JPS6381884A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6381884A JPS6381884A JP22584286A JP22584286A JPS6381884A JP S6381884 A JPS6381884 A JP S6381884A JP 22584286 A JP22584286 A JP 22584286A JP 22584286 A JP22584286 A JP 22584286A JP S6381884 A JPS6381884 A JP S6381884A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、電流狭搾効果と、光導波効果を有する半導体
レーザに係わり、特(こInGaAlP系半導体を材料
とした可視半導体レーザ装置とその製造方法に関す乙。
レーザに係わり、特(こInGaAlP系半導体を材料
とした可視半導体レーザ装置とその製造方法に関す乙。
(従来の技術)
近年、G a A s基板上に有機金r4を用いた化学
気相成長法(以下、MOCVD法と略記する)により形
成したInGaAIIPを使用したOT視半導体レーザ
が注目されている。
気相成長法(以下、MOCVD法と略記する)により形
成したInGaAIIPを使用したOT視半導体レーザ
が注目されている。
段差を形lr’y、 した基板上にiM、0cVD法に
よりInGaAlPを積層することはきわめて国籍であ
るので、成流狭搾と光導波ytJ来を有する半導体レー
ザを作製する場合には、第3図に示す断面の素子構造が
採用される。
よりInGaAlPを積層することはきわめて国籍であ
るので、成流狭搾と光導波ytJ来を有する半導体レー
ザを作製する場合には、第3図に示す断面の素子構造が
採用される。
この断面構造の素子は、MOCVD法による選択的成長
を利用して自己整合的に可流狭搾構造と光導波(、“4
造を形成することにより作製したものである。
を利用して自己整合的に可流狭搾構造と光導波(、“4
造を形成することにより作製したものである。
図中302はn−GaAs基板、303はn−GaAs
バッファ層、304はn −I n O,5Ga O,
25AlO,25Pクラッド層、305はI n 0.
5Ga Q、5 P活性層、306はP−I n 0.
5Ga O,25Al O,25Pクラッド層% 30
7はp=G a A sキ+yプ層、308はn−Ga
Asブo、り層、309はp −GaAs :yクラッ
ド層、301,310は電極である。この構造の素子は
、比較的良好な性能を有するが%製造工程として電流狭
搾層を選択的成長により自己整合的に形成するための減
圧下での第1回目の再成長、コン多りト層を形成するた
めの第2回目の再成長を必要とするため%製造工程が複
雑であり、生産性がよくないという欠点を有している。
バッファ層、304はn −I n O,5Ga O,
25AlO,25Pクラッド層、305はI n 0.
5Ga Q、5 P活性層、306はP−I n 0.
5Ga O,25Al O,25Pクラッド層% 30
7はp=G a A sキ+yプ層、308はn−Ga
Asブo、り層、309はp −GaAs :yクラッ
ド層、301,310は電極である。この構造の素子は
、比較的良好な性能を有するが%製造工程として電流狭
搾層を選択的成長により自己整合的に形成するための減
圧下での第1回目の再成長、コン多りト層を形成するた
めの第2回目の再成長を必要とするため%製造工程が複
雑であり、生産性がよくないという欠点を有している。
(発明が解決しようとする問題点)
上記のように、従来装置では選択的再成長、又は複数回
の母成長を製造工程として必要とするために、生産性の
低下を招いていた。
の母成長を製造工程として必要とするために、生産性の
低下を招いていた。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、そ
の目的とするところはInGaAlPを材料とした良好
な特性を有する安価な可視半導体レーザを提供すること
にある。
の目的とするところはInGaAlPを材料とした良好
な特性を有する安価な可視半導体レーザを提供すること
にある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、電流阻止を従来使用されてきたように
p−n接合の逆方向の電圧a光特性によるのではなく、
クラッド層とコンタクト層とのヘラロ接合界面でのバン
ド不連続による障壁を利用しで実現することにより、従
来使用されてきた電流阻止層の削除に成功したことにあ
る。
p−n接合の逆方向の電圧a光特性によるのではなく、
クラッド層とコンタクト層とのヘラロ接合界面でのバン
ド不連続による障壁を利用しで実現することにより、従
来使用されてきた電流阻止層の削除に成功したことにあ
る。
本発明者らは、GaAs基板上に形成した種々の組成を
有するIn Ga AlyP上ニGaAsを再1
−X−3’ X 成長し、ヘテロ界面を流れる電流の電圧電流特性を、い
ろいろな電導型の組合せについて調べた。
有するIn Ga AlyP上ニGaAsを再1
−X−3’ X 成長し、ヘテロ界面を流れる電流の電圧電流特性を、い
ろいろな電導型の組合せについて調べた。
その結果、n型とn型のへテロ接合では一般的にオーミ
ックなm圧−電流特性が得られたが、p型とp型の組合
せでは、オーミックなα圧・電流特性は限られた範囲の
組成でのみ得られた。同6度ツキ、ヤ・リア、濃度のp
−GaAs とp I n s x y U a
xA7 Fからなるペテロ接合においてオーミックな
電圧電流特性が得られる組成Xの範囲は、0≦X <
0.4であった。ここで、p−GaAsとp−4nGa
ALPのキャリア濃度のうち一方のみを増加させた場合
には、オーミックな電圧・電流特性が得られる組成範囲
はほとんど変化しなかった。又% p−Ga1 、Al
yAsとp−InGaAIPとノへテロ接合の場合にも
、0≦y<o、xの範囲ではほぼ同様の結果が得られた
。
ックなm圧−電流特性が得られたが、p型とp型の組合
せでは、オーミックなα圧・電流特性は限られた範囲の
組成でのみ得られた。同6度ツキ、ヤ・リア、濃度のp
−GaAs とp I n s x y U a
xA7 Fからなるペテロ接合においてオーミックな
電圧電流特性が得られる組成Xの範囲は、0≦X <
0.4であった。ここで、p−GaAsとp−4nGa
ALPのキャリア濃度のうち一方のみを増加させた場合
には、オーミックな電圧・電流特性が得られる組成範囲
はほとんど変化しなかった。又% p−Ga1 、Al
yAsとp−InGaAIPとノへテロ接合の場合にも
、0≦y<o、xの範囲ではほぼ同様の結果が得られた
。
又、I nGaAIP系とInGaAl系ノへテロ接合
では、pmTn型のいずれのへテロ接合でもオーミック
な接触が得られた。これらのGaAlAsとInGa
AIPとのへテロ接合における非オーミツク性はGaA
lAsと1nGaAAPとのへゾロ接合界面における非
常に大きな価電子帯のバンド不連続に起因したものと考
えられる。
では、pmTn型のいずれのへテロ接合でもオーミック
な接触が得られた。これらのGaAlAsとInGa
AIPとのへテロ接合における非オーミツク性はGaA
lAsと1nGaAAPとのへゾロ接合界面における非
常に大きな価電子帯のバンド不連続に起因したものと考
えられる。
すなわち、本発明はダブルヘテロ接合構造部のp型りラ
ッドI−上にストライブ状のp−InGaAAP中間コ
ンタクト層を形成し、さらにこれらの上にP−GaAi
Asコンタクト層を形成し、p中間コンタクト層をpク
ラッド層とpコンタクト層の両者に対してオーミックな
接触が得られるIn Gaxl −X −)/ Al y P (0≦x < O−4)とし、 p9
5 y トA5 ヲ:l ンタクト層とオーミックな接
触が得られないIn 1−、 、GaxAA!yP (
0,4<Y )とすることにより、Pクラッド層と中間
コンタクト層、中間コンタクト層とコンタクト層のスト
ライプ状の接合部においてオーミックな接触、他の部分
においては非オーミツクな接触を実現し、中間コンタク
ト層を介してのみ電流を流すことにより、p型半導体材
料のみの組合せにより電流挟挿を行なわせたものである
。
ッドI−上にストライブ状のp−InGaAAP中間コ
ンタクト層を形成し、さらにこれらの上にP−GaAi
Asコンタクト層を形成し、p中間コンタクト層をpク
ラッド層とpコンタクト層の両者に対してオーミックな
接触が得られるIn Gaxl −X −)/ Al y P (0≦x < O−4)とし、 p9
5 y トA5 ヲ:l ンタクト層とオーミックな接
触が得られないIn 1−、 、GaxAA!yP (
0,4<Y )とすることにより、Pクラッド層と中間
コンタクト層、中間コンタクト層とコンタクト層のスト
ライプ状の接合部においてオーミックな接触、他の部分
においては非オーミツクな接触を実現し、中間コンタク
ト層を介してのみ電流を流すことにより、p型半導体材
料のみの組合せにより電流挟挿を行なわせたものである
。
(作用)
本発明によれば、!流通路と光導波部分lこ再成長層を
含まないために優れた信頼性と動作特性を有する半導体
レーザが選択的再成長を行なうことなく作製可能であり
、特にInGaA/Pを材料とした安価な可視半導体レ
ーザ作製に極めて有効である。
含まないために優れた信頼性と動作特性を有する半導体
レーザが選択的再成長を行なうことなく作製可能であり
、特にInGaA/Pを材料とした安価な可視半導体レ
ーザ作製に極めて有効である。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は1本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概
略構造を示す断面図である。図中1)はn−GaAs基
板であり、この基板1)上にはn−GaAsバッファ層
12及びn−InGaPバッファ層13が形成されてい
る。バッファ層13上にはn−InAAPクラッド層1
4、InGaP活性層15及びp−InAJPクラッド
層16からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されてい
る。また、クラッド層17はストライプ状に加工されて
おり、これによりpクラッド層にストライプ状リブが形
成されている。
略構造を示す断面図である。図中1)はn−GaAs基
板であり、この基板1)上にはn−GaAsバッファ層
12及びn−InGaPバッファ層13が形成されてい
る。バッファ層13上にはn−InAAPクラッド層1
4、InGaP活性層15及びp−InAJPクラッド
層16からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されてい
る。また、クラッド層17はストライプ状に加工されて
おり、これによりpクラッド層にストライプ状リブが形
成されている。
クラッド層17上には、p−InGaPコンタクト層1
8が形成されている。コンタクト層18及びクラッド層
17上には、p−GaAsコンタクト層19が形成され
ている。そして、コンタクト層19の上面に金属電極2
0が被着され、基板1)の下面に金属電極21が被着さ
れている。
8が形成されている。コンタクト層18及びクラッド層
17上には、p−GaAsコンタクト層19が形成され
ている。そして、コンタクト層19の上面に金属電極2
0が被着され、基板1)の下面に金属電極21が被着さ
れている。
ここで、前述のごとく、p−InAlPクラッド層17
とp−InGaP中間コンタクト層、中間コンタクト層
とp−GaAsコンタクト層との間には抵抗の小さいオ
ーミックな接触が得られ、他のp−InA7Pクラッド
層とp−GaAsコンタクト層との間には抵抗の大きな
非オーミツクな接触が得られているので、良好な電流挟
挿が実現される。又、この構造では光導波はストライプ
状のメサに形成されたクラッド層17により行なわれる
。
とp−InGaP中間コンタクト層、中間コンタクト層
とp−GaAsコンタクト層との間には抵抗の小さいオ
ーミックな接触が得られ、他のp−InA7Pクラッド
層とp−GaAsコンタクト層との間には抵抗の大きな
非オーミツクな接触が得られているので、良好な電流挟
挿が実現される。又、この構造では光導波はストライプ
状のメサに形成されたクラッド層17により行なわれる
。
なお、バッファ層13はGaAs上に形成するInGa
Affl P系結晶の品質向上のためである。また、中
間コンタクト層は前述の様に、クラフト層とコンタクト
層との間にオーミックな電圧・電流特性を実現するため
であり、コンタクト層と接する部分ニテ、その組成がI
n Ga A# P (0≦yくl−χ−y
x y 0.4)であれば、他の部分では異なっていてもよG)
。
Affl P系結晶の品質向上のためである。また、中
間コンタクト層は前述の様に、クラフト層とコンタクト
層との間にオーミックな電圧・電流特性を実現するため
であり、コンタクト層と接する部分ニテ、その組成がI
n Ga A# P (0≦yくl−χ−y
x y 0.4)であれば、他の部分では異なっていてもよG)
。
次に、上記構成の半導体レーザの製造方法について説明
する。
する。
第2図は(a)〜(C)は実施例レーザの製造工程を示
す断面図である。まず、MOCVD法により第2図(a
)lこ示す如く面方位(100)のn −G aA s
基板1)(Siドープ+ 3X1018an−3)上に
厚さ0.5μmのn−GaAs第1バツフy /V 1
2 (S i ドープ、lXl0”c1rL’)、厚さ
0.5μmのn−InGaP第2バツフア1313 (
8iドープ、lXl0”cm ”)、厚さ1.0μrn
のn Ino、5Alo、sP第1クラッド層13(S
iドープIXI O”crn−” ) *厚さ0.07
/jmのI n o、s G a o、s P活性層1
5、厚さ1.0μmのp −I n 0.5Al 0.
5 F第2クラッド層16(Mgドープ、 IXI O
18cm−3)、厚さ0.1μmのp−I n o、s
G a o、s P中間コンタクト層(J’ドープ*
IXI O”crn−” )を順次成長してダブWヘ
テロウェハを形成した。続いて、キャップ層上に写真蝕
刻により幅5μmのストライプ状マスクを形成した。
す断面図である。まず、MOCVD法により第2図(a
)lこ示す如く面方位(100)のn −G aA s
基板1)(Siドープ+ 3X1018an−3)上に
厚さ0.5μmのn−GaAs第1バツフy /V 1
2 (S i ドープ、lXl0”c1rL’)、厚さ
0.5μmのn−InGaP第2バツフア1313 (
8iドープ、lXl0”cm ”)、厚さ1.0μrn
のn Ino、5Alo、sP第1クラッド層13(S
iドープIXI O”crn−” ) *厚さ0.07
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5、厚さ1.0μmのp −I n 0.5Al 0.
5 F第2クラッド層16(Mgドープ、 IXI O
18cm−3)、厚さ0.1μmのp−I n o、s
G a o、s P中間コンタクト層(J’ドープ*
IXI O”crn−” )を順次成長してダブWヘ
テロウェハを形成した。続いて、キャップ層上に写真蝕
刻により幅5μmのストライプ状マスクを形成した。
次いで、第2図中)に示す如く、ストライプ状マスクを
用い、臭化水素酸と臭素と水の混合液により工nGaP
中間コンタクトI6をエツチングしてストライプ状の中
間コンタクト層を形成した。
用い、臭化水素酸と臭素と水の混合液により工nGaP
中間コンタクトI6をエツチングしてストライプ状の中
間コンタクト層を形成した。
次1)zNテ、第2図(C) ニ示す如く、I nGa
A1)P用選択エッチャントにより、InGaPストラ
イプ状コンタクト層をマスクとして、第2クラクド層を
途中までエツチングして、ストライプ状メサを形成した
。ここで、InGaAJP用選択エッチャントは硫酸或
いは燐酸であり15〜130℃の温度にて使用した。
A1)P用選択エッチャントにより、InGaPストラ
イプ状コンタクト層をマスクとして、第2クラクド層を
途中までエツチングして、ストライプ状メサを形成した
。ここで、InGaAJP用選択エッチャントは硫酸或
いは燐酸であり15〜130℃の温度にて使用した。
次いで、ストライブ状マスクを除去した後、燐の水素化
物とInの有機化合物を成長室に供給して燐とIn0)
蒸気雰囲気中にてウェハを800℃程度に加熱保持する
ことにより、表面酸化膜を除去した後、第2図(d)に
示す如(MOCVD法により全面にp−GaAsD:/
タクト層(J’ l’−プ、1×1018c!!を−3
を厚さ3μm成長した。
物とInの有機化合物を成長室に供給して燐とIn0)
蒸気雰囲気中にてウェハを800℃程度に加熱保持する
ことにより、表面酸化膜を除去した後、第2図(d)に
示す如(MOCVD法により全面にp−GaAsD:/
タクト層(J’ l’−プ、1×1018c!!を−3
を厚さ3μm成長した。
その後、通常の電極性は工程により、コンタクト層上に
A u / Z n電極を、基板の下面にAu/Ge′
イ極を被着することにより、前記第1図に示す構造のレ
ーザ用ウェハを得た。
A u / Z n電極を、基板の下面にAu/Ge′
イ極を被着することにより、前記第1図に示す構造のレ
ーザ用ウェハを得た。
かくして得られたウェハをへ音間して、共振器長250
μmのレーザ素子を作製したところ、閾値電流9QmA
、微分検子効率片面当り20%と良好な特性が得られた
。光出力は駆@電流に従って10mW以上まで直線的に
増大し、キンクのない良好な電流−光出力特性を示した
。また、遠視野像、近視野像共に単峰であり、良好なモ
ード制御が行われていることがわかる。
μmのレーザ素子を作製したところ、閾値電流9QmA
、微分検子効率片面当り20%と良好な特性が得られた
。光出力は駆@電流に従って10mW以上まで直線的に
増大し、キンクのない良好な電流−光出力特性を示した
。また、遠視野像、近視野像共に単峰であり、良好なモ
ード制御が行われていることがわかる。
このように、本実施例によれば1選択成長等の特別な手
法を用いることなく、InGaAlPを材料として使用
した電流挟挿構造き光導波構造を有する可視半導体レー
ザを容易に作製可能であり、その有用性は絶大である。
法を用いることなく、InGaAlPを材料として使用
した電流挟挿構造き光導波構造を有する可視半導体レー
ザを容易に作製可能であり、その有用性は絶大である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、ダブルヘラロ構造をInGaAIPにて構
成してもよいし、中間コンタクト層にIn1−x、Ga
xAn、P(o≦y<0.4)を使用してもよい。又、
コンタクト層にG a A IA sを使用してもよい
。
い。例えば、ダブルヘラロ構造をInGaAIPにて構
成してもよいし、中間コンタクト層にIn1−x、Ga
xAn、P(o≦y<0.4)を使用してもよい。又、
コンタクト層にG a A IA sを使用してもよい
。
また、本発明は、大きなバンド不連続を有する材料の組
み合せならば、実施例で述べた以外の材料を利用したレ
ーザにも同様に適用することができる。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できる。
み合せならば、実施例で述べた以外の材料を利用したレ
ーザにも同様に適用することができる。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが
できる。
(発明の効果)
以上詳述したように本発明によれば、電流151)止層
を用いることなく電流挟挿が行えるので、電渾阻止層を
光導波路と整合して形成するための複雑な工程を省略す
ることができ1%にInGaAlPnGaAl用した電
流挟挿効果と光導波効果を有する可視半導体レーザを簡
単に作製可能である。
を用いることなく電流挟挿が行えるので、電渾阻止層を
光導波路と整合して形成するための複雑な工程を省略す
ることができ1%にInGaAlPnGaAl用した電
流挟挿効果と光導波効果を有する可視半導体レーザを簡
単に作製可能である。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの素子
構造を示す断面図、第2図は上記実施例レーザの製造工
程を示す断面図%第3図は従来の半導体レーザの素子構
造を示す断面図である。 1)−・n−GaAs基板、S 2 =−n−GaAs
ハy 7 y層、 13− n InGaP ハラ
7 y層、14−n−InklPクラッド層、15・・
・InGaP活性層、16・・・p−InAA’Pクラ
ッド層、17−p−InGaP中間コンタクト層、18
・・・p−()aAsコンタクト層、19゜20・・・
電極、21・・・マスク、 301,310・・・M
jL極、302− n −G aA s基板、303−
GaAsバッファ層、304 ・・・n I n o
、s G a o、2sAl o、2s Pクララ ド
層、305°゛I n o、s G a o、s P活
性層1306°”p”0.5”0.25Alo、25P
クラッド1m、307− pGaAs 4+ yプ層s
308 ・−n−GaAsブoyり層、309−p
−GaAsフンタクトI響。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第1図 第2図 第8図
構造を示す断面図、第2図は上記実施例レーザの製造工
程を示す断面図%第3図は従来の半導体レーザの素子構
造を示す断面図である。 1)−・n−GaAs基板、S 2 =−n−GaAs
ハy 7 y層、 13− n InGaP ハラ
7 y層、14−n−InklPクラッド層、15・・
・InGaP活性層、16・・・p−InAA’Pクラ
ッド層、17−p−InGaP中間コンタクト層、18
・・・p−()aAsコンタクト層、19゜20・・・
電極、21・・・マスク、 301,310・・・M
jL極、302− n −G aA s基板、303−
GaAsバッファ層、304 ・・・n I n o
、s G a o、2sAl o、2s Pクララ ド
層、305°゛I n o、s G a o、s P活
性層1306°”p”0.5”0.25Alo、25P
クラッド1m、307− pGaAs 4+ yプ層s
308 ・−n−GaAsブoyり層、309−p
−GaAsフンタクトI響。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 第1図 第2図 第8図
Claims (6)
- (1)半導体基板と第1導電型クラッド層、活性層、第
2導電型クラッド層からなり、上記半導体基板上に形成
されたダブルヘテロ接合構造部と、前記第2導電型クラ
ッド層上に形成されたストライプ状第2導電型第1コン
タクト層と、前記第2導電型クラッド層及び前記第1コ
ンタクト層上に形成された第2導電型第2コンタクト層
とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - (2)前記第1コンタクト層は、前記第2導電型クラッ
ド層よりもバンドギャップが小さく、前記第2コンタク
ト層よりもバンドギャップが大きい、少なくとも一層の
半導体層を含むことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体レーザ装置。 - (3)前記第1コンタクト層は、前記第2コンタクト層
に近い方でそのバンドギャップが小さく、前記第2導電
型クラッド層に近い方でそのバンドギャップが大きく、
且つその間でバンドギャップが徐々に変化するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体
レーザ装置。 - (4)前記第2導電型がp型であることを特徴とする特
許請求の範囲第2項又は第3項記載の半導体レーザ装置
。 - (5)前記基板がGaAs、前記第2導電型クラッド層
が In_1_−_x_−_yGa_xAl_yP(0.4
<y)、前記第1コンタクト層が In_1_−_p_−_qGa_pAl_qP(q<0
.4)、前記第2コンタクト層がGaAlAsであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の半導体レー
ザ装置。 - (6)インジウムとアルミニウムと燐を同時に含む化合
物半導体材料上に、有機金属を原料として用いる気相成
長法により半導体材料を再成長する工程を含み、この工
程においてインジウムの有機金属蒸気と燐の蒸気を含む
雰囲気中にて加熱することにより前記化合物半導体材料
の表面を清浄化することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61225842A JP2659937B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
EP87307041A EP0259026B1 (en) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Double-heterostructure semiconductor laser with mesa stripe waveguide |
DE3789695T DE3789695T2 (de) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Doppelheterostruktur-Halbleiterlaser mit streifenförmigem Mesa-Wellenleiter. |
US07/083,189 US4809287A (en) | 1986-08-08 | 1987-08-10 | Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide |
US07/279,816 US4949349A (en) | 1986-08-08 | 1988-12-05 | Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61225842A JP2659937B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6381884A true JPS6381884A (ja) | 1988-04-12 |
JP2659937B2 JP2659937B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16835677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61225842A Expired - Lifetime JP2659937B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-09-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2659937B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0454476A2 (en) | 1990-04-26 | 1991-10-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing the same |
US5105432A (en) * | 1989-09-18 | 1992-04-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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US5192711A (en) * | 1989-09-18 | 1993-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
US5202285A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure and method of producing same |
US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
EP0865126A2 (en) * | 1997-03-11 | 1998-09-16 | SHARP Corporation | Method for producing semiconductor device |
JP2003101066A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US6849473B2 (en) | 2000-04-21 | 2005-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057988A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61225842A patent/JP2659937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6174382A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0865126A3 (en) * | 1997-03-11 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor device |
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JP2003101066A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2659937B2 (ja) | 1997-09-30 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |