JPS636865B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS636865B2 JPS636865B2 JP54087966A JP8796679A JPS636865B2 JP S636865 B2 JPS636865 B2 JP S636865B2 JP 54087966 A JP54087966 A JP 54087966A JP 8796679 A JP8796679 A JP 8796679A JP S636865 B2 JPS636865 B2 JP S636865B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium
- layer
- selenium
- photoreceptor
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 37
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 9
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000700159 Rattus Species 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は長波長域の光に対しても高感度である
電子写真用感光体に関する。 静電式複写機あるいは電算機プリンタなどに用
いられる電子写真用感光体は、例えばアルミニウ
ムから成る導電性の基体上に電荷の注入を制限す
る界面層を介してセレンから成る感光層を蒸着し
て造られる。このような感光体の感度を示す量子
効率、すなわち帯電した感光体に照射した光の光
子数に対するその光によつて減衰した電荷の電子
数の比は、第1図の曲線Aに示すように光の波長
が長くなるに従い低下するとことが知られてい
る。しかし複写機に用いられる光源、例えばハロ
ゲンランプあるいはプリンタ等で用いられるレー
ザ光源は長波長を主波長とすることから、長波長
側での感度の向上が要求される。この要求を満た
すため、蒸着材料としてテルルを含有するセレン
を用いることは知られている。第1図の曲線B
は、一例として6重量%のテルルを含む感光体の
特性を示す。長波長側の量子効率が増大し、汎色
性への改良がはかられていることが解る。第2図
はセレンへのテルル含有量の半減衰露光量に対す
る影響を示す。即ち、色温度2000〓のタングステ
ンランプを用い5lxの照度で白色光を照射して帯
電電位が初期電位800Vの1/2になるまでの露光量
が、テルル含有量に応じてどのように変化するか
を測定した結果を示すものである。感度はこの半
減衰露光量に反比例するから、テルル含有量の増
加につれて長波長側の感度が高くなつたことが認
められる。 しかしテルル含有量の高いセレン・テルル合金
を使用して高波長域での感度を増大させた場合、
電荷保持率の低下すなわち暗減衰の増大あるいは
露光時の残留電位の増大などで認められるいわゆ
る疲労の増加を伴ない、感光体としての使用に耐
えなくなるという欠点がある。この欠点はセレン
中のテルルの高濃度に起因するものであり、本質
的に不可避であると考えられてきた。 本発明の目的はこの予盾を解決し、高波長域の
光に対しても高い感度を持つにもかゝわらず疲労
の少ない電子写真用感光体を提供することにあ
る。 この目的は導電性基体上に界面層を介して下記
の二つの層の順に積層して感光層とすることによ
つて達成される。 (1) 30μm以上の厚みを持ち、テルル5〜15重量
%を含むセレン・テルル合金からなる電荷保持
層。 (2) 3〜10μmの厚みを持ち、テルルを電荷保持
層におけるテル含有量以上に含むセレン・テル
ル合金からなる表面層。 以下具体例を参照しながら本発明をより詳しく
説明する。 先ず従来の感光体の製造工程を説明する。円筒
状のアルミニウム基体の表面に機械仕上げ加工を
ほどこし、硝酸処理によりその表面にアルミ酸化
物の界面層を形成した。この基体を回転軸の表面
上に支持し、蒸発源にテルル含有量13.5重量%の
セレン・テルル合金を入れ、基体を支持する軸の
温度を制御することにより基体の表面温度を76℃
に保持しながら蒸発源を300℃に加熱して真空蒸
着を行ない、65μmの膜厚の感光層を有する感光
体(試料1)を得た。この場合セレンの蒸気圧が
テルルの蒸気圧より高いための蒸発材料のテルル
含有量は蒸発の進行につれて高くなり、従つて感
光層は基体に近い側から遠い側に進むにつれて高
いテルル含有量を示し、その範囲はほゞ7〜14%
にわたつている。 次に本発明による感光体の製造工程を説明する
に、円筒状アルミニウム基体に、試料1の製造に
おいて行つたのと同一の処理を施して界面層を形
成した。別途、13.5重量%のテルルを含有するセ
レン・テルル合金を入れた第1蒸発源および22.5
重量%のテルルを含有するそれを入れた第2蒸発
源を用意し、これらを真空蒸着槽内に収容した。
基体表面を76℃に保持した状態で、先ず第1蒸発
源を300℃に加熱して55μmの膜厚を有する第1層
を形成した。この間第2蒸発源は175℃に保持し
ておいた。次に蒸着槽の真空を破ることなく、第
1蒸発源の加熱を停止し、第2蒸発源を320℃に
加熱して、第1層上に10μmの厚みを第2層を形
成した。 第3図は完成した感光体(試料2)を示し、ア
ルミニウム基体1上に界面層2を介して第1層3
および第2層4が順に積層されている。感光層中
のテルル含有量は蒸着の初期、すなわち基体1側
の方が低く蒸着の進むにつれて高くなり、第1層
3ではほゞ7〜13%の範囲に、第2層4ではほゞ
17〜20%の範囲にわたつている。 これら二つの感光体を常温常湿の暗中に72時間
放置した後、コロナ電圧5.5kVで帯電させ、色温
度2000〓のタングステンランプを用い5lxの照度
で白色光を照射して白色光半減衰露光量を、米国
コダツク社ラツテンフイルタNo.29を介して同じラ
ンプで赤色光を照射して赤色光半減衰露光量を、
同じランプで白色光を20lx・s露光した後残留電
位を、また150lxの照度で温白色螢光灯により除
電を行つて帯除電を500回繰返した後の残留電位
で疲労をそれぞれ測定した結果を第1表に示す。
電子写真用感光体に関する。 静電式複写機あるいは電算機プリンタなどに用
いられる電子写真用感光体は、例えばアルミニウ
ムから成る導電性の基体上に電荷の注入を制限す
る界面層を介してセレンから成る感光層を蒸着し
て造られる。このような感光体の感度を示す量子
効率、すなわち帯電した感光体に照射した光の光
子数に対するその光によつて減衰した電荷の電子
数の比は、第1図の曲線Aに示すように光の波長
が長くなるに従い低下するとことが知られてい
る。しかし複写機に用いられる光源、例えばハロ
ゲンランプあるいはプリンタ等で用いられるレー
ザ光源は長波長を主波長とすることから、長波長
側での感度の向上が要求される。この要求を満た
すため、蒸着材料としてテルルを含有するセレン
を用いることは知られている。第1図の曲線B
は、一例として6重量%のテルルを含む感光体の
特性を示す。長波長側の量子効率が増大し、汎色
性への改良がはかられていることが解る。第2図
はセレンへのテルル含有量の半減衰露光量に対す
る影響を示す。即ち、色温度2000〓のタングステ
ンランプを用い5lxの照度で白色光を照射して帯
電電位が初期電位800Vの1/2になるまでの露光量
が、テルル含有量に応じてどのように変化するか
を測定した結果を示すものである。感度はこの半
減衰露光量に反比例するから、テルル含有量の増
加につれて長波長側の感度が高くなつたことが認
められる。 しかしテルル含有量の高いセレン・テルル合金
を使用して高波長域での感度を増大させた場合、
電荷保持率の低下すなわち暗減衰の増大あるいは
露光時の残留電位の増大などで認められるいわゆ
る疲労の増加を伴ない、感光体としての使用に耐
えなくなるという欠点がある。この欠点はセレン
中のテルルの高濃度に起因するものであり、本質
的に不可避であると考えられてきた。 本発明の目的はこの予盾を解決し、高波長域の
光に対しても高い感度を持つにもかゝわらず疲労
の少ない電子写真用感光体を提供することにあ
る。 この目的は導電性基体上に界面層を介して下記
の二つの層の順に積層して感光層とすることによ
つて達成される。 (1) 30μm以上の厚みを持ち、テルル5〜15重量
%を含むセレン・テルル合金からなる電荷保持
層。 (2) 3〜10μmの厚みを持ち、テルルを電荷保持
層におけるテル含有量以上に含むセレン・テル
ル合金からなる表面層。 以下具体例を参照しながら本発明をより詳しく
説明する。 先ず従来の感光体の製造工程を説明する。円筒
状のアルミニウム基体の表面に機械仕上げ加工を
ほどこし、硝酸処理によりその表面にアルミ酸化
物の界面層を形成した。この基体を回転軸の表面
上に支持し、蒸発源にテルル含有量13.5重量%の
セレン・テルル合金を入れ、基体を支持する軸の
温度を制御することにより基体の表面温度を76℃
に保持しながら蒸発源を300℃に加熱して真空蒸
着を行ない、65μmの膜厚の感光層を有する感光
体(試料1)を得た。この場合セレンの蒸気圧が
テルルの蒸気圧より高いための蒸発材料のテルル
含有量は蒸発の進行につれて高くなり、従つて感
光層は基体に近い側から遠い側に進むにつれて高
いテルル含有量を示し、その範囲はほゞ7〜14%
にわたつている。 次に本発明による感光体の製造工程を説明する
に、円筒状アルミニウム基体に、試料1の製造に
おいて行つたのと同一の処理を施して界面層を形
成した。別途、13.5重量%のテルルを含有するセ
レン・テルル合金を入れた第1蒸発源および22.5
重量%のテルルを含有するそれを入れた第2蒸発
源を用意し、これらを真空蒸着槽内に収容した。
基体表面を76℃に保持した状態で、先ず第1蒸発
源を300℃に加熱して55μmの膜厚を有する第1層
を形成した。この間第2蒸発源は175℃に保持し
ておいた。次に蒸着槽の真空を破ることなく、第
1蒸発源の加熱を停止し、第2蒸発源を320℃に
加熱して、第1層上に10μmの厚みを第2層を形
成した。 第3図は完成した感光体(試料2)を示し、ア
ルミニウム基体1上に界面層2を介して第1層3
および第2層4が順に積層されている。感光層中
のテルル含有量は蒸着の初期、すなわち基体1側
の方が低く蒸着の進むにつれて高くなり、第1層
3ではほゞ7〜13%の範囲に、第2層4ではほゞ
17〜20%の範囲にわたつている。 これら二つの感光体を常温常湿の暗中に72時間
放置した後、コロナ電圧5.5kVで帯電させ、色温
度2000〓のタングステンランプを用い5lxの照度
で白色光を照射して白色光半減衰露光量を、米国
コダツク社ラツテンフイルタNo.29を介して同じラ
ンプで赤色光を照射して赤色光半減衰露光量を、
同じランプで白色光を20lx・s露光した後残留電
位を、また150lxの照度で温白色螢光灯により除
電を行つて帯除電を500回繰返した後の残留電位
で疲労をそれぞれ測定した結果を第1表に示す。
【表】
第1表より明らかなように本発明の実施例であ
る試料2は1層の感光層を有する試料1にくらべ
て高波長域を含めて感度が向上すると共に疲労が
少なく、また電荷保持率の低下も僅かである。 次にこれら2本の感光体試料を温白色螢光灯1
本を光源に用いた静電式複写機に装着し画像出し
を行つたところ、試料2では非常に鮮明で良質の
画像が得られ、連続1万枚コピーに対しても画像
は高濃度を有しかつ地汚れ、ゴーストなどの欠陥
の出ることがなかつた。一方試料1では良質な画
像を得ることができなかつた。 本発明は長波長域での量子効率の向上をはかる
ためにテルル含有量の高い表面層を設け、その下
に暗中において高抵抗を有して感光層表面の電荷
を保持するとともに光減衰時に表面層に発生した
電荷担体を速かに導電性基板に移動させるよう低
いテルル含有量の電荷保持層を設ける。電荷保持
層のテルル含有量は5〜15重量%の範囲に調整さ
れるが、これは15%をこえると抵抗が低くなりす
ぎて電荷を保持しなくなり、また5%より低いと
疲労による残留電位の問題が生じてくるからであ
る。表面電荷層の厚みはセレン感光体の誘電率が
所望の値になるように調整されるがそのためには
最低30μmを必要とする。表面層のテルル含有量
は電荷保持層中の最大のテルル濃度より高くさ
れ、電子写真用特性に応じて例えば表面濃度を20
重量%に抑える。表面層の厚みは露光により電荷
担体の発生に最低必要な3μm以上で発生した電子
が深部にトラツプされることのないように10μm
以下にされる。 上述のように本発明に基づく電子写真感光体
は、二つの蒸発源を用いて形成される2層の感光
層により、特に長波長域の感度の高い高感度、低
疲労のものであり、複写機、プリンタあるいはフ
アクシミリ等にその達せられる工業上の効果は大
きい。
る試料2は1層の感光層を有する試料1にくらべ
て高波長域を含めて感度が向上すると共に疲労が
少なく、また電荷保持率の低下も僅かである。 次にこれら2本の感光体試料を温白色螢光灯1
本を光源に用いた静電式複写機に装着し画像出し
を行つたところ、試料2では非常に鮮明で良質の
画像が得られ、連続1万枚コピーに対しても画像
は高濃度を有しかつ地汚れ、ゴーストなどの欠陥
の出ることがなかつた。一方試料1では良質な画
像を得ることができなかつた。 本発明は長波長域での量子効率の向上をはかる
ためにテルル含有量の高い表面層を設け、その下
に暗中において高抵抗を有して感光層表面の電荷
を保持するとともに光減衰時に表面層に発生した
電荷担体を速かに導電性基板に移動させるよう低
いテルル含有量の電荷保持層を設ける。電荷保持
層のテルル含有量は5〜15重量%の範囲に調整さ
れるが、これは15%をこえると抵抗が低くなりす
ぎて電荷を保持しなくなり、また5%より低いと
疲労による残留電位の問題が生じてくるからであ
る。表面電荷層の厚みはセレン感光体の誘電率が
所望の値になるように調整されるがそのためには
最低30μmを必要とする。表面層のテルル含有量
は電荷保持層中の最大のテルル濃度より高くさ
れ、電子写真用特性に応じて例えば表面濃度を20
重量%に抑える。表面層の厚みは露光により電荷
担体の発生に最低必要な3μm以上で発生した電子
が深部にトラツプされることのないように10μm
以下にされる。 上述のように本発明に基づく電子写真感光体
は、二つの蒸発源を用いて形成される2層の感光
層により、特に長波長域の感度の高い高感度、低
疲労のものであり、複写機、プリンタあるいはフ
アクシミリ等にその達せられる工業上の効果は大
きい。
第1図は露光する光の波長に関してセレンおよ
びセレン・テルル合金感光層の量子効率を示す線
図、第2図はテルル含有量に関して白色光に対す
る半減衰露光量を示す線図、第3図は本発明に基
づく感光層の構成を説明する断面図である。 1……導電性基体、2……界面層、3……電荷
保持層、4……表面層。
びセレン・テルル合金感光層の量子効率を示す線
図、第2図はテルル含有量に関して白色光に対す
る半減衰露光量を示す線図、第3図は本発明に基
づく感光層の構成を説明する断面図である。 1……導電性基体、2……界面層、3……電荷
保持層、4……表面層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導電性基体上に界面層を介して下記の二つの
層を順に積層した感光層を設けてなることを特徴
とする電子写真用感光体。 (1) 30μm以上の厚みを持ち、テルル5〜15重量
%を含むセレン・テルル合金からなる電荷保持
層。 (2) 3〜10μmの厚みを持ち、テルルを電荷保持
層におけるテルル含有量以上に含むセレン・テ
ルル合金からなる表面層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8796679A JPS5612647A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Electrophotographic receptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8796679A JPS5612647A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5612647A JPS5612647A (en) | 1981-02-07 |
JPS636865B2 true JPS636865B2 (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=13929590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8796679A Granted JPS5612647A (en) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Electrophotographic receptor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5612647A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5674253A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-19 | Fuji Electric Co Ltd | Photoreceptor for electrophotography |
