JPS646555B2 - - Google Patents
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- JPS646555B2 JPS646555B2 JP54064786A JP6478679A JPS646555B2 JP S646555 B2 JPS646555 B2 JP S646555B2 JP 54064786 A JP54064786 A JP 54064786A JP 6478679 A JP6478679 A JP 6478679A JP S646555 B2 JPS646555 B2 JP S646555B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は絶縁基板上に電路を形成する方法に
関するものであつて、特にプリント配線板の製法
における電路の形成方法に関するものである。
関するものであつて、特にプリント配線板の製法
における電路の形成方法に関するものである。
いわゆるプリント配線板は、一般に絶縁基板の
一方又は両方の面に、銅箔を全面にわたつて貼り
つけ、この銅箔面の必要な個所（たとえば回路部
分）を残して、その他の部分を塩化第二鉄のよう
なエツチング剤により除去する方法によつて製造
されている。しかし、この方法は電路以外の銅箔
の部分、すなわち殆どの銅箔の部分がエツチング
剤により除去されるので非常に不経済であつた。
一方又は両方の面に、銅箔を全面にわたつて貼り
つけ、この銅箔面の必要な個所（たとえば回路部
分）を残して、その他の部分を塩化第二鉄のよう
なエツチング剤により除去する方法によつて製造
されている。しかし、この方法は電路以外の銅箔
の部分、すなわち殆どの銅箔の部分がエツチング
剤により除去されるので非常に不経済であつた。
これに対して、資源節減のため絶縁基板上の必
要な部分、たとえば電路部分にのみ銅を無電解メ
ツキすることにより電路を形成方法が知られてい
る。この方法は、フルアデイテイブ法と称されて
いる。この方法においては、必要な部分だけに無
電解メツキ法により電路を形成するので材料の面
では経済的ではあるが、必要な厚みの電路を形成
するのに長時間を要し、却つて不経済であり実用
性がなかつた。しかも、プリント配線板を形成す
るために、電路以外の部分にマスキング材を塗布
又は印刷するか、シリコンゴムのような軟質のパ
ツキン材を貼りつけてメツキの付着を防止する必
要があり、この点でも幾つかの欠点があつた。
要な部分、たとえば電路部分にのみ銅を無電解メ
ツキすることにより電路を形成方法が知られてい
る。この方法は、フルアデイテイブ法と称されて
いる。この方法においては、必要な部分だけに無
電解メツキ法により電路を形成するので材料の面
では経済的ではあるが、必要な厚みの電路を形成
するのに長時間を要し、却つて不経済であり実用
性がなかつた。しかも、プリント配線板を形成す
るために、電路以外の部分にマスキング材を塗布
又は印刷するか、シリコンゴムのような軟質のパ
ツキン材を貼りつけてメツキの付着を防止する必
要があり、この点でも幾つかの欠点があつた。
すなわちマスキング材を用いる方法にあつて
は、マスキング材の塗布または印刷の工程と、こ
れを剥離する工程が必要であり、時間もさること
ながら工程が複雑になるという欠点があつた。し
かも、実際上電路部分に比べてマスクキングの必
要な部分の面積が大きいので、剥離した後の廃棄
物ないし廃液の処理が非常に面倒であつた。また
パツキン材を用いる方法にあつては位置決め精度
の問題あまり複雑な電子回路の電路形成には使用
できなかつた。さらに、この形成された電路に選
択的に耐蝕性メツキ、半田メツキ、厚メツキをす
ることを考えた場合、上述の方法ではさらに複雑
な工程が要求され、製造時間も長くなるという欠
点があつた。
は、マスキング材の塗布または印刷の工程と、こ
れを剥離する工程が必要であり、時間もさること
ながら工程が複雑になるという欠点があつた。し
かも、実際上電路部分に比べてマスクキングの必
要な部分の面積が大きいので、剥離した後の廃棄
物ないし廃液の処理が非常に面倒であつた。また
パツキン材を用いる方法にあつては位置決め精度
の問題あまり複雑な電子回路の電路形成には使用
できなかつた。さらに、この形成された電路に選
択的に耐蝕性メツキ、半田メツキ、厚メツキをす
ることを考えた場合、上述の方法ではさらに複雑
な工程が要求され、製造時間も長くなるという欠
点があつた。
そこでセミアデイテイブ法と称する、無電解メ
ツキと電気メツキを併用した方法が提案されてい
る（たとえば特公昭42−3852号公報）。この方法
は、基板面に予め無電解メツキ法により電極とな
るべき金属層を一面に形成しておき、その上に電
路パターンを残して、その他の部分に塗料等を塗
布してマスクした後、電気メツキを施し、しかる
後マスクを除去し、エツチング剤により前記無電
解メツキのみの層が消失するまで処理することに
より電路を形成する方法である。この方法では、
材料的な面で経済的であり、電路形成も短時間で
行うことができる反面、電路パターン以外の部分
をマスクせねばならぬ欠点があつた。すなわちこ
のマスクは塗料、接着剤インク等を塗布すること
により行うので、電気メツキの後に、前記無電解
メツキ層を除去するためには、エツチング処理前
にマスクを剥離する必要があつた。
ツキと電気メツキを併用した方法が提案されてい
る（たとえば特公昭42−3852号公報）。この方法
は、基板面に予め無電解メツキ法により電極とな
るべき金属層を一面に形成しておき、その上に電
路パターンを残して、その他の部分に塗料等を塗
布してマスクした後、電気メツキを施し、しかる
後マスクを除去し、エツチング剤により前記無電
解メツキのみの層が消失するまで処理することに
より電路を形成する方法である。この方法では、
材料的な面で経済的であり、電路形成も短時間で
行うことができる反面、電路パターン以外の部分
をマスクせねばならぬ欠点があつた。すなわちこ
のマスクは塗料、接着剤インク等を塗布すること
により行うので、電気メツキの後に、前記無電解
メツキ層を除去するためには、エツチング処理前
にマスクを剥離する必要があつた。
セミアデイテイブ法の欠点は、前記のマスクを
剥離する必要がある点にあり、この処理に手間お
よび費用がかかり、極めて面倒な工程となつてい
た。しかもマスクの剥離によつて生じる廃物ない
し廃液の処理に難渋しているのが実情である。こ
のことがセミアデイテイブ法の一層の実用化を阻
んでいたのである。
剥離する必要がある点にあり、この処理に手間お
よび費用がかかり、極めて面倒な工程となつてい
た。しかもマスクの剥離によつて生じる廃物ない
し廃液の処理に難渋しているのが実情である。こ
のことがセミアデイテイブ法の一層の実用化を阻
んでいたのである。
また、たとえば、特公昭32―6013号公報には、
予め基板全面に導電性金属層を形成して一方の電
極となし、その面に電路パターンに形成した溝
（溝の底面には他方の電極となり得る導電金属層
が形成されている）を有する弾性型を押し当て、
そしてそこに形成された電路パターン状の密閉室
にメツキ液を流しつつ電気メツキを行つてプリン
ト配線板を製造する技術が開示されている。しか
し、上記の方法は幾つかの欠点があり実用的では
ない。たとえば、狭くかつ折れ曲がつた密閉室に
均一にメツキ液を流すことは事実上不可能であ
り、そのためメツキが均一に付かないという欠点
がある。また前記弾性型の加工が面倒かつ複雑で
多数個取りの型を作成するにもコストがかかり、
弾性型を押圧すると変形するので、電路パターン
の形状を乱し、結局精度のよい電路形成ができな
いという問題点がある。
予め基板全面に導電性金属層を形成して一方の電
極となし、その面に電路パターンに形成した溝
（溝の底面には他方の電極となり得る導電金属層
が形成されている）を有する弾性型を押し当て、
そしてそこに形成された電路パターン状の密閉室
にメツキ液を流しつつ電気メツキを行つてプリン
ト配線板を製造する技術が開示されている。しか
し、上記の方法は幾つかの欠点があり実用的では
ない。たとえば、狭くかつ折れ曲がつた密閉室に
均一にメツキ液を流すことは事実上不可能であ
り、そのためメツキが均一に付かないという欠点
がある。また前記弾性型の加工が面倒かつ複雑で
多数個取りの型を作成するにもコストがかかり、
弾性型を押圧すると変形するので、電路パターン
の形状を乱し、結局精度のよい電路形成ができな
いという問題点がある。
更に、マスク板を用い部分めつきをする方法が
実開昭52−72526号公報に知られている。この方
法は、所望の穴を有するガラスフアイバー入り積
層樹脂基板の表面に密着せるシリコンゴムのコー
テイング層を有する部分めつき用マスク板を用い
ているので、マスク板を繰り返し使用可能ではあ
るが、加圧板を用いてリードフレームに密着させ
ているため加圧力が高低にかかわらずマスク板に
衝撃加重が加わり、マスク板に格別の工夫が必要
であるという問題点がある。
実開昭52−72526号公報に知られている。この方
法は、所望の穴を有するガラスフアイバー入り積
層樹脂基板の表面に密着せるシリコンゴムのコー
テイング層を有する部分めつき用マスク板を用い
ているので、マスク板を繰り返し使用可能ではあ
るが、加圧板を用いてリードフレームに密着させ
ているため加圧力が高低にかかわらずマスク板に
衝撃加重が加わり、マスク板に格別の工夫が必要
であるという問題点がある。
本発明は上述した問題点を解消した電路形成法
を提供することを目的とする。すなわち、絶縁基
板上に必要な電路を形成するにあたり、銅のよう
な金属材料を節約することができ、更に絶縁基板
