JPS6347957A - 電子部品用積層基板 - Google Patents
電子部品用積層基板Info
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、各種の電子部品を装着するための絶縁膜を
有する積層基板に係り、特に、基板上に・1潴置するシ
リコン半導体との熱膨張係数差が少なく、耐熱強度がす
ぐれ、かつ製造が容易なハイブリッ)IC用の積層基板
に関する。
有する積層基板に係り、特に、基板上に・1潴置するシ
リコン半導体との熱膨張係数差が少なく、耐熱強度がす
ぐれ、かつ製造が容易なハイブリッ)IC用の積層基板
に関する。
背景技術
ハイブリットICを装着、積載するための基板として、
従来、エポキシ樹脂板をガラス繊維にて補強してなる基
板上に、Cu仮を装着した積層構造の所謂、銅張りガラ
スエポキシ基板が良く知られている。
従来、エポキシ樹脂板をガラス繊維にて補強してなる基
板上に、Cu仮を装着した積層構造の所謂、銅張りガラ
スエポキシ基板が良く知られている。
また、アルミナ系基板あるいは40%Ni Fe合合
板、Cu合金板等の封着合金板上に、樹脂からなる絶縁
膜を被覆した積層構造の所謂、高分子絶縁膜形成金属板
、さらに、鉄板上にほうろうにて絶縁膜を形成した積層
構造のほうろう引き鉄基板などが知られている。
板、Cu合金板等の封着合金板上に、樹脂からなる絶縁
膜を被覆した積層構造の所謂、高分子絶縁膜形成金属板
、さらに、鉄板上にほうろうにて絶縁膜を形成した積層
構造のほうろう引き鉄基板などが知られている。
前記の銅張りガラスエポキシ基板は、熱伝導及び耐熱性
が低く、載置するシリコン半導体との熟膨脹係数差が大
きいため、割れ発生の問題があり、また、アルミナ系基
板は、熱伝導が悪い上に、而・r衝撃に弱い欠点がある
。
が低く、載置するシリコン半導体との熟膨脹係数差が大
きいため、割れ発生の問題があり、また、アルミナ系基
板は、熱伝導が悪い上に、而・r衝撃に弱い欠点がある
。
また、高分子絶縁膜形成金属板は、使用温度である45
0″Cでの耐熱性が悪い問題があり、はうろう引き鉄基
板は、製造上、1000 ℃以上の焼成を必要とし、工
程数、コスト的に種々の問題があった。
0″Cでの耐熱性が悪い問題があり、はうろう引き鉄基
板は、製造上、1000 ℃以上の焼成を必要とし、工
程数、コスト的に種々の問題があった。
発明の目的
この発明は、ハイブリッ)IC用の絶縁膜を有する積層
基板のかかる現状に鑑み、基板上に載置するシリコン半
導体との熱膨張係数差が少なく、耐熱強度がすぐれ、が
っ製造が容易な積層基板を目的としている。
基板のかかる現状に鑑み、基板上に載置するシリコン半
導体との熱膨張係数差が少なく、耐熱強度がすぐれ、が
っ製造が容易な積層基板を目的としている。
発明の構成と効果
この発明は、450℃の使用温度におけるすぐれた耐熱
性、熱伝導性を有し、強度が高く、基板上に載置するシ
リコン半導体との熱膨張係数差が少なく、割れ発生が少
なく、がつ製造が容易である絶縁膜を有する積層基板を
目的に、種々検討した結果、Cr含有の封着合金板の主
面に、熱処理によりCr2O3を主とする酸化被膜を形
成して、前記酸化被膜を介して絶縁膜であるフリット層
を設ける、あるいはさらに、フリット層上に高融点ガラ
ス層を設けると、前記封着合金板と絶縁膜との密着性が
改善され、前記目的が達成されることを知見し、発明を
完成したものである。
性、熱伝導性を有し、強度が高く、基板上に載置するシ
リコン半導体との熱膨張係数差が少なく、割れ発生が少
なく、がつ製造が容易である絶縁膜を有する積層基板を
目的に、種々検討した結果、Cr含有の封着合金板の主
面に、熱処理によりCr2O3を主とする酸化被膜を形
成して、前記酸化被膜を介して絶縁膜であるフリット層
を設ける、あるいはさらに、フリット層上に高融点ガラ
ス層を設けると、前記封着合金板と絶縁膜との密着性が
改善され、前記目的が達成されることを知見し、発明を
完成したものである。
すなわち、この発明は、
Cr含有の封着合金板の少なくとも1主面に、Cr2O
3を主とする優先酸化被膜を介在させてフリット層と高
融点ガラス層を順に被覆したことを特徴とする電子部品
用積層基板であり、さらに、 Cr含有の封着合金板の両主面に、Cr2O3を主とす
る優先酸化被膜を介在させて、一主面に高融点ガラス層
を被覆し、また他生面にフリット層と高融点ガラス層を
順に被覆したことを特徴とする電子部品用積層基板であ
る。
3を主とする優先酸化被膜を介在させてフリット層と高
融点ガラス層を順に被覆したことを特徴とする電子部品
用積層基板であり、さらに、 Cr含有の封着合金板の両主面に、Cr2O3を主とす
る優先酸化被膜を介在させて、一主面に高融点ガラス層
を被覆し、また他生面にフリット層と高融点ガラス層を
順に被覆したことを特徴とする電子部品用積層基板であ
る。
発明の図面に基づく開示
第1図a、b、cはこの発明による積層基板の断面説明
図である。
図である。
この発明による積層基板の製造工程を説明すると、例え
ばa図に示す如く、板厚2mm以下のNi40〜50w
t%−Cr4〜8wt%−Fe合金板、あるいは、Cr
15〜30wt%−Fe合金板からなるCr含有の封
着合金基板(1)を、平坦なセラミック板で挟み、加圧
しながら露点10〜50℃の湿潤H2ガス中で、100
0℃〜1300℃に加熱して、前記合金基板(1)の一
主面に、膜厚10pm以下、好ましくは1〜5pm厚み
のCr2O3を主とする優先酸化被膜(2)を形成し、
この封着合金基板(1)の(・優先酸化被膜(2)上に
、粒度100mesh〜300meshのフリットをス
クリーン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした
後、フリットの軟化点以上に加熱、溶融させることによ
り、封着合金基板(1)上に優先酸化被膜(2)を介し
て絶縁膜であるフリット層(3)を被着する。
ばa図に示す如く、板厚2mm以下のNi40〜50w
t%−Cr4〜8wt%−Fe合金板、あるいは、Cr
15〜30wt%−Fe合金板からなるCr含有の封
着合金基板(1)を、平坦なセラミック板で挟み、加圧
しながら露点10〜50℃の湿潤H2ガス中で、100
0℃〜1300℃に加熱して、前記合金基板(1)の一
主面に、膜厚10pm以下、好ましくは1〜5pm厚み
のCr2O3を主とする優先酸化被膜(2)を形成し、
この封着合金基板(1)の(・優先酸化被膜(2)上に
、粒度100mesh〜300meshのフリットをス
クリーン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした
後、フリットの軟化点以上に加熱、溶融させることによ
り、封着合金基板(1)上に優先酸化被膜(2)を介し
て絶縁膜であるフリット層(3)を被着する。
さらに、フリット層(3)上に、板厚
0.4mm〜1.0mmの溶融温度550℃以上の高融
点ガラス板層(4)を配置し、高融点ガラス板層(4)
の溶融温度以下で加熱、加圧すると、前記フリット層(
3)は溶融するが、フリット層(3)上に、絶縁膜であ
る高融点ガラス仮居(4)が設けられ、封着合金基板(
1)の一主面上に優先酸化被膜(2)を介してフリット
層(3)と高融点ガラス層(4)を設けた積層基板が得