JPS5719749A (en) * | 1980-07-09 | 1982-02-02 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor |
JPS5882250A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS5944055A (ja) * | 1982-09-04 | 1984-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
JPS61156136A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS63206504A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高架橋用騒音防止構造 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5271241A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-14 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic light sensitive material |
-
1979
- 1979-07-11 JP JP8796679A patent/JPS5612647A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5271241A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-14 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic light sensitive material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5612647A (en) | 1981-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS636865B2 (ja) | ||
US4296191A (en) | Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer | |
US3498835A (en) | Method for making xerographic plates | |
JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
JPH0217021B2 (ja) | ||
JPS636866B2 (ja) | ||
JPS609260B2 (ja) | 電子写真フイルム物品およびその製造方法 | |
JPH0151182B2 (ja) | ||
US4513072A (en) | Dual layer electrophotographic recording material containing a layer of selenium, arsenic and halogen, and thereabove a layer of selenium and tellurium | |
JPS60252354A (ja) | 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製造法 | |
JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
JPS6354171B2 (ja) | ||
JPS60102644A (ja) | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 | |
JPS5816245A (ja) | 電子写真部材 | |
JPS59166961A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPH0157899B2 (ja) | ||
JPS5968752A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
JP2638185B2 (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
JPS6161381B2 (ja) | ||
JPS61277960A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS6064357A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
JPH01204053A (ja) | 感光体構造物 | |
JPS58223154A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPS60252357A (ja) | 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜及びそれらの製造法 | |
JPS60252355A (ja) | 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜およびそれらの製法 |