JPWO2011096506A1 - アミノアントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

アミノアントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Abstract

２位以外の位置で結合したジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等の末端置換基が窒素原子を介してアントラセンに結合したアミノアントラセン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記アミノアントラセン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、寿命が長く、高発光効率な有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現するアミノアントラセン誘導体を提供する。

Description

本発明はアミノアントラセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、寿命が長く、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現するアミノアントラセン誘導体に関するものである。
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる高発光効率、長寿命が要求されている。
例えば、単一のモノアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献１）。しかしながら、この技術においては、例えば電流密度１６５ｍＡ／ｃｍ2において、１６５０ｃｄ／ｍ2の輝度しか得られておらず、効率は１ｃｄ／Ａであって極めて低く、実用的ではない。また、単一のビスアントラセン化合物を有機発光材料として用いる技術が開示されている（特許文献２）。しかしながら、この技術においても、効率は１〜３ｃｄ／Ａ程度で低く、実用化のための改良が求められていた。一方、有機発光材料として、ジスチリル化合物を用い、これにスチリルアミンなどを添加したものを用いた長寿命の有機ＥＬ素子が提案されている（特許文献３）。しかしながら、この素子は、寿命が十分ではなく、さらなる改良が求められていた。
また、モノもしくはビスアントラセン化合物とジスチリル化合物を有機発光媒体層として用いた技術が開示されている（特許文献４）。しかしながら、これらの技術においては、スチリル化合物の共役構造により発光スペクトルが長波長化して色純度を悪化させていた。
また、特許文献５には、中心にアリーレン基を有し、ジベンゾフラン環が窒素原子に結合した芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料として用いる発明が開示され、特許文献６には、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環等がアリーレン基を介して窒素原子に結合した芳香族アミン誘導体を正孔輸送材料として用いる発明が開示されているが、発光材料として用いた例は無い。
さらに、特許文献７にジベンゾフラニルアミノ基を有するアントラセンの記載がある。しかし、発光効率、寿命のさらなる向上が求められていた。
特開平１１−３７８２号公報 特開平８−１２６００号公報 国際公開ＷＯ９４／００６１５７号公報 特開２００１−２８４０５０号公報 特許第３５０８９８４号公報 国際公開ＷＯ２００７／１２５７１４号公報 国際公開ＷＯ２００９／０８４５１２号公報
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長く、高発光効率な有機ＥＬ素子及びそれを実現するアミノアントラセン誘導体を提供することを目的とするものである。
本発明者等は、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、２位以外の位置で結合したジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等の末端置換基を有するアミノアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いることにより、高発光効率となり、長寿命化すること見出し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は、下記式（１）で表されるアミノアントラセン誘導体を提供するものである。
Figure 2011096506
［式中、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基を示す。ｍは１〜８の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＲ1はそれぞれ同一でも異なっていても良い。
Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素７〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
ただし、Ａｒ1〜Ａｒ4のうち１つ以上は下記式（２）、（３）又は（４）で表される基である。
Figure 2011096506
（式中、Ｘは酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）又はセレン（Ｓｅ）であり、Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基又はカルボキシル基である。ｎは１〜７の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲ2はそれぞれ同一でも異なっていても良い。また、Ｒ2が複数の場合、互いに結合して飽和もしくは不飽和の置換されても良い２価の基を形成しても良い。また、Ｒ2がＸを含む５員環部分に結合する場合はない。）］
また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記アミノアントラセン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
本発明のアミノアントラセン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。
本発明のアントラセン誘導体は、下記式（１）で表される化合物である。
Figure 2011096506
式（１）において、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数６〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは、環形成原子数５〜２０）の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０（好ましくは、環形成炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０（好ましくは、炭素数２〜２０）のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基を示す。ｍは１〜８（好ましくは１〜４、さらに好ましくは１〜２）の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＲ1はそれぞれ同一でも異なっていても良い。
以下、Ｒ1の示す各基の具体例を説明する。
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニルイル基、４−メチルビフェニルイル基、４−エチルビフェニルイル基、４−シクロヘキシルビフェニルイル基、ターフェニルイル基、３，５−ジクロロフェニル基、ナフチル基、５−メチルナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、９，９−ジメチルフルオレンイル基等が挙げられる。
前記複素環基としては、例えば、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ピロール、フラン、チオフェン、オキサジアゾリン、インドリン、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ベンゾキノン、ピラロジン、イミダゾリジン、ピペリジン、ピリミジン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、トリアジン等の残基が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜２０の直鎖又は分岐したアルキル基、炭素数1〜２０の直鎖又は分岐したハロアルキル基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等が挙げられる。
前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、トリシクロヘプチル基、アダマンチル基等が挙げられ、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、アダマンチル基が好ましい。
前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、各種ペンチルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
前記アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。
前記アリールオキシ基、アリールチオ基としては、−ＯＹ，−ＳＹと表され、Ｙとしては、前述したアリール基と同様の例が挙げられる。
前記アルコキシカルボニル基としては−ＣＯＯＺと表され、Ｚとしては、前述したアルキル基と同様の例が挙げられる。
前記アリール及び／又はアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。
式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数６〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０（好ましくは、環形成炭素数５〜１２）のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素７〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０（好ましくは、環形成原子数５〜２０）の複素環基である。
Ａｒ1〜Ａｒ4の示す各基の具体例としては、前記Ｒ1と同様の例が挙げられる。
ただし、Ａｒ1〜Ａｒ4のうち１つ以上は下記式（２）、（３）又は（４）で表される基である。
１位、３位、４位で結合したジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等の剛直性がありかつ立体的に嵩高い末端置換基を有するアミノアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用いることにより、分子内における立体障害性が高まり、分子間の会合を防止できることにより、濃度消光しにくくなり高発光効率となり、長寿命化すると考えている。
Figure 2011096506
式（２）〜（４）において、Ｘは酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）又はセレン（Ｓｅ）であり、Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０（好ましくは、環形成炭素数６〜２０）のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０（好ましくは、炭素数２〜２０）のアルケニル基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数１〜２０）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは、環形成炭素数７〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは、炭素数２〜２０）のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基又はカルボキシル基である。ｎは１〜７（好ましくは１〜４）の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲ2はそれぞれ同一でも異なっていても良い。上記Ｘは酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）又はセレン（Ｓｅ）のうち、特に酸素（Ｏ）であれば好ましい。
また、Ｒ2が複数の場合、互いに結合して飽和もしくは不飽和の置換されても良い２価の基を形成しても良い。また、Ｒ2がＸを含む５員環部分に結合する場合はない。
Ｒ2の示す各基の具体例としては、前記Ｒ1と同様の例が挙げられ、Ｒ1にないアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基等が挙げられる。
また、複数のＲ2が互いに結合して形成する２価の基としては、例えば、Ｘが酸素、硫黄の場合を例とすると下記の構造等が挙げられるが、これら例示化合物に限定されるものではない。また、Ｘが酸素、硫黄以外でも同様の例が挙げられる。
Figure 2011096506
上記各式及び以下で説明する各式の「置換もしくは無置換の・・・基」において、任意の置換基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が特に好ましい。
なお、本発明において、「アリール基」は、「芳香族化合物から水素原子を除くことにより導かれる基」を意味し、１価のアリール基のみならず、２価である「アリーレン基」等も含む。
また、「無置換」とは、水素原子が置換したことを意味する。
また、本明細書に記載の化合物の水素原子には、軽水素、重水素が含まれる
前記式（１）において、Ａｒ1及びＡｒ3が、前期式（２）、（３）又は（４）で表される基であると好ましく、（４）であるとさらに好ましい。
前記式（１）が、下記式（６）で表されると好ましい。
Figure 2011096506
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ4は前記と同じ、Ｒ11及びＲ12はそれぞれＲ1と同じである。）
この式（６）のアントラセニレン基の２位に−ＮＡｒ1Ａｒ2、６位に−ＮＡｒ3Ａｒ4が結合しているか、又は式（６）のアントラセニレン基の９位に−ＮＡｒ1Ａｒ2、１０位に−ＮＡｒ3Ａｒ4が結合していると好ましい。
本発明の式（１）で表されるアミノアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。
Figure 2011096506
Figure 2011096506
Figure 2011096506
Figure 2011096506
次に、本発明のアミノアントラセン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の式（１）で表されるアミノアントラセン誘導体の製造方法は、特に限定されず公知の方法で製造すればよく、例えば、Chem. Commun., 1997, 73（M. A. Rabjohnsら）に記載された方法で得られる２，６−ジブロモアントラキノンを、ジアリールアミンによりアミノ化して芳香族アミン誘導体を製造することが出来る。
本発明のアミノアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料として好適であり、特に、発光材料であると好ましく、青色発系発光材料又は緑色系発光材料として好適に用いられる。
また、本発明のアミノアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子用ドーピング材料としても好適である。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は複数層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために、正孔注入材料又は電子輸送材料を含有しても良い。本発明のアミノアントラセン誘導体は、高い発光特性を持ち、優れた正孔注入性、正孔輸送特性及び電子注入性、電子輸送特性を有しているので、発光材料又はドーピング材料として発光層に使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層が、本発明のアミノアントラセン誘導体を含有すると好ましく、含有量としては通常０．１〜２０重量％であり、１〜１０重量％含有するとさらに好ましい。また、本発明のアミノアントラセン誘導体は、極めて高い蛍光量子効率、高い正孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することができるので、このアミノアントラセン誘導体のみで発光層を形成することも可能である。
