JPS6347992A - Manufacture of ceramic wiring board - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、セラミック配線基板、とくに、導体抵抗値
が小さく、放熱性のよい大電力用回路板に用いられるセ
ラミック配線基板の製法に関する〔背景技術〕
従来、アルミナなどのセラミック基板に銅などの導電性
材料を厚付けする方法として、たとえば、Ｍｏ−Ｍｎ法
がある。この方法は、つぎのようにして行う。Ｍｎをペ
ースト化してセラミック基板上に印刷し、これを加湿水
素中で１４００〜１７００℃の温度で加熱してメタライ
ジングする。[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic wiring board, particularly a ceramic wiring board used for a high-power circuit board with low conductor resistance and good heat dissipation. [Background Art] Conventional For example, the Mo-Mn method is a method for thickly depositing a conductive material such as copper on a ceramic substrate such as alumina. This method is performed as follows. Mn is made into a paste and printed on a ceramic substrate, which is then heated in humidified hydrogen at a temperature of 1,400 to 1,700° C. for metallization.
この表面にＮｉめっきを施した後、この層を安定化する
ため、再度、非酸化性雰囲気中で加熱することによりメ
タライジング層を形成する。ついで、必要に応じろう材
で導電性材料をろう付けするのである。しかし、この方
法は、作業工程が長く、高価な大型設備を必要とし、か
つ、繁雑であるという欠点がある。After applying Ni plating to this surface, in order to stabilize this layer, a metallizing layer is formed by heating again in a non-oxidizing atmosphere. Then, if necessary, the conductive material is brazed with a brazing filler metal. However, this method has disadvantages in that it requires a long working process, requires expensive large-scale equipment, and is complicated.
このような方法に代わるものとして、セラミック基板に
金属片を接触させて、酸素などの結合剤を含む雰囲気中
で加熱して接合させる方法（特公昭５７−１３５１５号
公頼参照）が知られている。しかし、この方法は、加熱
温度として金属の融点以下、かつ、金属と結合剤との共
晶合金の共晶温度以上という範囲内で高温に加熱する必
要がある。そのため、この方法は精密な温度制御を必要
とするが、そのようにしても気泡状の無付着個所（ブリ
スタなど）が生じたり、接合面でない側の金属表面が厚
い金属酸化物層で覆われたりする問題が生じていた。As an alternative to this method, a method is known in which metal pieces are brought into contact with a ceramic substrate and bonded by heating in an atmosphere containing a bonding agent such as oxygen (see Japanese Patent Publication No. 13515/1983). There is. However, in this method, it is necessary to heat the metal to a high temperature within a range of below the melting point of the metal and above the eutectic temperature of the eutectic alloy of the metal and the binder. Therefore, this method requires precise temperature control, but even with this, bubble-like non-adherent spots (blisters, etc.) may occur, or the metal surface on the side that is not the bonding surface may be covered with a thick metal oxide layer. There was a problem with this.
回路を形成する一般的な方法として、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ
、Ｃｕなどを主成分とするｍ体ペーストをスクリーン印
刷し、これを焼成する方法がある。しかし、この方法で
基板上に導電性金属を厚付けし、乾燥、焼成すると、導
体層にクラックが入ったり、ブリスタが生じたりすると
いう問題があった。Common methods for forming circuits include Ag-Pd, Au
There is a method of screen printing an m-body paste mainly composed of , Cu, etc., and firing the paste. However, when a conductive metal is thickly deposited on a substrate using this method, dried, and fired, there is a problem in that the conductor layer cracks or blisters occur.
以上の点に鑑み、この発明は、クラックが入ったり、ブ
リスタが生じたりすることなく、基板上に銅などの導電
性材料を厚付けできるセラミック配線基板の製法を提供
することを目的とする。In view of the above points, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a ceramic wiring board that allows a conductive material such as copper to be thickly deposited on the board without cracking or blistering.
上記目的を達成するため、この発明は、セラミック配線
基板の表面に導電性ペーストを厚付けして焼成すること
により導電性回路となる導体層を形成するにあたり、平
均粒径が５〜１００μｍである導体粉末を含む導電性ペ
ーストを使用することを特徴とするセラミック配線基板
の製法を要旨とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a conductive layer having an average particle size of 5 to 100 μm when forming a conductive layer that becomes a conductive circuit by applying a thick conductive paste to the surface of a ceramic wiring board and firing it. The gist of this invention is a method for manufacturing a ceramic wiring board characterized by using a conductive paste containing conductor powder.