上に電路を簡単かつ能率よく形成することができ
るようにした絶縁基板上への電路形成方法を提供
することを目的とする。
を提供することを目的とする。すなわち、絶縁基
板上に必要な電路を形成するにあたり、銅のよう
な金属材料を節約することができ、更に絶縁基板
上に電路を簡単かつ能率よく形成することができ
るようにした絶縁基板上への電路形成方法を提供
することを目的とする。
以下本発明を第１図乃至第６図に示した実施例
にもとづき詳述する。第１図において１は絶縁基
板で、２は前記絶縁基板１上に形成した薄い導電
金属層で第４図に示す如くごく小さな貫通穴６を
一定間隔で多数設けてある。前記絶縁基板１とし
てはフエノール樹脂積層板、エポキシ樹脂積層板
など、あるいはポリエステルフイルム板のような
柔軟な基板、フエノール樹脂成形、塩化ビニール
樹脂成形などの成形基板が使用される。この絶縁
基板１上に0.1μ程度のごく薄い導電金属層２を無
電解メツキや金属の蒸着、あるいは溶射により形
成する。無電解メツキは例えば、絶縁基板１のメ
ツキする面を中性洗剤などでよく洗浄し、必要に
応じてメツキ面を活性化するためにメツキする面
に凹凸を形成した後、絶縁基板１に化学的な還元
反応によつて、導電性の金属、たとえば銅を析出
付着させることにより行う。無電解銅メツキ浴の
組成は例えば次のようなものを使用する。
にもとづき詳述する。第１図において１は絶縁基
板で、２は前記絶縁基板１上に形成した薄い導電
金属層で第４図に示す如くごく小さな貫通穴６を
一定間隔で多数設けてある。前記絶縁基板１とし
てはフエノール樹脂積層板、エポキシ樹脂積層板
など、あるいはポリエステルフイルム板のような
柔軟な基板、フエノール樹脂成形、塩化ビニール
樹脂成形などの成形基板が使用される。この絶縁
基板１上に0.1μ程度のごく薄い導電金属層２を無
電解メツキや金属の蒸着、あるいは溶射により形
成する。無電解メツキは例えば、絶縁基板１のメ
ツキする面を中性洗剤などでよく洗浄し、必要に
応じてメツキ面を活性化するためにメツキする面
に凹凸を形成した後、絶縁基板１に化学的な還元
反応によつて、導電性の金属、たとえば銅を析出
付着させることにより行う。無電解銅メツキ浴の
組成は例えば次のようなものを使用する。
CuSO4・5H2O 10gr／
NiCl2・6H2O 2gr／
NaOH 10gr／
37％ホルマリン 50gr／
Ｋ・Na（C4H4O6）・H2O 30gr／
NaCO3 20gr／
水 １／
以上の無電解銅メツキにより、第１図のように
絶縁基板１の片面のほぼ全面にわたつて金属が銅
であり、かつ厚みが0.1μ程度とごく薄い導電金属
層２を形成する。
絶縁基板１の片面のほぼ全面にわたつて金属が銅
であり、かつ厚みが0.1μ程度とごく薄い導電金属
層２を形成する。
このようにして第一工程が終了した後、ごく薄
い導電金属層２のほぼ全面にわたつて第２図に示
すマスク体４を密着させる。前記マスク体４はポ
リエステルフイルムのような絶縁シートからな
り、電路を形成する必要のある部分のパターンを
打ち抜いて抜き孔３を設けたものである。前記マ
スク体４はセラミツクの薄い金属板４ａに抜き孔
３ａを設け、さらに表面にごく薄い絶縁被膜５を
形成したものであつてもよい。要は前記ごく薄い
導電金属層２上に密着させやすく、かつ表面に電
気メツキを施す際メツキ層が形成されないもので
あればよい。第４図は導電金属層２を全面に設け
しかも貫通穴６を設けてなる絶縁基板１の裏面１
ａ側に、真空ポンプ７の一端に設けた多数の吸着
盤８，８，…をあてがい、真空ポンプ７を作動さ
せ、前記マスク体４を前記絶縁基板１に設けた貫
通穴６を介して吸着させて、マスク体４を、前記
導電金属層２上に密着させて第二工程を終了す
る。
い導電金属層２のほぼ全面にわたつて第２図に示
すマスク体４を密着させる。前記マスク体４はポ
リエステルフイルムのような絶縁シートからな
り、電路を形成する必要のある部分のパターンを
打ち抜いて抜き孔３を設けたものである。前記マ
スク体４はセラミツクの薄い金属板４ａに抜き孔
３ａを設け、さらに表面にごく薄い絶縁被膜５を
形成したものであつてもよい。要は前記ごく薄い
導電金属層２上に密着させやすく、かつ表面に電
気メツキを施す際メツキ層が形成されないもので
あればよい。第４図は導電金属層２を全面に設け
しかも貫通穴６を設けてなる絶縁基板１の裏面１
ａ側に、真空ポンプ７の一端に設けた多数の吸着
盤８，８，…をあてがい、真空ポンプ７を作動さ
せ、前記マスク体４を前記絶縁基板１に設けた貫
通穴６を介して吸着させて、マスク体４を、前記
導電金属層２上に密着させて第二工程を終了す
る。
次いで第三工程でマスク体４の上から前記導電
金属層上に電気メツキを行い、マスク体４の抜き
穴３の部分のみに金属メツキ層１４を形成する。
金属メツキ層１４として銅メツキ層を形成する場
