JPS6394657A - レ−ザ加工方法およびレ−ザ加工装置 - Google Patents
レ−ザ加工方法およびレ−ザ加工装置Info
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- JPS6394657A JPS6394657A JP61240601A JP24060186A JPS6394657A JP S6394657 A JPS6394657 A JP S6394657A JP 61240601 A JP61240601 A JP 61240601A JP 24060186 A JP24060186 A JP 24060186A JP S6394657 A JPS6394657 A JP S6394657A
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- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
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Landscapes
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ加工方法および加工装置に関し、特にシ
リコン基板をチ・γピング、溶融付着物の無い良好なス
クラ、イビング加工できるレーザ加工方法および加工装
置に関する。
リコン基板をチ・γピング、溶融付着物の無い良好なス
クラ、イビング加工できるレーザ加工方法および加工装
置に関する。
〔従来の技術゛）
シリコン基板をスクライビングする方法としては、回転
する砥石による方法（ダイシング）と）゛ＡＧレーザを
用いる方法（レーザスクライビング）とがある。
する砥石による方法（ダイシング）と）゛ＡＧレーザを
用いる方法（レーザスクライビング）とがある。
ダイシンクにおいては機械的加工であるため、シリコン
基板のスクライブ面にチッピングが生じるという欠点が
ある。またＹ Ａ Ｇレーザを用いたし・−ザスクライ
ビングにおいては、レーザ照射部が加熱されて溶融、蒸
発し、熱加工を行なうものである（Ｎ密工作便覧、第８
版、１５５１〜１５５６頁）。このためスクライブ面に
溶融物が付着して残るという欠点がある。
基板のスクライブ面にチッピングが生じるという欠点が
ある。またＹ Ａ Ｇレーザを用いたし・−ザスクライ
ビングにおいては、レーザ照射部が加熱されて溶融、蒸
発し、熱加工を行なうものである（Ｎ密工作便覧、第８
版、１５５１〜１５５６頁）。このためスクライブ面に
溶融物が付着して残るという欠点がある。
１発明が解決しようとする問題点〕
上述したように、従来のシリコン基板のスクライビング
加工法において、砥石を用いたダイシングではチッピン
グが発生し、不良となる問題点、’１’ Ａ Ｇレーザ
を用いたレーザスクライビングでは溶融物が基板表面に
付着し汚染する問題点がある。
加工法において、砥石を用いたダイシングではチッピン
グが発生し、不良となる問題点、’１’ Ａ Ｇレーザ
を用いたレーザスクライビングでは溶融物が基板表面に
付着し汚染する問題点がある。
〔問題点を解決するための手段］
第１の発明のレーザ加工方法は、シリコン基板の加工面
にのみ熱反応性の工・ソチンダ液を作用させ、前記加工
面の反射面から炭酸ガスレーザビームを照射することを
特徴とするレーザ加工方法である。また、第２の発明の
レーザ加工装置は、可視光源、半透明ミラーおよび集光
レンズとからなるレーザ加工部の観察光学系を被加工物
を挟んで炭酸ガスレーザビームの反対側に配置したこと
を特徴とするレーザ加工装置である。
にのみ熱反応性の工・ソチンダ液を作用させ、前記加工
面の反射面から炭酸ガスレーザビームを照射することを
特徴とするレーザ加工方法である。また、第２の発明の
レーザ加工装置は、可視光源、半透明ミラーおよび集光
レンズとからなるレーザ加工部の観察光学系を被加工物
を挟んで炭酸ガスレーザビームの反対側に配置したこと
を特徴とするレーザ加工装置である。
し作用〕
シリコン基板の加工面にのみ、熱反応性のエツチング液
を作用させ、前記加工面の反対面から炭酸ガスレーザビ
ームを照射すると、炭酸ガスレーザビームはシリコン基
板を透過し、シリコン基板加工面と接する熱反応性のエ
ツチング液に吸収される。従って、シリコン基板加工面
に接する熱反応性エツチング液に炭酸ガスレーザビーム
を集光させるとエツチング液がレーザ吸収して高温にな
り、レーザ照射部近傍のシリコン基板加工面が選択的に
エツチングされる。
を作用させ、前記加工面の反対面から炭酸ガスレーザビ
ームを照射すると、炭酸ガスレーザビームはシリコン基
板を透過し、シリコン基板加工面と接する熱反応性のエ
ツチング液に吸収される。従って、シリコン基板加工面
に接する熱反応性エツチング液に炭酸ガスレーザビーム
を集光させるとエツチング液がレーザ吸収して高温にな
り、レーザ照射部近傍のシリコン基板加工面が選択的に
エツチングされる。
また、可視光源、半透明ミラーおよび集光レンズとから
なるレーザ加工部観察光学系をシリコン基板を挟んで炭
酸ガスレーザビームの反対側に、ビーム軸心を合せて配
置することにより、シリコン基板加工面におけるレーザ
照射位置、加工形状の観察ができ、所要の位置にスクラ
イビング加工を行なうことができる。
なるレーザ加工部観察光学系をシリコン基板を挟んで炭
酸ガスレーザビームの反対側に、ビーム軸心を合せて配
置することにより、シリコン基板加工面におけるレーザ
照射位置、加工形状の観察ができ、所要の位置にスクラ
イビング加工を行なうことができる。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明のレーザ加工装置の一実施例を示す構成
図である。シリコン基板１１を容器１２に例えば接着剤
１３で固定する。容器１２の底面は平行平面ガラスで構
成する。シリコン基板１１の加工面１４に熱反応性のエ
ツチング液１５として水酸化カリウム水溶液（濃度３０
％重量比）を接触させる。炭酸ガスレーザ発振器１６か
らレーザ（レーザパワー２０Ｗ）を発振してミラー１７
によりレーザビームの方向を変え、レンズ１８により炭
酸ガスレーザビーム１９を、シリコン基板１１の加工面
１４（下面）と接するエツチング液１５に集光させる。
図である。シリコン基板１１を容器１２に例えば接着剤
１３で固定する。容器１２の底面は平行平面ガラスで構
成する。シリコン基板１１の加工面１４に熱反応性のエ
ツチング液１５として水酸化カリウム水溶液（濃度３０
％重量比）を接触させる。炭酸ガスレーザ発振器１６か
らレーザ（レーザパワー２０Ｗ）を発振してミラー１７
によりレーザビームの方向を変え、レンズ１８により炭
酸ガスレーザビーム１９を、シリコン基板１１の加工面
１４（下面）と接するエツチング液１５に集光させる。
炭酸ガスν−ザビーム１９はシリコン基板１１を透過し
、水酸化カリウム水溶液に吸収される性質を有する１、
このため、炭酸ガスレーザビーム１つが集光したエツチ
ング液部分は熱的に活性化され、接するシリコン基板１
１の加工面１４を選択的にエツチングする。
、水酸化カリウム水溶液に吸収される性質を有する１、
このため、炭酸ガスレーザビーム１つが集光したエツチ
ング液部分は熱的に活性化され、接するシリコン基板１
１の加工面１４を選択的にエツチングする。
この場き、シリコン基板１１は可視光を透過しないので
、下方にある加工部１４を上方からは直接に観察できな
い。そこで、容器１２の底面を平行平面ガラスとし、下
方からシリコン基板１１の加工部１・１を観察する。シ
リコン基板１１（被加工物）を挟んで炭酸ガスレーザビ
ーム１９の反射側、すなわち容器１２の底面（平行平面
ガラス）の下方に可視光源（波長０．６μｍ、ハロゲン
′ランプ）２０、半透明ミラー２１、集光レンズ２２を
鏡筒２３に保持して配置する８鏡筒２３はＸＹＺステー
ジ２４に保持されており、可視光２５の集光位置を調整
でき、炭酸ガスレーザビーム１９によるシリコン基板１
１の加工位置を直接に観察できる。
、下方にある加工部１４を上方からは直接に観察できな
い。そこで、容器１２の底面を平行平面ガラスとし、下
方からシリコン基板１１の加工部１・１を観察する。シ
リコン基板１１（被加工物）を挟んで炭酸ガスレーザビ
ーム１９の反射側、すなわち容器１２の底面（平行平面
ガラス）の下方に可視光源（波長０．６μｍ、ハロゲン
′ランプ）２０、半透明ミラー２１、集光レンズ２２を
鏡筒２３に保持して配置する８鏡筒２３はＸＹＺステー
ジ２４に保持されており、可視光２５の集光位置を調整
でき、炭酸ガスレーザビーム１９によるシリコン基板１
１の加工位置を直接に観察できる。
可視光源（ハロゲンラ〉′プ）２０からの波長０．６μ
ｍの可視光が半透明ミラー２１を透過し、レンズ２２に
よりシリコン基板１１の加工面１４に集光する。この場
合、波長０．６μＩｎの可視光は水酸化カリウム水溶液
を透過する。加工面からの反射光に半透明ミラー２１に
反射されてカメラ２０に入り、テレビモニタ２７によっ
て観察される。加工中、バイブ２８、夕〉・り２９、ポ
ンプ３０により工・ソチング液を循環させる。移動台３
１によりシリコン基板１１を移動させることにより、ス
クライビング加工を行なうことができる。
ｍの可視光が半透明ミラー２１を透過し、レンズ２２に
よりシリコン基板１１の加工面１４に集光する。この場
合、波長０．６μＩｎの可視光は水酸化カリウム水溶液
を透過する。加工面からの反射光に半透明ミラー２１に
反射されてカメラ２０に入り、テレビモニタ２７によっ
て観察される。加工中、バイブ２８、夕〉・り２９、ポ
ンプ３０により工・ソチング液を循環させる。移動台３
１によりシリコン基板１１を移動させることにより、ス
クライビング加工を行なうことができる。
炭酸ガスレーザパワーを２０Ｗ、移動台３１によりシリ
コン基板を速度５Ｉｌ■／ｓｅｃで移動させて、相対的
にビームを走査した。その結果、シリコン′基板の加工
面に幅７０μｍ、深さ３５０μｍの溝が加工された。前
記加工溝にはチッピングおよび溶融付着物がなく、良好
なスクライビング加工が達成された。
コン基板を速度５Ｉｌ■／ｓｅｃで移動させて、相対的
にビームを走査した。その結果、シリコン′基板の加工
面に幅７０μｍ、深さ３５０μｍの溝が加工された。前
記加工溝にはチッピングおよび溶融付着物がなく、良好
なスクライビング加工が達成された。
なお、本実施例において、シリコン基板１１を挟んで上
方に炭酸ガスレーザビーム、下方に観察光学系を配置し
たが、第２図に示すようにシリコン基板１１を鉛直に容
器１２Ａに保持し、シリコン基板の左右にそれぞれ観察
光学系可視光２５、炭酸ガスレーザビーム１９を配置し
ても良い。
方に炭酸ガスレーザビーム、下方に観察光学系を配置し
たが、第２図に示すようにシリコン基板１１を鉛直に容
器１２Ａに保持し、シリコン基板の左右にそれぞれ観察
光学系可視光２５、炭酸ガスレーザビーム１９を配置し
ても良い。
またシリコン基板を容器に固定する方法として、固定部
からエツチング液が漏れないようにすれば他の方法例え
ばシーリングゴムを介し、圧接する方法でも良い。
からエツチング液が漏れないようにすれば他の方法例え
ばシーリングゴムを介し、圧接する方法でも良い。
以上述べたように本発明の加工方法により、シリコン基
板にチ・ソビングおよび溶融付着物のない良好なスクラ
イビング加工を行なうことができる。
板にチ・ソビングおよび溶融付着物のない良好なスクラ
イビング加工を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例を示すレーザ加工装置の構成
図、第２図は本発明の他の実施例における炭酸ガスレー
ザビーム、シリコン基板および観察光学系の配置例を示
す断面図である。 】１・・・シリコン基板、１２．１２Ａ・・・容器、１
３・・・接着剤、１４・・・加工面、１５・・・エツチ
ング液、１６・・・炭酸ガスレーザ発振器、１７・・・
ミラー、１８・・・レンズ、Ｉ９・・・炭酸ガスレーザ
ビーム、２０・・・可視光源、２１・・・半透明ミラー
、２２・・・レンズ、２３・・・鏡筒、２４・・・ＸＹ
Ｚステージ、２５・・・可視光、２６・・・カメラ、２
７・・・テレビモニタ、２８・・・パイプ、２９・・・
タンク、３ｏ・・・ボンア、３１・・・移動台。 第１図 第２図 Ｉく
図、第２図は本発明の他の実施例における炭酸ガスレー
ザビーム、シリコン基板および観察光学系の配置例を示
す断面図である。 】１・・・シリコン基板、１２．１２Ａ・・・容器、１
３・・・接着剤、１４・・・加工面、１５・・・エツチ
ング液、１６・・・炭酸ガスレーザ発振器、１７・・・
ミラー、１８・・・レンズ、Ｉ９・・・炭酸ガスレーザ
ビーム、２０・・・可視光源、２１・・・半透明ミラー
、２２・・・レンズ、２３・・・鏡筒、２４・・・ＸＹ
Ｚステージ、２５・・・可視光、２６・・・カメラ、２
７・・・テレビモニタ、２８・・・パイプ、２９・・・
タンク、３ｏ・・・ボンア、３１・・・移動台。 第１図 第２図 Ｉく
Claims (2)
- （１）シリコン基板の加工面にのみ熱反応性のエッチン
グ液を作用させ、前記加工面の反射面から炭酸ガスレー
ザビームを照射することを特徴とするシリコン基板のレ
ーザ加工方法。 - （２）炭酸ガスレーザビームを照射して被加工物を加工
するレーザ加工装置において、可視光源、半透明ミラー
および集光レンズとからなるレーザ加工部の観察光学系
