JPS6383931A - 発光素子 - Google Patents
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- JPS6383931A JPS6383931A JP61229139A JP22913986A JPS6383931A JP S6383931 A JPS6383931 A JP S6383931A JP 61229139 A JP61229139 A JP 61229139A JP 22913986 A JP22913986 A JP 22913986A JP S6383931 A JPS6383931 A JP S6383931A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 230000004886 head movement Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1398—Means for shaping the cross-section of the beam, e.g. into circular or elliptical cross-section
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1359—Single prisms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、複数の発光点を有する光源を具備した発光
素子において、そこから発生する光の進行状況を変化さ
せる光学系の改良に関する。
素子において、そこから発生する光の進行状況を変化さ
せる光学系の改良に関する。
(従来の技術)
集束光を用い、情報記憶媒体に対し、情報の記録、再生
、消去を行う情報記録装置において、記録膜の相変化(
結晶状態と非結晶状態の変化)や構造変化(結晶構造の
変化)を利用する装置は、記録膜上に略円形の集光スポ
ットと、それに対し、−軸方向に引伸ばされた楕円形状
のスポットの2個を照射し、略円形の集光スポットを用
いて記録、再生を行うとともに、楕円形状のスポットに
より消去を行っている。
、消去を行う情報記録装置において、記録膜の相変化(
結晶状態と非結晶状態の変化)や構造変化(結晶構造の
変化)を利用する装置は、記録膜上に略円形の集光スポ
ットと、それに対し、−軸方向に引伸ばされた楕円形状
のスポットの2個を照射し、略円形の集光スポットを用
いて記録、再生を行うとともに、楕円形状のスポットに
より消去を行っている。
そして、上記2個のスポットを記録膜上に照射するため
に、従来は2個の光源をそれぞれ異なる場所に配置して
いた。それとは別に1個の光源で複数の発光点を有する
ものとして、半導体レーザアレイが最近研究されている
。
に、従来は2個の光源をそれぞれ異なる場所に配置して
いた。それとは別に1個の光源で複数の発光点を有する
ものとして、半導体レーザアレイが最近研究されている
。
このように、従来2個の光源をそれぞれ異なる場所に配
置した光学系を用いると、光学系が複雑かつ改械的に大
きくなり、その結果光学系全体の重量が大きくなってア
クセス時間が遅くなるという欠点を有している。これに
対し、半導体レーザアレイを用いると、情報記憶媒体上
に略円形集光スポットと同時に楕円形のスポットを作る
ことが難しくなる。従来の光学系技術と半導体レーザア
レイの1個の発光点形状を楕円形にする必要がある。し
かし、半導体レーザを安定に発光させるためには、発光
点の幅の広さには限界があり、そのままでは情報記憶媒
体の記録膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状
のスポットを形成することは難しいものであった。
置した光学系を用いると、光学系が複雑かつ改械的に大
きくなり、その結果光学系全体の重量が大きくなってア
クセス時間が遅くなるという欠点を有している。これに
対し、半導体レーザアレイを用いると、情報記憶媒体上
に略円形集光スポットと同時に楕円形のスポットを作る
ことが難しくなる。従来の光学系技術と半導体レーザア
レイの1個の発光点形状を楕円形にする必要がある。し
かし、半導体レーザを安定に発光させるためには、発光
点の幅の広さには限界があり、そのままでは情報記憶媒
体の記録膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状
のスポットを形成することは難しいものであった。
(発明が解決しようとする問題点)
この発明は、情報記憶媒体の記録膜の上に充分に大きな
楕円率を有する楕円形状のスポットを形成することが難
しいという欠点を除去するもので、情報記憶媒体の記録
膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状のスポッ
トを形成することができる発光素子を提供することを目
的とする。
楕円率を有する楕円形状のスポットを形成することが難
しいという欠点を除去するもので、情報記憶媒体の記録
膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状のスポッ
トを形成することができる発光素子を提供することを目
的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
この発明の発光素子は、複数の発光点を有する光源、こ
の光源の1個の発光点に選択的に作用し、その発光点か
ら発光する光の進行状態を変化するビーム状態変換部材
から構成されるようになっている。
の光源の1個の発光点に選択的に作用し、その発光点か
ら発光する光の進行状態を変化するビーム状態変換部材
から構成されるようになっている。
(作用)
この発明は、複数の発光点を有する光源からの1個の発
光点に選択的に作用し、その発光点から発光する光の進
行状態をビーム状態変換部材で変化するようにしたもの
である。
光点に選択的に作用し、その発光点から発光する光の進
行状態をビーム状態変換部材で変化するようにしたもの
である。
(実施例)
以下、この発明の一実施例を第1図から第7図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第2図はこの発明に係わる情報記録再生装置を示すもの
で、この図中1はディスク状の情報記憶媒体であり、こ
れは駆動シャフト2により回転駆動されるターンテーブ
ル3上に載置され、上側から押え部材4により押えられ
ている。
で、この図中1はディスク状の情報記憶媒体であり、こ
れは駆動シャフト2により回転駆動されるターンテーブ
ル3上に載置され、上側から押え部材4により押えられ
ている。
この情報記憶媒体1は少なくとも片面にレーザ光等によ
る情報の記録、再生、消去が可能である記録層を具備し
た記録領域を有している。この記録領域にはプリグルー
プによるトラッキングガイド(トラック)がスパイラル
状あるいは同心円状に形成されている。
る情報の記録、再生、消去が可能である記録層を具備し
た記録領域を有している。この記録領域にはプリグルー
プによるトラッキングガイド(トラック)がスパイラル
状あるいは同心円状に形成されている。
この情報記憶媒体1の下方には光学ヘッド5が設けられ
、これは固定部6に情報記憶媒体1の径方向に沿ってス
ライド自在に設けられたスライド部7に取付けられてい
る。
、これは固定部6に情報記憶媒体1の径方向に沿ってス
ライド自在に設けられたスライド部7に取付けられてい
る。
さらに、光学ヘッド5はスライド部7に対して上下方向
く情報記憶媒体1に対して近付いたり遠ざかったりする
方向)に移動可能となっている。
く情報記憶媒体1に対して近付いたり遠ざかったりする
方向)に移動可能となっている。
