JPS6337615A - プラズマ電極 - Google Patents
プラズマ電極Info
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- JPS6337615A JPS6337615A JP18090886A JP18090886A JPS6337615A JP S6337615 A JPS6337615 A JP S6337615A JP 18090886 A JP18090886 A JP 18090886A JP 18090886 A JP18090886 A JP 18090886A JP S6337615 A JPS6337615 A JP S6337615A
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- electrodes
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマＣＶＤ装置等の半導体製造装置に利
用されるプラズマ電極に関する。
用されるプラズマ電極に関する。
（従来の技術）
一般にプラズマＣＶＤ装置等の半導体製造装置に用いら
れるプラズマ電極は、例えばステンレス、グラファイト
、表面に５ａｃ（シリコンカーバイド）コーティングを
施されたグラファイト等からなる円板状の電極板を多数
平行に並べ、これらの電極板列に添って平行に配置され
た２本の棒状のリード電極によって電極板を支持するよ
う構成されている。
れるプラズマ電極は、例えばステンレス、グラファイト
、表面に５ａｃ（シリコンカーバイド）コーティングを
施されたグラファイト等からなる円板状の電極板を多数
平行に並べ、これらの電極板列に添って平行に配置され
た２本の棒状のリード電極によって電極板を支持するよ
う構成されている。
これらの電極板は、一つおきに異なる側の一方のリード
電極に溶接により固着され、他方のリード電極には絶縁
体部を介して係止されるよう構成されている。
電極に溶接により固着され、他方のリード電極には絶縁
体部を介して係止されるよう構成されている。
そして、例えばプラズマＣＶＤＶｔ置では、これらの電
極板間に半導体ウェハを配置して、処理室内へ挿入し、
所定の反応ガス雰囲気下でリード電極から電極板間に高
周波電力を供給して電極板間にプラズマを発生させ、Ｃ
ＶＤを行なう。
極板間に半導体ウェハを配置して、処理室内へ挿入し、
所定の反応ガス雰囲気下でリード電極から電極板間に高
周波電力を供給して電極板間にプラズマを発生させ、Ｃ
ＶＤを行なう。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上記説明の従来のプラズマ電極では、例え
ばステンレスからなる電極板を用いたプラズマ電極では
、不純物の拡散が生じデバイスに悪影響を与えるという
問題があり、グラフフィトからなる電極板を用いたプラ
ズマ電極では、プラズマのスパッタリングによるダスト
の発生によリ、歩留まりを悪化させるという問題がある
。また、表面にＳ＋ Ｃコーティングを施されたグラフ
ァイトからなる電極板を用いたプラズマ電極では、グラ
ファイトとＳ＋ Ｃの熱膨脹係数の近いのためＳＩＣの
剥離が生じ使用期間が短く制限されるという問題がある
。
ばステンレスからなる電極板を用いたプラズマ電極では
、不純物の拡散が生じデバイスに悪影響を与えるという
問題があり、グラフフィトからなる電極板を用いたプラ
ズマ電極では、プラズマのスパッタリングによるダスト
の発生によリ、歩留まりを悪化させるという問題がある
。また、表面にＳ＋ Ｃコーティングを施されたグラフ
ァイトからなる電極板を用いたプラズマ電極では、グラ
ファイトとＳ＋ Ｃの熱膨脹係数の近いのためＳＩＣの
剥離が生じ使用期間が短く制限されるという問題がある
。
本発明は、係る従来の事情に対処してなされたもので、
不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与
えたり、歩留まりを悪化させることなく、かつ長期間使
用することのできるプラズマ電極を提供しようとするも
のである。
不純物やダストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与
えたり、歩留まりを悪化させることなく、かつ長期間使
用することのできるプラズマ電極を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、処理室内に対向配置された対をなす
電極からなり、この電極間に高周波電力が印加されプラ
ズマを生起させるプラズマ電極において、前記電極を、
表面を石英またはチタンナイトライドからなる被覆層に
よって被覆された導電性部材により構成したことを特徴
とする。
電極からなり、この電極間に高周波電力が印加されプラ
ズマを生起させるプラズマ電極において、前記電極を、
表面を石英またはチタンナイトライドからなる被覆層に
よって被覆された導電性部材により構成したことを特徴
とする。
（作用）
本発明のプラズマ電極では、電極を、表面を石英または
チタンナイトライドからなる被覆層によって被覆された
導電性部材により構成したので、不純物やダストの発生
が少なく、被膜の剥離等も生じることがない。
チタンナイトライドからなる被覆層によって被覆された
導電性部材により構成したので、不純物やダストの発生
が少なく、被膜の剥離等も生じることがない。
（実施例）
以下本発明の詳細を図面を参照して一実施例について説
明する。
明する。
第１図ないし第２図は本発明の一実施例のプラズマ電極
を示すもので、この実施例のプラズマ電極では、例えば
直径７ｍｍ １長さ１ｍ８０Ｃｍの棒状の２本のリード
電極１ａ、１ｂが平行に配置され、これらのリード電極
１ａ、１ｂ間には、一枚おきに異なった側の一方のリー
ド電極１ａ、１ｂに溶接等により固着されて電気的に接
続され、他方のリード電極１ｂ、１ａに、これらのリー
ド電極１ｂ。
を示すもので、この実施例のプラズマ電極では、例えば
直径７ｍｍ １長さ１ｍ８０Ｃｍの棒状の２本のリード
電極１ａ、１ｂが平行に配置され、これらのリード電極
１ａ、１ｂ間には、一枚おきに異なった側の一方のリー
ド電極１ａ、１ｂに溶接等により固着されて電気的に接
続され、他方のリード電極１ｂ、１ａに、これらのリー
ド電極１ｂ。
１ａに挿入された石英等からなる円筒状の絶縁体部２を
介して、その周縁部に、この円筒状の絶縁体部２の外径
に合わせて例えば円弧状等に形成されたり穴部等により
係止されて保持された、直径例えば１７５ｍｍ 、厚さ
例えば３ｍｍ程度の円板状の電極板３が多数平行に配列
されている。
介して、その周縁部に、この円筒状の絶縁体部２の外径
に合わせて例えば円弧状等に形成されたり穴部等により
係止されて保持された、直径例えば１７５ｍｍ 、厚さ
例えば３ｍｍ程度の円板状の電極板３が多数平行に配列
されている。
なお電極板３の周縁上部には、例えば深さ１順、幅３０
ｍｍ程度のピンセットさしこみ溝３ａが形成されており
、電極板３面の下部には、電極板３に設けられた小孔の
両側から挿入され、嵌合固定される構造の半導体ウェハ
支持用石英製治臭３ｂが、この電極板３表面に同心的に
配置される半導体ウェハ４の周縁部に沿った位置に、間
隔を設けて２個配置されている。
ｍｍ程度のピンセットさしこみ溝３ａが形成されており
、電極板３面の下部には、電極板３に設けられた小孔の
両側から挿入され、嵌合固定される構造の半導体ウェハ
支持用石英製治臭３ｂが、この電極板３表面に同心的に
配置される半導体ウェハ４の周縁部に沿った位置に、間
隔を設けて２個配置されている。
また、これらのリード電極１ａ、１ｂおよび電極３は、
第２図にも示すように、厚さ３〜１０μｍの石英または
チタンナイトライド（Ｔ＋ Ｎ）の被覆層３Ｃにより表
面を被覆されたカーボンあるいは導電性金属等の導電性
部材３ｄから構成されている。
第２図にも示すように、厚さ３〜１０μｍの石英または
チタンナイトライド（Ｔ＋ Ｎ）の被覆層３Ｃにより表
面を被覆されたカーボンあるいは導電性金属等の導電性
部材３ｄから構成されている。
そして、電極板３に沿って上方から半導体ウェハ４が挿
入され、石英治具３ｂに半導体ウェハ４が載置され、石
英等からなるウェハボート５上に配置される。この時、
必要に応じてウェハボート５に電極板３の間隔毎に７字
状溝を設ける場合もある。
入され、石英治具３ｂに半導体ウェハ４が載置され、石
英等からなるウェハボート５上に配置される。この時、
必要に応じてウェハボート５に電極板３の間隔毎に７字
状溝を設ける場合もある。
このような状態のウェハボート５は、例えばプラズマＣ
ＶＤ装置等の処理室内に配置され、リード電極１ａ、１
ｂが、上記プラズマＣＶＤ装置のドアフランジ６の端子
６ａ、６ｂに固定され電気的に接続される。そして、こ
の処理室内に例えばＳＩ Ｈ４とＮ８３等の所定の反応
ガスを流通させ、この反応ガス雰囲気下で端子６ａ、６
ｂからリードｍ１１ａ、１ｂを介して対向する各電極板
３間に例えば１３．５ＨＨ２等の高周波電力を印加して
、プラズマを発生させ、ＣＶ Ｄ ＩＩＩの形成等の処
理を行う。
ＶＤ装置等の処理室内に配置され、リード電極１ａ、１
ｂが、上記プラズマＣＶＤ装置のドアフランジ６の端子
６ａ、６ｂに固定され電気的に接続される。そして、こ
の処理室内に例えばＳＩ Ｈ４とＮ８３等の所定の反応
ガスを流通させ、この反応ガス雰囲気下で端子６ａ、６
ｂからリードｍ１１ａ、１ｂを介して対向する各電極板
３間に例えば１３．５ＨＨ２等の高周波電力を印加して
、プラズマを発生させ、ＣＶ Ｄ ＩＩＩの形成等の処
理を行う。
上記構成のこの実施例のプラズマ電極では、リード電極
１ａ、１ｂ、電極板３が厚さ３〜１０μｍの石英または
チタンナイトライドの被覆層３Ｃにより表面を被覆され
たカーボンあるいは導電性金属等の導電性部材３ｄから
構成されている。従って、リード電極１ａ、１ｂ、電極
板３がプラズマによりスパッタリングを受けて不純物や
ダストが発生することがなく、デバイスに悪影響を与え
たり、歩留まりを悪化させることがない。また表面コー
ティング等とは責なり、熱膨服係数等の違いにより剥離
するようなことはなく、長期間使用することができる。
１ａ、１ｂ、電極板３が厚さ３〜１０μｍの石英または
チタンナイトライドの被覆層３Ｃにより表面を被覆され
たカーボンあるいは導電性金属等の導電性部材３ｄから
構成されている。従って、リード電極１ａ、１ｂ、電極
板３がプラズマによりスパッタリングを受けて不純物や
ダストが発生することがなく、デバイスに悪影響を与え
たり、歩留まりを悪化させることがない。また表面コー
ティング等とは責なり、熱膨服係数等の違いにより剥離
するようなことはなく、長期間使用することができる。
なお、この実施例では、円板状の電極板を多数平行に配
列され、プラズマＣＶＤ装置に用いられるプラズマ電極
について説明したが、本発明は、かかる実施例に限定さ
れるものではなく、電極形状はどのようなものでもよく
、またプラズマＣＶＤ装置に限らずどのような半導体装
置に用いることができることはもちろんである。
列され、プラズマＣＶＤ装置に用いられるプラズマ電極
について説明したが、本発明は、かかる実施例に限定さ
れるものではなく、電極形状はどのようなものでもよく
、またプラズマＣＶＤ装置に限らずどのような半導体装
置に用いることができることはもちろんである。
［発明の効果コ
上述のように本発明のプラズマ電極では、不純物Ａ５ダ
ストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与えたり、歩
留まりを悪化させることなく、かつ長期間使用すること
ができる。
ストの発生が少なく、デバイスに悪影響を与えたり、歩
留まりを悪化させることなく、かつ長期間使用すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマ電極を示す斜視図
、第２図は第１図の要部の縦断面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・リード電極、３・・・・・・電
極板、４・・・・・・半導体ウェハ。
、第２図は第１図の要部の縦断面図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・リード電極、３・・・・・・電
極板、４・・・・・・半導体ウェハ。
Claims (1)
- （１）処理室内に対向配置された対をなす電極からなり
、この電極間に高周波電力が印加されプラズマを生起さ
せるプラズマ電極において、前記電極を、表面を石英ま
たはチタンナイトライドからなる被覆層によって被覆さ
れた導電性部材により構成したことを特徴とするプラズ
マ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18090886A JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18090886A JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337615A true JPS6337615A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0556853B2 JPH0556853B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=16091400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18090886A Granted JPS6337615A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| US9108804B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-08-18 | Wamgroup S.P.A. | Screw conveyor intermediate support |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
| JPS6157517U (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-17 | ||
| JPS61116843A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Sharp Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616481A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-13 | アイカ工業株式会社 | 鉄管の鋳巣補修材 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18090886A patent/JPS6337615A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5784137A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma chemical evaporation |
| JPS6157517U (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-17 | ||
| JPS61116843A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Sharp Corp | 絶縁薄膜の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| US9108804B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-08-18 | Wamgroup S.P.A. | Screw conveyor intermediate support |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556853B2 (ja) | 1993-08-20 |
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