JPWO2011055757A1 - 型の製造方法および型 - Google Patents

Abstract

本発明の型の製造方法は、アルミニウム基材またはアルミニウム膜（１８）を用意する工程と、水溶液中において、アルミニウム基材（１８）の表面を陰極として、表面と対向電極との間に通電処理を行うことにより、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下である第１凹部（１８ｈ）を形成する工程と、その後に、表面を陽極酸化することによって、第１凹部（１８ｈ）の内面および第１凹部（１８ｈ）の間に、２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の第２凹部（１２）を有するポーラスアルミナ層（１０Ａ）を形成する工程と、その後に、ポーラスアルミナ層（１０Ａ）をエッチング液に接触させることによって、ポーラスアルミナ層（１０Ａ）の第２凹部（１２）を拡大させる工程とを包含する。それによって、アンチグレア機能を発現するマクロな凹凸構造を有する型を効率よく製造できる。

Description

本発明は、型の製造方法および型に関する。ここでいう「型」は、種々の加工方法（スタンピングやキャスティング）に用いられる型を包含し、スタンパということもある。また、印刷（ナノプリントを含む）にも用いられ得る。

テレビや携帯電話などに用いられる表示装置やカメラレンズなどの光学素子には、通常、表面反射を低減して光の透過量を高めるために反射防止技術が施されている。例えば、空気とガラスとの界面を光が入射する場合のように屈折率が異なる媒体の界面を光が通過する場合、フレネル反射などによって光の透過量が低減し、視認性が低下するからである。

近年、反射防止技術として、凹凸の周期が可視光（λ＝３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）の波長以下に制御された微細な凹凸パターンを基板表面に形成する方法が注目されている（特許文献１から４を参照）。反射防止機能を発現する凹凸パターンを構成する凸部の２次元的な大きさ（典型的には直径）は１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である。

この方法は、いわゆるモスアイ（Ｍｏｔｈｅｙｅ、蛾の目）構造の原理を利用したものであり、基板に入射した光に対する屈折率を凹凸の深さ方向に沿って入射媒体の屈折率から基板の屈折率まで連続的に変化させることによって反射を防止したい波長域の反射を抑えている。

モスアイ構造は、広い波長域にわたって入射角依存性の小さい反射防止作用を発揮できるほか、多くの材料に適用でき、凹凸パターンを基板に直接形成できるなどの利点を有している。その結果、低コストで高性能の反射防止膜（または反射防止表面）を提供できる。

モスアイ構造の製造方法として、アルミニウムを陽極酸化することによって得られる陽極酸化ポーラスアルミナ層を用いる方法が注目されている（特許文献２から４）。

ここで、アルミニウムを陽極酸化することによって得られる陽極酸化ポーラスアルミナ層について簡単に説明する。従来から、陽極酸化を利用した多孔質構造体の製造方法は、規則正しく配列されたナノオーダーの円柱状の細孔（微細な凹部）を形成できる簡易な方法として注目されてきた。硫酸、蓚酸、または燐酸等の酸性電解液またはアルカリ性電解液中にアルミニウム基材を浸漬し、これを陽極として電圧を印加すると、アルミニウム基材の表面で酸化と溶解が同時に進行し、その表面に細孔を有する酸化膜を形成することができる。この円柱状の細孔は、酸化膜に対して垂直に配向し、一定の条件下（電圧、電解液の種類、温度等）では自己組織的な規則性を示すため、各種機能材料への応用が期待されている。

特定の条件下で作製されたポーラスアルミナ層は、膜面に垂直な方向から見たときに、ほぼ正六角形のセルが二次元的に最も高密度で充填された配列をとっている。それぞれのセルはその中央に細孔を有しており、細孔の配列は周期性を有している。セルは局所的な皮膜の溶解および成長の結果形成されるものであり、バリア層と呼ばれる細孔底部で、皮膜の溶解と成長とが同時に進行する。このとき、セルのサイズすなわち、隣接する細孔の間隔（中心間距離）は、バリア層の厚さのほぼ２倍に相当し、陽極酸化時の電圧にほぼ比例することが知られている。また、細孔の直径は、電解液の種類、濃度、温度等に依存するものの、通常、セルのサイズ（膜面に垂直な方向からみたときのセルの最長対角線の長さ）の１／３程度であることが知られている。このようなポーラスアルミナの細孔は、特定の条件下では高い規則性を有する（周期性を有する）配列、また、条件によってはある程度規則性の乱れた配列、あるいは不規則（周期性を有しない）な配列を形成する。

特許文献２は、陽極酸化ポーラスアルミナ膜を表面に有するスタンパを用いて、反射防止膜（反射防止表面）を形成する方法を開示している。

また、特許文献３に、アルミニウムの陽極酸化と孔径拡大処理を繰り返すことによって、連続的に細孔径が変化するテーパー形状の凹部を形成する技術が開示されている。

本出願人は、特許文献４に、微細な凹部が階段状の側面を有するアルミナ層を用いて反射防止膜を形成する技術を開示している。

また、特許文献１、２および４に記載されているように、モスアイ構造（ミクロ構造）に加えて、モスアイ構造よりも大きな凹凸構造（マクロ構造）を設けることによって、反射防止膜（反射防止表面）にアンチグレア（防眩）機能を付与することができる。アンチグレア機能を発揮する凹凸構造（「アンチグレア構造」ということがある。）を構成する凸部の２次元的な大きさは１μｍ以上１００μｍ未満である。特許文献１、２および４の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。

このように陽極酸化ポーラスアルミナ膜を利用することによって、モスアイ構造を表面に形成するための型（以下、「モスアイ用型」という。）を容易に製造することができる。特に、特許文献２および４に記載されているように、アルミニウムの陽極酸化膜の表面をそのまま型として利用すると、製造コストを低減する効果が大きい。モスアイ構造を形成することができるモスアイ用型の表面の構造を「反転されたモスアイ構造」ということにする。