本発明のアミノアントラセン誘導体を有機ＥＬ素子の発光材料として用いる場合、発光層が本発明のアミノアントラセン誘導体を少なくとも１種と下記式（４０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含むと好ましく、本発明のアミノアントラセン誘導体から選ばれる少なくとも１種がドーピング材料であると好ましく、下記式（４０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種がホスト材料であると好ましい。
以下、式（４０）で表される化合物について説明する。
Figure 2011096506
（式（４０）中、Ｒ101〜Ｒ108はそれぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示し、Ａｒ12、Ａｒ13は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。）
式（４０）は、前記Ａｒ12とＡｒ13とが異なる基であると好ましい。
前記式（４０）において、Ａｒ12とＡｒ13の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基を有する置換基であると好ましい。
上記式（４０）は、好ましくは下記式（４１）で表されるアントラセン誘導体である。
Figure 2011096506
 （式中、Ａｒ101〜Ａｒ103は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
上記式（４１）で表されるアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（４２）、（４３）又は（４４）で表されるアントラセン誘導体である。
Figure 2011096506
 （式中、Ａｒ101〜Ａｒ103は、前記式（４１）と同様である。
Ｒ31及びＲ32は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
ａ及びｂは、それぞれ独立に１〜７の整数である。）
上記式（４２）において、ａが２以上である場合、複数のＲ31はそれぞれ同一でも異なってもよく、隣接するＲ31同士で環を形成してもよい。このことは式（４３）のｂとＲ32についても同様である。
Figure 2011096506
 （式中、Ａｒ103〜Ａｒ105は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ｒ41及びＲ42は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
ｃ及びｄは、それぞれ独立に１〜４の整数である。）
式（４４）において、ｃが２以上である場合、複数のＲ41は同一でも異なってもよく、隣接するＲ41同士で環を形成してもよい。このことはｄとＲ42についても同様である。
上記式（４１）、（４２）、（４３）及び（４４）のＡｒ103は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニル基である。
また、（４０）は、好ましくは下記式アントラセン誘導体（４５）である。
アントラセン誘導体（４５）は、式（４０）で表されるアントラセン誘導体のＲ101、Ｒ102、Ｒ107、Ｒ108のいずれか１つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であるＲ101、Ｒ102、Ｒ107、Ｒ108以外のＲ101、Ｒ102、Ｒ107、Ｒ108の全てが水素原子であり；式（４０）で表されるアントラセン誘導体のＲ103〜Ｒ106のいずれか１つが、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であり；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基であるＲ103〜Ｒ106以外のＲ103〜Ｒ106の全てが水素原子である。
アントラセン誘導体（４５）は、好ましくは下記式（４６）で表されるアントラセン誘導体である。
Figure 2011096506
 （式中、Ａｒ101〜Ａｒ103及びＡｒ110は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
上記式（４０）は下記式（５０）で現されるアントラセン誘導体であると好ましい。
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108、Ａｒ13は、式（４０）と同じである。
Ｒ111は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、シアノ基、又はフッ素原子である。
ｂは０〜７の整数である。ｂが２以上の整数の場合、複数あるＲ111は、同一でも異なっていてもよい。）
式（５０）のアントラセン誘導体のうち、下記式（５１）で表わされる誘導体が好ましい。
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108、Ｒ111、ｂは、式（５０）と同じである。
Ａｒ14は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
尚、Ａｒ14としては、９，９−ジメチルフルオレン−１−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−３−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−４−イル基、ジベンゾフラン−１−イル基、ジベンゾフラン−２−イル基、ジベンゾフラン−３−イル基、又はジベンゾフラン−４−イル基も好ましい。
また、アントラセン誘導体は式（５０）の他、下記式（５２）〜（５８）で表わされるアントラセン誘導体のいずれかであってもよい。
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108は、式（５０）と同じである。
Ａｒ15，Ａｒ16は、それぞれ、水素原子、環形成炭素数６〜３０のアリール又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環を示し、Ａｒ15はそれが結合しているナフタレン環と共に環を形成していてもよい。）
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108、Ｒ111、ｂは、式（５０）と同じである。
Ａｒ17は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
Ａｒ17は、例えば、ジベンゾフラン−１−イル基、ジベンゾフラン−２−イル基、ジベンゾフラン−３−イル基、又はジベンゾフラン−４−イル基が好ましい。
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ71〜Ｒ78は、それぞれ独立に水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基である。
Ｒ51は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
ｅは１〜４の整数である。
Ａｒ6は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ａｒ7は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜２０の縮合アリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜２０の縮合複素環基である。）
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108は、式（５０）と同じである。
Ａｒ18は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。また、Ａｒ18はそれが結合しているベンゼン環と共に環を形成していてもよい。
Ａｒ19は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。）
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108は、式（５０）と同じである。
Ｌは、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は２価の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
Ａｒ21は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基である。
Ｘ11は酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ131−又は−ＣＲ132Ｒ133であり、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133は、それぞれＲ101〜Ｒ108と同様な基を示す。
Ｒ121は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、シアノ基、又はフッ素原子である。
ｍは０〜７の整数である。ｍが２以上の整数の場合、複数あるＲ121は、同一でも異なっていてもよい。）
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ101〜Ｒ108は式（５０）と同じである。
Ａｒ22は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。
Ｒ201は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、シアノ基、又はフッ素原子である。
ｐは０〜４の整数である。ｐが２以上の整数の場合、複数あるＲ201は、同一でも異なっていてもよい。）
上記のほか、下記式（５８）で表される化合物もホスト材料として好適に用いることができる。
Figure 2011096506
 （式中、Ｒ211〜Ｒ220は、式（５０）のＲ101〜Ｒ108と同じである。）
本発明の有機ＥＬ素子において、発光層等の各有機層の形成は、真空蒸着、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法や溶媒に解かした溶液のスピンコーティング、ディッピング、キャスティング、バーコート、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の塗布法が適用することができる。
特に、本発明のアミノアントラセン誘導体を用いて有機ＥＬ素子を製造する場合、有機化合物層及び発光層は、蒸着ばかりでなく、湿式でも成膜できる。
有機化合物層の各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られなくなるおそれがあり、逆に厚すぎると一定の光出力を得るために高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、有機ＥＬ素子用材料として本発明のアミノアントラセン誘導体と、溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができ、この有機ＥＬ材料含有溶液は、本発明のアミノアントラセン誘導体と、前記式（５０）〜（５９）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含む有機ＥＬ材料含有溶液を用いると好ましい。
この場合、各層を形成する有機ＥＬ材料を、適切な溶媒に溶解又は分散させて有機ＥＬ材料含有溶液を調製し、薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、トリフルオロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、アニソール、ジメトキシエタン、等のエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニルアセトン、イソホロン、シクロヘキサノン、メチルヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の鎖状炭酸エステル系溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の環状炭酸エステル系溶媒等が挙げられる。なかでも、トルエン、ジオキサン等の炭化水素系溶媒やエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は一種を単独で使用しても二種以上を混合して用いてもよい。尚、使用し得る溶媒はこれらに限定されるものではない。
また、いずれの有機化合物層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂等が挙げられる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコーンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子においては、好ましくは一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲニド層、ハロゲン化金属層及び金属酸化物層から選ばれる層を配置したものである。
（有機ＥＬ素子の構成）
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１） 陽極／発光層／陰極
（２） 陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３） 陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（４） 陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
（５） 陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６） 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７） 陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８） 陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（９） 陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
等の構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられる。
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。また、陽極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
有機ＥＬ素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。即ち、
（１） 注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子輸送層より電子を注入することができる機能
（２） 輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（３） 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
がある。但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。
ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明のアミノアントラセン誘導体を発光層に用いる場合、本発明のアミノアントラセン誘導体は、ドーパント材料とホスト材料のいずれにも使用できるが、特にドーパント材料として用いることが好ましい。
また、本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に、本発明のアミノアントラセン誘導体及び縮合環含有化合物からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させても良く、また本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層しても良い。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