そして、情報の記録、再生、消去の開始時のアクセスは
CPL18が光学ヘッド5の移動用プログラムを作り、
D/Aコンバータ9を介して光学ヘッド移動用駆動回路
10を作動させ光学ヘッド5全体を図示矢印a方向移動
するようになっている。
CPL18が光学ヘッド5の移動用プログラムを作り、
D/Aコンバータ9を介して光学ヘッド移動用駆動回路
10を作動させ光学ヘッド5全体を図示矢印a方向移動
するようになっている。
また、アクセス時は情報記憶媒体1に設けられたトラッ
キングガイドの数が計数され、これにより光学ヘッド5
の現在の位置が確認されるようになっている。すなわち
、トラックずれ検出回路11の出力信号が2値化回路1
2により2値化され、光学ヘッド5がトラッキングガイ
ドを1本横切ると2値化回路12から1パルスが発生す
るようになっており、このパルス数がトラック数計数用
カウンタ13でカウントされるようになっている。
キングガイドの数が計数され、これにより光学ヘッド5
の現在の位置が確認されるようになっている。すなわち
、トラックずれ検出回路11の出力信号が2値化回路1
2により2値化され、光学ヘッド5がトラッキングガイ
ドを1本横切ると2値化回路12から1パルスが発生す
るようになっており、このパルス数がトラック数計数用
カウンタ13でカウントされるようになっている。
さらに、アクセス終了後にはトラックずれ補正が開始さ
れる。すなわち、光学ヘッド5内の後述する光検出器1
4から得られる光電信号がそれぞれプリアンプアレイ1
5で増幅され、演算回路16を介してトラックずれ検出
回路11に供給され、これによりトラックずれ検出信号
が得られる。
れる。すなわち、光学ヘッド5内の後述する光検出器1
4から得られる光電信号がそれぞれプリアンプアレイ1
5で増幅され、演算回路16を介してトラックずれ検出
回路11に供給され、これによりトラックずれ検出信号
が得られる。
そして、その信号がアナログスイッチ17が作動してい
る場合には光学ヘッド移動用駆動回路10に供給され、
これにより光学ヘッド5全体が移動されてトラックずれ
補正が行われるようになっている。
る場合には光学ヘッド移動用駆動回路10に供給され、
これにより光学ヘッド5全体が移動されてトラックずれ
補正が行われるようになっている。
前述したように、上記光学ヘッド5内には対物レンズ1
8が設けられ、この対物レンズ18は光学ヘッド5を体
化され、光学ヘッド5全体として上下方向(対物レンズ
18の軸方向)すなわち情報記憶媒体1に対して接離す
る一軸方向にも移動可能となっている。そして、後述す
る焦点ぼけ検出回路19の信号に応じて光学ヘッド移動
用駆動回路20より光学ヘッド5全体を図示矢印す方向
移動することにより、対物レンズ18の焦点位置を移動
するようになっている。また、焦点ぼけサーボループが
閉じられる直前にはアナログスイッチ21が切換えられ
、これにより自動引込み回路22が作動し、光学ヘッド
5つまり対物レンズ18が初期位置に移動されるように
なっている。
8が設けられ、この対物レンズ18は光学ヘッド5を体
化され、光学ヘッド5全体として上下方向(対物レンズ
18の軸方向)すなわち情報記憶媒体1に対して接離す
る一軸方向にも移動可能となっている。そして、後述す
る焦点ぼけ検出回路19の信号に応じて光学ヘッド移動
用駆動回路20より光学ヘッド5全体を図示矢印す方向
移動することにより、対物レンズ18の焦点位置を移動
するようになっている。また、焦点ぼけサーボループが
閉じられる直前にはアナログスイッチ21が切換えられ
、これにより自動引込み回路22が作動し、光学ヘッド
5つまり対物レンズ18が初期位置に移動されるように
なっている。
また、記録用光量設定部24は外部機器(図示しない)
からインターフェース32および記録用信号処理回路2
3を介して供給される、情報記憶媒体1に記録される情
報に応じた記録信号を出力するもので、再生用光量設定
部25は消去信号を出力するもので、再生用光量設定部
26は再生信号を出力するもので、アナログスイッチ2
7は上記各設定部からの信号をCPLJ8の制御のもと
に切換えてレーザ光駆動回路28へ出力するものである
。なお、29は情報信号読取り回路、30は2値化回路
、31は情報信号の変調、復調及びエラー訂正等を行う
再生信号処理回路、32はインターフェース回路である
。
からインターフェース32および記録用信号処理回路2
3を介して供給される、情報記憶媒体1に記録される情
報に応じた記録信号を出力するもので、再生用光量設定
部25は消去信号を出力するもので、再生用光量設定部
26は再生信号を出力するもので、アナログスイッチ2
7は上記各設定部からの信号をCPLJ8の制御のもと
に切換えてレーザ光駆動回路28へ出力するものである
。なお、29は情報信号読取り回路、30は2値化回路
、31は情報信号の変調、復調及びエラー訂正等を行う
再生信号処理回路、32はインターフェース回路である
。
第3図は光学ヘッド5を概略的に示すものである。この
第3図の光学系は合焦時、情報記憶媒体1上に複数の集
光スポットを形成することの可能なマルチビーム光学系
であり、しかもそのうち1個は記録、再生用として情報
記憶媒体1上で円形の集光スポットを形成し、また別の
1個は消去用として情報記憶媒体1上で惰円形の集光ス
ポットを形成する構造になっている。
第3図の光学系は合焦時、情報記憶媒体1上に複数の集
光スポットを形成することの可能なマルチビーム光学系
であり、しかもそのうち1個は記録、再生用として情報
記憶媒体1上で円形の集光スポットを形成し、また別の
1個は消去用として情報記憶媒体1上で惰円形の集光ス
ポットを形成する構造になっている。
すなわち、半導体レーザアレイ(光源)61は、第1図
および第3図に示すように、記録、再生用レーザ光1a
を発生する記録、再生用半導体レーザ61aと消去用レ
ーザ光1bを発生させる消去用半導体レーザ61bとを
備えたものである。この半導体レーザアレイ61の記録
、再生用半導体レーザ61aから発せられた記録、再生
用レーザ光1−aと消去用半導体レーザ61bから発せ
られた消去用レーザ光Lbは発散光のまま、プリズム部
63に入射される。このプリズム部63のレーザ光入射
面は光軸に対して直角な垂直面63aとなっている。
および第3図に示すように、記録、再生用レーザ光1a
を発生する記録、再生用半導体レーザ61aと消去用レ
ーザ光1bを発生させる消去用半導体レーザ61bとを
備えたものである。この半導体レーザアレイ61の記録
、再生用半導体レーザ61aから発せられた記録、再生
用レーザ光1−aと消去用半導体レーザ61bから発せ
られた消去用レーザ光Lbは発散光のまま、プリズム部
63に入射される。このプリズム部63のレーザ光入射
面は光軸に対して直角な垂直面63aとなっている。
上記半導体レーザアレイ61の表側から発生される消去
用レーザ光1−bは、シリンドリカルレンズによって構
成されるビーム状態変換部材611によりビームの進行
方向あるいはスポットサイズの変更が行えるようになっ
ている。これにより、消去用レーザ光1−bの一軸方向
(ある特定方向)の発散、収束状態を変化させ、情報記
憶媒体1上で惰円形をした集光スポットが形成されるよ
うになっている。上記ビーム状態変換部材611は消去
用レーザ光Lbの発光点出口近傍に配置するようになっ
ている。
用レーザ光1−bは、シリンドリカルレンズによって構
成されるビーム状態変換部材611によりビームの進行
方向あるいはスポットサイズの変更が行えるようになっ
ている。これにより、消去用レーザ光1−bの一軸方向
(ある特定方向)の発散、収束状態を変化させ、情報記
憶媒体1上で惰円形をした集光スポットが形成されるよ
うになっている。上記ビーム状態変換部材611は消去
用レーザ光Lbの発光点出口近傍に配置するようになっ
ている。
