JPS6349935Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電力増幅回路、特に複数個並列に接
続された高周波用のプツシユプル電力増幅回路に
おいて、１個のトランジスタの破壊によつて他の
トランジスタが連鎖的に破壊されることを防止す
るようにした電力増幅回路に関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention is a power amplifier circuit, especially a high-frequency push-pull power amplifier circuit in which multiple transistors are connected in parallel. This invention relates to a power amplification circuit designed to prevent such problems.

従来、高周波大電力増幅回路は第１図、第２図
に示されているように高周波用のプツシユプル増
幅回路を複数個並列に接続し、大電力増幅を行な
つている。そしてこれらに使用されるトランジス
タは大電力用のため高価なトランジスタが使用さ
れる。第１図において符号１，２は中間端子付入
力トランス、３ないし６はコンデンサであつて直
流分を阻止するもの、７ないし１０はトランジス
タであつてプツシユプル動作を行なうもの、１１
ないし１４はチヨークコイルであつて高周波信号
のシヨートを阻止するもの、１５，１６は出力ト
ランス、１７はバイアスレギユレータであつてト
ランジスタ７ないし１０に無信号時バイアス電流
を流しておくためのもの、１８はコレクタ電圧印
加端子であつて例えば＋24Vの直流電圧が印加さ
れる端子をそれぞれ表わしている。 Conventionally, high-frequency high-power amplification circuits have a plurality of high-frequency push-pull amplifier circuits connected in parallel, as shown in FIGS. 1 and 2, to perform high-power amplification. The transistors used in these devices are expensive transistors because they are used for high power. In FIG. 1, numerals 1 and 2 are input transformers with intermediate terminals, 3 to 6 are capacitors that block direct current, 7 to 10 are transistors that perform push-pull operation, and 11
14 to 14 are choke coils which prevent high frequency signals from being shot; 15 and 16 are output transformers; 17 is a bias regulator which allows a bias current to flow through the transistors 7 to 10 when there is no signal; Reference numeral 18 denotes collector voltage application terminals to which, for example, a DC voltage of +24V is applied.

また第２図において符号１９，２０は入力トラ
ンスであつて２次側が２巻線を有し位相反転を行
なうもの、２１ないし２４はコンデンサであつて
高周波的にアースされるもの、２５ないし２８は
トランジスタであつてプツシユプル動作を行なう
もの、２９，３０は出力トランス、３１はバイア
スレギユレータであつてトランジスタ２５ないし
２８に無信号時バイアス電流を流しておくための
もの、３２はコレクタ電圧印加端子をそれぞれ表
わしている。 Further, in FIG. 2, numerals 19 and 20 are input transformers which have two windings on the secondary side and perform phase inversion, 21 to 24 are capacitors which are grounded at high frequencies, and 25 to 28 are 29 and 30 are output transformers; 31 is a bias regulator for allowing a bias current to flow through the transistors 25 to 28 when no signal is present; 32 is a collector voltage application terminal; each represents.

高周波電力増幅回路、例えば上記第１図、第２
図図示の如く高周波用のプツシユプル電力増幅回
路を構成するトランジスタが破壊する場合、その
トランジスタのベースコレクタ間が導通状態とな
ることが極めて多い。そのため、第１図に示され
た従来の回路構成においては、１個のトランジス
タ例えば、トランジスタ７が壊れたものとしたと
き、コレクタ電圧印加端子１８に印加された直流
電圧の＋24Vが出力トランス１５、トランジスタ
７のコレクタ、トランジスタ７のベースを介して
チヨークコイル１１に現われ、更にチヨークコイ
ル１２を介してトランジスタ８のベースへ、或い
はチヨークコイル１３を介してトランジスタ９の
ベースへ、或いはチヨークコイル１４を介してト
ランジスタ１０のベースへそれぞれ直流電圧の＋
24Vが印加され、健全であつたトランジスタ８，
９，１０が連鎖的に破壊されてしまう欠点があつ
た。 High-frequency power amplifier circuit, for example, the above-mentioned figures 1 and 2.
As shown in the figure, when a transistor constituting a high-frequency push-pull power amplifier circuit breaks down, it is extremely common for the transistor's base and collector to become conductive. Therefore, in the conventional circuit configuration shown in FIG. Appears to the transistor 10 through the collector of the transistor 7 and the base of the transistor 7, and then to the base of the transistor 8 via the collector coil 12, to the base of the transistor 9 via the collector coil 13, or to the base of the transistor 10 via the collector coil 14. DC voltage + to the base respectively
Transistor 8, which was healthy with 24V applied,
There was a drawback that 9 and 10 were destroyed in a chain reaction.

第２図に示された従来の回路構成においても、
例えば１個のトランジスタ２５が壊れたことに起
因して、コレクタ電圧印加端子３２に印加された
＋24Vの直流電圧が出力トランジスタ２９、トラ
ンジスタ２５のコレクタ、トランジスタ２５のベ
ースを介して入力トランス１９の２次側巻線に現
われ、トランジスタ２６ないし２８に接続されて
いる入力トランジスタ１９，２０のそれぞれの２
次側巻線を介して健全な上記トランジスタ２６な
いし２８を連鎖的に破壊してしまう欠点があつ
た。 Even in the conventional circuit configuration shown in Fig. 2,
For example, when one transistor 25 is broken, a +24V DC voltage applied to the collector voltage application terminal 32 is applied to the output transistor 29, the collector of the transistor 25, and the base of the transistor 25, and then to the two terminals of the input transformer 19. Each two of the input transistors 19, 20 appearing in the next winding and connected to the transistors 26 to 28
There was a drawback that the healthy transistors 26 to 28 were destroyed in a chain manner via the next winding.

本考案は、上記の欠点を解決することを目的と
しており、プツシユプル動作を行なうトランジス
タの１個が導通破壊を生じても、これによつて健
全な他のトランジスタを破壊せしめるに至ること
がないようにした連鎖破壊防止回路を備えた高周
波用のプツシユプル電力増幅回路を提供すること
を目的としている。そしてそのため本考案の電力
増幅回路は高周波用のプツシユプル電力増幅回路
を複数個並列に接続した電力増幅回路において、
高周波用のプツシユプル電力増幅回路の各トラン
ジスタのベースとバイアス回路との間に、該トラ
ンジスタのベースへのバイアス電流だけが流れ
る。逆電流防止用ダイオードをそれぞれ接続し、
トランジスタの連鎖破壊防止回路を具備したこと
を特徴としている。以下第３図以降の図面を参照
しながら説明する。 The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks, so that even if one of the transistors performing push-pull operation causes conduction breakdown, this will not lead to the destruction of other healthy transistors. The object of the present invention is to provide a high-frequency push-pull power amplifier circuit equipped with a chain failure prevention circuit. Therefore, the power amplifier circuit of the present invention is a power amplifier circuit in which a plurality of push-pull power amplifier circuits for high frequency are connected in parallel.
Only the bias current to the base of each transistor flows between the base of each transistor of the high-frequency push-pull power amplifier circuit and the bias circuit. Connect each reverse current prevention diode,
It is characterized by being equipped with a circuit to prevent chain damage of transistors. This will be explained below with reference to the drawings from FIG. 3 onwards.

第３図は本考案に係る電力増幅回路の一実施例
回路構成を示しており、符号１ないし１８は第１
図のものに対応する。３３ないし３６はダイオー
ドであつてトランジスタ７ないし１０の各ベース
とバイアスレギユレータ１７との間に接続された
逆電流防止用ダイオードである。この回路構成に
おいて、ダイオード３３ないし３６の逆電流防止
用ダイオードが接続されていても、入力トランス
１，２の２次巻線側に発生する高周波信号から見
て、該ダイオード３３ないし３６が該高周波信号
成分の増幅に対し何ら影響を及ぼすものではな
い。そしてこのように各ダイオード３３ないし３
６をトランジスタ７ないし１０の各ベースとバイ
アスレギユレータ１７との間に接続することによ
り、例えば１個のトランジスタ９のコレクタとベ
ースとが導通破壊したとしても、コレクタ電圧印
加端子１８に印加されている直流電圧の＋24Vは
ダイオード３５及びコンデンサ５の働きで他の健
全なトランジスタ７，８，１０のベースに異常電
流の流れることが阻止され、トランジスタの連鎖
的破壊が防止される。 FIG. 3 shows the circuit configuration of an embodiment of the power amplifier circuit according to the present invention, and reference numerals 1 to 18 indicate the first
Corresponds to the one in the figure. Diodes 33 to 36 are reverse current prevention diodes connected between the bases of the transistors 7 to 10 and the bias regulator 17. In this circuit configuration, even if the diodes 33 to 36 for reverse current prevention are connected, the diodes 33 to 36 are not connected to the high frequency signals generated on the secondary winding side of the input transformers 1 and 2. This has no effect on amplification of signal components. And in this way each diode 33 to 3
6 between the bases of the transistors 7 to 10 and the bias regulator 17, even if the collector and base of one transistor 9 are electrically disconnected, the voltage applied to the collector voltage application terminal 18 can be maintained. The diode 35 and the capacitor 5 prevent the abnormal current from flowing to the bases of the otherwise healthy transistors 7, 8, and 10, thereby preventing chain destruction of the transistors.

第４図は本考案に係る電力増幅回路の他の実施
例回路構成を示しており、符号１９ないし３２は
第２図のものに対応する。３７ないし４０はダイ
オードであつてトランジスタ２５ないし２８の各
ベースに接続されている入力トランス１９，２０
の各２次側巻線とバイアスレギユレータ３１との
間に接続された逆電流防止用トランジスタであ
る。この回路構成において、コンデンサ２１ない
し２４によつて高周波的にアースされているの
で、入力トランス１９，２０の２次側巻線にそれ
ぞれ発生する高周波信号は、これらのコンデンサ
２１ないし２４をそれぞれ通過する。従つてダイ
オード３７ない４０の逆電流防止用ダイオードが
接続されていても、上記入力トランス１９，２０
の２次側巻線にそれぞれ発生する高周波信号から
見て、該ダイオード３７ないし４０が該高周波信
号成分の増幅に対し何ら影響を及ぼすものではな
い。そして第３図の場合と同様、例えば１個のト
ランジスタ２７のコレクタとベースとが導通破壊
したとしても、ダイオード３９によつてコレクタ
電圧印加端子３２に印加されている直流電圧の＋
24Vは阻止され、他の健全なトランジスタ２５，
２６，２８へ異常なベース電流が流れることはな
くなるから、上記１個のトランジスタ２７の破壊
によつて連鎖的に破壊されることが防止される。
他のトランジスタ２５，２６，２８の破壊した場
合についても、当該破壊したトランジスタの破壊
だけで他のトランジスタへ影響を与えることはな
い。 FIG. 4 shows another embodiment of the circuit configuration of the power amplifier circuit according to the present invention, and numerals 19 to 32 correspond to those in FIG. 37 to 40 are diodes, and input transformers 19 and 20 are connected to the respective bases of transistors 25 to 28.
This is a reverse current prevention transistor connected between each secondary winding and the bias regulator 31. In this circuit configuration, since the high frequency signals are grounded by the capacitors 21 to 24, the high frequency signals generated in the secondary windings of the input transformers 19 and 20 pass through these capacitors 21 to 24, respectively. . Therefore, even if the reverse current prevention diodes 37 and 40 are connected, the input transformers 19 and 20
In view of the high frequency signals generated in the secondary windings of the diodes 37 to 40, the diodes 37 to 40 have no effect on the amplification of the high frequency signal components. As in the case of FIG.
24V is blocked and other healthy transistors 25,
Since no abnormal base current flows to transistors 26 and 28, a chain reaction caused by destruction of one transistor 27 is prevented.
Even if the other transistors 25, 26, and 28 are destroyed, only the destruction of the destroyed transistor does not affect the other transistors.

上記の説明は高周波用のプツシユプル電力増幅
回路が２回路並列に接続された電力増幅回路につ
いて説明しているが、上記説明の２回路に限定さ
れるものではなく、またトランジスタの連鎖破壊
防止のダイオードの挿入は第３図、第４図に図示
された回路構成のほか、高周波用のプツシユプル
電力増幅回路の総べての回路について適用され
る。 The above explanation describes a power amplifier circuit in which two push-pull power amplifier circuits for high frequency are connected in parallel, but it is not limited to the two circuits explained above, and also includes a diode to prevent chain breakdown of transistors. In addition to the circuit configurations shown in FIGS. 3 and 4, this insertion is applied to all circuits of high-frequency push-pull power amplifier circuits.

以上説明した如く、本考案によれば、プツシユ
プル動作を行なう各トランジスタのベースとバイ
アス回路との間に逆電流防止用ダイオードを接続
することにより、１個のトランジスタの破壊に起
因して生ずる他の健全なトランジスタの連鎖的破
壊が防止される。そして回路構成もダイオードを
それぞれのトランジスタに対し接続するだけです
み、既存の回路構成を大幅に変えずに取付けが可
能で、簡単な作業で行なえる。 As explained above, according to the present invention, by connecting a reverse current prevention diode between the base of each transistor that performs push-pull operation and the bias circuit, other Chain destruction of healthy transistors is prevented. The circuit configuration also requires only connecting a diode to each transistor, and can be installed without significantly changing the existing circuit configuration, making it a simple task.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図、第２図は従来の高周波用のプツシユプ
ル電力増幅回路の構成例、第３図、第４図はトラ
ンジスタの連鎖破壊防止回路を具備した高周波用
のプツシユプル電力増幅回路の一実施例回路構成
を示している。 図中、１，２，１９，２０は入力トランス、７
ないし１０，２５ないし２８はトランジスタ、１
７，３１はバイアスレギユレータ、３３ないし４
０はダイオードをそれぞれ表わしている。 Figures 1 and 2 are examples of the configuration of a conventional high-frequency push-pull power amplifier circuit, and Figures 3 and 4 are circuit examples of a high-frequency push-pull power amplifier circuit equipped with a transistor chain failure prevention circuit. It shows the configuration. In the figure, 1, 2, 19, 20 are input transformers, 7
to 10, 25 to 28 are transistors, 1
7, 31 are bias regulators, 33 to 4
0 represents a diode, respectively.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 高周波用のプツシユプル電力増幅回路を複数個
並列に接続した電力増幅回路において：高周波用
のプツシユプル電力増幅回路の各トランジスタの
ベースとバイアス回路との間に、該トランジスタ
のベースへのバイアス電流だけが流れる逆電流防
止用のダイオードをそれぞれ接続し、トランジス
タの連鎖破壊防止回路を具備したことを特徴とす
る電力増幅回路。 In a power amplifier circuit in which multiple high-frequency push-pull power amplifier circuits are connected in parallel: Only the bias current to the base of the transistor flows between the base of each transistor in the high-frequency push-pull power amplifier circuit and the bias circuit. A power amplifier circuit characterized in that diodes for preventing reverse current are connected to each other, and a circuit for preventing chain breakdown of transistors is provided.