JPS63309947A - レジストパタ−ンの現像方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの現像方法Info
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- JPS63309947A JPS63309947A JP14585187A JP14585187A JPS63309947A JP S63309947 A JPS63309947 A JP S63309947A JP 14585187 A JP14585187 A JP 14585187A JP 14585187 A JP14585187 A JP 14585187A JP S63309947 A JPS63309947 A JP S63309947A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、レジストパターンの現像方法に関し、特に
写真製版技術により半導体集積回路等を製造するときの
マスクに利用されるレジストパターン形成工程において
、基板上に塗布されたレジストを露光後現像するレジス
トパターンの現像方法に関するものである。
写真製版技術により半導体集積回路等を製造するときの
マスクに利用されるレジストパターン形成工程において
、基板上に塗布されたレジストを露光後現像するレジス
トパターンの現像方法に関するものである。
[従来の技術]
第3図(a )〜(e )は、従来のレジストパターン
の現像方法を工程順に示したm断面図である。
の現像方法を工程順に示したm断面図である。
図において、1はポジ型レジスト、2は基板、3は基板
2がその上に載せられるスライダ、4はスライダ3から
基板2がその上に載せられる真空チャック、5bは真空
チャック4を回転させる回転用モータ、6は現像液吐出
用ノズル、7は現像液吐出用ノズル6より吐出された現
像液、8はリンス液吐出用ノズルである。
2がその上に載せられるスライダ、4はスライダ3から
基板2がその上に載せられる真空チャック、5bは真空
チャック4を回転させる回転用モータ、6は現像液吐出
用ノズル、7は現像液吐出用ノズル6より吐出された現
像液、8はリンス液吐出用ノズルである。
まず、(a)、(b)を参照して、ポジ型レジスト1が
塗布された基板2は、スライダ3が矢印Eで示される方
向に移動することにより固定された真空チャック4上に
載せられる。
塗布された基板2は、スライダ3が矢印Eで示される方
向に移動することにより固定された真空チャック4上に
載せられる。
次に、(C)を参照して、現像液吐出用ノズル6より現
像液が矢印Fで示される方向にポジ型しシスト1の上に
吐出される。このとき、通常、現像液がポジ型レジスト
1の上に均一にかかるように、回転用モータ5bによっ
て真空チャック4を矢印Gで示される方向に回転させる
。
像液が矢印Fで示される方向にポジ型しシスト1の上に
吐出される。このとき、通常、現像液がポジ型レジスト
1の上に均一にかかるように、回転用モータ5bによっ
て真空チャック4を矢印Gで示される方向に回転させる
。
(d )を参照して、現像液7が数10秒間、ポジ型レ
ジスト1の上に盛られた状態が続き、その間に現像が進
行し、除去されるべきポジ型レジスト1の粒子が浮遊す
る。このとき、現像中に現像液7の入替えを行なう場合
もある。この場合には(d )から(C)の状態へ戻り
、さらに(d )へ進む工程をとる。
ジスト1の上に盛られた状態が続き、その間に現像が進
行し、除去されるべきポジ型レジスト1の粒子が浮遊す
る。このとき、現像中に現像液7の入替えを行なう場合
もある。この場合には(d )から(C)の状態へ戻り
、さらに(d )へ進む工程をとる。
さらに、(e)を参照して、所定の現像時間が経過する
と、真空チャック4を矢印Gで示される方向に回転させ
ながら、リンス液吐出用ノズル8よりリンス液が矢印H
で示される方向に吐出される。このリンス液により、ポ
ジ型レジスト1上の現像液7、溶解したポジ型レジスト
1の粒子を除去し、真空チャック4の高速回転により乾
燥させ、yA像工程が完了する。
と、真空チャック4を矢印Gで示される方向に回転させ
ながら、リンス液吐出用ノズル8よりリンス液が矢印H
で示される方向に吐出される。このリンス液により、ポ
ジ型レジスト1上の現像液7、溶解したポジ型レジスト
1の粒子を除去し、真空チャック4の高速回転により乾
燥させ、yA像工程が完了する。
[発明が解決しようとする問題点〕
上述のような従来の現像方法によって、微小なコンタク
トホールのようなパターンを現像する場合を工程順に示
した部分側断面図を第4図に示す。
トホールのようなパターンを現像する場合を工程順に示
した部分側断面図を第4図に示す。
図において、1はポジ型レジストであり、1aはポジ型
レジストの未露光部、1bはポジ型レジストの露光部で
ある。
レジストの未露光部、1bはポジ型レジストの露光部で
ある。
まず、(a )は露光後のポジ型レジスト1の塗膜を有
する基板2が真空チャック4の上に載せられた状態を示
している。次に、(b)は露光後のポジ型レジスト1の
上に現像液7が盛られた状態である。(C)ではポジ型
レジストの露光部1bが現像液7により溶解した様子を
示し、未溶解部分を底部に残したまま、現像液7は既に
除去された状態が示されている。(d )は(C)の1
部分を拡大した図である。ここで、(C)、(d)に示
すように除去されるべきレジスト、この場合ポジ型レジ
ストの露光部1bの底部では現像液7との置換が困難と
なり、既に現像能力が衰えた現像液がポジ型レジストの
露光部1bとの界面近傍に存在しやすい。このため、そ
の界面近傍のみにおいて他と比べて現像速度が劣り、除
去されるべきレジストを部分的に残し、所望のパターン
が得られない等の問題点があった。
する基板2が真空チャック4の上に載せられた状態を示
している。次に、(b)は露光後のポジ型レジスト1の
上に現像液7が盛られた状態である。(C)ではポジ型
レジストの露光部1bが現像液7により溶解した様子を
示し、未溶解部分を底部に残したまま、現像液7は既に
除去された状態が示されている。(d )は(C)の1
部分を拡大した図である。ここで、(C)、(d)に示
すように除去されるべきレジスト、この場合ポジ型レジ
ストの露光部1bの底部では現像液7との置換が困難と
なり、既に現像能力が衰えた現像液がポジ型レジストの
露光部1bとの界面近傍に存在しやすい。このため、そ
の界面近傍のみにおいて他と比べて現像速度が劣り、除
去されるべきレジストを部分的に残し、所望のパターン
が得られない等の問題点があった。
そこで、この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、微小なコンタクトホールのような
パターンを現像するときにおいても所望のパターンが得
られるレジストパターンの現像方法を提供することを目
的とする。
めになされたもので、微小なコンタクトホールのような
パターンを現像するときにおいても所望のパターンが得
られるレジストパターンの現像方法を提供することを目
的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に従ったレジストパターンの現像方法は、基板
上にレジスト材料を塗布し、形成されたレジスト塗膜に
マスクを介して露光後、転写されたパターンを瑣会する
レジストパターンの現像方法において、露光後のレジス
ト塗膜が形成された基板を、レジスト塗膜が基板に対し
て下方になるように現像液中に浸漬し、かつ、基板およ
び現像液のうち少なくともいずれかを揺動させながら、
転写されたパターンを現像し、さらに、この現像液を現
像されるべき基板ごとに取替えることを特徴とするもの
である。
上にレジスト材料を塗布し、形成されたレジスト塗膜に
マスクを介して露光後、転写されたパターンを瑣会する
レジストパターンの現像方法において、露光後のレジス
ト塗膜が形成された基板を、レジスト塗膜が基板に対し
て下方になるように現像液中に浸漬し、かつ、基板およ
び現像液のうち少なくともいずれかを揺動させながら、
転写されたパターンを現像し、さらに、この現像液を現
像されるべき基板ごとに取替えることを特徴とするもの
である。
[作用コ
この発明におけるレジストパターンの現像方法は、レジ
スト塗膜が基板に対して下方になるように現像液中に浸
漬するので、溶解されるべきレジスト塗膜表面が現像液
に接すると、溶解したレジストの粒子が容易に現像液中
に流出する。また、基板あるいは現像液を揺動させるこ
とにより、現像液が循環し、新鮮な現像液がレジスト塗
膜との界面に接し、現像が促進され得る。さらに、現像
液を基板ごとに取替えることにより、常に新鮮な現像液
が現像処理に用いられ、現像を進行する。
スト塗膜が基板に対して下方になるように現像液中に浸
漬するので、溶解されるべきレジスト塗膜表面が現像液
に接すると、溶解したレジストの粒子が容易に現像液中
に流出する。また、基板あるいは現像液を揺動させるこ
とにより、現像液が循環し、新鮮な現像液がレジスト塗
膜との界面に接し、現像が促進され得る。さらに、現像
液を基板ごとに取替えることにより、常に新鮮な現像液
が現像処理に用いられ、現像を進行する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図<a >〜(C)はこの発明に従った一実論例による
レジストパターンの現像方法を工程順に示した側断面図
である。図において、1はポジ型レジスト、2は基板、
3はその上に基板2が載せられるスライダ、4はスライ
ダ3から基板2がその上に載せられる真空チャック、5
aは真空チャック4を回転させ、または上下に移動させ
る回転・上下駆動用モータ、7は現像液、9は現像液7
が保持される現像液槽、10は現像液槽9の下方に設け
られる超音波発掘器である。
図<a >〜(C)はこの発明に従った一実論例による
レジストパターンの現像方法を工程順に示した側断面図
である。図において、1はポジ型レジスト、2は基板、
3はその上に基板2が載せられるスライダ、4はスライ
ダ3から基板2がその上に載せられる真空チャック、5
aは真空チャック4を回転させ、または上下に移動させ
る回転・上下駆動用モータ、7は現像液、9は現像液7
が保持される現像液槽、10は現像液槽9の下方に設け
られる超音波発掘器である。
まず、(a)を参照して、露光が完了したポジ型レジス
ト1の塗膜を有する基板2は、スライダ3から真空チャ
ック4上に載せられる。
ト1の塗膜を有する基板2は、スライダ3から真空チャ
ック4上に載せられる。
次に、(b)を参照すると、回転・上下駆動用モータ5
aに連結された支点を中心に矢印Aで示される方向に、
真空チャック4によって保持された基板2を1800回
転させ、その慢現像液7が循環され、一定温度に保たれ
ている現像液槽9中に矢印Bで示す方向に浸漬すること
によって現像が開始する。このとき、ポジ型レジスト1
が基板2に対し下方になるように、下向きに現像液7中
に浸漬される。
aに連結された支点を中心に矢印Aで示される方向に、
真空チャック4によって保持された基板2を1800回
転させ、その慢現像液7が循環され、一定温度に保たれ
ている現像液槽9中に矢印Bで示す方向に浸漬すること
によって現像が開始する。このとき、ポジ型レジスト1
が基板2に対し下方になるように、下向きに現像液7中
に浸漬される。
その襖、(C)で示されるように、この基板2が回転・
上下駆動用モータ5aによって矢印Cで示される方向に
上下に揺動することにより、現像液に可溶なレジスト、
この場合ポジ型レジスト1の露光部分が溶解し、現像液
7中に遊離する。この場合、常にポジ型レジスト1との
界面に接する現像液7が基板2の揺動により循環され、
現像能力に富んだ現像液7がポジ型レジスト1表面に接
することになる。また、現像液7を現像されるべき基板
2ごとに取替えることによって常に現像能力に富んだ現
像液が用いられることになる。
上下駆動用モータ5aによって矢印Cで示される方向に
上下に揺動することにより、現像液に可溶なレジスト、
この場合ポジ型レジスト1の露光部分が溶解し、現像液
7中に遊離する。この場合、常にポジ型レジスト1との
界面に接する現像液7が基板2の揺動により循環され、
現像能力に富んだ現像液7がポジ型レジスト1表面に接
することになる。また、現像液7を現像されるべき基板
2ごとに取替えることによって常に現像能力に富んだ現
像液が用いられることになる。
上述のような本発明に従った現像方法によって、微小な
コンタクトホールのようなパターンを現像する場合を工
程順に示した部分側断面図を第2図に示す。図において
、1はポジ型レジストであり、1aはポジ型レジストの
未露光部、1hはポジ型レジストの露光部である。
コンタクトホールのようなパターンを現像する場合を工
程順に示した部分側断面図を第2図に示す。図において
、1はポジ型レジストであり、1aはポジ型レジストの
未露光部、1hはポジ型レジストの露光部である。
まず、(a >は露光部のポジ型レジスト1の塗膜を有
する基板2が、ポジ型レジスト1の塗膜が基板2に対し
て下方になるように、真空チャック4によって保持され
ている状態を示している。次に、(b)は(a)に示す
状態で現像液7中に露光後の基板2が浸漬されている状
態である。(C)ではポジ型レジストの露光部1bが現
像液7によって全部溶解した様子が示されている。(d
)は(C)のD部分を拡大した図である。
する基板2が、ポジ型レジスト1の塗膜が基板2に対し
て下方になるように、真空チャック4によって保持され
ている状態を示している。次に、(b)は(a)に示す
状態で現像液7中に露光後の基板2が浸漬されている状
態である。(C)ではポジ型レジストの露光部1bが現
像液7によって全部溶解した様子が示されている。(d
)は(C)のD部分を拡大した図である。
このように、(b)に示すポジ型レジストの露光部1b
は現像処理後、(c)、(d)に示すように底部に残る
ことなく除去されることが十分可能である。
は現像処理後、(c)、(d)に示すように底部に残る
ことなく除去されることが十分可能である。
リンス洗浄、乾燥は別像終了後、真空チャック4が回転
・上下駆動用モータ5aにより上方に移動することによ
り、ポジ型レジスト1の塗膜を有する基板2は現象液槽
9から遠ざけられ、その侵現像処理前と逆に180’回
転させられた模、第3図(e)で示されるように従来法
と同様に行なう。
・上下駆動用モータ5aにより上方に移動することによ
り、ポジ型レジスト1の塗膜を有する基板2は現象液槽
9から遠ざけられ、その侵現像処理前と逆に180’回
転させられた模、第3図(e)で示されるように従来法
と同様に行なう。
なお、上記実施例では基板2が揺動することによってポ
ジ型レジスト1の表面と接する現像液7の新鮮さを保と
うとしたが、基板2を固定にし、現像液槽9の下方に超
音波発掘器10を設けて現像液7中に超音波を発掘させ
ることによって現像液7を揺動しでもよい。さらに、現
像能力を高めるために、この現像液7の揺動と基板2の
揺動とを同時に行なってもよい。
ジ型レジスト1の表面と接する現像液7の新鮮さを保と
うとしたが、基板2を固定にし、現像液槽9の下方に超
音波発掘器10を設けて現像液7中に超音波を発掘させ
ることによって現像液7を揺動しでもよい。さらに、現
像能力を高めるために、この現像液7の揺動と基板2の
揺動とを同時に行なってもよい。
また、現像終了後のリンス洗浄、乾燥はこの実施例では
従来法と同じ方法を示したが、現像液槽とは別に洗浄槽
を設け、その中に基板を通過させることによる洗浄、エ
アによる吹付けや蒸気による乾燥等を用いてもよい。
従来法と同じ方法を示したが、現像液槽とは別に洗浄槽
を設け、その中に基板を通過させることによる洗浄、エ
アによる吹付けや蒸気による乾燥等を用いてもよい。
上記実施例では感光性樹脂としてポジ型レジストを用い
た例を示したが、ネガ型レジストを用いても適用できる
ことは言うまでもない。
た例を示したが、ネガ型レジストを用いても適用できる
ことは言うまでもない。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、レジストと現像液と
の界面で常に新鮮な、現像能力のある現像液が存在する
ように構成したので、開口面が小さく、かつ、深いコン
タクトホールのバターニング等においても所望のパター
ンに近いレジストパターンを得ることが可能となる。
の界面で常に新鮮な、現像能力のある現像液が存在する
ように構成したので、開口面が小さく、かつ、深いコン
タクトホールのバターニング等においても所望のパター
ンに近いレジストパターンを得ることが可能となる。
第1図はこの発明の一実論例によるレジストパターンの
現一方法を説明するための側断面図、第2図はこの発明
の方法によって所望のレジストパターンが得られる過程
を示す部分側断面図、第3図は従来のレジストパターン
の瑛像方法を説明するための側断面図、第4図は従来の
方法によってレジストパターンが得られる過程を示す部
分側断面図である。 図において、1はポジ型レジスト、2は基板、5aは回
転・上下駆動用モータ、7は現像液、9は現像液槽、1
0は超音波発振器である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 ((IL、) 萬2図 萬3図
現一方法を説明するための側断面図、第2図はこの発明
の方法によって所望のレジストパターンが得られる過程
を示す部分側断面図、第3図は従来のレジストパターン
の瑛像方法を説明するための側断面図、第4図は従来の
方法によってレジストパターンが得られる過程を示す部
分側断面図である。 図において、1はポジ型レジスト、2は基板、5aは回
転・上下駆動用モータ、7は現像液、9は現像液槽、1
0は超音波発振器である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第1図 ((IL、) 萬2図 萬3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にレジスト材料を塗布し、形成されたレジスト塗
膜にマスクを介して露光後、転写されたパターンを現像
するレジストパターンの現像方法において、 露光後のレジスト塗膜が形成された基板を、レジスト塗
膜が基板に対して下方になるように現像液中に浸漬し、
かつ、前記基板および前記現像液のうち少なくともいず
れかを揺動させながら、転写されたパターンを現像し、
さらに、 前記現像液を現像されるべき前記基板ごとに取替えるこ
とを特徴とする、レジストパターンの現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14585187A JPS63309947A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | レジストパタ−ンの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14585187A JPS63309947A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | レジストパタ−ンの現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63309947A true JPS63309947A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15394559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14585187A Pending JPS63309947A (ja) | 1987-06-10 | 1987-06-10 | レジストパタ−ンの現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63309947A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283608A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湯水混合制御装置 |
JPH03186851A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-14 | Fujitsu Ltd | フォトレジストの現像方法 |
-
1987
- 1987-06-10 JP JP14585187A patent/JPS63309947A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01283608A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湯水混合制御装置 |
JPH03186851A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-14 | Fujitsu Ltd | フォトレジストの現像方法 |
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