JPS6378339A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録層として強磁性金属薄膜を有
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
する磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の技術
近年、高密度磁気記録層として、Co−Niの斜め蒸着
膜や、垂直方向に磁化できるCo−Crスパッタ膜等の
強磁性金属薄膜が実用化に向は検討されている。
膜や、垂直方向に磁化できるCo−Crスパッタ膜等の
強磁性金属薄膜が実用化に向は検討されている。
特に、垂直磁気記録方式は、今後の高密度化に重要な技
術として注目されている〔外国論文誌:アイイーイーイ
ー トランザクションズ オンマクネfイクス(IEE
E TRANSACTIONSON MAGNETI
C3)Vol、MAG−13、Ji5p、p、1272
〜1277(19了7)〕。
術として注目されている〔外国論文誌:アイイーイーイ
ー トランザクションズ オンマクネfイクス(IEE
E TRANSACTIONSON MAGNETI
C3)Vol、MAG−13、Ji5p、p、1272
〜1277(19了7)〕。
垂直記録では媒体面に垂直な反平行磁化転移を形成させ
るので、磁化転移が極めて狭いものとなり、高密度の記
録が可能になるが、この方式の実現には、垂直異方性を
有する媒体の使用が不可欠で、耐久性のある信号出力対
雑音比(以下C/Nと記す)の大きな媒体が量産規模で
得られることが鍵といえる〔応用磁気セミナ、″′垂直
磁気記録方式゛″(so年12月)〕。
るので、磁化転移が極めて狭いものとなり、高密度の記
録が可能になるが、この方式の実現には、垂直異方性を
有する媒体の使用が不可欠で、耐久性のある信号出力対
雑音比(以下C/Nと記す)の大きな媒体が量産規模で
得られることが鍵といえる〔応用磁気セミナ、″′垂直
磁気記録方式゛″(so年12月)〕。
現状では、電磁変換特性からみると、スパッタ法で得た
Co−Cr膜が最も垂直磁化膜として優れており、この
磁気記録層上に各種の保護膜を配して耐久性を改良する
検討が盛んである〔例えば、応用磁気セミナ、′垂直磁
気記録方式″67〜76頁(1985))。
Co−Cr膜が最も垂直磁化膜として優れており、この
磁気記録層上に各種の保護膜を配して耐久性を改良する
検討が盛んである〔例えば、応用磁気セミナ、′垂直磁
気記録方式″67〜76頁(1985))。
例えば、特開昭57−116771号公報にはイミド基
を有する高分子をスパッタして磁気記録層上の保護膜と
する方法が示されており、特開昭61−126627号
公報には硬質カーボン層と含フツ素潤滑油層を積層する
方法が示されている。
を有する高分子をスパッタして磁気記録層上の保護膜と
する方法が示されており、特開昭61−126627号
公報には硬質カーボン層と含フツ素潤滑油層を積層する
方法が示されている。
真空蒸着膜、プラズマ重合膜等についても面内磁化膜を
実施例として数多く提案開示されている〔例えば、特開
昭61−151837号、特開昭61−16026号、
同58−eo4i7号の公報〕。
実施例として数多く提案開示されている〔例えば、特開
昭61−151837号、特開昭61−16026号、
同58−eo4i7号の公報〕。
一方、保護膜と別の見方で、磁気記録層を強化すること
が提案されている。その代表的な例は、高分子フィルム
上にカーボンや、シリカ等の微粒子を大量に塗布して1
00人〜300人程度の微細な凹凸を形成したのち、C
o−Ni−0膜等を電子ビーム蒸着したもので、動摩擦
係数、スチル耐久の改良等が確認されている〔例えば米
国特許第4 、584 、549 号BAMJ書)。
が提案されている。その代表的な例は、高分子フィルム
上にカーボンや、シリカ等の微粒子を大量に塗布して1
00人〜300人程度の微細な凹凸を形成したのち、C
o−Ni−0膜等を電子ビーム蒸着したもので、動摩擦
係数、スチル耐久の改良等が確認されている〔例えば米
国特許第4 、584 、549 号BAMJ書)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記した構成では、耐久性の面で微粒子
塗布、真空蒸着法により製造する方法が実用上優れてい
るものの、記録波長が短かくなってくると、雑音が大き
くなる傾向があシ改善が望まれている。本発明は上記し
た事情に鑑みなされたもので、優れたC/Nの媒体を均
一に製造することの出来る製造方法を提供するものであ
る。
塗布、真空蒸着法により製造する方法が実用上優れてい
るものの、記録波長が短かくなってくると、雑音が大き
くなる傾向があシ改善が望まれている。本発明は上記し
た事情に鑑みなされたもので、優れたC/Nの媒体を均
一に製造することの出来る製造方法を提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上記した問題点を
解決するために、高分子フィルム上に連続的に積層した
複数の蒸着膜をドライエツチングした後、その上に磁気
記録層を蒸着形成するようにしたものである。
解決するために、高分子フィルム上に連続的に積層した
複数の蒸着膜をドライエツチングした後、その上に磁気
記録層を蒸着形成するようにしたものである。
作 用
本発明の製造方法は上記した構成により、複数の蒸着膜
が積層された層をドライエツチングすることで出来る微
細な凹凸形状の均一性が極めて良好なため、その上に蒸
着形成された強磁性金属薄膜からなる磁気記録層の磁気
的均一性が良好となり、C/N改善がなされるもので、
再現良く大面積に渡って均一性が確保できることになる
のである。
が積層された層をドライエツチングすることで出来る微
細な凹凸形状の均一性が極めて良好なため、その上に蒸
着形成された強磁性金属薄膜からなる磁気記録層の磁気
的均一性が良好となり、C/N改善がなされるもので、
再現良く大面積に渡って均一性が確保できることになる
のである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の磁気記録媒体の製造
方法について詳しく説明する。
方法について詳しく説明する。
第1図は本発明を実施するために用いた磁気記録媒体製
造装置の要部構成図である。第1図に於て、1は処理す
るフィルムで、2は第1真空容器、3は第2真空容器、
4は送り出し軸、6は第1円筒キャン、6,7はフリー
ローラ、8は第2円筒キャン、9は巻取υ軸、1oは第
1のガス導入ボート、11は放電電極、12は第2のガ
ス導入ボート、13はターゲットホルダー、14はター
ゲット、16は磁界発生器、16.17は真空排気系、
18.19は高周波電源である。
造装置の要部構成図である。第1図に於て、1は処理す
るフィルムで、2は第1真空容器、3は第2真空容器、
4は送り出し軸、6は第1円筒キャン、6,7はフリー
ローラ、8は第2円筒キャン、9は巻取υ軸、1oは第
1のガス導入ボート、11は放電電極、12は第2のガ
ス導入ボート、13はターゲットホルダー、14はター
ゲット、16は磁界発生器、16.17は真空排気系、
18.19は高周波電源である。
第2図は本発明によシ製造した磁気記録媒体の一例の拡
大断面図である。
大断面図である。
第2図で、21は高分子フィルム、22はドライエツチ
ング層、23は強磁性金属薄膜、24は潤滑層である。
ング層、23は強磁性金属薄膜、24は潤滑層である。
厚み10/jmの表面粗さ50Aのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に、あらかじめ、CrとT1の積層
膜を高周波スパッタ法で形成した。
タレートフィルム上に、あらかじめ、CrとT1の積層
膜を高周波スパッタ法で形成した。
Cr ターゲットとT1ターゲットを用い、13.56
(MHz )の高周波放電により、まずCrを換算厚
みが60人となるようにスパッタ蒸着し、引き続きT1
を換算厚み70Aとなるようにスパッタ蒸着した。ここ
での換算厚みとは均一な連続膜とみなした時の厚みで、
この厚み領域では、不連続膜でCrとTiが均一に分散
したような膜となっている。
(MHz )の高周波放電により、まずCrを換算厚
みが60人となるようにスパッタ蒸着し、引き続きT1
を換算厚み70Aとなるようにスパッタ蒸着した。ここ
での換算厚みとは均一な連続膜とみなした時の厚みで、
この厚み領域では、不連続膜でCrとTiが均一に分散
したような膜となっている。
この状態のフィルム1を第1図の装置で送り出し軸4に
装着し、第1真空容器2でドライエツチングにより、微
細な凹凸を形成する。11の放電電極をAl!のワイヤ
によるメツシュ電極とすることで、より微細な凹凸形成
を図るようにした。18は13.56(MHz)の高周
波電源で、1.9(KW)投入した。放電ガスは1oよ
りArを導入し、圧力は2 X 10−2(Torr)
に保zた。
装着し、第1真空容器2でドライエツチングにより、微
細な凹凸を形成する。11の放電電極をAl!のワイヤ
によるメツシュ電極とすることで、より微細な凹凸形成
を図るようにした。18は13.56(MHz)の高周
波電源で、1.9(KW)投入した。放電ガスは1oよ
りArを導入し、圧力は2 X 10−2(Torr)
に保zた。
主にT1がエツチングされる条件のため、Crが凹凸形
状を形成するに授かる系となっている。凹凸の高さは、
約130人で、凸部の密度は2×10 個/C−にした
。
状を形成するに授かる系となっている。凹凸の高さは、
約130人で、凸部の密度は2×10 個/C−にした
。
かかるフィルムを3の部屋に導き、8に沿った状態で、
ターゲット14にCrを21wt%含む、Co−Crを
用い、106 (Oe )の表面磁界強度で、1s、s
e(MHz)のマグネトロン式の高周波スパッタリング
で0.15/lfmのCo−Cr垂直磁化膜を形成した
。放電ガスはA r + H2(A r 、’ H2=
5 ”、 2 )で、7 X 10”” (Torr)
とし、1 3.56(MHz)、2.2KWの条件で製
膜した。この膜の上にパー70ロバルミチン酸を60人
真空蒸着した潤滑層を形成し、幅8I!11の磁気テー
プを製造した。
ターゲット14にCrを21wt%含む、Co−Crを
用い、106 (Oe )の表面磁界強度で、1s、s
e(MHz)のマグネトロン式の高周波スパッタリング
で0.15/lfmのCo−Cr垂直磁化膜を形成した
。放電ガスはA r + H2(A r 、’ H2=
5 ”、 2 )で、7 X 10”” (Torr)
とし、1 3.56(MHz)、2.2KWの条件で製
膜した。この膜の上にパー70ロバルミチン酸を60人
真空蒸着した潤滑層を形成し、幅8I!11の磁気テー
プを製造した。
比較例は、同じ高分子フィルム上に溶液塗布法で、凹凸
の高さを同じく130八となり、凸部の密度を平均2
X 109 個/C−となるようにシリカ微粒子を塗布
してから、同一条件でCo−Cr垂直磁化膜、パーフロ
ロバルミチン酸を形成してテープ化した。
の高さを同じく130八となり、凸部の密度を平均2
X 109 個/C−となるようにシリカ微粒子を塗布
してから、同一条件でCo−Cr垂直磁化膜、パーフロ
ロバルミチン酸を形成してテープ化した。
両者を8ミリビデオのメカニズムを用いて、記録波長を
変化させてC/Nを比較した。用いたヘッドは、ギャッ
プ長0.15)tmのフェライトヘッドである。記録波
長0.8μmでは両者のC/Nに差はみられないが、Q
、8.nりは本発明によるテープの方が、2.2 (d
B) 、 0.4pmでは4.7(dB)C/Nが良好
であった。
変化させてC/Nを比較した。用いたヘッドは、ギャッ
プ長0.15)tmのフェライトヘッドである。記録波
長0.8μmでは両者のC/Nに差はみられないが、Q
、8.nりは本発明によるテープの方が、2.2 (d
B) 、 0.4pmでは4.7(dB)C/Nが良好
であった。
また、均一性についての比較は、本発明によるものは、
0.6μmの記録波長を記録した時の再生C/Nが、任
意(7)100本のテープの1000個所の測定で、o
、5(dB)以内であったのに対し、比較例のテープは
、任意の16本のテープの150個所の測定で、2.7
(dB)のばらつきがあり、この比較に於ても本発明の
価値がわかる。
0.6μmの記録波長を記録した時の再生C/Nが、任
意(7)100本のテープの1000個所の測定で、o
、5(dB)以内であったのに対し、比較例のテープは
、任意の16本のテープの150個所の測定で、2.7
(dB)のばらつきがあり、この比較に於ても本発明の
価値がわかる。
上記した実施例の媒体は、スチル状態で雑音が発生する
までの耐久時間も20℃30%RH,40℃80%RH
で共に2.5〜3倍長い耐久性を示す点も有利なことで
あるといえる。
までの耐久時間も20℃30%RH,40℃80%RH
で共に2.5〜3倍長い耐久性を示す点も有利なことで
あるといえる。
実施例ではポリエチレンテレフタレートフィルムで説明
したが、他にポリフェニレンサルフフイド、ポリサルフ
ォン等でもよい。
したが、他にポリフェニレンサルフフイド、ポリサルフ
ォン等でもよい。
ドライエツチング層の構成材料は、金属、酸化物、窒化
物等から適宜選択できるもので、2層で構成すれば充分
である場合が殆んどであるが、パーマロイ層上に2層を
付加して2層部で凹凸を形成する等層数は適宜選択すれ
ばよい。
物等から適宜選択できるもので、2層で構成すれば充分
である場合が殆んどであるが、パーマロイ層上に2層を
付加して2層部で凹凸を形成する等層数は適宜選択すれ
ばよい。
磁気記録層はCo−Crの他にCo 、 Co=Fe
。
。
Co−Ni 、Co−B1 、Fe −Ag 、Go−
B、Co−Pr 。
B、Co−Pr 。
Co−Pd、Co−Mo、Co−W、Co−Ta、Co
−Ti等及びそれらの部分酸化膜で磁化容易軸に無関係
で、スパッタ法の他に電子ビーム蒸着による形成も有効
である。
−Ti等及びそれらの部分酸化膜で磁化容易軸に無関係
で、スパッタ法の他に電子ビーム蒸着による形成も有効
である。
尚、実施態様は磁気テープに限らず、磁気ディスクであ
ってもよいのは勿論である。
ってもよいのは勿論である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度磁気記録時に優れ
たC/Nを与えることのできる磁気記録媒体を大量に均
一に生産できるといったすぐれ之効来がある。
たC/Nを与えることのできる磁気記録媒体を大量に均
一に生産できるといったすぐれ之効来がある。
第1図は本発明を実施するのに用いた磁気記録媒体製造
装置の一例の要部構成図、第2図は第1図の装置で製造
した磁気記録媒体の拡大断面図である。 1・・・・・・処理フィルム、11・・・・・・放電電
極、14・・・・・・ターゲット、18.19・・・・
・・高周波電源、21・・・・・・高分子フィルム、2
2・・川・ドライエツチング層、23・・・・・・強磁
性金属薄膜。
装置の一例の要部構成図、第2図は第1図の装置で製造
した磁気記録媒体の拡大断面図である。 1・・・・・・処理フィルム、11・・・・・・放電電
極、14・・・・・・ターゲット、18.19・・・・
・・高周波電源、21・・・・・・高分子フィルム、2
2・・川・ドライエツチング層、23・・・・・・強磁
性金属薄膜。
Claims (1)
- 高分子フィルム上に連続的に積層した複数の蒸着膜をド
ライエッチングした後、その上に磁気記録層を蒸着形成
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22316786A JPS6378339A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22316786A JPS6378339A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6378339A true JPS6378339A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16793848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22316786A Pending JPS6378339A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6378339A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7407685B2 (en) * | 2002-04-09 | 2008-08-05 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium and the method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22316786A patent/JPS6378339A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7407685B2 (en) * | 2002-04-09 | 2008-08-05 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium and the method of manufacturing the same |
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