JPS6335499A - リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 - Google Patents
リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法Info
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- JPS6335499A JPS6335499A JP18047486A JP18047486A JPS6335499A JP S6335499 A JPS6335499 A JP S6335499A JP 18047486 A JP18047486 A JP 18047486A JP 18047486 A JP18047486 A JP 18047486A JP S6335499 A JPS6335499 A JP S6335499A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 49
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- -1 conductive sialon Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004482 other powder Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリチウムタンタレート(以下LiTaO3と記
す)単結晶の単一分域化方法に関するものである。
す)単結晶の単一分域化方法に関するものである。
従来引上げ法によって得たLiTa0+多分域結晶を単
一分域化する方法のうち、結晶体と電極との接合手段に
は次の2つがある。すなわち(1)結晶切断加工面にセ
ラミックスを介して貴金属電橋板で対向させる。(2)
結晶表面に電極を接合する。
一分域化する方法のうち、結晶体と電極との接合手段に
は次の2つがある。すなわち(1)結晶切断加工面にセ
ラミックスを介して貴金属電橋板で対向させる。(2)
結晶表面に電極を接合する。
(1)の方法においては、結晶を引上げ後車−分域化前
に方位切断の必要があり、前記結晶内に熱歪または分極
歪が存在することに起因し、切断時にクラックを生じ易
い。また引上げ軸と単一分域化方向が異なる場合には、
上記切断時による切り取り損失部分が多いため歩留が低
下する。一方(2)の方法では電極としてPt、Ag等
の貴金属ペーストを使用しているが、単一分域化温度1
)50°Cの高温状態で電界を印加するため、電極剤が
前記結晶内に拡散し、クランクその他の不都合な現象を
惹起する。上記問題点を解決する手段として、引上げ後
のLiTaO3多分域結晶をLiTa0.結晶粉末内に
埋め込み、この粉末内にpt電極板を単一分域化する方
向に挿入し、キューリー温度以上の高温に加熱して、前
記対向するPt電極板に直流電圧を印加して徐冷する方
法が開示されている(特開昭57−140400号公報
参照)。
に方位切断の必要があり、前記結晶内に熱歪または分極
歪が存在することに起因し、切断時にクラックを生じ易
い。また引上げ軸と単一分域化方向が異なる場合には、
上記切断時による切り取り損失部分が多いため歩留が低
下する。一方(2)の方法では電極としてPt、Ag等
の貴金属ペーストを使用しているが、単一分域化温度1
)50°Cの高温状態で電界を印加するため、電極剤が
前記結晶内に拡散し、クランクその他の不都合な現象を
惹起する。上記問題点を解決する手段として、引上げ後
のLiTaO3多分域結晶をLiTa0.結晶粉末内に
埋め込み、この粉末内にpt電極板を単一分域化する方
向に挿入し、キューリー温度以上の高温に加熱して、前
記対向するPt電極板に直流電圧を印加して徐冷する方
法が開示されている(特開昭57−140400号公報
参照)。
上記改良方法によれば、 (1)as−grownの形
状のまま単一分域化ができると共に、(2)電極剤の拡
散等の問題がな(、高歩留を期待できるという利点があ
ると記載されている。しかしながら、結晶体を埋め込む
べき粉末についての特性については何等の開示がないの
みならず、電気絶縁体から電気良導体まですべての材料
を包含するかの如き記載があり、実際作業への適用が困
難であるという問題点がある。
状のまま単一分域化ができると共に、(2)電極剤の拡
散等の問題がな(、高歩留を期待できるという利点があ
ると記載されている。しかしながら、結晶体を埋め込む
べき粉末についての特性については何等の開示がないの
みならず、電気絶縁体から電気良導体まですべての材料
を包含するかの如き記載があり、実際作業への適用が困
難であるという問題点がある。
本発明は上記の問題点を解消するため、前記結晶を埋め
込むべき粉末材料に必要な特性を2種々の実験の結果見
出したものであり、l、1TaO+単結晶の最適単一分
域化方法を提供することを目的とする。
込むべき粉末材料に必要な特性を2種々の実験の結果見
出したものであり、l、1TaO+単結晶の最適単一分
域化方法を提供することを目的とする。
上記従来の問題点解決のために9本発明では。
A、リチウムタンタレート多分域結晶体を粉末内に全体
若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末内
に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位に
電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電極
板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多分
域結晶体を単一分域化する方法において。
若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末内
に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位に
電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電極
板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多分
域結晶体を単一分域化する方法において。
B、前記粉末を前記結晶体と前記キューリー温度近傍で
非反応かつ非拡散である材料で構成する。
非反応かつ非拡散である材料で構成する。
C0前記粉末の前記キューリー温度近傍における電気抵
抗率を10’〜10’Ω・Cl1lとする。
抗率を10’〜10’Ω・Cl1lとする。
という技術的手段を採用したのである。なおLiTag
、のキューリー温度は、配合組成、育成条件によって異
なるが600°C近傍にある。
、のキューリー温度は、配合組成、育成条件によって異
なるが600°C近傍にある。
本発明において、結晶体の全部若しくは単一分域化すべ
き一部を包囲若しくは埋め込む粉末のキューリー温度近
傍における電気抵抗率が103Ω・cm未満、すなわち
電気伝導度の比較的高い材料を使用すると、粉末にのみ
電流が流れてしまい。
き一部を包囲若しくは埋め込む粉末のキューリー温度近
傍における電気抵抗率が103Ω・cm未満、すなわち
電気伝導度の比較的高い材料を使用すると、粉末にのみ
電流が流れてしまい。
単一分域化すべき結晶体に電流が流れなくなるため不都
合である。一方電気抵抗率が10’Ω・cmを越えると
、粉末部分における電圧降下が大きすぎるため、結晶体
に所定の電圧が印加されず、単一分域化のための付勢力
が低下するため好ましくない。
合である。一方電気抵抗率が10’Ω・cmを越えると
、粉末部分における電圧降下が大きすぎるため、結晶体
に所定の電圧が印加されず、単一分域化のための付勢力
が低下するため好ましくない。
上記の粉末構成材料としては、下記のようなものが使用
できると共に、これらの2種以上の混合または複合、更
にはこれらまたは上記混合若しくは複合と他の結合材料
との混合若しくは複合であってもよい。ただし、複合系
の場合においては。
できると共に、これらの2種以上の混合または複合、更
にはこれらまたは上記混合若しくは複合と他の結合材料
との混合若しくは複合であってもよい。ただし、複合系
の場合においては。
夫々の粉末構成材料と結晶材料とが相互に化学反応を起
こす組合わせは当然に回避しなければならない。
こす組合わせは当然に回避しなければならない。
粉末構成材料としては1例えばニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウム、導電サイアロン、ジルコニア、チタニ
ア等で、高温度における電気抵抗率を適切に調節された
ものを使用することができる。
タル酸リチウム、導電サイアロン、ジルコニア、チタニ
ア等で、高温度における電気抵抗率を適切に調節された
ものを使用することができる。
上に己の構成により、 L i Ta 03多分域結
晶体に対しては、電極または結晶体の全部若しくは一部
の周囲を包囲する粉末との間に反応若しくは拡散を惹起
することなく、所定の電界印加によりjl−一分域化が
行われるのである。
晶体に対しては、電極または結晶体の全部若しくは一部
の周囲を包囲する粉末との間に反応若しくは拡散を惹起
することなく、所定の電界印加によりjl−一分域化が
行われるのである。
(実施例〕
第1図は本発明の実施例を示す単一分域化処理状態の説
明図、第2図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図であり、第2図において温度は実線で、電圧は破線で
示しである。まず2軸引上げにより育成した直径60m
+m長さ100mmのLiTag、単結晶を育成炉(図
示せず)から取り出した後、そのまま第1図に示すよう
にアルミナ製のるつぼ1内に装入し1次にこの結晶体2
の周囲に電気抵抗率が500Ω・cmの[,1Tao:
+の粉末3を充填する。なおこの粉末3内には、Pt製
の電極板4を例えばz軸方向に対向して配設する。
明図、第2図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図であり、第2図において温度は実線で、電圧は破線で
示しである。まず2軸引上げにより育成した直径60m
+m長さ100mmのLiTag、単結晶を育成炉(図
示せず)から取り出した後、そのまま第1図に示すよう
にアルミナ製のるつぼ1内に装入し1次にこの結晶体2
の周囲に電気抵抗率が500Ω・cmの[,1Tao:
+の粉末3を充填する。なおこの粉末3内には、Pt製
の電極板4を例えばz軸方向に対向して配設する。
そしてるつぼ1に結晶体2を装入したまま、均熱電気炉
(図示せず)に装入し、750°Cに加熱保持した状態
で、電極板4.4間に例えば200■の直流電圧を印加
し2次いで80°C/時間の割合で徐冷する。すなわち
第2図において、80”C/時間の割合で昇温し、結晶
体2の温度が60″Cに到達した時点において、破線で
示すようにIOVの直流電圧を印加し1次に結晶体2の
温度が750”Cに到達した時刻t0から200V/時
間の割合で印加電圧を漸次上昇させ1時刻t1から20
0■に保持する。時刻1.から300分後の時刻t2か
ら結晶体2の温度を降下させ。
(図示せず)に装入し、750°Cに加熱保持した状態
で、電極板4.4間に例えば200■の直流電圧を印加
し2次いで80°C/時間の割合で徐冷する。すなわち
第2図において、80”C/時間の割合で昇温し、結晶
体2の温度が60″Cに到達した時点において、破線で
示すようにIOVの直流電圧を印加し1次に結晶体2の
温度が750”Cに到達した時刻t0から200V/時
間の割合で印加電圧を漸次上昇させ1時刻t1から20
0■に保持する。時刻1.から300分後の時刻t2か
ら結晶体2の温度を降下させ。
時刻1.から12〜15時間後の時刻り、において電圧
の印加を解除し、LiTa0.単結晶の単一分域化処理
を終了する0以上のようにして45個の単一分域化処理
を行ったところ、45個全数が完全に単一分域化されて
おり、クランクの発生は2個であった。
の印加を解除し、LiTa0.単結晶の単一分域化処理
を終了する0以上のようにして45個の単一分域化処理
を行ったところ、45個全数が完全に単一分域化されて
おり、クランクの発生は2個であった。
本実施例においては、引上軸と単一分域化方向が同一の
ものについて記述したが9両者の方向が異なる場合でも
作用は同一である。また結晶体の全部若しくは単一分域
化すべき部分の周囲に充填する粉末はl、1Taos結
晶粉末に限定せず、前記のような他の粉末材料が使用で
きることは勿論である。更にまた単結晶の育成手段が9
例えばゾーン・メルト法等の他の手段による結晶体にも
当然に使用できる。また電極板の構成材料は、pt等の
貴金属の他に1例えば導電サイアロンのようなセラミッ
クスを使用することができる。
ものについて記述したが9両者の方向が異なる場合でも
作用は同一である。また結晶体の全部若しくは単一分域
化すべき部分の周囲に充填する粉末はl、1Taos結
晶粉末に限定せず、前記のような他の粉末材料が使用で
きることは勿論である。更にまた単結晶の育成手段が9
例えばゾーン・メルト法等の他の手段による結晶体にも
当然に使用できる。また電極板の構成材料は、pt等の
貴金属の他に1例えば導電サイアロンのようなセラミッ
クスを使用することができる。
本発明は以上記述のような構成および作用であるから、
結晶体の育成後そのままの状態で、しかも焼鈍工程を省
略した状態で、電極剤の拡散、蒸発を伴わずに、クラッ
クの発生のないl、 i T a O3単結晶の単一分
域化を行うことができる。また上記単一分域化における
粉末材料の電気抵抗率を規定したことにより、最適かつ
効率的な処理を行うことができるという効果がある。
結晶体の育成後そのままの状態で、しかも焼鈍工程を省
略した状態で、電極剤の拡散、蒸発を伴わずに、クラッ
クの発生のないl、 i T a O3単結晶の単一分
域化を行うことができる。また上記単一分域化における
粉末材料の電気抵抗率を規定したことにより、最適かつ
効率的な処理を行うことができるという効果がある。
第1図は本発明の実施例を示す単一分域化処理状態の説
明図、第2図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図である。 2:結晶体、3:粉末、4:電極板。
明図、第2図は同温度および電圧と時間との関係を示す
図である。 2:結晶体、3:粉末、4:電極板。
Claims (2)
- (1)リチウムタンタレート多分域結晶体を粉末内に全
体若しくは単一分域化する部分のみ埋め込み、この粉末
内に、前記多分域結晶体の電界印加方向に対向する部位
に電極板を挿入し、キューリー温度近傍において前記電
極板間に電界を印加し、以後徐冷することにより前記多
分域結晶体を単一分域化する方法において、前記粉末を
前記結晶体と前記キューリー温度近傍で非反応かつ非拡
散である材料であり、かつ前記キューリー温度近傍にお
ける電気抵抗率が10^3〜10^6Ω・cmであるこ
とを特徴とするリチウムタンタレート単結晶の単一分域
化方法。 - (2)電極板を構成する材料がセラミックスである特許
請求の範囲第1項記載のリチウムタンタレート単結晶の
単一分域化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18047486A JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18047486A JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6335499A true JPS6335499A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=16083851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18047486A Pending JPS6335499A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | リチウムタンタレ−ト単結晶の単一分域化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6335499A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005038099A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005038098A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005038097A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
JP2008043918A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Best Tech:Kk | 有機性排水の接触ばっ気処理方法及び装置 |
CN109576791A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-05 | 河南工程学院 | 一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18047486A patent/JPS6335499A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005038099A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005038098A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005038097A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
US7442250B2 (en) | 2003-10-16 | 2008-10-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and method for producing same |
US7628853B2 (en) | 2003-10-16 | 2009-12-08 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and process for its manufacture |
US7713511B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-05-11 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Lithium tantalate substrate and process for its manufacture |
JP2008043918A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Best Tech:Kk | 有機性排水の接触ばっ気処理方法及び装置 |
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