JPS6335499A - リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法Info
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 49
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- -1 conductive sialon Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004482 other powder Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリチウムタンタレート（以下ＬｉＴａＯ３と記
す）単結晶の単一分域化方法に関するものである。
す）単結晶の単一分域化方法に関するものである。
従来引上げ法によって得たＬｉＴａ０＋多分域結晶を単
一分域化する方法のうち、結晶体と電極との接合手段に
は次の２つがある。すなわち（１）結晶切断加工面にセ
ラミックスを介して貴金属電橋板で対向させる。（２）
結晶表面に電極を接合する。
一分域化する方法のうち、結晶体と電極との接合手段に
は次の２つがある。すなわち（１）結晶切断加工面にセ
ラミックスを介して貴金属電橋板で対向させる。（２）
結晶表面に電極を接合する。
（１）の方法においては、結晶を引上げ後車−分域化前
に方位切断の必要があり、前記結晶内に熱歪または分極
歪が存在することに起因し、切断時にクラックを生じ易
い。また引上げ軸と単一分域化方向が異なる場合には、
上記切断時による切り取り損失部分が多いため歩留が低
下する。一方（２）の方法では電極としてＰｔ、Ａｇ等
の貴金属ペーストを使用しているが、単一分域化温度１
）５０°Ｃの高温状態で電界を印加するため、電極剤が
前記結晶内に拡散し、クランクその他の不都合な現象を
惹起する。上記問題点を解決する手段として、引上げ後
のＬｉＴａＯ３多分域結晶をＬｉＴａ０．結晶粉末内に
埋め込み、この粉末内にｐｔ電極板を単一分域化する方
向に挿入し、キューリー温度以上の高温に加熱して、前
記対向するＰｔ電極板に直流電圧を印加して徐冷する方
法が開示されている（特開昭５７−１４０４００号公報
参照）。
に方位切断の必要があり、前記結晶内に熱歪または分極
歪が存在することに起因し、切断時にクラックを生じ易
い。また引上げ軸と単一分域化方向が異なる場合には、
上記切断時による切り取り損失部分が多いため歩留が低
下する。一方（２）の方法では電極としてＰｔ、Ａｇ等
の貴金属ペーストを使用しているが、単一分域化温度１
）５０°Ｃの高温状態で電界を印加するため、電極剤が
前記結晶内に拡散し、クランクその他の不都合な現象を
惹起する。上記問題点を解決する手段として、引上げ後
のＬｉＴａＯ３多分域結晶をＬｉＴａ０．結晶粉末内に
埋め込み、この粉末内にｐｔ電極板を単一分域化する方
向に挿入し、キューリー温度以上の高温に加熱して、前
記対向するＰｔ電極板に直流電圧を印加して徐冷する方
法が開示されている（特開昭５７−１４０４００号公報
参照）。
上記改良方法によれば、 （１）ａｓ−ｇｒｏｗｎの形
状のまま単一分域化ができると共に、（２）電極剤の拡
散等の問題がな（、高歩留を期待できるという利点があ
ると記載されている。しかしながら、結晶体を埋め込む
べき粉末についての特性については何等の開示がないの
みならず、電気絶縁体から電気良導体まですべての材料
を包含するかの如き記載があり、実際作業への適用が困
難であるという問題点がある。
状のまま単一分域化ができると共に、（２）電極剤の拡
散等の問題がな（、高歩留を期待できるという利点があ
ると記載されている。しかしながら、結晶体を埋め込む
べき粉末についての特性については何等の開示がないの
みならず、電気絶縁体から電気良導体まですべての材料
を包含するかの如き記載があり、実際作業への適用が困
難であるという問題点がある。
本発明は上記の問題点を解消するため、前記結晶を埋め
込むべき粉末材料に必要な特性を２種々の実験の結果見
出したものであり、ｌ、１ＴａＯ＋単結晶の最適単一分
域化方法を提供することを目的とする。
込むべき粉末材料に必要な特性を２種々の実験の結果見
出したものであり、ｌ、１ＴａＯ＋単結晶の最適単一分
域化方法を提供することを目的とする。
上記従来の問題点解決のために９本発明では。
Ａ、リチウムタンタレート多分域結晶体を粉末内に全体
若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末内
に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位に
電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電極
板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多分
域結晶体を単一分域化する方法において。
若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末内
に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位に
電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電極
板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多分
域結晶体を単一分域化する方法において。
Ｂ、前記粉末を前記結晶体と前記キューリー温度近傍で
非反応かつ非拡散である材料で構成する。
非反応かつ非拡散である材料で構成する。
Ｃ０前記粉末の前記キューリー温度近傍における電気抵
抗率を１０’〜１０’Ω・Ｃｌ１ｌとする。
抗率を１０’〜１０’Ω・Ｃｌ１ｌとする。
という技術的手段を採用したのである。なおＬｉＴａｇ
、のキューリー温度は、配合組成、育成条件によって異
なるが６００°Ｃ近傍にある。
、のキューリー温度は、配合組成、育成条件によって異
なるが６００°Ｃ近傍にある。
本発明において、結晶体の全部若しくは単一分域化すべ
き一部を包囲若しくは埋め込む粉末のキューリー温度近
傍における電気抵抗率が１０３Ω・ｃｍ未満、すなわち
電気伝導度の比較的高い材料を使用すると、粉末にのみ
電流が流れてしまい。
き一部を包囲若しくは埋め込む粉末のキューリー温度近
傍における電気抵抗率が１０３Ω・ｃｍ未満、すなわち
電気伝導度の比較的高い材料を使用すると、粉末にのみ
電流が流れてしまい。
単一分域化すべき結晶体に電流が流れなくなるため不都
合である。一方電気抵抗率が１０’Ω・ｃｍを越えると
、粉末部分における電圧降下が大きすぎるため、結晶体
に所定の電圧が印加されず、単一分域化のための付勢力
が低下するため好ましくない。
合である。一方電気抵抗率が１０’Ω・ｃｍを越えると
、粉末部分における電圧降下が大きすぎるため、結晶体
に所定の電圧が印加されず、単一分域化のための付勢力
が低下するため好ましくない。
上記の粉末構成材料としては、下記のようなものが使用
できると共に、これらの２種以上の混合または複合、更
にはこれらまたは上記混合若しくは複合と他の結合材料
との混合若しくは複合であってもよい。ただし、複合系
の場合においては。
できると共に、これらの２種以上の混合または複合、更
にはこれらまたは上記混合若しくは複合と他の結合材料
との混合若しくは複合であってもよい。ただし、複合系
の場合においては。
夫々の粉末構成材料と結晶材料とが相互に化学反応を起
こす組合わせは当然に回避しなければならない。
こす組合わせは当然に回避しなければならない。
粉末構成材料としては１例えばニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム、導電サイアロン、ジルコニア、チタニ
ア等で、高温度における電気抵抗率を適切に調節された
ものを使用することができる。
タル酸リチウム、導電サイアロン、ジルコニア、チタニ
ア等で、高温度における電気抵抗率を適切に調節された
ものを使用することができる。
上に己の構成により、 Ｌ ｉ Ｔａ ０３多分域結
晶体に対しては、電極または結晶体の全部若しくは一部
の周囲を包囲する粉末との間に反応若しくは拡散を惹起
することなく、所定の電界印加によりｊｌ−一分域化が
行われるのである。
晶体に対しては、電極または結晶体の全部若しくは一部
の周囲を包囲する粉末との間に反応若しくは拡散を惹起
することなく、所定の電界印加によりｊｌ−一分域化が
行われるのである。
（実施例〕
第１図は本発明の実施例を示す単一分域化処理状態の説
明図、第２図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図であり、第２図において温度は実線で、電圧は破線で
示しである。まず２軸引上げにより育成した直径６０ｍ
＋ｍ長さ１００ｍｍのＬｉＴａｇ、単結晶を育成炉（図
示せず）から取り出した後、そのまま第１図に示すよう
にアルミナ製のるつぼ１内に装入し１次にこの結晶体２
の周囲に電気抵抗率が５００Ω・ｃｍの［，１Ｔａｏ：
＋の粉末３を充填する。なおこの粉末３内には、Ｐｔ製
の電極板４を例えばｚ軸方向に対向して配設する。
明図、第２図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図であり、第２図において温度は実線で、電圧は破線で
示しである。まず２軸引上げにより育成した直径６０ｍ
＋ｍ長さ１００ｍｍのＬｉＴａｇ、単結晶を育成炉（図
示せず）から取り出した後、そのまま第１図に示すよう
にアルミナ製のるつぼ１内に装入し１次にこの結晶体２
の周囲に電気抵抗率が５００Ω・ｃｍの［，１Ｔａｏ：
＋の粉末３を充填する。なおこの粉末３内には、Ｐｔ製
の電極板４を例えばｚ軸方向に対向して配設する。
そしてるつぼ１に結晶体２を装入したまま、均熱電気炉
（図示せず）に装入し、７５０°Ｃに加熱保持した状態
で、電極板４．４間に例えば２００■の直流電圧を印加
し２次いで８０°Ｃ／時間の割合で徐冷する。すなわち
第２図において、８０”Ｃ／時間の割合で昇温し、結晶
体２の温度が６０″Ｃに到達した時点において、破線で
示すようにＩＯＶの直流電圧を印加し１次に結晶体２の
温度が７５０”Ｃに到達した時刻ｔ０から２００Ｖ／時
間の割合で印加電圧を漸次上昇させ１時刻ｔ１から２０
０■に保持する。時刻１．から３００分後の時刻ｔ２か
ら結晶体２の温度を降下させ。
（図示せず）に装入し、７５０°Ｃに加熱保持した状態
で、電極板４．４間に例えば２００■の直流電圧を印加
し２次いで８０°Ｃ／時間の割合で徐冷する。すなわち
第２図において、８０”Ｃ／時間の割合で昇温し、結晶
体２の温度が６０″Ｃに到達した時点において、破線で
示すようにＩＯＶの直流電圧を印加し１次に結晶体２の
温度が７５０”Ｃに到達した時刻ｔ０から２００Ｖ／時
間の割合で印加電圧を漸次上昇させ１時刻ｔ１から２０
０■に保持する。時刻１．から３００分後の時刻ｔ２か
ら結晶体２の温度を降下させ。
時刻１．から１２〜１５時間後の時刻り、において電圧
の印加を解除し、ＬｉＴａ０．単結晶の単一分域化処理
を終了する０以上のようにして４５個の単一分域化処理
を行ったところ、４５個全数が完全に単一分域化されて
おり、クランクの発生は２個であった。
の印加を解除し、ＬｉＴａ０．単結晶の単一分域化処理
を終了する０以上のようにして４５個の単一分域化処理
を行ったところ、４５個全数が完全に単一分域化されて
おり、クランクの発生は２個であった。
本実施例においては、引上軸と単一分域化方向が同一の
ものについて記述したが９両者の方向が異なる場合でも
作用は同一である。また結晶体の全部若しくは単一分域
化すべき部分の周囲に充填する粉末はｌ、１Ｔａｏｓ結
晶粉末に限定せず、前記のような他の粉末材料が使用で
きることは勿論である。更にまた単結晶の育成手段が９
例えばゾーン・メルト法等の他の手段による結晶体にも
当然に使用できる。また電極板の構成材料は、ｐｔ等の
貴金属の他に１例えば導電サイアロンのようなセラミッ
クスを使用することができる。
ものについて記述したが９両者の方向が異なる場合でも
作用は同一である。また結晶体の全部若しくは単一分域
化すべき部分の周囲に充填する粉末はｌ、１Ｔａｏｓ結
晶粉末に限定せず、前記のような他の粉末材料が使用で
きることは勿論である。更にまた単結晶の育成手段が９
例えばゾーン・メルト法等の他の手段による結晶体にも
当然に使用できる。また電極板の構成材料は、ｐｔ等の
貴金属の他に１例えば導電サイアロンのようなセラミッ
クスを使用することができる。
本発明は以上記述のような構成および作用であるから、
結晶体の育成後そのままの状態で、しかも焼鈍工程を省
略した状態で、電極剤の拡散、蒸発を伴わずに、クラッ
クの発生のないｌ、 ｉ Ｔ ａ Ｏ３単結晶の単一分
域化を行うことができる。また上記単一分域化における
粉末材料の電気抵抗率を規定したことにより、最適かつ
効率的な処理を行うことができるという効果がある。
結晶体の育成後そのままの状態で、しかも焼鈍工程を省
略した状態で、電極剤の拡散、蒸発を伴わずに、クラッ
クの発生のないｌ、 ｉ Ｔ ａ Ｏ３単結晶の単一分
域化を行うことができる。また上記単一分域化における
粉末材料の電気抵抗率を規定したことにより、最適かつ
効率的な処理を行うことができるという効果がある。
第１図は本発明の実施例を示す単一分域化処理状態の説
明図、第２図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図である。 ２：結晶体、３：粉末、４：電極板。
明図、第２図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図である。 ２：結晶体、３：粉末、４：電極板。
Claims (2)
- （１）リチウムタンタレート多分域結晶体を粉末内に全
体若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末
内に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位
に電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電
極板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多
分域結晶体を単一分域化する方法において、前記粉末を
前記結晶体と前記キューリー温度近傍で非反応かつ非拡
散である材料であり、かつ前記キューリー温度近傍にお
ける電気抵抗率が１０＾３〜１０＾６Ω・ｃｍであるこ
とを特徴とするリチウムタンタレート単結晶の単一分域
化方法。 - （２）電極板を構成する材料がセラミックスである特許
請求の範囲第１項記載のリチウムタンタレート単結晶の
単一分域化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18047486A JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18047486A JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6335499A true JPS6335499A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=16083851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18047486A Pending JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6335499A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038099A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| WO2005038098A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| WO2005038097A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| JP2008043918A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Best Tech:Kk | 有機性排水の接触ばっ気処理方法及び装置 |
| CN109576791A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-05 | 河南工程学院 | 一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18047486A patent/JPS6335499A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038099A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| WO2005038098A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| WO2005038097A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
| US7442250B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-10-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method for producing same |
| US7628853B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-12-08 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and process for its manufacture |
| US7713511B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-05-11 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and process for its manufacture |
| JP2008043918A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Best Tech:Kk | 有機性排水の接触ばっ気処理方法及び装置 |
| CN109576791A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-05 | 河南工程学院 | 一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法 |
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