JPS645318B2 - - Google Patents
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- JPS645318B2 JPS645318B2 JP15714581A JP15714581A JPS645318B2 JP S645318 B2 JPS645318 B2 JP S645318B2 JP 15714581 A JP15714581 A JP 15714581A JP 15714581 A JP15714581 A JP 15714581A JP S645318 B2 JPS645318 B2 JP S645318B2
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- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依つてEL（Electro
Luminescence）発光を呈する薄膜EL表示装置の
駆動回路に関するものである。[Detailed Description of the Invention] The present invention utilizes EL (Electro
This invention relates to a drive circuit for a thin film EL display device that emits light (luminescence).
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜
EL素子に関し、発光層に規則的に高い交流電界
（106V／cm程度）を印加し、絶縁耐圧、発光効率
及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜2.0wt
％のMn（あるいはCu，Al，Br等）をドープした
ZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，TiO2等の
誘電体薄膜でサンドイツチした三層構造ZnS：
Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発され、発光
諸特性の向上が確かめられている。この薄膜EL
素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高輝度発光
し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。 Thin films conventionally used as display bodies in display devices
Regarding EL elements, a high alternating current electric field (about 10 6 V/cm) is regularly applied to the light emitting layer to improve dielectric strength, luminous efficiency, operation stability, etc.
Doped with % Mn (or Cu, Al, Br, etc.)
Three-layer ZnS structure in which a semiconductor light-emitting layer such as ZnS or ZnSe is sandwiched with a dielectric thin film such as Y 2 O 3 or TiO 2 :
Mn (or ZnSe:Mn) EL devices have been developed, and improvements in various light-emitting properties have been confirmed. This thin film EL
The device emits high-intensity light when an alternating current electric field of several KHz is applied, and has a long lifespan.
薄膜EL素子の１例としてZnS：Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第１図に示す。 As an example of a thin film EL device, the basic structure of a ZnS:Mn thin film EL device is shown in FIG.
第１図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に
説明すると、ガラス基板１上にIn2O3，SnO2等の
透明電極２、さらにその上に積層しててY2O3，
TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等からなる第１の誘
電体層３がスパツタあるいは電子ピーム蒸着法等
により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることにより得られるZnS発光層４が形成されて
いる。この時蒸着用のZnS：Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層４には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更にその上にAl等かる成
る背面電極６が蒸着形成されている。透明電極２
と背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜EL
素子が駆動される。 The structure of a thin film EL element will be explained in detail based on FIG. 1. A transparent electrode 2 made of In 2 O 3 , SnO 2 , etc. is deposited on a glass substrate 1, and Y 2 O 3 , Y 2 O 3 , etc. are laminated thereon.
A first dielectric layer 3 made of TiO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 or the like is formed in an overlapping manner by sputtering or electron beam evaporation. A ZnS light emitting layer 4 is formed on the first dielectric layer 3 by electron beam evaporation of ZnS:Mn sintered pellets. At this time, the ZnS:Mn sintered pellets used for deposition are pellets in which the concentration of Mn, which is an active substance, is set to suit the purpose. A second dielectric layer 5 made of the same material as the first dielectric layer 3 is laminated on the ZnS light emitting layer 4, and a back electrode 6 made of Al or the like is further deposited thereon. Transparent electrode 2
and the back electrode 6 are connected to an AC power source 7, and the thin film EL
The element is driven.
電極２，６間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることにより、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Mn発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でZnS発光層４中の発光センター
であるZnサイトに入つたMn原子の電子を励起
し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピークに
幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。活
性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用いた
場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色
が得られる。 When an AC voltage is applied between the electrodes 2 and 6, the AC voltage is induced between the dielectric layers 3 and 5 on both sides of the ZnS light emitting layer 4, and the electric field generated within the ZnS light emitting layer 4 causes The electrons, which are excited and accelerated into the conduction band and have acquired sufficient energy, become free electrons and are attracted to the interface of the light emitting layer, where they are accumulated and form internal polarization. At this time, the free electrons moving at high speed directly excite the Mn emission center,
When the excited Mn luminescent center returns to the ground state, it emits yellow-orange light. In other words, in the process of free electrons accelerated by a high alternating current electric field moving from one interface of the luminescent layer to the other interface, they excite the electrons of the Mn atoms that have entered the Zn site, which is the luminescence center, in the ZnS luminescent layer 4, returning them to the ground state. When it falls, it emits strong EL light in a wide wavelength range with a peak of approximately 5850 Å. When a rare earth fluoride other than Mn is used as an active substance, green and other luminescent colors characteristic of this rare earth element can be obtained.