特許文献５には、平滑性を有するアルミニウム板の表面に、陽極酸化時に形成されるアルミナ膜の細孔の間隔および配列と同一の間隔および配列の複数の窪みを予め形成した後、アルミニウム板を陽極酸化することにより、所定形状の細孔（微細な凹部）が予め形成した複数の窪みの間隔および配列と同一の間隔および配列で規則的に配列したポーラスアルミナ層を形成できることが記載されている。また、直進性、垂直性および独立性のより高い細孔を得るためには、アルミニウム板の表面は平滑性が高いことが望ましいことが記載されている。

特表２００１−５１７３１９号公報 特表２００３−５３１９６２号公報 特開２００５−１５６６９５号公報 国際公開第２００６／０５９６８６号 特開平１０−１２１２９２号公報

しかしながら、本発明者が、鏡面切削加工が施された表面を有するアルミニウム基材を用いてモスアイ用型を作製しようとしたところ、微細な凹部が不均一に分布したポーラスアルミナ層しか得られなかった。実験結果の一例を示す。

図８（ａ）に示すように、鏡面切削加工が施された表面（曲面）を有するアルミニウム基材を用意した。これを陽極酸化したところ、図８（ｂ）に示すように、筋状の模様が目視で観察された。この表面をＳＥＭで観察しところ、図８（ｃ）に示すように、微細な凹部の生成密度は低く、また、微細な凹部が不均一に分布していることが分かった。図８（ｂ）において白い筋に見える部分に微細な凹部が偏在していた。また、白い筋は、鏡面切削加工においてアルミニウム基材の表面をバイトが移動した方向に平行に形成されている。

このように、機械加工によって加工変質層（以下、単に「変質層」という。）が形成されたアルミニウム基材の表面を陽極酸化すると、微細な凹部が不均一に生成される（微細な凹部の２次元的な分布に疎密ができる）という問題が発生する。

なお、機械加工が施された表面にポーラスアルミナ層を形成することは、例えば転写工程を連続的に行うことが可能なロール状の型を作製するために重要である。

また、アンチグレア機能を有する反射防止膜（反射防止表面）を形成することができる型を製造するために、従来は、例えば、特許文献１に記載されているように、サンド・ブラスト法などの機械的な方法や化学的なエッチング方法を用いてアンチグレア構造を形成するための凹凸構造を形成した後、反転されたモスアイ構造を形成していた。

また、本出願人は、国際公開第２００９／１４７８５８号に、不純物元素（例えば、Ｍｎ、Ｍｇおよび／またはＦｅ）を含むアルミニウム基材を用い、不純物元素が偏析した部分で起こる異常溶解を利用することによって、アンチグレア構造を形成するための凹凸構造を有する型の製造方法を開示している。

しかしながら、上記従来の方法には、型の製造効率が悪いという問題があり、また上記出願に記載の方法は、不純物元素を含むアルミニウム基材にしか適用できない上、異常溶解を再現性良く制御することが難しいという問題がある。

本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、機械加工が施されたアルミニウム基材の表面に、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成することが可能な、陽極酸化層の形成方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、アンチグレア機能を発現するマクロな凹凸構造を有する型、特に、アンチグレア機能を発現するマクロな凹凸構造を有するモスアイ用型を効率よく製造できる型の製造方法を提供することにある。

本発明は、少なくとも上記の目的の少なくとも１つを達成することができる。

本発明の陽極酸化層の形成方法は、（ａ）機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材を用意する工程と、（ｂ）水溶液中において、前記アルミニウム基材の前記表面を陰極として、前記表面と対向電極との間に通電処理を行う工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記アルミニウム基材の前記表面を陽極酸化することによって、ポーラスアルミナ層を形成する工程とを包含する。なお、前記工程（ｂ）における通電処理のことを「陰極電解」ということがある。陰極電解を行うことによって、前記アルミニウム基材の前記表面に、目的とするポーラスアルミナ層が有する複数の微細な凹部の平均隣接距離よりも小さい平均隣接距離を有する微細な凹凸構造を形成することができる。なお、変質層を有しないアルミニウム基材や、アルミニウム膜を陰極電解しても、原理的に同様の構造を得ることができる。

ある実施形態において、前記機械加工が鏡面処理加工である。

ある実施形態において、前記アルミニウム基材は、ロール状である。

本発明の反転されたモスアイ構造を表面に有する型の製造方法は、上記のいずれかの陽極酸化層の形成方法で、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程を包含する。前記複数の微細な凹部の隣接距離は、前記２次元的な大きさと等しいとみなし得る。また、前記表面の法線方向から見たとき前記複数の微細な凹部はほぼ円形であり、２次元的な大きさは直径とみなし得る。

本発明の型は、加工変質層を有するアルミニウム基材と、前記加工変質層上に形成されたポーラスアルミナ層とを有する。特に、上記ポーラスアルミナ層は、反射防止構造の形成に好適に用いられる反転されたモスアイ構造を有している。

本発明の他の型の製造方法は、（ａ）アルミニウム基材またはアルミニウム膜を用意する工程と、（ｂ）水溶液中において、前記アルミニウム基材または前記アルミニウム膜の表面を陰極として、前記表面と対向電極との間に通電処理を行うことにより、前記表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下である複数の第１凹部を形成する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記表面を陽極酸化することによって、前記複数の第１凹部の内面および前記複数の第１凹部の間に、前記表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の第２凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の第２凹部を拡大させる工程とを包含する。なお、前記工程（ｃ）において形成される前記第２凹部の２次元的な大きさは、前記第１凹部の２次元的な大きさよりも小さい。

ある実施形態において、前記工程（ａ）は、機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材を用意する工程であって、前記工程（ｂ）において、前記機械加工が施された前記表面を陰極として、前記表面と対向電極との間に通電処理を行う。

ある実施形態において、前記アルミニウム基材はロール状である。

ある実施形態において、前記複数の第１凹部の平均隣接距離は、０．５μｍ以上１００μｍ以下である。前記複数の第１凹部の平均隣接距離は、前記複数の第１凹部の２次元的な大きさの平均値よりも大きい。

