JPS6387519A - 半導体製造装置の排ガス燃焼方法 - Google Patents
半導体製造装置の排ガス燃焼方法Info
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- JPS6387519A JPS6387519A JP61230837A JP23083786A JPS6387519A JP S6387519 A JPS6387519 A JP S6387519A JP 61230837 A JP61230837 A JP 61230837A JP 23083786 A JP23083786 A JP 23083786A JP S6387519 A JPS6387519 A JP S6387519A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
- F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
- F23G7/061—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating
- F23G7/065—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating using gaseous or liquid fuel
-
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E20/00—Combustion technologies with mitigation potential
- Y02E20/34—Indirect CO2mitigation, i.e. by acting on non CO2directly related matters of the process, e.g. pre-heating or heat recovery
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Incineration Of Waste (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造装置の排ガス燃焼方法に関し、と
くに排ガス中の有害成分を効率よく除去することができ
ると共に、半導体製造装置の仔々のプロセス、製造条件
に対応することができ、しかもバーナー先端に燃焼によ
り生成した酸化物が付着するのを防止した半導体製造装
置の排ガス燃焼方法に関する。
くに排ガス中の有害成分を効率よく除去することができ
ると共に、半導体製造装置の仔々のプロセス、製造条件
に対応することができ、しかもバーナー先端に燃焼によ
り生成した酸化物が付着するのを防止した半導体製造装
置の排ガス燃焼方法に関する。
（従来技術）
半導体製造装置の各種のプロセス、例えば、減圧ＣＶＤ
、プラズマＣＶＤ、イオン注入等のプロセスからは種々
の有害成分が排出される。例えば、モノシラン、クロル
シラン、ホスフィン、ジボラン、アルシン、アンモニア
等がある。
、プラズマＣＶＤ、イオン注入等のプロセスからは種々
の有害成分が排出される。例えば、モノシラン、クロル
シラン、ホスフィン、ジボラン、アルシン、アンモニア
等がある。
従来の燃焼装置では半導体製造プロセスやテＪ造条件に
よって排ガスを自己燃焼させることができない場合があ
り、その場合にボスフィンやアルシン等の有害成分を除
去するため酸化吸着装置を付加することが多い。
よって排ガスを自己燃焼させることができない場合があ
り、その場合にボスフィンやアルシン等の有害成分を除
去するため酸化吸着装置を付加することが多い。
また、窒化シリコンの薄膜生成の場合にはアンモニアが
排出されるのでアンモニアの酸洗装置も必要になること
が多い。
排出されるのでアンモニアの酸洗装置も必要になること
が多い。
そこで、半導体製造装置から排出される有害成分を効率
よく除去することができると共に、半導体製造装置の種
々のプロセス、製造条件にも対応することができ、しか
もバーナー先端に燃焼により生成した酸化物が付着する
のを防止することができる排ガス処理用燃焼方法が要望
された。
よく除去することができると共に、半導体製造装置の種
々のプロセス、製造条件にも対応することができ、しか
もバーナー先端に燃焼により生成した酸化物が付着する
のを防止することができる排ガス処理用燃焼方法が要望
された。
（問題点を解決ザるための手段）
本発明は上記従来の問題点に着目してなされたもので、
内管および外管とからなるバーナーの内管から排ガスを
、また内管と外管の間隙から補助燃料ガスを、上向きま
たは下向きに吹出させて、空気または酸素増空気によっ
て、有害成分をパーツ°−先端位置から離れた位置で燃
焼させ、バーナー先端に燃焼により生成した酸化物が付
着するのを防止するようにした半導体製造装置の排ガス
燃焼方法に関するものである。
内管および外管とからなるバーナーの内管から排ガスを
、また内管と外管の間隙から補助燃料ガスを、上向きま
たは下向きに吹出させて、空気または酸素増空気によっ
て、有害成分をパーツ°−先端位置から離れた位置で燃
