JPS6381884A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6381884A JPS6381884A JP22584286A JP22584286A JPS6381884A JP S6381884 A JPS6381884 A JP S6381884A JP 22584286 A JP22584286 A JP 22584286A JP 22584286 A JP22584286 A JP 22584286A JP S6381884 A JPS6381884 A JP S6381884A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、電流狭搾効果と、光導波効果を有する半導体
レーザに係わり、特（こＩｎＧａＡｌＰ系半導体を材料
とした可視半導体レーザ装置とその製造方法に関す乙。
レーザに係わり、特（こＩｎＧａＡｌＰ系半導体を材料
とした可視半導体レーザ装置とその製造方法に関す乙。
（従来の技術）
近年、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に有機金ｒ４を用いた化学
気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と略記する）により形
成したＩｎＧａＡＩＩＰを使用したＯＴ視半導体レーザ
が注目されている。
気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と略記する）により形
成したＩｎＧａＡＩＩＰを使用したＯＴ視半導体レーザ
が注目されている。
段差を形ｌｒ’ｙ、 した基板上にｉＭ、０ｃＶＤ法に
よりＩｎＧａＡｌＰを積層することはきわめて国籍であ
るので、成流狭搾と光導波ｙｔＪ来を有する半導体レー
ザを作製する場合には、第３図に示す断面の素子構造が
採用される。
よりＩｎＧａＡｌＰを積層することはきわめて国籍であ
るので、成流狭搾と光導波ｙｔＪ来を有する半導体レー
ザを作製する場合には、第３図に示す断面の素子構造が
採用される。
この断面構造の素子は、ＭＯＣＶＤ法による選択的成長
を利用して自己整合的に可流狭搾構造と光導波（、“４
造を形成することにより作製したものである。
を利用して自己整合的に可流狭搾構造と光導波（、“４
造を形成することにより作製したものである。
図中３０２はｎ−ＧａＡｓ基板、３０３はｎ−ＧａＡｓ
バッファ層、３０４はｎ −Ｉ ｎ Ｏ，５Ｇａ Ｏ，
２５ＡｌＯ，２５Ｐクラッド層、３０５はＩ ｎ ０．
５Ｇａ Ｑ、５ Ｐ活性層、３０６はＰ−Ｉ ｎ ０．
５Ｇａ Ｏ，２５Ａｌ Ｏ，２５Ｐクラッド層％ ３０
７はｐ＝Ｇ ａ Ａ ｓキ＋ｙプ層、３０８はｎ−Ｇａ
Ａｓブｏ、り層、３０９はｐ −ＧａＡｓ ：ｙクラッ
ド層、３０１，３１０は電極である。この構造の素子は
、比較的良好な性能を有するが％製造工程として電流狭
搾層を選択的成長により自己整合的に形成するための減
圧下での第１回目の再成長、コン多りト層を形成するた
めの第２回目の再成長を必要とするため％製造工程が複
雑であり、生産性がよくないという欠点を有している。
バッファ層、３０４はｎ −Ｉ ｎ Ｏ，５Ｇａ Ｏ，
２５ＡｌＯ，２５Ｐクラッド層、３０５はＩ ｎ ０．
５Ｇａ Ｑ、５ Ｐ活性層、３０６はＰ−Ｉ ｎ ０．
５Ｇａ Ｏ，２５Ａｌ Ｏ，２５Ｐクラッド層％ ３０
７はｐ＝Ｇ ａ Ａ ｓキ＋ｙプ層、３０８はｎ−Ｇａ
Ａｓブｏ、り層、３０９はｐ −ＧａＡｓ ：ｙクラッ
ド層、３０１，３１０は電極である。この構造の素子は
、比較的良好な性能を有するが％製造工程として電流狭
搾層を選択的成長により自己整合的に形成するための減
圧下での第１回目の再成長、コン多りト層を形成するた
めの第２回目の再成長を必要とするため％製造工程が複
雑であり、生産性がよくないという欠点を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
上記のように、従来装置では選択的再成長、又は複数回
の母成長を製造工程として必要とするために、生産性の
低下を招いていた。
の母成長を製造工程として必要とするために、生産性の
低下を招いていた。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、そ
の目的とするところはＩｎＧａＡｌＰを材料とした良好
な特性を有する安価な可視半導体レーザを提供すること
にある。
の目的とするところはＩｎＧａＡｌＰを材料とした良好
な特性を有する安価な可視半導体レーザを提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の骨子は、電流阻止を従来使用されてきたように
