膜と言うことができる。一般的に不透明として知られる金属材料であっても、上記のように膜厚を十分に薄くすれば、光透過性を発揮できる半透明もしくは透明な膜となる。
ホール注入輸送層103は、上記のように、金属単層をその上主面側から酸化し、当該酸化により形成された金属酸化物上層である。よって、ホール注入輸送層103は、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる。このような金属酸化物からなるホール注入輸送層103は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層105に対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
バンク104は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。バンク104の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク104は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク104はエッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
機能層としての有機発光層105は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層105の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
電子注入層106は、陰極107から注入された電子を有機発光層105へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。
陰極107は、陽極102と同様の透明電極材料で構成され、陽極102と同様の方法で、良好な光透過性を発揮できるように適切な膜厚(3nm〜30nm)で構成される。
封止層108は、有機発光層105などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、SiN(窒化シリコン)、SiON(酸窒化シリコン)などの材料を用い形成される。トップエミッション型の有機EL素子100a、100b、100cの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
両面発光型の発光素子を構成する場合、基板の上面方向及び下面方向のいずれに対しても、発光を有効に取り出すことが、素子の発光特性の面において重要である。一方、本願発明者らは、有機EL素子の電荷注入輸送層として金属化合物を適用し、発光特性の向上を図るべく検討を進めている。
表示パネル10の製造方法について、図6から図8を用い説明する。なお、図6から図8では、表示パネル10の一の有機EL素子を抜き出して模式的に示している。
本実施の形態に係る表示装置1の表示パネル10においては、有機EL素子100a、100b、100cが、金属酸化物からなるホール注入輸送層103を備える。このため、表示パネル10における各有機EL素子100a、100b、100cでは、PEDOTを用いてホール注入輸送層を形成する場合に比べて、一般的に、電圧−電流密度特性に優れ、また、大電流を流して発光強度を高める場合にも、劣化し難いという優位性を有する。
実施の形態2に係る有機EL素子110の構成について、図9を用い説明する。なお、図9では、上記実施の形態1に係る有機EL素子100a、100b、100cと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
実施の形態3に係る有機EL素子120の構成について図10を用い説明し、その製造方法の特徴部分について図11を用い説明する。図10および図11では、上記実施の形態1に係る有機EL素子100a、100b、100cと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
実施の形態4に係る有機EL素子130の構成について、図12を用い説明する。なお、図12では、上記実施の形態1に係る有機EL素子100a、100b、100cと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
実施の形態5に係る有機EL素子140の構成について、図13を用い説明する。なお、図13では、上記実施の形態1に係る有機EL素子100a、100b、100cと同一の構成部分については、同一の符号を付し、以下の説明においては、重複説明を省略する。
上記実施の形態1〜5では、例えば、図7(a)に示すように、バンク準備層1040における斜面の下端と、金属酸化物層1030の凹部縁1030cとが合致した構成を一例として採用したが、必ずしも互いに合致している必要はない。例えば、図14(a)に示すように、バンク準備層1040の材料によっては、バンク準備層1040の斜面の下端が、金属酸化物層1530における凹入構造1530aの凹部縁1530cよりも後退し、これにより、凹入されていない領域1530e(図14(a)の二点鎖線で囲んだ部分を参照)の一部が露出する場合もある。
上記実施の形態1〜5では、有機発光層105の形成に高分子有機材料が用いられた例を示したが、代わりに低分子有機材料を用いて形成した場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
10 表示パネル
20 駆動制御部
21〜24 駆動回路
25 制御回路
65 ラインバンク
100a〜100c、110、120、130、140 有機EL素子
101、211 TFT基板
102、112、122、132 陽極
103、113、133、153 ホール注入輸送層
103A ホール注入層
103B ホール輸送層
104、144 バンク
105、56a1、56a2、56b1、56b2、56c1、56c2、66a、66b、66c 有機発光層
106 電子注入層
107、271 陰極
108 封止層
1021、1221 陽極ベース層
1022、1222、1227 ITO層
1023、1123、1223 陽極金属層
1024、1025、1224、1225、1226、1228 金属層
1030、1031、1321 金属酸化物層
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0008]
ところで、上記のように電荷注入輸送層として金属酸化物を適用した構成においても、発光特性について更なる改善を図る必要があり、また、更なる長寿命化を図る必要がある。
[0009]
そこで、本発明は、上記要望を鑑みてなされたものであって、電荷注入輸送層として金属酸化物を適用した場合にあっても、高い発光特性と長寿命化を図ることができる発光素子とその製造方法、発光装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0010]
本発明の一態様である発光素子は、第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入輸送層と、発光層を含む機能層との積層体が介挿され、かつ、絶縁性のバンクで規定された領域に前記発光層が存在し、前記第1電極側と前記第2電極側の双方から光を取り出す両面発光型の発光素子であって、前記第1電極と前記第2電極とは透明電極からなり、前記電荷注入輸送層は、前記バンクで規定された領域においては表面が沈下した凹入構成に形成され、前記電荷注入輸送層の凹入構成における凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆されており、前記第2電極と前記凹部の縁との間には前記発光層の一部が存在し、前記第2電極は前記発光層の一部を介在して前記凹部の縁と対向し、前記発光層の一部は、前記凹部の縁と対向する第2電極と前記凹部の縁を被覆しているバンクの一部との間に介在し前記第2電極からの電荷注入を受け、前記凹部の縁を被覆している前記バンクの一部は、前記凹部の縁と前記発光層の一部との間に存在する構成とする。
発明の効果
[0011]
本発明の一態様に係る発光素子では、電荷注入輸送層における凹入構造の凹部の縁がバンクの一部で被覆されており、発光時に凹入構造の凹部の縁への電界集中を抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る発光素子では、発光特性および寿命特性を更に改善することができる。
図面の簡単な説明
なかったと考えられる点で、技術的な意義を有するものである。
[0019]
以上の通り、一連の研究および検討を通じ、本発明者等は、ホール注入輸送層として金属酸化物を適用した場合における凹部縁を、バンクの一部によって被覆し、これにより、発光時における凹部縁付近での電界集中を抑制し、その結果、有機発光層での局部的な電流の流れが生じるのを抑制する、という技術的な特徴に想到することができたものである。
[0020]
[本発明の一態様の概要]
本発明の一態様である発光素子は、第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入輸送層と、発光層を含む機能層との積層体が介挿され、かつ、絶縁性のバンクで規定された領域に前記発光層が存在し、前記第1電極側と前記第2電極側の双方から光を取り出す両面発光型の発光素子であって、前記第1電極と前記第2電極とは透明電極からなり、前記電荷注入輸送層は、前記バンクで規定された領域においては表面が沈下した凹入構成に形成され、前記電荷注入輸送層の凹入構成における凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆されており、前記第2電極と前記凹部の縁との間には前記発光層の一部が存在し、前記第2電極は前記発光層の一部を介在して前記凹部の縁と対向し、前記発光層の一部は、前記凹部の縁と対向する第2電極と前記凹部の縁を被覆しているバンクの一部との間に介在し前記第2電極からの電荷注入を受け、前記凹部の縁を被覆している前記バンクの一部は、前記凹部の縁と前記発光層の一部との間に存在する構成とする。
[0021]
本発明の一態様に係る発光素子では、電荷注入輸送層における凹入構造の凹部の縁がバンクの一部で被覆されており、バンクが絶縁材料から構成されているので、発光時に凹入構造の凹部の縁への電界集中を抑制することができる。よって、本発明の一態様に係る発光素子では、発光層に局部的な電流が流れるのを抑制することができる。
[0022]
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、金属酸化物層が、バンクを形成するときに用いられる液体により浸食されることを特徴とする。このように、金属酸化物層が、バンク形成時に用いられる液体により浸食される場合には、上記のように、凹入構造を有する電荷注入輸送層が形成されることになるが、上記のようにバンクの一部で凹部の縁が被覆される構成を採用することで、発光層に局部的な電流が流れるのを抑制することができ
る。
[0023]
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、前記バンクの一部が、電荷注入輸送層の凹入構造における凹部の底面まで達し、バンクの側面が、電荷注入輸送層における凹部の底面への到達点から頂点にかけて上り斜面になっていることを特徴とする。このような構成を採用する場合には、例えば、インクジェット法などの印刷技術で発光層を形成する際に、バンクで規定される領域内の隅々までインクを入り込ませることが容易となり、ボイドなどの発生を抑えることができる。
[0024]
また、本発明の別の態様として、前記電荷注入輸送層は、金属の酸化物、窒化物、または酸窒化物からなる正孔注入層とすることもできる。
[0025]
また、本発明の別の態様として、前記機能層は、前記正孔注入層から前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層を含み、前記正孔輸送層は、前記正孔注入層と前記発光層との間に介在する構成とすることもできる。
[0026]
また、本発明の別の態様として、前記第1電極は、半透明もしくは透明な金属薄膜を含む積層構成であり、前記半透明もしくは透明な金属薄膜はAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含み、前記金属薄膜の膜厚が3nmから30nmである構成とすることもできる。
[0027]
また、本発明の別の態様として、前記第2電極を、ITOまたはIZOで構成することもできる。
[0028]
また、本発明の別の態様として、前記第2電極は、半透明もしくは透明な金属薄膜を含む積層構成である構成とすることもできる。
[0029]
この場合、本発明の別の態様として、前記半透明もしくは透明な金属薄膜は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含み、その膜厚が3nmから30nmである構成とすることもできる。
[0030]
また、本発明の別の態様として、前記金属酸化物層は、前記バンクを形成するときに用いられる液体により浸食される構成とすることもできる。
[0031]
また、本発明の別の態様として、記バンクの一部は、前記電荷注入輸送層
Claims (22)
- 第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入輸送層と、発光層を含む機能層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有し、前記第1電極側と前記第2電極側の双方から光を取り出す両面発光型の発光素子であって、
前記第1電極は、酸化されてなる一方の表面側部分と、酸化されずに残る部分とを含む層中の、前記酸化されずに残る金属層であり、
前記第1電極及び第2電極は透明電極からなり、
前記電荷注入輸送層は、前記酸化されてなる金属酸化物層であり、
前記バンクで規定された領域においては上面が沈下した凹入構造に形成され、
前記電荷注入輸送層の凹部の縁は、前記バンクの一部で被覆されている発光素子。 - 前記電荷注入輸送層は、金属の酸化物、窒化物、または酸窒化物からなる正孔注入層である
請求項1に記載の発光素子。 - 前記機能層は、前記正孔注入層から前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層は、前記正孔注入層と前記発光層との間に介在する、
請求項2に記載の発光素子。 - 前記金属層は、半透明もしくは透明な金属薄膜であり、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含み、その膜厚が3nmから30nmである、請求項1記載の発光素子。
- 前記第2電極は、ITOまたはIZOで構成されている、
請求項1記載の発光素子。 - 前記第2電極は、半透明もしくは透明な金属薄膜である、
請求項5に記載の発光素子。 - 前記半透明もしくは透明な金属薄膜は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含み、その膜厚が3nmから30nmである、請求項6記載の発光素子。
- 前記金属酸化物層は、前記バンクを形成するときに用いられる液体により浸食される
請求項1記載の発光素子。 - 前記バンクの一部は、前記電荷注入輸送層の凹入構造における凹部の底面まで達し、
前記バンクの側面は、前記凹部の底面への到達点から頂点にかけて上り斜面になっている
請求項1記載の発光素子。 - 前記バンクの一部は、前記電荷注入輸送層の凹入構造における凹部の底面まで達していない
請求項1記載の発光素子。 - 前記発光層は、有機EL層である
