JPS6351652A - ワイアボンド管理装置 - Google Patents
ワイアボンド管理装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造工程におけるワイア
ボンドの管理装置に関するものである。
ボンドの管理装置に関するものである。
従来のワイアボンドの管理方法としては、ワイアボンド
完了後、顕微鏡を通して人間の目による目視検査によっ
てICパッドとワイアの剥がれ5ワイアとICチップ周
辺部のショート及びワイアとフレームの剥がれを検査し
ている。また抜き取りによってボンディング強度を測定
し、ロフト判定を行っていた。
完了後、顕微鏡を通して人間の目による目視検査によっ
てICパッドとワイアの剥がれ5ワイアとICチップ周
辺部のショート及びワイアとフレームの剥がれを検査し
ている。また抜き取りによってボンディング強度を測定
し、ロフト判定を行っていた。
[発明が解決しようとする問題点〕
以上のように従来のワイアボンドの管理方法は、人間の
目視による管能挾査のため、充分な検査精度が得られな
いという欠点があった。また顕微鏡を用いた目視のため
、その検査に時間がかかり、多くの経費を要するという
問題があった。
目視による管能挾査のため、充分な検査精度が得られな
いという欠点があった。また顕微鏡を用いた目視のため
、その検査に時間がかかり、多くの経費を要するという
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、?fJ単にかつ精度よくワイアボンドを管理
することのできるワイアボンド管理装置を得ることを目
的とする。
たもので、?fJ単にかつ精度よくワイアボンドを管理
することのできるワイアボンド管理装置を得ることを目
的とする。
この発明に係るワイアボンド管理装置は、ワイアボンド
のキャピラリ一部とICチップをマウントしたフレーム
部との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、上記
キャピラリー、フレーム間の電圧を測定するための電圧
測定手段とを設け、該電圧測定結果によってワイアボン
ドの異常を検出するようにしたものである。
のキャピラリ一部とICチップをマウントしたフレーム
部との間に電圧を印加するための電圧印加手段と、上記
キャピラリー、フレーム間の電圧を測定するための電圧
測定手段とを設け、該電圧測定結果によってワイアボン
ドの異常を検出するようにしたものである。
この発明においては、ワイアボンドのキャピラリーとフ
レーム間の電圧を測定し、該測定結果が正常なワイアボ
ンド時における電圧と異なる場合にこれを異常として判
定し、その態様によりワイアの剥がれやショート等を検
出する。
レーム間の電圧を測定し、該測定結果が正常なワイアボ
ンド時における電圧と異なる場合にこれを異常として判
定し、その態様によりワイアの剥がれやショート等を検
出する。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第1図は本発明の概略構成を示すもので、図において、
1はワイアボンド装置のキャピラリーであり、これを上
下、左右に移動することによりワイアを所定の位五にボ
ンディグするものである。2は金線ワイア、3はICチ
ップ、4は該ICチップ3のボンディグバンド、5はI
Cチップ内のサージ保護ダイオードであり、GND側を
アノード。
1はワイアボンド装置のキャピラリーであり、これを上
下、左右に移動することによりワイアを所定の位五にボ
ンディグするものである。2は金線ワイア、3はICチ
ップ、4は該ICチップ3のボンディグバンド、5はI
Cチップ内のサージ保護ダイオードであり、GND側を
アノード。
バッド側をカソードとして接続されている。6は上記1
cチフプ3が搭載されたフレームであり、ワイアボンド
の工程においては、ICのダイパッド部及び各ビンのリ
ード部はタイバーによって接続されている。 また8は
抵抗、9は電圧源、10は電圧源9とフレーム6との接
点であり、これらにより上記キャピラリー1とフレーム
6との間に電圧を印加するための電圧印加手段が構成さ
れている。なお上記接点10の電位はGNDに設定され
ている。7はキャピラリー1.フレーム6間の電圧を測
定するための電圧計である。また図示していないが、上
記電圧針の測定結果によりワイアボンドの異常の有無モ
判断するための異常検出手段が設けられている。
cチフプ3が搭載されたフレームであり、ワイアボンド
の工程においては、ICのダイパッド部及び各ビンのリ
ード部はタイバーによって接続されている。 また8は
抵抗、9は電圧源、10は電圧源9とフレーム6との接
点であり、これらにより上記キャピラリー1とフレーム
6との間に電圧を印加するための電圧印加手段が構成さ
れている。なお上記接点10の電位はGNDに設定され
ている。7はキャピラリー1.フレーム6間の電圧を測
定するための電圧計である。また図示していないが、上
記電圧針の測定結果によりワイアボンドの異常の有無モ
判断するための異常検出手段が設けられている。
第2図はワイアボンドが正常に行われた場合の電圧計7
の測定電圧の時間的変化を示している。
の測定電圧の時間的変化を示している。
図において、11,12,13.14はそれぞれ時間0
−tl、tl〜t2.t2〜t3.t3〜の測定電圧に
対応し、時刻t1でワイヤ2がICチップ3のボンディ
グバッド4に接触し、t2でワイア2がリードフレーム
6に接触し、t3でワイア2をカットすることを示して
いる。
−tl、tl〜t2.t2〜t3.t3〜の測定電圧に
対応し、時刻t1でワイヤ2がICチップ3のボンディ
グバッド4に接触し、t2でワイア2がリードフレーム
6に接触し、t3でワイア2をカットすることを示して
いる。
第3図、第4図、第5図はワイアボンド作業に異常が発
生した場合の例を示し、第3図はrcのバッド4とワイ
ア2とが剥がれた場合、第4図はワイア2とICチップ
3もしくはフレーム6とが途中でショートした場合、第
5図はワイア2とリードフレーム6とが剥がれた場合を
示している。
生した場合の例を示し、第3図はrcのバッド4とワイ
ア2とが剥がれた場合、第4図はワイア2とICチップ
3もしくはフレーム6とが途中でショートした場合、第
5図はワイア2とリードフレーム6とが剥がれた場合を
示している。
次にり1作について説明する。
まずICチップ3上のG N Dバッドをワイアボンド
し、その後にワイアボンドの管理を行う。これはICチ
ップのGNDをフレーム6と接続し、各バッド4毎にG
NDとの間に設けられたサージ保護用のダイオードのア
ノード(ICチップのGND)をフレーム6と接続する
ためであるや次に正常にワイアボンドが行われる場合に
ついて、第2図を用いて説明ず乙。
し、その後にワイアボンドの管理を行う。これはICチ
ップのGNDをフレーム6と接続し、各バッド4毎にG
NDとの間に設けられたサージ保護用のダイオードのア
ノード(ICチップのGND)をフレーム6と接続する
ためであるや次に正常にワイアボンドが行われる場合に
ついて、第2図を用いて説明ず乙。
期間0−tlはワイアボンドを行う前の状態で、金線2
はICチップ3のバッド4に接触していないため、N流
は流れず電圧計7の測定電圧は電圧源9の開放電位−V
eとなる。この状態を第2図の特性11で示す。
はICチップ3のバッド4に接触していないため、N流
は流れず電圧計7の測定電圧は電圧源9の開放電位−V
eとなる。この状態を第2図の特性11で示す。
次に期間t1−t2は、ICチップ3のバッド4にワイ
アボンドされ、金線2がループを描いてフレーム6にワ
イアボンドされるまでの期間で、この状態では、電源9
から流れ出る電流は、接点10を通り、フレーム6から
ICチップ30GNDに流れ込み、さらにサージ保護ダ
イオード5を流れ、パッド4から金線2及びキャピラリ
ー1を通って抵抗8を流れるように回路が構成される。
アボンドされ、金線2がループを描いてフレーム6にワ
イアボンドされるまでの期間で、この状態では、電源9
から流れ出る電流は、接点10を通り、フレーム6から
ICチップ30GNDに流れ込み、さらにサージ保護ダ
イオード5を流れ、パッド4から金線2及びキャピラリ
ー1を通って抵抗8を流れるように回路が構成される。
従って電圧計7の測定電圧は、ダイオード5の順方向電
圧−■fにほぼ等しい電圧となる。この状態を特性12
に示す。ここで、金線2をパッド4にボンディグしてキ
ャピラリー1を引き上げる時に一定の引っ張り力を加え
、ボンディグ強度チェックを行う。
圧−■fにほぼ等しい電圧となる。この状態を特性12
に示す。ここで、金線2をパッド4にボンディグしてキ
ャピラリー1を引き上げる時に一定の引っ張り力を加え
、ボンディグ強度チェックを行う。
次に期間t2〜t3は、フレーム6にワイアボンドして
このワイア2を切り離すまでの期間である。ここでは金
線2がフレーム6に接触するため電圧計7の測定電圧は
0となる。この状態を特性13で示す。ここで抵抗8は
この時の過電流防止用に用いている。またこのワイア切
り離しまでの期間において、フレーム6にボンディグし
た後に一定の引っ張り力でキャピラリー1を引き上げ、
これによりフレーム部のボンディグ強度のチェックを行
う。
このワイア2を切り離すまでの期間である。ここでは金
線2がフレーム6に接触するため電圧計7の測定電圧は
0となる。この状態を特性13で示す。ここで抵抗8は
この時の過電流防止用に用いている。またこのワイア切
り離しまでの期間において、フレーム6にボンディグし
た後に一定の引っ張り力でキャピラリー1を引き上げ、
これによりフレーム部のボンディグ強度のチェックを行
う。
時刻t3以降はワイアを切り離すため、電流ループが開
放となって電圧計7の測定電圧は−Veとなる。これを
特性14に示す。
放となって電圧計7の測定電圧は−Veとなる。これを
特性14に示す。
このようにして1つのパッドのワイアボンドが完了し、
次のバッドも同様にして行う。これらの時間は、ワイア
ボンド装置の動作速度、ICチップのピン数などの条件
によって決まり、予め時間 “と電圧の関係をプログラ
ムしておくことにより、自動的に異常を検出することが
できる。
次のバッドも同様にして行う。これらの時間は、ワイア
ボンド装置の動作速度、ICチップのピン数などの条件
によって決まり、予め時間 “と電圧の関係をプログラ
ムしておくことにより、自動的に異常を検出することが
できる。
次に異常の場合の具体例を第3図〜第5図を用いて説明
する。
する。
第3図はICパッド4と金線2が剥がれた場合を示すも
ので、時刻t1とt2との間で電流経路が切れるため、
測定電圧が−Vfから−Veに変化している。
ので、時刻t1とt2との間で電流経路が切れるため、
測定電圧が−Vfから−Veに変化している。
また第4図は金線2のループが垂れて、ICチップ3も
しくはフレーム6にショートした場合を示すもので、時
刻t1とt2との間でI11定電位がOとなり、異常が
検出される。
しくはフレーム6にショートした場合を示すもので、時
刻t1とt2との間でI11定電位がOとなり、異常が
検出される。
さらに第5図はフレーム6と金線2が剥がれた場合を示
し、時刻t2とt3との間で測定電位がOから−Vfに
変化する。
し、時刻t2とt3との間で測定電位がOから−Vfに
変化する。
以上のようにして、予めプログラムした測定電圧の時間
的変化に対して測定された電圧もしくはタイミングが異
なる場合は、これを異常として検出し、フレーム上に「
不良」であることを示すためのインクを打つ、また同一
モードの不良が続く場合は、ワイアボンド装置の不調も
しくはプログラムミスの可能性があるため、動作を中止
して警告を発する。
的変化に対して測定された電圧もしくはタイミングが異
なる場合は、これを異常として検出し、フレーム上に「
不良」であることを示すためのインクを打つ、また同一
モードの不良が続く場合は、ワイアボンド装置の不調も
しくはプログラムミスの可能性があるため、動作を中止
して警告を発する。
このような本実施例では、ワイアボンド工程における検
査をワイアボンド作業と同時に、電気的に行うことがで
き、検査精度を従来に比し著しく向上できるとともに、
その検査時間を短縮することができる。またワイアボン
ドと同時にその管理を行うため、ワイアボンド装置自体
が不調の場合に大量の不良を製造することを未然に防止
することができる。
査をワイアボンド作業と同時に、電気的に行うことがで
き、検査精度を従来に比し著しく向上できるとともに、
その検査時間を短縮することができる。またワイアボン
ドと同時にその管理を行うため、ワイアボンド装置自体
が不調の場合に大量の不良を製造することを未然に防止
することができる。
なお、上記実施例では電圧印加手段に抵抗と電圧源を用
いたが、これは定電流源を用いても同様の効果を奏する
。
いたが、これは定電流源を用いても同様の効果を奏する
。
また異常検出の例として3例をあげたが、この他にもワ
イアが■CCパッド外れた場合にも異常を検出すること
ができる。
イアが■CCパッド外れた場合にも異常を検出すること
ができる。
以上のように、この発明によれば、キャピラリーとフレ
ーム間に電圧を印加するとともに、この電圧を測定して
ワイアボンドの異常の有無を検出するようにしたので、
ワイアボンド管理をワイアボンド作業と同時に、電気的
に行うことができ、従来の人間の目による目視工程に比
較して著しく信頼性の高い管理を行うことができ、また
その時間を短縮することができる効果がある。またワイ
アボンドと同時に管理を行うため、装置の不調をいちは
やく検出でき、大量の不良を製造することを未然に防止
できる効果がある。
ーム間に電圧を印加するとともに、この電圧を測定して
ワイアボンドの異常の有無を検出するようにしたので、
ワイアボンド管理をワイアボンド作業と同時に、電気的
に行うことができ、従来の人間の目による目視工程に比
較して著しく信頼性の高い管理を行うことができ、また
その時間を短縮することができる効果がある。またワイ
アボンドと同時に管理を行うため、装置の不調をいちは
やく検出でき、大量の不良を製造することを未然に防止
できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるワイアボンド管理装
置の概略構成を示す図、第2図はワイアボンドが正常に
行われた場合の検出電圧の時間的変化を示す図、第3図
、草4図、第5図はそれぞれ異常が起こった場合の検出
電圧の時間的変化を示す図である。 1・・・キャピラリー、2・・・金線、3・・・ICチ
ップ1.1・・・ボンディグバソド、6・・・フレーム
、7・・・電圧計、8・・・抵抗、9・・・電圧源、1
0・・・接点。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
置の概略構成を示す図、第2図はワイアボンドが正常に
行われた場合の検出電圧の時間的変化を示す図、第3図
、草4図、第5図はそれぞれ異常が起こった場合の検出
電圧の時間的変化を示す図である。 1・・・キャピラリー、2・・・金線、3・・・ICチ
ップ1.1・・・ボンディグバソド、6・・・フレーム
、7・・・電圧計、8・・・抵抗、9・・・電圧源、1
0・・・接点。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)半導体集積回路の製造におけるワイアボンドの異
常の有無を管理するためのワイアボンド管理装置であっ
て、 ワイアを半導体集積回路のパッドにボンディグするため
のキャピラリーと上記半導体集積回路が搭載されたフレ
ームとの間に電圧を印加するための電圧印加手段と、 ワイアボンド工程における上記キャピラリーとフレーム
間の電圧を測定するための電圧測定手段と、 該電圧測定結果によりワイアボンドの異常の有無を検出
する異常検出手段とを備えたことを特徴とするワイアボ
ンド管理装置。 - (2)上記異常検出手段は、上記キャピラリーとフレー
ム間の測定電圧の時間的変化が、予めプログラムされた
上記キャピラリーとフレーム間の正常なワイアボンド工
程における電圧の時間的変化と異なる場合にこれを異常
として検出するものであることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のワイアボンド管理装置。 - (3)上記異常検出手段は、同一の不良モードを連続し
て検出した場合にワイアボンド作業を中止し、警告を発
するものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項記載のワイアボンド管理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61196046A JPS6351652A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ワイアボンド管理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61196046A JPS6351652A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ワイアボンド管理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6351652A true JPS6351652A (ja) | 1988-03-04 |
Family
ID=16351293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61196046A Pending JPS6351652A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | ワイアボンド管理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6351652A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177628A (en) * | 1981-04-22 | 1982-11-01 | Kansai Paint Co Ltd | Breeding promoting paint composition of sea algaes |
JP2003059981A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Denso Corp | ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5436030A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-16 | Tanto Kk | Tile assembly |
JPS5472962A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Detecting method for break of wire |
JPS576235B2 (ja) * | 1977-05-27 | 1982-02-03 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61196046A patent/JPS6351652A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS576235B2 (ja) * | 1977-05-27 | 1982-02-03 | ||
JPS5436030A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-16 | Tanto Kk | Tile assembly |
JPS5472962A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Detecting method for break of wire |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177628A (en) * | 1981-04-22 | 1982-11-01 | Kansai Paint Co Ltd | Breeding promoting paint composition of sea algaes |
JP2003059981A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Denso Corp | ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具 |
JP4599776B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2010-12-15 | 株式会社デンソー | ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具 |
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