JPS6344660A - ホトレジストストリッピング溶液及びその製法及びホトレジストの除去方法 - Google Patents
ホトレジストストリッピング溶液及びその製法及びホトレジストの除去方法Info
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- JPS6344660A JPS6344660A JP62198368A JP19836887A JPS6344660A JP S6344660 A JPS6344660 A JP S6344660A JP 62198368 A JP62198368 A JP 62198368A JP 19836887 A JP19836887 A JP 19836887A JP S6344660 A JPS6344660 A JP S6344660A
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 42
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 15
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 claims 2
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical group OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- URWIWRCHIPAGBL-UHFFFAOYSA-N OCC1OP(=O)OP(=O)O1 Chemical group OCC1OP(=O)OP(=O)O1 URWIWRCHIPAGBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 106
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid;sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O.OS(O)(=O)=O HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035571 calor Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H hexapotassium;1-phosphonato-n,n-bis(phosphonatomethyl)methanamine Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)CN(CP([O-])([O-])=O)CP([O-])([O-])=O DKPHLYCEFBDQKM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical compound FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 description 1
- 125000005156 substituted alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路の製造に使用される組成物、特にホ
トレジストストリッピング溶液及びその製造方法に関す
るものである。
トレジストストリッピング溶液及びその製造方法に関す
るものである。
集積回路は、できればアルミニウムのような導電性金属
の層を、例えばシリコンウエーフアのような半導体基板
表面に塗布した後にホトレジスト材料の層をその表面に
被覆し、得られたホトレジスト層の表面に所望の回路素
子に相当する、ポジまたはネガのパターンを施し、印刷
したホトレジスト層を光またはX線のような適当な活性
化放射線に露出することにより印刷されたホトレジスト
層を活性化してホトレジスト層を印刷した部分と印刷し
ていない部分の現像溶液中での溶解性に差異を付与し、
活性化されたホトレジスト層を現像溶液で処理してホト
レジスト層の可溶部分を取除いて基板表面を露出させる
か、或は予め塗布した導電性層を露出させ、基板表面を
露出させた場合には導電性の金属または金属酸化物を沈
着させるか、例えば硼素イオンを基板本体中に移植して
基板表面に所望の回路素子を付け、予め塗布した導電性
層を露出させた場合には、所望の回路素子以外のすべて
の部分を取除くようにエツチングすることにより製造さ
れる。
の層を、例えばシリコンウエーフアのような半導体基板
表面に塗布した後にホトレジスト材料の層をその表面に
被覆し、得られたホトレジスト層の表面に所望の回路素
子に相当する、ポジまたはネガのパターンを施し、印刷
したホトレジスト層を光またはX線のような適当な活性
化放射線に露出することにより印刷されたホトレジスト
層を活性化してホトレジスト層を印刷した部分と印刷し
ていない部分の現像溶液中での溶解性に差異を付与し、
活性化されたホトレジスト層を現像溶液で処理してホト
レジスト層の可溶部分を取除いて基板表面を露出させる
か、或は予め塗布した導電性層を露出させ、基板表面を
露出させた場合には導電性の金属または金属酸化物を沈
着させるか、例えば硼素イオンを基板本体中に移植して
基板表面に所望の回路素子を付け、予め塗布した導電性
層を露出させた場合には、所望の回路素子以外のすべて
の部分を取除くようにエツチングすることにより製造さ
れる。
ホトレジスト層は、現像のときに、活性化された部分が
可溶となる「ポジ」のものと、活性化された部分が不溶
となる「ネガ」のものとが知られている。ポジのホトレ
ジストは例えばフェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ア
クリレートまたはメタクリレート樹脂、ポリビニールシ
ンナメート樹脂、その他の架橋性樹脂のような適当な樹
脂を含み、ネガのホトレジスト材料は、例えばポリイソ
プレン材料を含む。ホトレジスト層は一般に、現像に続
いて高温において焼付けされて、架橋される。
可溶となる「ポジ」のものと、活性化された部分が不溶
となる「ネガ」のものとが知られている。ポジのホトレ
ジストは例えばフェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ア
クリレートまたはメタクリレート樹脂、ポリビニールシ
ンナメート樹脂、その他の架橋性樹脂のような適当な樹
脂を含み、ネガのホトレジスト材料は、例えばポリイソ
プレン材料を含む。ホトレジスト層は一般に、現像に続
いて高温において焼付けされて、架橋される。
基板に所望の集積回路を付けた後に、ホトレジスト層の
残部は、さらに集積回路素子を付ける際に、非常に高い
標準効率となるように除去されねばならない。ホトレジ
ストストリッピング溶液は、この目的でフェノール化合
物を主剤として開発されてたが、そのような溶液は環境
問題及び廃棄問題を生じている。
残部は、さらに集積回路素子を付ける際に、非常に高い
標準効率となるように除去されねばならない。ホトレジ
ストストリッピング溶液は、この目的でフェノール化合
物を主剤として開発されてたが、そのような溶液は環境
問題及び廃棄問題を生じている。
特開昭50−101107号公報においては、過酸化水
素が添加されて発熱反応を起こし、過酸化水素の分解で
発生期の酸素を発生するようにした濃硫酸に、ホトレジ
スト層を持つ半導体ウェーファを浸漬して、ホトレジス
トをストリップすることが提案されている。このウェー
ファは、発熱反応中の、または反応発応直後の高温溶液
中に入れて発生期の酸素はホトレジストフィルムの成分
と反応して、それを崩壊させて二酸化炭素と水とを造る
ようにすることを要求される。溶液の温度が30’Cに
低下すると、硫酸を補充するために三酸素硫黄を添加し
、さらにある量の過酸化水素を添加して、溶液温度を上
昇させて同じ発熱反応の作用下に置き、さらに発生期の
酸素を発生させてストリップ処理を再開させる。この処
理はある多数回にわたって続けられ、それにより初めの
ストリッピング溶液の使用寿命を延長させることができ
る。前記特開昭公告に記載された処理はウェーフチ上に
あるアルミニウム皮膜に不当な侵食するようになる。
素が添加されて発熱反応を起こし、過酸化水素の分解で
発生期の酸素を発生するようにした濃硫酸に、ホトレジ
スト層を持つ半導体ウェーファを浸漬して、ホトレジス
トをストリップすることが提案されている。このウェー
ファは、発熱反応中の、または反応発応直後の高温溶液
中に入れて発生期の酸素はホトレジストフィルムの成分
と反応して、それを崩壊させて二酸化炭素と水とを造る
ようにすることを要求される。溶液の温度が30’Cに
低下すると、硫酸を補充するために三酸素硫黄を添加し
、さらにある量の過酸化水素を添加して、溶液温度を上
昇させて同じ発熱反応の作用下に置き、さらに発生期の
酸素を発生させてストリップ処理を再開させる。この処
理はある多数回にわたって続けられ、それにより初めの
ストリッピング溶液の使用寿命を延長させることができ
る。前記特開昭公告に記載された処理はウェーフチ上に
あるアルミニウム皮膜に不当な侵食するようになる。
米国特許第3900337号明MA書は硫酸を過酸化水
素に添加することにより造った過酸化水素と濃硫酸との
混合物の使用によるホトレジストをストリッピングする
ことを開示している。これは、混合物の温度を70℃に
上昇させることにより行われる。
素に添加することにより造った過酸化水素と濃硫酸との
混合物の使用によるホトレジストをストリッピングする
ことを開示している。これは、混合物の温度を70℃に
上昇させることにより行われる。
次いで室温にまで冷却した後に得られた溶液も使用でき
る。この溶液は3週間の寿命を持つが、それは試薬級の
硫酸と過酸化水素とが使用されたときに限るものである
。前記米国特許明細書は、熱の発生を達成するために硫
酸と過酸化水素との混合順序を重要であると考えている
。この結果、ある割合の過酸化水素が分解して損失とな
る発生期の酸素を生成するが、この方法により遣られた
ストリッピング溶液は、振り動かすと、さらにある量の
酸素を放出して、泡立ち沸騰状態に発泡することが判明
した。上記操作において使用された硫酸中の水の量は、
溶液の有効性に対して重要であるが、その理由で、硫酸
の濃度は少なくとも95重1%でなければならず、硫酸
の制限的濃度でさえら85重量量の過酸化水素を使用し
なければならない。
る。この溶液は3週間の寿命を持つが、それは試薬級の
硫酸と過酸化水素とが使用されたときに限るものである
。前記米国特許明細書は、熱の発生を達成するために硫
酸と過酸化水素との混合順序を重要であると考えている
。この結果、ある割合の過酸化水素が分解して損失とな
る発生期の酸素を生成するが、この方法により遣られた
ストリッピング溶液は、振り動かすと、さらにある量の
酸素を放出して、泡立ち沸騰状態に発泡することが判明
した。上記操作において使用された硫酸中の水の量は、
溶液の有効性に対して重要であるが、その理由で、硫酸
の濃度は少なくとも95重1%でなければならず、硫酸
の制限的濃度でさえら85重量量の過酸化水素を使用し
なければならない。
本発明は、ホトレジストストリッピング溶液の新規、か
つ改良された製法に関するものである。
つ改良された製法に関するものである。
そのような組成物の製造に使用できる材料の範囲を広げ
る他に、本発明は、新規な一層安定なホトレジストスト
リッピング組成物の製造を可能となし、本発明により、
そのような組成物自体が提供される。
る他に、本発明は、新規な一層安定なホトレジストスト
リッピング組成物の製造を可能となし、本発明により、
そのような組成物自体が提供される。
本発明の1態様によれば、本発明は発生機の酸素の発生
を避けるために、必要に応じ冷却しながら、好適には2
0℃以下、特に好適には15℃以下に温度を制御しなが
ら、過酸化水素の水溶液を濃硫酸中に導入することから
なる、活性成分がカロー酸(ペルモノ硫酸)から本貫的
になるホトレジストストリッピング溶液の製法を提供す
るものである。そのようにして製造されるストリッピン
グ溶液は比較的低いストリッピング温度において有効に
利用でき、このことは以下に記載するように長い貯蔵ノ
を命を持つ溶液の根拠を提供する。
を避けるために、必要に応じ冷却しながら、好適には2
0℃以下、特に好適には15℃以下に温度を制御しなが
ら、過酸化水素の水溶液を濃硫酸中に導入することから
なる、活性成分がカロー酸(ペルモノ硫酸)から本貫的
になるホトレジストストリッピング溶液の製法を提供す
るものである。そのようにして製造されるストリッピン
グ溶液は比較的低いストリッピング温度において有効に
利用でき、このことは以下に記載するように長い貯蔵ノ
を命を持つ溶液の根拠を提供する。
水中的85重量?6以上の過酸化水素濃度のいわゆる「
ハイテスト(耐厳格検査性)」過酸化水素は商業的には
通常入手できない。ハイテスト過酸化水素は本発明のス
トリッピング溶液の成分として使用すると非常に良く適
しているが、これは必須ではなく、米国特許第3908
337号明細書に記載された濃度の全範囲の過酸化水素
を使用してもよい。
ハイテスト(耐厳格検査性)」過酸化水素は商業的には
通常入手できない。ハイテスト過酸化水素は本発明のス
トリッピング溶液の成分として使用すると非常に良く適
しているが、これは必須ではなく、米国特許第3908
337号明細書に記載された濃度の全範囲の過酸化水素
を使用してもよい。
なるべくは、導入されるときに過酸化水素は少なくとも
50重量%の濃度、特に少なくても60重量量の濃度を
持つとよい。
50重量%の濃度、特に少なくても60重量量の濃度を
持つとよい。
本発明のストリッピング溶液の成分として使用する硫酸
は、好適には少なくとも85重量量、特に少なくとも9
5重量%濃度であればよい。少なくとも98重量%の濃
度を持つ硫酸は特に適していることが判明した。
は、好適には少なくとも85重量量、特に少なくとも9
5重量%濃度であればよい。少なくとも98重量%の濃
度を持つ硫酸は特に適していることが判明した。
ストリッピング溶液中の硫酸に対する過酸化水素の量は
、反応式 %式% には0゜2〜10重量%、特に好適には2〜10重景%
のH2SO,が生成するようにするとよい。
、反応式 %式% には0゜2〜10重量%、特に好適には2〜10重景%
のH2SO,が生成するようにするとよい。
ストリッピング溶液における硫酸の濃度は、本発明の実
施においては重要な要件であって、前記硫酸濃度が75
重量量以下であると、掻く低濃度のカロー酸が得られる
か、維持され−るに過ぎない。
施においては重要な要件であって、前記硫酸濃度が75
重量量以下であると、掻く低濃度のカロー酸が得られる
か、維持され−るに過ぎない。
ストリッピング溶液内の硫酸の濃度が高ければ、カロー
酸の濃度を高くてきる。試験では、水溶液ハHz S
O< 75重量%、H2O21,43重量%、及びH2
S 0.4−22重量%を含んでいた。別の溶液が同じ
製法を使用して造られたが、それは硫酸の濃度だけを8
0.85.90及び95重量%に高めただけのものであ
る。これらの各溶液におけるH2SO5の濃度(重量%
)は次の第1表に示さ第ユ」( n、so、 $ I(SO$ f1820
□r $75 4.22
1.4380 5.46
0.8985 6.8
8 0.3190
6.66 0.2195
6.75 0.10従って
、ストリッピング溶液中の硫酸の濃度は、好ましくは少
なくとも75重量%またはそれ以上で、なるべくは80
重量%より大きく、85重量%より大きければ非常に好
適であり、成分の濃度と成分の比とをそれに相応して制
御するとよい。
酸の濃度を高くてきる。試験では、水溶液ハHz S
O< 75重量%、H2O21,43重量%、及びH2
S 0.4−22重量%を含んでいた。別の溶液が同じ
製法を使用して造られたが、それは硫酸の濃度だけを8
0.85.90及び95重量%に高めただけのものであ
る。これらの各溶液におけるH2SO5の濃度(重量%
)は次の第1表に示さ第ユ」( n、so、 $ I(SO$ f1820
□r $75 4.22
1.4380 5.46
0.8985 6.8
8 0.3190
6.66 0.2195
6.75 0.10従って
、ストリッピング溶液中の硫酸の濃度は、好ましくは少
なくとも75重量%またはそれ以上で、なるべくは80
重量%より大きく、85重量%より大きければ非常に好
適であり、成分の濃度と成分の比とをそれに相応して制
御するとよい。
なるべくは、ストリッピング溶液は、ストリッピング溶
液中に10重量%以下、特に6重量%より以下の水く硫
酸水溶液の部分として加えられるか、過酸化水素の部分
として加えられるか、H2S’Osの形成により発生さ
せるかである)を含むのが好ましい。もし10重置火ま
たはそれ以上の水が結合されない形で存在すれば、ウェ
ーファ表面の金属皮膜層は、特にそのような金属皮膜が
アルミニウムを含むときは、ストリッピング工程におい
て著しく損傷されるようになる。
液中に10重量%以下、特に6重量%より以下の水く硫
酸水溶液の部分として加えられるか、過酸化水素の部分
として加えられるか、H2S’Osの形成により発生さ
せるかである)を含むのが好ましい。もし10重置火ま
たはそれ以上の水が結合されない形で存在すれば、ウェ
ーファ表面の金属皮膜層は、特にそのような金属皮膜が
アルミニウムを含むときは、ストリッピング工程におい
て著しく損傷されるようになる。
含水量の低い、例えば4.5重量%以下、特に4重量?
イ以下のストリッピング溶液が所望されるときは、本発
明のストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ませて、存
在する水の少なくとも一部と反応するようにすることが
特に好ましい。或はまた、濃度97.5重量%以下の硫
酸、及び(または)濃度85重量%以下の過酸化水素を
使用することが望まれるけれども低含水量の溶液を造り
たいならば、ストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ま
せることが好ましい。このことは前記米国特許第390
0337号明細書に開示された反応体の濃度についての
強固な制限の不利を回避する。上述のように、本発明に
よる三酸化硫黄の使用は、本質的に硫酸とカロー酸とか
らなり、10重量%以下、なるべくは6重量%以下で、
特に好適には少なくとも0.05重量%の水(水そのも
のとして添加された水及びストリッピング溶液中でその
場で生成した水)を含むか、あるいは水を殆ど含まない
ストリッピング溶液からなる新規な組成物となる。
イ以下のストリッピング溶液が所望されるときは、本発
明のストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ませて、存
在する水の少なくとも一部と反応するようにすることが
特に好ましい。或はまた、濃度97.5重量%以下の硫
酸、及び(または)濃度85重量%以下の過酸化水素を
使用することが望まれるけれども低含水量の溶液を造り
たいならば、ストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ま
せることが好ましい。このことは前記米国特許第390
0337号明細書に開示された反応体の濃度についての
強固な制限の不利を回避する。上述のように、本発明に
よる三酸化硫黄の使用は、本質的に硫酸とカロー酸とか
らなり、10重量%以下、なるべくは6重量%以下で、
特に好適には少なくとも0.05重量%の水(水そのも
のとして添加された水及びストリッピング溶液中でその
場で生成した水)を含むか、あるいは水を殆ど含まない
ストリッピング溶液からなる新規な組成物となる。
三酸化硫黄は、本発明のストリッピング溶液中に発煙硫
酸の形感で入れられるとよい。0,5重量%のように低
」度から30重量%またはそれ以上にわたる種々の三酸
化硫黄の13度の広範囲の発煙硫酸が入手可能である。
酸の形感で入れられるとよい。0,5重量%のように低
」度から30重量%またはそれ以上にわたる種々の三酸
化硫黄の13度の広範囲の発煙硫酸が入手可能である。
発煙硫酸はストリッピング溶液中に結きしていない形態
のままでいるべき水の最大量に関する総合的指針内で、
ストリッピング溶液中の適当な量の硫酸を部分的に置換
するために、あるいはそれを全部置換するために使用し
てもよい。非常に低い水の濃度のストリッピング溶液が
要求されるならば、少なくとも80重量%濃度の過酸化
水素と、25〜30重量%の発煙硫酸とからのストリン
ピング溶液を造ることが便利である。
のままでいるべき水の最大量に関する総合的指針内で、
ストリッピング溶液中の適当な量の硫酸を部分的に置換
するために、あるいはそれを全部置換するために使用し
てもよい。非常に低い水の濃度のストリッピング溶液が
要求されるならば、少なくとも80重量%濃度の過酸化
水素と、25〜30重量%の発煙硫酸とからのストリン
ピング溶液を造ることが便利である。
非常に望ましいことは、本発明の好適なストリッピング
溶液は1体積量のHTP(水中85重量%過酸化水素水
)を40体体積量98重置火硫酸を添加して造られるが
、添加中の温度は15℃以下に保持される。これは、約
4.6重量%のカロー酸と、約2.2重量%の水とを含
む製品を与える。
溶液は1体積量のHTP(水中85重量%過酸化水素水
)を40体体積量98重置火硫酸を添加して造られるが
、添加中の温度は15℃以下に保持される。これは、約
4.6重量%のカロー酸と、約2.2重量%の水とを含
む製品を与える。
所望の水含有量と、上記の好適な範囲にあるカロー酸の
含有量とを得るために、過酸化水素と硫酸(または発煙
硫酸)との異なった濃度に対する適当な比率を計算する
ことは簡単である。
含有量とを得るために、過酸化水素と硫酸(または発煙
硫酸)との異なった濃度に対する適当な比率を計算する
ことは簡単である。
本発明はまた、長い貯蔵寿命をもつ硫酸/過酸化水素ホ
トレジストストリッピング溶液を提供する。そのような
溶液は、硫酸、過酸化水素及びカロー酸及び溶液の製造
に使用した三酸化硫黄がもしあればその三酸化硫黄量に
応じて適宜水からなる新規な組成であって、硫酸の濃度
はなるべくは75重量%より大きく、この溶液は可溶性
錫化合物を含むことを特徴とする。なるべくは、可溶錫
化合物は溶液中に、錫として計算した重量で、例えば少
なくとも0.01p9+n、非常に好適には少なくとも
0.2ppn+存在するとよい。同じ基準で錫化合物が
1 pl)111以上存在することは必要でない。何故
ならば、Q、O2ppm及びそれ以下の量でも貯蔵の安
定度を延長できるからである。非常に好ましくは、錫化
合物が6酸塩、例えばアルカリ金属錫酸塩であることで
あり、錫酸ナトリウムは非常に適している。或は錫化合
物は酸化第一錫、またはその場で含水酸化錫を遣る他の
化合物でもよい。
トレジストストリッピング溶液を提供する。そのような
溶液は、硫酸、過酸化水素及びカロー酸及び溶液の製造
に使用した三酸化硫黄がもしあればその三酸化硫黄量に
応じて適宜水からなる新規な組成であって、硫酸の濃度
はなるべくは75重量%より大きく、この溶液は可溶性
錫化合物を含むことを特徴とする。なるべくは、可溶錫
化合物は溶液中に、錫として計算した重量で、例えば少
なくとも0.01p9+n、非常に好適には少なくとも
0.2ppn+存在するとよい。同じ基準で錫化合物が
1 pl)111以上存在することは必要でない。何故
ならば、Q、O2ppm及びそれ以下の量でも貯蔵の安
定度を延長できるからである。非常に好ましくは、錫化
合物が6酸塩、例えばアルカリ金属錫酸塩であることで
あり、錫酸ナトリウムは非常に適している。或は錫化合
物は酸化第一錫、またはその場で含水酸化錫を遣る他の
化合物でもよい。
可溶性錫化合物は、そのままストリッピング溶液に添加
してもよく、または過酸化水素溶液の成分として添加し
てもよく、この場合には錫化合物は過酸化水素中に好適
には0.5〜4重量重量mの量で存在するとよい。
してもよく、または過酸化水素溶液の成分として添加し
てもよく、この場合には錫化合物は過酸化水素中に好適
には0.5〜4重量重量mの量で存在するとよい。
本発明のストリッピング溶液はまた金属イオン封鎖剤を
含んでいてもよい。アルミニウム金属皮膜層がウェーフ
ァまたは他の処理されるべき基板の上にあれば、金属イ
オン封顕剤及びストリッピング溶液の他の成分は、前記
層の劣化を回避するために塩素は0,1重量ppm以下
であることが好ましい。
含んでいてもよい。アルミニウム金属皮膜層がウェーフ
ァまたは他の処理されるべき基板の上にあれば、金属イ
オン封顕剤及びストリッピング溶液の他の成分は、前記
層の劣化を回避するために塩素は0,1重量ppm以下
であることが好ましい。
金属イオン封鎖剤は、若干の普通に使用されている金属
イオン封鎖剤、例えばオキシ安息香酸エステルを焦がす
ことができるようなストリッピング溶液の侵食性環境に
おいても使用するのに適したものでなければならない、
金属イオン封鎖剤の適当な範囲は、酸性5価燐含有基、
例えば好適にはホスホン酸基(HP○(○H)2〕及び
なるべくは2〜5のそのような基を含む有機化合物であ
る。
イオン封鎖剤、例えばオキシ安息香酸エステルを焦がす
ことができるようなストリッピング溶液の侵食性環境に
おいても使用するのに適したものでなければならない、
金属イオン封鎖剤の適当な範囲は、酸性5価燐含有基、
例えば好適にはホスホン酸基(HP○(○H)2〕及び
なるべくは2〜5のそのような基を含む有機化合物であ
る。
ホスホン酸基の水酸基は、他の活性水素を含む基、例え
ばアンモニウムにより適宜置換されてもよい。
ばアンモニウムにより適宜置換されてもよい。
なるべくは、2つまたはそれ以上の酸性5価燐含有基が
、アルキレン基また置換されたアルキレン基を介して結
合されるとよく、これらのアルキレン基は1〜4個の炭
素原子を含み、なるべくはメチレン、ジメチレン、また
はエチリデン例えばヒドロキシエチリデン(HO−C−
CH、)基であす るとよい。
、アルキレン基また置換されたアルキレン基を介して結
合されるとよく、これらのアルキレン基は1〜4個の炭
素原子を含み、なるべくはメチレン、ジメチレン、また
はエチリデン例えばヒドロキシエチリデン(HO−C−
CH、)基であす るとよい。
3個またはそれ以上の酸性5価燐含有基を含む化合物の
場合には、そのような化合物は前記アルキレン基に結合
した第3級窒素原子の結合を含んでいる。
場合には、そのような化合物は前記アルキレン基に結合
した第3級窒素原子の結合を含んでいる。
そのような化合物の例は、商標名Dequestとして
市販されている金属イオン封鎖剤の範囲のもので、例え
ば、アミノトリ(メチレンホスホン酸)−(Deque
st2000)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホ
スホン酸)のアンモニウム塩−(Dequest204
2)、ヘキサメチレンジアミンテトラ(メチレンホスホ
ン酸)のアンモニウム塩−(Dequest2052)
、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)
=(Dequest2080)、しかしながら、なるべ
くは、1−ヒドロキシルエチリデン1,1−ジホスホン
酸(Dequest2010)がよい。
市販されている金属イオン封鎖剤の範囲のもので、例え
ば、アミノトリ(メチレンホスホン酸)−(Deque
st2000)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホ
スホン酸)のアンモニウム塩−(Dequest204
2)、ヘキサメチレンジアミンテトラ(メチレンホスホ
ン酸)のアンモニウム塩−(Dequest2052)
、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)
=(Dequest2080)、しかしながら、なるべ
くは、1−ヒドロキシルエチリデン1,1−ジホスホン
酸(Dequest2010)がよい。
金属封鎖剤の濃度は、なるべくは、溶液の0.01〜1
重量%、特に0.1〜0.4重量%で、それより多い量
は不要である。
重量%、特に0.1〜0.4重量%で、それより多い量
は不要である。
予期しないことには、上述の今風封鎖剤の存在は、本発
明により既に錫化合物を含んでいるストリッピング溶液
の貯蔵安定度を改善するが、錫化合物が無いと安定度の
低下が認められることが判明した。このことは次の試験
により示される。
明により既に錫化合物を含んでいるストリッピング溶液
の貯蔵安定度を改善するが、錫化合物が無いと安定度の
低下が認められることが判明した。このことは次の試験
により示される。
95重量%濃度のH2SO,水溶液40体積部、85重
量量濃度のH2O2水溶液1体積部、過酸化水素の重量
の可溶性錫4pp、m、及び全溶液の重景でDeque
st2010金属イオン封鎖剤0.2重量%を含むスト
リッピング溶液(A)を造った。他のストリッピング溶
液(B)、(C)及び<D>は同じ処方で造ったが、(
B)はDequestを省略し、(C)は錫を省略し、
(D)は錫とDequestとを省略したことだけが異
なっている。
量量濃度のH2O2水溶液1体積部、過酸化水素の重量
の可溶性錫4pp、m、及び全溶液の重景でDeque
st2010金属イオン封鎖剤0.2重量%を含むスト
リッピング溶液(A)を造った。他のストリッピング溶
液(B)、(C)及び<D>は同じ処方で造ったが、(
B)はDequestを省略し、(C)は錫を省略し、
(D)は錫とDequestとを省略したことだけが異
なっている。
H2O2として表される溶液の活性酸素含有量を最初と
、70°Cで5時間の貯蔵期間後とに測定した。この期
間の前述のように表した活性酸素の損失を、最初の活性
酸素値の%として計算して、下記第2表に示した。
、70°Cで5時間の貯蔵期間後とに測定した。この期
間の前述のように表した活性酸素の損失を、最初の活性
酸素値の%として計算して、下記第2表に示した。
第2表
溶−一汲一 退−二人−%−
A 14.15
8 14.81
C22,14
D 19.28
本発明による延長された貯蔵寿命は、下記第3表及び第
4表に「好適」、「一層好適」及び「最適」の限度によ
る元素として計算された低濃度の遷移金奥及び粒子の低
濃度により特徴付けられる。
4表に「好適」、「一層好適」及び「最適」の限度によ
る元素として計算された低濃度の遷移金奥及び粒子の低
濃度により特徴付けられる。
工」j!
金属 最大濃度 重1部/ l Q 12重量部Lj
t 二l絽I 最 適 コバルト 100 50 10ク
ロム 100 50 10銅
100 50 10鉄
1000 500 100
マンガン 100 50 10ニツケル
100 50 10亜鉛
500 250 50の粒子数〉 Δ五土直 L−1−iMJL ミクロン 0.5 2000 15001.0
500 3002.0 120
705、Oi6 10 10.0 4 2.515.0
1.7 L上述の金属と粒子との
濃度は、組成物の成分として所望の特性を持つエレクト
ロニクス級化学薬品を使用することにより達成される。
t 二l絽I 最 適 コバルト 100 50 10ク
ロム 100 50 10銅
100 50 10鉄
1000 500 100
マンガン 100 50 10ニツケル
100 50 10亜鉛
500 250 50の粒子数〉 Δ五土直 L−1−iMJL ミクロン 0.5 2000 15001.0
500 3002.0 120
705、Oi6 10 10.0 4 2.515.0
1.7 L上述の金属と粒子との
濃度は、組成物の成分として所望の特性を持つエレクト
ロニクス級化学薬品を使用することにより達成される。
適当な表面活性剤、例えばフルオロ−アルコールエトキ
シレートをストリッピング溶液に添加することが好まし
い。表面活性剤は濡れを増し、従ってレジストに対する
侵食を増す、従ってアルミニアム層における侵食は効果
的に軽減される。
シレートをストリッピング溶液に添加することが好まし
い。表面活性剤は濡れを増し、従ってレジストに対する
侵食を増す、従ってアルミニアム層における侵食は効果
的に軽減される。
本発明のホトレジストストリッピング溶液は、ホトレジ
ストを備えた基板を適当な時間、例えば約10秒〜約1
5分間その中に浸漬させ、基板を取出し、18メガオー
ムの水の中で基板を線上することにより使用される。本
発明の特徴は、基板上の金属皮膜に対する侵食を回避す
るために処理の温度はなるべくは50°C以下、特に4
0℃以下、最適には10℃〜30度以下に維持すること
である。
ストを備えた基板を適当な時間、例えば約10秒〜約1
5分間その中に浸漬させ、基板を取出し、18メガオー
ムの水の中で基板を線上することにより使用される。本
発明の特徴は、基板上の金属皮膜に対する侵食を回避す
るために処理の温度はなるべくは50°C以下、特に4
0℃以下、最適には10℃〜30度以下に維持すること
である。
本発明を以下のホトレジストストリッピング試験につい
て説明する。
て説明する。
試験は、12000人厚のアルミニアムで被覆しかつ1
60℃で焼付けした10000人厚のパターン化された
ポジのホトレジストパターンで被覆したシリコンウエー
フアをストリッピング溶液の浴に浸漬することにより行
った。米国特許第3900337号明細書の2個の浴と
異なって1つだけの浴を使用した。
60℃で焼付けした10000人厚のパターン化された
ポジのホトレジストパターンで被覆したシリコンウエー
フアをストリッピング溶液の浴に浸漬することにより行
った。米国特許第3900337号明細書の2個の浴と
異なって1つだけの浴を使用した。
種々の実施例において使用した種々のストリッピング溶
液は次のようであった。
液は次のようであった。
使用したストリッピング溶液は、98重量景の硫酸と、
カロー酸を生成させかつ以下に記載の水の含有量とを得
るのに適した濃度の過酸化水素水溶液とを混合すること
により造った。ストリッピング溶液A、B、C,D及び
Jは過酸化水素を硫酸に導入して造ったものであるが、
溶液の温度は15℃以下に制御し、本発明によるもので
ある。
カロー酸を生成させかつ以下に記載の水の含有量とを得
るのに適した濃度の過酸化水素水溶液とを混合すること
により造った。ストリッピング溶液A、B、C,D及び
Jは過酸化水素を硫酸に導入して造ったものであるが、
溶液の温度は15℃以下に制御し、本発明によるもので
ある。
ストリッピング溶液E、F及びGは、米国特許第390
0337号明細書による製法により造ったもので、すな
わち、硫酸を過酸化水素溶液に添加し、添加に伴う温度
上昇は約70〜90°Cであり、本発明によるものでは
ない。ストリッピングン容液Hは、過酸化水素を硫酸に
添加することにより遣ったが温度制御対策が行われてお
らず、従って温度は30℃以上に上昇しており、従って
本発明によるものではない。
0337号明細書による製法により造ったもので、すな
わち、硫酸を過酸化水素溶液に添加し、添加に伴う温度
上昇は約70〜90°Cであり、本発明によるものでは
ない。ストリッピングン容液Hは、過酸化水素を硫酸に
添加することにより遣ったが温度制御対策が行われてお
らず、従って温度は30℃以上に上昇しており、従って
本発明によるものではない。
錫及び(または)金属イオン封鎖剤の含有量を以下に示
すが、それらの適当量を過酸化水素溶液に溶解してスト
リッピング溶液中に入れ、錫はi!i12塩の形態で使
用した。ストリッピング溶液Jは、存在するすべての水
と反応する所定量の発塩硫酸を含み、発煙硫酸は、過酸
化水素溶液を導入する前に、硫酸と混合した。
すが、それらの適当量を過酸化水素溶液に溶解してスト
リッピング溶液中に入れ、錫はi!i12塩の形態で使
用した。ストリッピング溶液Jは、存在するすべての水
と反応する所定量の発塩硫酸を含み、発煙硫酸は、過酸
化水素溶液を導入する前に、硫酸と混合した。
ストリッピング溶液A
カロー酸 4.6重量%
水 2,2重量%Dequest
2010 0.2重量%錫
0.2重量pp+nストリッピング溶液B 月間貯蔵したもの ストリッピングン容液C 浴に5重量%の水を添加したストリッピング溶液Aで、
下記のものを含む カロー酸 4.6重量% 水 7.2重量%Deq
uest 2010 0.2重量%錫
0.2重景ppmストリッピング溶液D 10重1%の水を添加したストリッピング溶液Aで、下
記のものを含む カロー#!i 4.3重量%水
12.2重量%De+1uest
2010 0.2重景%錫
0.2重量22、ストリッピング溶液E カロー酸 5.6重量% 水 5.9重量%Deq
uest 2010 0.2重Jitppmス
トリッピング溶液F カロー酸 7.8重量% 水 2.4重量%Deq
uesL 2010 0.2重ippmストリ
ッピング溶液G カロー酸 7.2重量% 水 2.4重量%スト
リッピング溶液H カロー酸 5.7重量% 水 5.9重量%ストリッ
ピング溶液J 無水ストリッピング溶液で、下記のものを含む カロー酸 4.7重量% Dequest 2010 0.2重量%n
0.21景ppmホト
レジストのストリップ率とアルミニウム侵食率とに関す
るこれらのストリッピング溶液試験の結果を次表に示す
が、この表にはストリッピング溶液の温度と、浸漬時間
も記載した。
2010 0.2重量%錫
0.2重量pp+nストリッピング溶液B 月間貯蔵したもの ストリッピングン容液C 浴に5重量%の水を添加したストリッピング溶液Aで、
下記のものを含む カロー酸 4.6重量% 水 7.2重量%Deq
uest 2010 0.2重量%錫
0.2重景ppmストリッピング溶液D 10重1%の水を添加したストリッピング溶液Aで、下
記のものを含む カロー#!i 4.3重量%水
12.2重量%De+1uest
2010 0.2重景%錫
0.2重量22、ストリッピング溶液E カロー酸 5.6重量% 水 5.9重量%Deq
uest 2010 0.2重Jitppmス
トリッピング溶液F カロー酸 7.8重量% 水 2.4重量%Deq
uesL 2010 0.2重ippmストリ
ッピング溶液G カロー酸 7.2重量% 水 2.4重量%スト
リッピング溶液H カロー酸 5.7重量% 水 5.9重量%ストリッ
ピング溶液J 無水ストリッピング溶液で、下記のものを含む カロー酸 4.7重量% Dequest 2010 0.2重量%n
0.21景ppmホト
レジストのストリップ率とアルミニウム侵食率とに関す
るこれらのストリッピング溶液試験の結果を次表に示す
が、この表にはストリッピング溶液の温度と、浸漬時間
も記載した。
琶5−i%
試料 温度 ストリ、7“ レジ゛ストストリップ°
アルミニウム 全A&℃ 時間 率 侵食率
除去厚 □□U抄Ω−工L4ヘコ−注−人 A 24 600 2(125250B 2
4 600 20 30 300C64
402501000670 D 24 800 15 70 93
0H862050030001000 J 24 600 20 25 25
0第5表について説明すると、最f&fliはレジスト
を除去する時間内にストリッピング溶液により除去され
た全アルミニアム厚を示す。
アルミニウム 全A&℃ 時間 率 侵食率
除去厚 □□U抄Ω−工L4ヘコ−注−人 A 24 600 2(125250B 2
4 600 20 30 300C64
402501000670 D 24 800 15 70 93
0H862050030001000 J 24 600 20 25 25
0第5表について説明すると、最f&fliはレジスト
を除去する時間内にストリッピング溶液により除去され
た全アルミニアム厚を示す。
上記結果からストリッピング溶液Aは室温において非常
に満足すべきものであり、2−月間の間貯蔵した後(ス
トリッピング溶液B)でも殆ど変化が起こっていないこ
とがわかる。
に満足すべきものであり、2−月間の間貯蔵した後(ス
トリッピング溶液B)でも殆ど変化が起こっていないこ
とがわかる。
もしも温度制御なしに浴内のストリッピング溶液に借か
の量の水を添加する(ストリッピング溶液C)と、最も
著しい結果は発熱であって、ストリッピング時間は著し
く減少する(10分から40秒へ)。
の量の水を添加する(ストリッピング溶液C)と、最も
著しい結果は発熱であって、ストリッピング時間は著し
く減少する(10分から40秒へ)。
しかし、ストリッピング溶液はアルミニアムに対して侵
食性となる。これらの効果の組合わせはもしウェーファ
を必要よりも30秒以上長く浴の中に残っていても、ス
トリッピング溶液Aはさらに12人のアルミニアムしか
減らさず、262人の全Affi除去厚となるに過ぎな
いが、ストリッピング溶液Cでは30秒長くウェーファ
を入れて置くとさらに500人を(+食し、1170人
の全A1除去厚となることを示している。アルミニアム
の除去は最少であることが明らかに望ましい。
食性となる。これらの効果の組合わせはもしウェーファ
を必要よりも30秒以上長く浴の中に残っていても、ス
トリッピング溶液Aはさらに12人のアルミニアムしか
減らさず、262人の全Affi除去厚となるに過ぎな
いが、ストリッピング溶液Cでは30秒長くウェーファ
を入れて置くとさらに500人を(+食し、1170人
の全A1除去厚となることを示している。アルミニアム
の除去は最少であることが明らかに望ましい。
何故なら、アルミニアムはウェーファを造るときに繰返
してストリッピング処理を受けるからである。これらの
試験は、予防策を講じない限り、ストリップ処理段階に
続いて直ぐに水洗を行わない方がよいことを示している
。
してストリッピング処理を受けるからである。これらの
試験は、予防策を講じない限り、ストリップ処理段階に
続いて直ぐに水洗を行わない方がよいことを示している
。
ストリッピング溶液りによる実験は、低含水量の重要性
を強調するために計画された。このストリッピング溶液
は、適当な温度制御条件下でストリッピング溶液Aの希
釈により遣った。不幸なことに、ストリッピング溶液が
分解してしまったので、貯蔵後のストリッピング効果を
試験することができなかった。
を強調するために計画された。このストリッピング溶液
は、適当な温度制御条件下でストリッピング溶液Aの希
釈により遣った。不幸なことに、ストリッピング溶液が
分解してしまったので、貯蔵後のストリッピング効果を
試験することができなかった。
ストリッピング溶液Eは米国特許第3900337号明
細書の例1と同じカロー酸と水との比率を有する。該溶
液の調製(硫酸を過酸化水素に添加)に際して温度は9
0°Cに上昇した。得られた混合物はできるだけ早く冷
却して分析した。25℃で貯蔵すると、このストリッピ
ング溶液はそのカロー酸の含有量を、14日後に24%
、16週間後に65%損失した。
細書の例1と同じカロー酸と水との比率を有する。該溶
液の調製(硫酸を過酸化水素に添加)に際して温度は9
0°Cに上昇した。得られた混合物はできるだけ早く冷
却して分析した。25℃で貯蔵すると、このストリッピ
ング溶液はそのカロー酸の含有量を、14日後に24%
、16週間後に65%損失した。
ストリッピング溶液Fは米国特許第3900337号明
細書の例5のストリッピング溶液と同じ比率のカロー酸
と水と金含有する。調製に際して温度は70℃に上昇し
た。このストリッピング溶液は14日間の貯蔵後にその
カロー酸の含有量と15.6%損失しただけであったが
、ふりまぜると著しいガス発生を生じて、物理的に不安
定であることが判った。25℃で16週間胛貯蔵後、そ
のカロー酸含有量は71%損失した。
細書の例5のストリッピング溶液と同じ比率のカロー酸
と水と金含有する。調製に際して温度は70℃に上昇し
た。このストリッピング溶液は14日間の貯蔵後にその
カロー酸の含有量と15.6%損失しただけであったが
、ふりまぜると著しいガス発生を生じて、物理的に不安
定であることが判った。25℃で16週間胛貯蔵後、そ
のカロー酸含有量は71%損失した。
ストリッピング溶液GはDequestと錫とを含まな
い点で先行技術(米国特許第3900337号)の例5
により一層正確に対応している。14日間貯蔵後にその
カロー酸含有量を32%、16週間後に86%損失し、
物理的に不安定であった。ストリッピング溶液E、F及
びGのストリッピング能力を判定する実験は行わなかっ
た。何故なら、貯蔵安定性がなかったからである。 D
equestと錫とを含むストリッピング溶液Aはふり
まぜに対して安定であり、25℃で16週間貯蔵後に、
そのカロー酸含有量を53%損失しただけで、これによ
りストリッピング溶液F及びGに比して優れた安定性を
示している。
い点で先行技術(米国特許第3900337号)の例5
により一層正確に対応している。14日間貯蔵後にその
カロー酸含有量を32%、16週間後に86%損失し、
物理的に不安定であった。ストリッピング溶液E、F及
びGのストリッピング能力を判定する実験は行わなかっ
た。何故なら、貯蔵安定性がなかったからである。 D
equestと錫とを含むストリッピング溶液Aはふり
まぜに対して安定であり、25℃で16週間貯蔵後に、
そのカロー酸含有量を53%損失しただけで、これによ
りストリッピング溶液F及びGに比して優れた安定性を
示している。
ストリッピング溶液Hは現行技術に相当するもので、混
合物は洛中で温度を上げて造った。アルミニアム皮膜に
対する著しい侵食が見られた。
合物は洛中で温度を上げて造った。アルミニアム皮膜に
対する著しい侵食が見られた。
ストリッピング溶液Jはストリッピング溶液Aの性能と
異ならなかった。
異ならなかった。
いずれの場合にも、ストリッピング溶液はエレクトロニ
クス級fヒ学薬品を使用して、清浄室条件下で、従って
少なくとも上記第3表及び第4表に述べた好適な要件に
対応する条件下で造った。
クス級fヒ学薬品を使用して、清浄室条件下で、従って
少なくとも上記第3表及び第4表に述べた好適な要件に
対応する条件下で造った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、活性ストリッピング成分が本質的に、溶液中に含ま
れた過酸化水素水溶液と硫酸との間の反応により溶液中
で造られたカロー酸からなるホトレジストストリッピン
グ溶液の製法において、過酸化水素を濃硫酸に入れ、溶
液の温度を制御して、発生期の酸素の発生を回避するこ
とを特徴とする、ホトレジストストリッピング溶液の製
法。 2、溶液中の硫酸の濃度が少なくとも75重量%である
、特許請求の範囲第1項記載の製法。 3、溶液中の硫酸の濃度が少なくとも80重量%である
、特許請求の範囲第2項記載の製法。 4、溶液の温度を20℃以下に制御する、特許請求の範
囲第1項、第2項または第3項記載の製法。 5、溶液に含まれる過酸化水素の濃度が50〜85重量
%である、特許請求の範囲第1項から第4項までのいず
れか1項記載の製法。 6、溶液中に含まれる硫酸の濃度が少なくとも85重量
%である、特許請求の範囲第1項から第5項までのいず
れか1項記載の製法。 7、溶液中に含まれる過酸化水素の量が、反応式H_2
SO_4+H_2O_2→H_2SO_5+H_2Oに
従つて硫酸と反応して、溶液中のカロー酸を2〜10重
量%生成させるのに充分な量である、特許請求の範囲第
1項から第6項までのいずれか1項記載の製法。 8、溶液中に存在する水の量を6重量%以下に制御する
、特許請求の範囲第1項から第7項までのいずれか1項
記載の製法。 9、水の量を、溶液中に三酸化硫黄を含ませることによ
り制御する、特許請求の範囲第8項記載の製法。 10、本質的に硫酸、過酸化水素及び溶液の少なくとも
2重量%の濃度のカロー酸からなるホトレジストストリ
ッピング溶液において、水の含有量が6重量%以下であ
る、ホトレジストストリッピング溶液。 11、硫酸の濃度が少なくとも75重量%であり、カロ
ー酸の濃度が少なくとも4重量%である、特許請求の範
囲第10項記載のホトレジストストリッピング溶液。 12、可溶錫化合物を含有させることにより、貯蔵寿命
を延長されてなる、特許請求の範囲第10項または第1
1項記載のホトレジストストリッピング溶液。 13、錫として計算して可溶錫化合物を少なくとも0.
01重量ppm含有する、特許請求の範囲第12項記載
の溶液。 14、錫化合物が錫酸塩である、特許請求の範囲第12
項または第13項記載のホトレジストストリッピング溶
液。 15、ホスホン酸塩金属イオン封鎖剤を含有する、特許
請求の範囲第12項から第14項までのいずれか1項記
載の溶液。 16、金属イオン封鎖剤がヒドロキシエチリデンジ・ホ
スホン酸である、特許請求の範囲第15項記載の溶液。 17、金属イオン封鎖剤を0.05〜0.5重量%含有
する、特許請求の範囲第15項または第16項記載の溶
液。 18、コバルト、クロム、銅、マンガン及びニッケルの
各含有量はそれぞれ100/10^1^2重量部を超え
ず、鉄は1000/10^1^2重量部を超えず、亜鉛
は500/10^1^2重量部を超えない、特許請求の
範囲第10項から第17項までのいずれか1項記載の溶
液。 19、溶液10ml当り、寸法が0.5μ、1.0μ、
2.0μ、5.0μ、10.0μ及び15.0μに等し
いか、またはそれより小さい粒子の平均数がそれぞれ2
000個、500個、120個、16個、4個及び1.
7個を超えない、特許請求の範囲第10項から第18項
までのいずれか1項記載の溶液。 20、50℃以下の温度において、本質的に硫酸、過酸
化水素及び溶液の少なくとも2重量%のカロー酸からな
るホトレジストストリッピング溶液中にホトレジストを
備えた基板を浸漬することにより基板からホトレジスト
をストリッピングする方法。 21、溶液の温度を10℃〜30℃に維持する、特許請
求の範囲第20項記載の方法。 22、基板が金属アルミニウム皮膜を備えたシリコンウ
エーフアである、特許請求の範囲第20項または第21
項記載の方法。 23、ホトレジストストリッピング溶液中の硫酸の濃度
が少なくとも75重量%であり、カロー酸の濃度が少な
くとも4重量%である、特許請求の範囲第20項記載の
方法。 24、ホトレジストストリッピング溶液が可溶錫化合物
を含有させることにより、貯蔵寿命を延長されてなる、
特許請求の範囲第20項または第23項記載の方法。 25、ホトレジストストリッピング溶液が錫として計算
して可溶錫化合物を少なくとも0.01重量ppm含有
する、特許請求の範囲第24項記載の方法。 26、ホトレジストストリッピング溶液中の錫化合物が
錫酸塩である、特許請求の範囲第24項または第25項
記載の方法。 27、ホスホネート金属封鎖剤を含有する、特許請求の
範囲第24項から第26項までのいずれか1項記載の方
法。 28、金属イオン封鎖剤がヒドロキシエチリデンジ・ホ
スホネートである、特許請求の範囲第27項記載の方法
。 29、金属イオン封鎖剤を0.05〜0.5重量%含有
する、特許請求の範囲第27項または第28項記載の方
法。 30、ホトレジストストリッピング溶液中のコバルト、
クロム、銅、マンガン及びニッケルの各含有量がそれぞ
れ100/10^1^2重量部を超えず、鉄は1000
/10^1^2重量部を超えず、亜鉛は500/10^
1^2重量部を超えない、特許請求の範囲第20項また
は第23項から第29項までのいずれか1項記載の方法
。 31、溶液10ml当り、寸法が0.5μ、1.0μ、
2.0μ、5.0μ、10.0μ及び15.0μに等し
いか、またはそれより小さい粒子の平均数がそれぞれ2
000個、500個、120個、16個、4個及び1.
7個を超えない、特許請求の範囲第20項または第23
項から第30項までのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8619476 | 1986-08-09 | ||
GB868619476A GB8619476D0 (en) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | Integrated circuits |
GB868630215A GB8630215D0 (en) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | Composition for integrated circuits |
GB8630215 | 1986-12-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6344660A true JPS6344660A (ja) | 1988-02-25 |
JP2545094B2 JP2545094B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=26291160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62198368A Expired - Fee Related JP2545094B2 (ja) | 1986-08-09 | 1987-08-10 | ホトレジストストリッピング溶液及びその製法及びホトレジストの除去方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4917122A (ja) |
EP (1) | EP0256284B1 (ja) |
JP (1) | JP2545094B2 (ja) |
DE (1) | DE3768876D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010536065A (ja) * | 2007-08-03 | 2010-11-25 | ダイナロイ・エルエルシー | 金属塩を含有する剥離液を用いる金属エッチレートの低減 |
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---|---|---|---|---|
GB8813891D0 (en) * | 1988-06-11 | 1988-07-13 | Micro Image Technology Ltd | Solutions of perhalogenated compounds |
GB8813889D0 (en) * | 1988-06-11 | 1988-07-13 | Micro Image Technology Ltd | Solutions of permonosulphuric acid |
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US5207919A (en) * | 1990-04-16 | 1993-05-04 | Baker Hughes Incorporated | Metal ion complexes for use as scale inhibitors |
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KR100848107B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2008-07-24 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
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- 1987-07-07 DE DE8787109746T patent/DE3768876D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-07 EP EP87109746A patent/EP0256284B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-10 JP JP62198368A patent/JP2545094B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-19 US US07/287,520 patent/US4917122A/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
EP0256284A2 (en) | 1988-02-24 |
JP2545094B2 (ja) | 1996-10-16 |
DE3768876D1 (de) | 1991-05-02 |
EP0256284A3 (en) | 1989-02-08 |
US4917122A (en) | 1990-04-17 |
EP0256284B1 (en) | 1991-03-27 |
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