合は、例えば次のような浴を使用する。
金属層上に電気メツキを行い、マスク体４の抜き
穴３の部分のみに金属メツキ層１４を形成する。
金属メツキ層１４として銅メツキ層を形成する場
合は、例えば次のような浴を使用する。
CuSO4・5H2O 250gr／
H2SO4 60gr／
なお、電気メツキに際しては、銅メツキ浴中に
マスク体を密着させた基板全体を沈めてメツキし
てもよく、マスク体４を吸着して密着させる場合
には、第５図のようにポンプＰなどで圧力をかけ
た銅メツキ液１２をノズル１３から導電金属層２
に吹付けるとよい。
マスク体を密着させた基板全体を沈めてメツキし
てもよく、マスク体４を吸着して密着させる場合
には、第５図のようにポンプＰなどで圧力をかけ
た銅メツキ液１２をノズル１３から導電金属層２
に吹付けるとよい。
以上のようにして、導電金属層２上に、マスク
体４の抜き孔３のパターンに沿つて、電路となる
部分のみに電気メツキ層１４を選択的に形成し、
第６図ａに示したような断面構造の電路パターン
を形成した基板を得て第三工程を終了する。
体４の抜き孔３のパターンに沿つて、電路となる
部分のみに電気メツキ層１４を選択的に形成し、
第６図ａに示したような断面構造の電路パターン
を形成した基板を得て第三工程を終了する。
次に、真空ポンプ７の吸引を停止して前記マス
ク体４の吸着を解除してマスク体４を導電金属層
２から取り外した後、第６図ａに示されているよ
うな、電気メツキ層１４が形成されていなくて絶
縁基板１上に露出する導電金属層２のみを塩化第
二鉄溶液などのエツチング剤で溶出除去する。そ
して第６図ｂに示したような絶縁基板１上に化学
メツキによつて形成された金属層２の上に、電気
メツキ層１４が重なつた状態の電路を形成する。
ク体４の吸着を解除してマスク体４を導電金属層
２から取り外した後、第６図ａに示されているよ
うな、電気メツキ層１４が形成されていなくて絶
縁基板１上に露出する導電金属層２のみを塩化第
二鉄溶液などのエツチング剤で溶出除去する。そ
して第６図ｂに示したような絶縁基板１上に化学
メツキによつて形成された金属層２の上に、電気
メツキ層１４が重なつた状態の電路を形成する。
上記する方法をさらに応用することにより次の
ようなこと可能である。即ちマスク体４の上から
ごく薄い導電金属層２上に金属メツキ層１４を形
成する第３工程を終了した後、第７図および第８
図ａ，ｂに示す如く、第１の金属メツキ層１４の
上に、さらに別の第２の電気メツキ層１６を形成
することもできる。このような電路を形成するに
は、第９図に示す如く、第３工程を終了し、電路
パターンを形成した基板面に当接されているマス
ク体４の上に、シルクスクリーン１７に結合した
第２のマスク体１５を密着させて、この第２のマ
スク体１５の上から電気メツキを行い第２の電気
メツキ層１６を第１の金属メツキ１４の上に形成
する。この第２のマスク体１５は第２図に示すマ
スク体４と同じ抜き穴３の一部分のみを抜き穴１
８としたものであり、この抜き穴１８のところに
のみ選択的に第２の金属メツキ層１６が形成され
るのである。したがつて第２の金属メツキ層を耐
蝕性のメツキ層としたり、あるいは半田メツキ層
としたり、また部分的に大電流を流す部分を第１
の金属メツキ層１４と同じ導電率の高いメツキ層
としたりすることが可能となるものである。
ようなこと可能である。即ちマスク体４の上から
ごく薄い導電金属層２上に金属メツキ層１４を形
成する第３工程を終了した後、第７図および第８
図ａ，ｂに示す如く、第１の金属メツキ層１４の
上に、さらに別の第２の電気メツキ層１６を形成
することもできる。このような電路を形成するに
は、第９図に示す如く、第３工程を終了し、電路
パターンを形成した基板面に当接されているマス
ク体４の上に、シルクスクリーン１７に結合した
第２のマスク体１５を密着させて、この第２のマ
スク体１５の上から電気メツキを行い第２の電気
メツキ層１６を第１の金属メツキ１４の上に形成
する。この第２のマスク体１５は第２図に示すマ
スク体４と同じ抜き穴３の一部分のみを抜き穴１
８としたものであり、この抜き穴１８のところに
のみ選択的に第２の金属メツキ層１６が形成され
るのである。したがつて第２の金属メツキ層を耐
蝕性のメツキ層としたり、あるいは半田メツキ層
としたり、また部分的に大電流を流す部分を第１
の金属メツキ層１４と同じ導電率の高いメツキ層
としたりすることが可能となるものである。
なお実施例では絶縁基板１として平板上のもの
のみを示したが、平板状のものに限定されるもの
ではない。さらに本方法を装飾などの面にも応用
することも可能である。
のみを示したが、平板状のものに限定されるもの
ではない。さらに本方法を装飾などの面にも応用
することも可能である。
本発明は上記のように、絶縁基板上にごく薄い
導電金属層を形成しかつ貫通穴を設ける第一工程