ここに、上記半導体レーザアレイ61とビーム状態変換
部材611とにより発光素子が構成されている。
部材611とにより発光素子が構成されている。
上記ビーム状態変換部材611の作用原理を第4図を用
いて説明する。すなわち、上記記録、再生用半導体レー
ザ61aから発生される記録、再生用レーザ光1aは、
合焦点時、情報記憶媒体1上に集光される。また、ビー
ム状態変換部材611としてのシリンドリカルレンズは
、母線を含む面(紙面に垂直な面)内では、光の集光作
用を持たないので、消去用半導体レーザ61bから発生
される消去用レーザ光Lbは、紙面に対して垂直な面内
の方向では、合焦時、はぼ情報記憶媒体1上に集光され
る。
いて説明する。すなわち、上記記録、再生用半導体レー
ザ61aから発生される記録、再生用レーザ光1aは、
合焦点時、情報記憶媒体1上に集光される。また、ビー
ム状態変換部材611としてのシリンドリカルレンズは
、母線を含む面(紙面に垂直な面)内では、光の集光作
用を持たないので、消去用半導体レーザ61bから発生
される消去用レーザ光Lbは、紙面に対して垂直な面内
の方向では、合焦時、はぼ情報記憶媒体1上に集光され
る。
これに対して、第4図の紙面を含む面方向で見た場合、
シリンドリカルレンズ611は光に対する集光作用(ビ
ーム状態を変換させる作用)を有しているため、合焦時
、消去用レーザ光1−bは情報記憶媒体1より対物レン
ズ18に近い位置で集光し、したがってその点から発散
した状態の消去用レーザ光1bが情報記憶媒体1上に照
射される。
シリンドリカルレンズ611は光に対する集光作用(ビ
ーム状態を変換させる作用)を有しているため、合焦時
、消去用レーザ光1−bは情報記憶媒体1より対物レン
ズ18に近い位置で集光し、したがってその点から発散
した状態の消去用レーザ光1bが情報記憶媒体1上に照
射される。
これにより、合焦点時、記録、再生用レーザ光laは、
情報記憶媒体1上で略円形の集光スポットを形成するの
に対し、消去用レーザ光Lbは長軸が充分に長い楕円形
のスポット光を形成する。
情報記憶媒体1上で略円形の集光スポットを形成するの
に対し、消去用レーザ光Lbは長軸が充分に長い楕円形
のスポット光を形成する。
つまり、ビーム状態変換部材611により、合焦点時に
ある特定の方向のみ集光位置を情報記憶媒体1の位置か
らずらして情報記憶媒体1上に楕円上のスポット(非球
面曲面を持つ対物レンズ18により記録、再生用半導体
レーザ61a近くでの楕円の形状をしたレーザ光の楕円
補正を行っている)を形成するところに第4図の特徴が
ある。
ある特定の方向のみ集光位置を情報記憶媒体1の位置か
らずらして情報記憶媒体1上に楕円上のスポット(非球
面曲面を持つ対物レンズ18により記録、再生用半導体
レーザ61a近くでの楕円の形状をしたレーザ光の楕円
補正を行っている)を形成するところに第4図の特徴が
ある。
また、光学ヘッド5の各部が別れており、半導体レーザ
アレイ61と対物レンズ18との間に走行受光レンズ8
0が設けられている第5図に示すような場合も上記同様
な原理となっている。
アレイ61と対物レンズ18との間に走行受光レンズ8
0が設けられている第5図に示すような場合も上記同様
な原理となっている。
上記プリズム部63の垂直面63aに入射したレーザ光
La、lbはプリズム部63の他の一面に設けられた偏
光ビームスブリット面64で略100%が反射され、1
/4波長板70を通過して円偏光光となる。この円偏光
光は対物レンズ18を通過後、情報記憶媒体1上で集光
される。
La、lbはプリズム部63の他の一面に設けられた偏
光ビームスブリット面64で略100%が反射され、1
/4波長板70を通過して円偏光光となる。この円偏光
光は対物レンズ18を通過後、情報記憶媒体1上で集光
される。
上記対物レンズ18は入射面、出射面がともに非球面に
なっており、1個の光学部品たとえばガラスあるいはプ
ラスチックスによって構成されている。
なっており、1個の光学部品たとえばガラスあるいはプ
ラスチックスによって構成されている。
上記半導体レーザアレイ61の記録、再生用半導体レー
ザ61aから発せられた記録、再生用レーザ光Laと消
去用半導体レーザ61bから発せられた消去用レーザ光
1bは、発散角βは、第3図の紙面と平行な方向(実線
で示した軌跡)と、紙面に垂直な方向(破線で示した軌
跡)とで異なっている。
ザ61aから発せられた記録、再生用レーザ光Laと消
去用半導体レーザ61bから発せられた消去用レーザ光
1bは、発散角βは、第3図の紙面と平行な方向(実線
で示した軌跡)と、紙面に垂直な方向(破線で示した軌
跡)とで異なっている。
これに対応して、対物レンズ18の非球面曲面18a1
18bも、第3図の紙面と平行な方向(実線で示した曲
線)と、紙面に垂直な方向(破線で示した曲線)とで曲
率を変えることにより、情報記憶媒体1上での収束角α
が紙面に平行な方向と垂直な方向とで等しくなる。この
ため、記録、再生用レーザ光1aは情報記憶媒体1上で
略円形の集光スポットが得られるようになっている。
18bも、第3図の紙面と平行な方向(実線で示した曲
線)と、紙面に垂直な方向(破線で示した曲線)とで曲
率を変えることにより、情報記憶媒体1上での収束角α
が紙面に平行な方向と垂直な方向とで等しくなる。この
ため、記録、再生用レーザ光1aは情報記憶媒体1上で
略円形の集光スポットが得られるようになっている。
上記記録、再生用レーザ光1−aの発散角βは、通常±
10〜±20ftと狭く、これに対して情報記憶媒体1
上で充分に小さな集光スポットを得るためには、収束角
αを大きくする必要がある。このため、1/4波長板7
0を通過後の対物レンズ18の非球面曲面18bは凹レ
ンズ曲率を変え、発散角をより大きく広げている。これ
により、上記記録、再生用レーザ光1−aの発散角βの
遠いに応じて紙面と平行な方向と垂直な方向で凹レンズ
曲率を変え、発散角βの広げる度合いを変えている。
10〜±20ftと狭く、これに対して情報記憶媒体1
上で充分に小さな集光スポットを得るためには、収束角
αを大きくする必要がある。このため、1/4波長板7
0を通過後の対物レンズ18の非球面曲面18bは凹レ
ンズ曲率を変え、発散角をより大きく広げている。これ
により、上記記録、再生用レーザ光1−aの発散角βの
遠いに応じて紙面と平行な方向と垂直な方向で凹レンズ
曲率を変え、発散角βの広げる度合いを変えている。
その後、対物レンズ18の非球面曲面18aでは、凸レ
ンズ作用を持たせて、上記記録、再生用レーザ光1−a
と消去用レーザ光Lbを収束光に変化させている。この
ときの発散角βと収束角αの比α/βが近似的に結像横
倍率を示している。
ンズ作用を持たせて、上記記録、再生用レーザ光1−a
と消去用レーザ光Lbを収束光に変化させている。この
ときの発散角βと収束角αの比α/βが近似的に結像横
倍率を示している。
上記情報記憶媒体1上で集光されたレーザ光la、l−
bは、この情報記憶媒体1上で反射し、再び対物レンズ
18.1/4波長板70を通過した後、プリズム部63
に入射され偏光ビームスブリット面64に戻される。こ
こで、レーザ光La・Lbは1/4波長板70を往復す
ることにより偏光ビームスブリット面64で反射された
際に比べ撮動方向が90度何回転た直線偏光光となる。
bは、この情報記憶媒体1上で反射し、再び対物レンズ
18.1/4波長板70を通過した後、プリズム部63
に入射され偏光ビームスブリット面64に戻される。こ
こで、レーザ光La・Lbは1/4波長板70を往復す
ることにより偏光ビームスブリット面64で反射された
際に比べ撮動方向が90度何回転た直線偏光光となる。
このため、偏光ビームスブリット面64に戻されたレー
ザ光La、Lbはこの偏光ビームスブリット面64を通
過し、その背後に存在し、かつ偏光ビームスブリット面
64に重合された光分離反射部材65の互いに傾きをも
って隣接した2つの光反射面としての光反射性平面65
a1光反射性シリンドリカル面65bに到達する。
ザ光La、Lbはこの偏光ビームスブリット面64を通
過し、その背後に存在し、かつ偏光ビームスブリット面
64に重合された光分離反射部材65の互いに傾きをも
って隣接した2つの光反射面としての光反射性平面65
a1光反射性シリンドリカル面65bに到達する。
上記光反射部材65で反射したレーザ光は、再び偏光ビ
ームスブリット面64を通過し、光検出器14に向かう
。上記記録、再生用レーザ光Laのうち、光反射性平面
65aで反射した光は、焦点ぼけ検出用レーザ光1−f
となり、第6図に示すように、合焦時、焦点ぼけ検出用
光検出セル66aと66bの間に集光される。
ームスブリット面64を通過し、光検出器14に向かう
。上記記録、再生用レーザ光Laのうち、光反射性平面
65aで反射した光は、焦点ぼけ検出用レーザ光1−f
となり、第6図に示すように、合焦時、焦点ぼけ検出用
光検出セル66aと66bの間に集光される。
また、光反射性シリンドリカル面65bで反射した光は
トラックずれ検出用レーザ光Ltとなり、合焦時、第7
図(a)に示すように光検出器14上のトラックずれ検
出用光検出セル67a167b上に照射される。上記光
反射性平面65aと光反射性シリンドリカル面65bの
光反射は全反射を利用しているため、その後側に全反射
用隙間65Cを設けである。
トラックずれ検出用レーザ光Ltとなり、合焦時、第7
図(a)に示すように光検出器14上のトラックずれ検
出用光検出セル67a167b上に照射される。上記光
反射性平面65aと光反射性シリンドリカル面65bの
光反射は全反射を利用しているため、その後側に全反射
用隙間65Cを設けである。
なお、焦点ぼ、け検出用レーザ光しfによる焦点ぼけ検
出の検出感度は、情報記憶媒体1に対する光検出器14
上への結像横倍率α/βに比例している。したがって、
結像横倍率α/βの値が大きく取れる光像を有した上記
対物レンズ18は、焦点ぼけ検出の感度向上にも役立っ
ている。
出の検出感度は、情報記憶媒体1に対する光検出器14
上への結像横倍率α/βに比例している。したがって、
結像横倍率α/βの値が大きく取れる光像を有した上記
対物レンズ18は、焦点ぼけ検出の感度向上にも役立っ
ている。
上記各光学部品を保持する機械的フレームは、半導体レ
ーザアレイ61および光検出器14を支持する半導体素
子マウント台68と、残りの光学部品を内蔵する光学部
品マウント用フレーム71とから構成されている。上記
両者の接合部は、半導体素子の耐環境性保護のため、ハ
ーメチックシール72でシールされている。
ーザアレイ61および光検出器14を支持する半導体素
子マウント台68と、残りの光学部品を内蔵する光学部
品マウント用フレーム71とから構成されている。上記
両者の接合部は、半導体素子の耐環境性保護のため、ハ
ーメチックシール72でシールされている。
上記光学部品マウント用フレーム71の内壁は、機械的
精度を高く加工しであるため、各光学部品は単なる嵌め
込みにより組立ててられるようになっている。この結果
、第3図の構造を用いることにより、光学ヘッド5を大
幅に小形化することができ、直径φA−φ7mm、長さ
B−10mm程度にすることができる。
精度を高く加工しであるため、各光学部品は単なる嵌め
込みにより組立ててられるようになっている。この結果
、第3図の構造を用いることにより、光学ヘッド5を大
幅に小形化することができ、直径φA−φ7mm、長さ
B−10mm程度にすることができる。
上記光検出器14の構造について、第6図を用いて説明
する。すなわち、焦点ぼけ検出原理は、いわゆるナイフ
ェツジ法を用いており、合焦点には焦点ぼけ検出用レー
ザ光Lfが光検出器14上に集光される。また、合焦状
態からはずれて、対物レンズ18と情報記憶媒体1間の
距離が近付き過ぎた時は、焦点ぼけ検出用レーザ光1−
fの集光位置が光検出器14の後方にずれ、主に焦点ぼ
け検出用光検出セル66bの方に多く焦点ぼけ検出用レ
ーザ光が照射される。
する。すなわち、焦点ぼけ検出原理は、いわゆるナイフ
ェツジ法を用いており、合焦点には焦点ぼけ検出用レー
ザ光Lfが光検出器14上に集光される。また、合焦状
態からはずれて、対物レンズ18と情報記憶媒体1間の
距離が近付き過ぎた時は、焦点ぼけ検出用レーザ光1−
fの集光位置が光検出器14の後方にずれ、主に焦点ぼ
け検出用光検出セル66bの方に多く焦点ぼけ検出用レ
ーザ光が照射される。
また、反対に、対物レンズ18と情報記憶媒体1間の距
離が遠ざかると、焦点ぼけ検出用レーザ光Lfの集光位
置が光検出器14の前方にずれ、焦点ぼけ検出用光検出
セル66aの方に多く焦点ぼけ検出用レーザ光が照射さ
れる。
離が遠ざかると、焦点ぼけ検出用レーザ光Lfの集光位
置が光検出器14の前方にずれ、焦点ぼけ検出用光検出
セル66aの方に多く焦点ぼけ検出用レーザ光が照射さ
れる。
しかし、焦点ぼけ農が大きくなり過ぎて対物レンズ18
と情報記憶媒体1filの距離がさらに遠ざかった場合
、焦点ぼけ検出用レーザ光66fの集光位置が大きくず
れ、たとえば第3図に示すγ点へずれることがある。す
ると、光検出器14上でのレーザ光のスポット状態が第
7図(b)に示すように、焦点ぼけ検出セル66bの方
に多く露光される。この状態では、電気的に対物レンズ
18が近過ぎる状態と変りなくなる。このため、上記の
状態と対物レンズ18が合焦点からはずれてわずかに情
報記憶媒体1に近付いた状態とを区別するため、第7図
(a)(b)に示すような、異常検出用光検出セル69
が設けである。
と情報記憶媒体1filの距離がさらに遠ざかった場合
、焦点ぼけ検出用レーザ光66fの集光位置が大きくず
れ、たとえば第3図に示すγ点へずれることがある。す
ると、光検出器14上でのレーザ光のスポット状態が第
7図(b)に示すように、焦点ぼけ検出セル66bの方
に多く露光される。この状態では、電気的に対物レンズ
18が近過ぎる状態と変りなくなる。このため、上記の
状態と対物レンズ18が合焦点からはずれてわずかに情
報記憶媒体1に近付いた状態とを区別するため、第7図
(a)(b)に示すような、異常検出用光検出セル69
が設けである。
したがって、2種類のレーザ光1−fSLtのうちどち
らかが、焦点ぼけあるいはトラックずれ光検出セル66
a、66b、67a、67bからはみ出して、その周辺
に配置されている異常検出用光検出セル69に達した場
合には、大幅に焦点がぼけたと見なし焦点ぼけ補正を一
時中断し、再度合焦点位置を捜し直すようにする。上記
各光検出t’/1.,66a、66b、67a、67b
により焦点ぼけ、トラックずれを検出した場合。光学ヘ
ッド1全体を上下、左右に動かすことにより補正される
ようになっている。
らかが、焦点ぼけあるいはトラックずれ光検出セル66
a、66b、67a、67bからはみ出して、その周辺
に配置されている異常検出用光検出セル69に達した場
合には、大幅に焦点がぼけたと見なし焦点ぼけ補正を一
時中断し、再度合焦点位置を捜し直すようにする。上記
各光検出t’/1.,66a、66b、67a、67b
により焦点ぼけ、トラックずれを検出した場合。光学ヘ
ッド1全体を上下、左右に動かすことにより補正される
ようになっている。
また、光検出器の14の光検出セル66a166b、6
7a、67b以外の部分は不感知領域14aとなってい
る。
7a、67b以外の部分は不感知領域14aとなってい
る。
なお、半導体レーザアレイ61の裏側にはその半導体レ
ーザアレイ61により発光されるレーザ光しa、Lbの
発光量を調整するためのプリズム81、および光検出器
82が設けられている。この発光量制御については特願
昭61−40710号に説明しであるので、ここではそ
の詳細を省略する。
ーザアレイ61により発光されるレーザ光しa、Lbの
発光量を調整するためのプリズム81、および光検出器
82が設けられている。この発光量制御については特願
昭61−40710号に説明しであるので、ここではそ
の詳細を省略する。
また、上記半導体素子マウント台68には、光検出器1
4.82の出力を取出すとともに、半導体レーザ61a
、61の駆動信号が供給される電気端子コネクタ68a
が設けられている。
4.82の出力を取出すとともに、半導体レーザ61a
、61の駆動信号が供給される電気端子コネクタ68a
が設けられている。
次に、第3図の光学系の組立て調整方法について説明す
る。すなわち、調整時に重要な部分は光軸のずれによる
対物レンズ18のコマ収差の発生にある。このため、前
述したように、高精度でフレームを作成し、各光学部品
を嵌め込んで行っている。したがって、半導体レーザア
レイ61の発光点がきらんと理想位置に設定されれば、
コマ収差が生じないようになっている。
る。すなわち、調整時に重要な部分は光軸のずれによる
対物レンズ18のコマ収差の発生にある。このため、前
述したように、高精度でフレームを作成し、各光学部品
を嵌め込んで行っている。したがって、半導体レーザア
レイ61の発光点がきらんと理想位置に設定されれば、
コマ収差が生じないようになっている。
このため、まず、半導体レーザアレイ61から発光され
るレーザ光1−a、Lbのファーフィールドパターンの
測定を行い、パターンが非対称の強度分布を持っている
ものを不良品として外す。次に、複屈折のある透明な基
板ごしにミラーを情報記憶媒体1が設定されるべき位置
の近傍に配置し、ミラーを上下動させる。合焦時、複屈
折のある透明な基板ごしにレーザ光の一部が半導体レー
ザアレイ61に戻り、半導体レーザアレイ61の発光を
不安定にする。この結果、半導体レーザアレイ61の発
光にノイズが乗り、不安定な時を合焦点時と見なすよう
になっている。
るレーザ光1−a、Lbのファーフィールドパターンの
測定を行い、パターンが非対称の強度分布を持っている
ものを不良品として外す。次に、複屈折のある透明な基
板ごしにミラーを情報記憶媒体1が設定されるべき位置
の近傍に配置し、ミラーを上下動させる。合焦時、複屈
折のある透明な基板ごしにレーザ光の一部が半導体レー
ザアレイ61に戻り、半導体レーザアレイ61の発光を
不安定にする。この結果、半導体レーザアレイ61の発
光にノイズが乗り、不安定な時を合焦点時と見なすよう
になっている。
上記半導体素子マウント台68の調整方向は、第3図に
示すように、X−Y−θの3方向がある。
示すように、X−Y−θの3方向がある。
すなわち、上記X方向へ動かすことにより、焦点ぼけ検
出用レーザ光Lfとトラックずれ検出用レーザ光1tの
光量比を変えることができる。上記Y方向へ動かすこと
により、トラックずれ検出用光検出セル67a、67b
上のトラックずれ検出用レーザ光1tが移動する。
出用レーザ光Lfとトラックずれ検出用レーザ光1tの
光量比を変えることができる。上記Y方向へ動かすこと
により、トラックずれ検出用光検出セル67a、67b
上のトラックずれ検出用レーザ光1tが移動する。
この場合、半導体素子マウント台68の回転中心を半導
体レーザアレイ61の記録、再生用レーザ発光点に一致
させておく。また、半導体素子マウント台68をθ方向
に回転させると、相対的には、焦点ぼけ検出用光検出セ
ル66a、66b上で焦点ぼけ検出用レーザ光が移動す
る。なお、θ方向の回転時にトラックずれ検出系に悪影
響が及ばないようにトラックずれ検出用光検出セル67
a167b間の境界線を記録、再生用レーザ発光点を中
心に円弧を描くような構造となっている。
体レーザアレイ61の記録、再生用レーザ発光点に一致
させておく。また、半導体素子マウント台68をθ方向
に回転させると、相対的には、焦点ぼけ検出用光検出セ
ル66a、66b上で焦点ぼけ検出用レーザ光が移動す
る。なお、θ方向の回転時にトラックずれ検出系に悪影
響が及ばないようにトラックずれ検出用光検出セル67
a167b間の境界線を記録、再生用レーザ発光点を中
心に円弧を描くような構造となっている。
したがって、X−Y−θ方向への移動だけで調整が完了
する。最後に、上下、左右に移動可能な情報記憶媒体1
の破片を情報記憶媒体1の位置に配置して確認を行う。
する。最後に、上下、左右に移動可能な情報記憶媒体1
の破片を情報記憶媒体1の位置に配置して確認を行う。
これにより、焦点ぼけ検出信号を利用して情報記憶媒体
1の破片を上下動させて焦点ぼけ補正用のサーボをかけ
る。また、情報記憶媒体1の破片をざらに左右に振り、
トラックずれ検出信号の状態を確認する。
1の破片を上下動させて焦点ぼけ補正用のサーボをかけ
る。また、情報記憶媒体1の破片をざらに左右に振り、
トラックずれ検出信号の状態を確認する。
しかして、情報記憶媒体1上の情報の消去時以外すなわ
ち記録または再生時には、記録、再生用半導体レーザ6
1aのみ点灯し、光検出器14の各セル66a、66b
、67a、67b上には記録、再生用レーザ光Laのみ
が照射されて焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出に用
いられる。
ち記録または再生時には、記録、再生用半導体レーザ6
1aのみ点灯し、光検出器14の各セル66a、66b
、67a、67b上には記録、再生用レーザ光Laのみ
が照射されて焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出に用
いられる。
上記したように、情報記憶媒体の記録膜の特性に合せて
、記録膜上に照射される消去用レーザスポットの楕円率
を任意に変えることができる。
、記録膜上に照射される消去用レーザスポットの楕円率
を任意に変えることができる。
また、非常に容易に、しかも精度良く情報記憶媒体の記
録膜上の消去用レーザ光を楕円にすることができる。
録膜上の消去用レーザ光を楕円にすることができる。
さらに、非常に小さな形状をしたビーム状態変換手段を
半導体レーザアレイの近傍に配置してい・るため、消去
用レーザ光を情報記憶媒体の記録膜上で楕円にすること
により、光学系が目だって大きくなることがないように
できる。さらにまた・ビーム状態変換手段は、半導体レ
ーザアレイに対し、礪械的寸法精度で指示する(固定す
る)ことができ、光軸調整等のその後工程での光学ヘッ
ドの組立て調整が容易となる。
半導体レーザアレイの近傍に配置してい・るため、消去
用レーザ光を情報記憶媒体の記録膜上で楕円にすること
により、光学系が目だって大きくなることがないように
できる。さらにまた・ビーム状態変換手段は、半導体レ
ーザアレイに対し、礪械的寸法精度で指示する(固定す
る)ことができ、光軸調整等のその後工程での光学ヘッ
ドの組立て調整が容易となる。
なお、前記実施例では、記録、再生用レーザ光と消去用
レーザ光とを発生する光源について説明したが、これに
限らず、記録、再生用レーザを再生専用レーザに変更し
、消去用レーザを記録用レーザに変更した光源を用いて
動作する場合も上記同様に実施できる。
レーザ光とを発生する光源について説明したが、これに
限らず、記録、再生用レーザを再生専用レーザに変更し
、消去用レーザを記録用レーザに変更した光源を用いて
動作する場合も上記同様に実施できる。
また、ビーム状態変換手段としてシリンドリカルレンズ
を用いたが、これに限らず、第8図に示すように、光の
光路制限を行うスリット91を用いるようにしても良い
。このスリット91は、半導体レーザアレイ61の透明
ガラス92上に部分的にアルミコートにより作成される
ようになっている。この場合、対物レンズ18に導かれ
る光が第9図に示すようにあらかじめ絞られている(制
限が加えられている)ため、集光時に情報記憶媒体上で
は、そのスポットが広がったものとなっている。
を用いたが、これに限らず、第8図に示すように、光の
光路制限を行うスリット91を用いるようにしても良い
。このスリット91は、半導体レーザアレイ61の透明
ガラス92上に部分的にアルミコートにより作成される
ようになっている。この場合、対物レンズ18に導かれ
る光が第9図に示すようにあらかじめ絞られている(制
限が加えられている)ため、集光時に情報記憶媒体上で
は、そのスポットが広がったものとなっている。
また、ビーム状態変換部材611が、第10図に示すよ
うに、不均一な屈折率分布を有する透明体93を用いる
ようにしても良い。この場合、半導体レーザアレイ61
の透明ガラス板93にタリウム等の金属イオンをドーピ
ングして屈折率分布を持たせるようにしている(等屈折
率面94は第10図中破線で示すようになっている)。
うに、不均一な屈折率分布を有する透明体93を用いる
ようにしても良い。この場合、半導体レーザアレイ61
の透明ガラス板93にタリウム等の金属イオンをドーピ
ングして屈折率分布を持たせるようにしている(等屈折
率面94は第10図中破線で示すようになっている)。
これにより、消去用レーザ光1bがその中を通過すると
、屈折を起こし、その出口で記録、再生用レーザ光La
に対し、紙面に平行な方向では、発散角が小さくなる。
、屈折を起こし、その出口で記録、再生用レーザ光La
に対し、紙面に平行な方向では、発散角が小さくなる。
そして、情報記憶媒体1からずれた所で集光するために
、情報記憶媒体1上ではサイズの大きいスポットとして
照射される。紙面に垂直方向では、消去用レーザ光Lt
)の発散角は、記録、再生用し一ザ光Laと等しいため
、情報記憶媒体1上で集光する。このため、情報記憶媒
体1上では消去用スポットは楕円形となっている。
、情報記憶媒体1上ではサイズの大きいスポットとして
照射される。紙面に垂直方向では、消去用レーザ光Lt
)の発散角は、記録、再生用し一ザ光Laと等しいため
、情報記憶媒体1上で集光する。このため、情報記憶媒
体1上では消去用スポットは楕円形となっている。
上記ビーム状態変換部材6110作用原理を第11図(
a)(b)を用いて説明する。ここでは、上記金属イオ
ンドーピング電界移入法(電界を掛けてイオンを拡散さ
せる)用いているが、自然拡散法を用いている。すなわ
ち、ビーム状態変換部材611のベース材93としてガ
ラスを用い、このガラスの表面にスリット状の開口を持
つマスクを付けた後、タリウム等の金属ドーパント材に
接触させ熱を加えている。
a)(b)を用いて説明する。ここでは、上記金属イオ
ンドーピング電界移入法(電界を掛けてイオンを拡散さ
せる)用いているが、自然拡散法を用いている。すなわ
ち、ビーム状態変換部材611のベース材93としてガ
ラスを用い、このガラスの表面にスリット状の開口を持
つマスクを付けた後、タリウム等の金属ドーパント材に
接触させ熱を加えている。
すると、金属イオンドーパントが、ガラスの中に拡散し
ていき、その金属イオン密度に対応して、第11図(a
)(b)に示す等屈折面94で描いたような屈折率分布
を有する。その中に発散性の光が入ると、スリット短手
方向では影響を受けずに直進し、発散角は保存されるが
、スリット長手方向では、第11図(a)に示すように
屈折して発散角が変化する。
ていき、その金属イオン密度に対応して、第11図(a
)(b)に示す等屈折面94で描いたような屈折率分布
を有する。その中に発散性の光が入ると、スリット短手
方向では影響を受けずに直進し、発散角は保存されるが
、スリット長手方向では、第11図(a)に示すように
屈折して発散角が変化する。
また、ビーム状態変換部材611が、第12図に示すよ
うに、その表面に沿って互いに直交する第1、第2の軸
方向を有し、しかも第1軸方向に沿ってビーム状態変換
部材611の表面の少なくとも一部96が凹凸形状であ
るものを用いるようにしても良い。
うに、その表面に沿って互いに直交する第1、第2の軸
方向を有し、しかも第1軸方向に沿ってビーム状態変換
部材611の表面の少なくとも一部96が凹凸形状であ
るものを用いるようにしても良い。
この場合、ビーム状態変換部材611のベース97はガ
ラス、アクリル等の透明平板を用い、局所的にストライ
プ状の傷(縞模様)、あるいはランダムな位相ずらし面
(ランダム・フェーズ・シフタ)が付いている。この傷
により、1次元的に表面に凹凸形状が生じ、そこを通過
した光は散乱を受ける。この光散乱面96を利用して消
去用レーザ光Lbの位相を乱し、集光点でのスポットサ
イズを広げるとともに、ビーム状態変換部材61!、通
過後の消去用レーザ光Lt)の発散角を記録、再生用レ
ーザ光1−aに対して広げ、よって情報記憶媒体1上で
消去用レーザ光Lbのスポットが広がるようにしている
。
ラス、アクリル等の透明平板を用い、局所的にストライ
プ状の傷(縞模様)、あるいはランダムな位相ずらし面
(ランダム・フェーズ・シフタ)が付いている。この傷
により、1次元的に表面に凹凸形状が生じ、そこを通過
した光は散乱を受ける。この光散乱面96を利用して消
去用レーザ光Lbの位相を乱し、集光点でのスポットサ
イズを広げるとともに、ビーム状態変換部材61!、通
過後の消去用レーザ光Lt)の発散角を記録、再生用レ
ーザ光1−aに対して広げ、よって情報記憶媒体1上で
消去用レーザ光Lbのスポットが広がるようにしている
。
また、第12図の紙面に直角な方向すなわち、ストライ
プ状の傷が伸びる方向では、消去用レーザ光Lt)は、
散乱を受けないため、合焦時、情報記憶媒体1上で小さ
なスポットサイズに集光する。
プ状の傷が伸びる方向では、消去用レーザ光Lt)は、
散乱を受けないため、合焦時、情報記憶媒体1上で小さ
なスポットサイズに集光する。
これにより、情報記憶媒体1上で消去用レーザ光は楕円
形スポットを形成する。
形スポットを形成する。
さらに、ビーム状態変換部材611が、第13図に示す
ように、その表面の少なくとも一方の面は互いに高さが
異なり、ストライプ形状の平面の集合した凹凸面、つま
り非周期的な回折格子98で構成されるものを用いるよ
うにしても良い。
ように、その表面の少なくとも一方の面は互いに高さが
異なり、ストライプ形状の平面の集合した凹凸面、つま
り非周期的な回折格子98で構成されるものを用いるよ
うにしても良い。
この場合、ビーム状態変換部材611のうち消去用レー
ザ光1−bの通過する部分の表面にストライプ状に伸び
た非周期的に続く回折格子98を配置し、そこで生じる
回折により合焦時、情報記憶媒体1上で形成される集光
スポットのサイズを一軸方向で広げる作用をしている。
ザ光1−bの通過する部分の表面にストライプ状に伸び
た非周期的に続く回折格子98を配置し、そこで生じる
回折により合焦時、情報記憶媒体1上で形成される集光
スポットのサイズを一軸方向で広げる作用をしている。
非周期的な回折格子98は、第13図の紙面に垂直な方
向では円形上を保持したまま直線的に伸びている。
向では円形上を保持したまま直線的に伸びている。
そのため、第13図の紙面に平行な方向では情報記憶媒
体1上で集光スポットは広がっているが、紙面に垂直に
方向ではビーム形状変換部材の表面で回折が起こらず、
合焦時、情報記憶媒体1上で幅の狭い集光スポットを得
ることができる。第13図での非周期的な回折格子98
は、互いに平行な2平面間の非周期的な段差により作ら
れる。
体1上で集光スポットは広がっているが、紙面に垂直に
方向ではビーム形状変換部材の表面で回折が起こらず、
合焦時、情報記憶媒体1上で幅の狭い集光スポットを得
ることができる。第13図での非周期的な回折格子98
は、互いに平行な2平面間の非周期的な段差により作ら
れる。
平坦なガラス板98a上にフォトレジストを塗布し、非