請求項1記載の発光素子。 - 前記電荷注入輸送層は、前記バンクの底面に沿って前記バンクの側方に延出している
請求項1記載の発光素子。 - 前記電荷注入輸送層における凹部の縁は、前記電荷注入輸送層の上面において凹入されていない領域と前記凹部の側面とで形成された凸角部分である
請求項1記載の発光素子。 - 請求項1から13の何れかに記載の発光素子を複数備えた発光装置。
- 第1電極と第2電極との間に、少なくとも電荷注入輸送層と、発光層を含む機能層との積層体が介挿され、且つ、前記発光層の形状を規定するバンクを有し、前記第1電極側と前記第2電極側の双方から光を取り出す両面発光型の発光素子の製造方法であって、
半透明もしくは透明な金属薄膜からなる金属層を形成する第1工程と、
前記金属層における一方の表面側部分を酸化することにより金属酸化物層を形成する第2工程と、
前記金属酸化物層上にバンクを構成する材料からなるバンク材料層を形成する第3工程と、
前記バンク材料層の一部を除去することにより、対応する領域の金属酸化物層を除去し、前記第2工程で酸化されずに残った金属層の一部を露出させる第4工程と、
前記金属層における前記露出した表面を酸化することにより、前記対応領域に金属酸化物層からなる電荷注入輸送層を形成し、酸化されずに残る金属層を第1電極とする第5工程と、
前記電荷注入輸送層上の前記バンク材料層の残留部に熱処理を施す第6工程と、
前記第6工程後、前記対応領域に形成した前記電荷注入輸送層上に機能層を形成する第7工程と、
透明電極からなる前記第2電極を形成する第8工程と、を含み、
前記電荷注入輸送層は、前記バンク材料層の一部を除去するときに用いられる液体により浸食される材料からなり、
前記電荷注入輸送層の前記対応領域における露出面は、前記液体の浸食により前記バンク材料層の残留部底面のレベルから沈下した凹入構造に形成され、
前記第6工程では、前記バンク材料層の残留部に流動性を与えることにより、前記残留部から前記バンクを構成する材料を前記凹入構造の凹部の縁まで延出させる
発光素子の製造方法。 - 前記電荷注入輸送層は、金属の酸化物、窒化物、または酸窒化物からなる正孔注入層である
請求項15に記載の発光素子の製造方法。 - 前記機能層は、前記正孔注入層から前記発光層に正孔を輸送する正孔輸送層を含み、
前記正孔輸送層は、前記正孔注入層と前記発光層との間に介在する、
請求項16に記載の発光素子の製造方法。 - 前記半透明もしくは透明な金属薄膜を、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含む金属膜で構成し、
その膜厚を3nmから30nmとする
請求項15記載の発光素子の製造方法。 - 前記透明電極を、ITOまたはIZOで構成する、
請求項15記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2電極に、半透明もしくは透明な金属薄膜を積層する工程を含む、
請求項19記載の発光素子の製造方法。 - 前記半透明もしくは透明な金属薄膜を、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Ir、及びCrより選択されるいずれかを含む金属膜で構成し、その膜厚を3nmから30nmとする、
請求項20記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属膜を真空プロセスで成膜する
ことを特徴とする、請求項21に記載の発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/004957 WO2012017488A1 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012017488A1 true JPWO2012017488A1 (ja) | 2013-09-19 |
JP5574456B2 JP5574456B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=45559022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012527466A Active JP5574456B2 (ja) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | 発光素子とその製造方法、および発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8927975B2 (ja) |
JP (1) | JP5574456B2 (ja) |
WO (1) | WO2012017488A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120129592A (ko) | 2011-05-20 | 2012-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치용 백플레인, 이를 포함하는 평판 표시 장치, 및 그 제조 방법 |
WO2013187119A1 (ja) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | コニカミノルタ株式会社 | 電界発光素子およびその電界発光素子を用いた照明装置 |
KR102083982B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
KR102277029B1 (ko) * | 2014-02-24 | 2021-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN105789239A (zh) * | 2014-12-15 | 2016-07-20 | 北京维信诺科技有限公司 | Oled显示屏双面发光的装置及制备方法 |
CN104835919A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-08-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 |
KR102475504B1 (ko) * | 2015-08-20 | 2022-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시패널 및 이를 포함하는 투명표시장치 |
KR102536628B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2023-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명표시장치 |
US20180151830A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device and electronic device |
KR102461138B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-10-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
US10581011B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-03-03 | Int Tech Co., Ltd. | Light emitting device with different light emitting material overlapping width |
KR20210065239A (ko) * | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220023918A (ko) * | 2020-08-21 | 2022-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (100)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
DE69727987T2 (de) | 1996-11-29 | 2005-01-20 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
JPH10162959A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6309801B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-10-30 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an electronic device comprising two layers of organic-containing material |
JP4198253B2 (ja) | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2002075661A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 有機el素子及び有機el表示装置 |
US7153592B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
JP2002318556A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
TWI257496B (en) | 2001-04-20 | 2006-07-01 | Toshiba Corp | Display device and method of manufacturing the same |
WO2002095841A2 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Cambridge University Technical Services Limited | Electroluminescent device |
JP2003007460A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
JP2003264083A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機led素子とその製造方法 |
US7086917B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-08-08 | National Research Council Of Canada | Photoresist mask/smoothing layer ensuring the field homogeneity and better step-coverage in OLED displays |
JP4165173B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | 有機el素子の製造方法 |
JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP2004234901A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機el表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
US7884355B2 (en) | 2003-05-12 | 2011-02-08 | Cambridge Enterprise Ltd | Polymer transistor |
US8530269B2 (en) | 2003-05-12 | 2013-09-10 | Cambridge Enterprise Ltd | Manufacture of a polymer device |
JP2005012173A (ja) | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2004363170A (ja) | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 導電パターンの形成方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
US7230374B2 (en) | 2003-09-22 | 2007-06-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Full color organic light-emitting device having color modulation layer |
CN1612657A (zh) | 2003-10-28 | 2005-05-04 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光元件 |
US20090160325A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
KR20060110323A (ko) | 2003-12-16 | 2006-10-24 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2005203340A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2005203339A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP4857521B2 (ja) | 2004-01-09 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2005208339A (ja) | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Kyocera Mita Corp | 画像形成装置 |
JP4002949B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2007-11-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 両面発光有機elパネル |
JP2005268099A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 有機el表示パネル、有機el表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 |
JP4645064B2 (ja) | 2004-05-19 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP4161956B2 (ja) | 2004-05-27 | 2008-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US7211456B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-05-01 | Au Optronics Corporation | Method for electro-luminescent display fabrication |
JP2006185869A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2006253443A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法および電子機器 |
