JPS6391945A - イオンビ−ム装置 - Google Patents
イオンビ−ム装置Info
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- JPS6391945A JPS6391945A JP61235523A JP23552386A JPS6391945A JP S6391945 A JPS6391945 A JP S6391945A JP 61235523 A JP61235523 A JP 61235523A JP 23552386 A JP23552386 A JP 23552386A JP S6391945 A JPS6391945 A JP S6391945A
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- Japan
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- ion beam
- ion
- section
- ions
- extraction section
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Links
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、半導体加工プロセスなどにおけるイオン注
入Ｗ Ｚとして用いられるものであって、導入された原
料ガスまたは金属蒸気をプラズマ化するプラズマ発生部
と、このプラズマ発生部中のプラズマから特定の４性を
持つイオンを引き出すイオン引出し部と、このイオン引
出し部により引き出されたイオンの中から特定のＮＲ／
’ｆｆｆｉｔ比を持つイオンのみを抽出するｉｔ分分析
表、この質量分析部により抽出されたイオンに所定の運
動エネルギを与える加速部と、この加速部から射出され
る前記特定イオンからなるイオンビームを試料の表面に
集束させるレンズ系とを備え、試料の表面にイオンビー
ムを照射してイオンを注入するイオンビーム装置に関す
る。
入Ｗ Ｚとして用いられるものであって、導入された原
料ガスまたは金属蒸気をプラズマ化するプラズマ発生部
と、このプラズマ発生部中のプラズマから特定の４性を
持つイオンを引き出すイオン引出し部と、このイオン引
出し部により引き出されたイオンの中から特定のＮＲ／
’ｆｆｆｉｔ比を持つイオンのみを抽出するｉｔ分分析
表、この質量分析部により抽出されたイオンに所定の運
動エネルギを与える加速部と、この加速部から射出され
る前記特定イオンからなるイオンビームを試料の表面に
集束させるレンズ系とを備え、試料の表面にイオンビー
ムを照射してイオンを注入するイオンビーム装置に関す
る。
第５図に従来のイオン注入装置の構成例を示す。
図において、プラズマ発生部１は例えば熱陰掻から放出
される電子をＴＬ磁界で加速し、導入されたガスの分子
あるいは金属ア気に衝突させてプラズマ化することによ
り所定のイオンを生成させるものである。イオン引出し
部を構成する引出し電極系２は前記プラズマ発生部１を
構成するプラズマ室に設けられたスリットに対向して配
置され、前記プラズマ室との間に高電圧を印加してプラ
ズマ中から特定の極性を持つイオンを引き出す。このよ
うにして得られたイオンビームは、質量分析部を構成す
る１Ｉｔｆｉｋ分析マグネフト３により図中の破綻およ
び一点鎖線のように軌道を曲げられる。このとき、曲率
半径はイオンの電荷／質景比によって異なるため、スリ
ット４を通過するイオンは電ｒ４／質日比が特定のもの
に限られる。加速部１０４を構成する加速ｖ５は前述し
た方法で得られた特定のイオンを所定の運動エネルギま
で加速するものである。前記プラズマ発生部１と前記引
出し電極系２との間で得られたイオンの運動エネルギが
充分な大きさであればこの加速管５は省く場合もある。 レンズ系６は得られたイオンビームを打込み室１１に保
持された基板１０の表面で所定の照射面積となるように
収束させるものである。紙面に平行な上下方向をＸ方向
１紙面に垂直な方向をＹ方向とし、前記特定イオンをＸ
方向に偏向させるＸ偏向電極対７およびＹ方向に偏向さ
せるＹ（日向電極対８にはそれぞれ異なった周波数の高
電圧が印加されており、前述したイオンビームは？ｆｆ
極対７゜８によって偏向を受けながら、基板１０の全面
に−（！に照射されることになる。リフレクタ電極対９
には直流高電圧が印加されており、基板ＩＯへの照射直
前にビーム軌道を曲げてビーム中に存在する中性原子を
取り除いている。なお、イオンビームを基板ｌＯの全面
に一様に照射する方法として、電極対７，８を用いる代
わりに、基板１０を通常複数枚取り付けた円板を中心軸
まわりに回転させながら該円板を円板の面方向に往復動
させる機！成約走査方法もある。 このような装置においては、引出し部の電極系での静電
レンズ効果に限界があり、ビーム電流の増大や、ビーム
ラインが長くなるとビーム径が大きくなる。ビーム径が
大きくなると質量分析マグネットの磁極間距蒲をビーム
径より大きくする必要から、Ｅ５３１−５間の磁界が永
久磁石により与えられているマグネットではもちろんの
こと、磁界が励磁コイルによって与えられている場合に
も、所定の定格起磁力に設計され所定のスペースに収容
された励磁コイルでは磁界の強さが必ずしももとの大き
さに維持されず、このためビームの曲げ半径が大きくな
ってマグネットが大形化し、また＆１間距離を大きくし
なければビームの利用効率が低下するなどの問題があっ
た。
される電子をＴＬ磁界で加速し、導入されたガスの分子
あるいは金属ア気に衝突させてプラズマ化することによ
り所定のイオンを生成させるものである。イオン引出し
部を構成する引出し電極系２は前記プラズマ発生部１を
構成するプラズマ室に設けられたスリットに対向して配
置され、前記プラズマ室との間に高電圧を印加してプラ
ズマ中から特定の極性を持つイオンを引き出す。このよ
うにして得られたイオンビームは、質量分析部を構成す
る１Ｉｔｆｉｋ分析マグネフト３により図中の破綻およ
び一点鎖線のように軌道を曲げられる。このとき、曲率
半径はイオンの電荷／質景比によって異なるため、スリ
ット４を通過するイオンは電ｒ４／質日比が特定のもの
に限られる。加速部１０４を構成する加速ｖ５は前述し
た方法で得られた特定のイオンを所定の運動エネルギま
で加速するものである。前記プラズマ発生部１と前記引
出し電極系２との間で得られたイオンの運動エネルギが
充分な大きさであればこの加速管５は省く場合もある。 レンズ系６は得られたイオンビームを打込み室１１に保
持された基板１０の表面で所定の照射面積となるように
収束させるものである。紙面に平行な上下方向をＸ方向
１紙面に垂直な方向をＹ方向とし、前記特定イオンをＸ
方向に偏向させるＸ偏向電極対７およびＹ方向に偏向さ
せるＹ（日向電極対８にはそれぞれ異なった周波数の高
電圧が印加されており、前述したイオンビームは？ｆｆ
極対７゜８によって偏向を受けながら、基板１０の全面
に−（！に照射されることになる。リフレクタ電極対９
には直流高電圧が印加されており、基板ＩＯへの照射直
前にビーム軌道を曲げてビーム中に存在する中性原子を
取り除いている。なお、イオンビームを基板ｌＯの全面
に一様に照射する方法として、電極対７，８を用いる代
わりに、基板１０を通常複数枚取り付けた円板を中心軸
まわりに回転させながら該円板を円板の面方向に往復動
させる機！成約走査方法もある。 このような装置においては、引出し部の電極系での静電
レンズ効果に限界があり、ビーム電流の増大や、ビーム
ラインが長くなるとビーム径が大きくなる。ビーム径が
大きくなると質量分析マグネットの磁極間距蒲をビーム
径より大きくする必要から、Ｅ５３１−５間の磁界が永
久磁石により与えられているマグネットではもちろんの
こと、磁界が励磁コイルによって与えられている場合に
も、所定の定格起磁力に設計され所定のスペースに収容
された励磁コイルでは磁界の強さが必ずしももとの大き
さに維持されず、このためビームの曲げ半径が大きくな
ってマグネットが大形化し、また＆１間距離を大きくし
なければビームの利用効率が低下するなどの問題があっ
た。
この発明は、後述する静電四重様レンズや磁気四ｆｆｌ
極レンズが−イオンビームを任意の距だに集束させるこ
とができることに着目したもので、イオンビーム電流の
大きさ、従って引出し電圧の大きさに応じてレンズ効果
を変えうる前記静電四重様レンズや磁気四重様レンズな
どのイオンビーム集束手段をイオン引出し部と？１分析
部との間に介装してイオン引出し部から射出されるイオ
ンビームを集束し、この集束されたイオンビームをｉｔ
分析計に入射せしめるようにすることにより、前記の目
的を達成しようとするものである。
極レンズが−イオンビームを任意の距だに集束させるこ
とができることに着目したもので、イオンビーム電流の
大きさ、従って引出し電圧の大きさに応じてレンズ効果
を変えうる前記静電四重様レンズや磁気四重様レンズな
どのイオンビーム集束手段をイオン引出し部と？１分析
部との間に介装してイオン引出し部から射出されるイオ
ンビームを集束し、この集束されたイオンビームをｉｔ
分析計に入射せしめるようにすることにより、前記の目
的を達成しようとするものである。
第１図に本発明の一実施例を示す。イオンが引き出され
るプラズマ発生部１のスリー／ ）の前面にイオンの走
行方向に複数段配設された引出し電極を備えたイオン引
出し部２と、質量分析部３との間には、４個の柱状ｒ１
Ｆ５ｒをそれぞれイオンの走行方向すなわちイオンビー
ムの方向と同方向にかつ第２図に示すように周方向に等
間隔にイオンビームを取り囲んで配するとともに電圧分
配部１６から交互に異ＧＭ性に課電してなる複数の単位
電極対１２１゜１２２）１２３を、前段と同極性の電極
が９０″づつ周方向にずれるようにイオンビームの方向
に配置してなる静電四重様レンズ１２が介装されている
。イオン引出し部２から静電四重様レンズ１２へ入射さ
れるイオンビームは、まず、第１の単位電極対１２１で
Ｘ方向が集束されつつ第２の単位電極対１２２に入り、
第２の単位１！極対でＹ方向が集束されつつ第３の単位
電極対１２３に入り、この第３の単位電極対１２３にて
Ｘ方向に集束されて質量分析部３の分析マグネットに導
かれる。このとき、静電四重様レンズ１２のＹ方向ビー
ム幅に対する凸レンズ効果と前記分析マグネットの、同
じくＹ方向ビーム幅に対する凹レンズ効果とを含めて加
速部１０４のスリット４にＹ方向ビーム幅の焦点が合い
、静電四重様レンズ１２のＸ方向ビーム幅に対する凸レ
ンズ効果と前記分析マグネットの、同じくＸ方向ビーム
幅に対する凸レンズ効果とを含めて加速部１０４のスリ
ット４にＸ方向ビーム幅の焦点が合うように静電四重様
レンズの各単位電極対電極に供給する電圧を制御する。 イオンビーム電流は引出し電極系を変更しないかぎり引
出し電圧により一義的に定まり、前記分析マグネットの
レンズ効果も引出し電圧により一義的に定まるから、ａ
１１’ｔａ四重極レンズのレンズ効果を制御する制御量
としての、各単位電極対電）ｊに供給する電圧も引出し
電圧のみから演算することができる０回中、１３は引出
し電圧検出部、１４は演算部、１５は１４の演算結果に
基づいて次段の出力電圧を制御するための電圧制御部、
１６は前段の電圧制御部１５により制御されて所望の電
圧を各単位電極対の電極へ出力するだめの電圧分配部で
ある。なお、閲の一点鎖線は静電四重様レンズ１２が存
在していないとしたときのイオンビームの広がりを示す
とともにこの広がりに対して本発明がいかに質量分析部
の大形化阻止のために顕著な効果をもたらすかを示して
いる。 第３図は、第１図に示した静電四重様レンズ１２の支持
構造の一例を示すもので、第５（２Ｉの１〜１１を収容
する真空容器の外部から引出し電極へ電圧を導入するた
めにこの真空容器を構成する絶縁筒１２７と絶縁フラン
ジ１２６との間、および絶縁フランジ１２６と絶縁フラ
ンジ１２５との間ならびに絶縁フランジ１２５と絶縁筒
１２８との間にそれぞれ気密に介装された）板状のリン
グ１２７ａ、 １２６ａ、 １２５ａと引出し電極２７
，２６．２５との間にわたされた板状または筒状の接続
導体の１つ （ここでは最内側の導体）から合成樹脂ま
たはセラミックスからなる支持碍子１２４を介して静電
四重様レンズの各′Ｃ：、ＩＦｉｉ対単位の電極が文単
位れている。このように引出し２ｈ系の接）１８体を利
用して電極を支持し、静電四重様レンズを引出しＴＸ
ｌｒ５系内に収容することによりビームラインの長さが
もとの長さに維持されイオンビーム装置の大形化を避け
ることができる。 第４図は前記静電画電極レンズと同一効果をもたらす磁
気四重様レンズの（ｆｆ ）ｋ配置を示す、互いに等間
隔に周方向に誇り合って配置された４個の磁極の磁極面
は、Ｘ、Ｙ方向を直角座標の２軸の方向として双曲線形
に形成されるとともに２軸方向の磁束密度がそれぞれＢ
ｙ ”ＫＸ、ＢＸ −ＫＹの分布となるように配置され
ている。このように形成された、４個の磁極からなる磁
極対単位を紙面に垂直な中心１ｉｊＩＬＡ上に複数個配
列することにより、前記静電四ｘ＋ｉレンズと同様のレ
ンズ効果を付与することができる。
るプラズマ発生部１のスリー／ ）の前面にイオンの走
行方向に複数段配設された引出し電極を備えたイオン引
出し部２と、質量分析部３との間には、４個の柱状ｒ１
Ｆ５ｒをそれぞれイオンの走行方向すなわちイオンビー
ムの方向と同方向にかつ第２図に示すように周方向に等
間隔にイオンビームを取り囲んで配するとともに電圧分
配部１６から交互に異ＧＭ性に課電してなる複数の単位
電極対１２１゜１２２）１２３を、前段と同極性の電極
が９０″づつ周方向にずれるようにイオンビームの方向
に配置してなる静電四重様レンズ１２が介装されている
。イオン引出し部２から静電四重様レンズ１２へ入射さ
れるイオンビームは、まず、第１の単位電極対１２１で
Ｘ方向が集束されつつ第２の単位電極対１２２に入り、
第２の単位１！極対でＹ方向が集束されつつ第３の単位
電極対１２３に入り、この第３の単位電極対１２３にて
Ｘ方向に集束されて質量分析部３の分析マグネットに導
かれる。このとき、静電四重様レンズ１２のＹ方向ビー
ム幅に対する凸レンズ効果と前記分析マグネットの、同
じくＹ方向ビーム幅に対する凹レンズ効果とを含めて加
速部１０４のスリット４にＹ方向ビーム幅の焦点が合い
、静電四重様レンズ１２のＸ方向ビーム幅に対する凸レ
ンズ効果と前記分析マグネットの、同じくＸ方向ビーム
幅に対する凸レンズ効果とを含めて加速部１０４のスリ
ット４にＸ方向ビーム幅の焦点が合うように静電四重様
レンズの各単位電極対電極に供給する電圧を制御する。 イオンビーム電流は引出し電極系を変更しないかぎり引
出し電圧により一義的に定まり、前記分析マグネットの
レンズ効果も引出し電圧により一義的に定まるから、ａ
１１’ｔａ四重極レンズのレンズ効果を制御する制御量
としての、各単位電極対電）ｊに供給する電圧も引出し
電圧のみから演算することができる０回中、１３は引出
し電圧検出部、１４は演算部、１５は１４の演算結果に
基づいて次段の出力電圧を制御するための電圧制御部、
１６は前段の電圧制御部１５により制御されて所望の電
圧を各単位電極対の電極へ出力するだめの電圧分配部で
ある。なお、閲の一点鎖線は静電四重様レンズ１２が存
在していないとしたときのイオンビームの広がりを示す
とともにこの広がりに対して本発明がいかに質量分析部
の大形化阻止のために顕著な効果をもたらすかを示して
いる。 第３図は、第１図に示した静電四重様レンズ１２の支持
構造の一例を示すもので、第５（２Ｉの１〜１１を収容
する真空容器の外部から引出し電極へ電圧を導入するた
めにこの真空容器を構成する絶縁筒１２７と絶縁フラン
ジ１２６との間、および絶縁フランジ１２６と絶縁フラ
ンジ１２５との間ならびに絶縁フランジ１２５と絶縁筒
１２８との間にそれぞれ気密に介装された）板状のリン
グ１２７ａ、 １２６ａ、 １２５ａと引出し電極２７
，２６．２５との間にわたされた板状または筒状の接続
導体の１つ （ここでは最内側の導体）から合成樹脂ま
たはセラミックスからなる支持碍子１２４を介して静電
四重様レンズの各′Ｃ：、ＩＦｉｉ対単位の電極が文単
位れている。このように引出し２ｈ系の接）１８体を利
用して電極を支持し、静電四重様レンズを引出しＴＸ
ｌｒ５系内に収容することによりビームラインの長さが
もとの長さに維持されイオンビーム装置の大形化を避け
ることができる。 第４図は前記静電画電極レンズと同一効果をもたらす磁
気四重様レンズの（ｆｆ ）ｋ配置を示す、互いに等間
隔に周方向に誇り合って配置された４個の磁極の磁極面
は、Ｘ、Ｙ方向を直角座標の２軸の方向として双曲線形
に形成されるとともに２軸方向の磁束密度がそれぞれＢ
ｙ ”ＫＸ、ＢＸ −ＫＹの分布となるように配置され
ている。このように形成された、４個の磁極からなる磁
極対単位を紙面に垂直な中心１ｉｊＩＬＡ上に複数個配
列することにより、前記静電四ｘ＋ｉレンズと同様のレ
ンズ効果を付与することができる。
以上に述べたように、本発明によれば、イオン引出し部
と’Ｅｔｆｔ分析部との間にイオンビームを集束するイ
オンビーム集束手段を介装してイオン引出し部から射出
されるイオンビームを集束し、この集束されたイオンビ
ームを前記ｆｆｔ１分析部に入射せしめるようにしたの
で、ビーム１！流が増大しても、あるいはイオン引出し
部とｆｆｆｆ１分析部との間のビームラインが長い場合
にも、ｆｆｆｆ１分析部の分析マグネットの磁極間距離
を広げることなくビーム電流の全量を磁極間に導入する
ことができ、かつ磁奢】間の磁界も一定に保たれるから
、ビーム電流中の特定イオンの全量を次段の加速部へ導
入することができ、ｎ量分折部を大形化することなく、
従、てイオンビーム炙″装置の大形化を招くことなく高
いビーム利用効率をもって大電流を処理しうるイオンビ
ーム装置を得ろことができろという効果が得られる。
と’Ｅｔｆｔ分析部との間にイオンビームを集束するイ
オンビーム集束手段を介装してイオン引出し部から射出
されるイオンビームを集束し、この集束されたイオンビ
ームを前記ｆｆｔ１分析部に入射せしめるようにしたの
で、ビーム１！流が増大しても、あるいはイオン引出し
部とｆｆｆｆ１分析部との間のビームラインが長い場合
にも、ｆｆｆｆ１分析部の分析マグネットの磁極間距離
を広げることなくビーム電流の全量を磁極間に導入する
ことができ、かつ磁奢】間の磁界も一定に保たれるから
、ビーム電流中の特定イオンの全量を次段の加速部へ導
入することができ、ｎ量分折部を大形化することなく、
従、てイオンビーム炙″装置の大形化を招くことなく高
いビーム利用効率をもって大電流を処理しうるイオンビ
ーム装置を得ろことができろという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例によるイオンビーム集束手段
の構成とその作用を説明する説明図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ位置において矢印方向に見たイオンビーム東京手
段の平面図、第３図は第１図に示すイオンビーム集束手
段の支持方法の一例を示す縦断面図、第４図はイオンビ
ームが磁気四電極レンズである場合の磁極の配置と磁極
面の形状とを示す平面図、第５図は従来のイオンビーム
装置の構成を示す装置構成原理図である。 １：プラズマ発生部、２：イオン引出し部、３：ｆｆｆ
ｆ１分析部、１０：試料、１２：静電四重極レンズ（イ
オンビーム摂束手段） 、１０４ ：加速部、１２４
：支持碍子。 １１１５．・、１０．は ′・ 一ン′ 第１図 第２図 第３図 第４図
の構成とその作用を説明する説明図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ位置において矢印方向に見たイオンビーム東京手
段の平面図、第３図は第１図に示すイオンビーム集束手
段の支持方法の一例を示す縦断面図、第４図はイオンビ
ームが磁気四電極レンズである場合の磁極の配置と磁極
面の形状とを示す平面図、第５図は従来のイオンビーム
装置の構成を示す装置構成原理図である。 １：プラズマ発生部、２：イオン引出し部、３：ｆｆｆ
ｆ１分析部、１０：試料、１２：静電四重極レンズ（イ
オンビーム摂束手段） 、１０４ ：加速部、１２４
：支持碍子。 １１１５．・、１０．は ′・ 一ン′ 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導入された原料ガスまたは金属蒸気をプラズマ化す
るプラズマ発生部と、このプラズマ発生部中のプラズマ
から特定の極性を持つイオンを引き出すイオン引出し部
と、このイオン引出し部により引き出されたイオンの中
から特定の電荷／質量比を持つイオンのみを抽出する質
量分析部と、この質量分析部により抽出されたイオンに
所定の運動エネルギを与える加速部と、この加速部から
射出される前記特定イオンからなるイオンビームを試料
の表面に集束させるレンズ系とを備え、試料の表面にイ
オンビームを照射してイオンを注入するイオンビーム装
置において、前記イオン引出し部と質量分析部との間に
イオンビームを集束する手段を介装してイオン引出し部
から射出されるイオンビームを集束し、この集束された
イオンビームを前記質量分析部に入射せしめることを特
徴とするイオンビーム装置。 ２）特許請求の範囲第１項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、４個の柱状電極をそれぞれイオンビーム
と平行にかつ周方向に等間隔にイオンビームを取り囲ん
で配するとともに交互に異極性に課電してなる単位電極
対を複数段、前段と同極性の電極が９０°づつ周方向に
ずれるようにイオンビームの方向に配置してなる静電四
重極レンズであることを特徴とするイオンビーム装置。 ３）特許請求の範囲第１項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、４個の柱状磁極をそれぞれイオンビーム
と平行にかつ周方向に等間隔にイオンビームを取り囲ん
で配するとともにイオンビームと対向するそれぞれの磁
極面が交互に異極性となるように構成した単位磁極対を
複数段、前段と同極性の磁極が９０°づつ周方向にずれ
るようにイオンビームの方向に配置してなる磁気四重極
レンズであることを特徴とするイオンビーム装置。 ４）特許請求の範囲第１項記載の装置において、イオン
引出し部と質量分析部との間に介装されるイオンビーム
の集束手段は、前記イオン引出し部に引出し電圧を導入
するために該引出し部から引き出される導体により絶縁
材からなる支持部材を介して支持されていることを特徴
とするイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235523A JPS6391945A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235523A JPS6391945A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | イオンビ−ム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6391945A true JPS6391945A (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=16987236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61235523A Pending JPS6391945A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6391945A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240189A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Alpine Electron Inc | 操作パネル開閉機能付き電子機器 |
| JP2006156247A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置 |
| JP2008027846A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびその調整方法 |
| JP2015032380A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム装置、集束イオン／電子ビーム加工観察装置、及び試料加工方法 |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61235523A patent/JPS6391945A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240189A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Alpine Electron Inc | 操作パネル開閉機能付き電子機器 |
| JPH0646493B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1994-06-15 | アルパイン株式会社 | 操作パネル開閉機能付き電子機器 |
| JP2006156247A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置 |
| JP2008027846A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびその調整方法 |
| JP2015032380A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム装置、集束イオン／電子ビーム加工観察装置、及び試料加工方法 |
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