焼させ、バーナー先端に燃焼により生成した酸化物が付
着するのを防止するようにした半導体製造装置の排ガス
燃焼方法に関するものである。
（実施例）
以下、本発明を第１図に示す実施例に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明の半導体製造装置の排ガス燃焼装置の一
実施例を示す概略図あって、半導体製造装置からの排ガ
スは排ガス供給配管１を通して排ガス燃焼装置２へ送ら
れる。
実施例を示す概略図あって、半導体製造装置からの排ガ
スは排ガス供給配管１を通して排ガス燃焼装置２へ送ら
れる。
半導体製造装置が例えばＣＶＤ装置の場合にはモノシラ
ン、ホスフィン、ジボラン等の無敗水素化合物、クロル
シラン等の無機ハロゲン化合物あるいはさらにアンモニ
ア等の有害成分が排出される。これら有害成分を含む排
ガスは、内管３１と外管３２とからなるバーナー３の内
管３１から、また補助燃料ガスは供給配管４に供給され
て、内管３１と外管３２の間隙から吹出させて、排ガス
を補助燃料ガスの酸素遮断効果によって、バーナー３先
端から離れた位置で燃焼させる。補助燃料ガスとしては
ＬＰＧ等を使用することができる。
ン、ホスフィン、ジボラン等の無敗水素化合物、クロル
シラン等の無機ハロゲン化合物あるいはさらにアンモニ
ア等の有害成分が排出される。これら有害成分を含む排
ガスは、内管３１と外管３２とからなるバーナー３の内
管３１から、また補助燃料ガスは供給配管４に供給され
て、内管３１と外管３２の間隙から吹出させて、排ガス
を補助燃料ガスの酸素遮断効果によって、バーナー３先
端から離れた位置で燃焼させる。補助燃料ガスとしては
ＬＰＧ等を使用することができる。
排ガス中の有害成分の燃焼に必要な空気または酸素増空
気は、配管５から供給される。６および７は、焔を安定
化するための整流用充填物である。
気は、配管５から供給される。６および７は、焔を安定
化するための整流用充填物である。
排ガス、補助燃料ガス、空気または酸素増空気のそれぞ
れの流速は下記の点を満足するように調整すれば良い。
れの流速は下記の点を満足するように調整すれば良い。
すなわち、（ａ ）補助燃料ガスの酸素遮断効果により
、排ガス中の可燃物の焔がバーナー３先端から離れて、
バーナー３先端に燃焼により生成した酸化物の付着を防
止すること。
、排ガス中の可燃物の焔がバーナー３先端から離れて、
バーナー３先端に燃焼により生成した酸化物の付着を防
止すること。
（ｂ ）適当な焔の長さとその温度によって、排ガス中
の有害成分を充分に燃焼すること。（Ｃ）燃焼装置２に
連結するベンチュリースクラバー等の集塵装置において
、充分に捕集可能な大きさの粒子形状の酸化物が得られ
ること。これら（ａ）〜（Ｃ）は、適当な設計により、
焔が上向きまたは下向きのいずれの場合においても満足
させることができる。
の有害成分を充分に燃焼すること。（Ｃ）燃焼装置２に
連結するベンチュリースクラバー等の集塵装置において
、充分に捕集可能な大きさの粒子形状の酸化物が得られ
ること。これら（ａ）〜（Ｃ）は、適当な設計により、
焔が上向きまたは下向きのいずれの場合においても満足
させることができる。
燃焼装置２内で補助燃料ガスを常時燃焼させておくので
、排ガス中の有害成分の組成や濃度が変化しても安定し
た焔を常時維持することができ、安定して高い除去効果
が得られる。
、排ガス中の有害成分の組成や濃度が変化しても安定し
た焔を常時維持することができ、安定して高い除去効果
が得られる。
また、本発明の燃焼方法によれば、排ガス中の可燃成分
の負荷率を非常に広範囲にとれるように設３１できるの
で、負荷変動に耐えられるのみならず、半導体製造装置
のある工程の複数系列または異種の工程からの複数系列
からの排ガスを１基の燃焼装置で処理するようにして軽
済的な設計をすることもできる。
の負荷率を非常に広範囲にとれるように設３１できるの
で、負荷変動に耐えられるのみならず、半導体製造装置
のある工程の複数系列または異種の工程からの複数系列
からの排ガスを１基の燃焼装置で処理するようにして軽
済的な設計をすることもできる。
実施例１
１００％モノシランガスを供給ｆｆ１６００ｃｃ／分で
供給管１から燃焼装置２に供給し、ＬＰＧを３００ＣＣ
／分で補助燃料供給配管４から供給し、また配管５がら
空気を供給して、モノシランガスを燃焼させた。燃焼装
置２の出口でのモノシランガスの濃度は、０．５１）ｌ
）Ｉ１１以下と高い除去率が得られた。またバーナー３
先端に燃焼により生成したシリカの固形物の付着もなく
連続運転が可能であった。さらに、燃焼装置２をベンチ
ュリースクラバーに連結して燃焼により生成したシリカ
の固形物をベンチュリースクラバーにより捕集したとこ
ろ、捕集率９９％以上の高い除去率が得られた。
供給管１から燃焼装置２に供給し、ＬＰＧを３００ＣＣ
／分で補助燃料供給配管４から供給し、また配管５がら
空気を供給して、モノシランガスを燃焼させた。燃焼装
置２の出口でのモノシランガスの濃度は、０．５１）ｌ
）Ｉ１１以下と高い除去率が得られた。またバーナー３
先端に燃焼により生成したシリカの固形物の付着もなく
連続運転が可能であった。さらに、燃焼装置２をベンチ
ュリースクラバーに連結して燃焼により生成したシリカ
の固形物をベンチュリースクラバーにより捕集したとこ
ろ、捕集率９９％以上の高い除去率が得られた。
（発明の効果）
本発明によれば、半導体製造装置から排出されるモノシ
ラン、ホスフィン、ジボラン、アルシン等の無機水素化
化合物、クロルシラン等の無機ハロゲン化合物あるいは
アンモニア等の有害成分を含む排ガスを、補助燃料ガス
の酸素遮断効果によって、燃焼装置のバーナー先端に燃
焼により生成した酸化物が付着することなしに燃焼させ
ることができると共に、補助燃料ガスを常時燃焼させて
おくので、排ガス中の有害成分の組成や濃度が変化して
も安定した焔を常時維持することができ、また半導体製
造装置の種々のプロセス、％’Ｊ造条件に対応すること
ができる。しかも、ベンチュリースクラバー等の集塵装
置で充分捕集可能な粒子形状の酸化物を生成させ、有害
物成分を確実に除去除去することができる等の利点があ
る。
ラン、ホスフィン、ジボラン、アルシン等の無機水素化
化合物、クロルシラン等の無機ハロゲン化合物あるいは
アンモニア等の有害成分を含む排ガスを、補助燃料ガス
の酸素遮断効果によって、燃焼装置のバーナー先端に燃
焼により生成した酸化物が付着することなしに燃焼させ
ることができると共に、補助燃料ガスを常時燃焼させて
おくので、排ガス中の有害成分の組成や濃度が変化して
も安定した焔を常時維持することができ、また半導体製
造装置の種々のプロセス、％’Ｊ造条件に対応すること
ができる。しかも、ベンチュリースクラバー等の集塵装
置で充分捕集可能な粒子形状の酸化物を生成させ、有害
物成分を確実に除去除去することができる等の利点があ
る。
第１図は本発明の半導体製造装置の排ガス燃焼装置の一
実施例を示す概略図である。 図中、１は排ガスの供給配管、２は燃焼装置、３はバー
ナー、３１は内管、３２は外管、４は補助燃料ガスの供
給配管、５は空気または酸素増空気の供給配管、６およ
び７は整流用充填物である。 特許出願人 三菱樹脂エンジニアリング株式会社昂 １
図
実施例を示す概略図である。 図中、１は排ガスの供給配管、２は燃焼装置、３はバー
ナー、３１は内管、３２は外管、４は補助燃料ガスの供
給配管、５は空気または酸素増空気の供給配管、６およ
び７は整流用充填物である。 特許出願人 三菱樹脂エンジニアリング株式会社昂 １
図
Claims (1)
- 半導体製造装置の排ガス燃焼方法であつて、内管および
外管とからなるバーナーの内管から排ガスを、また内管
と外管の間隙から補助燃料ガスを、上向きまたは下向き
に吹出させて、空気または酸素増空気によつて、有害成
分をバーナー先端位置から離れた位置で燃焼させ、バー
ナー先端に燃焼により生成した酸化物が付着するのを防
止することを特徴とする半導体製造装置の排ガス燃焼方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230837A JPS6387519A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体製造装置の排ガス燃焼方法 |
| EP87113840A EP0262561A3 (en) | 1986-09-29 | 1987-09-22 | Method of burning waste gases from semiconductor-manufacturing processes and an apparatus for burning the waste gases |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230837A JPS6387519A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体製造装置の排ガス燃焼方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387519A true JPS6387519A (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=16914057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61230837A Pending JPS6387519A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 半導体製造装置の排ガス燃焼方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0262561A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6387519A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02126014A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-05-15 | Chiyoda Corp | 有毒性ガスの燃焼処理方法及び装置 |
| JP2008540990A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | エドワーズ リミテッド | ガス燃焼装置 |
| JP2008298399A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Sunray Reinetsu Co Ltd | バーナー、排ガス処理装置、および排ガス処理方法 |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0195214A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Toyo Sanso Kk | 特殊材料ガスの燃焼方法 |
| DE19511644A1 (de) * | 1995-03-30 | 1996-10-02 | Das Duennschicht Anlagen Sys | Verfahren und Einrichtung zur Reinigung von schadstoffhaltigen Abgasen durch chemische Umsetzung |
| JP3486022B2 (ja) * | 1995-10-16 | 2004-01-13 | ジャパン・エア・ガシズ株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP3490843B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2004-01-26 | 日本エドワーズ株式会社 | 排ガス燃焼方法及びその装置 |
| WO2011117231A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Solvay Sa | Method of treating waste gases |
| CN102537956A (zh) * | 2010-12-20 | 2012-07-04 | 西安航天远征流体控制股份有限公司 | 一种双燃气燃烧器 |
| CN107448942A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-08 | 内蒙古鄂尔多斯联合化工有限公司 | 一种燃气燃烧器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2333948A (en) * | 1941-04-25 | 1943-11-09 | Pittsburgh Plate Glass Co | Preparation of pigments |
| BE508951A (ja) * | 1951-02-07 | |||
| US3365274A (en) * | 1964-07-13 | 1968-01-23 | Cabot Corp | Metal and metalloid oxide production |
| US4292290A (en) * | 1980-04-16 | 1981-09-29 | Cabot Corporation | Process for the production of finely-divided metal and metalloid oxides |
| US4555389A (en) * | 1984-04-27 | 1985-11-26 | Toyo Sanso Co., Ltd. | Method of and apparatus for burning exhaust gases containing gaseous silane |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61230837A patent/JPS6387519A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-22 EP EP87113840A patent/EP0262561A3/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02126014A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-05-15 | Chiyoda Corp | 有毒性ガスの燃焼処理方法及び装置 |
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| JP2008298399A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Sunray Reinetsu Co Ltd | バーナー、排ガス処理装置、および排ガス処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0262561A2 (en) | 1988-04-06 |
| EP0262561A3 (en) | 1988-08-03 |
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