本発明の型は、上記のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする。

本発明の反射防止膜は、上記の型を用いて形成されたことを特徴とする。

本発明によると、アルミニウム基材の機械加工が施された表面に、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成することができる。従って、ロール状の基材の外周面に、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成することができる。本発明による陽極酸化層の形成方法を用いて、反転されたモスアイ構造を表面に有する型を製造することができる。

また、本発明によると、アンチグレア機能を発現するマクロな凹凸構造を有する型、特に、アンチグレア機能を発現するマクロな凹凸構造を有するモスアイ用型を効率よく製造できる。

本発明によるモスアイ用型は、反射防止膜や反射防止表面（これらをまとめて反射防止構造という。）の形成に好適に用いられる。

（ａ）は変質層１８ａを有するアルミニウム基材１８の模式的な断面図であり、（ｂ）は変質層１８ａの上にポーラスアルミナ層１０が形成されたアルミニウム基材１８の模式的な断面図であり、（ｃ）は変質層１８ａを除去した後にポーラスアルミナ層１０が形成されたアルミニウム基材１８の模式的な断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を説明するための模式的な断面図である。 本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法において用いられる陰極電解の原理を説明するための模式図である。 鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によってポーラスアルミナ層を形成した後の表面の写真である。 （ａ）は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に陰極電解を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図であり、（ｂ）は更に陽極酸化を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図である（実施例）。 （ａ）は、アルミニウム基材の鏡面切削加工が施された表面のＳＥＭ像を示す図であり、（ｂ）は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に陰極電解を行うことなく、陽極酸化を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図である（比較例）。 陰極電解の陽極酸化に対する影響を説明するための図であり、定電圧で陽極酸化を行ったときの電流の時間変化を示すグラフである。 （ａ）は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面の写真であり、（ｂ）は、（ａ）に示したアルミニウム基材を陽極酸化した後の表面の写真であり、（ｃ）は、（ｂ）に示した表面のＳＥＭ像を示す図である。 ポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムを説明するための図であり、定電圧で陽極酸化を行ったときの電流の時間変化を示すグラフである。 （ａ）〜（ｄ）は、ポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムを説明するための模試的な断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明による実施形態の型の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 （ａ）は、本発明による実施形態の型の表面のＳＥＭ像を示す図であり、（ｂ）はその型を用いて作製された反射防止膜の断面のＳＥＭ像を示す図である。

以下、図面を参照して、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法、型の製造方法および型を説明する。なお、本発明は例示する実施形態に限定されない。

本発明は、図８を参照して説明したように、機械加工によって変質層が形成されたアルミニウム基材の表面を陽極酸化すると、微細な凹部が不均一に生成されるという、本発明者が見出した新たな問題を解決するためになされたものである。

変質層は、金属加工の分野では良く知られているように、加工（ここでは機械加工）によって材質的に変化した表面層のことをいう。変質層は、塑性変形による格子欠陥の乱れや増加、結晶粒の変形、微細化、あるいは表面流動などによって形成されたと考えられている。変質層には残留歪み（残留応力）が発生しているので、Ｘ線回折を利用した歪み測定によって、変質層の存在および残留歪みの大きさを知ることができる。一般に、切削加工による変質層の深さは最大で４００μｍ程度であるとされている（例えば、竹山秀彦、大学講義 切削加工、ｐ１３２、（平成７）、丸善）。

鏡面切削加工を施した表面を陽極酸化した場合に、微細な凹凸が均一に形成されなかった原因および本発明の陽極酸化層の形成方法によって上記の問題が解決されるメカニズムを以下に説明する。なお、以下の説明は、本発明者が実験的に確認した事実に基づく考察であり、本発明の理解を助けるためのものであり、本発明を限定するものではない。

まず、図９および図１０を参照して、アルミニウムの陽極酸化によってポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムを説明する。

図９は、ポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムを説明するための図であり、定電圧で陽極酸化を行ったときの電流の時間変化を示すグラフである。図１０（ａ）〜（ｄ）は、ポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムを説明するための模試的な断面図であり、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）は、それぞれ図９中の４つのモードＩ、ＩＩ、ＩＩＩおよびＩＶに対応する様子を模式的に示している。

アルミニウム基材の表面を電解液中で、定電圧で陽極酸化すると、電流は図９に示すように変化する。この電流の変化のプロファイルから、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩおよびＩＶの４つのモードに分けることができる。図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を参照して、各モードについて説明する。

モードＩ（図１０（ａ））：アルミニウム基材１８の表面に形成される陽極酸化アルミナ層（単に「皮膜」ということがある。）１０ａは、きわめて薄く、皮膜１０ａおよび皮膜１０ａ／溶液界面には大きなアノード電場がかかっている。電場が強いため界面におけるアニオンＡ^m-の濃度は溶液のｐＨにほとんど依存せず、溶解速度もｐＨにより変化しない。すなわち、電解液によらずほぼ同じ反応が起こる。このとき皮膜１０ａの表面１０ｓは平坦である。

モードＩＩ（図１０（ｂ））：皮膜１０ｂが厚くなると、その表面１０ｒ１はやや粗くなる。すなわち、表面１０ｒ１は微細な凹凸を有する。この凹凸のため、電流密度に不均一な分布ができ、局部溶解へと移行する。

モードＩＩＩ（図１０（ｃ））：モードＩＩで生じた表面１０ｒ１のラフネス（凹凸）のうち一部が成長し、微細な凹部１２を形成するとともに、金属／皮膜界面（アルミニウム基材１８と陽極酸化アルミナ層１０ｃとの界面）がおわん状になり局部溶解の面積が増加する。その結果、全体のみかけの電流は増加してくる。電場強度が最も強くなる凹部１２の底部分に溶解は限定される。

モードＩＶ（図１０（ｄ））：凹部（細孔）１２が安定的に成長する。

鏡面切削加工を施した表面を陽極酸化したときの電流プロファイルは、例えば図７の条件４（０．１Ｍの蓚酸水溶液で、６０Ｖの定電圧で陽極酸化）で示すように、短時間で低下した後は殆ど変化しなかった。すなわち、電流プロファイルに、上記のモードＩＩＩおよびＩＶに対応する部分が存在せず、微細な凹部（細孔）１２が形成されていないことがわかる。この原因は、鏡面切削加工を施した表面（鏡面）には変質層が形成されており、この変質層の存在によって、モードＩＩにおいて電流密度に分布ができる程の表面粗さが得られなかったためと考えられる。