具体例としては、アリールアミン誘導体、アリールカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体等を挙げることができる。
また、２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、またトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（４０−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
また発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入・輸送層は上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が本発明のアミノアントラセン誘導体の少なくとも１種と上記式（５０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含み、正孔輸送層及び／又は正孔注入層がアリールアミン誘導体またはアリールカルバゾール誘導体から選ばれる少なくとも１種を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
電子輸送層は、発光層への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、一つの層又は複数の層であってもよい。また付着改善層は、この電子輸送層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
例えば発光材料の項で記載したＡｌｑを電子輸送層として用いることができる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
Figure 2011096506
（式中、Ａｒ201、Ａｒ202、Ａｒ203、Ａｒ205、Ａｒ206及びＡｒ209は置換もしくは無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ204、Ａｒ207及びＡｒ208は置換もしくは無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
電子輸送材料として、下記式で表されるものも用いることができる。
Figure 2011096506
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ1〜Ａ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ301は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０の複素環基であり、Ａｒ302は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。ただし、Ａｒ301及びＡｒ302のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ11、Ｌ12及びＬ13は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒ300は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜６０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲ300は同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ300基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ｒ310は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、又は−Ｌ11−Ａｒ301−Ａｒ302である。）で表される含窒素複素環誘導体。
ＨＡｒ−Ｌ14−Ａｒ401−Ａｒ402 （Ｃ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌ14は、単結合、置換基を有していてもよい環形成炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい環形成原子数５〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ401は、置換基を有していてもよい環形成炭素数６〜６０の２価のアリール基であり、Ａｒ402は、置換基を有していてもよい環形成炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい環形成原子数５〜６０の複素環基である。）で表される含窒素複素環誘導体。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が本発明のアミノアントラセン誘導体の少なくとも１種と上記式（５０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含み、電子輸送層が上記式（Ａ）、式（Ｂ）または式（Ｃ）で表される化合物の少なくとも１種を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
また、一対の電極に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が本発明のアミノアントラセン誘導体の少なくとも１種と上記式（５０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含み、正孔輸送層及び／又は正孔注入層がアリールアミン誘導体またはアリールカルバゾール誘導体から選ばれる少なくとも１種を含み、電子輸送層が上記式（Ａ）、式（Ｂ）または式（Ｃ）で表される化合物の少なくとも１種を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
その他、下記式（ＩＩＩ）、下記式（ＩＶ）で表される含窒素複素環誘導体も本発明の有機ＥＬ素子に用いることができる。
Figure 2011096506
式（ＩＩＩ）におけるＲ301、Ｒ302、Ｒ303、Ｒ304、Ｒ305及びＲ306は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換もしくは無置換の複素環基のいずれかを示す。ただし、Ｒ301、Ｒ302、Ｒ303、Ｒ304、Ｒ305及びＲ306は同じでも異なってもよい。Ｒ301とＲ302、Ｒ303とＲ304、Ｒ305とＲ306又はＲ301とＲ306、Ｒ302とＲ303、Ｒ304とＲ305が縮合環を形成していてもよい。
Figure 2011096506
式（ＩＶ）におけるＲ311〜Ｒ316は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が本発明のアミノアントラセン誘導体の少なくとも１種と上記式（５０）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種とを含み、正孔輸送層及び／又は正孔注入層がアリールアミン誘導体またはアリールカルバゾール誘導体から選ばれる少なくとも１種を含み、電子輸送層が上記式（Ａ）、式（Ｂ）または式（Ｃ）で表される化合物の少なくとも１種を含み、上記式(IV)で表される化合物の少なくとも１種を含む有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物を正孔注入層の材料として使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましい。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子輸送層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド（例えばＬｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、Ｎａ2Ｏ）、アルカリ土類金属カルコゲニド（例えばＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅ）、アルカリ金属のハロゲン化物（例えばＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ）及びアルカリ土類金属のハロゲン化物（ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、ＢｅＦ2）からなる群から選択される少なくとも１つの金属化合物を使用するのが好ましい。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の１種単独又は２種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次にこの陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０−７〜１０−３Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
次に、正孔注入層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子輸送層を設ける。正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
本発明の化合物は、真空蒸着法を用いる場合は他の材料との共蒸着をすることができる。また、スピンコート法を用いる場合は、他の材料と混合することによって含有させることができる。
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
これまで記載してきた有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
尚、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
合成実施例１（化合物Ｄ１６の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
（１）中間体（ｂ）の合成（合成例Ａ）
アルゴン気流下、300mLナスフラスコに、中間体（ａ）11.7g 、アニリン10.7mL.、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム(0)〔Pd2(dba)3〕0.63g 、2,2'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビナフチル〔BINAP〕0.87g 、ナトリウムtert-ブトキシド9.1g 、脱水トルエン131mLを入れ、85℃にて6時間反応した。
冷却後、反応溶液をセライトろ過し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（n-ヘキサン/塩化メチレン(3/1)）で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、10.0gの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、中間体（ｂ）と同定した。
（２）中間体（ｃ）の合成（合成例Ｂ）
アルゴン気流下、500mLのナスフラスコに、中間体（ｂ）16g、2,6-ジブロモアントラキノン10g、ナトリウムtert-ブトキシド5.5g 、酢酸パラジウム(II)〔Pd(OAc)2〕310mg 、トリ-tert-ブチルホスフィン280mg 、脱水トルエン160mLを入れ、トルエンを還流下、7時間反応した。
冷却後、反応溶液にメタノールを加え、ろ過して得られた租生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体をトルエンで再結晶して得られた固体を減圧乾燥したところ、13gの暗赤色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｃ）と同定した。
（３）中間体（ｄ）の合成（合成例Ｃ）
アルゴン気流下、300mLのナスフラスコに、中間体（ｃ）4.0g、脱水THF100mLを入れ、−65℃に冷却した後、n-ブチルリチウムヘキサン溶液（1.57M）18mLを入れ1時間反応した。同温で4-ブロモジフェニル6.5gを加えて2時間反応した後、徐々に昇温し室温下3時間反応した。
反応溶液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて分液した後、飽和食塩水で有機層を洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル/ヘキサン）で精製し、減圧乾燥したところ、5.9gの褐色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｄ）と同定した。
（４）化合物Ｄ１６の合成（合成例Ｄ）
300mLのナスフラスコに、中間体（ｄ）5.9g、ヨウ化カリウム2.4g、ホスフィン酸ナトリウム一水和物760mg、酢酸100mLを入れ、酢酸を還流下、6時間半反応した。
冷却後、反応溶液にメタノールを加え、ろ過して得られた租生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル/トルエン/ヘキサン）で精製し、得られた固体をジオキサン及びトルエンで洗浄して得られた固体を減圧乾燥したところ、1.1gの黄白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｄ１６と同定した。
合成実施例２（化合物Ｄ２６の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
 合成実施例１の中間体（ｃ）の合成において、2,6-ジブロモアントラキノンの代わりに、中間体（ｅ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｄ２６と同定した。
合成実施例３（化合物Ｄ４１の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
合成実施例１の合成例Ａにおいて、中間体（ａ）の代わりに、中間体（ｆ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｇ）と同定した。
合成例Ｂにおいて、中間体（ｂ）の代わりに、中間体（ｇ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｈ）と同定した。
合成例Ｃにおいて、中間体（ｃ）の代わりに中間体（ｈ）を用い、４−ブロモジフェニルの代わりにブロモベンゼンを用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｉ）と同定した。
合成例Ｄにおいて、中間体（ｄ）の代わりに中間体（ｉ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ４１と同定した。
合成実施例４（化合物Ｄ７１の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
 合成実施例２において、中間体（ｂ）の代わりに、中間体（ｇ）を用い、中間体（ｅ）の代わりに中間体（ｊ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ７１と同定した。
合成実施例５（化合物Ｄ８１の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
合成実施例１の合成例Ａにおいて、中間体（ａ）の代わりに、中間体（ｋ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｌ）と同定した。
合成例Ｂにおいて、中間体（ｂ）の代わりに、中間体（ｌ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｍ）と同定した。
合成例Ｃにおいて、中間体（ｃ）の代わりに中間体（ｍ）を用い、４−ブロモジフェニルの代わりにブロモベンゼンを用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体（ｎ）と同定した。
合成例Ｄにおいて、中間体（ｄ）の代わりに中間体（ｎ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ８１と同定した。
合成実施例６（化合物Ｄ１１６の合成）
下記スキームで合成した。
Figure 2011096506
合成実施例２において、中間体（ｂ）の代わりに、中間体（ｌ）を用い、中間体（ｅ）の代わりに中間体（ｏ）を用いた以外は同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｄ１１６と同定した。
実施例１
２５×７５×０．７ｍｍサイズのガラス基板上に、膜厚１３０ｎｍのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄した後、真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、正孔注入層として、Ｎ’，Ｎ''−ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ',Ｎ''−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミンを６０ｎｍの厚さに蒸着したのち、その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次いで、ホスト材料として９−（２−ナフチル）−１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセンとドーピング材料として上記化合物Ｄ１６とを、重量比４０：２で同時蒸着し、厚さ４０ｎｍの発光層を形成した。
次に、電子輸送層として、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウムを２０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、弗化リチウムを１ｎｍの厚さに蒸着し、次いでアルミニウムを１５０ｎｍの厚さに蒸着した。このアルミニウム／弗化リチウムは陰極として機能する。このようにして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧５．９Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率１９．３ｃｄ／Ａ、発光輝度１９３０ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：５０９ｎｍ）が得られた。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は４０００時間であった。
実施例２
実施例１において、ドーピング材料として化合物Ｄ１６の代わりに、化合物Ｄ２６を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．０Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率１８．０ｃｄ／Ａ、発光輝度１８００ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：４９９ｎｍ）が得られた。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は３５００時間であった。
比較例１
実施例１において、ドーピング材料として化合物Ｄ１６の代わりに、比較化合物１を用いたこと以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧６．８Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて、発光効率７．９ｃｄ／Ａ、発光輝度７９０ｃｄ／ｍ2の青色発光（発光極大波長：５３０ｎｍ）が得られた。初期輝度３０００ｃｄ／ｍ2で直流の連続通電試験を行ったところ、半減寿命は１３００時間であった。
Figure 2011096506
以上詳細に説明したように、本発明のアミノアントラセン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長時間使用しても劣化しづらく寿命が長い。このため、壁掛テレビやディスプレイの平面発光体の鮮やかな緑色の発光材料として有用である。

Claims (11)

  1. 下記式（１）で表されるアミノアントラセン誘導体。
    Figure 2011096506
     ［式中、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基を示す。ｍは１〜８の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＲ1はそれぞれ同一でも異なっていても良い。
    Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素７〜５０のアラルキル基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基である。
    ただし、Ａｒ1〜Ａｒ4のうち１つ以上は下記式（２）、（３）又は（４）で表される基である。
    Figure 2011096506
     （式中、Ｘは酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）又はセレン（Ｓｅ）であり、Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアリール及び／又はアルキルシリル基又はカルボキシル基である。ｎは１〜７の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲ2はそれぞれ同一でも異なっていても良い。また、Ｒ2が複数の場合、互いに結合して飽和もしくは不飽和の置換されても良い２価の基を形成しても良い。また、Ｒ2がＸを含む５員環部分に結合する場合はない。）］
  2. 前記式（１）において、Ａｒ1及びＡｒ3が、前期式（２）、（３）又は（４）で表される基である請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
  3. Ａｒ1及びＡｒ3が前記式（４）で表される請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
  4. 前記式（２）、（３）、（４）のＸが酸素原子である請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
  5. 前記式（１）が、下記式（６）で表される請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
    Figure 2011096506
     （式中、Ａｒ1〜Ａｒ4は前記と同じ、Ｒ11及びＲ12はそれぞれＲ1と同じである。）
  6. 前記式（６）のアントラセニレン基の２位に−ＮＡｒ1Ａｒ2、６位に−ＮＡｒ3Ａｒ4が結合している請求項５に記載のアミノアントラセン誘導体。
  7. 前記式（６）のアントラセニレン基の９位に−ＮＡｒ1Ａｒ2、１０位に−ＮＡｒ3Ａｒ4が結合している請求項５に記載のアミノアントラセン誘導体。
  8. 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
  9. 有機エレクトロルミネッセンス素子用ドーピング材料である請求項１に記載のアミノアントラセン誘導体。
  10. 陰極と陽極の間に少なくとも発光層を含む一層または複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミレッセンス素子において、該発光層が、請求項１〜８のいずれかに記載のアミノアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 前記発光層が、前記記載のアミノアントラセン誘導体と下記式（４０）のアントラセン誘導体を含有し、前記アミノアントラセン誘導体の含有量が０．１〜２０重量％である請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2011096506
     （式（４０）中、Ｒ101〜Ｒ108は、それぞれ水素原子、フッ素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜３０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示し、Ａｒ12、Ａｒ13は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基を示す。）
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