られる。
点ガラス板層(4)を配置し、高融点ガラス板層(4)
の溶融温度以下で加熱、加圧すると、前記フリット層(
3)は溶融するが、フリット層(3)上に、絶縁膜であ
る高融点ガラス仮居(4)が設けられ、封着合金基板(
1)の一主面上に優先酸化被膜(2)を介してフリット
層(3)と高融点ガラス層(4)を設けた積層基板が得
られる。
また、b図に示す如く、前記合金基板(1)の両主面に
、Cr2O3を主とする優先酸化被膜(2)を形成し、
この封着合金基板(1)の両主面に、前記酸化被膜を介
して溶融点500℃以下、粒度 100mesh〜300meshのフリットをスクリー
ン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした後、フ
リットの軟化点以上に加熱、溶融させ、さらに、両フリ
ット層(3X3)上に、板厚0.4mm〜1.0mmの
溶融点550℃以上の高融点ガラス板(4)を配置し、
高融点ガラス板(4)の溶融温度以下で加熱、加圧する
と、封着合金基板(1)の両生面上に1に光酸化被膜(
2)を介して絶縁膜であるフリット層(3)と高融点ガ
ラス板(4)を被着した積層基板を得ることができる。
、Cr2O3を主とする優先酸化被膜(2)を形成し、
この封着合金基板(1)の両主面に、前記酸化被膜を介
して溶融点500℃以下、粒度 100mesh〜300meshのフリットをスクリー
ン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした後、フ
リットの軟化点以上に加熱、溶融させ、さらに、両フリ
ット層(3X3)上に、板厚0.4mm〜1.0mmの
溶融点550℃以上の高融点ガラス板(4)を配置し、
高融点ガラス板(4)の溶融温度以下で加熱、加圧する
と、封着合金基板(1)の両生面上に1に光酸化被膜(
2)を介して絶縁膜であるフリット層(3)と高融点ガ
ラス板(4)を被着した積層基板を得ることができる。
また、0図に示す如く、封着合金基板(1)の両主面に
優先酸化被膜(2)を設け、一主面には板jプ0.4m
rrr−1,0mmの溶融点550°C以上の高融点ガ
ラス板(4)を配置し、高融点ガラス板(4)の溶融温
度以下で加熱、加圧して高融点ガラス層(4)を被着さ
せ、一方、積層基板の他生面には、粒度 100mesh〜300meshのフリットをスクリー
ン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした後、フ
リットの軟f1点以上に加熱、溶融させてフリット層(
3)を被着し、さらにその上に、板厚0.4mm〜1.
0mmの溶融点550℃以上の高融点ガラス板層(4)
を配置し、高融点ガラス板層(4)の溶融温度以下で加
熱、加圧すると、前記フリット層(3)は溶融するが、
フリット層(3)上に、絶縁膜である高融点ガラス層(
4)が設けられ、封着合金基板(1)の一主面上に優先
酸化被膜(2)を介して高融点ガラス層(4)、さらに
、他生面は優先酸化被膜(2)を介してフリット層(3
)と高融点ガラス層(4)を設けた積層基板が得られる
。
優先酸化被膜(2)を設け、一主面には板jプ0.4m
rrr−1,0mmの溶融点550°C以上の高融点ガ
ラス板(4)を配置し、高融点ガラス板(4)の溶融温
度以下で加熱、加圧して高融点ガラス層(4)を被着さ
せ、一方、積層基板の他生面には、粒度 100mesh〜300meshのフリットをスクリー
ン印刷により被着させ、乾燥、脱バインダーした後、フ
リットの軟f1点以上に加熱、溶融させてフリット層(
3)を被着し、さらにその上に、板厚0.4mm〜1.
0mmの溶融点550℃以上の高融点ガラス板層(4)
を配置し、高融点ガラス板層(4)の溶融温度以下で加
熱、加圧すると、前記フリット層(3)は溶融するが、
フリット層(3)上に、絶縁膜である高融点ガラス層(
4)が設けられ、封着合金基板(1)の一主面上に優先
酸化被膜(2)を介して高融点ガラス層(4)、さらに
、他生面は優先酸化被膜(2)を介してフリット層(3
)と高融点ガラス層(4)を設けた積層基板が得られる
。
発明の好ましい実施態様
この発明において、Crを含有した封着合金基板のFe
−0r−Ni系合金は、Niが40%未満では、熱膨張
係数が小さくなりすぎ、高融点ガラス板との熱膨張係数
差が大きくなり好ましくなく、また、50%を越えると
、前記の熱膨張係数差が大きくなりすぎるため、Niは
40〜50%に限定する。
−0r−Ni系合金は、Niが40%未満では、熱膨張
係数が小さくなりすぎ、高融点ガラス板との熱膨張係数
差が大きくなり好ましくなく、また、50%を越えると
、前記の熱膨張係数差が大きくなりすぎるため、Niは
40〜50%に限定する。
また、Crは4%未満では、熱処理後に緻密な酸化膜が
生成されず好ましくなく、また、8%を越えると、前記
の熱膨張係数差が大きくなりすぎるため、Crは4〜8
%に限定する。
生成されず好ましくなく、また、8%を越えると、前記
の熱膨張係数差が大きくなりすぎるため、Crは4〜8
%に限定する。
Cは、絶縁膜との反応により生成される発泡防止のため
に、0.05%以下にする必要がある。
に、0.05%以下にする必要がある。
また、封着合金の溶製時の脱酸、表面酸化膜の生成、合
金基板と酸化被膜層との密着性改善のため、Mn 0.
1〜0.5%、Si O,1〜0.5%、AI 0.1
〜0.5%のうち少なくとも1種の含有が好ましく、ま
た、必要に応じて、被膜密着性の改善のため、Ti、
Zr、RE、 AIの少なくとも1種を0.3%以下含
有してもよい。
金基板と酸化被膜層との密着性改善のため、Mn 0.
1〜0.5%、Si O,1〜0.5%、AI 0.1
〜0.5%のうち少なくとも1種の含有が好ましく、ま
た、必要に応じて、被膜密着性の改善のため、Ti、
Zr、RE、 AIの少なくとも1種を0.3%以下含
有してもよい。
また、この発明において、Crを含有した封着合金基板
のFe−Cr系合金は、Crは15%未満では、熟膨脹
係数が大きくなりすぎるため好ましくなく、30%を越
えると合金基板の加工性が劣化するため、Crは15〜
30%に限定する。
のFe−Cr系合金は、Crは15%未満では、熟膨脹
係数が大きくなりすぎるため好ましくなく、30%を越
えると合金基板の加工性が劣化するため、Crは15〜
30%に限定する。
Fe−Cr系合金において、Cは、絶縁膜との反応によ
り生成される発泡防止のために、0.05%以下にする
必要がある。
り生成される発泡防止のために、0.05%以下にする
必要がある。
また、Fe−0r系封着合金の溶製時の脱酸効果、表面
酸化膜の生成、合金基板と酸化被膜層との密着性改善の
ため、Mn0.1〜0.5%、Si 0.1〜0.5%
、AI 0.1〜0.5%のうち少なくとも1種の含有
が好ましく、また、必要に応じて、被膜密着性の改善の
ため、Ti、 Zr、 RESAlの少なくとも1種を
0.6%以下含有してもよい。
酸化膜の生成、合金基板と酸化被膜層との密着性改善の
ため、Mn0.1〜0.5%、Si 0.1〜0.5%
、AI 0.1〜0.5%のうち少なくとも1種の含有
が好ましく、また、必要に応じて、被膜密着性の改善の
ため、Ti、 Zr、 RESAlの少なくとも1種を
0.6%以下含有してもよい。
また、フリット層としては、
粒度100mesh 〜300mesh のPbO系
、PbO−B203系、PbOB2O3−8i02、等
のガラス粉末が好ましく、溶融温度は、500℃以下の
ものが好ましく、熱膨張係数は、前記合金基板の熟膨脹
係数(90〜ll0XIO−7/’C)より小さく、か
つ70 X 10−77’Cより大きいものが好ましい
。
、PbO−B203系、PbOB2O3−8i02、等
のガラス粉末が好ましく、溶融温度は、500℃以下の
ものが好ましく、熱膨張係数は、前記合金基板の熟膨脹
係数(90〜ll0XIO−7/’C)より小さく、か
つ70 X 10−77’Cより大きいものが好ましい
。
この発明において、高融点ガラスは、板厚0.4mm−
1,0mmのソーダガラス、ホウ珪酸ガラスなどの高融
点ガラスが好ましく、溶融温度は、フリット層の溶融温
度より50°C以上高く、かつ550℃以上のものが好
ましい。また、熱膨張係数は、前記合金基板の熱膨張係
数(90〜ll0XIO−7/″C)より小さく、かつ
70 X 10−7/’Cより大きいものが好ましい。
1,0mmのソーダガラス、ホウ珪酸ガラスなどの高融
点ガラスが好ましく、溶融温度は、フリット層の溶融温
度より50°C以上高く、かつ550℃以上のものが好
ましい。また、熱膨張係数は、前記合金基板の熱膨張係
数(90〜ll0XIO−7/″C)より小さく、かつ
70 X 10−7/’Cより大きいものが好ましい。
前記フリット層を封着合金基板に設ける際、スクリーン
印刷によるフリット膜厚みは最大0.15mmであり、
厚く絶縁層を設けるには、高融点ガラス層を形成するか
、あるいはフリット層の上に高融点ガラス層を形成する
のが好ましく、フリット層が封着合金基板と高融点ガラ
ス層間で接着剤の機能を果たす。
印刷によるフリット膜厚みは最大0.15mmであり、
厚く絶縁層を設けるには、高融点ガラス層を形成するか
、あるいはフリット層の上に高融点ガラス層を形成する
のが好ましく、フリット層が封着合金基板と高融点ガラ
ス層間で接着剤の機能を果たす。
この発明による積層基板において、封着合金基板(A)
と一主面に被着したフリット層(B)との層厚比は、A
/B : 10/1〜5が好ましく、層厚比が1011
を越えると、フリット層が薄くなりすぎ、合金板及びガ
ラス板の僅かな凹凸やそりにより均一な接着ができない
問題があり、また、層厚比が1015未満では、熟膨脹
差による熱応力により、そりやガラスクラックの発生や
バインダーの除去が困FJ:fUになリ、溶着時、残留
バインダーが気泡となり接着強度を低下する問題を生じ
る。
と一主面に被着したフリット層(B)との層厚比は、A
/B : 10/1〜5が好ましく、層厚比が1011
を越えると、フリット層が薄くなりすぎ、合金板及びガ
ラス板の僅かな凹凸やそりにより均一な接着ができない
問題があり、また、層厚比が1015未満では、熟膨脹
差による熱応力により、そりやガラスクラックの発生や
バインダーの除去が困FJ:fUになリ、溶着時、残留
バインダーが気泡となり接着強度を低下する問題を生じ
る。
また、封着合金基板の両主面に高融点ガラス居を設ける
場合の層厚比は、 C/B/A/B/C= 0.5〜571〜5/10/1
〜510.5〜5が好ましい。
場合の層厚比は、 C/B/A/B/C= 0.5〜571〜5/10/1
〜510.5〜5が好ましい。
また、封着合金基板(A)の一主面に高融点ガラス層(
C)、他生面にフリット層(B)を介して高融点ガラス
層(C)を設ける場合、層厚比は、A/B/C= 10
/1〜510.5〜5が好ましい。A/Cの層厚比が1
010.5を越えると、ガラス板が薄くなりすぎ、製造
時の取り扱いが困難となり好ましくなく、また、層厚比
が1015未満では、熟膨脹差による熱応力により、そ
りやガラスクラックの発生等及び熱伝導の低下等の問題
を生じるため好ましくない。
C)、他生面にフリット層(B)を介して高融点ガラス
層(C)を設ける場合、層厚比は、A/B/C= 10
/1〜510.5〜5が好ましい。A/Cの層厚比が1
010.5を越えると、ガラス板が薄くなりすぎ、製造
時の取り扱いが困難となり好ましくなく、また、層厚比
が1015未満では、熟膨脹差による熱応力により、そ
りやガラスクラックの発生等及び熱伝導の低下等の問題
を生じるため好ましくない。
実施例
実施例I
C0,01wt%、Si 0.2wt%、Mn 0.2
wt%、Cr 5.7wt%、Ni 42.0wt%、
Al 0.25 wt%、Zr O,05wt%、残部
Feがらなり、熟膨脹係数98X1.0−7°Cを有し
、幅1100rn X INN130mmX長さ300
mm寸法からなる封着合金基板の両主面を、アルカリ脱
脂により清浄化した後、前記合金基板を平坦なアルミナ
系セラミック板にて挟み、15 g/cm2の加圧力に
て、露点40℃の湿潤H2中で1250°Cに加熱し、
前記合金基板表面に、3.5μm厚みのCr2O3を主
とする優先酸化層を形成するとともに熱矯正して平坦化
した。
wt%、Cr 5.7wt%、Ni 42.0wt%、
Al 0.25 wt%、Zr O,05wt%、残部
Feがらなり、熟膨脹係数98X1.0−7°Cを有し
、幅1100rn X INN130mmX長さ300
mm寸法からなる封着合金基板の両主面を、アルカリ脱
脂により清浄化した後、前記合金基板を平坦なアルミナ
系セラミック板にて挟み、15 g/cm2の加圧力に
て、露点40℃の湿潤H2中で1250°Cに加熱し、
前記合金基板表面に、3.5μm厚みのCr2O3を主
とする優先酸化層を形成するとともに熱矯正して平坦化
した。
溶融温度450°C1熟膨脹係数94X 10−7/°
Cノ性質を有する粒度300meshのPbo系ガラス
粉末に、粘結剤としてニトロセルローズを5%添加して
スラリー状となした後、スクリーン印刷により、前記合
金基板の一生面の優先酸化層上に、幅95mmX長さ2
50mm寸法に被着させ、120’C130分の乾燥処
理を行い、ついで350’C190分の脱ハインターシ
た後、450”Cに加熱、溶融させることにより、封着
合金基板上に優先酸化被膜を介して厚み0.10mmの
フリット層を被着した。
Cノ性質を有する粒度300meshのPbo系ガラス
粉末に、粘結剤としてニトロセルローズを5%添加して
スラリー状となした後、スクリーン印刷により、前記合
金基板の一生面の優先酸化層上に、幅95mmX長さ2
50mm寸法に被着させ、120’C130分の乾燥処
理を行い、ついで350’C190分の脱ハインターシ
た後、450”Cに加熱、溶融させることにより、封着
合金基板上に優先酸化被膜を介して厚み0.10mmの
フリット層を被着した。
前記フリット層上に、溶融温度760’C1熟膨脹係数
87 X 10−7/’Cの性質を有し、幅100mm
X板厚0.4mmX長さ300mm寸法からなるソーダ
ガラスからなる高融点ガラス板を載せ、50 g/cm
2の加圧力、450°Cの加熱温度にて、加熱、加圧し
て接着し、封着合金基板の一生面にフリット層を介して
高融点ガラス層を設けた積層基板を得た。。
87 X 10−7/’Cの性質を有し、幅100mm
X板厚0.4mmX長さ300mm寸法からなるソーダ
ガラスからなる高融点ガラス板を載せ、50 g/cm
2の加圧力、450°Cの加熱温度にて、加熱、加圧し
て接着し、封着合金基板の一生面にフリット層を介して
高融点ガラス層を設けた積層基板を得た。。
この積層時の合金基板とフリット層と高融点ガラス層と
の層厚比は、10/ 1/ 4であった。
の層厚比は、10/ 1/ 4であった。
得られたこの発明による積層基板について、その耐熱性
、熱膨張率、熱伝導度及び強度を評価した。その結果は
第1表に示すとおりである。
、熱膨張率、熱伝導度及び強度を評価した。その結果は
第1表に示すとおりである。
耐熱性、熱膨張率、熱伝導度及び強度の評価方法は以下
のとうりである。
のとうりである。
耐熱性;30°C×30分、500″CX30分、30
’CX30分のヒートパターンを3回繰り返し、 全体形状の変化及びガラス、フリット にクラック、欠は等の欠陥発生の有 無を確認する。
’CX30分のヒートパターンを3回繰り返し、 全体形状の変化及びガラス、フリット にクラック、欠は等の欠陥発生の有 無を確認する。
熱膨張率 ; 30’Cから500℃までの伸びを測
定した。
定した。
熱伝導度;30°Cにおける値を測定した。単位はca
l/cm−s−degで表示する。
l/cm−s−degで表示する。
強度; 板厚みの100培の半径を有する円弧面に沿っ
て曲げが可能か否かにて評価し た。表中の○印は割れ発生せず、△印 は微小割れ発生、×印は完全に割れる ことを表している。
て曲げが可能か否かにて評価し た。表中の○印は割れ発生せず、△印 は微小割れ発生、×印は完全に割れる ことを表している。
なお、第1表の比較例の銅張りガラスエポキシ基板、ア
ルミナ系基板及びほうろう引き鉄基板の試料寸法は、幅
100mmX板厚1mmX長さ300mmであった。
ルミナ系基板及びほうろう引き鉄基板の試料寸法は、幅
100mmX板厚1mmX長さ300mmであった。
実施例2
CO,005wt%、Si O,20wt%、Mn 0
.40wt%、Cr 5.5wt%、Ni 47.Ow
t%、Al 0.25 wt%、Zr O,05wt%
、残部Feからなり、熱膨張係数95×10−7/°c
を有し、幅100mmX板厚1.5mmX長さ300m
m寸法からなる封着合金基板の一生面を、アルカリ脱脂
により清浄化した後、前記合金基板を平坦なアルミナ系
セラミック板にて挟み、50 g/cm2の加圧力にて
、露点40°Cの湿潤H2中テ1200℃に加熱し、n
II記合金基板表面に、1.5pm厚みのCr2O3を
主とする優先酸化層を形成した。その後、前記合金基板
を熱矯正して平坦化した。
.40wt%、Cr 5.5wt%、Ni 47.Ow
t%、Al 0.25 wt%、Zr O,05wt%
、残部Feからなり、熱膨張係数95×10−7/°c
を有し、幅100mmX板厚1.5mmX長さ300m
m寸法からなる封着合金基板の一生面を、アルカリ脱脂
により清浄化した後、前記合金基板を平坦なアルミナ系
セラミック板にて挟み、50 g/cm2の加圧力にて
、露点40°Cの湿潤H2中テ1200℃に加熱し、n
II記合金基板表面に、1.5pm厚みのCr2O3を
主とする優先酸化層を形成した。その後、前記合金基板
を熱矯正して平坦化した。
前記合金基板の一生面の優先酸化被膜層上に、溶融温度
760℃、熟膨脹係数87 X 10−7/’Cの性質
を有し、輻100mmX板厚0.4mmX長さ300m
m寸法からなるソーダガラスを載せ、30 g/cm2
の加圧力、900°Cの加熱温度にて、加熱、加圧して
接着し、封着合金基板の一生面に優先酸化被膜層を介し
て高融点ガラス層を設けた。
760℃、熟膨脹係数87 X 10−7/’Cの性質
を有し、輻100mmX板厚0.4mmX長さ300m
m寸法からなるソーダガラスを載せ、30 g/cm2
の加圧力、900°Cの加熱温度にて、加熱、加圧して
接着し、封着合金基板の一生面に優先酸化被膜層を介し
て高融点ガラス層を設けた。
次に、溶融温度450℃、熱膨張係数94 X 10−
77’Cの性質を有する粒度300meshのPbOガ
ラス粉末に、粘結剤としてニトロセルローズを7%添加
してスラリー状となした後、スクリーン印刷により、前
記合金基板の他生面の優先酸化被膜層上に、輻95mm
X長さ250mm寸法に被着させ、120℃、30分の
乾燥処理を行い、ついで350℃、60分の脱バインダ
ーした後、450℃に加熱、溶融させることにより、封
着合金基板上に優先酸化被膜層を介して厚み0.15m
mのフリット層を被着した。
77’Cの性質を有する粒度300meshのPbOガ
ラス粉末に、粘結剤としてニトロセルローズを7%添加
してスラリー状となした後、スクリーン印刷により、前
記合金基板の他生面の優先酸化被膜層上に、輻95mm
X長さ250mm寸法に被着させ、120℃、30分の
乾燥処理を行い、ついで350℃、60分の脱バインダ
ーした後、450℃に加熱、溶融させることにより、封
着合金基板上に優先酸化被膜層を介して厚み0.15m
mのフリット層を被着した。
前記合金基板の他生面のフリット層上に、溶融温度76
0℃、熟膨脹係数87 X 10−7/’Cの性質を有
し、幅100mmX板厚0.4mmX長さ300mm寸
法からなるソーダガラスからなる高融点ガラス板を載せ
、50 g/cm2の加圧力、450℃の加熱温度にて
、加熱、加圧して接着し、封着合金基板の一生面に高融
点ガラス層を、他生面にはフリット層を介して高融点ガ
ラス層を設けた積層基板を得た。
0℃、熟膨脹係数87 X 10−7/’Cの性質を有
し、幅100mmX板厚0.4mmX長さ300mm寸
法からなるソーダガラスからなる高融点ガラス板を載せ
、50 g/cm2の加圧力、450℃の加熱温度にて
、加熱、加圧して接着し、封着合金基板の一生面に高融
点ガラス層を、他生面にはフリット層を介して高融点ガ
ラス層を設けた積層基板を得た。
この積層時の合金基板とフリット層と高融点ガラス層と
の層厚比は、15 / 1.5./4 であった。
の層厚比は、15 / 1.5./4 であった。
得られたこの発明による積層基板について、その耐熱性
、熱膨張率、熱伝導度及び強度を評価した。その結果は
第1表に示すとおりである。
、熱膨張率、熱伝導度及び強度を評価した。その結果は
第1表に示すとおりである。
以下余白
第1表
第1図a、b、cは、この発明による積層基板の断面説
明図である。 1・・・封着合金基板、2・・・優先酸化被膜層、3・
・・フリット層、4・・・高融点ガラス層。
明図である。 1・・・封着合金基板、2・・・優先酸化被膜層、3・
・・フリット層、4・・・高融点ガラス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Cr含有の封着合金板の少なくとも1主面に、Cr_2
O_3を主とする優先酸化被膜を介在させてフリット層
と高融点ガラス層を順に被覆したことを特徴とする電子
部品用積層基板。 2 Cr含有の封着合金板の両主面に、Cr_2O_3を主
とする優先酸化被膜を介在させて、一主面に高融点ガラ
ス層を被覆し、また他生面にフリット層と高融点ガラス
層を順に被覆したことを特徴とする電子部品用積層基板
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19193086A JPS6347957A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 電子部品用積層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19193086A JPS6347957A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 電子部品用積層基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6347957A true JPS6347957A (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=16282811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19193086A Pending JPS6347957A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 電子部品用積層基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6347957A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6739843B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Control valve and variable displacement compressor having the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5332376A (en) * | 1976-09-07 | 1978-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Electric device substrate |
JPS53116473A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | Electric device board |
JPS5558372A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-01 | Toshiba Corp | Substrate |
JPS61191929A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-08-26 | ピ−タ−・ハワ−ド・フオウラ− | 温度測定方法及び装置 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP19193086A patent/JPS6347957A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS53116473A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | Electric device board |
JPS5558372A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-01 | Toshiba Corp | Substrate |
JPS61191929A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-08-26 | ピ−タ−・ハワ−ド・フオウラ− | 温度測定方法及び装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6739843B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Control valve and variable displacement compressor having the same |
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