モードＩＩで粗さが発生する過程には化学的溶解が関わっていると考えられる。反射防止構造の形成に適したモスアイ用型として用いられるポーラスアルミナ層は、比較的、化学的な溶解力の低い電解液を用いるので、モードＩＩにおいて十分な粗さが得られないという問題が顕著に現れるものの、陽極酸化の条件（例えば電解液の化学的な溶解力を含む）によらず、同様の傾向が認められる。

また、機械加工が鏡面切削加工の例を説明したが、これに限られず、鏡面研磨や鏡面研削などの他の鏡面処理加工を行う場合にも同様であり、変質層を形成する機械加工一般についても同様である。

本発明は、本発明者が見出した上記知見に基づいてなされたものである。本発明によるある実施形態の陽極酸化層の形成方法は、機械加工が施された表面に、目的とするポーラスアルミナ層が有する複数の微細な凹部１２の平均隣接距離よりも小さい平均隣接距離を有する微細な凹凸構造を形成する（図１０（ｂ）の表面１０ｒ１、図１０（ｃ）の表面１０ｒ２参照）工程を包含する。

微細な凹凸構造は、水溶液中において、アルミニウム基材の表面を陰極として、表面と対向電極との間に通電処理（陰極電解）を行うことによって形成される。

後に実施例を示すように、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によると、図１（ａ）に示すように、基材本体部１８ｂと、基材本体部１８ｂの表面に形成された変質層１８ａとを表面に有するアルミニウム基材１８を用いて、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成することができる。従って、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を用いると、鏡面処理加工を施したアルミニウム基材の表面に反転されたモスアイ構造を有する型を製造することができる。鏡面処理加工を施した表面に、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を有する型は、クリアタイプの反射防止構造を形成するために好適に用いられる。なお、クリアタイプの反射防止構造とは、防眩作用を有しない反射防止構造をいう。

本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法によると、図１（ｂ）に示すように、アルミニウム基材１８の変質層１８ａ上に、ポーラスアルミナ層１０を形成することができる。また、図１（ｃ）に示すように、図１（ａ）に示したアルミニウム基材１８が有していた変質層１８ａを除去した後にポーラスアルミナ層１０を形成することができる。図１（ｂ）および図１（ｃ）に示したポーラスアルミナ層１０が形成された基材は、そのまま、モスアイ用型として用いることができる。

従って、図１（ａ）〜（ｃ）に示したアルミニウム基材１８として、ロール状の基材を用意すれば、鏡面処理加工を施した外周面に微細な凹部が均一に形成されたモスアイ用型を製造することができる。

図２〜図７を参照して、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を更に詳細に説明する。

図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明による実施形態の陽極酸化層の形成方法を説明するための模式的な断面図である。

まず、図２（ａ）に示すように、機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材１８を用意する。例えば、図８（ａ）に示す、鏡面切削加工を施したアルミニウム基材１８を用意する。アルミニウム基材１８は、本体部１８ｂと変質層１８ａとを有している。変質層１８ａの表面１８ｓは鏡面である。

次に、図２（ｂ）に示すように、陰極電解によって、変質層１８ａの表面１８ｓに微細な凹凸構造を形成する。陰極電解の詳細は後述する。変質層１８ａの表面１８ｒに形成された微細な凹凸構造が、陽極酸化プロセスのモードＩＩＩへの移行を可能にする（図９および図１０参照）。表面１８ｒに形成された微細な凹凸構造は、目的とするポーラスアルミナ層が有する複数の微細な凹部の平均隣接距離よりも小さい平均隣接距離を有する。

以下、例えば、特許文献４に記載されているように、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に複数回繰り返すことによって、所望の断面形状を有する微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成することができる。例えば、以下のようにして、反射防止構造の形成に好適に用いられるポーラスアルミナ層を形成することができる。

図２（ｃ）に示すように、アルミニウム基材１８の表面１８ｒを陽極酸化すると、微細な凹部１２が均一に分布したポーラスアルミナ層１０を形成することができる。すなわち、変質層１８ａの表面１８ｒが微細な凹凸構造を有するので、陽極酸化過程がモードＩＩで停止することなく、モードＩＩＩおよびＩＶへ進行する。陽極酸化は、例えば、０．１Ｍ蓚酸水溶液で４０秒間、６０Ｖの電圧を印加することによって行われる。なお、図示を省略するが、図２（ｃ）〜（ｆ）に示しているアルミニウム基材１８は、ポーラスアルミナ層１０側に変質層１８ａを有している。

続いて、図２（ｄ）に示すように、微細な凹部１２を有するポーラスアルミナ層１０をエッチング液に接触させることによって所定の量だけエッチングする。エッチングすることによって、微細な凹部１２の孔径を拡大する。ここでウェットエッチングを採用することによって、微細な凹部１２を等方的に拡大することができる。エッチング液の種類・濃度、およびエッチング時間を調整することによって、エッチング量（すなわち、微細な凹部１２の大きさおよび深さ）を制御することが出来る。エッチング液としては、例えば、５質量％燐酸および３質量％クロム酸を用いることができる。

この後、図２（ｅ）に示すように、再び、アルミニウム基材１８を部分的に陽極酸化することにより、微細な凹部１２を深さ方向に成長させると共にポーラスアルミナ層１０を厚くする。ここで微細な凹部１２の成長は、既に形成されている微細な凹部１２の底部から始まるので、微細な凹部１２の側面は概ね階段状になる。

さらにこの後、必要に応じて、図２（ｆ）に示すように、ポーラスアルミナ層１０をアルミナのエッチング液に接触させてさらにエッチングすることにより微細な凹部１２の孔径を拡大する。エッチング液としては、ここでも上述したエッチング液を用いることが好ましく、同じエッチング浴を用いればよい。