を被加工物を挟んで炭酸ガスレーザビームの反対側に配
置してなることを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240601A JPS6394657A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | レ−ザ加工方法およびレ−ザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240601A JPS6394657A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | レ−ザ加工方法およびレ−ザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394657A true JPS6394657A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17061917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240601A Pending JPS6394657A (ja) | 1986-10-08 | 1986-10-08 | レ−ザ加工方法およびレ−ザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394657A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647861U (ja) * | 1992-10-23 | 1994-06-28 | リケン工業株式会社 | 溶鋼採取容器 |
| WO2004015753A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Xsil Technology Limited | Laser machinining |
| CN100359645C (zh) * | 2002-08-06 | 2008-01-02 | Xsil技术有限公司 | 激光加工 |
| JP2013107123A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013107125A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013107124A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
-
1986
- 1986-10-08 JP JP61240601A patent/JPS6394657A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647861U (ja) * | 1992-10-23 | 1994-06-28 | リケン工業株式会社 | 溶鋼採取容器 |
| WO2004015753A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Xsil Technology Limited | Laser machinining |
| JP2005534545A (ja) * | 2002-08-06 | 2005-11-17 | エグシル テクノロジー リミテッド | レーザー機械加工法 |
| CN100359645C (zh) * | 2002-08-06 | 2008-01-02 | Xsil技术有限公司 | 激光加工 |
| JP4718835B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2011-07-06 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | レーザー機械加工法 |
| JP2013107123A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013107125A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013107124A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
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