JPS6360482A - 電子写真装置 - Google Patents
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- JPS6360482A JPS6360482A JP20374586A JP20374586A JPS6360482A JP S6360482 A JPS6360482 A JP S6360482A JP 20374586 A JP20374586 A JP 20374586A JP 20374586 A JP20374586 A JP 20374586A JP S6360482 A JPS6360482 A JP S6360482A
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Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンを含有する電子写真用感
光体を用いた電子写真装置に関するものである。
光体を用いた電子写真装置に関するものである。
従来、電子写真の感光体に用いられている光導電性の材
料としては、アモルファスSeや、 CdS、ZnOを
有機バインダ中に分散させた複合材料やポリN−ビニル
カルバゾール(PVK)、)−リフェニルアミンなどの
有機化合物がある。これら材料は高い光導電性を有して
いるが、感光体に用いた場合、硬度が十分でないため電
子写真方式を用いた複写機等の装置で使用中、表面に傷
がついたり、また摩耗して膜厚が変わって帯電電位が変
化したりするという欠点があった。更にSeやCdSは
人体に有害な物質であるためこれら材料を用いた感光体
の取り扱いには、特別の注意が必要であった。これらの
欠点を改善するため、アモルファスシリコン(以下、a
−Siと略記する)を感光体として用いることが提案さ
れた(例えば、特開昭54−78135号公報)。
料としては、アモルファスSeや、 CdS、ZnOを
有機バインダ中に分散させた複合材料やポリN−ビニル
カルバゾール(PVK)、)−リフェニルアミンなどの
有機化合物がある。これら材料は高い光導電性を有して
いるが、感光体に用いた場合、硬度が十分でないため電
子写真方式を用いた複写機等の装置で使用中、表面に傷
がついたり、また摩耗して膜厚が変わって帯電電位が変
化したりするという欠点があった。更にSeやCdSは
人体に有害な物質であるためこれら材料を用いた感光体
の取り扱いには、特別の注意が必要であった。これらの
欠点を改善するため、アモルファスシリコン(以下、a
−Siと略記する)を感光体として用いることが提案さ
れた(例えば、特開昭54−78135号公報)。
a −S i、は前記の従来の感光体に比べて硬度が高
く毒性を有しないため、従来の感光体が持っていた欠点
を改善することができる。しかし、a−Siは従来の有
機化合物の感光体やアモルファスSaに比べて抵抗率が
低く、耐湿性が悪いという問題点を持っている。この改
善策として特開昭57−115556号公報で述べられ
ているようにa−3iに炭素等をドープして高抵抗化を
はかった膜をa−8i層の上に設け、表面保護層とする
ことが有効であるが、これだけでは耐湿性が悪いという
問題点を完全に解決することはできない、このことにつ
いては、文献「シンポジウム“アモルファスシリコンデ
バイスはどこまできたか”論文集昭和60年5月24日
、p66、電子写真学会主催」でも指摘されている。耐
湿性が悪いという問題を解決するためには、感光体を3
5℃から40℃前後に温め、感光体表面に水分が付かな
い状態にしておく必要がある。
く毒性を有しないため、従来の感光体が持っていた欠点
を改善することができる。しかし、a−Siは従来の有
機化合物の感光体やアモルファスSaに比べて抵抗率が
低く、耐湿性が悪いという問題点を持っている。この改
善策として特開昭57−115556号公報で述べられ
ているようにa−3iに炭素等をドープして高抵抗化を
はかった膜をa−8i層の上に設け、表面保護層とする
ことが有効であるが、これだけでは耐湿性が悪いという
問題点を完全に解決することはできない、このことにつ
いては、文献「シンポジウム“アモルファスシリコンデ
バイスはどこまできたか”論文集昭和60年5月24日
、p66、電子写真学会主催」でも指摘されている。耐
湿性が悪いという問題を解決するためには、感光体を3
5℃から40℃前後に温め、感光体表面に水分が付かな
い状態にしておく必要がある。
従来、ドラム状の感光体を温める方法として、第3図に
示すように感光体ドラム17内に円筒状の面ヒータ18
を入れ、内側から熱する方法が用いられていた。しかし
、この方法は、円筒状のヒータが必要であるばかりか、
ヒータを感光体ドラム内側に設けるためヒータへの電力
供給方法が複雑になるという問題点があった。
示すように感光体ドラム17内に円筒状の面ヒータ18
を入れ、内側から熱する方法が用いられていた。しかし
、この方法は、円筒状のヒータが必要であるばかりか、
ヒータを感光体ドラム内側に設けるためヒータへの電力
供給方法が複雑になるという問題点があった。
本発明の目的は、簡易な構成にて上記問題点を解決し、
a−Si感光体を用いて、しかも耐湿性の良い電子写真
装置を提供することにある。
a−Si感光体を用いて、しかも耐湿性の良い電子写真
装置を提供することにある。
本発明を概説すれば1本発明はa−Siを含有する感光
体を用いた電子写真装置に関するものであって、電子写
真プロセスの除電部に光源としてだけではなく熱源とし
て使えるランプヒータを用いることにより、感光体上に
形成された静電残像の除去と同時に感光体を目的温度に
温める効果を持たせ、前述した問題点を解決させるもの
である。
体を用いた電子写真装置に関するものであって、電子写
真プロセスの除電部に光源としてだけではなく熱源とし
て使えるランプヒータを用いることにより、感光体上に
形成された静電残像の除去と同時に感光体を目的温度に
温める効果を持たせ、前述した問題点を解決させるもの
である。
電子写真装置のプロセスは、一般に第4図に示す構成に
なっている。即ち、感光体5の表面はコロナ放電を利用
した帯電器6により均一に帯電させられる1次いで、印
刷する画像情報に基づτ)て露光フし、感光体S上に静
電潜像を形成する。次いで、トナーと呼ばれる帯電粉末
で現像8し、これを用紙9に転写1oし、定着20する
ことにより画像を得る。一方、感光体5は、静電的な残
像を除電ランプ19により消去した後に表面の残留トナ
ーをクリーニング11して、次のサイクルに移る。
なっている。即ち、感光体5の表面はコロナ放電を利用
した帯電器6により均一に帯電させられる1次いで、印
刷する画像情報に基づτ)て露光フし、感光体S上に静
電潜像を形成する。次いで、トナーと呼ばれる帯電粉末
で現像8し、これを用紙9に転写1oし、定着20する
ことにより画像を得る。一方、感光体5は、静電的な残
像を除電ランプ19により消去した後に表面の残留トナ
ーをクリーニング11して、次のサイクルに移る。
従来の電子写真装置では、この除電ランプ19としては
蛍光ランプ、白熱豆球、又はLED等の発光素子を複数
化並べたものが使われているが、これらの光源は除電効
果はあるが赤外線を殆ど含んでいないので感光体を温め
る効果はない。除電効果と感光体を温める両効果との両
方を持たせるためには光源と熱源の両機能をもったハロ
ゲンランプ、タングステンランプあるいは赤外線ランプ
などのランプヒータを除電部に用いることが有効である
。
蛍光ランプ、白熱豆球、又はLED等の発光素子を複数
化並べたものが使われているが、これらの光源は除電効
果はあるが赤外線を殆ど含んでいないので感光体を温め
る効果はない。除電効果と感光体を温める両効果との両
方を持たせるためには光源と熱源の両機能をもったハロ
ゲンランプ、タングステンランプあるいは赤外線ランプ
などのランプヒータを除電部に用いることが有効である
。
しかし、これらランプヒータは第5図に示すよすな分光
分布をもち赤外部の放射が多い。従来の感光体、例えば
Seや有機感光体では赤外領域の波長を持つランプを除
電に用いると、感光体の劣化をもたらす為、あまり使用
されない。またこのようなランプを除電に用いる場合は
、赤外領域の光をカットするフィルタを設ける必要があ
った。
分布をもち赤外部の放射が多い。従来の感光体、例えば
Seや有機感光体では赤外領域の波長を持つランプを除
電に用いると、感光体の劣化をもたらす為、あまり使用
されない。またこのようなランプを除電に用いる場合は
、赤外領域の光をカットするフィルタを設ける必要があ
った。
一方、a−Siは第5図のような光吸収特性を示し、赤
外領域の光を照射しても吸収されることがなくその上、
劣化に対しても強いという特長を有している。しかし、
a−8i感光体は赤外領域の光をほとんど吸収せずに透
過させるので、別設の手段を施さなければ、a−8i感
光体に赤外光を照射しても昇温しない。
外領域の光を照射しても吸収されることがなくその上、
劣化に対しても強いという特長を有している。しかし、
a−8i感光体は赤外領域の光をほとんど吸収せずに透
過させるので、別設の手段を施さなければ、a−8i感
光体に赤外光を照射しても昇温しない。
更にa−8i層の下はアルミ等の金属でできた基板であ
るため、この面でも赤外光が吸収されることがなく、感
光体全体として反射されてしまい従来技術では赤外光で
効率よく感光体を温めることはできない。
るため、この面でも赤外光が吸収されることがなく、感
光体全体として反射されてしまい従来技術では赤外光で
効率よく感光体を温めることはできない。
本発明を創作するに至ったヒントは、赤外領域の光を吸
収して感光体を昇温せしめる技術の開発を前提として、
赤外光を含むランプを除電用として用いることにあった
。
収して感光体を昇温せしめる技術の開発を前提として、
赤外光を含むランプを除電用として用いることにあった
。
上記の原理に基づいた具体的構成として1本発明に係る
電子写真装置はアモルファスシリコンを含有する電子写
真感光体を用いた電子写真装置において、電子写真プロ
セスのランプは光源としての機能と熱源としての機能と
を兼ねたものとし、該ランプによって電子写真感光体上
に形成された静電残像を除去すると同時に感光体を加熱
するように構成したことを特徴とする。
電子写真装置はアモルファスシリコンを含有する電子写
真感光体を用いた電子写真装置において、電子写真プロ
セスのランプは光源としての機能と熱源としての機能と
を兼ねたものとし、該ランプによって電子写真感光体上
に形成された静電残像を除去すると同時に感光体を加熱
するように構成したことを特徴とする。
更に、上記発明を実施する場合において推奨される態様
としては前記の電子写真感光体を、アモルファスシリコ
ンを含有する感光層と基板との間に赤外領域の光を吸収
する機能を備えた光吸収層を設けたものであり、かつ、
前記のランプは赤外領域の光を含む光を投射するものと
する。
としては前記の電子写真感光体を、アモルファスシリコ
ンを含有する感光層と基板との間に赤外領域の光を吸収
する機能を備えた光吸収層を設けたものであり、かつ、
前記のランプは赤外領域の光を含む光を投射するものと
する。
上記の構成によれば、除電用のランプによって感光体を
昇温させて保温し、除電効果を発揮させることが出来る
。
昇温させて保温し、除電効果を発揮させることが出来る
。
以下、実施例をあげ、本発明の詳細な説明する。
実施例1
第1図は本例におけるa−3i感光体のFa構成である
。まず、1%のNaOHなる溶液を用いて表面処理した
後、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化にした直径12
0mm長さ350mn+(7)ドラム状のアルミ基板2
を真空蒸着容器の中に入れ、約IX 10−8Torr
の真空中で表面温度200”Cに保った状態で、抵抗加
熱法により酸化クロムを飛ばしアルミ基板2上に厚さ約
0.2μmはど酸化クロムを堆積させて、光吸収層4と
する。この膜の光吸収は第7図に示すような特性であっ
た。膜厚により吸収率は変化するが、実際に用いる範囲
は、0.06pm から0.5μmで0.2pm付近が
最も適していた。
。まず、1%のNaOHなる溶液を用いて表面処理した
後、充分水洗し乾燥させて表面を清浄化にした直径12
0mm長さ350mn+(7)ドラム状のアルミ基板2
を真空蒸着容器の中に入れ、約IX 10−8Torr
の真空中で表面温度200”Cに保った状態で、抵抗加
熱法により酸化クロムを飛ばしアルミ基板2上に厚さ約
0.2μmはど酸化クロムを堆積させて、光吸収層4と
する。この膜の光吸収は第7図に示すような特性であっ
た。膜厚により吸収率は変化するが、実際に用いる範囲
は、0.06pm から0.5μmで0.2pm付近が
最も適していた。
次に、プラズマCVD用の真空容器内にドラムを移し、
この容器内を約I X 10−8Torrまで排気した
後、ドラムの表面を200’Cに保ちつつSiH番とH
2との混合気体を0 、3 Torrの圧力まで導入し
た状態で13.66MHz の高周波グロー放電によ
り水素化されたa −S iを約25μm堆積させa−
8i悪感光3を構成する。
この容器内を約I X 10−8Torrまで排気した
後、ドラムの表面を200’Cに保ちつつSiH番とH
2との混合気体を0 、3 Torrの圧力まで導入し
た状態で13.66MHz の高周波グロー放電によ
り水素化されたa −S iを約25μm堆積させa−
8i悪感光3を構成する。
このようにして作製した感光体ドラム5を、第2図の構
成を持った電子写真装置に取り付けて印刷をした。第2
図の電子写真装置の除電部は、棒状のハロゲンランプ1
3とそれを覆う金属製のカバー14とから出来ている。
成を持った電子写真装置に取り付けて印刷をした。第2
図の電子写真装置の除電部は、棒状のハロゲンランプ1
3とそれを覆う金属製のカバー14とから出来ている。
ハロゲンランプ13の出力は300Wのものを用いたが
、出力は必ずしも300Wである必要はない。以上のよ
うにして、ハロゲンランプ13を点灯した状態で感光体
ドラム5を連続印刷状態に回転させた時、その表面の温
度は約40”Cに保つことができた。また、本装置を気
温25℃、湿度80%以上の環境の中に入れ、印刷テス
トをした結果、画像のボケや白く画像がぬけてしまうこ
ともなく良好な印刷画像を得ることができたので、湿度
による悪影響を防止し得たことが確認された。
、出力は必ずしも300Wである必要はない。以上のよ
うにして、ハロゲンランプ13を点灯した状態で感光体
ドラム5を連続印刷状態に回転させた時、その表面の温
度は約40”Cに保つことができた。また、本装置を気
温25℃、湿度80%以上の環境の中に入れ、印刷テス
トをした結果、画像のボケや白く画像がぬけてしまうこ
ともなく良好な印刷画像を得ることができたので、湿度
による悪影響を防止し得たことが確認された。
実施例2
第6図は本発明を用いたa−8i悪感光の他の実施例を
示すものである。ドラム状のアルミ基板2′上の光吸収
層4は実施例1と同様な方法により酸化クロムの膜を約
0.2μmの厚さに堆積させ、その後プラズマCVD用
の真空容器内にドラムをスミ、容器内を約I X 10
−”Torrまで排気した後、ドラム表面の温度を30
0℃に保ちつつ。
示すものである。ドラム状のアルミ基板2′上の光吸収
層4は実施例1と同様な方法により酸化クロムの膜を約
0.2μmの厚さに堆積させ、その後プラズマCVD用
の真空容器内にドラムをスミ、容器内を約I X 10
−”Torrまで排気した後、ドラム表面の温度を30
0℃に保ちつつ。
Cx H4を含有する5iHa とH2の混合気体をQ
、 3 Torrの圧力になるように真空容器内に導
入し、13.56MHz の高周波グロー放電により
、水素化されたアモルファス炭素化シリコン(a −8
iC:Hと略す)の膜を0.05μmの厚さ堆積し、ブ
ロッキング層22を作る6次に、導入ガスからCz H
aを除きBzHsを5i)Itで50ppmに希釈した
ガスとH2との混合気体のグロー放電により、Bドープ
の水素化されたa−3i膜を約20μmの厚みに堆積さ
せて、a−8i悪感光3を作る。この時、ドラム基板2
の表面温度は200℃にする。次に、上記ブロッキング
層22の作製条件と同一の条件下でa −S i C:
Hの膜を0.1μmの厚さに堆積させ表面保護M!j
21を作る。本実施例では、ブロッキング層22と表面
保護層21に炭素化された絶縁性の良いa −S i膜
を用いたが1本発明を実施する場合この材質に限られる
ものではなく、絶縁性の良いものであればよい。その例
として、炭素化されたa−3iの他に、酸素や窒素を添
加したa−5i膜があり。
、 3 Torrの圧力になるように真空容器内に導
入し、13.56MHz の高周波グロー放電により
、水素化されたアモルファス炭素化シリコン(a −8
iC:Hと略す)の膜を0.05μmの厚さ堆積し、ブ
ロッキング層22を作る6次に、導入ガスからCz H
aを除きBzHsを5i)Itで50ppmに希釈した
ガスとH2との混合気体のグロー放電により、Bドープ
の水素化されたa−3i膜を約20μmの厚みに堆積さ
せて、a−8i悪感光3を作る。この時、ドラム基板2
の表面温度は200℃にする。次に、上記ブロッキング
層22の作製条件と同一の条件下でa −S i C:
Hの膜を0.1μmの厚さに堆積させ表面保護M!j
21を作る。本実施例では、ブロッキング層22と表面
保護層21に炭素化された絶縁性の良いa −S i膜
を用いたが1本発明を実施する場合この材質に限られる
ものではなく、絶縁性の良いものであればよい。その例
として、炭素化されたa−3iの他に、酸素や窒素を添
加したa−5i膜があり。
これらの膜を用いてもよい。
以上に述べた実施例におけるa−3i悪感光3へのB元
素のドープは、a−8i膜中の正孔の易動度を良くして
走向性を向上させることと、a −8i[の比抵抗を上
げて暗減衰特性を良くすることとを目的として行ったも
のである。
素のドープは、a−8i膜中の正孔の易動度を良くして
走向性を向上させることと、a −8i[の比抵抗を上
げて暗減衰特性を良くすることとを目的として行ったも
のである。
以上のようにして作製した感光体ドラムを実施例1と同
様に第2図に示す電子写真装置に入れ、実施例1と同様
な環境条件下で印刷テストをした結果、良好な画像を得
ることができ、耐湿性が高いことを確認した。
様に第2図に示す電子写真装置に入れ、実施例1と同様
な環境条件下で印刷テストをした結果、良好な画像を得
ることができ、耐湿性が高いことを確認した。
実施例3
本実施例のa−5i感光体の構成は第6図と同じである
。表面を鏡面研磨したドラム状のアルミ基板2′を真空
容器内に入れ、約I X 10−8Torrの真空中で
表面を300℃の温度に保った状態で、抵抗加熱法によ
りクロムをアルミ基板2′上に厚さ約0.2μm堆積さ
せた後、真空容器内に酸素ガスを導入して酸化処理をし
て酸化クロム膜を形成させて光吸収層4を構成する。
。表面を鏡面研磨したドラム状のアルミ基板2′を真空
容器内に入れ、約I X 10−8Torrの真空中で
表面を300℃の温度に保った状態で、抵抗加熱法によ
りクロムをアルミ基板2′上に厚さ約0.2μm堆積さ
せた後、真空容器内に酸素ガスを導入して酸化処理をし
て酸化クロム膜を形成させて光吸収層4を構成する。
次に、スパッタリング用の真空容器内にドラムを移し、
この容器内をI X 10−BTorrまで排気した後
ドラム表面の温度を300℃に保ちつつ、ArとH2と
を混合したガス及びCHaガスを上記真空容器中に流し
て容器内の圧力を5 X 10−8Torrに保つ、こ
の雰囲気中でSiのターゲットを用いて13.56MH
z の高周波スパッタリング法により、光吸収層4の
上にa −S i C: Hの膜を0.05μmの厚さ
に堆積させ、ブロッキング層22を作る0次に、ドラム
表面の温度を200℃に下げ、HzガスとCH4ガスと
を止め、+3zHsをH2で50ppmに希釈したガス
をArと混合して上記真空容器中に導入し、a −S
i C,:H膜作製と同一条件下でBドープの水素化a
−3i膜を約25μm堆積させa−5i感光N3を作
る0次に、ブロッキング層22を堆積させた条件と同一
条件下でa −S i C: : H膜を0.1μmの
厚さに堆積させ、表面保護F!J21を形成させる。
この容器内をI X 10−BTorrまで排気した後
ドラム表面の温度を300℃に保ちつつ、ArとH2と
を混合したガス及びCHaガスを上記真空容器中に流し
て容器内の圧力を5 X 10−8Torrに保つ、こ
の雰囲気中でSiのターゲットを用いて13.56MH
z の高周波スパッタリング法により、光吸収層4の
上にa −S i C: Hの膜を0.05μmの厚さ
に堆積させ、ブロッキング層22を作る0次に、ドラム
表面の温度を200℃に下げ、HzガスとCH4ガスと
を止め、+3zHsをH2で50ppmに希釈したガス
をArと混合して上記真空容器中に導入し、a −S
i C,:H膜作製と同一条件下でBドープの水素化a
−3i膜を約25μm堆積させa−5i感光N3を作
る0次に、ブロッキング層22を堆積させた条件と同一
条件下でa −S i C: : H膜を0.1μmの
厚さに堆積させ、表面保護F!J21を形成させる。
以上のようにして作製した感光体ドラムを実施例1と同
様に第2図に示す電子写真装置を入れ、実施例1と同様
な環境条件下で印刷テストをした結果、良好な画質の画
像を得ることができた。
様に第2図に示す電子写真装置を入れ、実施例1と同様
な環境条件下で印刷テストをした結果、良好な画質の画
像を得ることができた。
以上の実施例によって示したように本発明を用いた電子
写真装置は、簡単な構成により感光体を効率よく温める
ことができるので、耐湿性の向上に極めて有効である。
写真装置は、簡単な構成により感光体を効率よく温める
ことができるので、耐湿性の向上に極めて有効である。
第1図は本発明に係る電子写真装置の一実施例における
感光体の断面図、第2図は本発明を適用した電子写真装
置の構成概略図、第3図は従来の円筒状ヒータを用いた
感光体ドラム加熱法を示す感光体の断面図、第4図は従
来の電子写真装置の構成概略図、第5図はランプヒータ
の分光分布特性とa−5iの光吸収特性を示す図表、第
6図は前記と異なる実施例における感光体の断面図、第
7図は本発明の実施例で用いた光吸収層の光吸収特性を
示す図表である。 1・・・感光体、2,2′・・・基板、3・・・a −
S i感光層、4・・・光吸収層、5・・・感光体ドラ
ム、12・・・除電部、13・・・ランプヒータ、14
・・・金属製カバー、21・・・表面保護層、22・・
・ブロッキング層。
感光体の断面図、第2図は本発明を適用した電子写真装
置の構成概略図、第3図は従来の円筒状ヒータを用いた
感光体ドラム加熱法を示す感光体の断面図、第4図は従
来の電子写真装置の構成概略図、第5図はランプヒータ
の分光分布特性とa−5iの光吸収特性を示す図表、第
6図は前記と異なる実施例における感光体の断面図、第
7図は本発明の実施例で用いた光吸収層の光吸収特性を
示す図表である。 1・・・感光体、2,2′・・・基板、3・・・a −
S i感光層、4・・・光吸収層、5・・・感光体ドラ
ム、12・・・除電部、13・・・ランプヒータ、14
・・・金属製カバー、21・・・表面保護層、22・・
・ブロッキング層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アモルフアスシリコンを含有する電子写真感光体を
用いた電子写真装置において、電子写真プロセスのラン
プは光源としての機能と熱源としての機能とを兼ねたも
のとし、該ランプによつて電子写真感光体上に形成され
た静電残像を除去すると同時に感光体を加熱するように
構成したことを特徴とする電子写真装置。 2、前記の電子写真感光体は、アモルフアスシリコンを
含有する感光層と基板との間に赤外領域の光を吸収する
機能を備えた光吸収層を設けたものであり、かつ、前記
のランプま赤外領域の光を含む光を投射するものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項の電子写真装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20374586A JPS6360482A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20374586A JPS6360482A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電子写真装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6360482A true JPS6360482A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16479146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20374586A Pending JPS6360482A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6360482A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5634499A (en) * | 1993-05-06 | 1997-06-03 | Kikuchi Web Tech Co., Ltd. | Woven safety belt with rope-like configuration |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP20374586A patent/JPS6360482A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5634499A (en) * | 1993-05-06 | 1997-06-03 | Kikuchi Web Tech Co., Ltd. | Woven safety belt with rope-like configuration |
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