JP2006286664A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006294261A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子およびその製造方法 |
TWI307612B (en) | 2005-04-27 | 2009-03-11 | Sony Corp | Transfer method and transfer apparatus |
JP2006344459A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | 転写方法および転写装置 |
US7629741B2 (en) | 2005-05-06 | 2009-12-08 | Eastman Kodak Company | OLED electron-injecting layer |
JP2007073499A (ja) | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7994711B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
GB0517195D0 (en) | 2005-08-23 | 2005-09-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device structures and fabrication methods |
JP2007095606A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法、及び電子機器 |
JP4318689B2 (ja) | 2005-12-09 | 2009-08-26 | 出光興産株式会社 | n型無機半導体、n型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
JP2007214066A (ja) | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
JP2007288071A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法、それを用いた表示装置、露光装置 |
JP2007288074A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
US20070241665A1 (en) | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
JP2007287353A (ja) | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法およびそれを用いて作成された有機エレクトロルミネッセント素子 |
US20070290604A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of producing the same |
JP2008041747A (ja) | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント発光装置およびその製造方法 |
JP4915650B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008091072A (ja) | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、およびその製造方法 |
JP4915913B2 (ja) | 2006-11-13 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008140724A (ja) | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el素子 |
WO2008075615A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
JP5326289B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機el素子およびそれを備えた表示装置 |
WO2008120714A1 (ja) | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2009004347A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el表示素子の製造方法及び有機el表示素子 |
WO2008149499A1 (ja) | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 |
EP2141964B1 (en) | 2007-05-31 | 2011-09-07 | Panasonic Corporation | Organic EL element and manufacturing method thereof |
KR101581475B1 (ko) | 2007-07-31 | 2015-12-30 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
JP5001745B2 (ja) | 2007-08-10 | 2012-08-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
JP2009048960A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Canon Inc | 電極洗浄処理方法 |
JP2009058897A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
JP2009135053A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 電子デバイス、表示装置および電子デバイスの製造方法 |
JP4410313B2 (ja) | 2007-12-10 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよびelディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
WO2009084209A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Panasonic Corporation | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
KR101480005B1 (ko) | 2008-02-25 | 2015-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
EP2270896B1 (en) | 2008-02-28 | 2014-12-24 | Panasonic Corporation | Organic el display panel |
JP2009218156A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | Elパネル及びelパネルの製造方法 |
JP5267246B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2009239180A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4931858B2 (ja) | 2008-05-13 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP4678421B2 (ja) | 2008-05-16 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP4975064B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2008241238A (ja) | 2008-05-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍空調装置及び冷凍空調装置の制御方法 |
JP2010021138A (ja) | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント装置およびその製造方法 |
JP5199773B2 (ja) | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP4723693B2 (ja) | 2008-09-19 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5138542B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011040167A (ja) | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP2010123716A (ja) | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
JP4856753B2 (ja) | 2008-12-10 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | 光学素子および光学素子を具備する表示装置の製造方法 |
CN101911832B (zh) | 2008-12-18 | 2013-06-19 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
JP2010161185A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機el表示装置、有機el表示装置の製造方法 |
EP2398084B1 (en) * | 2009-02-10 | 2018-06-06 | Joled Inc. | Light-emitting element, light-emitting device comprising light-emitting element, and method for manufacturing light-emitting element |
CN102308404B (zh) | 2009-02-10 | 2016-01-20 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法 |
WO2011013523A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5437736B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
CN102077689B (zh) | 2009-08-31 | 2013-05-15 | 松下电器产业株式会社 | 发光元件及其制造方法以及发光装置 |
JP5612693B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
JP5612691B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
CN103053041B (zh) | 2010-08-06 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
-
2010
- 2010-08-06 WO PCT/JP2010/004957 patent/WO2012017488A1/ja active Application Filing
- 2010-08-06 JP JP2012527466A patent/JP5574456B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-19 US US13/719,556 patent/US8927975B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8927975B2 (en) | 2015-01-06 |
US20130134474A1 (en) | 2013-05-30 |
WO2012017488A1 (ja) | 2012-02-09 |
JP5574456B2 (ja) | 2014-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426527B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
JP5574456B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
JP5658256B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
JP5357194B2 (ja) | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 | |
JP6233888B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
WO2013093974A1 (ja) | 有機el表示パネル | |
JPWO2012017487A1 (ja) | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 | |
US8890129B2 (en) | Light emitting device, light emitting apparatus provided with a light emitting device, and method of manufacturing a light emitting device | |
US8852977B2 (en) | Method for producing light-emitting elements | |
JP2020030933A (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP5861961B2 (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2019133835A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2018181460A (ja) | 有機el表示パネル及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP2016100150A (ja) | 有機発光素子の製造方法および有機発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20140606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140626 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5574456 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |