JPS6339283A - Solid-state image pickup device - Google Patents
Solid-state image pickup deviceInfo
- Publication number
- JPS6339283A JPS6339283A JP61182767A JP18276786A JPS6339283A JP S6339283 A JPS6339283 A JP S6339283A JP 61182767 A JP61182767 A JP 61182767A JP 18276786 A JP18276786 A JP 18276786A JP S6339283 A JPS6339283 A JP S6339283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- charge
- period
- field
- transfer clock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に関し、特に雑音等の発生原因と
なる不要な信号電荷を排除する電荷掃出し機構を備える
ＣＣＤ型固体撮像装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a solid-state imaging device, and more particularly to a CCD-type solid-state imaging device equipped with a charge sweep mechanism for eliminating unnecessary signal charges that cause noise and the like.
（従来技術）
従来のＣＣＤ （電荷転送素子）型固体撮像装置は、
第９図に示すものがある。同図はフレームトランスファ
方式によるＣＣＤ型固体撮像装置を示し、電荷転送方向
に延設された複数の垂直ＣＣＤより成る受光部ｌと、受
光部１で発生した信号電荷を一時的に蓄積する複数の垂
直ＣＣＤ より成る蓄積部２及び、蓄積部２よりの信号
電荷を読み出すための水平ＣＣＤ より成る読み出しシ
フトレジスタ３を備えている。(Prior art) A conventional CCD (charge transfer device) type solid-state imaging device is
There is one shown in Figure 9. The figure shows a CCD type solid-state imaging device using a frame transfer method, and includes a light receiving section 1 consisting of a plurality of vertical CCDs extending in the charge transfer direction, and a plurality of light receiving sections 1 that temporarily accumulate signal charges generated in the light receiving section 1. It is provided with an accumulation section 2 consisting of a vertical CCD and a readout shift register 3 consisting of a horizontal CCD for reading signal charges from the accumulation section 2.
受光部ｌに光が照射されて信号電荷を所定時間で蓄積す
ると、その信号電荷の塊りは所定周期の転送クロック信
号による転送動作で蓄積部２に送られ、次に水平方向の
各ライン毎に読み出しシフトレジスタ３により順次出力
される。この読み出し期間中に、次の光照射による信号
電荷の蓄積が行われる。When light is irradiated onto the light receiving section l and signal charges are accumulated in a predetermined period of time, the lumps of signal charges are sent to the accumulation section 2 by a transfer operation based on a transfer clock signal with a predetermined cycle, and then are transferred to the accumulation section 2 for each horizontal line. The readout shift register 3 sequentially outputs the data. During this readout period, signal charges are accumulated by the next light irradiation.
このように、ＣＣＤの受光、蓄積、転送動作により被写
体の結像から電気的な映像信号を得ることができるよう
になっている。In this way, it is possible to obtain an electrical video signal from the image of the subject through the light receiving, storage, and transfer operations of the CCD.
（発明が解決しようとする間亀点）
しかしながら、このようなＣＣＤ型固体撮像装置にあっ
ては、撮像による信号電荷を各フィールド毎あるいは各
フレーム毎に読み出す場合、例えば先のフィールビ読み
出しにおいて十分な信号電荷の読み出しが行なわれず、
残存した電荷が次のフィールド読み出しにおける信号電
荷に対する雑音となり、再生画像の劣下等を招来する問
題がある。(The key point that the invention is still trying to solve) However, in such a CCD type solid-state imaging device, when reading out the signal charge by imaging for each field or each frame, for example, the previous Felby readout may not be sufficient. Signal charges are not read out,
There is a problem in that the remaining charges become noise to the signal charges in the next field readout, resulting in deterioration of the reproduced image.
そこで、撮像する前に各々のフィールド抗み出しとは別
に再度の読み出し動作を行なって、不要な残存電荷を除
去する等の手段が考えられるが、このような手段によれ
ば、読み出しシフトレジスタ３による１ライン毎の読み
出し動作が遅いので、受光部ｌの受光時間が短かくなっ
て受光感度が低下したり、各々のＣＣＤに印加する転送
クロック信号の周波数を上げる必要性から構造が複雑に
なる等の問題を招来し、特に高感度、高解像度のＣＣＤ
型固体撮像装置の実現が困難となる。Therefore, it is possible to consider a method such as performing another readout operation separately from each field extension before imaging to remove unnecessary residual charges. Since the readout operation for each line is slow, the light receiving time of the light receiving section l is shortened, reducing the light receiving sensitivity, and the structure becomes complicated due to the need to increase the frequency of the transfer clock signal applied to each CCD. In particular, high-sensitivity, high-resolution CCD
This makes it difficult to realize a type solid-state imaging device.
（問題点を解決するだめの手段）
本発明はこのような問題点に鑑みて成されたものであり
、不要な電荷を効率的に除去する、換言すれば優れた電
子シャッタ機能を備えるＣＣＤ型固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。(Means for Solving the Problems) The present invention has been made in view of the above problems, and is a CCD type device that efficiently removes unnecessary charges, in other words, has an excellent electronic shutter function. The purpose is to provide a solid-state imaging device.
このような目的を達成するために本発明は、撮像に際し
発生した信号電荷を所定の電荷転送方向へ転送する垂直
ＣＣＤを有するＣＣＤ型固体撮像装置ておいて、該電荷
転送方向と逆方向への電荷転送を該垂直ＣＣＤに行なわ
せる逆法送クロック信号を発生する手段と、該電荷転送
方向とは逆方向の転送動作により該垂直ＣＣＤの終端部
へ転送された電荷を排出するドレイン部とを備えること
により優れたシャッタ機能を実現したことを技術的要点
とする。In order to achieve such an object, the present invention provides a CCD type solid-state imaging device having a vertical CCD that transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction. means for generating a reverse clock signal for causing the vertical CCD to perform charge transfer; and a drain portion for discharging the charge transferred to the end portion of the vertical CCD by a transfer operation in a direction opposite to the charge transfer direction. The technical point is that this technology has achieved excellent shutter function.
（実施例）
第１図は本発明による一実施例を示す全体構成図である
。まず、この実施例ではＮ形半導体基板上に形成された
Ｐ領域（Ｐｗｅｌｌ）に以下説明するＣＣＤ等が形成さ
れるものとする。同図において、略矩形状に形成された
フォトダイオード等の光電変換素子４が電荷転送方向Ｙ
及び水平転送方向ＸＫマトリックス状て配列され、水平
転送方向Ｘに並んだ各列の間に垂直ＣＣＤ５が交互に形
成されている。光電変換素子４は、飛越し水平走査にお
ける奇数フィールドの光電変換素子群４ａと、偶数フィ
ールドの光電変換素子群４ｂに分けられる。(Embodiment) FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an embodiment according to the present invention. First, in this embodiment, it is assumed that a CCD and the like described below are formed in a P region (Pwell) formed on an N-type semiconductor substrate. In the figure, a photoelectric conversion element 4 such as a photodiode formed in a substantially rectangular shape is arranged in a charge transfer direction Y.
The CCDs 5 are arranged in a horizontal transfer direction XK matrix, and vertical CCDs 5 are alternately formed between each column lined up in the horizontal transfer direction X. The photoelectric conversion elements 4 are divided into an odd field photoelectric conversion element group 4a and an even field photoelectric conversion element group 4b in interlaced horizontal scanning.
各々の垂直ＣＣＤ５は、上面にポリシリコン層より成る
複数の転送ゲート電極６が電荷転送方向に並設され、各
々の光電変換素子４ａ、４ｂに対し２個の転送ゲート電
極が対応している。即ち、図示するように、奇数フィー
ルドに位置する光電変換素子４ａには転送ゲート電極６
ａ、６ｂ、偶数フィールドに位置する光電変換素子４ｂ
には転送ゲート電極６ｃ、６ｄが対応している。Each vertical CCD 5 has a plurality of transfer gate electrodes 6 made of a polysilicon layer arranged in parallel on the upper surface in the charge transfer direction, and two transfer gate electrodes correspond to each photoelectric conversion element 4a, 4b. That is, as shown in the figure, the photoelectric conversion element 4a located in an odd field has a transfer gate electrode 6.
a, 6b, photoelectric conversion element 4b located in even field
correspond to the transfer gate electrodes 6c and 6d.
図示していないが、同図中の上から偶数番目の転送チャ
ンネルと隣接する光電変換素子４との間には、光電変換
素子４に発生した！荷を垂直ＣＣＤ５へ転送するための
転送ゲートが設けられている。Although not shown in the figure, between the even-numbered transfer channel from the top in the figure and the adjacent photoelectric conversion element 4, there is a possibility that ``!'' has occurred in the photoelectric conversion element 4. A transfer gate is provided for transferring the load to the vertical CCD 5.
各々４行を１組とする転送ゲート電極６は、各組毎に同
図中の上から項番に所定の転送クロック信号φｖ４’φ
ｖｌ’φ７□、φｖ３が印加されるように配線され、転
送クロック信号φ 、φＶ’ｌｌφ７□。Each set of transfer gate electrodes 6 has four rows, and each set receives a predetermined transfer clock signal φv4'φ indicated by the number from the top in the figure.
Wired so that vl'φ7□ and φv3 are applied, and transfer clock signals φ and φV'llφ7□.
φｖ３は同期信号発生部７より供給される。φv3 is supplied from the synchronization signal generator 7.
垂直ＣＣＤ５の先端部は、水平転送方向Ｘに延びるＣＣ
Ｄ より成る読み出しシフトレジスタ８に接続し、所
定のチャンネル長の転送チャンネルを形成する転送ゲー
ト電極群９に印加される２相転送クロック信号へ□、φ
Ｈ２’より出力端子側への電荷の転送が行なわれる。尚
、水平転送クロック信号φ□□、φＨ２は同期信号発生
部７より出力され、転送された信号電荷は出力ゲートＯ
Ｇを通り、出カッ２ツファ回路１０により電力増幅され
た後、出力端子ＯＵＴに出力される。The tip of the vertical CCD 5 is a CC extending in the horizontal transfer direction
D □, φ to the two-phase transfer clock signal applied to the transfer gate electrode group 9 that is connected to the readout shift register 8 and forms a transfer channel with a predetermined channel length.
Charge is transferred from H2' to the output terminal side. Incidentally, the horizontal transfer clock signals φ
After passing through G, the power is amplified by the output double buffer circuit 10, and then output to the output terminal OUT.
読み出しシフトレジスタ８に対して反対側に位置する垂
直ＣＣＤ５の終端部は、當時アースレベルに保持される
ポリシリコン層より成る転送ゲート１）を介して、水平
転送方向Ｘに延設されたドレイン部１２に接続している
。ビレイン部１２ば、Ｐ ｗｅｌｌ内にイオン打ち込み
により形成されたＮ影領域からなり、常に電源電圧ｖｐ
ｐが印加されている。The terminal end of the vertical CCD 5 located on the opposite side to the readout shift register 8 is connected to a drain section extending in the horizontal transfer direction Connected to 12. The belaying part 12 consists of an N shadow region formed by ion implantation in the P well, and is always connected to the power supply voltage vp.
p is applied.
次にかかる構成のＣＣＤ型固体撮像装置の作動を説明す
る。第２図は同期信号発生部７より発生する４相転送ク
ロック信号φ７□、φ７□、φｖ３’φｖ４のタイミン
グチャートを示す。同図において、期間ＴＲは不要な信
号電荷を排出するための逆転送モード期間、期間ＴＦは
露光により発生した信号電荷を映像信号として読み出す
ための撮像モード期間を示し、更に逆転送モード期間Ｔ
Ｒは２個のフィールド逆転送期間ＴＲＡ 、’ｒＲＢか
ら成っている。Next, the operation of the CCD type solid-state imaging device having such a configuration will be explained. FIG. 2 shows a timing chart of four-phase transfer clock signals φ7□, φ7□, φv3'φv4 generated by the synchronization signal generating section 7. In the figure, a period TR indicates a reverse transfer mode period for discharging unnecessary signal charges, a period TF indicates an imaging mode period for reading out signal charges generated by exposure as a video signal, and a reverse transfer mode period T
R consists of two field reverse transfer periods TRA and 'rRB.
まず、フィールド９逆転送期間ＴＲＡでは、Ａフィール
ドの行に位置する光電変換素子４ａの電荷が排出される
。First, in the field 9 reverse transfer period TRA, the charges of the photoelectric conversion elements 4a located in the rows of the A field are discharged.
即ち１時点ｔａｌないしｔａ２において転送クロック信
号φ７□、φｖ２が′″Ｈ″Ｈ″レベル、更にその期間
中の所定期間ＴＸＩＬで転送クロック信号φ７、がより
高い電圧しＲルとなることにより、図示しない転送ゲー
トが開き、光電変換素子４ａから転送ゲート電極６ｂに
よる転送チャンネルへ電荷が掃き出される。次に、時点
ｔａ２からｔｂｔまでの間に、所定タイミングの４相転
送クロック信号φｖ１〜φｖ４により、垂直ＣＣＤ５が
転送動作を行なう。That is, at one time point tal to ta2, the transfer clock signals φ7□ and φv2 are at the ``H'' level, and furthermore, during a predetermined period TXIL during that period, the transfer clock signal φ7 becomes a higher voltage and becomes R le. The transfer gate that does not open is opened, and charges are swept out from the photoelectric conversion element 4a to the transfer channel formed by the transfer gate electrode 6b.Next, between time ta2 and tbt, four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 at a predetermined timing are used. The vertical CCD 5 performs a transfer operation.
この転送動作のタイミングチャートを拡大して示す第３
図と、垂直ＣＣＤ５に形成されるポテンシャルプロファ
イルを示す第４図にて詳述すると、第３図に示す周期で
乙のタイミングで４相転送クロック信号φｖ１〜φｖ４
が繰り返されることによって、時点１ａ□。よ！！’
ｔａ２□、時点ｔユ２□よりｔａ□２、時点ｔａ２２よ
りｔ４□３、時点ｔａ２３より１ａ□４毎に第４図に示
スようなポテンシャルプロファイルが形成され、電荷は
矢印で示すように一しイン部１２側へ排出される。この
時の電荷は負であシ、トルイン部１２は正の電圧ｖＤＤ
Ｋ保持されているので、電荷は再結合し除去される。The third diagram shows an enlarged timing chart of this transfer operation.
4, which shows the potential profile formed in the vertical CCD 5, the four-phase transfer clock signal φv1 to φv4 is generated at the timing shown in FIG.
By repeating, time 1a□. Yo! ! '
A potential profile as shown in FIG. 4 is formed every ta2□, ta□2 from time tU2□, t4□3 from time ta22, and every 1a□4 from time ta23, and the charge is uniform as shown by the arrow. It is discharged to the inlet section 12 side. The charge at this time is negative, and the toruin part 12 has a positive voltage vDD.
Since K is retained, the charges are recombined and removed.
次に、フィールド逆転送期間ＴＲＢでは、偶数フィール
ドの行に位置する光電変換素子４ｂの電荷が排出される
。Next, in the field reverse transfer period TRB, the charges of the photoelectric conversion elements 4b located in the even field rows are discharged.
即ち、時点ｔｂｌないしｔｂ□において転送クロック信
号φｖ３’φｖ４がＨ”レベルとなり、更にその期間中
の所定期間Ｔｘｂで転送クロック信号φｖ３がより高い
電圧レベルとなることにより、図示しない転送ゲートが
開き、光電変換素子４ｂから転送ゲート電極６ｄによる
転送チャンネルへ電荷が掃き出される。そして、時点ｔ
ｂ２からｔｂａまでの間に、第５図に拡大して示す周期
τｂ毎の繰り返しタイミングの４相転送クロック信号φ
ｖ１〜φｖ４に同期して、電荷の排出し動作が行なわれ
る。That is, at times tbl to tb□, the transfer clock signal φv3'φv4 goes to H'' level, and furthermore, at a predetermined period Txb during that period, the transfer clock signal φv3 goes to a higher voltage level, so that a transfer gate (not shown) opens. Charge is swept out from the photoelectric conversion element 4b to the transfer channel formed by the transfer gate electrode 6d.Then, at time t
During the period from b2 to tba, the four-phase transfer clock signal φ has a repetition timing of every cycle τb, which is shown in an enlarged manner in FIG.
A charge discharge operation is performed in synchronization with v1 to φv4.
即ち、時点ｔｂ２Ｇ （第２図の時点ｔｂ２に対応する
）よりｔｂ２１、時点ｔｂ２１より”ｂ２２、時点ｔｂ
２２よりｔｂ２３、時点ｔｂ２３よりｔｂ２４毎に第６
図に示すようなポテンシャルプロファイルが形成され、
電荷は矢印に示すようにドレイン部１２側へ排出され、
電荷は再結合によって除去される。That is, from time tb2G (corresponding to time tb2 in FIG. 2) tb21, from time tb21 to "b22," from time tb
6th every tb23 from 22 and tb24 from time tb23
A potential profile as shown in the figure is formed,
The charge is discharged to the drain part 12 side as shown by the arrow,
Charge is removed by recombination.
このように、不要な電荷は逆転送モード期間に発生され
る逆転送クロック信号φ７□〜φｖ４に同期して垂直Ｃ
ＣＤ５より直接にビレイン部１２へ排出されるので、極
めて短時間で排出動作が完了する。In this way, unnecessary charges are transferred to the vertical C in synchronization with the reverse transfer clock signals φ7□ to φv4 generated during the reverse transfer mode period.
Since it is directly discharged from the CD 5 to the belaying section 12, the discharge operation can be completed in an extremely short time.
したがって、挑めて優れた電子シャッタの効果を得るこ
とができる。Therefore, it is possible to obtain excellent electronic shutter effects.
逆転送モード期間ＴＲが経過すると、撮像モード期間Ｔ
、における時点ｔｂ３よりｔｆｔの所定期間において露
光が行なわれ、第２図に示すように、転送クロック信号
φ７□、φｖ４を“Ｈ″レベルすることにより、奇数フ
ィールドに位置する光電変換素子４ａの信号電荷が転送
ゲート電極６ａ。When the reverse transfer mode period TR elapses, the imaging mode period T
Exposure is performed during a predetermined period of tft from time tb3 at , and as shown in FIG. Charge is transferred to the transfer gate electrode 6a.
６ｂに対応する転送チャンネルに蓄積される。そして、
時点ｔｆｌより ｔｆ２までの間に、電荷転送方向Ｙに
作動させる４相転送クロック信号φｖ１〜φｖ４に同期
して１水平ライン毎に電荷の塊りが読み出しシフトレジ
スタ８へ転送され、且つ、次に２相転送クロック信号φ
□０．φＨ２に同期してｌ水平ライン毎に出力端子ＯＵ
Ｔへ読み出され、この動作が繰り返されることで奇数フ
ィールドの映像信号を得ることができる。It is accumulated in the transfer channel corresponding to 6b. and,
From time tfl to tf2, a mass of charges is transferred to the readout shift register 8 for each horizontal line in synchronization with the four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 operated in the charge transfer direction Y, and then 2-phase transfer clock signal φ
□0. Output terminal OU for every l horizontal line in synchronization with φH2
By repeating this operation, an odd field video signal can be obtained.
第７図は、奇数フィールドの読み出し走査ておいて信号
電荷を１単位セル分だけ電荷転送方向Ｙへ移動させるた
めの４相転送クロック信号φｖ１〜φｖ４のタイミング
チャート、第８図は第７図に示す期間τＦにおける各時
点での垂直ＣＣＤ５のポテンシャルプロファイルを示す
。FIG. 7 is a timing chart of four-phase transfer clock signals φv1 to φv4 for moving the signal charge by one unit cell in the charge transfer direction Y during odd field readout scanning, and FIG. The potential profile of the vertical CCD 5 at each time point during the period τF shown is shown.
次の偶数フィールドの抗み出し走査も同様であり、第２
図に示す奇数フィールド走査の期間ｔｂ３〜ｔ４２に相
当する作動が期間ｔｆ２〜ｔｆ３において行なわれるこ
とにより、実施される。尚、偶数フィールド走査におけ
る露光では、光電変換素子４ｂで発生する信号電荷を集
積するために、転送ダート電極６ｃ 、６ｄをＨ“レイ
ル、転送ゲート電極ｆｉａ、６ｂを”Ｌ″レベル電位に
する。The same goes for the next even-numbered field.
Operations corresponding to periods tb3 to t42 of odd field scanning shown in the figure are performed in periods tf2 to tf3. In the exposure in even field scanning, in order to integrate signal charges generated in the photoelectric conversion element 4b, the transfer dirt electrodes 6c and 6d are set to the H" level potential, and the transfer gate electrodes fia and 6b are set to the "L" level potential.
そして、再び次の撮像が行なわれる場合は、逆転送モー
ド期間ＴＲから動作が繰り返され、不要電荷が排除され
た後、露光が行なわれる。When the next imaging is to be performed again, the operation is repeated from the reverse transfer mode period TR, and after unnecessary charges are eliminated, exposure is performed.
以上説明したように、この実施例によれば、不要電荷の
排除は、読み出しシフトレジスタを使用しないで直接に
ドレイン部を介して行なわれるので、極めて短時間で完
了し、高速な電子シャッタ機能を得ることができる。As explained above, according to this embodiment, unnecessary charge is removed directly through the drain section without using a readout shift register, so it can be completed in an extremely short time and a high-speed electronic shutter function can be achieved. Obtainable.
又、高解像度に伴う光電変換素子数の増加、即ち画素数
の増加があっても、高速な電子シャッタ機能が損われる
ことはない。尚、逆転送モード期間ＴＲにおいて逆転送
動作させる逆転送クロック信号φ７□〜φｖ４の周波数
は、撮像モード朝間ＴＦにおいて通常の転送動作を行な
う際の転送クロック信号φ７□〜φｖ４の周波数よりも
高いことが好ましい。Further, even if the number of photoelectric conversion elements increases due to high resolution, that is, the number of pixels increases, the high-speed electronic shutter function will not be impaired. Note that the frequency of the reverse transfer clock signals φ7□ to φv4 for performing reverse transfer operation during the reverse transfer mode period TR is higher than the frequency of the transfer clock signals φ7□ to φv4 for performing a normal transfer operation in the morning to morning TF imaging mode. is preferred.
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、撮像に際し発生し
た信号電荷を所定の電荷転送方向へ転送する垂直ＣＣＤ
を有し、該電荷転送方向と逆方向への電荷転送を該垂直
ＣＣＤに行なわせる逆転送クロック信号を発生する手段
と、該電荷転送方向とは逆方向の転送動作により該垂直
ＣＣＤの終端部へ転送された電荷を排出するドレイン部
を備えたので、露光を行なう直前において不要な！荷を
排除することができ、極めて優れた電子シャッタ機能を
得ることができる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the vertical CCD transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction.
means for generating a reverse transfer clock signal for causing the vertical CCD to perform charge transfer in a direction opposite to the charge transfer direction; Since it is equipped with a drain section that discharges the charges transferred to the , it is possible to eliminate unnecessary charges immediately before exposure. It is possible to eliminate the load and obtain an extremely excellent electronic shutter function.
又、構造が薄紫であり、更に画素数が増加しても高速な
電子シャッタ機能を損うことがないので、高解像度にし
て雑音の少ない高画質の固体撮像装置を提供することが
できる。Furthermore, since the structure is light purple and the high-speed electronic shutter function is not impaired even if the number of pixels is increased, it is possible to provide a solid-state imaging device with high resolution and low noise and high image quality.
第１図は本発明による固体撮像装置の一実施例の全体構
成を示す構成図、第２図は第１図の実施例の作動を示す
タイミングチャート、 Ｍ３図は第２図における奇数フ
ィールド走査に対応する逆転送期間のタイミングチャー
トの一部を拡大して示すタイミングチャート、第４図は
第３図のタイミングチャートに従って形成される垂直Ｃ
ＣＤのポテンシャルプロファイルを示す説明図、第５図
は第２図における偶数フィールド走査に対応する逆転送
期間のタイミングチャートの一部を拡大して示すタイミ
ングチャート、第６図は第５図のタイミングチャートに
従って形成される垂直ＣＣＤのポテンシャルプロファイ
ルを示す説明図、第７図は第２図の撮像モード期間にお
ける実施例の作動を示すタイミングチャート、第８図は
第７図のタイミングチャートに従って垂直ＣＣＤ Ｋ形
成されるポテンシャルプロファイルを示す説明図、第９
図は従来の固体撮像装置の一例を示す構成図である。
４：光電変換素子
５：垂直Ｃ０Ｄ
６：転送ゲート電極
７：同期信号発生部
８：読み出しシフトレジスタ
９：転送ゲート電極
１２ニド”レイン部
；； ３ ｒｌ
第 ４ 図
第 ５ ズ
第 ６ 図
第７図
第 ８ 図
第 ９ 図FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of an embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention, FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the embodiment of FIG. 1, and FIG. A timing chart showing an enlarged part of the timing chart of the corresponding reverse transfer period, FIG. 4 is a vertical C formed according to the timing chart of FIG. 3.
An explanatory diagram showing the potential profile of a CD. FIG. 5 is a timing chart showing an enlarged part of the timing chart of the reverse transfer period corresponding to even field scanning in FIG. 2. FIG. 6 is a timing chart of FIG. 5. 7 is a timing chart showing the operation of the embodiment during the imaging mode period of FIG. 2, and FIG. 8 is a diagram showing the potential profile of the vertical CCD formed according to the timing chart of FIG. 7. Explanatory diagram showing the potential profile, No. 9
The figure is a configuration diagram showing an example of a conventional solid-state imaging device. 4: Photoelectric conversion element 5: Vertical C0D 6: Transfer gate electrode 7: Synchronization signal generation section 8: Readout shift register 9: Transfer gate electrode 12 rain part;; 3 rl Fig. 4 Fig. 5 Z6 Fig. 7 Figure 8 Figure 9
Claims (2)
向へ転送する垂直ＣＣＤを有するＣＣＤ型固体撮像装置
において、該電荷転送方向と逆方向への電荷転送を該垂
直ＣＣＤに行なわせる逆転送クロック信号を発生する手
段と、該電荷転送方向とは逆方向の転送動作により該垂
直ＣＣＤの終端部へ転送された電荷を排出するドレイン
部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。(1) In a CCD solid-state imaging device having a vertical CCD that transfers signal charges generated during imaging in a predetermined charge transfer direction, a reverse transfer clock that causes the vertical CCD to transfer charges in a direction opposite to the charge transfer direction. A solid-state imaging device comprising: means for generating a signal; and a drain section for discharging charges transferred to the terminal end of the vertical CCD by a transfer operation in a direction opposite to the charge transfer direction.
電荷転送方向への転送動作のための転送クロック信号の
周波数より高いことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の固体撮像装置。(2) The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the frequency of the reverse transfer clock signal is higher than the frequency of the transfer clock signal for a transfer operation in the predetermined charge transfer direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182767A JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182767A JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339283A true JPS6339283A (en) | 1988-02-19 |
Family
ID=16124066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182767A Pending JPS6339283A (en) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Solid-state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6339283A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247978A (en) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Electronic shutter controller |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772473A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-06 | Nec Corp | Driving method for charge transfer image pickup device |
| JPS58117778A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | Solid-state image pickup device |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61182767A patent/JPS6339283A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772473A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-06 | Nec Corp | Driving method for charge transfer image pickup device |
| JPS58117778A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-13 | Sony Corp | Solid-state image pickup device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247978A (en) * | 1988-08-09 | 1990-02-16 | Minolta Camera Co Ltd | Electronic shutter controller |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4598321A (en) | CCD imagers with registers partitioned for simultaneous charge transfers in opposing directions | |
| US7995129B2 (en) | Image sensor for still or video photography | |
| US4811068A (en) | Charge transfer device | |
| JP3287891B2 (en) | Charge-coupled image sensor | |
| JPS6252988B2 (en) | ||
| JP2002209146A (en) | Driving method for solid-state image sensing device | |
| JPH0262170A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP2554621B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPH0834564B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method thereof | |
| JPS6339283A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP3397151B2 (en) | Driving method of solid-state imaging device | |
| JP4228755B2 (en) | Solid-state image sensor and driving method of solid-state image sensor | |
| JPH0150156B2 (en) | ||
| JPH10200819A (en) | Solid-state image pickup device, and its driving method and camera | |
| JP2595916B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method thereof | |
| JP2534105B2 (en) | Solid-state imaging device and signal reading method thereof | |
| JPS5834996B2 (en) | Color Kotai Satsuzou Sochi | |
| JPH1093865A (en) | Image pickup device | |
| JPH06343143A (en) | Driving method of solid-state image pickup element | |
| JPH01138855A (en) | Method for driving solid-state image pickup device | |
| JPH0451116B2 (en) | ||
| JPH09181292A (en) | Solid state image pickup element and its drive method | |
| JPS60137174A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JPS6046676A (en) | Ccd image sensor and asynchronous reading method | |
| JPS6210974A (en) | Method for driving solid-state image pickup device |