と、電路を形成する必要のある部分を抜き穴とし
て繰り返し使用可能な絶縁性マスク体を、前記導
電金属層上に前記貫通穴を介して吸着して密着さ
せる第二工程と、前記マスク体を密着させた面に
電気メツキを施す第三工程と、前記マスク体を取
り外した後、表面に露出した前記導電金属層を除
去する第四工程とから絶縁基板上に必要な電路の
みを主として電気メツキにより形成し、前記マス
ク体は繰り返し使用可能とし少くとも表面が絶縁
体であるため金属メツキの工程においてマスク体
上に金属メツキ層は形成されず蒸着や溶射の場合
の如くマスク体上に金属層が形成されてないこ
と、および密着を着脱自在に行うので、マスク体
を使用の都度廃却するという経済的ロスが少く不
必要な部分に金属メツキ層がつかないので経済的
でもあり、さらには、蒸着や溶射により形成する
電路に比較し、電気メツキにより電路を形成した
ものは電路の導電率が高く安定しているなどの効
果がある。
導電金属層を形成しかつ貫通穴を設ける第一工程
と、電路を形成する必要のある部分を抜き穴とし
て繰り返し使用可能な絶縁性マスク体を、前記導
電金属層上に前記貫通穴を介して吸着して密着さ
せる第二工程と、前記マスク体を密着させた面に
電気メツキを施す第三工程と、前記マスク体を取
り外した後、表面に露出した前記導電金属層を除
去する第四工程とから絶縁基板上に必要な電路の
みを主として電気メツキにより形成し、前記マス
ク体は繰り返し使用可能とし少くとも表面が絶縁
体であるため金属メツキの工程においてマスク体
上に金属メツキ層は形成されず蒸着や溶射の場合
の如くマスク体上に金属層が形成されてないこ
と、および密着を着脱自在に行うので、マスク体
を使用の都度廃却するという経済的ロスが少く不
必要な部分に金属メツキ層がつかないので経済的
でもあり、さらには、蒸着や溶射により形成する
電路に比較し、電気メツキにより電路を形成した
ものは電路の導電率が高く安定しているなどの効
果がある。
さらには、絶縁基板およびごく薄く導電金属層
に貫通穴を設け、前記貫通穴を介して吸着してマ
スク体を前記導電金属層上に密着させるので、マ
スク体に衝撃加重が加わりにくく吸着を解除する
だけで、簡単にマスク体を取りはずすことができ
るという効果がある。
に貫通穴を設け、前記貫通穴を介して吸着してマ
スク体を前記導電金属層上に密着させるので、マ
スク体に衝撃加重が加わりにくく吸着を解除する
だけで、簡単にマスク体を取りはずすことができ
るという効果がある。
第１図は本発明の絶縁基板の縦断面図、第２図
は同上のマスク体乃至第１マスク体の斜視図、第
３図はマスク体の他の実施例を示す断面図、第４
図は本発明の第２工程のマスク体４を絶縁基板１
に密着させる工程を示す説明図、第５図は同上の
第三工程の概略図、第６図ａ，ｂは第四工程の概
略図、第７図は本発明の第三工程の金属メツキ層
上に他の金属メツキ層を形成した応用例の斜視、
第８図ａ，ｂは第７図図に示す応用例の工程概略
図、第９図は第７図に示す応用例に用いる第２の
マスク体の斜視図を示す。 １……絶縁基板、２……導電金属層、３，３ａ
……抜き穴、４……マスク体、６……貫通穴、１
４……金属メツキ層。
は同上のマスク体乃至第１マスク体の斜視図、第
３図はマスク体の他の実施例を示す断面図、第４
図は本発明の第２工程のマスク体４を絶縁基板１
に密着させる工程を示す説明図、第５図は同上の
第三工程の概略図、第６図ａ，ｂは第四工程の概
略図、第７図は本発明の第三工程の金属メツキ層
上に他の金属メツキ層を形成した応用例の斜視、
第８図ａ，ｂは第７図図に示す応用例の工程概略
図、第９図は第７図に示す応用例に用いる第２の
マスク体の斜視図を示す。 １……絶縁基板、２……導電金属層、３，３ａ
……抜き穴、４……マスク体、６……貫通穴、１
４……金属メツキ層。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上にごく薄い導電金属層を形成しか
つ貫通穴を設ける第一工程と、電路を形成する必
要のある部分を抜き穴として繰り返し使用可能な
絶縁性マスク体を、前記導電金属層上に前記貫通
穴を介して吸着して密着させる第二工程と、前記
マスク体を密着させた面に電気メツキを施す第三
工程と、前記マスク体を取り外した後、表面に露
出した前記導電金属層を除去する第四工程とから
成ることを特徴とする絶縁基板上への電路形成方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6478679A JPS55156388A (en) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Method of forming electric path onto insulating substrate |
| PCT/JP1980/000042 WO1980002632A1 (en) | 1979-05-24 | 1980-03-13 | Method of forming electrical wire paths on an insulator substrate |
| DE3045280T DE3045280C2 (de) | 1979-05-24 | 1980-03-13 | Verfahren zur Bildung von elektrischen Leiterbahnen auf einem isolierenden Substrat |
| US06/233,596 US4358349A (en) | 1979-05-24 | 1980-03-13 | Method of forming electrical wiring path on insulative substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6478679A JPS55156388A (en) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Method of forming electric path onto insulating substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55156388A JPS55156388A (en) | 1980-12-05 |
| JPS646555B2 true JPS646555B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=13268251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6478679A Granted JPS55156388A (en) | 1979-05-24 | 1979-05-24 | Method of forming electric path onto insulating substrate |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4358349A (ja) |
| JP (1) | JPS55156388A (ja) |
| DE (1) | DE3045280C2 (ja) |
| WO (1) | WO1980002632A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3406583A1 (de) * | 1984-02-21 | 1985-08-22 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Vorrichtung und verfahren zur behandlung von leiterplatten |
| JP2713548B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1998-02-16 | 古河電気工業株式会社 | 配線導体の製造方法及び前記方法により製造された配線導体 |
| US5545440A (en) * | 1994-12-05 | 1996-08-13 | At&T Global Information Solutions Company (Aka Ncr Corporation) | Method and apparatus for polymer coating of substrates |
| US5597469A (en) * | 1995-02-13 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Process for selective application of solder to circuit packages |
| DE69841940D1 (de) * | 1997-03-19 | 2010-11-25 | Panasonic Corp | Vorrichtung zur herstellung dünner filme |
| DE102004056702B3 (de) * | 2004-04-22 | 2006-03-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat |
| DE102008024451A1 (de) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Elektrisch leitende Schichtstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| KR20160041894A (ko) * | 2013-06-06 | 2016-04-18 | 오엘리콘 멧코 아게, 볼렌 | 피가공물의 부분 영역의 코팅 방법 및 스크리닝 요소 |
| US9790598B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-10-17 | Sikorsky Aircraft Corporation | Removable mask for coating a substrate |
| ES2784515T3 (es) * | 2014-07-14 | 2020-09-28 | Irca Spa | Proceso para la producción de resistencias flexibles |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2728693A (en) * | 1953-08-24 | 1955-12-27 | Motorola Inc | Method of forming electrical conductor upon an insulating base |
| GB840544A (en) | 1955-08-11 | 1960-07-06 | Telefunken Gmbh | Improvements in or relating to methods of forming conducting elements on insulating supports |
| DE1763458U (de) * | 1956-06-23 | 1958-03-20 | N S F Nuernberger Schraubenfab | Gedruckte schaltungseinheit mit kontaktflaechen zum anschluss an weitere stromkreise. |
| US3274092A (en) * | 1962-08-28 | 1966-09-20 | Columbia Cable & Electric Corp | Apparatus for electroplating narrow strips |
| US3306830A (en) * | 1963-06-13 | 1967-02-28 | Bell Telephone Labor Inc | Printed circuit boards and their fabrication |
| GB1098182A (en) * | 1963-12-27 | 1968-01-10 | Ibm | Electrolyte or electroless plating process |
| FR1603840A (ja) * | 1968-01-08 | 1971-06-07 | ||
| US3582477A (en) * | 1969-02-20 | 1971-06-01 | Paul Gelb | Selective electroplating method |
| US3763027A (en) * | 1971-10-12 | 1973-10-02 | Oxy Metal Finishing Corp | Sparger |
| CH594067A5 (ja) * | 1973-10-04 | 1977-12-30 | Galentan Ag | |
| JPS576542Y2 (ja) * | 1975-11-27 | 1982-02-06 |
-
1979
- 1979-05-24 JP JP6478679A patent/JPS55156388A/ja active Granted
-
1980
- 1980-03-13 WO PCT/JP1980/000042 patent/WO1980002632A1/ja active Application Filing
- 1980-03-13 DE DE3045280T patent/DE3045280C2/de not_active Expired
- 1980-03-13 US US06/233,596 patent/US4358349A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55156388A (en) | 1980-12-05 |
| US4358349A (en) | 1982-11-09 |
| DE3045280T1 (ja) | 1982-02-18 |
| WO1980002632A1 (en) | 1980-11-27 |
| DE3045280C2 (de) | 1985-03-07 |
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