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペー
ス・フアクタの利点を生かした平面薄型デイスプ
レイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコン
ピユーターの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができる。 The thin film EL element having the structure described above can be used as a flat thin display device that takes advantage of the space factor to display characters, symbols, still images, moving images, etc. It can be used as a means of displaying images, etc.
上記従来の薄膜EL素子は、これをコンデンサ
ーの如き動作を行なう容量性の素子と見ることが
できる。ところで、この薄膜EL素子は駆動電圧
が200V程度と非常に高くまたその容量も約
6nF／cm2程度と大きい値を呈する。このため発光
表示駆動に於ける消費電力を求めるに際し発光に
に関与する電力を省略し、単なるコンデンサーへ
の充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消
費される電力と大差はない。従つて、上記薄膜
EL素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧V0を
１回充放電するのに必要な電力量を求める。ま
ず、従来から行なわれている駆動方法に於ける充
放電動作を簡略化して第２図に示す。スイツチS2
をOFF、スイツチS1をONすることによつて抵抗
Ｒを通して容量Ｃを電圧V0で充電する場合、次
式が成立する。 The conventional thin film EL element described above can be viewed as a capacitive element that operates like a capacitor. By the way, the driving voltage of this thin film EL element is extremely high at around 200V, and its capacity is also approximately
It exhibits a large value of about 6nF/cm2. Therefore, when calculating the power consumption in driving a light emitting display, even if the power involved in light emission is omitted and the power used to simply charge and discharge a capacitor is regarded as the amount of power consumed, there is not much difference from the power actually consumed. Therefore, the above thin film
Considering the EL element as a simple capacitor C, calculate the amount of power required to charge and discharge the voltage V 0 once. First, FIG. 2 shows a simplified charging/discharging operation in a conventional driving method. Switch S 2
When the capacitor C is charged with the voltage V0 through the resistor R by turning off the switch S1 and turning on the switch S1, the following equation holds true.
Ri＋１／Ｃ∫idt＝Ｅ ……(1) (1)式を電荷ｑで書き改めると Ｒdq／dt＋１／Ｃｑ＝Ｅ ……(2) となる。 Ri+1/C∫idt=E...(1) If we rewrite equation (1) using charge q, Rdq/dt+1/Cq=E......(2) becomes.
この式の一般解はよく知られている。（但し、
ｔ＝０においてｑ＝０と考える。）
即ち
抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量WR，WCは
各々次式から算出される。 The general solution to this equation is well known. (however,
Consider q=0 at t=0. ) i.e. The electric energies W R and W C in the resistance R and the capacitance C are respectively calculated from the following equations.
ｔ→∞において、(5)式(6)式は次の値を示す。 At t→∞, equations (5) and (6) show the following values.
WR＝WC＝１／２CV0 2 ……(7)
(7)式は電源から供給したエネルギーの内1/2を
抵抗Ｒ中で消費し残り1/2が容量Ｃに蓄積された
ことを示している。また、容量Ｃに蓄積されたエ
ネルギーはスイツチS1をOFF、スイツチS2をON
することによつて放電される時抵抗Ｒで全て消費
される。従つて、従来の方法において容量Ｃに電
圧V0を充放電するのに必要な消費電力は合計
CV0となることは明らかである。 W R = W C = 1/2CV 0 2 ...(7) Equation (7) means that 1/2 of the energy supplied from the power supply is consumed in the resistor R, and the remaining 1/2 is stored in the capacitor C. It shows. In addition, the energy accumulated in capacitor C is released by turning switch S1 OFF and turning switch S2 ON.
As a result, when it is discharged, it is all consumed by the resistor R. Therefore, in the conventional method, the total power consumption required to charge and discharge the voltage V 0 to the capacitor C is
It is clear that the CV will be 0 .
第３図は従来の薄膜EL表示装置に於ける駆動
回路の構成を示す回路図である。また第４図は第
３図に示す駆動回路の各端子及び薄膜EL素子８
に入力される電圧波形図である。電源電圧V0が
供給されている駆動回路の各端子IN１，IN２，
IN３，IN４に第４図で示すタイミングでパルス
電圧を印加することによりトランジスタのベース
電位が切換えられてスイツチングが行なわれ薄膜
EL素子８には交番パルス電界が印加されてシー
ソー駆動されることになり、EL発光が得られる。
即ち、端子IN１及びIN４にパルスが印加される
とトランジスタTr1及びTr4が導通状態となり、
トランジスタTr1より薄膜EL素子８を介してトラ
ンジスタTr4方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は
充電状態となる。次の期間で端子IN２のみにパ
ルスを印加するとトランジスタTr2が導通状態と
なり、薄膜EL素子８の電荷は放電される。次に
端子IN２及びIN４にパルスが印加されるとトラ
ンジスタTr2及びTr3が導通状態となり、トラン
ジスタTr3より薄膜EL素子８を介してトランジス
タTr2方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子IN
４のみにパルスを印加するとトランジスタTr4が
導通状態となり、薄膜EL素子８の電荷は放電さ
れる。 FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit in a conventional thin film EL display device. In addition, FIG. 4 shows each terminal of the drive circuit shown in FIG. 3 and the thin film EL element 8.
FIG. Each terminal IN1, IN2, of the drive circuit to which power supply voltage V 0 is supplied
By applying a pulse voltage to IN3 and IN4 at the timing shown in Figure 4, the base potential of the transistor is switched and switching is performed.
An alternating pulsed electric field is applied to the EL element 8 and it is driven in a seesaw manner, thereby obtaining EL light emission.
That is, when a pulse is applied to terminals IN1 and IN4, transistors Tr1 and Tr4 become conductive, and
A current flows from the transistor Tr 1 to the transistor Tr 4 via the thin film EL element 8, and the thin film EL element 8 enters a charged state. In the next period, when a pulse is applied only to the terminal IN2, the transistor Tr2 becomes conductive, and the charge in the thin film EL element 8 is discharged. Next, when a pulse is applied to the terminals IN2 and IN4, the transistors Tr 2 and Tr 3 become conductive, and current flows from the transistor Tr 3 to the transistor Tr 2 via the thin film EL element 8, and the thin film EL element 8 The charging state is the opposite polarity. Terminal IN in the next period
When a pulse is applied only to transistor Tr 4, transistor Tr 4 becomes conductive, and the charge in thin film EL element 8 is discharged.
上記パルス電圧の印加により薄膜EL素子８は
交流駆動され、EL発光パターンが得られる。 The thin film EL element 8 is driven with alternating current by applying the above-mentioned pulse voltage, and an EL light emission pattern is obtained.
本発明は技術的手段を駆使することにより表示
駆動のための上記消費電力を低減し得る新規有用
な薄膜EL表示装置の駆動方法を確立し、その駆
動回路を提供することを目的とするものである。 The object of the present invention is to establish a new and useful method for driving a thin film EL display device that can reduce the power consumption for display driving by making full use of technical means, and to provide a driving circuit for the method. be.
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明
する回路の簡略構成図である。以下、第５図に基
いて説明する。 FIG. 5 is a simplified configuration diagram of a circuit explaining one embodiment of the basic operation of the present invention. The explanation will be given below based on FIG.
スイツチS1，S2をOFF、スイツチS3をONと
し、電源KV0（０＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量
Ｃ（薄膜EL素子）を充電する。次にスイツチS2，
S3をOFF、スイツチS1をONにし、電源V0で容量
Ｃを充電する。以後この充電方法をステツプ駆動
法と呼ぶ。放電時においては従来の方法と同様ス
イツチS2のみONし放電する。 Switches S 1 and S 2 are turned OFF, switch S 3 is turned ON, and the capacitor C (thin film EL element) is charged via the resistor R with the power supply KV 0 (0<K<1). Next, switch S 2 ,
Turn off S3 , turn on switch S1 , and charge capacitor C with power supply V0 . Hereinafter, this charging method will be referred to as the step drive method. During discharging, only switch S2 is turned on to discharge, as in the conventional method.
次にこのステツプ駆動法による充放電に必要な
電力量を求めると次の如くとなる。 Next, the amount of power required for charging and discharging using this step drive method is determined as follows.
電源KV0からの充電によつて抵抗Ｒおよび容
量Ｃにおける電力量は(7)式より次の値が求まる。 The amount of electric power in the resistor R and capacitor C due to charging from the power source KV 0 can be determined from equation (7) as follows.
W′R＝W′C＝１／２Ｃ（KV0）2 ……(8)
次に電源V0から容量Ｃを充電する場合の電力
量は(2)式およびｔ＝０のときq0＝CKV0であるこ
とから
となる。 W' R = W' C = 1/2C (KV 0 ) 2 ...(8) Next, the amount of electricity when charging the capacitor C from the power source V 0 is calculated using equation (2) and when t = 0, q 0 = Since CKV 0 becomes.
ｔ→∞において(9)式(10)式は次の値を示す。 At t→∞, equations (9) and (10) show the following values.
W″R＝１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2 ……(11)
W″C＝Ｃ（１−Ｋ）V0 2
−１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2 ……(12)
従つてステツプ駆動法による充電時の抵抗Ｒ、
容量Ｃにおける電力量の各々の合計WRS，WCSは
(8)式(11)式(12)式より次の値を示す。 W″ R = 1/2C (1-K) 2 V 0 2 …(11) W″ C = C (1-K) V 0 2 -1/2C (1-K) 2 V 0 2 …( 12) Therefore, the resistance R during charging by the step drive method,
The total amount of electric power in capacity C, W RS and W CS , is
From equations (8), (11), and (12), the following values are shown.
WRS＝１／２CK2V0 2＋１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2
……（13）
WCS＝１／２CV0 2 ……（14）
なお、（14）式で示される容量Ｃに蓄積された
エネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。
従つて、ステツプ駆動法において容量Ｃに電圧
V0を充放電するのに必要な消費電力WSは（13）
式（14）式より次の値をとる。 W RS = 1/2 CK 2 V 0 2 + 1/2 C (1-K) 2 V 0 2 ... (13) W CS = 1/2 CV 0 2 ... (14) Note that the capacity shown by formula (14) The energy stored in C is completely consumed by resistor R during discharge.
Therefore, in the step drive method, voltage is applied to capacitor C.
The power consumption W S required to charge and discharge V 0 is (13)
The following value is obtained from equation (14).
WS＝WRS＋WCS
＝｛（Ｋ−１／２）2＋３／４｝CV0 2 ……（15）
（15）式の消費電力WSとパラメータＫとの関
係を第６図に示す。 W S = W RS + W CS = {(K-1/2) 2 + 3/4} CV 0 2 ... (15) The relationship between the power consumption W S in equation (15) and the parameter K is shown in Figure 6. .
図中の一点鎖線P1は従来の駆動法であり、曲
線P2は本実施例のステツプ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ＝１／２では消費電力
WSは最小値をとり、従来の方法と比較して消費
電力は3/4になることが分る。 The dashed line P1 in the figure corresponds to the conventional driving method, and the curve P2 corresponds to the step driving method of this embodiment.
As is clear from FIG. 6, when K=1/2, the power consumption W S takes the minimum value, and the power consumption becomes 3/4 compared to the conventional method.
またステツプ駆動法により薄膜EL表示装置を
駆動した場合上記原理とよく一致する実験的結果
を得ている。 Furthermore, when a thin film EL display device is driven by the step driving method, experimental results that are in good agreement with the above principle have been obtained.
ところで上記ステツプ駆動法においても薄膜
EL表示装置に蓄積された電気量WC及びWCSは放
電時に抵抗Ｒですべて消費される。 By the way, in the above step drive method, thin film
The electric quantities W C and W CS accumulated in the EL display device are completely consumed by the resistor R during discharge.
本発明はこの点に関し、薄膜EL素子に蓄積さ
れた電荷の一部を保存し、消費電力をより一層低
減化し得る駆動回路を構成したものであり、以下
実施例に従つて図面を参照しながら詳説する。 In this regard, the present invention configures a drive circuit that can save a part of the charge accumulated in the thin film EL element and further reduce power consumption. I will explain in detail.
第７図は本発明の一実施例を示す駆動回路の構
成図である。第８図は第７図に示す駆動回路に於
けるタイミングチヤートを示す電圧波形図であ
る。 FIG. 7 is a configuration diagram of a drive circuit showing an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a voltage waveform diagram showing a timing chart in the drive circuit shown in FIG. 7.
端子IN１′，IN２′，IN３′及びIN４′には第
４図同様にパルス電圧が印加される。ステツプ駆
動法は端子IN５に印加されるパルスによつて行
なわれ、薄膜EL素子１０に印加される駆動パル
スの立ち上りは端子IN５に印加されるパルスの
立ち上りに同期して２段階に上昇する。即ち、充
電時にはトランジスタ１２，１５及びトランジス
タ１４，１３を各端子IN１′，IN２′，IN３′，
IN４′に入力される入力信号によつて交互にON
し、薄膜EL素子１０に電圧V0／２を印加する。次
にトランジスタ１７を端子IN５に印加される入
力信号によつてONし、コンデンサ１１を用いて
V0／２電圧に引き上げ薄膜EL素子１０に電圧V0を
印加する。ここでコンデンサ１１は電源V0／２から
トランジスタ１６により前もつて充電されてい
る。また薄膜EL素子１０とコンデンサ１１の容
量を各々CEL，Ｃとすると、Ｃ≫CELの関係を有す
る。 Pulse voltages are applied to the terminals IN1', IN2', IN3' and IN4' in the same manner as in FIG. The step drive method is performed by a pulse applied to the terminal IN5, and the rise of the drive pulse applied to the thin film EL element 10 rises in two steps in synchronization with the rise of the pulse applied to the terminal IN5. That is, during charging, transistors 12, 15 and transistors 14, 13 are connected to terminals IN1', IN2', IN3',
Turns on alternately depending on the input signal input to IN4'
Then, a voltage V 0 /2 is applied to the thin film EL element 10. Next, the transistor 17 is turned on by the input signal applied to the terminal IN5, and the capacitor 11 is used to turn on the transistor 17.
The voltage V 0 is applied to the thin film EL element 10 by increasing the voltage to V 0 /2. Capacitor 11 is here previously charged by transistor 16 from the power supply V 0 /2. Further, when the capacitances of the thin film EL element 10 and the capacitor 11 are C EL and C, respectively, there is a relationship of C≫C EL .
次に放電時の動作について説明する。端子IN
６に入力される入力信号によつてトランジスタ１
６をONすると、ダイオード２１又は１９、薄膜
EL素子１０、ダイオード１８又は２０、コンデ
ンサ１１及びトランジスタ１６を介して放電回路
が形成され、コンデンサ１１及び薄膜EL素子１
０の電位が等しくなるまで放電電流が流れる。こ
の為コンデンサ１１に薄膜EL素子１０から電荷
が戻されることになる。コンデンサ１１に蓄積さ
れた電荷は次の逆極性の電圧V0を印加する際に
再び使用する。 Next, the operation during discharge will be explained. terminal IN
Transistor 1 by the input signal input to 6
When 6 is turned on, diode 21 or 19, thin film
A discharge circuit is formed through the EL element 10, the diode 18 or 20, the capacitor 11, and the transistor 16.
The discharge current flows until the potentials at zero become equal. Therefore, charge is returned to the capacitor 11 from the thin film EL element 10. The charge accumulated in the capacitor 11 is used again when applying the next voltage V 0 of the opposite polarity.
次に端子IN２′又はIN４′に入力される入力信
号によつてトランジスタ１３又は１５がONし薄
膜EL素子１０の両端電圧が零になるまで放電し、
１パルスの印加過程を終了する。以上詳説した如
く、本発明は放電時に消費される電力の一部を保
存し、消費電力を低減化できる駆動回路を構成し
たものであり、薄膜EL表示装置の駆動回路とし
て非常に有効な技術である。なお本発明は容量性
を利用したものであり、ヒステリシスメモリ機能
をもつ三層構造EL素子発光層−絶縁層から成る
二層構造EL素子等すべての容量性発光素子に適
用することができる。 Next, the transistor 13 or 15 is turned on by the input signal input to the terminal IN2' or IN4', and the thin film EL element 10 is discharged until the voltage across it becomes zero.
The process of applying one pulse is completed. As explained in detail above, the present invention configures a drive circuit that can save a portion of the power consumed during discharge and reduce power consumption, and is a very effective technology as a drive circuit for thin-film EL display devices. be. Note that the present invention utilizes capacitance and can be applied to all capacitive light emitting devices, such as a three-layer structure EL device having a hysteresis memory function, and a two-layer structure EL device consisting of a light emitting layer and an insulating layer.
第１図は薄膜EL素子の基本的構造を示す構成
図である。第２図は従来の駆動方法に於ける充放
電動作を説明する説明図である。第３図は従来の
薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構成を示す
回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路に
入力される電圧波形を示すタイミング波形図であ
る。第５図はステツプ駆動法の基本的動作を説明
する回路の簡略構成図である。第６図は従来の駆
動法とステツプ駆動法に於ける消費電力を比較し
て説明する説明図である。第７図は本発明の１実
施例を示す薄膜EL表示装置の駆動回路の構成図
である。第８図は第７図に入力される電圧波形の
タイミング波形図である。
１０……薄膜EL素子、１１……コンデンサ、
１２，１３，１４，１５，１６……トランジス
タ、１８，１９，２０，２１……ダイオード、
IN１′IN２′，IN３′，IN４′，IN５，IN６……
端子。
FIG. 1 is a block diagram showing the basic structure of a thin film EL element. FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating charging and discharging operations in a conventional driving method. FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit in a conventional thin film EL display device. FIG. 4 is a timing waveform diagram showing voltage waveforms input to the drive circuit shown in FIG. 3. FIG. FIG. 5 is a simplified configuration diagram of a circuit explaining the basic operation of the step drive method. FIG. 6 is an explanatory diagram for comparing and explaining the power consumption in the conventional driving method and the step driving method. FIG. 7 is a configuration diagram of a drive circuit for a thin film EL display device showing one embodiment of the present invention. FIG. 8 is a timing waveform diagram of the voltage waveform input to FIG. 10... Thin film EL element, 11... Capacitor,
12, 13, 14, 15, 16...transistor, 18, 19, 20, 21...diode,
IN1'IN2', IN3', IN4', IN5, IN6...
terminal.
Claims (1)
EL表示装置の駆動回路に於いて、薄膜EL表示素
子に印加充電する電圧V0の1/2の値を有する電源
と、該電源に結合されて２倍電圧電源を形成する
コンデンサとを備え、前記電源の１／２V0の電圧で 前記薄膜EL表示素子を印加充電した後、前記１／２ V0の電圧印加と同じ方向から引き続き、前記コ
ンデンサを介して得られるV0の電圧で前記同一
の薄膜EL表示素子を印加充電することにより、
前記薄膜EL表示素子のV0の電圧の印加充電工程
に、同一方向から充電される、１／２V0の電圧と、 V0の電圧のステツプ状充電状態を持たせるスイ
ツチ回路、及び前記薄膜EL表示素子の放電電荷
を前記２倍圧電源を形成するコンデンサに導びき
貯えるスイツチ回路とを設けたことを特徴とする
薄膜EL表示装置の駆動回路。[Claims] 1. Thin film that emits EL light in response to voltage application
A drive circuit for an EL display device includes a power supply having a value of 1/2 of the voltage V0 applied to charge the thin film EL display element, and a capacitor coupled to the power supply to form a double voltage power supply, After applying and charging the thin film EL display element with a voltage of 1/2 V 0 of the power supply, continue from the same direction as the voltage application of 1/2 V 0 and applying the voltage of V 0 obtained through the capacitor to the same voltage. By applying and charging the thin film EL display element of
A switch circuit that provides a step-like charging state of a voltage of 1/2 V 0 and a voltage of V 0 that are charged from the same direction in the charging step of applying a voltage of V 0 to the thin film EL display element, and the thin film EL display element. 1. A drive circuit for a thin film EL display device, comprising a switch circuit for guiding and storing discharged charges of a display element in a capacitor forming the double voltage power source.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15714581A JPS5857190A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Driving circuit for thin film el display |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| GB08224801A GB2105085B (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Drive for thin-film electroluminescent display panel |
| DE19823232389 DE3232389A1 (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | METHOD AND DRIVER CIRCUIT FOR EXCITING THICK-LAYER ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY BOARDS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15714581A JPS5857190A (en) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | Driving circuit for thin film el display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857190A JPS5857190A (en) | 1983-04-05 |
| JPS645318B2 true JPS645318B2 (en) | 1989-01-30 |
Family
ID=15643160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15714581A Granted JPS5857190A (en) | 1981-08-31 | 1981-09-30 | Driving circuit for thin film el display |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857190A (en) |
Families Citing this family (6)
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| JPH07109798B2 (en) * | 1987-01-06 | 1995-11-22 | シャープ株式会社 | Driving circuit for thin film EL display device |
| JPS6438694U (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | ||
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| JP4108845B2 (en) | 1998-11-12 | 2008-06-25 | 富士フイルム株式会社 | Magnetic tape cartridge reel molding method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942311B2 (en) * | 1974-06-05 | 1984-10-13 | シャープ株式会社 | Signal current separation method during write state of light emitting element |
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| JPS55103593A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-07 | Sharp Kk | Pulse circuit for maintaining thin layer el element |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15714581A patent/JPS5857190A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5857190A (en) | 1983-04-05 |
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