JPS6358634A - Information recording medium and its production - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
この発明は、光ビームにより記録層に結晶の相変態を生
じさせて情報を記録する情報記録媒体及びその製造方法
に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention (Industrial Application Field) This invention relates to an information recording medium in which information is recorded by causing crystal phase transformation in a recording layer using a light beam, and a method for manufacturing the same.
（従来の技術）
従来の光ディスクとしては、第４図乃至第６図に示すも
のがある。第４図に示す光ディスクは、基板１上に低融
点材料の薄膜２を形成し、この薄膜２にレーザビームを
スポット照射し、薄膜２を局部的に溶融蒸発させ、微小
な六３を形成する。(Prior Art) Conventional optical discs include those shown in FIGS. 4 to 6. The optical disc shown in FIG. 4 is produced by forming a thin film 2 of a low-melting point material on a substrate 1, and spot-irradiating this thin film 2 with a laser beam to locally melt and evaporate the thin film 2, forming minute sixes 3. .
情報をこの穴３の形成により記録する。Information is recorded by forming this hole 3.
また、第５図に示す光ディスクにおいては、基板４上に
２層以上の薄膜６，７を積層させ、レーザビームをスポ
ット照射したときに、下地膜６から気泡を発生させ、薄
膜７にふくらみ８を形成して情報を記録する。しかしな
がら、この第４図又は第５図に示す光ディスクにおいて
は、記録部（穴３．ふくらみ８）に不可逆的な変化を与
えるから、記録は可能であるが、消去することはできな
い。In addition, in the optical disc shown in FIG. 5, when two or more thin films 6 and 7 are laminated on the substrate 4 and spot irradiated with a laser beam, bubbles are generated from the base film 6 and the thin film 7 has a bulge 8. form and record information. However, in the optical disk shown in FIG. 4 or FIG. 5, irreversible changes are made to the recording portion (hole 3, bulge 8), so although recording is possible, erasing is not possible.
第６図に示す光ディスクにおいては、基板９上に温度に
より組織が変化する材料で薄膜１０を形成し、レーザビ
ームのスポット照射で薄膜１０の局部１１を加熱して組
織を光反射率が異なる組織に変化させて情報を記録する
ものである。この場合には、薄膜１０を温度により光学
的特性が可逆的に変化する材料で形成すれば、記録及び
消去が可能になる。In the optical disc shown in FIG. 6, a thin film 10 is formed on a substrate 9 using a material whose structure changes depending on temperature, and a local part 11 of the thin film 10 is heated by spot irradiation with a laser beam to change the structure to a structure having different light reflectance. It is used to record information by changing the In this case, recording and erasing becomes possible if the thin film 10 is formed of a material whose optical properties change reversibly depending on temperature.
このような材料として、 Ｇｅ５Ｔｅ又はＧｅＴｅ等の
半導体材料がある。これらはその温度により、結晶質相
と非晶質相との２つの状態を選択的にとり、各状態にお
いて複素屈折率が相違するので、レーザビームによる熱
処理でこの２つの状態を可逆的に変化させて情報を記録
消去する（Ｊ、 ｏｆ’ Ｎｏｎ −Ｃｒｙｓｔａｌ
ｌｉｎｅ ５ｏｌｉｄ ４１（１９７０）及び Ｍｆ
３ｔａｌｌｕｒｇｉＣａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ ２８４１（１９７１））。Such materials include semiconductor materials such as Ge5Te or GeTe. They selectively take two states, a crystalline phase and an amorphous phase, depending on the temperature, and since the complex refractive index differs in each state, these two states can be reversibly changed by heat treatment with a laser beam. (J, of' Non-Crystal
line 5 solid 41 (1970) and Mf
3talurgiCal Transaction
s 2841 (1971)).