ｐ−ｎ接合の逆方向の電圧ａ光特性によるのではなく、
クラッド層とコンタクト層とのヘラロ接合界面でのバン
ド不連続による障壁を利用しで実現することにより、従
来使用されてきた電流阻止層の削除に成功したことにあ
る。
ｐ−ｎ接合の逆方向の電圧ａ光特性によるのではなく、
クラッド層とコンタクト層とのヘラロ接合界面でのバン
ド不連続による障壁を利用しで実現することにより、従
来使用されてきた電流阻止層の削除に成功したことにあ
る。
本発明者らは、ＧａＡｓ基板上に形成した種々の組成を
有するＩｎ Ｇａ ＡｌｙＰ上ニＧａＡｓを再１
−Ｘ−３’ Ｘ 成長し、ヘテロ界面を流れる電流の電圧電流特性を、い
ろいろな電導型の組合せについて調べた。
有するＩｎ Ｇａ ＡｌｙＰ上ニＧａＡｓを再１
−Ｘ−３’ Ｘ 成長し、ヘテロ界面を流れる電流の電圧電流特性を、い
ろいろな電導型の組合せについて調べた。
その結果、ｎ型とｎ型のへテロ接合では一般的にオーミ
ックなｍ圧−電流特性が得られたが、ｐ型とｐ型の組合
せでは、オーミックなα圧・電流特性は限られた範囲の
組成でのみ得られた。同６度ツキ、ヤ・リア、濃度のｐ
−ＧａＡｓ とｐ Ｉ ｎ ｓ ｘ ｙ Ｕ ａ
ｘＡ７ Ｆからなるペテロ接合においてオーミックな
電圧電流特性が得られる組成Ｘの範囲は、０≦Ｘ ＜
０．４であった。ここで、ｐ−ＧａＡｓとｐ−４ｎＧａ
ＡＬＰのキャリア濃度のうち一方のみを増加させた場合
には、オーミックな電圧・電流特性が得られる組成範囲
はほとんど変化しなかった。又％ ｐ−Ｇａ１ 、Ａｌ
ｙＡｓとｐ−ＩｎＧａＡＩＰとノへテロ接合の場合にも
、０≦ｙ＜ｏ、ｘの範囲ではほぼ同様の結果が得られた
。
ックなｍ圧−電流特性が得られたが、ｐ型とｐ型の組合
せでは、オーミックなα圧・電流特性は限られた範囲の
組成でのみ得られた。同６度ツキ、ヤ・リア、濃度のｐ
−ＧａＡｓ とｐ Ｉ ｎ ｓ ｘ ｙ Ｕ ａ
ｘＡ７ Ｆからなるペテロ接合においてオーミックな
電圧電流特性が得られる組成Ｘの範囲は、０≦Ｘ ＜
０．４であった。ここで、ｐ−ＧａＡｓとｐ−４ｎＧａ
ＡＬＰのキャリア濃度のうち一方のみを増加させた場合
には、オーミックな電圧・電流特性が得られる組成範囲
はほとんど変化しなかった。又％ ｐ−Ｇａ１ 、Ａｌ
ｙＡｓとｐ−ＩｎＧａＡＩＰとノへテロ接合の場合にも
、０≦ｙ＜ｏ、ｘの範囲ではほぼ同様の結果が得られた
。
又、Ｉ ｎＧａＡＩＰ系とＩｎＧａＡｌ系ノへテロ接合
では、ｐｍＴｎ型のいずれのへテロ接合でもオーミック
な接触が得られた。これらのＧａＡｌＡｓとＩｎＧａ
ＡＩＰとのへテロ接合における非オーミツク性はＧａＡ
ｌＡｓと１ｎＧａＡＡＰとのへゾロ接合界面における非
常に大きな価電子帯のバンド不連続に起因したものと考
えられる。
では、ｐｍＴｎ型のいずれのへテロ接合でもオーミック
な接触が得られた。これらのＧａＡｌＡｓとＩｎＧａ
ＡＩＰとのへテロ接合における非オーミツク性はＧａＡ
ｌＡｓと１ｎＧａＡＡＰとのへゾロ接合界面における非
常に大きな価電子帯のバンド不連続に起因したものと考
えられる。
すなわち、本発明はダブルヘテロ接合構造部のｐ型りラ
ッドＩ−上にストライブ状のｐ−ＩｎＧａＡＡＰ中間コ
ンタクト層を形成し、さらにこれらの上にＰ−ＧａＡｉ
Ａｓコンタクト層を形成し、ｐ中間コンタクト層をｐク
ラッド層とｐコンタクト層の両者に対してオーミックな
接触が得られるＩｎ Ｇａｘｌ −Ｘ −）／ Ａｌ ｙ Ｐ （０≦ｘ ＜ Ｏ−４）とし、 ｐ９
５ ｙ トＡ５ ヲ：ｌ ンタクト層とオーミックな接
触が得られないＩｎ １−、 、ＧａｘＡＡ！ｙＰ （
０，４＜Ｙ ）とすることにより、Ｐクラッド層と中間
コンタクト層、中間コンタクト層とコンタクト層のスト
ライプ状の接合部においてオーミックな接触、他の部分
においては非オーミツクな接触を実現し、中間コンタク
ト層を介してのみ電流を流すことにより、ｐ型半導体材
料のみの組合せにより電流挟挿を行なわせたものである
。
ッドＩ−上にストライブ状のｐ−ＩｎＧａＡＡＰ中間コ
ンタクト層を形成し、さらにこれらの上にＰ−ＧａＡｉ
Ａｓコンタクト層を形成し、ｐ中間コンタクト層をｐク
ラッド層とｐコンタクト層の両者に対してオーミックな
接触が得られるＩｎ Ｇａｘｌ −Ｘ −）／ Ａｌ ｙ Ｐ （０≦ｘ ＜ Ｏ−４）とし、 ｐ９
５ ｙ トＡ５ ヲ：ｌ ンタクト層とオーミックな接
触が得られないＩｎ １−、 、ＧａｘＡＡ！ｙＰ （
０，４＜Ｙ ）とすることにより、Ｐクラッド層と中間
コンタクト層、中間コンタクト層とコンタクト層のスト
ライプ状の接合部においてオーミックな接触、他の部分
においては非オーミツクな接触を実現し、中間コンタク
ト層を介してのみ電流を流すことにより、ｐ型半導体材
料のみの組合せにより電流挟挿を行なわせたものである
。
（作用）
本発明によれば、！流通路と光導波部分ｌこ再成長層を
含まないために優れた信頼性と動作特性を有する半導体
レーザが選択的再成長を行なうことなく作製可能であり
、特にＩｎＧａＡ／Ｐを材料とした安価な可視半導体レ
ーザ作製に極めて有効である。
含まないために優れた信頼性と動作特性を有する半導体
レーザが選択的再成長を行なうことなく作製可能であり
、特にＩｎＧａＡ／Ｐを材料とした安価な可視半導体レ
ーザ作製に極めて有効である。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は１本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概
略構造を示す断面図である。図中１）はｎ−ＧａＡｓ基
板であり、この基板１）上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層
１２及びｎ−ＩｎＧａＰバッファ層１３が形成されてい
る。バッファ層１３上にはｎ−ＩｎＡＡＰクラッド層１
４、ＩｎＧａＰ活性層１５及びｐ−ＩｎＡＪＰクラッド
層１６からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されてい
る。また、クラッド層１７はストライプ状に加工されて
おり、これによりｐクラッド層にストライプ状リブが形
成されている。
略構造を示す断面図である。図中１）はｎ−ＧａＡｓ基
板であり、この基板１）上にはｎ−ＧａＡｓバッファ層
１２及びｎ−ＩｎＧａＰバッファ層１３が形成されてい
る。バッファ層１３上にはｎ−ＩｎＡＡＰクラッド層１
４、ＩｎＧａＰ活性層１５及びｐ−ＩｎＡＪＰクラッド
層１６からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されてい
る。また、クラッド層１７はストライプ状に加工されて
おり、これによりｐクラッド層にストライプ状リブが形
成されている。
クラッド層１７上には、ｐ−ＩｎＧａＰコンタクト層１
８が形成されている。コンタクト層１８及びクラッド層
１７上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１９が形成され
ている。そして、コンタクト層１９の上面に金属電極２
０が被着され、基板１）の下面に金属電極２１が被着さ
れている。
８が形成されている。コンタクト層１８及びクラッド層
１７上には、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１９が形成され
ている。そして、コンタクト層１９の上面に金属電極２
０が被着され、基板１）の下面に金属電極２１が被着さ
れている。
ここで、前述のごとく、ｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層１７
とｐ−ＩｎＧａＰ中間コンタクト層、中間コンタクト層
とｐ−ＧａＡｓコンタクト層との間には抵抗の小さいオ
ーミックな接触が得られ、他のｐ−ＩｎＡ７Ｐクラッド
層とｐ−ＧａＡｓコンタクト層との間には抵抗の大きな
非オーミツクな接触が得られているので、良好な電流挟
挿が実現される。又、この構造では光導波はストライプ
状のメサに形成されたクラッド層１７により行なわれる
。
とｐ−ＩｎＧａＰ中間コンタクト層、中間コンタクト層
とｐ−ＧａＡｓコンタクト層との間には抵抗の小さいオ
ーミックな接触が得られ、他のｐ−ＩｎＡ７Ｐクラッド
層とｐ−ＧａＡｓコンタクト層との間には抵抗の大きな
非オーミツクな接触が得られているので、良好な電流挟
挿が実現される。又、この構造では光導波はストライプ
状のメサに形成されたクラッド層１７により行なわれる
。
なお、バッファ層１３はＧａＡｓ上に形成するＩｎＧａ
Ａｆｆｌ Ｐ系結晶の品質向上のためである。また、中
間コンタクト層は前述の様に、クラフト層とコンタクト
層との間にオーミックな電圧・電流特性を実現するため
であり、コンタクト層と接する部分ニテ、その組成がＩ
ｎ Ｇａ Ａ＃ Ｐ （０≦ｙくｌ−χ−ｙ
ｘ ｙ ０．４）であれば、他の部分では異なっていてもよＧ）
。
Ａｆｆｌ Ｐ系結晶の品質向上のためである。また、中
間コンタクト層は前述の様に、クラフト層とコンタクト
層との間にオーミックな電圧・電流特性を実現するため
であり、コンタクト層と接する部分ニテ、その組成がＩ
ｎ Ｇａ Ａ＃ Ｐ （０≦ｙくｌ−χ−ｙ
ｘ ｙ ０．４）であれば、他の部分では異なっていてもよＧ）
。
次に、上記構成の半導体レーザの製造方法について説明
する。
する。
第２図は（ａ）〜（Ｃ）は実施例レーザの製造工程を示
す断面図である。まず、ＭＯＣＶＤ法により第２図（ａ
）ｌこ示す如く面方位（１００）のｎ −Ｇ ａＡ ｓ
基板１）（Ｓｉドープ＋ ３Ｘ１０１８ａｎ−３）上に
厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓ第１バツフｙ ／Ｖ １
２ （Ｓ ｉ ドープ、ｌＸｌ０”ｃ１ｒＬ’）、厚さ
０．５μｍのｎ−ＩｎＧａＰ第２バツフア１３１３ （
８ｉドープ、ｌＸｌ０”ｃｍ ”）、厚さ１．０μｒｎ
のｎ Ｉｎｏ、５Ａｌｏ、ｓＰ第１クラッド層１３（Ｓ
ｉドープＩＸＩ Ｏ”ｃｒｎ−” ） ＊厚さ０．０７
／ｊｍのＩ ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｐ活性層１
５、厚さ１．０μｍのｐ −Ｉ ｎ ０．５Ａｌ ０．
５ Ｆ第２クラッド層１６（Ｍｇドープ、 ＩＸＩ Ｏ
１８ｃｍ−３）、厚さ０．１μｍのｐ−Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｐ中間コンタクト層（Ｊ’ドープ＊
ＩＸＩ Ｏ”ｃｒｎ−” ）を順次成長してダブＷヘ
テロウェハを形成した。続いて、キャップ層上に写真蝕
刻により幅５μｍのストライプ状マスクを形成した。
す断面図である。まず、ＭＯＣＶＤ法により第２図（ａ
）ｌこ示す如く面方位（１００）のｎ −Ｇ ａＡ ｓ
基板１）（Ｓｉドープ＋ ３Ｘ１０１８ａｎ−３）上に
厚さ０．５μｍのｎ−ＧａＡｓ第１バツフｙ ／Ｖ １
２ （Ｓ ｉ ドープ、ｌＸｌ０”ｃ１ｒＬ’）、厚さ
０．５μｍのｎ−ＩｎＧａＰ第２バツフア１３１３ （
８ｉドープ、ｌＸｌ０”ｃｍ ”）、厚さ１．０μｒｎ
のｎ Ｉｎｏ、５Ａｌｏ、ｓＰ第１クラッド層１３（Ｓ
ｉドープＩＸＩ Ｏ”ｃｒｎ−” ） ＊厚さ０．０７
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５、厚さ１．０μｍのｐ −Ｉ ｎ ０．５Ａｌ ０．
５ Ｆ第２クラッド層１６（Ｍｇドープ、 ＩＸＩ Ｏ
１８ｃｍ−３）、厚さ０．１μｍのｐ−Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｐ中間コンタクト層（Ｊ’ドープ＊
ＩＸＩ Ｏ”ｃｒｎ−” ）を順次成長してダブＷヘ
テロウェハを形成した。続いて、キャップ層上に写真蝕
刻により幅５μｍのストライプ状マスクを形成した。
次いで、第２図中）に示す如く、ストライプ状マスクを
用い、臭化水素酸と臭素と水の混合液により工ｎＧａＰ
中間コンタクトＩ６をエツチングしてストライプ状の中
間コンタクト層を形成した。
用い、臭化水素酸と臭素と水の混合液により工ｎＧａＰ
中間コンタクトＩ６をエツチングしてストライプ状の中
間コンタクト層を形成した。
次１）ｚＮテ、第２図（Ｃ） ニ示す如く、Ｉ ｎＧａ
Ａ１）Ｐ用選択エッチャントにより、ＩｎＧａＰストラ
イプ状コンタクト層をマスクとして、第２クラクド層を
途中までエツチングして、ストライプ状メサを形成した
。ここで、ＩｎＧａＡＪＰ用選択エッチャントは硫酸或
いは燐酸であり１５〜１３０℃の温度にて使用した。
Ａ１）Ｐ用選択エッチャントにより、ＩｎＧａＰストラ
イプ状コンタクト層をマスクとして、第２クラクド層を
途中までエツチングして、ストライプ状メサを形成した
。ここで、ＩｎＧａＡＪＰ用選択エッチャントは硫酸或
いは燐酸であり１５〜１３０℃の温度にて使用した。
次いで、ストライブ状マスクを除去した後、燐の水素化
物とＩｎの有機化合物を成長室に供給して燐とＩｎ０）
蒸気雰囲気中にてウェハを８００℃程度に加熱保持する
ことにより、表面酸化膜を除去した後、第２図（ｄ）に
示す如（ＭＯＣＶＤ法により全面にｐ−ＧａＡｓＤ：／
タクト層（Ｊ’ ｌ’−プ、１×１０１８ｃ！！を−３
を厚さ３μｍ成長した。
物とＩｎの有機化合物を成長室に供給して燐とＩｎ０）
蒸気雰囲気中にてウェハを８００℃程度に加熱保持する
ことにより、表面酸化膜を除去した後、第２図（ｄ）に
示す如（ＭＯＣＶＤ法により全面にｐ−ＧａＡｓＤ：／
タクト層（Ｊ’ ｌ’−プ、１×１０１８ｃ！！を−３
を厚さ３μｍ成長した。
その後、通常の電極性は工程により、コンタクト層上に
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ電極を、基板の下面にＡｕ／Ｇｅ′
イ極を被着することにより、前記第１図に示す構造のレ
ーザ用ウェハを得た。
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ電極を、基板の下面にＡｕ／Ｇｅ′
イ極を被着することにより、前記第１図に示す構造のレ
ーザ用ウェハを得た。
かくして得られたウェハをへ音間して、共振器長２５０
μｍのレーザ素子を作製したところ、閾値電流９ＱｍＡ
、微分検子効率片面当り２０％と良好な特性が得られた
。光出力は駆＠電流に従って１０ｍＷ以上まで直線的に
増大し、キンクのない良好な電流−光出力特性を示した
。また、遠視野像、近視野像共に単峰であり、良好なモ
ード制御が行われていることがわかる。
μｍのレーザ素子を作製したところ、閾値電流９ＱｍＡ
、微分検子効率片面当り２０％と良好な特性が得られた
。光出力は駆＠電流に従って１０ｍＷ以上まで直線的に
増大し、キンクのない良好な電流−光出力特性を示した
。また、遠視野像、近視野像共に単峰であり、良好なモ
ード制御が行われていることがわかる。
このように、本実施例によれば１選択成長等の特別な手
法を用いることなく、ＩｎＧａＡｌＰを材料として使用
した電流挟挿構造き光導波構造を有する可視半導体レー
ザを容易に作製可能であり、その有用性は絶大である。
法を用いることなく、ＩｎＧａＡｌＰを材料として使用
した電流挟挿構造き光導波構造を有する可視半導体レー
ザを容易に作製可能であり、その有用性は絶大である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、ダブルヘラロ構造をＩｎＧａＡＩＰにて構
成してもよいし、中間コンタクト層にＩｎ１−ｘ、Ｇａ
ｘＡｎ、Ｐ（ｏ≦ｙ＜０．４）を使用してもよい。又、
コンタクト層にＧ ａ Ａ ＩＡ ｓを使用してもよい
。
い。例えば、ダブルヘラロ構造をＩｎＧａＡＩＰにて構
成してもよいし、中間コンタクト層にＩｎ１−ｘ、Ｇａ
ｘＡｎ、Ｐ（ｏ≦ｙ＜０．４）を使用してもよい。又、
コンタクト層にＧ ａ Ａ ＩＡ ｓを使用してもよい
。
また、本発明は、大きなバンド不連続を有する材料の組
み合せならば、実施例で述べた以外の材料を利用したレ
ーザにも同様に適用することができる。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できる。
み合せならば、実施例で述べた以外の材料を利用したレ
ーザにも同様に適用することができる。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できる。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明によれば、電流１５１）止層
を用いることなく電流挟挿が行えるので、電渾阻止層を
光導波路と整合して形成するための複雑な工程を省略す
ることができ１％にＩｎＧａＡｌＰｎＧａＡｌ用した電
流挟挿効果と光導波効果を有する可視半導体レーザを簡
単に作製可能である。
を用いることなく電流挟挿が行えるので、電渾阻止層を
光導波路と整合して形成するための複雑な工程を省略す
ることができ１％にＩｎＧａＡｌＰｎＧａＡｌ用した電
流挟挿効果と光導波効果を有する可視半導体レーザを簡
単に作製可能である。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの素子
構造を示す断面図、第２図は上記実施例レーザの製造工
程を示す断面図％第３図は従来の半導体レーザの素子構
造を示す断面図である。 １）−・ｎ−ＧａＡｓ基板、Ｓ ２ ＝−ｎ−ＧａＡｓ
ハｙ ７ ｙ層、 １３− ｎ ＩｎＧａＰ ハラ
７ ｙ層、１４−ｎ−ＩｎｋｌＰクラッド層、１５・・
・ＩｎＧａＰ活性層、１６・・・ｐ−ＩｎＡＡ’Ｐクラ
ッド層、１７−ｐ−ＩｎＧａＰ中間コンタクト層、１８
・・・ｐ−（）ａＡｓコンタクト層、１９゜２０・・・
電極、２１・・・マスク、 ３０１，３１０・・・Ｍ
ｊＬ極、３０２− ｎ −Ｇ ａＡ ｓ基板、３０３−
ＧａＡｓバッファ層、３０４ ・・・ｎ Ｉ ｎ ｏ
、ｓ Ｇ ａ ｏ、２ｓＡｌ ｏ、２ｓ Ｐクララ ド
層、３０５°゛Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｐ活
性層１３０６°”ｐ”０．５”０．２５Ａｌｏ、２５Ｐ
クラッド１ｍ、３０７− ｐＧａＡｓ ４＋ ｙプ層ｓ
３０８ ・−ｎ−ＧａＡｓブｏｙり層、３０９−ｐ
−ＧａＡｓフンタクトＩ響。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第１図 第２図 第８図
構造を示す断面図、第２図は上記実施例レーザの製造工
程を示す断面図％第３図は従来の半導体レーザの素子構
造を示す断面図である。 １）−・ｎ−ＧａＡｓ基板、Ｓ ２ ＝−ｎ−ＧａＡｓ
ハｙ ７ ｙ層、 １３− ｎ ＩｎＧａＰ ハラ
７ ｙ層、１４−ｎ−ＩｎｋｌＰクラッド層、１５・・
・ＩｎＧａＰ活性層、１６・・・ｐ−ＩｎＡＡ’Ｐクラ
ッド層、１７−ｐ−ＩｎＧａＰ中間コンタクト層、１８
・・・ｐ−（）ａＡｓコンタクト層、１９゜２０・・・
電極、２１・・・マスク、 ３０１，３１０・・・Ｍ
ｊＬ極、３０２− ｎ −Ｇ ａＡ ｓ基板、３０３−
ＧａＡｓバッファ層、３０４ ・・・ｎ Ｉ ｎ ｏ
、ｓ Ｇ ａ ｏ、２ｓＡｌ ｏ、２ｓ Ｐクララ ド
層、３０５°゛Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｐ活
性層１３０６°”ｐ”０．５”０．２５Ａｌｏ、２５Ｐ
クラッド１ｍ、３０７− ｐＧａＡｓ ４＋ ｙプ層ｓ
３０８ ・−ｎ−ＧａＡｓブｏｙり層、３０９−ｐ
−ＧａＡｓフンタクトＩ響。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第１図 第２図 第８図
Claims (6)
- （１）半導体基板と第１導電型クラッド層、活性層、第
２導電型クラッド層からなり、上記半導体基板上に形成
されたダブルヘテロ接合構造部と、前記第２導電型クラ
ッド層上に形成されたストライプ状第２導電型第１コン
タクト層と、前記第２導電型クラッド層及び前記第１コ
ンタクト層上に形成された第２導電型第２コンタクト層
とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）前記第１コンタクト層は、前記第２導電型クラッ
ド層よりもバンドギャップが小さく、前記第２コンタク
ト層よりもバンドギャップが大きい、少なくとも一層の
半導体層を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ装置。 - （３）前記第１コンタクト層は、前記第２コンタクト層
に近い方でそのバンドギャップが小さく、前記第２導電
型クラッド層に近い方でそのバンドギャップが大きく、
且つその間でバンドギャップが徐々に変化するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体
レーザ装置。 - （４）前記第２導電型がｐ型であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項又は第３項記載の半導体レーザ装置
。 - （５）前記基板がＧａＡｓ、前記第２導電型クラッド層
が Ｉｎ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＧａ＿ｘＡｌ＿ｙＰ（０．４
＜ｙ）、前記第１コンタクト層が Ｉｎ＿１＿−＿ｐ＿−＿ｑＧａ＿ｐＡｌ＿ｑＰ（ｑ＜０
．４）、前記第２コンタクト層がＧａＡｌＡｓであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体レー
ザ装置。 - （６）インジウムとアルミニウムと燐を同時に含む化合
物半導体材料上に、有機金属を原料として用いる気相成
長法により半導体材料を再成長する工程を含み、この工
程においてインジウムの有機金属蒸気と燐の蒸気を含む
雰囲気中にて加熱することにより前記化合物半導体材料
の表面を清浄化することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225842A JP2659937B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
| EP87307041A EP0259026B1 (en) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Double-heterostructure semiconductor laser with mesa stripe waveguide |
| DE3789695T DE3789695T2 (de) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Doppelheterostruktur-Halbleiterlaser mit streifenförmigem Mesa-Wellenleiter. |
| US07/083,189 US4809287A (en) | 1986-08-08 | 1987-08-10 | Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide |
| US07/279,816 US4949349A (en) | 1986-08-08 | 1988-12-05 | Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61225842A JP2659937B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381884A true JPS6381884A (ja) | 1988-04-12 |
| JP2659937B2 JP2659937B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16835677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61225842A Expired - Lifetime JP2659937B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2659937B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0454476A2 (en) | 1990-04-26 | 1991-10-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same |
| US5105432A (en) * | 1989-09-18 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5177757A (en) * | 1990-06-18 | 1993-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| US5192711A (en) * | 1989-09-18 | 1993-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
| US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
| EP0865126A2 (en) * | 1997-03-11 | 1998-09-16 | SHARP Corporation | Method for producing semiconductor device |
| JP2003101066A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6849473B2 (en) | 2000-04-21 | 2005-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057988A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61225842A patent/JP2659937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057988A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5105432A (en) * | 1989-09-18 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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| EP0454476A2 (en) | 1990-04-26 | 1991-10-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same |
| US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
| US5177757A (en) * | 1990-06-18 | 1993-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
| EP0865126A2 (en) * | 1997-03-11 | 1998-09-16 | SHARP Corporation | Method for producing semiconductor device |
| EP0865126A3 (en) * | 1997-03-11 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor device |
| US6849473B2 (en) | 2000-04-21 | 2005-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing thereof |
| JP2003101066A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2659937B2 (ja) | 1997-09-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |