JPS635430Y2 - - Google Patents
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- JPS635430Y2 JPS635430Y2 JP1980006220U JP622080U JPS635430Y2 JP S635430 Y2 JPS635430 Y2 JP S635430Y2 JP 1980006220 U JP1980006220 U JP 1980006220U JP 622080 U JP622080 U JP 622080U JP S635430 Y2 JPS635430 Y2 JP S635430Y2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 101000668170 Homo sapiens RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 2 Proteins 0.000 description 2
- 102100039690 RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 2 Human genes 0.000 description 2
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- Thyristor Switches And Gates (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はサイリスタのターン・オフ回路に関
する。[Detailed Description of the Invention] This invention relates to a thyristor turn-off circuit.
従来、サイリスタのターン・オフ回路としては
例えば第１図に示すように直流電源（＋Vcc）に
負荷抵抗RLを介してサイリスタSCR1を接続して
なる負荷駆動回路の上記抵抗RLとサイリスタ
SCR1との直列回路に抵抗R1とサイリスタSCR2
の直列回路を並列に接続し、その抵抗R1とサイ
リスタSCR2との接続点と上記抵抗RLとサイリス
タSCR1との接続点との間にコンデンサＣを接続
してなるもの、また第２図に示すように直流電源
（＋Vcc）に負荷抵抗RLを介してサイリスタSCR1
を接続してなる負荷駆動回路の上記サイリスタ
SCR1にNPN形のスイツチングトランジスタTr
を並列に接続してなるものが知られている。 Conventionally, as a turn-off circuit for a thyristor, for example, as shown in Fig. 1, a load drive circuit consisting of a thyristor SCR 1 connected to a DC power supply (+Vcc) via a load resistor R L is connected to the resistor R L and the thyristor.
Resistor R 1 and thyristor SCR 2 in series circuit with SCR 1
series circuits are connected in parallel, and a capacitor C is connected between the connection point between the resistor R 1 and the thyristor SCR 2 and the connection point between the resistor R L and the thyristor SCR 1 , and a second Thyristor SCR 1 is connected to the DC power supply (+Vcc) via load resistor R L as shown in the figure.
The above thyristor of the load drive circuit formed by connecting
NPN type switching transistor Tr in SCR 1
It is known that the two are connected in parallel.
しかし両者ともサイリスタSCR1を確実にター
ン・オフさせるための素子や回路定数の選択が面
倒となる問題があり、また前者においてはコンデ
ンサＣを必要とするための回路のIC化が難しく、
また後者においては特に周囲の温度変化に対して
ターン・オフ動作が影響を受け易い問題があつ
た。 However, both have the problem that it is difficult to select elements and circuit constants to turn off the thyristor SCR 1 reliably, and the former requires a capacitor C, which makes it difficult to integrate the circuit into an IC.
In addition, the latter has a problem in that the turn-off operation is particularly susceptible to changes in ambient temperature.
この考案はこのような問題を解決するために考
えられたもので、素子や回路定数の多少のばらつ
きや周囲温度の変化があつてもサイリスタを確実
にターン・オフさせることができ、しかも回路の
IC化が容易にできるサイリスタのターン・オフ
回路を提供することを目的とする。 This idea was devised to solve these problems, and it allows the thyristor to be turned off reliably even if there are slight variations in the elements or circuit constants or changes in the ambient temperature, and it also allows the circuit to
The purpose of this invention is to provide a thyristor turn-off circuit that can be easily integrated into an IC.
以下、この考案の一実施例を図面を参照して説
明する。 An embodiment of this invention will be described below with reference to the drawings.
第３図に示すようにサイリスタSCR1のアノー
ドを負荷抵抗RLを介して＋Vcc端子に接続し、そ
のサイリスタSCR1のカソードをダイオードD1を
順方向に介して接地し、負荷駆動回路を形成して
いる。前記サイリスタSCR1とダイオードD1との
接続点を抵抗R2を介して＋Vcc端子に接続し、抵
抗R2とダイオードD1とで電圧供給回路を形成し
ている。そして前記サイリスタSCR1とダイオー
ドD1との直列回路にNPN形のスイツチングトラ
ンジスタTrを並列に接続している。 As shown in Figure 3, the anode of thyristor SCR 1 is connected to the +Vcc terminal via a load resistor R L , and the cathode of thyristor SCR 1 is grounded via diode D 1 in the forward direction to form a load drive circuit. are doing. A connection point between the thyristor SCR 1 and the diode D 1 is connected to the +Vcc terminal via a resistor R 2 , and a voltage supply circuit is formed by the resistor R 2 and the diode D 1 . An NPN switching transistor Tr is connected in parallel to the series circuit of the thyristor SCR 1 and diode D 1 .
このような構成においてサイリスタSCR1のゲ
ートにゲート信号が入力されるとサイリスタ
SCR1はターン・オフされ、そのサイリスタSCR1
を介して負荷抵抗RLに負荷電流が流れる。一方
ダイオードD1のアノード、すなわちサイリスタ
SCR1のカソード抵抗R2から供給される電流によ
つて常に一定電位VFに保持される。しかしてト
ランジスタTrのベースにターン・オフ信号が供
給されるとトランジスタTrがオン動作し、トラ
ンジスタTrのコレクタ電位がVFよりも小さくな
る。これによりサイリスタSCR1のアノード・カ
ソード間には逆バイアスが印加されることにな
り、サイリスタSCR1は確実にターン・オフされ
る。このようにサイリスタSCR1に確実に逆バイ
アスを印加することができるので素子や回路定数
に多少のばらつきがあつても、また周囲温度の変
化があつてもサイリスタSCR1を確実にターン・
オフすることができるものである。またコンデン
サを必要としないので回路のIO化も容易に行な
うことができる。 In this configuration, when a gate signal is input to the gate of thyristor SCR 1 , the thyristor
SCR 1 is turned off and its thyristor SCR 1
The load current flows through the load resistor R L. while the anode of diode D 1 , i.e. the thyristor
It is always maintained at a constant potential V F by the current supplied from the cathode resistor R 2 of SCR 1 . When a turn-off signal is supplied to the base of the transistor Tr, the transistor Tr turns on, and the collector potential of the transistor Tr becomes lower than VF . As a result, a reverse bias is applied between the anode and cathode of the thyristor SCR 1 , and the thyristor SCR 1 is reliably turned off. In this way, it is possible to reliably apply reverse bias to thyristor SCR 1 , so even if there are slight variations in the elements or circuit constants, or even if there are changes in the ambient temperature, thyristor SCR 1 can be turned on and off reliably.
It is something that can be turned off. Also, since no capacitors are required, the circuit can be easily converted into IO.
次にこの考案の他の実施例を図面を参照して説
明する。なお、前記実施例と同一部分には同一符
号を付して詳細な説明は省略する。 Next, another embodiment of this invention will be described with reference to the drawings. Note that the same parts as in the above embodiment are given the same reference numerals, and detailed explanations will be omitted.
先ず第４図に示すものはサイリスタとしてゲー
ト・ターン・オフ・サイリスタSCR3を使用し、
かつトランジスタTrと抵抗R3との並列回路を上
記サイリスタSCR3のゲートとダイオードD1のカ
ソードとの間に接続したもので、このものにおい
てはサイリスタSCR3のゲートにゲート信号が供
給されている限りサイリスタSCR3は導通するが、
トランジスタTrのベースにターン・オフ信号が
入力されるとトランジスタTrがオン動作してサ
イリスタSCR3のゲートへのゲート信号の供給が
停止され、同時にサイリスタSCR3のゲート・カ
ソード間に逆バイアスが印加されサイリスタ
SCR3は確実にターン・オフされる。したがつて
この回路においても前記同様の効果が得られるも
のである。 First, the one shown in Figure 4 uses a gate turn-off thyristor SCR 3 as a thyristor,
A parallel circuit of a transistor Tr and a resistor R3 is connected between the gate of the thyristor SCR3 and the cathode of the diode D1 , and a gate signal is supplied to the gate of the thyristor SCR3 . As long as thyristor SCR 3 conducts,
When a turn-off signal is input to the base of transistor Tr, transistor Tr turns on and stops supplying the gate signal to the gate of thyristor SCR 3 , and at the same time, a reverse bias is applied between the gate and cathode of thyristor SCR 3 . Thyristor
SCR 3 is definitely turned off. Therefore, the same effect as described above can be obtained in this circuit as well.
また、第５図に示すものはダイオードD1にも
う一個のダイオードD2を直列に接続してダイオ
ードD1のアノード電位を2VFにしたもので、この
ものにおいてはターン・オフ制御時サイリスタ
SCR1のアノード・カソード間に印加する逆バイ
アスをさらに大きくできるので、サイリスタ
SCR1のターン・オフ動作をより確実にできるも
のである。勿論この場合も前記同様の効果が得ら
れるものである。 In addition, the one shown in Fig. 5 is one in which diode D 1 is connected in series with another diode D 2 to set the anode potential of diode D 1 to 2V F.
Since the reverse bias applied between the anode and cathode of SCR 1 can be further increased, the thyristor
This makes the turn-off operation of SCR 1 more reliable. Of course, the same effects as described above can be obtained in this case as well.
また第６図に示すものはダイオードD1に換え
て定電圧ダイオードDZを使用したもので、この
ものにおいてはダイオードDZとしてツエナー電
圧VZがトランジスタTrのコレクタ・エミツタ間
の飽和電圧よりも大きいものを選べばターン・オ
フ制御時サイリスタSCR1のアノード・カソード
間に確実に逆バイアスが印加できるから、この場
合もサイリスタSCR1を確実にターン・オフでき、
前記同様の効果が得られるものである。 In addition, the one shown in Fig. 6 uses a constant voltage diode DZ in place of the diode D1 , and in this one, the Zener voltage VZ of the diode DZ is higher than the saturation voltage between the collector and emitter of the transistor Tr. If a larger value is selected, a reverse bias can be reliably applied between the anode and cathode of thyristor SCR 1 during turn-off control, so thyristor SCR 1 can be turned off reliably in this case as well.
Effects similar to those described above can be obtained.
さらに第７図に示すものはダイオードD1に換
えて抵抗R4を使用したもので、このものにおい
ては抵抗R2とR4との分圧比で決まる抵抗R4の両
端間電圧VRがトランジスタTrのコレクタ・エミ
ツタ間の飽和電圧よりも大きくなるように抵抗
R4の抵抗値を選べばターン・オフ制御時サイリ
スタSCR1のアノード・カソード間に確実に逆バ
イアスが印加できるから、この場合もサイリスタ
SCR1を確実にターン・オフでき、前記同様の効
果が得られるものである。 Furthermore, the one shown in Fig. 7 uses a resistor R4 instead of the diode D1 , and in this one, the voltage V R across the resistor R4 determined by the voltage division ratio of the resistors R2 and R4 is the voltage V R of the transistor. Set the resistor so that it is higher than the saturation voltage between the collector and emitter of the Tr.
By selecting the resistance value of R4 , it is possible to reliably apply a reverse bias between the anode and cathode of thyristor SCR 1 during turn-off control, so in this case as well, the thyristor
SCR 1 can be turned off reliably and the same effect as described above can be obtained.
なお、前記実施例では電圧供給回路としては抵
抗とダイオード、抵抗と定電圧ダイオード、抵抗
と抵抗からなるものについて述べたがかならずし
もこれに限定されるものでないのは勿論である。 In the above embodiments, the voltage supply circuit has been described as consisting of a resistor and a diode, a resistor and a constant voltage diode, or a resistor and a resistor, but it is needless to say that the voltage supply circuit is not limited thereto.
以上詳述したようにこの考案によれば、サイリ
スタを直列に介挿した負荷駆動回路の上記サイリ
スタのアノード・カソード間又はゲート・カソー
ド間にスイツチングトランジスタを接続し、かつ
上記サイリスタのカソードに電圧供給回路により
上記トランジスタのコレクタ・エミツタ間の飽和
電圧よりも大きな電圧を印加するようにしている
ので、ターン・オフ制御時サイリスタのアノー
ド・カソード間又はゲート・カソード間に確実に
逆バイアスを印加することができるから、素子や
回路定数の多少のばらつきや周囲温度の変化があ
つてもサイリスタを確実にターン・オフさせるこ
とができ、しかも、コンデンサを含まないから回
路のIC化が容易にできるサイリスタのターン・
オフ回路を提供できるものである。 As detailed above, according to this invention, a switching transistor is connected between the anode and cathode or between the gate and cathode of the thyristor of a load driving circuit in which thyristors are inserted in series, and a voltage is applied to the cathode of the thyristor. Since the supply circuit applies a voltage larger than the saturation voltage between the collector and emitter of the above transistor, a reverse bias is reliably applied between the anode and cathode or between the gate and cathode of the thyristor during turn-off control. This allows the thyristor to be turned off reliably even if there are slight variations in the elements or circuit constants or changes in ambient temperature. Furthermore, since it does not include a capacitor, the thyristor can be easily integrated into an IC circuit. The turn of
It can provide an off-circuit.
第１図および第２図は従来例を示す回路図、第
３図はこの考案の一実施例を示す回路図、第４図
〜第７図はこの考案の他の実施例を示す回路図で
ある。
RL……負荷抵抗、SCR1……サイリスタ、Tr…
…NPN形スイツチングトランジスタ、D1，D2…
…ダイオード、R2，R4……抵抗、DZ……定電圧
ダイオード。
Figures 1 and 2 are circuit diagrams showing a conventional example, Figure 3 is a circuit diagram showing one embodiment of this invention, and Figures 4 to 7 are circuit diagrams showing other embodiments of this invention. be. R L ...Load resistance, SCR 1 ...Thyristor, Tr...
…NPN type switching transistor, D 1 , D 2 …
…Diode, R 2 , R 4 … Resistor, D Z … Constant voltage diode.
Claims (1)
記サイリスタのアノード・カソード間又はゲー
ト・カソード間に接続したスイツチングトランジ
スタと、上記サイリスタのカソードに上記トラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間の飽和電圧よりも
大きな電圧を印加する電圧供給回路とを設けたこ
とを特徴とするサイリスタのターン・オフ回路。 A switching transistor connected between the anode and cathode or gate and cathode of the thyristor in a load drive circuit in which thyristors are inserted in series, and a voltage greater than the saturation voltage between the collector and emitter of the transistor at the cathode of the thyristor. 1. A thyristor turn-off circuit comprising: a voltage supply circuit for applying .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980006220U JPS635430Y2 (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980006220U JPS635430Y2 (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56108378U JPS56108378U (en) | 1981-08-22 |
| JPS635430Y2 true JPS635430Y2 (en) | 1988-02-15 |
Family
ID=29602887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980006220U Expired JPS635430Y2 (en) | 1980-01-22 | 1980-01-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635430Y2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162953A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Sadamu Endou | Composite relay |
-
1980
- 1980-01-22 JP JP1980006220U patent/JPS635430Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162953A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Sadamu Endou | Composite relay |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56108378U (en) | 1981-08-22 |
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