しかしながら、前述の半導体材料は、化学的に不安定で
耐久性が低く、実用化が困難であるという問題点がある
。つまり、 Ｇｅ、Ｔｅ又はＧｅＴｅ等の半導体は溶融
状態まで加熱して高速で冷却すると非晶質になり、融点
よりも低い温度に加熱して低速で冷却すると結晶質にな
る。この非晶質相と結晶質相とでは、夫々ｎ−１ｋで現
される複素屈折率（但し、ｎは屈折率、ｋは消衰係数、
ｉは虚数単位）が異なる。これにより、情報の書込み及
び読取りが可能になるが、これらの半導体を薄膜にする
と、化学的安定性が低く、大気中では次第に腐蝕して劣
化する。このため、情報を記録再生する光デイスク用材
料として実用化することは困難である。However, the aforementioned semiconductor materials have problems in that they are chemically unstable and have low durability, making it difficult to put them into practical use. That is, when a semiconductor such as Ge, Te or GeTe is heated to a molten state and cooled at a high speed, it becomes amorphous, and when it is heated to a temperature lower than its melting point and cooled at a low speed, it becomes crystalline. The amorphous phase and the crystalline phase each have a complex refractive index expressed as n-1k (where n is the refractive index, k is the extinction coefficient,
i is an imaginary unit). This makes it possible to write and read information, but when these semiconductors are made into thin films, they have low chemical stability and gradually corrode and deteriorate in the atmosphere. For this reason, it is difficult to put it to practical use as a material for optical disks for recording and reproducing information.
そこで、Ｔｅ、Ｇｅ又はＧｅＴｅ等のカルコゲン系半導
体に替り、インジウム（Ｉｎ）−アンチモン（Ｓ ｂ）
系合金が情報記録媒体として注目されている。このＩｎ
−３ｂ系合金は、光ビームの照射により、結晶相のｔ目
変態が生じ、結晶相と他の結晶相との間を可逆的に変化
する。つまり、Ｉ ｎ １００−ｘ Ｓ ｂ 合金系
の内、Ｘが５０乃至７０の組成のものは、この結晶間の
相変態により反射率が変化する。また、この合金は、カ
ルコゲン系の半導体と異なり、化学的に安定であり、長
寿命であると考えられる。Therefore, instead of chalcogen-based semiconductors such as Te, Ge or GeTe, indium (In)-antimony (S b)
alloys are attracting attention as information recording media. This In
In the -3b alloy, t-th transformation of the crystal phase occurs when irradiated with a light beam, and the alloy changes reversibly between the crystal phase and other crystal phases. In other words, among the In 100-x S b alloy systems, those having a composition in which X is 50 to 70 have reflectance changes due to this phase transformation between crystals. Furthermore, unlike chalcogen-based semiconductors, this alloy is chemically stable and is thought to have a long life.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のＩｎ Ｓｂ 合金１００
−ｘ ｘ
の薄膜は、インゴットの蒸着により作成されており、こ
の方法では±２原子％以内に組成を制御することは極め
て困難である。また、この合金で形成された記録膜を有
する情報記録媒体は量産時の組成のバラツキが大きいと
いう問題点がある。そして、この組成のバラツキにより
、相変態による反射率の変化の大きさがバラツキ、実用
性が低い。(Problems to be solved by the invention) However, the conventional InSb alloy 100
The thin film of -x x is created by vapor deposition of an ingot, and it is extremely difficult to control the composition within ±2 atomic percent using this method. Furthermore, information recording media having recording films made of this alloy have a problem in that their compositions vary widely during mass production. Due to this variation in composition, the magnitude of change in reflectance due to phase transformation varies, making it less practical.
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
Ｉｎ−Ｓｂ合金の組成を所定値に高精度で制御すること
ができ、量産性が優れていると共に、光メモリとしての
特性が向」ニした情報記録媒体及びその製造方法を提供
することを目的とする。This invention was made in view of such circumstances, and
The purpose of the present invention is to provide an information recording medium that can control the composition of an In-Sb alloy to a predetermined value with high precision, has excellent mass productivity, and has improved characteristics as an optical memory, and a method for manufacturing the same. do.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る情報記録媒体は、インジウムターゲット
とアンチモンターゲットとを同時にスパッタリングして
得られるインジウム−アンチモン合金で形成された記録
膜を有し、この記録膜に局所的に光ビームを照射してそ
の光学的特性を変化させることにより情報を記録するこ
とを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) An information recording medium according to the present invention has a recording film formed of an indium-antimony alloy obtained by simultaneously sputtering an indium target and an antimony target. , is characterized in that information is recorded by locally irradiating the recording film with a light beam to change its optical characteristics.
また、この発明に係る他の情報記録媒体は、インジウム
の含有量が原子％で４５乃至５０％であるインジウム−
アンチモン合金で形成された記録膜を有し、この記録膜
に局所的に光ビームを照射してその光学的特性を変化さ
せることにより情報を記録することを特徴とする。Further, another information recording medium according to the present invention is an indium-based medium having an indium content of 45 to 50% in atomic percent.
It has a recording film made of an antimony alloy, and is characterized in that information is recorded by locally irradiating the recording film with a light beam to change its optical characteristics.
更に、この発明に係る情報記録媒体の製造方法は、基板
上の記録膜に光ビームを照射してその光学的特性を変化
させることにより情報を記録する情報記録媒体の製造方
法において、インジウムターゲット及びアンチモンター
ゲットの２元同時スパッタリングにより基板上にインジ
ウム−アンチモン合金の記録膜を形成することを特徴と
する。Further, in the method for manufacturing an information recording medium according to the present invention, in the method for manufacturing an information recording medium in which information is recorded by irradiating a recording film on a substrate with a light beam to change its optical characteristics, an indium target and an indium target are used. A recording film of an indium-antimony alloy is formed on a substrate by dual simultaneous sputtering of an antimony target.
（作用）
本願発明者等は、Ｉｎ−Ｓｂ合金について、その組成と
反射率の変化量との関係を実験研究した結果、このＩｎ
−Ｓｂ 合金系において、１００−ｘ
ｘ
反射率が大きく変化するのは、Ｉｎ５０Ｓｂ５Ｑ乃至Ｉ
ｎ４５Ｓｂ５５ （つまり、Ｘが５０乃至５５）の範
囲の合金であることを見出した。この組成範囲から外れ
る場合には、反射率の変化量が著しく小さくなる。例え
ば、Ｉｎ５２Ｓｂ４８及びＩｎ４５Ｓｂ５５のように、
組成が原子％で２％異なることにより、反射率の変化量
が極めて小さくなる。(Function) As a result of experimental research on the relationship between the composition and the amount of change in reflectance for In-Sb alloys, the inventors found that
-Sb alloy system, 100-x
x Reflectance changes greatly in In50Sb5Q to I
It has been found that the alloy is n45Sb55 (that is, X is in the range of 50 to 55). When the composition is outside this range, the amount of change in reflectance becomes significantly small. For example, like In52Sb48 and In45Sb55,
A difference in composition of 2% in atomic percent makes the amount of change in reflectance extremely small.
従って、Ｉｎが４５乃至５０原子％の範囲内になるよう
に、Ｉｎ−Ｓｂ合金記録膜を形成する必要がある。この
範囲内に高精度で合金組成を制御するために、この発明
においては、Ｉｎターゲットとｓｂツタ−ットとを２元
同時スパッタリングにより形成する。２元同時スパッタ
リング法によれば、Ｉｎ−Ｓｂ合金の組成を±０．５原
子％以内に制御することができ、これにより、反射率の
変化量が大きい組成範囲のＩｎ−Ｓｂ合金記録膜を安定
して形成することができる。Therefore, it is necessary to form the In--Sb alloy recording film so that the In content is within the range of 45 to 50 atomic %. In order to control the alloy composition within this range with high precision, in the present invention, the In target and the SB target are formed by dual simultaneous sputtering. According to the two-component simultaneous sputtering method, the composition of the In-Sb alloy can be controlled within ±0.5 at. Can be formed stably.