周期的なストライプ状のパターン(スリット形状)を露
光(焼付け)し、それをマスクとしてガラスエツチング
することにより、上記非周期的な回折格子98が作られ
る。
周期的なストライプ状のパターン(スリット形状)を露
光(焼付け)し、それをマスクとしてガラスエツチング
することにより、上記非周期的な回折格子98が作られ
る。
回折格子として、段差を利用する代りに、第14図に示
すように、スリット状のクロムマスク99での回折を利
用した発光素子も考えられる。
すように、スリット状のクロムマスク99での回折を利
用した発光素子も考えられる。
平坦なガラス板99a上に一様にクロムやA1等の金属
薄lI(真空蒸着、スパッタリング等により)形成した
上にフォトレジストを形成し、上記同様にストライプ状
の非周期的なパターンを焼付け、それをマスクとして金
属薄膜を選択的にエツチングして、ビーム状態変換部材
を作る。
薄lI(真空蒸着、スパッタリング等により)形成した
上にフォトレジストを形成し、上記同様にストライプ状
の非周期的なパターンを焼付け、それをマスクとして金
属薄膜を選択的にエツチングして、ビーム状態変換部材
を作る。
[発明の効果]
以上詳述したようにこの発明によれば、情報記憶媒体の
記録膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状のス
ポットを形成することができる発光素子を提供できる。
記録膜の上に充分に大きな楕円率を有する楕円形状のス
ポットを形成することができる発光素子を提供できる。
第1図から第7図はこの発明の一実施例を示すもので、
第1図は光学系の要部の構成を示す斜視図、第2図は情
報記録再生装置の概略構成を示すブロック図、第3図は
光学ヘッドの全体の構成を示す断面図、第4図および第
5図はビーム状態変換部材の作用原理を説明するための
図、第6図は半導体レーザアレイおよび光検出器を示す
平面図、第7図は光検出器の構成を示す平面図であり、
第8図から第14図は他の実施例におけるビーム状態変
換部材を説明するための図である。。 La・・・記録、再生用レーザ光、Lt)・・・消去用
レーザ光、1・・・情報記憶媒体、14・・・光検出器
、18・・・対物レンズ、61・・・半導体レーザアレ
イ(光り、61a−・・記録、再生用レーザ、61b・
・・消去用レーザ、611・・・ビーム状態変換部材。 第1 図 第3図 第4図 第5図 第6図 (a) (b)范7図 第8図 第9図 e−I′tID (0で−−
第1図は光学系の要部の構成を示す斜視図、第2図は情
報記録再生装置の概略構成を示すブロック図、第3図は
光学ヘッドの全体の構成を示す断面図、第4図および第
5図はビーム状態変換部材の作用原理を説明するための
図、第6図は半導体レーザアレイおよび光検出器を示す
平面図、第7図は光検出器の構成を示す平面図であり、
第8図から第14図は他の実施例におけるビーム状態変
換部材を説明するための図である。。 La・・・記録、再生用レーザ光、Lt)・・・消去用
レーザ光、1・・・情報記憶媒体、14・・・光検出器
、18・・・対物レンズ、61・・・半導体レーザアレ
イ(光り、61a−・・記録、再生用レーザ、61b・
・・消去用レーザ、611・・・ビーム状態変換部材。 第1 図 第3図 第4図 第5図 第6図 (a) (b)范7図 第8図 第9図 e−I′tID (0で−−
Claims (11)
- (1)複数の発光点を有する光源と、 この光源の1個の発光点に選択的に作用し、その発光点
から発光する光の進行状態を変化するビーム状態変換部
材と、 を具備したことを特徴とする発光素子。 - (2)ビーム状態変換部材が、光の発散角を変化させる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の発光素子。 - (3)ビーム状態変換部材が、光源からの光に対しレン
ズ作用を有することを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の発光素子。 - (4)ビーム状態変換部材が、シリンドリカルレンズで
あることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の発光
素子。 - (5)光源が、半導体レーザアレイであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の発光素子。 - (6)ビーム状態変換部材が、光の光路制限を行うもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の発
光素子。 - (7)ビーム状態変換部材が、スリットで構成されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の発光素子。 - (8)ビーム状態変換部材が、不均一な屈折率分布を有
する透明体で構成されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の発光素子。 - (9)ビーム状態変換部材が、その表面に沿って互いに
直交する第1、第2の軸方向を有し、しかも第1軸方向
に沿ってビーム状態変換部材の表面の少なくとも一部が
凹凸形状であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の発光素子。 - (10)ビーム状態変換部材が、その表面の少なくとも
一方の面は互いに高さが異なり、ストライプ形状の平面
の集合した凹凸面であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の発光素子。 - (11)ビーム状態変換部材が、非周期的な回折格子で
構成されることを特徴とする特許請求の範囲第10項記
載の発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61229139A JPS6383931A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 発光素子 |
US07/427,986 US5018127A (en) | 1986-09-27 | 1989-10-30 | Light emitting apparatus having a plurality of light emitting points |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61229139A JPS6383931A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6383931A true JPS6383931A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16887373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61229139A Pending JPS6383931A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | 発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5018127A (ja) |
JP (1) | JPS6383931A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02126448A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Shibasoku Co Ltd | 光磁気ディスクのバルクイレーザ |
Families Citing this family (11)
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---|---|---|---|---|
US5224082A (en) * | 1988-02-26 | 1993-06-29 | Fujitsu Limited | Method for detecting tracking error in optical disk system and its optical system devices thereof |
JPH05114159A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Canon Inc | 複数ビーム光ヘツド |
JPH0696468A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Canon Inc | 光記録再生装置及び半導体レーザアレイ |
JPH06309692A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Canon Inc | 光学的情報記録再生装置 |
US5754520A (en) * | 1994-12-22 | 1998-05-19 | Landis & Gyr Technology Innovation Ag | Optical data carriers and reading devices therefor |
KR100189910B1 (ko) * | 1996-05-15 | 1999-06-01 | 윤종용 | 광픽업장치 |
KR20010022795A (ko) * | 1997-08-19 | 2001-03-26 | 오카 마코토 | 광학 픽업 장치, 홀더 및 광학 픽업 장치의 제조 방법 |
JP3659089B2 (ja) * | 1999-10-25 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッド及びそれを用いた光学的情報媒体記録再生装置 |
US7035196B2 (en) * | 2000-03-14 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head device and optical recording and reproducing apparatus having lasers aligned in a tangential direction |
JP2007225384A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Konica Minolta Sensing Inc | 反射特性測定装置 |
US9683841B2 (en) * | 2012-09-07 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Imaging range finder fabrication |
Family Cites Families (11)
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---|---|---|---|---|
US3983317A (en) * | 1974-12-09 | 1976-09-28 | Teletype Corporation | Astigmatizer for laser recording and reproducing system |
JPS5266405A (en) * | 1975-11-29 | 1977-06-01 | Victor Co Of Japan Ltd | Optical recording system of information recording discs |
US4561717A (en) * | 1980-05-16 | 1985-12-31 | Hitachi, Ltd. | Optical system for information processing |
US4520471A (en) * | 1983-02-07 | 1985-05-28 | Rca Corporation | Multi-channel recording/playback optics for laser diode arrays |
US4520472A (en) * | 1983-02-07 | 1985-05-28 | Rca Corporation | Beam expansion and relay optics for laser diode array |
JPS60231928A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録消去方法 |
US4700336A (en) * | 1984-06-19 | 1987-10-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording and playback apparatus using plural light spots |
US4733065A (en) * | 1984-06-27 | 1988-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical head device with diffraction grating for separating a light beam incident on an optical recording medium from a light beam reflected therefrom |
US4694447A (en) * | 1984-07-12 | 1987-09-15 | International Business Machines Corp. | Optical signal recorders employing two lasers and methods therefor |
US4718052A (en) * | 1984-10-01 | 1988-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Head assembly for optical disc |
US4763134A (en) * | 1985-08-29 | 1988-08-09 | Konishiroku Photo Industry Co. | Laser recording apparatus having variable recording magnification and beam intensity control |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP61229139A patent/JPS6383931A/ja active Pending
-
1989
- 1989-10-30 US US07/427,986 patent/US5018127A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02126448A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Shibasoku Co Ltd | 光磁気ディスクのバルクイレーザ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5018127A (en) | 1991-05-21 |
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