JPS6339283A - Solid-state image pickup device - Google Patents
Solid-state image pickup deviceInfo
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像装置に関し、特に雑音等の発生原因と
なる不要な信号電荷を排除する電荷掃出し機構を備える
CCD型固体撮像装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly to a CCD-type solid-state imaging device equipped with a charge sweep mechanism for eliminating unnecessary signal charges that cause noise and the like.
(従来技術)
従来のCCD (電荷転送素子)型固体撮像装置は、
第9図に示すものがある。同図はフレームトランスファ
方式によるCCD型固体撮像装置を示し、電荷転送方向
に延設された複数の垂直CCDより成る受光部lと、受
光部1で発生した信号電荷を一時的に蓄積する複数の垂
直CCD より成る蓄積部2及び、蓄積部2よりの信号
電荷を読み出すための水平CCD より成る読み出しシ
フトレジスタ3を備えている。(Prior art) A conventional CCD (charge transfer device) type solid-state imaging device is
There is one shown in Figure 9. The figure shows a CCD type solid-state imaging device using a frame transfer method, and includes a light receiving section 1 consisting of a plurality of vertical CCDs extending in the charge transfer direction, and a plurality of light receiving sections 1 that temporarily accumulate signal charges generated in the light receiving section 1. It is provided with an accumulation section 2 consisting of a vertical CCD and a readout shift register 3 consisting of a horizontal CCD for reading signal charges from the accumulation section 2.
受光部lに光が照射されて信号電荷を所定時間で蓄積す
ると、その信号電荷の塊りは所定周期の転送クロック信
号による転送動作で蓄積部2に送られ、次に水平方向の
各ライン毎に読み出しシフトレジスタ3により順次出力
される。この読み出し期間中に、次の光照射による信号
電荷の蓄積が行われる。When light is irradiated onto the light receiving section l and signal charges are accumulated in a predetermined period of time, the lumps of signal charges are sent to the accumulation section 2 by a transfer operation based on a transfer clock signal with a predetermined cycle, and then are transferred to the accumulation section 2 for each horizontal line. The readout shift register 3 sequentially outputs the data. During this readout period, signal charges are accumulated by the next light irradiation.
このように、CCDの受光、蓄積、転送動作により被写
体の結像から電気的な映像信号を得ることができるよう
になっている。In this way, it is possible to obtain an electrical video signal from the image of the subject through the light receiving, storage, and transfer operations of the CCD.
(発明が解決しようとする間亀点)
しかしながら、このようなCCD型固体撮像装置にあっ
ては、撮像による信号電荷を各フィールド毎あるいは各
フレーム毎に読み出す場合、例えば先のフィールビ読み
出しにおいて十分な信号電荷の読み出しが行なわれず、
残存した電荷が次のフィールド読み出しにおける信号電
荷に対する雑音となり、再生画像の劣下等を招来する問
題がある。(The key point that the invention is still trying to solve) However, in such a CCD type solid-state imaging device, when reading out the signal charge by imaging for each field or each frame, for example, the previous Felby readout may not be sufficient. Signal charges are not read out,
There is a problem in that the remaining charges become noise to the signal charges in the next field readout, resulting in deterioration of the reproduced image.
そこで、撮像する前に各々のフィールド抗み出しとは別
に再度の読み出し動作を行なって、不要な残存電荷を除
去する等の手段が考えられるが、このような手段によれ
ば、読み出しシフトレジスタ3による1ライン毎の読み
出し動作が遅いので、受光部lの受光時間が短かくなっ
て受光感度が低下したり、各々のCCDに印加する転送
クロック信号の周波数を上げる必要性から構造が複雑に
なる等の問題を招来し、特に高感度、高解像度のCCD
型固体撮像装置の実現が困難となる。Therefore, it is possible to consider a method such as performing another readout operation separately from each field extension before imaging to remove unnecessary residual charges. Since the readout operation for each line is slow, the light receiving time of the light receiving section l is shortened, reducing the light receiving sensitivity, and the structure becomes complicated due to the need to increase the frequency of the transfer clock signal applied to each CCD. In particular, high-sensitivity, high-resolution CCD
This makes it difficult to realize a type solid-state imaging device.
(問題点を解決するだめの手段)
本発明はこのような問題点に鑑みて成されたものであり
、不要な電荷を効率的に除去する、換言すれば優れた電
子シャッタ機能を備えるCCD型固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。(Means for Solving the Problems) The present invention has been made in view of the above problems, and is a CCD type device that efficiently removes unnecessary charges, in other words, has an excellent electronic shutter function. The purpose is to provide a solid-state imaging device.
このような目的を達成するために本発明は、撮像に際し
発生した信号電荷を所定の電荷転送方向へ転送する垂直
CCDを有するCCD型固体撮像装置ておいて、該電荷
転送方向と逆方向への電荷転送を該垂直CCDに行なわ
せる逆法送クロック信号を発生する手段と、該電荷転送
方向とは逆方向の転送動作により該垂直CCDの終端部
へ転送された電荷を排出するドレイン部とを備えること
により優れたシャッタ機能を実現したことを技術的要点
とする。In order to achieve such an object, the present invention provides a CCD type solid-state imaging device having a vertical CCD that transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction. means for generating a reverse clock signal for causing the vertical CCD to perform charge transfer; and a drain portion for discharging the charge transferred to the end portion of the vertical CCD by a transfer operation in a direction opposite to the charge transfer direction. The technical point is that this technology has achieved excellent shutter function.
(実施例)
第1図は本発明による一実施例を示す全体構成図である
。まず、この実施例ではN形半導体基板上に形成された
P領域(Pwell)に以下説明するCCD等が形成さ
れるものとする。同図において、略矩形状に形成された
フォトダイオード等の光電変換素子4が電荷転送方向Y
及び水平転送方向XKマトリックス状て配列され、水平
転送方向Xに並んだ各列の間に垂直CCD5が交互に形
成されている。光電変換素子4は、飛越し水平走査にお
ける奇数フィールドの光電変換素子群4aと、偶数フィ
ールドの光電変換素子群4bに分けられる。(Embodiment) FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an embodiment according to the present invention. First, in this embodiment, it is assumed that a CCD and the like described below are formed in a P region (Pwell) formed on an N-type semiconductor substrate. In the figure, a photoelectric conversion element 4 such as a photodiode formed in a substantially rectangular shape is arranged in a charge transfer direction Y.
The CCDs 5 are arranged in a horizontal transfer direction XK matrix, and vertical CCDs 5 are alternately formed between each column lined up in the horizontal transfer direction X. The photoelectric conversion elements 4 are divided into an odd field photoelectric conversion element group 4a and an even field photoelectric conversion element group 4b in interlaced horizontal scanning.
各々の垂直CCD5は、上面にポリシリコン層より成る
複数の転送ゲート電極6が電荷転送方向に並設され、各
々の光電変換素子4a、4bに対し2個の転送ゲート電
極が対応している。即ち、図示するように、奇数フィー
ルドに位置する光電変換素子4aには転送ゲート電極6
a、6b、偶数フィールドに位置する光電変換素子4b
には転送ゲート電極6c、6dが対応している。Each vertical CCD 5 has a plurality of transfer gate electrodes 6 made of a polysilicon layer arranged in parallel on the upper surface in the charge transfer direction, and two transfer gate electrodes correspond to each photoelectric conversion element 4a, 4b. That is, as shown in the figure, the photoelectric conversion element 4a located in an odd field has a transfer gate electrode 6.
a, 6b, photoelectric conversion element 4b located in even field
correspond to the transfer gate electrodes 6c and 6d.
図示していないが、同図中の上から偶数番目の転送チャ
ンネルと隣接する光電変換素子4との間には、光電変換
素子4に発生した!荷を垂直CCD5へ転送するための
転送ゲートが設けられている。Although not shown in the figure, between the even-numbered transfer channel from the top in the figure and the adjacent photoelectric conversion element 4, there is a possibility that ``!'' has occurred in the photoelectric conversion element 4. A transfer gate is provided for transferring the load to the vertical CCD 5.
各々4行を1組とする転送ゲート電極6は、各組毎に同
図中の上から項番に所定の転送クロック信号φv4’φ
vl’φ7□、φv3が印加されるように配線され、転
送クロック信号φ 、φV’llφ7□。Each set of transfer gate electrodes 6 has four rows, and each set receives a predetermined transfer clock signal φv4'φ indicated by the number from the top in the figure.
Wired so that vl'φ7□ and φv3 are applied, and transfer clock signals φ and φV'llφ7□.
φv3は同期信号発生部7より供給される。φv3 is supplied from the synchronization signal generator 7.
垂直CCD5の先端部は、水平転送方向Xに延びるCC
D より成る読み出しシフトレジスタ8に接続し、所
定のチャンネル長の転送チャンネルを形成する転送ゲー
ト電極群9に印加される2相転送クロック信号へ□、φ
H2’より出力端子側への電荷の転送が行なわれる。尚
、水平転送クロック信号φ□□、φH2は同期信号発生
部7より出力され、転送された信号電荷は出力ゲートO
Gを通り、出カッ2ツファ回路10により電力増幅され
た後、出力端子OUTに出力される。The tip of the vertical CCD 5 is a CC extending in the horizontal transfer direction
D □, φ to the two-phase transfer clock signal applied to the transfer gate electrode group 9 that is connected to the readout shift register 8 and forms a transfer channel with a predetermined channel length.
Charge is transferred from H2' to the output terminal side. Incidentally, the horizontal transfer clock signals φ
After passing through G, the power is amplified by the output double buffer circuit 10, and then output to the output terminal OUT.
読み出しシフトレジスタ8に対して反対側に位置する垂
直CCD5の終端部は、當時アースレベルに保持される
ポリシリコン層より成る転送ゲート1)を介して、水平
転送方向Xに延設されたドレイン部12に接続している
。ビレイン部12ば、P well内にイオン打ち込み
により形成されたN影領域からなり、常に電源電圧vp
pが印加されている。The terminal end of the vertical CCD 5 located on the opposite side to the readout shift register 8 is connected to a drain section extending in the horizontal transfer direction Connected to 12. The belaying part 12 consists of an N shadow region formed by ion implantation in the P well, and is always connected to the power supply voltage vp.
p is applied.
次にかかる構成のCCD型固体撮像装置の作動を説明す
る。第2図は同期信号発生部7より発生する4相転送ク
ロック信号φ7□、φ7□、φv3’φv4のタイミン
グチャートを示す。同図において、期間TRは不要な信
号電荷を排出するための逆転送モード期間、期間TFは
露光により発生した信号電荷を映像信号として読み出す
ための撮像モード期間を示し、更に逆転送モード期間T
Rは2個のフィールド逆転送期間TRA 、’rRBか
ら成っている。Next, the operation of the CCD type solid-state imaging device having such a configuration will be explained. FIG. 2 shows a timing chart of four-phase transfer clock signals φ7□, φ7□, φv3'φv4 generated by the synchronization signal generating section 7. In the figure, a period TR indicates a reverse transfer mode period for discharging unnecessary signal charges, a period TF indicates an imaging mode period for reading out signal charges generated by exposure as a video signal, and a reverse transfer mode period T
R consists of two field reverse transfer periods TRA and 'rRB.
まず、フィールド9逆転送期間TRAでは、Aフィール
ドの行に位置する光電変換素子4aの電荷が排出される
。First, in the field 9 reverse transfer period TRA, the charges of the photoelectric conversion elements 4a located in the rows of the A field are discharged.
即ち1時点talないしta2において転送クロック信
号φ7□、φv2が′″H″H″レベル、更にその期間
中の所定期間TXILで転送クロック信号φ7、がより
高い電圧しRルとなることにより、図示しない転送ゲー
トが開き、光電変換素子4aから転送ゲート電極6bに
よる転送チャンネルへ電荷が掃き出される。次に、時点
ta2からtbtまでの間に、所定タイミングの4相転
送クロック信号φv1〜φv4により、垂直CCD5が
転送動作を行なう。That is, at one time point tal to ta2, the transfer clock signals φ7□ and φv2 are at the ``H'' level, and furthermore, during a predetermined period TXIL during that period, the transfer clock signal φ7 becomes a higher voltage and becomes R le. The transfer gate that does not open is opened, and charges are swept out from the photoelectric conversion element 4a to the transfer channel formed by the transfer gate electrode 6b.Next, between time ta2 and tbt, four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 at a predetermined timing are used. The vertical CCD 5 performs a transfer operation.
この転送動作のタイミングチャートを拡大して示す第3
図と、垂直CCD5に形成されるポテンシャルプロファ
イルを示す第4図にて詳述すると、第3図に示す周期で
乙のタイミングで4相転送クロック信号φv1〜φv4
が繰り返されることによって、時点1a□。よ!!’
ta2□、時点tユ2□よりta□2、時点ta22よ
りt4□3、時点ta23より1a□4毎に第4図に示
スようなポテンシャルプロファイルが形成され、電荷は
矢印で示すように一しイン部12側へ排出される。この
時の電荷は負であシ、トルイン部12は正の電圧vDD
K保持されているので、電荷は再結合し除去される。The third diagram shows an enlarged timing chart of this transfer operation.
4, which shows the potential profile formed in the vertical CCD 5, the four-phase transfer clock signal φv1 to φv4 is generated at the timing shown in FIG.
By repeating, time 1a□. Yo! ! '
A potential profile as shown in FIG. 4 is formed every ta2□, ta□2 from time tU2□, t4□3 from time ta22, and every 1a□4 from time ta23, and the charge is uniform as shown by the arrow. It is discharged to the inlet section 12 side. The charge at this time is negative, and the toruin part 12 has a positive voltage vDD.
Since K is retained, the charges are recombined and removed.
次に、フィールド逆転送期間TRBでは、偶数フィール
ドの行に位置する光電変換素子4bの電荷が排出される
。Next, in the field reverse transfer period TRB, the charges of the photoelectric conversion elements 4b located in the even field rows are discharged.
即ち、時点tblないしtb□において転送クロック信
号φv3’φv4がH”レベルとなり、更にその期間中
の所定期間Txbで転送クロック信号φv3がより高い
電圧レベルとなることにより、図示しない転送ゲートが
開き、光電変換素子4bから転送ゲート電極6dによる
転送チャンネルへ電荷が掃き出される。そして、時点t
b2からtbaまでの間に、第5図に拡大して示す周期
τb毎の繰り返しタイミングの4相転送クロック信号φ
v1〜φv4に同期して、電荷の排出し動作が行なわれ
る。That is, at times tbl to tb□, the transfer clock signal φv3'φv4 goes to H'' level, and furthermore, at a predetermined period Txb during that period, the transfer clock signal φv3 goes to a higher voltage level, so that a transfer gate (not shown) opens. Charge is swept out from the photoelectric conversion element 4b to the transfer channel formed by the transfer gate electrode 6d.Then, at time t
During the period from b2 to tba, the four-phase transfer clock signal φ has a repetition timing of every cycle τb, which is shown in an enlarged manner in FIG.
A charge discharge operation is performed in synchronization with v1 to φv4.
即ち、時点tb2G (第2図の時点tb2に対応する
)よりtb21、時点tb21より”b22、時点tb
22よりtb23、時点tb23よりtb24毎に第6
図に示すようなポテンシャルプロファイルが形成され、
電荷は矢印に示すようにドレイン部12側へ排出され、
電荷は再結合によって除去される。That is, from time tb2G (corresponding to time tb2 in FIG. 2) tb21, from time tb21 to "b22," from time tb
6th every tb23 from 22 and tb24 from time tb23
A potential profile as shown in the figure is formed,
The charge is discharged to the drain part 12 side as shown by the arrow,
Charge is removed by recombination.
このように、不要な電荷は逆転送モード期間に発生され
る逆転送クロック信号φ7□〜φv4に同期して垂直C
CD5より直接にビレイン部12へ排出されるので、極
めて短時間で排出動作が完了する。In this way, unnecessary charges are transferred to the vertical C in synchronization with the reverse transfer clock signals φ7□ to φv4 generated during the reverse transfer mode period.
Since it is directly discharged from the CD 5 to the belaying section 12, the discharge operation can be completed in an extremely short time.
したがって、挑めて優れた電子シャッタの効果を得るこ
とができる。Therefore, it is possible to obtain excellent electronic shutter effects.
逆転送モード期間TRが経過すると、撮像モード期間T
、における時点tb3よりtftの所定期間において露
光が行なわれ、第2図に示すように、転送クロック信号
φ7□、φv4を“H″レベルすることにより、奇数フ
ィールドに位置する光電変換素子4aの信号電荷が転送
ゲート電極6a。When the reverse transfer mode period TR elapses, the imaging mode period T
Exposure is performed during a predetermined period of tft from time tb3 at , and as shown in FIG. Charge is transferred to the transfer gate electrode 6a.
6bに対応する転送チャンネルに蓄積される。そして、
時点tflより tf2までの間に、電荷転送方向Yに
作動させる4相転送クロック信号φv1〜φv4に同期
して1水平ライン毎に電荷の塊りが読み出しシフトレジ
スタ8へ転送され、且つ、次に2相転送クロック信号φ
□0.φH2に同期してl水平ライン毎に出力端子OU
Tへ読み出され、この動作が繰り返されることで奇数フ
ィールドの映像信号を得ることができる。It is accumulated in the transfer channel corresponding to 6b. and,
From time tfl to tf2, a mass of charges is transferred to the readout shift register 8 for each horizontal line in synchronization with the four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 operated in the charge transfer direction Y, and then 2-phase transfer clock signal φ
□0. Output terminal OU for every l horizontal line in synchronization with φH2
By repeating this operation, an odd field video signal can be obtained.
第7図は、奇数フィールドの読み出し走査ておいて信号
電荷を1単位セル分だけ電荷転送方向Yへ移動させるた
めの4相転送クロック信号φv1〜φv4のタイミング
チャート、第8図は第7図に示す期間τFにおける各時
点での垂直CCD5のポテンシャルプロファイルを示す
。FIG. 7 is a timing chart of four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 for moving the signal charge by one unit cell in the charge transfer direction Y during odd field readout scanning, and FIG. The potential profile of the vertical CCD 5 at each time point during the period τF shown is shown.
次の偶数フィールドの抗み出し走査も同様であり、第2
図に示す奇数フィールド走査の期間tb3〜t42に相
当する作動が期間tf2〜tf3において行なわれるこ
とにより、実施される。尚、偶数フィールド走査におけ
る露光では、光電変換素子4bで発生する信号電荷を集
積するために、転送ダート電極6c 、6dをH“レイ
ル、転送ゲート電極fia、6bを”L″レベル電位に
する。The same goes for the next even-numbered field.
Operations corresponding to periods tb3 to t42 of odd field scanning shown in the figure are performed in periods tf2 to tf3. In the exposure in even field scanning, in order to integrate signal charges generated in the photoelectric conversion element 4b, the transfer dirt electrodes 6c and 6d are set to the H" level potential, and the transfer gate electrodes fia and 6b are set to the "L" level potential.
そして、再び次の撮像が行なわれる場合は、逆転送モー
ド期間TRから動作が繰り返され、不要電荷が排除され
た後、露光が行なわれる。When the next imaging is to be performed again, the operation is repeated from the reverse transfer mode period TR, and after unnecessary charges are eliminated, exposure is performed.
以上説明したように、この実施例によれば、不要電荷の
排除は、読み出しシフトレジスタを使用しないで直接に
ドレイン部を介して行なわれるので、極めて短時間で完
了し、高速な電子シャッタ機能を得ることができる。As explained above, according to this embodiment, unnecessary charge is removed directly through the drain section without using a readout shift register, so it can be completed in an extremely short time and a high-speed electronic shutter function can be achieved. Obtainable.
又、高解像度に伴う光電変換素子数の増加、即ち画素数
の増加があっても、高速な電子シャッタ機能が損われる
ことはない。尚、逆転送モード期間TRにおいて逆転送
動作させる逆転送クロック信号φ7□〜φv4の周波数
は、撮像モード朝間TFにおいて通常の転送動作を行な
う際の転送クロック信号φ7□〜φv4の周波数よりも
高いことが好ましい。Further, even if the number of photoelectric conversion elements increases due to high resolution, that is, the number of pixels increases, the high-speed electronic shutter function will not be impaired. Note that the frequency of the reverse transfer clock signals φ7□ to φv4 for performing reverse transfer operation during the reverse transfer mode period TR is higher than the frequency of the transfer clock signals φ7□ to φv4 for performing a normal transfer operation in the morning to morning TF imaging mode. is preferred.
(発明の効果)
以上説明したように本発明によれば、撮像に際し発生し
た信号電荷を所定の電荷転送方向へ転送する垂直CCD
を有し、該電荷転送方向と逆方向への電荷転送を該垂直
CCDに行なわせる逆転送クロック信号を発生する手段
と、該電荷転送方向とは逆方向の転送動作により該垂直
CCDの終端部へ転送された電荷を排出するドレイン部
を備えたので、露光を行なう直前において不要な!荷を
排除することができ、極めて優れた電子シャッタ機能を
得ることができる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the vertical CCD transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction.
means for generating a reverse transfer clock signal for causing the vertical CCD to perform charge transfer in a direction opposite to the charge transfer direction; Since it is equipped with a drain section that discharges the charges transferred to the , it is possible to eliminate unnecessary charges immediately before exposure. It is possible to eliminate the load and obtain an extremely excellent electronic shutter function.
又、構造が薄紫であり、更に画素数が増加しても高速な
電子シャッタ機能を損うことがないので、高解像度にし
て雑音の少ない高画質の固体撮像装置を提供することが
できる。Furthermore, since the structure is light purple and the high-speed electronic shutter function is not impaired even if the number of pixels is increased, it is possible to provide a solid-state imaging device with high resolution and low noise and high image quality.
第1図は本発明による固体撮像装置の一実施例の全体構
成を示す構成図、第2図は第1図の実施例の作動を示す
タイミングチャート、 M3図は第2図における奇数フ
ィールド走査に対応する逆転送期間のタイミングチャー
トの一部を拡大して示すタイミングチャート、第4図は
第3図のタイミングチャートに従って形成される垂直C
CDのポテンシャルプロファイルを示す説明図、第5図
は第2図における偶数フィールド走査に対応する逆転送
期間のタイミングチャートの一部を拡大して示すタイミ
ングチャート、第6図は第5図のタイミングチャートに
従って形成される垂直CCDのポテンシャルプロファイ
ルを示す説明図、第7図は第2図の撮像モード期間にお
ける実施例の作動を示すタイミングチャート、第8図は
第7図のタイミングチャートに従って垂直CCD K形
成されるポテンシャルプロファイルを示す説明図、第9
図は従来の固体撮像装置の一例を示す構成図である。
4:光電変換素子
5:垂直C0D
6:転送ゲート電極
7:同期信号発生部
8:読み出しシフトレジスタ
9:転送ゲート電極
12ニド”レイン部
;; 3 rl
第 4 図
第 5 ズ
第 6 図
第7図
第 8 図
第 9 図FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of an embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention, FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the embodiment of FIG. 1, and FIG. A timing chart showing an enlarged part of the timing chart of the corresponding reverse transfer period, FIG. 4 is a vertical C formed according to the timing chart of FIG. 3.
An explanatory diagram showing the potential profile of a CD. FIG. 5 is a timing chart showing an enlarged part of the timing chart of the reverse transfer period corresponding to even field scanning in FIG. 2. FIG. 6 is a timing chart of FIG. 5. 7 is a timing chart showing the operation of the embodiment during the imaging mode period of FIG. 2, and FIG. 8 is a diagram showing the potential profile of the vertical CCD formed according to the timing chart of FIG. 7. Explanatory diagram showing the potential profile, No. 9
The figure is a configuration diagram showing an example of a conventional solid-state imaging device. 4: Photoelectric conversion element 5: Vertical C0D 6: Transfer gate electrode 7: Synchronization signal generation section 8: Readout shift register 9: Transfer gate electrode 12 rain part;; 3 rl Fig. 4 Fig. 5 Z6 Fig. 7 Figure 8 Figure 9
Claims (2)
向へ転送する垂直CCDを有するCCD型固体撮像装置
において、該電荷転送方向と逆方向への電荷転送を該垂
直CCDに行なわせる逆転送クロック信号を発生する手
段と、該電荷転送方向とは逆方向の転送動作により該垂
直CCDの終端部へ転送された電荷を排出するドレイン
部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。(1) In a CCD solid-state imaging device having a vertical CCD that transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction, a reverse transfer clock that causes the vertical CCD to transfer charges in a direction opposite to the charge transfer direction. A solid-state imaging device comprising: means for generating a signal; and a drain section for discharging charges transferred to the terminal end of the vertical CCD by a transfer operation in a direction opposite to the charge transfer direction.
電荷転送方向への転送動作のための転送クロック信号の
周波数より高いことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の固体撮像装置。(2) The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the frequency of the reverse transfer clock signal is higher than the frequency of the transfer clock signal for a transfer operation in the predetermined charge transfer direction.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61182767A JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61182767A JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6339283A true JPS6339283A (en) | 1988-02-19 |
Family
ID=16124066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61182767A Pending JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6339283A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247978A (en) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Electronic shutter controller |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5772473A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-06 | Nec Corp | Driving method for charge transfer image pickup device |
JPS58117778A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | Solid-state image pickup device |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61182767A patent/JPS6339283A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5772473A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-06 | Nec Corp | Driving method for charge transfer image pickup device |
JPS58117778A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | Solid-state image pickup device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247978A (en) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Electronic shutter controller |
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