以下にこの発明の詳細な説明する。This invention will be explained in detail below.
まず、焼結したセラミック基板を用意する。焼結基板の
材質としては、アルミナ、フォルステライト、ステアタ
イト、ジルコン、ムライト、コージライト、ジルコニア
、チタニアなどの酸化物系セラミックのほか、各種炭化
物系、窒化物系セラミックなどを使用する。ついで、こ
のセラミック基板の表面に導電性回路となる導体層を形
成する。導体層は、銅などの導電性材料を主成分とする
導電性ペーストを厚付けし、乾燥した後焼成することに
より形成する。このときの導電性ペーストに用いられる
導体粉末は、回路形成用として市販されている導電性ペ
ーストに用いられているものよりも、粒径の大きいもの
を使用する。すなわち、一般に市販されている導電性ペ
ースト、たとえば、Ｃｕペーストに含まれるＣｕ粉末の
平均粒径は、０．５〜２．０μｍ程度であるが、この発
明にかかるセラミック配線基板の製法においては、平均
粒径５〜１００μｍの導体粉末を使用する。粒径が５μ
ｍ未満であると、ペーストとして基板上に厚付けした場
合、乾燥時にクラックが入ったり、焼成時にブリスタが
発生したりする。このような欠陥の発生は、用いるバイ
ンダの種類、里、あるいは乾燥、焼成条件などにより形
容を受ける。その点、粒径が５μｍ以上であると、これ
らの諸条件による影響を受けてクラック、ブリスタが発
生することは著しく少なくなるのである。粒径が１０μ
ｍを超えるようになると、クラック、ブリスタの発生は
一層少なくなる。他方、粒径が１００μｍ以上になると
、形成した導体層の平滑性が悪くなって実用的ではなく
なる。好ましくは５０μｍ以下とするのがよい。First, a sintered ceramic substrate is prepared. As the material of the sintered substrate, in addition to oxide ceramics such as alumina, forsterite, steatite, zircon, mullite, cordierite, zirconia, and titania, various carbide and nitride ceramics are used. Next, a conductor layer that becomes a conductive circuit is formed on the surface of this ceramic substrate. The conductor layer is formed by applying a thick conductive paste containing a conductive material such as copper as a main component, drying it, and then firing it. The conductor powder used in the conductive paste at this time has a larger particle size than that used in conductive pastes commercially available for circuit formation. That is, the average particle size of Cu powder contained in a generally commercially available conductive paste, for example, Cu paste, is about 0.5 to 2.0 μm, but in the method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention, Conductor powder with an average particle size of 5 to 100 μm is used. Particle size is 5μ
If it is less than m, if it is thickly applied as a paste on a substrate, cracks may appear during drying or blisters may occur during firing. The occurrence of such defects is determined by the type and composition of the binder used, as well as the drying and firing conditions. On the other hand, when the particle size is 5 μm or more, the occurrence of cracks and blisters due to the influence of these conditions is significantly reduced. Particle size is 10μ
When it exceeds m, the occurrence of cracks and blisters becomes even less. On the other hand, if the particle size is 100 μm or more, the smoothness of the formed conductor layer will deteriorate, making it impractical. The thickness is preferably 50 μm or less.
以上のような粒径を有する導体粉末を感電性ペーストと
して使用するには、これに適当なバインダ、溶媒などを
添加して作成するようにしてもよいし、市販の導電性ペ
ースト、たとえば、Ｃｕペーストであればデュポン社製
の＃９１５３（商品名）に、前記導体粉末を添加して平
均粒径が５〜１００μｍとなるように調整してもよい。In order to use conductive powder having the above particle size as an electrically sensitive paste, it may be prepared by adding an appropriate binder, solvent, etc., or it may be prepared by adding a suitable binder, solvent, etc. If it is a paste, the conductor powder may be added to #9153 (trade name) manufactured by DuPont to adjust the average particle size to 5 to 100 μm.
導体を基板上に厚付けする方法は、導電性ペーストを用
いてスクリーン印刷法により行ってもよいし、特定の回
路バクーンを有するマスクを基板表面に載置し、この上
から導電性ペーストを散布あるいは塗布するようにして
もよい。スクリーン印刷法により厚付けを行う場合、印
刷、乾燥、焼成を繰り返し行うことにより、所望の厚み
を得ることができる。このときのスクリーンのメソシュ
は、４０〜３２５メソシユのものを使用するのがよく、
なお好ましくは、Ｉｆ）０〜２５０メソシユのものを使
用するのがよい。The conductor may be thickly applied on the board by screen printing using a conductive paste, or by placing a mask with a specific circuit board on the board surface and spreading the conductive paste over it. Alternatively, it may be applied. When thickening is performed by screen printing, the desired thickness can be obtained by repeatedly performing printing, drying, and baking. At this time, it is best to use a screen with a mesh size of 40 to 325 mesh.
Furthermore, it is preferable to use If) 0 to 250 Mesoyu.
乾燥および焼成の条件はとくに限定されないが、たとえ
ば、つぎのような条件が一般的である。Drying and firing conditions are not particularly limited, but the following conditions are common, for example.
すなわち、セラミック基板上に厚付けされた導電性ペー
ストを５０〜２００℃で乾燥した後、ペースト中のガラ
スフリットがセラミック基板に溶融接合する温度で焼成
するようにする。このときの焼成温度は、５００〜１１
００℃の範囲内がよく、より好ましくは６００〜９５０
℃の範囲にあるのがよい。なお、焼成は、形成される導
体層が酸化されるのを防ぐため、非酸化性雰囲気で行う
のが望ましい。That is, the conductive paste thickly applied on the ceramic substrate is dried at 50 to 200° C., and then fired at a temperature at which the glass frit in the paste is melted and bonded to the ceramic substrate. The firing temperature at this time is 500-11
The temperature is preferably within the range of 00°C, more preferably 600 to 950°C.
It is better to be in the range of ℃. Note that the firing is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the formed conductor layer from being oxidized.
上記したような工程を採ることにより、１００〜２５０
μｍ程度の厚みを有する導体層であっても、表面にクラ
ック、あるいは、プリスタなどの欠陥が生じることなく
、セラミック配線基板上に厚付けできることとなるので
ある。したがって、この発明にかかるセラミック配線基
板の製法によって形成された導体層の抵抗値は、従来の
方法で形成されたものに比べ小さく、配線板として使用
した場合の発熱量を小さくすることができる。さらに、
基板と導体層の密着性がよいので、４体層に発生した熱
が効果的に基板側に放熱される、二ととなって、大電力
用の回路板として充分使用することができる。しかも、
このような効果は、用いる導電性材料の粒径を調整する
だけでよく、ことさら特殊な設備や複雑な処理を要する
こともなく、比較的簡単な工程により得られるのである
。By adopting the process described above, 100 to 250
Even if the conductor layer has a thickness of about μm, it can be thickly formed on the ceramic wiring board without causing defects such as cracks or pristine on the surface. Therefore, the resistance value of the conductor layer formed by the manufacturing method of the ceramic wiring board according to the present invention is smaller than that formed by the conventional method, and the amount of heat generated when used as a wiring board can be reduced. moreover,
Since the adhesion between the substrate and the conductor layer is good, the heat generated in the four body layers is effectively radiated to the substrate side, and this makes it possible to fully use it as a circuit board for high power. Moreover,
Such an effect can be achieved by simply adjusting the particle size of the conductive material used, and does not require any special equipment or complicated processing, and can be achieved through a relatively simple process.
なお、この発明にかかるセラミック！：Ｃ！線基板の製
法に用いられる導電性材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ
、Ｎｉなどのような単体金属のほか、Ａｇ−Ｐｄなどの
ような合金、あるいはカーボンのような非金属材料であ
ってもよい。Furthermore, the ceramic according to this invention! :C! Conductive materials used in the manufacturing method of wire substrates include Cu, Ag, and Au.
In addition to single metals such as , Ni, etc., alloys such as Ag-Pd, or non-metallic materials such as carbon may be used.
つぎに、実施例を比較例とともに説明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
（実施例１）
セラミック基板として９６％Ａｌ２Ｏ３基斗反を用意し
、このセラミック基板の表面に市販のＣｕペーストであ
るデュポン社製＃９１５３（商品名）をスクリーン印刷
した。その後、これを乾燥、焼成して導体部の下地層を
作成した。この上に、平均粒径２０μｍのＣｕ粉末を含
むＣｕペーストを２度繰り返して印刷、乾燥し、厚み２
００μｍのＣｕ厚付はセラミック配線板を得た。(Example 1) A 96% Al2O3-based ceramic substrate was prepared, and a commercially available Cu paste, #9153 (trade name) manufactured by DuPont, was screen printed on the surface of the ceramic substrate. Thereafter, this was dried and fired to create a base layer for the conductor portion. On top of this, a Cu paste containing Cu powder with an average particle size of 20 μm was printed twice and dried to a thickness of 2
A ceramic wiring board was obtained with a Cu thickness of 00 μm.
なお、Ｃｕペーストの焼成は、Ｎ２ガス雰囲気中、８５
０℃に加熱して行った。Note that the firing of the Cu paste was performed at 85% in a N2 gas atmosphere.
This was done by heating to 0°C.
得られたＣｕ層の表面には、クラックおよびブリスタは
全くみられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍ
Ω／口という極めて低い値を示した。さらに、基板に対
するＣｕ層の密着力を測定すると、２．０〜３．０ｋｇ
／ｓ、２ という高い値を示した。No cracks or blisters were observed on the surface of the resulting Cu layer. When we measured its surface resistance, we found that it was 2 m
It showed an extremely low value of Ω/mouth. Furthermore, when the adhesion force of the Cu layer to the substrate is measured, it is 2.0 to 3.0 kg.
It showed a high value of /s,2.
（実施例２）
セラミック基板として９６％Ａ７！２０３基板を用意し
、その表面に回路パターンを描いたマスクを載置し、そ
の上から平均粒径１５μｍのＣｕ粉末を含むＣｕペース
トを塗布し、１５０ ”Ｃで乾燥した。その後、マスク
を取り外し、Ｎ２ガス雰囲気中、８５０°Ｃに加熱して
焼成した。得られたＣＵ層は１５０μｍの厚みを有して
いた。(Example 2) A 96% A7!203 substrate was prepared as a ceramic substrate, a mask with a circuit pattern drawn on it was placed on the surface, and a Cu paste containing Cu powder with an average particle size of 15 μm was applied thereon. It was dried at 150"C. Then, the mask was removed and fired at 850C in a N2 gas atmosphere. The resulting CU layer had a thickness of 150 .mu.m.
このＣｕ１ｌの表面には、クランクおよびプリスタは全
くみられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍΩ
／口という極めて低い値を示した。No cranks or pristars were observed on the surface of this Cu1l. When we measure its surface resistance, it is 2mΩ.
It showed an extremely low value of /mouth.
さらに、基板に対するＣｕ層の密着力を測定すると、２
．０〜３．０ｋｇ／ｍｍ”という高い値を示した。Furthermore, when measuring the adhesion force of the Cu layer to the substrate, it was found that 2
．． It showed a high value of 0 to 3.0 kg/mm''.
（実施例３）
セラミック基板として９６％、Ａｌ２２０３基板を用意
し、このセラミンク基板の表面に平均粒径２５μｍのＣ
ｕ粉末を含むＣｕペーストを用いて、スクリーン印刷を
行った。その後、これを１５０℃で乾燥した。さらに、
この上に、前記したＣｕ粉末を含むＣｕペーストを２度
繰り返じて印刷、乾燥した後、Ｎ２ガス雰囲気中、８５
０°Ｃに加熱して焼成した。その結果、厚み１２０μｍ
のＣｕ厚付はセラミック配線板を得た。(Example 3) A 96% Al2203 substrate was prepared as a ceramic substrate, and C with an average particle size of 25 μm was coated on the surface of this ceramic substrate.
Screen printing was performed using Cu paste containing u powder. Thereafter, this was dried at 150°C. moreover,
On top of this, a Cu paste containing the above-mentioned Cu powder was repeatedly printed twice, dried, and then heated to 85°C in an N2 gas atmosphere.
It was heated to 0°C and fired. As a result, the thickness is 120μm
A ceramic wiring board was obtained with Cu thickness.
得られたＣｕ層の表面には、クラックおよびブリスタは
全くみら孔なかった。その表面）氏抗を測定すると、２
ｍΩ／口という１】めで低い値を示した。さらに、基（
１反に対するＣｕ層の密着力を；ｊ：Ｉ定すると、２．
０〜３．０ｋｇ／ｍｓ” という高い値を示した。There were no cracks or blisters on the surface of the resulting Cu layer. When we measure its surface resistance, we get 2
It showed a low value of 1] mΩ/mouth. Furthermore, the group (
If the adhesion force of the Cu layer to one roll is determined by;j:I, then 2.
It showed a high value of 0 to 3.0 kg/ms.
（実施例４）
セラミック基板として９２％Ａ Ｉ！ｚ Ｏ：ｌ基板を
用意し、このセラミック基板の表面に平均粒径２５μｌ
のＣｕ粉末を含むＣｕペーストを用いて、実施例１と同
様のＣｕ厚付はセラミック配線板を作成した。(Example 4) 92% AI as a ceramic substrate! Prepare a z O:l substrate, and apply particles with an average particle size of 25 μl on the surface of this ceramic substrate.
A ceramic wiring board with the same Cu thickness as in Example 1 was created using a Cu paste containing Cu powder.
その結果、厚み２３０μｍのＣｕ層を得た。As a result, a Cu layer with a thickness of 230 μm was obtained.
得られたＣｕ層の表面には、クランクおよびブリスタは
全くみられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍ
Ω／口という極めて低い値を示した。さらに、基板に対
するＣｕ層の密着力を測定すると、２．０〜２．５ ｋ
ｇ ／ 、、 ｚという高い値を示した。No cranks or blisters were observed on the surface of the resulting Cu layer. When we measured its surface resistance, we found that it was 2 m
It showed an extremely low value of Ω/mouth. Furthermore, when the adhesion force of the Cu layer to the substrate is measured, it is 2.0 to 2.5 k
It showed high values of g/,,z.
（実施例５）
セラミック基板として９９％ＡＩ！２０３基板を用意し
、塗布したＣｕペーストを９００℃に加熱して焼成した
ほかは、実施例２と同様の条件でＣＵ厚付はセラミック
配線板を作成した。(Example 5) 99% AI as a ceramic substrate! A thick CU ceramic wiring board was prepared under the same conditions as in Example 2, except that a 203 substrate was prepared and the applied Cu paste was heated to 900° C. and fired.
このＣｕ層の表面には、クランクおよびブリスタは全く
みられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍΩ／
口という極めて低い値を示した。No cranks or blisters were observed on the surface of this Cu layer. When its surface resistance was measured, it was 2mΩ/
It showed an extremely low value.
さらに、基板に対するＣｕ層の密着力を測定すると、２
．０〜２．５ｋｇ／ｗ” という高い値を示した。Furthermore, when measuring the adhesion force of the Cu layer to the substrate, it was found that 2
．． It showed a high value of 0 to 2.5 kg/w''.
（実施例６）
セラミック基板として９６％Ａｊ！ｚＯ：＋基板を用意
する。市販のＣｕペーストであるデュポン社製＃９１５
３（商品名）と平均粒径２０μｍのＣＵ粉末を１：１で
混合したものに、アクリル系バインダとターミネオール
を添加してペースト粘度を２５００ｃｐｓに調整したも
のを、前記基板の表面に実施例１と同様にしてスクリー
ン印刷し、乾燥した。これを２度繰り返した後、焼成し
て厚み１５０μｍのＣｕ厚付はセラミック配線板を作成
した。Ｃｕペーストの焼成などは、実施例１と同様にし
て行った。(Example 6) 96% Aj as a ceramic substrate! Prepare a zO:+ substrate. Commercially available Cu paste #915 manufactured by DuPont
3 (trade name) and CU powder with an average particle size of 20 μm in a 1:1 ratio, an acrylic binder and termineol were added to adjust the paste viscosity to 2500 cps, and a paste was applied to the surface of the substrate. Screen printing was performed in the same manner as in 1 and dried. After repeating this process twice, it was fired to produce a Cu thick ceramic wiring board having a thickness of 150 μm. The firing of the Cu paste and the like were performed in the same manner as in Example 1.
得られたＣｕ層の表面には、クラックおよびブリスタは
全くみられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍ
Ω／口という極めて低い値を示した。さらに、基板に対
するＣｕ層の密着力を測定すると、２．０〜３．０ｋｇ
／１２という高い値を示した。No cracks or blisters were observed on the surface of the resulting Cu layer. When we measured its surface resistance, we found that it was 2 m
It showed an extremely low value of Ω/mouth. Furthermore, when the adhesion force of the Cu layer to the substrate is measured, it is 2.0 to 3.0 kg.
It showed a high value of /12.
（実施例７）
セラミック基板として９６％Ａ １ ｚ○、基板を用意
し、その表面に回路パターンを描いたマスクを載置し、
その上から平均粒径８０μｍのＣｕ粉末を含むＣｕペー
ストを塗布して導体層を作成した。他は実施例２と同様
の条件でＣｕ厚付はセラミック配線板を作成した。この
とき得られたＣｕ層の厚みは、１００μｍであった。(Example 7) A 96% A 1 z○ ceramic substrate was prepared, a mask with a circuit pattern drawn on its surface was placed,
A Cu paste containing Cu powder having an average particle size of 80 μm was applied thereon to form a conductor layer. A ceramic wiring board with Cu thickness was produced under the same conditions as in Example 2. The thickness of the Cu layer obtained at this time was 100 μm.
このＣｕＮの表面には、クラックおよびブリスタは全く
みられなかった。その表面抵抗を測定すると、２ｍΩ／
口という極めて低い値を示した。No cracks or blisters were observed on the surface of this CuN. When its surface resistance was measured, it was 2mΩ/
It showed an extremely low value.
さらに、基板に対するＣｕ層の密着力を測定すると、１
．５〜３．０ ｋｇ ／ ｗ■２という高い値を示した
。Furthermore, when the adhesion force of the Cu layer to the substrate was measured, it was found that 1
．． It showed a high value of 5 to 3.0 kg/w■2.
（比較例）
市販のＣｕペーストを粒度調整することなくそのまま用
い、他は実施例１と同様にして厚み２００μｍのＣｕ厚
付はセラミック配線板を作成したその表面には、微小ク
ラックおよび大小のブリスタが多数みられた。(Comparative example) A ceramic wiring board with a thickness of 200 μm was prepared by using a commercially available Cu paste as is without adjusting the particle size, and in the same manner as in Example 1. were seen in large numbers.
Claims (3)
付けして焼成することにより導電性回路となる導体層を
形成するにあたり、平均粒径が５〜１００μｍである導
体粉末を含む導電性ペーストを使用することを特徴とす
るセラミック配線基板の製法。(1) When forming a conductor layer that becomes a conductive circuit by applying a thick conductive paste to the surface of a ceramic wiring board and firing it, conductive paste containing conductor powder with an average particle size of 5 to 100 μm is used. A method for producing a ceramic wiring board characterized by using the method.
ーストを厚付けする方法が印刷法によるものである特許
請求の範囲第１項記載のセラミック配線基板の製法。(2) The method of manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1, wherein the conductive powder is copper powder, and the method of thickening the conductive paste containing the copper powder is a printing method.
ーストを厚付けする方法が、回路パターンを有するマス
クを基板表面に載置し、この上から前記導電性ペースト
を散布もしくは塗布する方法によるものである特許請求
の範囲第１項記載のセラミック配線基板の製法。(3) The conductor powder is copper powder, and the method for applying a thick conductive paste containing the copper powder is to place a mask having a circuit pattern on the surface of the substrate, and sprinkle or apply the conductive paste on top of the mask. A method for manufacturing a ceramic wiring board according to claim 1, which is a method for manufacturing a ceramic wiring board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19189386A JPS6347992A (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Manufacture of ceramic wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19189386A JPS6347992A (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Manufacture of ceramic wiring board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6347992A true JPS6347992A (en) | 1988-02-29 |
Family
ID=16282199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19189386A Pending JPS6347992A (en) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | Manufacture of ceramic wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6347992A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201346A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Mitsuboshi Belting Ltd | Ceramics circuit board and its manufacturing method |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP19189386A patent/JPS6347992A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201346A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Mitsuboshi Belting Ltd | Ceramics circuit board and its manufacturing method |
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