JPS6346602B2 - - Google Patents

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JPS6346602B2
JPS6346602B2 JP54133937A JP13393779A JPS6346602B2 JP S6346602 B2 JPS6346602 B2 JP S6346602B2 JP 54133937 A JP54133937 A JP 54133937A JP 13393779 A JP13393779 A JP 13393779A JP S6346602 B2 JPS6346602 B2 JP S6346602B2
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JP
Japan
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circuit
frequency
pulse
oscillation
electrode
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JP54133937A
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Japanese (ja)
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JPS5657309A (en
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Tetsuo Konno
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Seikosha KK
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Seikosha KK
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Publication date
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Priority to DE3039156A priority patent/DE3039156C2/en
Publication of JPS5657309A publication Critical patent/JPS5657309A/en
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Priority to HK568/85A priority patent/HK56885A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • H03L1/02Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
    • H03L1/028Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は圧電振動子を用いた発振回路に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an oscillation circuit using a piezoelectric vibrator.

現在、基準周波数源として水晶発振回路が多方
面にわたつて使用されているが、その発振周波数
の調整用としてトリマコンデンサを外付けしなけ
ればならなかつた。また常温で周波数調整を行な
つても、一定の温度範囲を越えると、発振周波数
が大きくずれる難点があつた。因みに、温度特性
のよいものでも、5〜35℃で±2PPM程度の変動
があり、この温度範囲を越えると急激に周波数が
変動するものであつた。
Currently, crystal oscillation circuits are used as reference frequency sources in a wide variety of applications, but a trimmer capacitor must be externally attached to adjust the oscillation frequency. Furthermore, even if the frequency was adjusted at room temperature, there was a problem in that the oscillation frequency would deviate significantly when the temperature exceeded a certain temperature range. Incidentally, even with good temperature characteristics, there was a fluctuation of about ±2 PPM between 5 and 35°C, and the frequency suddenly fluctuated when this temperature range was exceeded.

そこで本発明は圧電振動子の実効電極面積を所
望デユーテイのパルスによつて切り換えることに
より周波数調整を行ない、また温度補償を行なう
発振回路を提供して、従来の欠点を除去するもの
である。
Therefore, the present invention provides an oscillation circuit that adjusts the frequency and performs temperature compensation by switching the effective electrode area of a piezoelectric vibrator with a pulse of a desired duty, thereby eliminating the conventional drawbacks.

以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第1図および第2図において、水晶振動子A
の一面には主電極E1を形成してあり、他の面に
は副電極E2および主電極E3を形成してある。電
極E1は負荷容量C1に接続してあり、電極E3は負
荷容量C2に接続してある。電極E2はスイツチン
グ回路Sを介して負荷容量C2に接続してある。
Vはインバータ、R1は帰還抵抗である。
An embodiment of the present invention will be described below based on the drawings. In Figures 1 and 2, crystal oscillator A
A main electrode E 1 is formed on one surface, and a sub-electrode E 2 and a main electrode E 3 are formed on the other surface. Electrode E 1 is connected to load capacitor C 1 and electrode E 3 is connected to load capacitor C 2 . Electrode E 2 is connected via a switching circuit S to a load capacitor C 2 .
V is an inverter and R1 is a feedback resistor.

以上の構成において、スイツチング回路Sをオ
ンにして電極E2を電極E3に導通させた状態つま
りパルスPのデユーテイtpを1にしたときの常温
における発振周波数f1が、第3図の曲線l1のよう
に目標周波数f0より低くなるように設計してお
く。しかもスイツチング回路Sをオフにして電極
E2を遮断した状態、つまりパルスPのデユーテ
イtpを0にしたときの常温における発振周波数f2
が、第3図の曲線l2のように目標周波数f0より高
くなるように設計しておく。
In the above configuration, the oscillation frequency f 1 at normal temperature when the switching circuit S is turned on and the electrode E 2 is electrically connected to the electrode E 3 , that is, when the duty tp of the pulse P is set to 1, is the curve l in FIG. 1 , the frequency is designed to be lower than the target frequency f 0 . Moreover, the switching circuit S is turned off and the electrode
Oscillation frequency f 2 at room temperature when E 2 is cut off, that is, when the duty tp of pulse P is 0
is designed so that it is higher than the target frequency f 0 as shown by the curve l 2 in FIG.

そこで、スイツチング回路Sの入力端子aにパ
ルスPを供給してこれをオン、オフすることによ
り、電極E2が接続および遮断されて水晶振動子
Aの実効電極面積が切り換えられ、発振周波数が
調整される。例えば、パルスPのデユーテイtpを
tp=1/2とすると、第3図の曲線l3のように常温
での発振周波数は、周波数f1とf2のほぼ中間の周
波数f3に調整される。
Therefore, by supplying pulse P to input terminal a of switching circuit S to turn it on and off, electrode E2 is connected and disconnected, the effective electrode area of crystal resonator A is switched, and the oscillation frequency is adjusted. be done. For example, the duty tp of pulse P is
When tp=1/2, the oscillation frequency at room temperature is adjusted to a frequency f3 approximately intermediate between the frequencies f1 and f2 , as shown by the curve l3 in FIG.

またパルスPのデユーテイtpを約3/4に設定す
ると、曲線l4のように常温における発振周波数が
目標周波数f0に調整される。
Further, when the duty tp of the pulse P is set to about 3/4, the oscillation frequency at room temperature is adjusted to the target frequency f0 as shown by the curve l4 .

ところで、上記水晶発振回路の受動部の時定数
tcは、tc≒2Q/ω0(Q:水晶振動子のQ値、ω0
2πf;f:水晶振動子の発振周波数)で、表わさ
れる。したがつてパルスPの周波数fpをfp≫1/
tcとなるように設定しておくことにより、周波数
fpのスイツチングを与えても水晶発振周波数スペ
クトルのfp成分は無視できる。すなわち、水晶振
動子Aの発振周波数が安定性を損なわれることは
ない。
By the way, the time constant of the passive part of the above crystal oscillation circuit
tc is tc≒2Q/ω 0 (Q: Q value of crystal resonator, ω 0 =
It is expressed as 2πf; f: oscillation frequency of the crystal resonator). Therefore, the frequency fp of the pulse P is fp≫1/
By setting it so that tc, the frequency
Even if fp switching is applied, the fp component of the crystal oscillation frequency spectrum can be ignored. That is, the stability of the oscillation frequency of the crystal resonator A is not impaired.

因みに、水晶振動子Aとして、発振周波数が約
4.2MHzでQ値が3×105〜5×105程度のものを
用いた場合に、Q値が高いため、パルスPの周波
数fpを10KHz程度に設定しておくことにより、こ
の周波数fpによつて水晶振動子Aの発振周波数が
安定性を損なわれることはない。
By the way, as crystal resonator A, the oscillation frequency is approximately
When using a pulse with a Q value of about 3 x 10 5 to 5 x 10 5 at 4.2 MHz, the Q value is high, so by setting the frequency fp of pulse P to about 10 KHz, this frequency fp can be adjusted. Therefore, the stability of the oscillation frequency of the crystal resonator A is not impaired.

第4図はパルスPのデユーテイtpを調整する構
成を付加して示したものである。同図において、
Dは分周回路であり、その出力端子d1,d2からは
それぞれ入力周波数の1/2nおよび1/2m(n>m)
の周波数出力が生じる。CTはk(k=n−m)ビ
ツトのプリセツタブルダウンカウンタ、Hは微分
回路、Gはゲート回路である。DSはデジタルス
イツチ、Mは不揮発性の記憶回路である。以上の
構成において、分周回路Dおよび微分回路Hによ
つてパルス発生回路を構成し、デジタルスイツチ
DS、記憶回路M、カウンタCTおよびゲート回路
Gによつて制御回路を構成している。
FIG. 4 shows an additional configuration for adjusting the duty tp of the pulse P. In the same figure,
D is a frequency divider circuit, and its output terminals d 1 and d 2 output 1/2 n and 1/2 m (n>m) of the input frequency, respectively.
produces a frequency output of CT is a k (k=nm) bit presettable down counter, H is a differential circuit, and G is a gate circuit. DS is a digital switch, and M is a nonvolatile memory circuit. In the above configuration, the frequency dividing circuit D and the differentiating circuit H constitute a pulse generation circuit, and the digital switch
DS, memory circuit M, counter CT and gate circuit G constitute a control circuit.

動作について説明すると、デジタルスイツチ
DSによつて所望値を設定し、これを記憶回路M
に書き込む。一方、分周回路Dの端子d1からのパ
ルスは微分回路Hによつて微分され、この微分パ
ルスによつて記憶回路Mの内容がダウンカウンタ
CTにプリセツトされる。このプリセツトによつ
て出力端子eは“1”になり、ゲート回路Gが開
いて、端子d2からのパルスがダウンカウンタCT
に供給される。そしてダウンカウンタCTが、上
記で設定した値を計数すると、端子eが“0”に
反転する。つぎに端子d1からパルスが生じると、
記憶回路Mの内容が再びダウンカウンタCTにプ
リセツトされ、上記の動作が繰り返される。こう
して端子eからは、デジタルスイツチDSで設定
した値に対応したデユーテイのパルスが生じ、ス
イツチング回路Sが開閉されて電極E2が発振回
路に電気的に接続および遮断される。
To explain the operation, the digital switch
Set the desired value using DS and store it in the memory circuit M.
write to. On the other hand, the pulse from the terminal d1 of the frequency dividing circuit D is differentiated by the differentiating circuit H, and this differentiated pulse changes the contents of the memory circuit M into a down counter.
Preset to CT. Due to this preset, the output terminal e becomes "1", the gate circuit G is opened, and the pulse from the terminal d2 is sent to the down counter CT.
supplied to When the down counter CT counts the value set above, the terminal e is inverted to "0". Next, when a pulse is generated from terminal d 1 ,
The contents of the memory circuit M are again preset into the down counter CT, and the above operation is repeated. In this way, a pulse with a duty corresponding to the value set by the digital switch DS is generated from the terminal e, the switching circuit S is opened and closed, and the electrode E2 is electrically connected and disconnected from the oscillation circuit.

第4図の構成のうち、デジタルスイツチDSお
よび水晶振動子Aを除いた回路は集積化でき、ま
たトリマコンデンサが不要となるため、周波数の
安定性が向上する。
In the configuration shown in FIG. 4, the circuits other than the digital switch DS and the crystal resonator A can be integrated, and since a trimmer capacitor is not required, frequency stability is improved.

第5〜7図はそれぞれ実効電極面積を切り換え
る構成の他の例を示したものであり、いずれも上
記実施例と全く同様の作用効果がある。第5図で
は、スイツチング回路Sがオンになつたときに電
極E1,E2,E3が実効電極となり、スイツチング
回路Sがオフとなつたときには電極E1,E3のみ
が実効電極となる。
5 to 7 respectively show other examples of configurations for switching the effective electrode area, and all have the same effects as the above embodiments. In FIG. 5, when the switching circuit S is turned on, electrodes E 1 , E 2 and E 3 become effective electrodes, and when the switching circuit S is turned off, only electrodes E 1 and E 3 become effective electrodes. .

第6図および第7図では、電極E2,E3を主電
極、電極E1を副電極とし、発振回路に電極E1
接続および遮断して実効電極面積を切り換えるも
のである。
In FIGS. 6 and 7, electrodes E 2 and E 3 are used as main electrodes, and electrode E 1 is used as a sub-electrode, and the effective electrode area is switched by connecting and disconnecting electrode E 1 to the oscillation circuit.

つぎに温度補償を行なう例について説明する。 Next, an example of temperature compensation will be explained.

第8図において、サーミスThおよび抵抗R2
よつて温度を電圧変換して比較回路CM1…CMr
に供給する。比較回路CM1…CMrの端子P1…Pr
はそれぞれ異なつた電圧に予め設定してある。比
較回路CM1…CMrからのデータはエンコーダE
によつてバイナリー信号に変換されてダウンカウ
ンタCTに供給される。つまりサーミスタTh、比
較回路CM1〜CMrおよびエンコーダEによつて
温度の検出部を構成している。
In Fig. 8, temperature is converted into voltage by thermistor Th and resistor R2 , and the comparator circuit CM1 ...CMr
supply to. Comparison circuit CM 1 …CMr terminal P 1 …Pr
are preset to different voltages. Comparison circuit CM 1 ...Data from CMR is encoder E
is converted into a binary signal and supplied to the down counter CT. That is, the thermistor Th, the comparison circuits CM1 to CMr , and the encoder E constitute a temperature detection section.

したがつてダウンカウンタCTには温度に対応
したデータがプリセツトされ、スイツチング回路
Sをオン、オフするパルスのデユーテイtpが設定
される。すなわち、温度に応じてスイツチング回
路Sのオン、オフが制御され、発振周波数の温度
補償が行なわれる。これによつて、第9図の波線
l5で示すような温度特性となり、−30℃から+70
℃まで極めて広い温度範囲で、周波数変化率を±
1PPM以内に抑え込むことができる。
Therefore, the down counter CT is preset with data corresponding to the temperature, and the duty tp of the pulse for turning the switching circuit S on and off is set. That is, the switching circuit S is turned on and off in accordance with the temperature, and the oscillation frequency is compensated for the temperature. As a result, the wavy line in Figure 9
The temperature characteristics are as shown in l 5 , from -30℃ to +70℃.
Frequency change rate is ±
It can be suppressed to within 1PPM.

ところで、パルスのデユーテイを制御する回路
としては第10図のようなものを用いてもよい。
同図において、サーミスタを用いたCR発振回路
OSの出力周波数をカウンタFCでカウントし、そ
の内容をデータ変換回路DTによつて、デユーテ
イ指定用のデータに変換する。発振回路OSの周
波数は温度の上昇に伴つて増大し、データ変換回
路DTは上記周波数をいくつかの段階に分割し、
各段階に対応したデータを生じるように設定して
ある。したがつて、データ変換回路DTからのデ
ータによつて、先の実施例と同様に、パルスのデ
ユーテイが指定され、スイツチング回路Sがオ
ン、オフする。発振回路OS、カウンタFCおよび
データ変換回路DTによつて温度の検出部を構成
している。
By the way, as a circuit for controlling the pulse duty, a circuit as shown in FIG. 10 may be used.
In the same figure, a CR oscillation circuit using a thermistor
The output frequency of the OS is counted by a counter FC, and its contents are converted into duty specification data by a data conversion circuit DT. The frequency of the oscillation circuit OS increases as the temperature rises, and the data conversion circuit DT divides the frequency into several stages,
It is set to generate data corresponding to each stage. Therefore, as in the previous embodiment, the duty of the pulse is specified by the data from the data conversion circuit DT, and the switching circuit S is turned on and off. The oscillation circuit OS, counter FC, and data conversion circuit DT constitute a temperature detection section.

つぎに第11図の音叉型水晶振動子Bを用いた
例について説明する。その一面には主電極F1
F2および副電極F3を形成してあり、他の面には
主電極F4を形成してある。
Next, an example using the tuning fork type crystal resonator B shown in FIG. 11 will be explained. On one side there is a main electrode F 1 ,
F 2 and a sub-electrode F 3 are formed, and a main electrode F 4 is formed on the other surface.

そして第12図のように、電極F3をスイツチ
ング回路Sによつて接続および遮断するもので、
スイツチング回路Sをオン状態に保持したときの
発振周波数の温度特性が第13図の曲線l6のよう
になり、発振周波数の最大値が目標周波数f0以下
となるように設計しておく。またスイツチング回
路Sをオフ状態に保持したときには、曲線l7のよ
うに、補償すべき温度範囲内で目標周波数f0より
高い周波数で発振するように設計しておく。
As shown in FIG. 12, the electrode F3 is connected and disconnected by a switching circuit S.
It is designed so that the temperature characteristic of the oscillation frequency when the switching circuit S is held in the on state is as shown by the curve l6 in FIG. 13, and the maximum value of the oscillation frequency is less than or equal to the target frequency f0 . Further, when the switching circuit S is held in the off state, it is designed to oscillate at a frequency higher than the target frequency f0 within the temperature range to be compensated, as shown by curve l7 .

そこで第12図のように、サーミスタを用いた
CR発振器OSの出力と分周回路Dの出力とをミキ
サMRに供給し、両周波数の差をデータ変換回路
DTによつてデジタルデータに変換するものであ
る。
Therefore, as shown in Figure 12, we used a thermistor.
The output of the CR oscillator OS and the output of the frequency divider circuit D are supplied to the mixer MR, and the difference between both frequencies is converted into a data conversion circuit.
It is converted into digital data using DT.

なおCR発振器OSは、第13図の曲線l6,l7
中心線、すなわち25℃において分周回路Dからの
出力周波数と一致するように設定してある。その
ため、ミキサMRから生じる差の周波数は、25℃
を中心として温度が上昇および下降するに伴つて
対称的に増大していく。この出力がデータ変換回
路DTによつてデジタルデータに変換され、先の
実施例と同様にスイツチング回路Sをオン、オフ
するパルスのデユーテイが指定される。
Note that the CR oscillator OS is set to match the output frequency from the frequency dividing circuit D at the center line of the curves l 6 and l 7 in FIG. 13, that is, at 25°C. Therefore, the frequency of the difference resulting from mixer MR is 25°C
It increases symmetrically as the temperature rises and falls around . This output is converted into digital data by the data conversion circuit DT, and the duty of the pulse for turning on and off the switching circuit S is specified as in the previous embodiment.

したがつて、第13図の波線l8のように温度補
償が行なわれ、広い温度範囲で周波数変化率を±
1PPM以内に抑え込むことができる。以上の構成
においては、CR発振器OS、ミキサMRおよびデ
ータ変換回路DTによつて温度の検出部を構成し
ている。
Therefore, temperature compensation is performed as shown by the dotted line l8 in Figure 13, and the frequency change rate is ±± over a wide temperature range.
It can be suppressed to within 1PPM. In the above configuration, the temperature detection section is composed of the CR oscillator OS, mixer MR, and data conversion circuit DT.

以上詳述したように本発明によれば、周波数が
ω0/2Qより高いパルスによつて圧電振動子の実
効電極面積を切り換え、このパルスのデユーテイ
によつて発振周波数を調整するようにしたので、
少ない電極数で連続的に周波数を可変することが
でき、精細な周波数の合せ込みが可能となる。し
かもパルスの周波数がω0/2Qより高いため、電
極のスイツチングによる周波数の揺ぎがなく、一
定の周波数で安定した発振を持続することができ
る。
As detailed above, according to the present invention, the effective electrode area of the piezoelectric vibrator is switched by a pulse whose frequency is higher than ω 0 /2Q, and the oscillation frequency is adjusted by the duty of this pulse. ,
The frequency can be varied continuously with a small number of electrodes, allowing precise frequency tuning. Furthermore, since the pulse frequency is higher than ω 0 /2Q, there is no frequency fluctuation due to electrode switching, and stable oscillation can be maintained at a constant frequency.

さらに温度に応じてスイツチング用パルスのデ
ユーテイを変化させることにより、広い温度範囲
にわたつて連続的にきめ細かな周波数調整が行え
るものである。
Furthermore, by changing the duty of the switching pulse according to the temperature, fine frequency adjustment can be performed continuously over a wide temperature range.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の動作原理を説明するための電
気回路図、第2図は水晶振動子の一例を示した正
面図および背面図、第3図はパルスのデユーテイ
に応じた周波数−温度特性を示した特性図、第4
図は本発明の一実施例を示した電気回路図、第
5,6,7図はそれぞれ第4図要部の構成を異な
らせた電気回路図、第8図は温度補償を行なう一
実施例を示した電気回路図、第9図は温度補償前
および温度補償後の周波数−温度特性を示した特
性図、第10図は温度補償を行なう他の例を示し
た電気回路図、第11図は水晶振動子の他の例を
示した正面図および背面図、第12図は第11図
の水晶振動子の温度補償を行なう構成の一例を示
した電気回路図、第13図は第12図の構成によ
る温度補償前および温度補償後の周波数−温度特
性を示した特性図である。 A……水晶振動子、E1,E2,E3……電極、S
……スイツチング回路、DS……デジタルスイツ
チ、M……記憶回路、D……分周器、CT……カ
ウンタ、Th……サーミスタ、CM1〜CMr……比
較回路、E……エンコーダ、OS……サーミスタ
を用いたCR発振回路、FC……カウンタ、DT…
…データ変換回路、B……水晶振動子、F1〜F4
……電極、MR……ミキサ。
Fig. 1 is an electric circuit diagram for explaining the operating principle of the present invention, Fig. 2 is a front view and rear view showing an example of a crystal resonator, and Fig. 3 is a frequency-temperature characteristic according to pulse duty. Characteristic diagram showing 4th
The figure is an electric circuit diagram showing one embodiment of the present invention, Figures 5, 6, and 7 are electric circuit diagrams with different configurations of the main parts of Figure 4, and Figure 8 is an example of temperature compensation. FIG. 9 is a characteristic diagram showing the frequency-temperature characteristics before and after temperature compensation. FIG. 10 is an electric circuit diagram showing another example of temperature compensation. FIG. 11 12 is a front view and rear view showing another example of a crystal resonator, FIG. 12 is an electric circuit diagram showing an example of a configuration for temperature compensation of the crystal resonator shown in FIG. 11, and FIG. 13 is an electric circuit diagram shown in FIG. 12. FIG. 3 is a characteristic diagram showing frequency-temperature characteristics before and after temperature compensation according to the configuration of FIG. A...Crystal resonator, E1 , E2 , E3 ...Electrode, S
... Switching circuit, DS ... Digital switch, M ... Memory circuit, D ... Frequency divider, CT ... Counter, Th ... Thermistor, CM 1 to CMR ... Comparison circuit, E ... Encoder, OS ... ...CR oscillation circuit using a thermistor, FC...Counter, DT...
...Data conversion circuit, B...Crystal oscillator, F 1 to F 4
...Electrode, MR...Mixer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 主電極および副電極を形成した圧電振動子、
インバータおよび負荷容量によつて発振回路を構
成し、 周波数がω0/2Q(Q:圧電振動子のQ値、ω0
=2πf、f:圧電振動子の発振周波数)より高い
パルスを生じるパルス発生回路と、 このパルス発生回路からのパルスのデユーテイ
を調整する制御回路と、 この制御回路によつてデユーテイを調整された
パルスによつて上記副電極を上記発振回路に電気
的に接続および遮断するスイツチング回路とを具
備したことを特徴とする圧電振動子を用いた発振
回路。 2 主電極および副電極を形成した圧電振動子、
インバータおよび負荷容量によつて発振回路を構
成し、 周波数がω0/2Q(Q:圧電振動子のQ値、ω0
=2πf、f:圧電振動子の発振周波数)より高い
パルスを生じるパルス発生回路と、 温度を検出する検出部と、 この検出部からの出力を受けて上記パルス発生
回路からのパルスのデユーテイを温度に応じて調
整する制御回路と、 この制御回路によつてデユーテイを調整された
パルスによつて上記副電極を上記発振回路に電気
的に接続および遮断するスイツチング回路とを具
備したことを特徴とする圧電振動子を用いた発振
回路。
[Claims] 1. A piezoelectric vibrator having a main electrode and a sub-electrode formed thereon;
An oscillation circuit is constructed by an inverter and a load capacitor, and the frequency is ω0/2Q (Q: Q value of piezoelectric vibrator, ω0
= 2πf, f: oscillation frequency of the piezoelectric vibrator); a control circuit that adjusts the duty of the pulse from this pulse generating circuit; and a pulse whose duty is adjusted by this control circuit. An oscillation circuit using a piezoelectric vibrator, comprising a switching circuit that electrically connects and disconnects the sub-electrode to and from the oscillation circuit. 2 A piezoelectric vibrator having a main electrode and a sub-electrode formed thereon;
An oscillation circuit is constructed by an inverter and a load capacitor, and the frequency is ω0/2Q (Q: Q value of piezoelectric vibrator, ω0
= 2πf, f: oscillation frequency of the piezoelectric vibrator) A pulse generation circuit that generates a pulse higher than the oscillation frequency of the piezoelectric vibrator, a detection section that detects the temperature, and a detection section that receives the output from this detection section and calculates the duty of the pulse from the pulse generation circuit according to the temperature. and a switching circuit that electrically connects and disconnects the sub-electrode to and from the oscillation circuit using pulses whose duty is adjusted by the control circuit. Oscillation circuit using piezoelectric vibrator.
JP13393779A 1979-10-16 1979-10-16 Oscillating circuit using piezoelectric oscillator Granted JPS5657309A (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13393779A JPS5657309A (en) 1979-10-16 1979-10-16 Oscillating circuit using piezoelectric oscillator
US06/188,031 US4376919A (en) 1979-10-16 1980-09-17 Circuitry for switching effective electrode area on a crystal in a crystal oscillator to vary the oscillation frequency
FR8021330A FR2468252B1 (en) 1979-10-16 1980-10-06 OSCILLATOR
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