JPS6353523A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
- Publication number
- JPS6353523A JPS6353523A JP61198410A JP19841086A JPS6353523A JP S6353523 A JPS6353523 A JP S6353523A JP 61198410 A JP61198410 A JP 61198410A JP 19841086 A JP19841086 A JP 19841086A JP S6353523 A JPS6353523 A JP S6353523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrochromic
- film
- film formed
- oxide film
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001417527 Pempheridae Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
（従来の技術）
従来、ＥＣ現象とは、電圧を加えた時に酸化還元反応に
より物質が着色する現象を指している。この様なＥＣ現
象を利用する電気化学的着消色素子、すなわちＥＣ素子
は、例えば数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリックスディスプ
レイ、可変ＮＤフィルター、光学シャッタ、絞り機構等
に応用が期待されている。現在の処、酸化時に着色する
ＥＣ材料としては、応答速度、安定性、寿命などの面で
酸化イリジウムが代表としてあげラレる。この様なＥＣ
現象を示す酸化イリジウムに代表されるエレクトロクロ
ミンク膜の作成法として、電解液中において金属イリジ
ウムに一定振幅の交流電位を連続掃引する陽極酸化法と
金属イリジウムをターゲットとし、反応性ガスに酸素を
用いる反応スパッタリング法が挙げられる。
より物質が着色する現象を指している。この様なＥＣ現
象を利用する電気化学的着消色素子、すなわちＥＣ素子
は、例えば数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリックスディスプ
レイ、可変ＮＤフィルター、光学シャッタ、絞り機構等
に応用が期待されている。現在の処、酸化時に着色する
ＥＣ材料としては、応答速度、安定性、寿命などの面で
酸化イリジウムが代表としてあげラレる。この様なＥＣ
現象を示す酸化イリジウムに代表されるエレクトロクロ
ミンク膜の作成法として、電解液中において金属イリジ
ウムに一定振幅の交流電位を連続掃引する陽極酸化法と
金属イリジウムをターゲットとし、反応性ガスに酸素を
用いる反応スパッタリング法が挙げられる。
酸化イリジウム膜の陽極酸化法による作成は、Ｊ、Ｌ、
５ｈａｙｅｔａ１．、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、
、３３ （１１）、９４２ （１９７８）に提案されて
おり、得られた酸化イリジウム膜はＡＩＲＯＦ（Ａｎｏ
ｄｉｃ ＩｒｆｄｆｕｍＯｘｉｄｅ Ｆｔｌｍ）と
呼ばれている。
５ｈａｙｅｔａ１．、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、
、３３ （１１）、９４２ （１９７８）に提案されて
おり、得られた酸化イリジウム膜はＡＩＲＯＦ（Ａｎｏ
ｄｉｃ ＩｒｆｄｆｕｍＯｘｉｄｅ Ｆｔｌｍ）と
呼ばれている。
一方、酸化イリジウム膜の反応性スバ・シタリング法に
よる作成はり、Ｍ、５ｃｈｉａｖｏｎｅｅｔａ！、、Ａ
ｐｐｌ、ＰｈｙＳ、Ｌｅｔｔ。
よる作成はり、Ｍ、５ｃｈｉａｖｏｎｅｅｔａ！、、Ａ
ｐｐｌ、ＰｈｙＳ、Ｌｅｔｔ。
−ジー１−（１０）、８２３ （１９７９）に）思案さ
れており、得られた酸化イリジウム膜は５ＩＲＯＦ（Ｓ
ｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｉｒｉｄｆｕｍ ０ｘｉｄｅ
Ｆｉｌｍ）と呼ばれている。
れており、得られた酸化イリジウム膜は５ＩＲＯＦ（Ｓ
ｐｕｔｔｅｒｅｄ Ｉｒｉｄｆｕｍ ０ｘｉｄｅ
Ｆｉｌｍ）と呼ばれている。
〔発明が解決しようとする問題点）
上述の陽極酸化法には表面形状の多孔性と粒塊の大によ
る表面積が大きいという特徴から電解質水溶液中では着
消色濃度変化が大きいという利点を有している。
る表面積が大きいという特徴から電解質水溶液中では着
消色濃度変化が大きいという利点を有している。
さらに一定振幅の交流電位掃引を改良した段階的電位振
幅増加を用いると溶液中において従来よりも大きな着消
色濃度変化を示すＡＩＲＯＦを作成することが確かめら
れている。
幅増加を用いると溶液中において従来よりも大きな着消
色濃度変化を示すＡＩＲＯＦを作成することが確かめら
れている。
ところが、このＡＩＲＯＦには表面形状の多孔性による
欠点があり、例えば全固体型のＥＣ素子に適用すると液
体中と比較して濃度変化が非常に小さくなるという現象
が生じてしまう。
欠点があり、例えば全固体型のＥＣ素子に適用すると液
体中と比較して濃度変化が非常に小さくなるという現象
が生じてしまう。
この理由の１つとしてＡ［ＲＯＦの表面形状の多孔性に
より絶縁層を真空蒸着した際、両者の界面の接合が適切
ではなくなり例えば空間が生じるなどして、着消色に必
要なイオンの輸送が困難になることがあげられる。
より絶縁層を真空蒸着した際、両者の界面の接合が適切
ではなくなり例えば空間が生じるなどして、着消色に必
要なイオンの輸送が困難になることがあげられる。
一方５ＩＲＯＦはＡＩＲＯＦと比較して粒塊が細かく表
面平滑性が高いという特徴を有している。それゆえ５Ｉ
ＲＯＦの場合は、絶縁層との界面の接合状態は良好でイ
オンは容易に輸送される。しかし５ＩＲＯＦには表面が
平面に近いために表面積が小さく濃度変化を大きくでき
ないという欠点ももっている。
面平滑性が高いという特徴を有している。それゆえ５Ｉ
ＲＯＦの場合は、絶縁層との界面の接合状態は良好でイ
オンは容易に輸送される。しかし５ＩＲＯＦには表面が
平面に近いために表面積が小さく濃度変化を大きくでき
ないという欠点ももっている。
この欠点を改善するためにスパッタリング時の成膜速度
を速くして表面が荒くなる様に、つまり表面積が大にな
るよう成膜しても、その時は消色時の濃度が高く、かつ
膜の密着性も悪くなるという問題が生じてしまう。
を速くして表面が荒くなる様に、つまり表面積が大にな
るよう成膜しても、その時は消色時の濃度が高く、かつ
膜の密着性も悪くなるという問題が生じてしまう。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕そこで本発明
は、酸化イリジウム膜に代表されるエレクトロクロミッ
ク層を陽極酸化法およびスパッタリング法による２種の
方法によるエレクトロクロミック膜を積層させることに
より、両方法によるそれぞれの単独膜の特徴を生かしつ
つ同時に欠点を補ない従来よりも濃度変化の大きい且つ
境界面良好のエレクトロクロミック素子を提供するもの
である。
は、酸化イリジウム膜に代表されるエレクトロクロミッ
ク層を陽極酸化法およびスパッタリング法による２種の
方法によるエレクトロクロミック膜を積層させることに
より、両方法によるそれぞれの単独膜の特徴を生かしつ
つ同時に欠点を補ない従来よりも濃度変化の大きい且つ
境界面良好のエレクトロクロミック素子を提供するもの
である。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、導電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。また第２図に示すエレクトロクロミ
ック素子は、第１図に示す構造における絶縁層４と第２
電極５との間に、さらに、陰極側発色層である第２のエ
レクトロクロミック層６を積層したものである。
１の上に、透明導電体膜よりなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、導電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。また第２図に示すエレクトロクロミ
ック素子は、第１図に示す構造における絶縁層４と第２
電極５との間に、さらに、陰極側発色層である第２のエ
レクトロクロミック層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁Ｎ４は誘電体のみではなく固体電解電等の
ようなものでもよい。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。絶縁Ｎ４は誘電体のみではなく固体電解電等の
ようなものでもよい。
透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化インジウムＩ ｎ
２０．中に酸化錫ＳｎＯ２をドープしたもの）やネサ膜
等が用いられる。
２０．中に酸化錫ＳｎＯ２をドープしたもの）やネサ膜
等が用いられる。
誘電体からなる絶縁層４は酸化ケイ素（ＳｉＯ，Ｓｔｏ
ｗ）二酸化ジルコン（ＺｒＯ＝）。
ｗ）二酸化ジルコン（ＺｒＯ＝）。
五酸化タンタル（Ｔａ２ｏｓ ）等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ）。
、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ）。
フッ化マグネシウム（ＭｇＦｚ）等に代表されるフッ化
物を用いて形成する。
物を用いて形成する。
本発明のエレクトロミック層３は陽極側に設けてあり、
これはＡＩＲＯＦ（３ａ）の上に５ＩＲＯＦや酸化ニッ
ケル（ＮｉＯｘ）、酸化コバルト（Ｃｏａｘ）等のスパ
ッタ膜（３ｂ）を積層した構造となっている。
これはＡＩＲＯＦ（３ａ）の上に５ＩＲＯＦや酸化ニッ
ケル（ＮｉＯｘ）、酸化コバルト（Ｃｏａｘ）等のスパ
ッタ膜（３ｂ）を積層した構造となっている。
また陰極側に設けたエレクトロクロミック層６には酸化
タンゲスｆン（ＷＯ，、ＷＯ，）、酸化モリブデン（Ｍ
ｏ０２ 、Ｍｏ５ｓ ） 、五酸化バナジウム（ｖ２ｏ
ｓ）等を用いる。
タンゲスｆン（ＷＯ，、ＷＯ，）、酸化モリブデン（Ｍ
ｏ０２ 、Ｍｏ５ｓ ） 、五酸化バナジウム（ｖ２ｏ
ｓ）等を用いる。
具体的に２層構造をとる陽極側発色層のＡＩＲＯＦ＋５
ＩＲＯＦの形成法を述べる。透明導電膜を設けたガラス
基板上に金属イリジウム膜をスパッタリング法により１
００〜４００人の膜厚に成膜し、この金属イリジウム膜
を電解液中で交流電位を連続掃引して陰極酸化し、望ま
しくは５００〜２０００人の酸化イリジウム膜（ＡＩＲ
ＯＦ）を作成する。その後このＡＩＲＯＦ上に金属イリ
ジウムをターゲットとした酸素水素混合雰囲気中の反応
性スパッタリング法により、望ましくはガス圧力０．１
〜０．４Ｔｏｒｒ、成膜速度は３人／ ｍ ｉ ｎ以下
で酸化イリジウム膜（ＳＩＲＯＦ）を作成する。この５
ＩＲＯＦの膜厚はＡＪＲＯＦの表面の多孔性をある程度
なくし、かつ、５ＩＲＯＦ自身の透明度を失われないよ
うに、１００〜３００人が望ましい。
ＩＲＯＦの形成法を述べる。透明導電膜を設けたガラス
基板上に金属イリジウム膜をスパッタリング法により１
００〜４００人の膜厚に成膜し、この金属イリジウム膜
を電解液中で交流電位を連続掃引して陰極酸化し、望ま
しくは５００〜２０００人の酸化イリジウム膜（ＡＩＲ
ＯＦ）を作成する。その後このＡＩＲＯＦ上に金属イリ
ジウムをターゲットとした酸素水素混合雰囲気中の反応
性スパッタリング法により、望ましくはガス圧力０．１
〜０．４Ｔｏｒｒ、成膜速度は３人／ ｍ ｉ ｎ以下
で酸化イリジウム膜（ＳＩＲＯＦ）を作成する。この５
ＩＲＯＦの膜厚はＡＪＲＯＦの表面の多孔性をある程度
なくし、かつ、５ＩＲＯＦ自身の透明度を失われないよ
うに、１００〜３００人が望ましい。
この５ＩＲＯＦは通常のスパッタリング法で用いる！Ｏ
−”Ｔｏｒｒ程度の圧力と比較して高圧力下で成膜速度
が小さくなる様に作成しているのでＡＩＲＯＦと５ＩＲ
ＯＦの接合界面は空間が生じることなく良好な状態であ
り、５ＩＲＯＦの表面は平滑であるので絶縁層との接合
も良い。
−”Ｔｏｒｒ程度の圧力と比較して高圧力下で成膜速度
が小さくなる様に作成しているのでＡＩＲＯＦと５ＩＲ
ＯＦの接合界面は空間が生じることなく良好な状態であ
り、５ＩＲＯＦの表面は平滑であるので絶縁層との接合
も良い。
この様にしてＡＩＲＯＦと５ＩＲＯＦの特徴を生かす２
層構造の陽極側発色層が形成される。
層構造の陽極側発色層が形成される。
よって従来よりも濃度変化の大きい且つ接合面良好なエ
レクトロクロミック素子を形成することがで籾る。
レクトロクロミック素子を形成することがで籾る。
以下本発明を実施例に従って説明する。
〔実施例１〕
本発明の実施例の構造を示す断面図である。
第１図に従って以下説明する。
はじめに、ＩＴＯ１ｉ２を設けたガラス基板１上にＡＩ
ＲＯＦ３ａを形成した。
ＲＯＦ３ａを形成した。
第３図は本発明の陽８ｉ酸化に用いるガラスセルの１例
の図であり、図中１１はＩＴＯ付ガラス基板上に４００
人の膜圧にスパッタリング法で成膜した金属イリジウム
膜、１２は飽和カロメル参照ｉ！極（以下ＳＣＥと略す
）、１３は白金電極、１４は０．０ＩＮのＨ２ＳＯ４水
溶液である。この様なセルを第４図に示すガラスセルの
駆動装置で駆動して酸化イリジウム膜を作成した。ポテ
ンシオスタット１５．ポテンシャルスィーパ−１６によ
り、第４図に示すガラスセルに、第５１図に示す様な三
角波電位（対ＳＣＥ電位、以下省略する）の振幅を第１
表に示すごとく、段階的に増加させて速度０．ＩＶ／ｓ
ｅｅで掃引を行い、膜圧１５０ｏ人の酸化イリジウム膜
（Ａ Ｉ ＲＯＦ）３ ａを作成した。
の図であり、図中１１はＩＴＯ付ガラス基板上に４００
人の膜圧にスパッタリング法で成膜した金属イリジウム
膜、１２は飽和カロメル参照ｉ！極（以下ＳＣＥと略す
）、１３は白金電極、１４は０．０ＩＮのＨ２ＳＯ４水
溶液である。この様なセルを第４図に示すガラスセルの
駆動装置で駆動して酸化イリジウム膜を作成した。ポテ
ンシオスタット１５．ポテンシャルスィーパ−１６によ
り、第４図に示すガラスセルに、第５１図に示す様な三
角波電位（対ＳＣＥ電位、以下省略する）の振幅を第１
表に示すごとく、段階的に増加させて速度０．ＩＶ／ｓ
ｅｅで掃引を行い、膜圧１５０ｏ人の酸化イリジウム膜
（Ａ Ｉ ＲＯＦ）３ ａを作成した。
続いてこのＡＩＲＯＦ上に反応性スパッタリング法によ
り５ＩＲＯＦ３ｂを２００人成膜した。
り５ＩＲＯＦ３ｂを２００人成膜した。
作成条件は２極式スパッタリング装置においてベース圧
力が２．Ｏｘ １０−’Ｔｏ ｒ ｒになる様に排気し
た後反応性ガスとして酸素を導入し、０、ＩＴｏｒｒの
圧力、ＲＦパワーＳＯＷ成膜速度１．８人／ ｍ ｔ
ｎである。
力が２．Ｏｘ １０−’Ｔｏ ｒ ｒになる様に排気し
た後反応性ガスとして酸素を導入し、０、ＩＴｏｒｒの
圧力、ＲＦパワーＳＯＷ成膜速度１．８人／ ｍ ｔ
ｎである。
さらに絶縁層としてＴａ２０．膜４を１，５人／ ｓ
ｅ ｃの蒸着速度で３０００人、その上に第２電極５と
して半透明Ａｕ膜を３００人電子ビーム法により逐次蒸
着し、第１図に示すエレクトロクロミック素子を作成し
た。
ｅ ｃの蒸着速度で３０００人、その上に第２電極５と
して半透明Ａｕ膜を３００人電子ビーム法により逐次蒸
着し、第１図に示すエレクトロクロミック素子を作成し
た。
この素子に第１電極２を基準として＋１．５■の直流電
圧を第１電極２と第２電極５の間に印加したところ２５
０ｍ５ｅｃでΔ０Ｄ＝０．３５（ΔＯＤは光学活性濃度
差を表わす。）の４度変化を示した。第１図の陽極側発
色層３を実施例１の３ｂと同条件で作成した１７００人
の５ＩＲＯＦとした同様の素子の場合のΔ０Ｄ＝０．２
９と比較して本発明により濃度変化は増大した。
圧を第１電極２と第２電極５の間に印加したところ２５
０ｍ５ｅｃでΔ０Ｄ＝０．３５（ΔＯＤは光学活性濃度
差を表わす。）の４度変化を示した。第１図の陽極側発
色層３を実施例１の３ｂと同条件で作成した１７００人
の５ＩＲＯＦとした同様の素子の場合のΔ０Ｄ＝０．２
９と比較して本発明により濃度変化は増大した。
第１表
Ｃ実施例２〕
実施例１と同様の条件でＩＴＯ膜２を設けたガラス基板
１上にＡＩＲＯＦ３ａを形成した。
１上にＡＩＲＯＦ３ａを形成した。
続いて反応性スパッタリング法を用いて、特開昭５９−
１８２４２８に示した様に、Ｎｉ０ｘ（ＯＨ）と膜３ｂ
を積層した。Ａ ｒ−ｏ、 −Ｈ２く流量比１：４：８
）の混合ガスを導入し、０、ＩＴｏｒｒの圧力、ＲＦパ
ワー１５０Ｗ。
１８２４２８に示した様に、Ｎｉ０ｘ（ＯＨ）と膜３ｂ
を積層した。Ａ ｒ−ｏ、 −Ｈ２く流量比１：４：８
）の混合ガスを導入し、０、ＩＴｏｒｒの圧力、ＲＦパ
ワー１５０Ｗ。
成膜速度１．０人／ ｓ ｅ ｃで３００人成膜した。
さらに絶縁層としてＴａ２Ｏ，膜４を１．５人／ ｓ
ｅ ｃの蒸着速度で３０００人、その上に陰極側発色層
としてＷｏ、を１３人／ ｓ ｅ ｃの蒸着速度で３０
００人、さらにその上に第２電極５として半透明Ａｕ膜
を３００人電子ビーム法により逐次蒸着し第２図に示す
エレクトロクロミック素子を作成した。
ｅ ｃの蒸着速度で３０００人、その上に陰極側発色層
としてＷｏ、を１３人／ ｓ ｅ ｃの蒸着速度で３０
００人、さらにその上に第２電極５として半透明Ａｕ膜
を３００人電子ビーム法により逐次蒸着し第２図に示す
エレクトロクロミック素子を作成した。
この素子に第１電極２を基準として＋１．５■の直流電
圧を第１電極２と第２電極５の間に印加したところ２５
０ｍ５ｅｃでΔ０Ｄ＝０．４８の濃度変化を示した。第
２図の陽極側発色層３を実施例２の３ｂと同条件で作成
した１０００人の５ＩＲＯＦとした同様の素子の場合の
Δ０Ｄ＝０．４０と比較して本発明により濃度変化は増
大した。
圧を第１電極２と第２電極５の間に印加したところ２５
０ｍ５ｅｃでΔ０Ｄ＝０．４８の濃度変化を示した。第
２図の陽極側発色層３を実施例２の３ｂと同条件で作成
した１０００人の５ＩＲＯＦとした同様の素子の場合の
Δ０Ｄ＝０．４０と比較して本発明により濃度変化は増
大した。
（発明の効果）
以上説明した様に発色層を陽極酸化法で作成したエレク
トロクロミック膜上にスパッタ法で作成したエレクトロ
クロミック膜を積層した構造にすることにより従来より
も濃度変化の大きい且つ境界界面が良好なエレクトロク
ロミック素子が提供できる。
トロクロミック膜上にスパッタ法で作成したエレクトロ
クロミック膜を積層した構造にすることにより従来より
も濃度変化の大きい且つ境界界面が良好なエレクトロク
ロミック素子が提供できる。
第１図、第２図は本発明に係る全固体型エレクトロクロ
ミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本発明の
陽極酸化に用いるガラスセルの１例を示す説明図、第４
図はガラスセルの駆動装置の説明図、第５図は駆動電位
波形を示すグラフである。 １ −−−−−一基板 ２ −−−−−一第１？ｉｔ極 ３ −−−−−一エレクトロクロミツク層４ −−−−
−一絶縁層 ５ −−−−−一第２電極 ６ −−−−−一エレクトロクロミツク層１１ −−−
−−一金屈イリジウム膜 １２ −−−−−一飽和カロメル参照電、極（ＳＣＥ）
１３ −−−−−一白金電極
ミック素子の２つの例を示す断面図、第３図は本発明の
陽極酸化に用いるガラスセルの１例を示す説明図、第４
図はガラスセルの駆動装置の説明図、第５図は駆動電位
波形を示すグラフである。 １ −−−−−一基板 ２ −−−−−一第１？ｉｔ極 ３ −−−−−一エレクトロクロミツク層４ −−−−
−一絶縁層 ５ −−−−−一第２電極 ６ −−−−−一エレクトロクロミツク層１１ −−−
−−一金屈イリジウム膜 １２ −−−−−一飽和カロメル参照電、極（ＳＣＥ）
１３ −−−−−一白金電極
Claims (10)
- （１）対向電極間にエレクトロクロミック層及び絶縁層
を有するエレクトロクロミック素子において、 発色層を陽極酸化法およびスパッタリング法によるエレ
クトロクロミック膜を積層した構造をとることに特徴を
有するエレクトロクロミック素子 - （２）該陽極酸化法によるエレクトロクロミック膜が陽
極酸化法による酸化イリジウム膜である特許請求の範囲
第１項記載のエレクトロクロミック素子 - （３）該スパッタリング法によるエレクトロクロミック
膜がスパッタリング法による酸化イリジウム膜である特
許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子 - （４）該スパッタリング法によるエレクトロクロミック
膜がスパッタリング法による酸化ニッケルの膜である特
許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子 - （５）該スパッタリング法によるエレクトロクロミック
膜がスパッタリング法による酸化コバルトの膜である特
許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子 - （６）前記陽極酸化法による酸化イリジウムの膜の膜厚
が５００〜２０００オングストロームである特許請求の
範囲第２項記載のエレクトロクロミック素子 - （７）前記スパッタリング法による酸化イリジウム膜の
膜厚が１００〜３００オングストロームである特許請求
の範囲第３項記載のエレクトロクロミック素子 - （８）前記スパッタリング法による酸化ニッケルの膜の
膜厚が１００〜３００オングストロームである特許請求
の範囲第４項記載のエレクトロクロミック素子 - （９）前記スパッタリング法による酸化コバルトの膜の
膜厚が１００〜３００オングストロームである特許請求
の範囲第５項記載のエレクトミック素子 - （１０）前記スパッタリング法におけるガス圧力条件が
０．１〜０．４Ｔｏｒｒである特許請求の範囲第１項記
載のエレクトロクロミック素子
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198410A JPS6353523A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | エレクトロクロミツク素子 |
| US07/043,805 US4902109A (en) | 1986-05-02 | 1987-04-29 | Electrochromic device |
| US07/262,233 US4918028A (en) | 1986-04-14 | 1988-10-21 | Process for photo-assisted epitaxial growth using remote plasma with in-situ etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198410A JPS6353523A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353523A true JPS6353523A (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16390658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198410A Pending JPS6353523A (ja) | 1986-04-14 | 1986-08-25 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017520808A (ja) * | 2014-07-11 | 2017-07-27 | ポール・フォン・グエンNGUYEN, Paul, Phong | エレクトロクロミック装置及び当該装置を形成するための方法 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61198410A patent/JPS6353523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017520808A (ja) * | 2014-07-11 | 2017-07-27 | ポール・フォン・グエンNGUYEN, Paul, Phong | エレクトロクロミック装置及び当該装置を形成するための方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108169975A (zh) | 一种集成电致变色与电双层电容结构的器件及其激光加工方法 | |
| JPS6353523A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPH02151838A (ja) | 全固体エレクトロクロミック素子 | |
| JPS61176035A (ja) | プラズマデイスプレイパネル | |
| JPS6033255B2 (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
| US4902109A (en) | Electrochromic device | |
| KR101470612B1 (ko) | 카본 박막층을 갖는 전기변색 창호와 그 제조방법 | |
| US20220229339A1 (en) | Porous perovskite nickelates with enhanced electrochromic properties and systems thereof | |
| JPS6186733A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPH0443252B2 (ja) | ||
| JP2515508B2 (ja) | エレクトロクロミック素子用陽極酸化膜の製造方法 | |
| JPH02240293A (ja) | 陽極酸化膜の製造方法 | |
| JPH03119325A (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
| JPS63282720A (ja) | エレクトロクロミツク素子の製造方法 | |
| JPH01136129A (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
| JPS59223412A (ja) | 表示装置 | |
| JPH0372328A (ja) | エレクトロクロミック素子 | |
| JPH0261622A (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
| JPS59180528A (ja) | 酸化発色型エレクトロクロミツク層の製造方法 | |
| JPS61103982A (ja) | エレクトロクロミツク素子 | |
| JPS617380A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
| JPH0578805B2 (ja) | ||
| JPH02926A (ja) | エレクトロクロミック素子の製造方法 | |
| JPS62150233A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
| JPH02151839A (ja) | 全固体エレクトロクロミック素子 |