（実施例）
以下、添付の図面を参照してこの発明の実施例について
具体的に説明する。第１図及び第２図は、この発明の実
施例に係る情報記録媒体を示す断面図である。ポリカー
ボネート等の樹脂性基板１の上に、誘電体膜２が形成さ
れており、この誘電体膜２の上に、記録１１４３が形成
されている。記録膜３の上には、誘電体膜６が形成され
ており、誘電体膜６の上には、紫外線硬化樹脂等で形成
された保護膜７が配設されている。誘電体膜２．６は、
レーザビーム照射による記録膜３の蒸発を防止するため
に配設される。保護膜７は、情報記録媒体に取扱上の疵
が発生することを防止する。(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are cross-sectional views showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention. A dielectric film 2 is formed on a resinous substrate 1 made of polycarbonate or the like, and a recording 1143 is formed on this dielectric film 2. A dielectric film 6 is formed on the recording film 3, and a protective film 7 made of ultraviolet curing resin or the like is provided on the dielectric film 6. The dielectric film 2.6 is
This is provided to prevent evaporation of the recording film 3 due to laser beam irradiation. The protective film 7 prevents handling flaws from occurring on the information recording medium.
記録膜３は、後述する如く、インジウム（Ｉｎ）ターゲ
ットとアンチモン（Ｓ ｂ）ターゲットの２元同時スパ
ッタリング法により形成され、成膜直後は、第１図に示
すように、厚さが５乃至５０人のＩｎ層４とｓｂ層５と
が交互に積層した積層体である。この積層体状の記録層
３の全体を加熱することにより、又は、第１図に示すよ
うに、レンズ９で絞りこんだレーザビーム１０を所定の
記録ビット８に照射してこの記録ビットのみを加熱する
ことにより、第２図に示すように、記録ビット８のＩｎ
及びｓｂを均一に混合させてｌＮ−Ｓｂ合金を生成する
。このように、Ｉｎ層４とｓｂ層５とからなる積層体を
加熱することにより両層を均一混合して初期化する。As will be described later, the recording film 3 is formed by a binary simultaneous sputtering method using an indium (In) target and an antimony (Sb) target, and immediately after film formation, as shown in FIG. This is a laminate in which human In layers 4 and SB layers 5 are alternately laminated. By heating the entire recording layer 3 in the form of a laminate, or by irradiating a laser beam 10 focused by a lens 9 onto a predetermined recording bit 8 as shown in FIG. By heating, as shown in FIG.
and sb are uniformly mixed to produce an IN-Sb alloy. In this way, by heating the laminate consisting of the In layer 4 and the SB layer 5, both layers are uniformly mixed and initialized.
第３図は、この情報記録媒体を成膜するスパッタリング
成膜装置を示す。チャンバ１０は、ガス排出ポート１１
とガス導入ポート１２とを有し、ガス排出ボート１１は
適宜の排気装置（図示せず）に接続されていてこの排出
ポート１１を介してチャンバ１０内を排気し、ガス導入
ポート１２はＡｒガス供給源（図示せず）に接続されて
いてこの導入ボート１２を介してＡｒガスをチャンバ１
０内に導入するようになっている。FIG. 3 shows a sputtering film forming apparatus for forming this information recording medium. The chamber 10 has a gas exhaust port 11
The gas exhaust boat 11 is connected to a suitable exhaust device (not shown) to exhaust the inside of the chamber 10 through the exhaust port 11, and the gas introduction port 12 is connected to an appropriate exhaust device (not shown) to exhaust the inside of the chamber 10. The introduction boat 12 is connected to a supply source (not shown) to supply Ar gas to the chamber 1.
It is designed to be introduced within 0.
基板１（ポリカーボネート板）は、支持装置１３により
、チャンバ１０内の上部にその面を水平にして支架され
ており、支持装置１３は成膜中に基板１を回転駆動する
。基板１と対向するようにして、平板状の電極１４．１
５がチャンバ１０内に設置されており、この電極１４．
１５は夫々高周波電源１６．１７に接続されている。こ
の電極１４．１５の上には、夫々Ｉｎターゲット１８及
びｓｂツタ−ット１９が設置される。電極１４゜１５と
基板１との間には、夫々シャッタ２０゜２１が配設され
ている。The substrate 1 (polycarbonate plate) is supported with its surface horizontally at the upper part of the chamber 10 by a support device 13, and the support device 13 rotates the substrate 1 during film formation. A flat electrode 14.1 faces the substrate 1.
5 is installed in the chamber 10, and this electrode 14.
15 are connected to high frequency power sources 16 and 17, respectively. An In target 18 and an SB target 19 are placed on the electrodes 14 and 15, respectively. Shutters 20.degree. 21 are arranged between the electrodes 14.degree. 15 and the substrate 1, respectively.
この成膜装置によれば、先ず、排気装置によりチャンバ
１０内を、例えば、１０″″６トル（ｔｏｒｒ）の真空
に排気する。次いで、Ａｒガス供給源から、Ａｒガスを
、例えば、２０ＳＣＣＭの流量でチャンバ１０内に導入
し、チャンバ１０内のガス圧力を、例えば、５ミリトル
（ｍ ｔｏｒｒ）に調整する。According to this film forming apparatus, first, the inside of the chamber 10 is evacuated to a vacuum of, for example, 10''6 torr using an exhaust device. Ar gas is then introduced into the chamber 10 from an Ar gas source at a flow rate of, for example, 20 SCCM, and the gas pressure within the chamber 10 is adjusted to, for example, 5 millitorr (m torr).
そして、ポリカーボネート基板１を、例えば、６０ ｒ
ｐａ＋で回転させつつ、ＳｉＯ２誘電体ターゲット（図
示せず）に高周波電力を印加し、基板１上に、５ｉ０２
誘電体膜２を、例えば、１０００人の厚さで形成する。Then, the polycarbonate substrate 1 is heated, for example, at 60 r
While rotating at pa+, high frequency power was applied to the SiO2 dielectric target (not shown), and 5i02
The dielectric film 2 is formed to have a thickness of, for example, 1000 mm.
次いで、シャッタ２０，２１を閉にした状態で、高周波
電源１６．１７からＩｎターゲット１８及びｓｂツタ−
ット１９に夫々５０Ｗ及び４５Ｗの高周波電力を印加す
る。そして、所定時間プリスパッタした後、シャッタ２
０．２１を開にし、Ｉｎ及びｓｂを基板１上にスパッタ
リングする。Next, with the shutters 20 and 21 closed, the In target 18 and the sb shutter are
High frequency power of 50 W and 45 W is applied to the nets 19, respectively. After pre-sputtering for a predetermined time, the shutter 2
0.21 and sputtering In and sb onto the substrate 1.
このスパッタリングを約１分３０秒継続すると、Ｉｎ層
とｓｂ層との積層体が、例えば、１０００人形成される
。次いで、高周波電源１６．１７をオフにし、ＳｉＯ２
ターゲットに高周波電力を印加して、例えば、約５００
人のＳｉＯ２誘電体膜６を形成する。次いで、成膜後の
サンプルを支持装置１３から取り外し、チャンバ１０外
で、スピナにより紫外線硬化樹脂を、例えば、約３μｍ
塗布し、この樹脂を紫外線で硬化させて保護膜７を形成
する。If this sputtering is continued for about 1 minute and 30 seconds, a laminate of, for example, 1000 In layers and sb layers is formed. Next, turn off the high frequency power supply 16.17, and turn off the SiO2
By applying high frequency power to the target, for example, about 500
A SiO2 dielectric film 6 is formed. Next, the sample after the film formation is removed from the support device 13, and outside the chamber 10, the ultraviolet curable resin is applied with a spinner to a thickness of about 3 μm, for example.
The protective film 7 is formed by applying the resin and curing it with ultraviolet rays.
この２元同時スパッタリングにおいて、Ｉｎ及びｓｂの
スパッタリング速度を水晶振動子等の膜厚計で個別的に
測定し、各ターゲットに印加する高周波電力にこの測定
結果をフィードバックすることにより、成膜速度を高精
度で制御して成膜された記録層のＩｎとｓｂとの組成比
のバラツキを容易に±１％以下にすることができる。ち
なみに、上記成膜条件で、本願発明者等がＩｎ−５ｂ合
金を成膜したところ、目標組成がＩｎ５０ ｓｂｓ Ｏ
であるのに対し、Ｉｎ４９．５Ｓｂ５０．５の組成の合
金を得ることができた。In this dual-component simultaneous sputtering, the sputtering speed of In and sb is measured individually using a film thickness meter such as a crystal oscillator, and the film formation speed is controlled by feeding back the measurement results to the high-frequency power applied to each target. Variations in the composition ratio of In and sb in the recording layer formed under highly accurate control can be easily reduced to ±1% or less. By the way, when the inventors of this application formed a film of In-5b alloy under the above film-forming conditions, the target composition was In50 sbs O
On the other hand, an alloy having a composition of In49.5Sb50.5 could be obtained.
このようにして成膜したＩｎ−８ｂ合金記録膜ををする
光ディスクを、６００ ｒｐｍで回転させつつ、先ず、
この光ディスクに１１ｍＷの連続出力で半導体レーザビ
ームを照射してその記録ビット８（第２図）を初期化し
た。次いで、波長が８３０ ｎｔａの半導体レーザビー
ムを、出力が１５ｍ Ｗ 、パルス幅が１００ｎ秒で、
照射し、結晶の相変態を生じさせて信号を記録した。こ
の記録部からは、反射光の直流成分の約２倍の信号成分
が得られた。同様の信号記録実験を、蒸着により形成し
たＩｎ−５ｂ記録膜を有する光ディスクについても実施
したが、この場合の信号量は、直流成分の約１．３倍で
あった。While rotating the optical disc on which the In-8b alloy recording film formed in this way was coated at 600 rpm, first,
This optical disk was irradiated with a semiconductor laser beam with a continuous output of 11 mW to initialize its recording bit 8 (FIG. 2). Next, a semiconductor laser beam with a wavelength of 830 nta was applied with a power of 15 mW and a pulse width of 100 ns.
The signal was recorded upon irradiation to cause a phase transformation of the crystal. A signal component approximately twice as large as the DC component of the reflected light was obtained from this recording section. A similar signal recording experiment was conducted on an optical disk having an In-5b recording film formed by vapor deposition, but the signal amount in this case was about 1.3 times the DC component.
また、この記録部に対し、同一の半導体レーザを使用し
て、出力５ｍｗ及びパルス幅３００ｎ秒でレーザビーム
を照射したところ、信号が消去され、消え残りは認めら
れなかった。Furthermore, when this recording section was irradiated with a laser beam using the same semiconductor laser with an output of 5 mW and a pulse width of 300 ns, the signal was erased and no residual erasure was observed.
上述の半導体レーザビームの照射条件により、信号の記
録消去を繰返したところ、この発明の実施例に係る記録
媒体においては、約１０４回の繰返しによっても記録信
号量に変化が認められず、消え残りも認められなかった
。しかしながら、蒸着により成膜した記録膜を有する従
来の記録媒体においては、約１００回の記録消去の繰返
し試験後から信号の消え残りが大きくなり、１０３回の
繰返しでＳ／Ｎ比が消滅した。When recording and erasing signals was repeated under the above-mentioned semiconductor laser beam irradiation conditions, in the recording medium according to the embodiment of the present invention, no change was observed in the amount of recorded signals even after approximately 104 repetitions, and no erased signal remained. was also not recognized. However, in a conventional recording medium having a recording film formed by vapor deposition, the signal remains largely unerased after approximately 100 recording/erasing repetition tests, and the S/N ratio disappears after 103 repetitions.
このように、この発明においては、結晶の相変態による
反射率の変化が大きいので、記録信号量が大きく、また
、記録及び消去を繰返しても、記録特性の変化が少なく
寿命が長い。これは、２元同時スパッタリング法により
Ｉｎ−Ｓｂ合金膜を形成しているので、Ｉｎとｓｂとの
組成比を高精度で制御することができるのに加え、成膜
直後は５乃至５０人のＩｎ層４とｓｂ層５とが交互に積
層されているので、レーザ照射等の加熱による初期化の
後に、Ｉｎとｓｂとの結合が強固な化合物が形成される
からであると考えられる。このように、Ｉｎとｓｂとの
結合が強固であるために、その後のレーザパルスによる
記録消去によって、速やかに結晶−結晶転移が生じる。As described above, in the present invention, since the change in reflectance due to the phase transformation of the crystal is large, the amount of recorded signal is large, and even if recording and erasing are repeated, there is little change in the recording characteristics, and the life is long. Since the In-Sb alloy film is formed using a dual-component simultaneous sputtering method, the composition ratio of In and sb can be controlled with high precision. This is considered to be because the In layers 4 and the sb layers 5 are alternately stacked, so that a compound with a strong bond between In and sb is formed after initialization by heating such as laser irradiation. As described above, since the bond between In and sb is strong, crystal-to-crystal transition occurs quickly upon subsequent erasing of recording by a laser pulse.
従って、この２元同時スパッタリング法により成膜した
Ｉｎ−Ｓｂ合金は、相変化型の消去可能の光デイスク材
料として適している。Therefore, the In--Sb alloy film formed by this dual-component sputtering method is suitable as a phase-change erasable optical disk material.
［発明の効果］
この発明においては、Ｉｎ−Ｓｂ合金の結晶の相変態に
よる反射率の変化が大きいので、記録信号量が大きく、
また、記録及び消去を繰返しても、記録特性の変化が少
なく寿命が長い。[Effects of the Invention] In this invention, since the change in reflectance due to the phase transformation of the In-Sb alloy crystal is large, the amount of recorded signal is large;
Further, even if recording and erasing are repeated, the recording characteristics do not change much and the lifespan is long.
第１図及び第２図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第３図はその成膜装置を示す模式図、
第４図乃至第６図は従来の情報記録媒体を示す断面図で
ある。
１；基板、２，６；誘電体膜、３；記録膜、４ＨＩｎ層
、５ｕｓｂ層、１８；Ｉｎターゲット、１９、Ｓｂター
ゲット。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第１図
第２図
第３図
第４図
第５図
第６図
特許庁長官 黒 １）明 雄 殿
１、事件の表示
特願昭６１−２０３３４９号
２、発明の名称
情報記鋒媒体及びその製造方法
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
（３０７） 株式会社 東芝
４、代理人
５、自発補正
７、補正の内容
（１）明細書第１４頁第１０行目に、「３００ｎ秒」と
あるのをｌ’−１３００ｎ秒」に訂正する。1 and 2 are cross-sectional views showing an information recording medium according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic view showing a film forming apparatus thereof.
4 to 6 are cross-sectional views showing conventional information recording media. 1: Substrate, 2, 6: Dielectric film, 3: Recording film, 4HIn layer, 5USB layer, 18: In target, 19, Sb target. Applicant's representative Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Commissioner of the Patent Office Kuro 1) Akio Yu 1, Indication of case Patent application No. 1983-203349 2, Invention name information recording medium and its manufacturing method 3, relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant (307) Toshiba Corporation 4, agent 5, voluntary amendment 7, content of amendment (1) Specification page 14 In the 10th line, "300 ns" is corrected to "l'-1300 ns".
Claims (8)
を同時にスパッタリングして得られるインジウム−アン
チモン合金で形成された記録膜を有し、この記録膜に局
所的に光ビームを照射してその光学的特性を変化させる
ことにより情報を記録することを特徴とする情報記録媒
体。(1) It has a recording film made of an indium-antimony alloy obtained by simultaneously sputtering an indium target and an antimony target, and changes its optical characteristics by locally irradiating this recording film with a light beam. An information recording medium characterized by recording information by.
アンチモン膜とを交互に複数層積層形成し、次いで、イ
ンジウムとアンチモンとを均一化させてインジウム−ア
ンチモン合金の記録層を得ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の情報記録媒体。(2) A patent characterized in that a recording layer of an indium-antimony alloy is obtained by alternately forming multiple layers of indium films and antimony films by dual-component simultaneous sputtering, and then uniformizing the indium and antimony layers. An information recording medium according to claim 1.
ーザビームで加熱することによりインジウムとアンチモ
ンとを均一化することを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載の情報記録媒体。(3) Claim 1, characterized in that indium and antimony are made uniform by heating the laminate of the indium film and antimony film with a laser beam.
or the information recording medium described in paragraph 2.
ムの原子％で４５乃至５０％であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の情報記録媒体。(4) The information recording medium according to claim 1, wherein the composition of the indium-antimony alloy is 45 to 50% in atomic percent of indium.
あるインジウム−アンチモン合金で形成された記録膜を
有し、この記録膜に局所的に光ビームを照射してその光
学的特性を変化させることにより情報を記録することを
特徴とする情報記録媒体。(5) It has a recording film made of an indium-antimony alloy with an indium content of 45 to 50 atomic percent, and the optical characteristics are changed by locally irradiating this recording film with a light beam. An information recording medium that records information by
特性を変化させることにより情報を記録する情報記録媒
体の製造方法において、インジウムターゲット及びアン
チモンターゲットの２元同時スパッタリングにより基板
上にインジウム−アンチモン合金の記録膜を形成するこ
とを特徴とする情報記録媒体の製造方法。(6) In a method of manufacturing an information recording medium in which information is recorded by irradiating a recording film on a substrate with a light beam to change its optical properties, the method of manufacturing an information recording medium in which information is recorded by irradiating a recording film on a substrate with a light beam to change its optical properties, is to form a film on a substrate by simultaneous dual sputtering of an indium target and an antimony target. A method of manufacturing an information recording medium, comprising forming a recording film of an indium-antimony alloy.
アンチモン膜とを交互に複数層積層形成し、次いで、イ
ンジウムとアンチモンとを均一化させてインジウム−ア
ンチモン合金の記録膜を得ることを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の情報記録媒体の製造方法。(7) A patent characterized in that a recording film of an indium-antimony alloy is obtained by alternately forming multiple layers of indium films and antimony films by dual-component simultaneous sputtering, and then uniformizing the indium and antimony layers. A method for manufacturing an information recording medium according to claim 6.
ムの原子％で４５乃至５０％であることを特徴とする特
許請求の範囲第６項に記載の情報記録媒体の製造方法。(8) The method for manufacturing an information recording medium according to claim 6, wherein the composition of the indium-antimony alloy is 45 to 50% by atomic percent of indium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203349A JPS6358634A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Information recording medium and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61203349A JPS6358634A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Information recording medium and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358634A true JPS6358634A (en) | 1988-03-14 |
Family
ID=16472558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61203349A Pending JPS6358634A (en) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | Information recording medium and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358634A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242157B1 (en) * | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61203349A patent/JPS6358634A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242157B1 (en) * | 1996-08-09 | 2001-06-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making |
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