上記の一連のプロセスは、陽極酸化工程で終わることが好ましく、図２（ｆ）のエッチング工程を行った場合には、さらに陽極酸化工程を行うことが好ましい。陽極酸化工程で終わる（その後のエッチング工程を行わない）ことによって、微細な凹部１２の底部を小さくすることができる。即ち、得られたモスアイ用型を用いて形成されるモスアイ構造の凸部の先端を小さくすることができるので、反射防止効果を高めることができる。もちろん、陽極酸化とエッチングとを繰り返す回数や、各条件（時間を含む）は異なっても良い。所望するモスアイ構造（反射防止性能など）に応じて適宜変更され得る。

このように、上述した陽極酸化工程（図２（ｃ））及びエッチング工程（図２（ｄ））を繰り返すことによって、所望の形状を有する微細な凹部１２が均一に分布したポーラスアルミナ層１０が得られる。陽極酸化工程およびエッチング工程を繰り返すことにより、微細な凹部１２を円錐状の凹部とすることができる。なお、陽極酸化工程およびエッチング工程のそれぞれの工程の条件を適宜設定することによって、微細な凹部１２の大きさ、細孔の深さと共に、微細な凹部１２の側面の階段形状を制御することができる。

ここで、図３を参照して、陰極電解を説明する。

陰極電解は、図３に示すように、電解液としての水溶液中において、アルミニウム基材の表面を陰極として、アルミニウム基材の表面と対向電極との間に通電処理を行うことを言う。水溶液としては、陽極酸化に用いる電解液を用いることもできるし、抵抗値が１Ｍ以下の水を用いることもできる。

Ａｌを陰極としたときに電解液中で生じる反応は下記式（１）で表される。
２Ａｌ＋６Ｈ₂Ｏ→２Ａｌ（ＯＨ）₃↓＋３Ｈ₂↑・・・・・・・・・（１）

Ａｌを陰極として電圧を印加すると、陰極における総反応としては、水素が発生し、アルミニウム基材の表面に水酸化アルミニウムの皮膜が生成する。過程ごとに詳細に見ていくと次のようになる。

陰極では、下記式（２）で表される電子授受の反応が起こる。
Ａｌ→Ａｌ³⁺＋３ｅ^- ・・・・・・・・・（２）

また、下記式（３）で表される水の電離が起こる。
２Ｈ₂Ｏ⇔Ｈ₃Ｏ⁺＋ＯＨ^- ・・・・・・・・・（３）

また、水溶液中のＨ₃Ｏ⁺が下記式（４）で表されるように電子を受け取る。
２Ｈ₃Ｏ⁺＋２ｅ^-→Ｈ₂↑＋２Ｈ₂Ｏ・・・・・・・・・（４）

式（４）の反応が起こると、式（３）の平衡が偏り、陰極の近傍では局所的にＯＨ^-が過剰となる。

その結果、下記式（５）の平衡が偏り、アルミニウム基材の表面からＡｌが減ることになる。
Ａｌ³⁺＋３ＯＨ^-⇔Ａｌ（ＯＨ）₃・・・・・・・・・（５）

反応速度を考えると、電解質を考慮にいれる必要がある。水溶液を酸性の電解液（酸をＨＡで表す。Ｈは水素）とすると、下記式（６）で表されるように、酸ＨＡが電離する。
ＨＡ＋Ｈ₂Ｏ⇔Ｈ₃Ｏ⁺＋Ａ^-・・・・・・・・・（６）

上記式（４）で表される反応の結果、水素が発生する（水溶液から出て行く）ことによって、水溶液中で過剰となったＯＨ^-は、上記式（６）のＨ₃Ｏ⁺と下記の式（７）で表されるように反応する。
Ｈ₃Ｏ⁺＋ＯＨ^-⇔２Ｈ₂Ｏ・・・・・・・・・（７）

上記式（５）の速度は、上記式（２）から電流密度に比例すると考えられ、また、上記式（６）および式（７）から、電解液の濃度に反比例すると考えられる。

なお、酸性の電解液中では、上記式（５）で生成した水酸化アルミニウムは、下記の式（８）で表されるように溶解する。
Ａｌ（ＯＨ）₃＋３ＨＡ⇔Ａｌ³⁺＋３Ａ^-＋３Ｈ₂Ｏ ・・・・・・・・・（８）

水酸化アルミニウムが皮膜として残るかどうかは上記式（８）と式（５）の反応速度のバランス、および皮膜生成時の陰極（アルミニウム基材）の表面温度に依存する。

上述したように、アルミニウム基材の表面を陰極電解すると、アルミニウム基材の表面からアルミニウムが溶出するので、表面に微細な凹凸構造が形成される（図２（ｂ）参照）。この微細な凹凸構造が形成された表面を陽極酸化することによって、変質層に影響されることなく、上述したように微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層が形成される。なお、「均一な分布」とは、微細な凹部の２次元的な分布に、図８（ｂ）を示して上述したような巨視的な疎密が存在しないことをいい、微細な凹部の２次元的な分布の規則性の有無とは無関係である。陰極電解を行った後で陽極酸化を行うことによって、変質層を有するアルミニウム基材の表面に、２次元的な分布に規則性が無い微細な凹部を均一に形成することができる。

図４は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面（図８（ａ）参照）を陰極電解し、その後に陽極酸化を行った後の表面の写真である。陰極電解は、具体的には、電解液として０．１Ｍの蓚酸水溶液を用い、４Ａ／ｄｍ³の電流を３０秒間流した後、アルミニウム基材を電解液から引き上げるという操作を１セットとして、３セット行った。陰極電解の後、アルミニウム基材の表面に形成された水酸化アルミニウムの皮膜を取り除くために、３０℃の１Ｍ燐酸水溶液中に１０分間浸漬した。その後、０．１Ｍ蓚酸水溶液中で６０Ｖの定電圧で２分間、陽極酸化を行った。図８（ｂ）に示す、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面をそのまま陽極酸化した後の表面の写真と比較すると明らかなように、図４に示す表面には白い筋状の模様は一切見られず、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層が形成されていることが分かる。

図８（ａ）に示した鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面、図８（ｂ）に示した鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面をそのまま陽極酸化した後の表面、および図４に示した鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面を陰極電解し、その後に陽極酸化を行った後の表面をそれぞれＳＥＭを用いて観察した結果を説明する。

図５（ａ）は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に陰極電解を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図であり、図５（ｂ）は更に陽極酸化を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図である（実施例）。一方、図６（ａ）は、アルミニウム基材の鏡面切削加工が施された表面のＳＥＭ像を示す図であり、図６（ｂ）は、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に陰極電解を行うことなく、陽極酸化を行った後の表面のＳＥＭ像を示す図である（比較例）。

まず、図５（ａ）を図６（ａ）と比較する。図６（ａ）のＳＥＭ像から分かるように、アルミニウム基材の鏡面切削加工が施された表面には凹凸構造は見られず、非常に平滑である。これに対し、図５（ａ）のＳＥＭ像から分かるように、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に陰極電解を行った後の表面には微細な凹凸構造が見られる。

次に、図５（ｂ）を図６（ｂ）と比較する。図６（ｂ）のＳＥＭ像から分かるように、微細な凹部が僅かに形成されているに過ぎない。これは、図６（ｂ）のＳＥＭ像よりも倍率の低い、図８（ｃ）に示したＳＥＭ像を参照して上述したとおりである。これに対し、図５（ｂ）のＳＥＭ像から分かるように、アルミニウム基材の表面に陰極電解を行った後に陽極酸化を行うことによって、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層が形成されている。

また、図５（ａ）と図５（ｂ）とを比較すると分かるように、陰極電解によって形成される微細な凹凸構造（図５（ａ））の平均隣接距離は、目的とするポーラスアルミナ層が有する複数の微細な凹部の平均隣接距離よりも小さい。図５（ａ）に示した凹凸構造の平均隣接距離は数十ｎｍ以下であり、図５（ｂ）に示した微細な凹部の平均隣接距離は約２００ｎｍである。これは、図９および図１０を参照して説明した、ポーラスアルミナ層が形成されるメカニズムと整合している。なお、平均隣接距離は、ＳＥＭ像を画像解析することによって求められる。また、微細な凹部の２次元的な大きさは隣接距離と等しいとみなし得る。

図７を参照して、陽極酸化に対する陰極電解の影響を説明する。図７は、定電圧で陽極酸化を行ったときの電流の時間変化を示すグラフであり、鏡面切削加工が施されたアルミニウム基材の表面に、異なる３つの条件１〜３で陰極電解を行った後に陽極酸化を行った場合と、陰極電解を行わずに陽極酸化を行った場合（条件４）とを併せて示している。

陰極電解の条件は、条件１〜３のいずれも、電解液として０．１Ｍ蓚酸水溶液を用い、液温は２０℃とした。

条件１：４Ａ／ｄｍ³の電流を３０秒間流した後、アルミニウム基材を電解液から引き上げるという操作を１セットとして、３セット行った。

条件２：１．６Ａ／ｄｍ³の電流を３０秒間流した後、アルミニウム基材を電解液から引き上げるという操作を１セットとして、３セット行った。

条件３：１．６Ａ／ｄｍ³の電流を３０秒間流した後、アルミニウム基材を電解液から引き上げるという操作を１セットとして、６セット行った。

なお、アルミニウム基材を電解液から引き上げることによって、陰極電解を複数回に分けて行ったのは、陰極であるアルミニウム基材の表面に発生する気泡が反応を阻害し、陰極電解が進行しない部分が発生するのを防止するためである。

また、陰極電解の後、アルミニウム基材の表面に形成された水酸化アルミニウムの皮膜を取り除くために、３０℃の１Ｍ燐酸水溶液中に１０分間浸漬した。

その後、０．１Ｍ蓚酸水溶液中で６０Ｖの定電圧で２分間、陽極酸化を行った時の電流プロファイルを図７に示している。

まず、陰極電解を行わなかった条件４では、上述したモードＩＩＩおよびＩＶが存在せず、微細な凹部（細孔）の生成・成長が起こっていないことがわかる。

陰極電解を行った条件１〜３のすべてにおいて、モードＩ、ＩＩ、ＩＩＩおよびＩＶの４つのモードが存在していることが分かる。すなわち、モードＩＩＩおよびＩＶが進行するために必要な程度の粗さを有する微細な凹凸構造が、陰極電解によって形成されたことがわかる。

陰極電解時の電流密度が異なる２つの条件１と条件２とを比較すると、条件１（４Ａ／ｄｍ³）のほうが早い段階でモードＩＩからモードＩＩＩへ遷移していることがわかる。これは、陰極電解によって形成された表面粗さ（微細な凹凸構造）の程度の違いによるものと考えられる。すなわち、電流密度が大きい条件１の方が、条件２（１．６Ａ／ｄｍ³）よりも、平均隣接距離の小さい凹凸構造が形成されたと考えられる。

陰極電解の回数が異なる２つの条件２と条件３とを比較すると、電流プロファイルはほぼ重なっており、モードＩ〜ＩＶがほとんど同じ早さで進んでいることがわかる。

すなわち、モードＩＩからモードＩＩＩへ遷移するために必要な微細な凹凸構造の粗さの程度には、陰極電解の量でなく、電流密度が支配的に影響していることがわかる。

上述したことから明らかなように、アルミニウム基材の表面に変質層が形成されていても、陰極電解を行うことによって表面に微細な凹凸構造を形成すれば、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成できることが実験的に確認された。もちろん、陰極電解を行うことによって、変質層を完全に除去すれば、図９および図１０を参照して説明したモードＩ〜モードＩＶを経て、微細な凹部が均一に分布したポーラスアルミナ層を形成できる。

なお、ポーラスアルミナ層が形成されたアルミニウム基材はそのまま型として用いることができる。従って、アルミニウム基材は十分な剛性を有していることが好ましい。また、ロール状の基材とするためには、加工性に優れることが好ましい。剛性および加工性の観点から、不純物を含むアルミニウム基材を用いることが好ましく、特に、標準電極電位がＡｌよりも高い元素の含有量が１０ｐｐｍ以下で、標準電極電位がＡｌよりも低い元素の含有量が０．１質量％以上であることが好ましい。特に、Ａｌよりも卑な金属であるＭｇ（標準電極電位が−２．３６Ｖ）を不純物元素として含むアルミニウム基材を用いることが好ましい。Ｍｇの含有率は、全体の０．１質量％以上４．０質量％以下の範囲であることが好ましく、１．０質量％未満であることが好ましい。Ｍｇの含有率が０．１質量％未満では十分な剛性が得られない。また、ＭｇのＡｌに対する固溶限界は４．０質量％である。不純物元素の含有率は、アルミニウム基材の形状、厚さおよび大きさに応じて、必要とされる剛性および／または加工性に応じて適宜設定すればよいが、Ｍｇの含有率が１．０質量％を超えると、一般に加工性は低下する。

このように不純物を含むアルミニウム基材を用いる場合は、本出願人による国際公開第２０１０／０７３６３６号に記載の型の製造方法を用いることによって、上述の不純物による異常溶解（異常エッチング）を抑制することが好ましい。すなわち、アノードインヒビター（特に有機系）を含むエッチング液を用いる（対策ａ）、あるいは、標準電極電位がＡｌよりも高い元素の含有量が１０ｐｐｍ以下で、標準電極電位がＡｌよりも低い元素の含有量が０．１質量％以上であるＡｌ基材を用いる（対策ｂ）、エッチング工程の前に、アルミナの追加バリア層を形成する（対策ｃ）ことで抑制できる。もちろん、これら３つの対策ａ〜ｃの内の任意の２つ以上を組み合わせて採用してもよい。さらに、アノードインヒビターに代えて、またはアノードインヒビターとともにアルミニウムに皮膜を形成する化合物を含むエッチング液を用いてもよい。参考のために、国際公開第２０１０／０７３６３６号の開示内容の全てを本明細書に援用する。

本発明者が陰極電解を更に検討したところ、陰極電解の条件および／または陰極電解の時間を調整することによって、反転されたモスアイ構造を形成するための２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の微細な凹部（第２凹部ということがある）よりも大きな２次元的な大きさを有する複数の凹部（第１凹部ということがある）を形成することができることがわかった。陰極電解によって形成される凹部の２次元的な大きさは２００ｎｍ以上１００μｍ以下であり、反転されたモスアイ構造を形成するための微細な凹部としては、陰極電解によって形成される凹部よりも２次元的な大きさが小さい微細な凹部が形成される。

従来は、上述したように、アンチグレア構造を構成する凸部の２次元的な大きさは１μｍ以上１００μｍ未満が好ましいと考えられていた。これは、ヘイズ値が１０以上あるいは２０以上の高いアンチグレア性が好ましいと考えられていたためと思われる。最近では、クリアな画像が好まれる傾向があり、従来よりも低いヘイズ値（例えば１〜５）を有する反射防止膜に対するニーズが広がりつつある。本出願人の検討によると、アンチグレア構造を構成する凸部の２次元的な大きさが２００ｎｍ以上あれば、低いヘイズ値を有する反射防止膜が得られる（ＰＣＴ／ＪＰ２０１０／０６９０９５）。ＰＣＴ／ＪＰ２０１０／０６９０９５の開示内容の全てを参考のために本明細書に援用する。なお、ヘイズ値は、試料に平行光を照射したときの、全透過光（直進透過光と拡散透過光との和）に対する拡散透過光の比率を百分率で表した値をいい、ここでは、日本電色社製の積分球式濁度計ＮＤＨ−２０００を用いて測定した。

図１１（ａ）〜（ｃ）を参照して、本発明によるこの実施形態の型の製造方法を説明する。

まず、図１１（ａ）に示すように、アルミニウム基材１８を用意する。アルミニウム基材１８は、変質層を有していてもよい。またアルミニウム基材１８に代えて、例えばガラス基板などの基材に支持されたアルミニウム膜（厚さ０．５μｍ〜５μｍ程度）を用いることもできる。

次に、図１１（ｂ）に示すように、水溶液中において、アルミニウム基材またはアルミニウム膜の表面を陰極として、表面と対向電極との間に通電処理を行うことにより、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下である複数の凹部（第１凹部）１８ｈを形成する。水溶液（電解液）としては、上述の陰極電解と同様に、陽極酸化に用いる電解液を用いることもできるし、抵抗値が１Ｍ以下の水を用いることもできる。液温に特に制限はない。電流は、例えば１〜１００Ａ／ｄｍ³程度の範囲内で、陰極電解の時間を調整することによって、２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下の凹部１８ｈを形成することができる。

アルミニウムを陰極電解することによってこのような大きさの凹部が形成されることは報告されておらず、本発明者が初めて見出した現象であり、メカニズムの解明に至っていないが、陰極電解の条件を調整することによって、上述のように２次元的な大きさが数十ｎｍ程度の微細な凹凸構造を形成することもできるし、後に実験例を示すように、２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下の凹部１８ｈを形成することもできる。凹部１８ｈの平均隣接距離は、陰極電解の条件によって変わり得るが、凹部１８ｈの平均隣接距離は０．５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

次に、図１１（ｃ）に示すように、表面を陽極酸化することによって、複数の凹部１８ｈの内面および複数の凹部１８ｈの間に、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の微細な凹部（第２凹部）１２を有するポーラスアルミナ層１０Ａを形成する。さらにその後に、ポーラスアルミナ層１０Ａをエッチング液に接触させることによって、ポーラスアルミナ層１０Ａの複数の微細な凹部１２を拡大させる。上述したように、陽極酸化工程とエッチング工程とを交互に複数回繰り返すことによって、所望の断面形状を有する微細な凹部１２を有するポーラスアルミナ層１０Ａを形成することができる。微細な凹部１２は、エッチングによって開口を拡大し（断面形状を略コーン状とし）、微細な凹部１２の２次元的な大きさ（直径）と隣接距離とはほぼ等しく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満となるように調整することが好ましい。

微細な凹部１２は、２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下の凹部１８ｈに重畳されて形成されるので、アンチグレア構造にモスアイ構造が重畳された反射防止膜を製造するための型１００Ａが得られる。なお、図１１（ｃ）において、陰極電解によって形成された凹部１８ｈを反映して、ポーラスアルミナ層１０Ａに形成された凹部を凹部１２ｈとして示している。

なお、陰極電解を行うと、上述のように、アルミニウム基材の表面に水酸化アルミニウムの皮膜が形成されることがある。陰極電解の後、陽極酸化を行う前に、必要に応じて、アルミニウム基材の表面に形成された水酸化アルミニウムの皮膜を取り除く。水酸化アルミニウムは、上述したように、例えば３０℃の１Ｍ燐酸水溶液中に１０分間浸漬することによって除去することができる。

図１２（ａ）に、上記の製造方法によって得られた型の表面のＳＥＭを示す。この型は、以下の方法で作製した。

エッチング中に異常溶解が起きないアルミニウム基材（例えば、純度が９９．９９質量％以上のベースアルミニウムに約０．７質量％のＭｇを含む）を用いて、０．０５Ｍの蓚酸水溶液（液温２０℃）中で、アルミニウム基材の表面を陰極として、アルミニウム基材の表面と対向電極との間に１０分間にわたって通電処理（電流値：４０Ａ／ｄｍ³）を行った。これにより、アルミニウム基材の表面に表面の法線方向から見たときに、直径（２次元的な大きさ）が５００ｎｍ〜２μｍ（平均が約１μｍ）の凹部（図１１（ａ）中の凹部１８ｈ）が、平均隣接距離が約５μｍで形成された。この凹部は、図１２（ａ）に示したＳＥＭ像においては、白く縁取りされたほぼ円形の領域として観察されている。

その後、アルミニウム基板を陽極として、０．１Ｍ蓚酸水溶液で、４０秒間、６０Ｖの定電圧を印加することによって、ポーラスアルミナ層を形成した。その後、５０℃の５質量％の燐酸を用いてウェットエッチングを３０分間行った。その後に、再び、上記の条件の陽極酸化工程とウェットエッチング工程とを交互に４回繰り返し、最後に陽極酸化を行った。その結果、２次元的な大きさ（平均隣接距離）が約１５０ｎｍで、断面形状がコーン状の微細な凹部（図１１（ｃ）の凹部１２）が形成された。この微細な凹部は、図１２（ｂ）に示したＳＥＭ像においては、小さな点として観察されている。

このように、本発明によるこの実施形態の型の製造方法は、反転されたモスアイ構造を形成するための陽極酸化工程の前に、陰極電解工程を行うだけで、アンチグレア構造にモスアイ構造が重畳された反射防止膜を製造するための型１００Ａが得られるので、従来よりも製造効率を向上させることができる。

この型の製造方法は、アルミニウムの表面を陰極電解する工程を含んでいるので、上述したように、機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材の表面であっても均一に処理することができる。機械加工が施された表面を陰極電解した後、反転されたモスアイ構造を形成することによって、機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材の表面に、アンチグレア構造にモスアイ構造が重畳された反射防止膜を製造するためのポーラスアルミナ層を形成することができる。従って、この型の製造方法は、ロール状の型の製造に好適に用いられる。

図１２（ａ）に示した表面を有するモスアイ用型を用いて、例えば以下のようにして反射防止膜を作成することができる。

被加工物の表面と、モスアイ用型との間に、紫外線硬化樹脂を付与した状態で、モスアイ用型を介して紫外線硬化樹脂に紫外線（ＵＶ）を照射することによって紫外線硬化樹脂を硬化する。紫外線硬化樹脂は、被加工物の表面に付与しておいても良いし、モスアイ用型の型面（モスアイ構造を有する面）に付与しておいてもよい。紫外線硬化樹脂としては、例えばアクリル系樹脂を用いることができる。

その後、被加工物からモスアイ用型を分離することによって、モスアイ用型の凹凸構造が反転された構造を有する樹脂層が被加工物の表面に形成される。このようにして、表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下（ここでは５００ｎｍ〜２μｍ（平均が約１μｍ））の凸部と、２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満（ここでは、約１５０ｎｍ）の凸部とが重畳された構造を有する反射防止膜が得られる。このようにして、アンチグレア機能を発揮する凹凸構造に、モスアイ構造が重畳された構造を有する反射防止膜が得られる。ここで得られた反射防止膜のヘイズ値は１３．４６であり、表面反射率は０．３％であった。

本発明の型の製造方法および型は、特に、ロール状のモスアイ用型の製造方法に好適に用いられる。本発明によるモスアイ用型は、反射防止構造の形成に好適に用いられる。

１０、１０Ａ ポーラスアルミナ層
１２ 微細な凹部（細孔）
１８ アルミニウム基材
１８ａ 変質層
１８ｂ 基材本体部
１８ｈ 凹部
１００Ａ 型

Claims (6)

1. （ａ）アルミニウム基材またはアルミニウム膜を用意する工程と、
   （ｂ）水溶液中において、前記アルミニウム基材または前記アルミニウム膜の表面を陰極として、前記表面と対向電極との間に通電処理を行うことにより、前記表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが２００ｎｍ以上１００μｍ以下である複数の第１凹部を形成する工程と、
   （ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記表面を陽極酸化することによって、前記複数の第１凹部の内面および前記複数の第１凹部の間に、前記表面の法線方向から見たときの２次元的な大きさが１０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の複数の第２凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記ポーラスアルミナ層をエッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の第２凹部を拡大させる工程と
   を包含する、型の製造方法。
2. 前記工程（ａ）は、機械加工が施された表面を有するアルミニウム基材を用意する工程であって、
   前記工程（ｂ）において、前記機械加工が施された前記表面を陰極として、前記表面と対向電極との間に通電処理を行う、請求項１に記載の型の製造方法。
3. 前記アルミニウム基材はロール状である、請求項１または２に記載の型の製造方法。
4. 前記複数の第１凹部の平均隣接距離は、０．５μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載の型の製造方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の製造方法により製造された型。
6. 請求項５に記載の型を用いて形成された、反射防止膜。

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