JPS6338923A - 端面に取出し電極部を設けたec素子 - Google Patents
端面に取出し電極部を設けたec素子Info
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- JPS6338923A JPS6338923A JP61183860A JP18386086A JPS6338923A JP S6338923 A JPS6338923 A JP S6338923A JP 61183860 A JP61183860 A JP 61183860A JP 18386086 A JP18386086 A JP 18386086A JP S6338923 A JPS6338923 A JP S6338923A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、エレクトロクロミック素子の改良に関する。
(従来の技術)
電圧を印加すると可逆的に電解酸化または還元反応が起
こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズ・ムと
言う。このような現象を示すエレクトロクコミック(以
下、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作によυ着
消色するEC素子(以下、ECDと略す)を作り、この
ECDを光量制御素子(例えば、防舷ミラー)や7セグ
メントを利用し比数字表示素子に利用しようとする試み
は、20年以上前から行なわれてiる。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰極)、三酸化タングステン薄
膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、ilt極膜(陽極)
を順次積層してなるECD<特公昭52−46098参
照)が全固体:[ECDとして知られている。このEC
DJC1!圧を印加すると三酸化タングステン(WOI
J薄膜が青色に着色する。
こり可逆的に着色する現象をエレクトロクロミズ・ムと
言う。このような現象を示すエレクトロクコミック(以
下、ECと略称する)物質を用いて、電圧操作によυ着
消色するEC素子(以下、ECDと略す)を作り、この
ECDを光量制御素子(例えば、防舷ミラー)や7セグ
メントを利用し比数字表示素子に利用しようとする試み
は、20年以上前から行なわれてiる。例えば、ガラス
基板の上に透明電極膜(陰極)、三酸化タングステン薄
膜、二酸化ケイ素のような絶縁膜、ilt極膜(陽極)
を順次積層してなるECD<特公昭52−46098参
照)が全固体:[ECDとして知られている。このEC
DJC1!圧を印加すると三酸化タングステン(WOI
J薄膜が青色に着色する。
その後、このECDに逆の電圧を印加すると、WO。
薄膜の青色が消えて無色になる。この着色・消色する機
構は詳しくは解明されていないが、WO1薄膜および絶
縁@(イオン導電層]中に含まれる少量の水分がWO3
の着色e消色を支配していると理解されている。着色の
反応式は下記のようVC推定されている。
構は詳しくは解明されていないが、WO1薄膜および絶
縁@(イオン導電層]中に含まれる少量の水分がWO3
の着色e消色を支配していると理解されている。着色の
反応式は下記のようVC推定されている。
I(、O→H+OH−
(WOsm=m極側) WO,+ nH+ne−→Hn
WO。
WO。
無色透明 青色
(絶縁膜=陽極側10H−−” HtO+ l/ 40
t↑ところで、EC層をVX接又は間接的に挾む一対の
電極層は、EC層の着消色を外部に見せるために、少な
くとも一方は透明でなければならない。特に透過波のE
CD(2)場合には両方とも透明でなけtばならない。
t↑ところで、EC層をVX接又は間接的に挾む一対の
電極層は、EC層の着消色を外部に見せるために、少な
くとも一方は透明でなければならない。特に透過波のE
CD(2)場合には両方とも透明でなけtばならない。
透明な電極材料としては、現在のところSnO,、In
、O,、I To (SnO,とI n、 osとの混
合物) 、 ZnOなどが知られているが、これらの材
料は比較的透明度が悪い九めに薄くせねばならず、この
理由及びその他の理由からECDは基板例えばガラス板
やプラスチック板の上に形成するのが普通であり、この
ようなECDの構造の一例をWJz図に示す。
、O,、I To (SnO,とI n、 osとの混
合物) 、 ZnOなどが知られているが、これらの材
料は比較的透明度が悪い九めに薄くせねばならず、この
理由及びその他の理由からECDは基板例えばガラス板
やプラスチック板の上に形成するのが普通であり、この
ようなECDの構造の一例をWJz図に示す。
第2図に於いて、(3)は上部透明電極、■)は下部透
明U極、0は還元着色性EC層(例えばWO,)。
明U極、0は還元着色性EC層(例えばWO,)。
0はイオン導′f!L層、■は可逆的電解酸化層(例え
ば酸化又は水酸化イリジウム)全それぞれ示し。
ば酸化又は水酸化イリジウム)全それぞれ示し。
基本的にはこの(イ)〜(B)の積層構造だけでECD
がイ4成されるが、前述のとおシ、これら0ECDは基
板(S)上に形成される。(R)ldEcDの封止材例
えばエポキシ樹脂であり、O)は保護用の封止基板であ
る。
がイ4成されるが、前述のとおシ、これら0ECDは基
板(S)上に形成される。(R)ldEcDの封止材例
えばエポキシ樹脂であり、O)は保護用の封止基板であ
る。
このようなECDの電極囚、ノ)に外部電源を供給する
ために、各々取出し電極部が必要であり、これまで各取
出し電極部は、第2図に示すように基板(S)の上面に
設けられ、ここに外部配線CLh)−(L++ )がそ
れぞれ接続されてい友。
ために、各々取出し電極部が必要であり、これまで各取
出し電極部は、第2図に示すように基板(S)の上面に
設けられ、ここに外部配線CLh)−(L++ )がそ
れぞれ接続されてい友。
その九め下記の如き欠点■〜■があつ几。
■ 表示面積が大きく取れないこと(取出し電極部の分
だけ表示面積が小さくなってしまう)。
だけ表示面積が小さくなってしまう)。
■ 基板■と封止基板C)との大きさが異ならざる全得
ないため、封止するときに封止基板0の位置決めが離し
くなり1手間がかかること。
ないため、封止するときに封止基板0の位置決めが離し
くなり1手間がかかること。
■ 取出し1!極部の上を封止材(へ)が覆い易く。
外部配線(Lム) 、 +LmJを接続するときに手間
がかかること。
がかかること。
そこで本発明者は先に他の発明者と共にこれらの欠点を
解決すべく研究し九結果、取出し電極部を基板の上面で
はなく端面(側面]に設けることを発明し、特許出願し
t(特願昭60−1136391゜この出願はまだ公開
されていないので、以下「先願」と引用する。
解決すべく研究し九結果、取出し電極部を基板の上面で
はなく端面(側面]に設けることを発明し、特許出願し
t(特願昭60−1136391゜この出願はまだ公開
されていないので、以下「先願」と引用する。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、先願の明細書に開示された取出し電極部
は、透明電極材料(ITOIで作られており、この材料
は電気抵抗が比較的高い友め、これに外部配線を)・ン
ダ付けその他の手段により接続し、この外部配線を通し
て取出し電極部に電荷又は電子の供給・取出し金貸なう
と、取出し電極部の近くから着消色が起こり、JL苦し
いとい9問題点があっ几。
は、透明電極材料(ITOIで作られており、この材料
は電気抵抗が比較的高い友め、これに外部配線を)・ン
ダ付けその他の手段により接続し、この外部配線を通し
て取出し電極部に電荷又は電子の供給・取出し金貸なう
と、取出し電極部の近くから着消色が起こり、JL苦し
いとい9問題点があっ几。
ま九、透明電極材料への外部配線の接続が難しいという
問題点があつ次。
問題点があつ次。
本発明の目的は、これらの問題点の解決にある。
(問題点を解決する次めの手段)
本発明の特徴は、基板端面に設ける取出し電極部を透明
電極材料よりも抵抗の低い低抵抗材料で作成したことに
ある。
電極材料よりも抵抗の低い低抵抗材料で作成したことに
ある。
(作用)
本発明の取出し1!他部は、■低抵抗材料の単一層構造
であってもよいし、■透明1!極材料の下層と低抵抗材
料の上層との多層構造でもよい。
であってもよいし、■透明1!極材料の下層と低抵抗材
料の上層との多層構造でもよい。
本発明で使用される低抵抗材料としては1例えば金、銀
、アルミニウム、クロム、スズ、亜鉛。
、アルミニウム、クロム、スズ、亜鉛。
ニッケル、ルテニウム、ロジウムなどが挙げられ。
例えば、(イ)厚膜法例えば常温又は加熱硬化壓の導電
ベースh’を塗布しく加熱)乾燥硬化させる方法。
ベースh’を塗布しく加熱)乾燥硬化させる方法。
(ロ)プラズマ溶射法、(ハ)薄膜法例えば真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティングなどにより取出
し電極部が形成される。
スパッタリング、イオンブレーティングなどにより取出
し電極部が形成される。
取出し1!他部を端面に設ける場合、基板上面から端面
へと連続し九電極層を形成する必要があるが、上面と端
面との境界に相当する角(エッチ)全面取りしておくこ
とが好ましい。面取りしておくと、(イ)端面にある取
出し電極部から上面にある電極層本体への電気抵抗が低
くなるので好ましい。
へと連続し九電極層を形成する必要があるが、上面と端
面との境界に相当する角(エッチ)全面取りしておくこ
とが好ましい。面取りしておくと、(イ)端面にある取
出し電極部から上面にある電極層本体への電気抵抗が低
くなるので好ましい。
ま九(ロ)真空薄膜形成技術例えばX空蒸着にょシ基板
上面に1!極層?形成するとき、回ジ込み現象を利用し
て端面1c″!でも電極層、つまり取出し電極部を形成
することができるので好ましい。そのほか(ハ)取扱い
中に角を破損して上面だある電極層本体と端面にある取
出し電極部との断線?来たす危険がなくなるので好まし
い。
上面に1!極層?形成するとき、回ジ込み現象を利用し
て端面1c″!でも電極層、つまり取出し電極部を形成
することができるので好ましい。そのほか(ハ)取扱い
中に角を破損して上面だある電極層本体と端面にある取
出し電極部との断線?来たす危険がなくなるので好まし
い。
本発明に於けるECDの積層構造は、特にどれと限定さ
れるものではないが、固体WECDの構造としては1例
えば■?!極層/EC層/イオン導電層/[極層のより
な4/11構造、■電極層/還元着色型EC層/イオン
導電層/可逆的電解酸化層/′P!極層のような5層構
造があげられる。
れるものではないが、固体WECDの構造としては1例
えば■?!極層/EC層/イオン導電層/[極層のより
な4/11構造、■電極層/還元着色型EC層/イオン
導電層/可逆的電解酸化層/′P!極層のような5層構
造があげられる。
透明電極の材料としては1例えば、 SnO,。
”*Os 、ITOなどが使用される。このような電極
層は、一般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリングなどの真空薄膜形成技術で形成される。(還
元着色性)EC層としては一般にWO,、Mob、など
が使用される。
層は、一般には真空蒸着、イオンブレーティング、スパ
ッタリングなどの真空薄膜形成技術で形成される。(還
元着色性)EC層としては一般にWO,、Mob、など
が使用される。
イオン導電層としては、例えば酸化ケイ素、酸化タンタ
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム。
ル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、酸化
ジルコニウム、酸化ハフニウム。
酸化ランタン、フッ化マグネシウムなどが使用される。
これらの物質薄膜は製造方法により電子に対して絶縁体
であるが、プロトン(Hlおよびヒドロキシイオン(O
H)に対しては良導体となる。EC層の着色消色反応に
はカチオンが必要とされ、H+イオンやLi イオン
をEC層その他に含有させる必要がある。tイオンは初
めからイオンである必要はなく、電圧が印加され次とき
にtイオンが生じればよく、従ってH+イオンの代わり
に水を含有させてもよい。この水は非常に少なくて十分
であり、しばしば、大気中から自然に侵入する水分でも
着消色する。
であるが、プロトン(Hlおよびヒドロキシイオン(O
H)に対しては良導体となる。EC層の着色消色反応に
はカチオンが必要とされ、H+イオンやLi イオン
をEC層その他に含有させる必要がある。tイオンは初
めからイオンである必要はなく、電圧が印加され次とき
にtイオンが生じればよく、従ってH+イオンの代わり
に水を含有させてもよい。この水は非常に少なくて十分
であり、しばしば、大気中から自然に侵入する水分でも
着消色する。
EC/1illとイオン導電層とは、どちらを上にして
も下に・してもよい。さらにEC層に対して間にイオン
導t!Nを挾んで(場合によ夕酸化着色性EC層ともな
る)可逆的電解酸化層ないし触媒層を配設してもよい。
も下に・してもよい。さらにEC層に対して間にイオン
導t!Nを挾んで(場合によ夕酸化着色性EC層ともな
る)可逆的電解酸化層ないし触媒層を配設してもよい。
このような膚としては1例えば酸化ないし水酸化イリジ
クム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどがあげられ
る。これらの物質は、イオン導電層又は透明電極中に分
散されていても良いし、それらを分散していてもよい。
クム、同じくニッケル、同じくクロム、同じくバナジウ
ム、同じくルテニウム、同じくロジウムなどがあげられ
る。これらの物質は、イオン導電層又は透明電極中に分
散されていても良いし、それらを分散していてもよい。
不透明な電極層は1反射層と兼用していてもよく。
例えば金、銀、アルミニウム、クロム、スズ、亜鉛、ニ
ッケル、ルテニウム、ロジウム、ステンレスなどの金属
が使用される。
ッケル、ルテニウム、ロジウム、ステンレスなどの金属
が使用される。
以下、第1図を引用して本発明を実施例により詳細に説
明する。
明する。
(実施例)
まず上面と端面との角を面取りした150■×80mX
3mのガラス基板但)と同一寸法のガラス製封止基板0
を用意し几。
3mのガラス基板但)と同一寸法のガラス製封止基板0
を用意し几。
次に前記ガラス基板■の上面に真空蒸着によりITO電
極層全形底し′fi−0このとき1回り込み現象により
電極層は上面から続いて端面にも形成された。
極層全形底し′fi−0このとき1回り込み現象により
電極層は上面から続いて端面にも形成された。
そして、端面に形成されたITO取出し電極部の上に、
はy全体にプラズマ溶射法によりアルミニウムを50μ
の厚さに、その後、銅を100μの厚さに形成すること
により3層構造の取出し電極部を形成した。なお、銅/
アルミニウムの2層膜の電気抵抗は無視し得るほどに小
さかった。
はy全体にプラズマ溶射法によりアルミニウムを50μ
の厚さに、その後、銅を100μの厚さに形成すること
により3層構造の取出し電極部を形成した。なお、銅/
アルミニウムの2層膜の電気抵抗は無視し得るほどに小
さかった。
従って、この金Jim極層に外部配線を接続すれば、外
部配線から供給され比電荷又は電子は素速く金rj4電
極層全体に行きわたり、それから面接触しているITO
電極に流れるので、ITO電極への電荷又は電子の供給
速度が局部的に片寄ることがない。
部配線から供給され比電荷又は電子は素速く金rj4電
極層全体に行きわたり、それから面接触しているITO
電極に流れるので、ITO電極への電荷又は電子の供給
速度が局部的に片寄ることがない。
端面から上面にまで形成され友ITo電極層は、次にホ
トエツチングにより、上部電極代用の取出し電極部と下
部電極(B)とに分離し几。
トエツチングにより、上部電極代用の取出し電極部と下
部電極(B)とに分離し几。
その後、酸化イリジウム(酸化スズとの混合物の形で)
N(ト)、酸化メンタル層0及びWO1層G)t−順に
形成した。
N(ト)、酸化メンタル層0及びWO1層G)t−順に
形成した。
最後に上部1!稼(4)としてAlt蒸着し、このとき
。
。
Alは既に基板但)上に形成された取出し[極部と一端
が接触するようにする(第1図参照)0エポキシ樹脂封
止材0)で上面を封止すると共に封止基板(G)を接着
して封止を完了し1本実施例のECD7.作製した。こ
の場合、封止基板(G)は基板(S)と同一寸法である
九めに位置決めが極めて容易であり、ま九封止材が取出
し電極gを覆ってしまうこともなかった。
が接触するようにする(第1図参照)0エポキシ樹脂封
止材0)で上面を封止すると共に封止基板(G)を接着
して封止を完了し1本実施例のECD7.作製した。こ
の場合、封止基板(G)は基板(S)と同一寸法である
九めに位置決めが極めて容易であり、ま九封止材が取出
し電極gを覆ってしまうこともなかった。
端面に形成され九両取出し電極部にそれぞれ外部配線[
LA) 、 <L、)をハンダ付けして、駆動電源(S
ulから着色電圧[+1.35V)1印加すると。
LA) 、 <L、)をハンダ付けして、駆動電源(S
ulから着色電圧[+1.35V)1印加すると。
基板(S)側から入射させて波長633nmの光に)に
対し反射率が15チに減少しく10秒後)、この反射率
は電圧印加を止めても、しばらく保九れ九。
対し反射率が15チに減少しく10秒後)、この反射率
は電圧印加を止めても、しばらく保九れ九。
今度は消色電圧[−1,35V]を印加すると、同じく
反射率は65%に回復した(10秒後)。
反射率は65%に回復した(10秒後)。
(発明の効果J
以上の通り1本発明によれば、低抵抗の取出し電極部?
基板端面に設けたので、■表示面積を大きくとることが
でき、■封止材が取出し電極部を覆いに〈〈なり、■基
板と同一寸法の封止基板を使用できるようになり、その
ため封止基板の位置決め作用が容易にな9.■取出し電
極部近くから着消色が起こることがなくなって均一に着
消色し、■外部配線の接続が容易になる。
基板端面に設けたので、■表示面積を大きくとることが
でき、■封止材が取出し電極部を覆いに〈〈なり、■基
板と同一寸法の封止基板を使用できるようになり、その
ため封止基板の位置決め作用が容易にな9.■取出し電
極部近くから着消色が起こることがなくなって均一に着
消色し、■外部配線の接続が容易になる。
第1図は本発明の一実施例にかかるECDの概略垂直断
面図である。 第2図は従来0ECDの概略垂直断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 S・・・・・・基板 A・・・・・・上部電極 B・・・・・・下部電極
面図である。 第2図は従来0ECDの概略垂直断面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 S・・・・・・基板 A・・・・・・上部電極 B・・・・・・下部電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に設けたエレクトロクロミック素子に於いて
、前記基板の端面に低抵抗材料の取出し電極部を設けた
ことを特徴とするエレクトロクロミック素子。 2、前記低抵抗材料が金属であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183860A JPH0820648B2 (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 端面に取出し電極部を設けたec素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61183860A JPH0820648B2 (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 端面に取出し電極部を設けたec素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6338923A true JPS6338923A (ja) | 1988-02-19 |
JPH0820648B2 JPH0820648B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16143088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61183860A Expired - Lifetime JPH0820648B2 (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | 端面に取出し電極部を設けたec素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0820648B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0318515U (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-22 | ||
JPH0318516U (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-22 | ||
US5187607A (en) * | 1989-03-13 | 1993-02-16 | Nikon Corporation | Electrochromic device with low resistance electrical connections |
EP1333316A1 (en) * | 2000-11-10 | 2003-08-06 | Murakami Corporation | Solid state electrochromic element and mirror device and crt display comprising it |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60173923U (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-18 | 日産自動車株式会社 | エレクトロクロミツク素子 |
JPS6150120A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 防眩ミラ−の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-04 JP JP61183860A patent/JPH0820648B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60173923U (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-18 | 日産自動車株式会社 | エレクトロクロミツク素子 |
JPS6150120A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 防眩ミラ−の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0318515U (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-22 | ||
JP2505006Y2 (ja) * | 1989-07-03 | 1996-07-24 | 株式会社ニコン | エレクトロクロミック素子 |
JPH0318516U (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-22 | ||
EP1333316A1 (en) * | 2000-11-10 | 2003-08-06 | Murakami Corporation | Solid state electrochromic element and mirror device and crt display comprising it |
EP1333316A4 (en) * | 2000-11-10 | 2004-04-07 | Murakami Corp | SOLID-BASED ELECTROCHROMIC ELEMENT AND MIRROR AND A COMPREHENSIVE CRT DISPLAY |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0820648B2 (ja) | 1996-03-04 |
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