JPS633463B2 - - Google Patents
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- JPS633463B2 JPS633463B2 JP53107043A JP10704378A JPS633463B2 JP S633463 B2 JPS633463 B2 JP S633463B2 JP 53107043 A JP53107043 A JP 53107043A JP 10704378 A JP10704378 A JP 10704378A JP S633463 B2 JPS633463 B2 JP S633463B2
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- lead
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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- H01L2224/0554—External layer
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
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- Power Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良された半導体装置用リードフレー
ムに関するものである。
ムに関するものである。
樹脂封止型半導体装置は、その量産性及び低価
格ゆえに広く採用されている。そして本装置はリ
ードフレームを用いて製造するのが一般的であ
る。このリードフレームは、例えば第1図の平面
図に示すように、コバール等の金属薄板を写真蝕
刻法あるいはプレス加工により、外枠1a,1b
間に半導体素子2を固着するための素子載置部
3、リード4a,4b………、そのリードを固定
している内枠5が一体的に形成されている。リー
ド4a,4b………、はその本数が14本、16本、
20本等半導体装置の違いにより各種のものが使用
されている。
格ゆえに広く採用されている。そして本装置はリ
ードフレームを用いて製造するのが一般的であ
る。このリードフレームは、例えば第1図の平面
図に示すように、コバール等の金属薄板を写真蝕
刻法あるいはプレス加工により、外枠1a,1b
間に半導体素子2を固着するための素子載置部
3、リード4a,4b………、そのリードを固定
している内枠5が一体的に形成されている。リー
ド4a,4b………、はその本数が14本、16本、
20本等半導体装置の違いにより各種のものが使用
されている。
ここでは14本のリードを有するリードフレーム
について説明する。このリードフレームに対して
13個の電極を有する半導体素子2を組立てる場
合、例えばリード4bには金属細線接続をする必
要がないとすると、他の13本のリード4a,4
c,4d………に金属細線6を介して半導体素子
の電極とリードとが接続される。
について説明する。このリードフレームに対して
13個の電極を有する半導体素子2を組立てる場
合、例えばリード4bには金属細線接続をする必
要がないとすると、他の13本のリード4a,4
c,4d………に金属細線6を介して半導体素子
の電極とリードとが接続される。
このようなリードフレームの場合、接続を行わ
ないリード4bも他のリード4a,4c,4d…
……とその先端位置が同様の位置に形成されてい
るため、金属細線接続部の先端幅lが狭くなり、
リード4a,4c………への金属細線接続を正確
に行うことは難しくなつてくる。
ないリード4bも他のリード4a,4c,4d…
……とその先端位置が同様の位置に形成されてい
るため、金属細線接続部の先端幅lが狭くなり、
リード4a,4c………への金属細線接続を正確
に行うことは難しくなつてくる。
特に40本、42本等の本数の多いリードを有する
リードフレームの場合は特に問題になつてくる。
リードフレームの場合は特に問題になつてくる。
本発明は以上の点を改善した樹脂封止型半導体
装置用リードフレームを提供するものである。
装置用リードフレームを提供するものである。
即ち、金属薄板を写真蝕刻又はプレス加工によ
り、金属細線を接続しないリードは、その先端位
置を他のリードの先端位置より後方に下げ、生じ
た間隙を他のリードの内部先端幅を広げて補填せ
しめたリードフレームを提供する。
り、金属細線を接続しないリードは、その先端位
置を他のリードの先端位置より後方に下げ、生じ
た間隙を他のリードの内部先端幅を広げて補填せ
しめたリードフレームを提供する。
このようにして製作されたリードフレームを使
用すれば、素子載置部に素子を固着し、次に素子
と外部リードとを金属細線を介して接続する場
合、リードの金属細線接続部の先端幅lが広いの
で接続位置ズレに対して有利となり、歩留り良く
金属細線の接続を行うことができる。
用すれば、素子載置部に素子を固着し、次に素子
と外部リードとを金属細線を介して接続する場
合、リードの金属細線接続部の先端幅lが広いの
で接続位置ズレに対して有利となり、歩留り良く
金属細線の接続を行うことができる。
以下、実施例について説明する。第2図は本発
明によるリードフレームの平面図を示す。250μ
m厚のコバール薄板を、写真蝕刻法により外枠1
a,1b間に半導体素子を固着するための素子載
置部3、外部リード4a,4′,4c,4d,…
……、外部リードを固定している内枠5がそれぞ
れ設けられ、金属細線を接続しないリード4′は
その先端位置を他のリード4a,4c,………の
先端より後方に下げた位置に形成しておく。この
ことにより従来第1図における素子載置部3の上
辺の右部の2本(4a,4b)と右辺の3本(4
c,4d、その隣の1本)との合計5本で占めて
いた位置が、本実施例では第2図のように4本
(4a,4c,4d、その隣の1本)になるので
各リード先端の幅を約20%程度広くすることがで
きる。
明によるリードフレームの平面図を示す。250μ
m厚のコバール薄板を、写真蝕刻法により外枠1
a,1b間に半導体素子を固着するための素子載
置部3、外部リード4a,4′,4c,4d,…
……、外部リードを固定している内枠5がそれぞ
れ設けられ、金属細線を接続しないリード4′は
その先端位置を他のリード4a,4c,………の
先端より後方に下げた位置に形成しておく。この
ことにより従来第1図における素子載置部3の上
辺の右部の2本(4a,4b)と右辺の3本(4
c,4d、その隣の1本)との合計5本で占めて
いた位置が、本実施例では第2図のように4本
(4a,4c,4d、その隣の1本)になるので
各リード先端の幅を約20%程度広くすることがで
きる。
このようにして製作されたリードフレームは、
金属細線接続部のリード先端幅lが従来と比較し
て広くなり、歩留り良く金属細線接続を行うこと
ができる。このようにリード内部の集中した先端
部は非常に密集しているので、その内の1本が減
るだけでもかなり効果が出る。
金属細線接続部のリード先端幅lが従来と比較し
て広くなり、歩留り良く金属細線接続を行うこと
ができる。このようにリード内部の集中した先端
部は非常に密集しているので、その内の1本が減
るだけでもかなり効果が出る。
本発明では、説明を簡単にするため14本のリー
ドを有するリードフレームについて述べたが、多
数のリード例えば40本あるいは42本のリードを有
するようなリードフレームに於いては効果がさら
に大きくなる。
ドを有するリードフレームについて述べたが、多
数のリード例えば40本あるいは42本のリードを有
するようなリードフレームに於いては効果がさら
に大きくなる。
第1図は従来のリードフレームの平面図を、第
2図は本発明によるリードフレームの平面図をそ
れぞれ示す。 1a,1b……外枠、2……半導体素子、3…
…素子載置部、4a,4c,4d……リード、4
b,4′……細線接続しないリード、5……内枠、
6……金属細線。
2図は本発明によるリードフレームの平面図をそ
れぞれ示す。 1a,1b……外枠、2……半導体素子、3…
…素子載置部、4a,4c,4d……リード、4
b,4′……細線接続しないリード、5……内枠、
6……金属細線。
Claims (1)
- 1 素子載置部と金属細線で素子と接続するリー
ドと、素子と接続しないリードとを含む半導体装
置用リードフレームにおいて、前記素子と接続し
ないリードの先端部を、前記素子と接続するリー
ドの先端部よりも前記素子載置部から長距離離隔
せしめたことを特徴とする半導体装置用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10704378A JPS5534453A (en) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | Lead frame for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10704378A JPS5534453A (en) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | Lead frame for semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5534453A JPS5534453A (en) | 1980-03-11 |
JPS633463B2 true JPS633463B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=14449064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10704378A Granted JPS5534453A (en) | 1978-08-31 | 1978-08-31 | Lead frame for semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5534453A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6234454Y2 (ja) * | 1980-09-30 | 1987-09-02 | ||
JPS60123118A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子等のパッケ−ジ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS522168A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Composite molding machine |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5132264U (ja) * | 1974-08-30 | 1976-03-09 | ||
JPS53100875U (ja) * | 1977-01-19 | 1978-08-15 |
-
1978
- 1978-08-31 JP JP10704378A patent/JPS5534453A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS522168A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Composite molding machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5534453A (en) | 1980-03-11 |
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