JPS6330585B2 - - Google Patents
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- JPS6330585B2 JPS6330585B2 JP54017955A JP1795579A JPS6330585B2 JP S6330585 B2 JPS6330585 B2 JP S6330585B2 JP 54017955 A JP54017955 A JP 54017955A JP 1795579 A JP1795579 A JP 1795579A JP S6330585 B2 JPS6330585 B2 JP S6330585B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
-
- G—PHYSICS
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- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプローブ装置特にZ軸上の面接触を感
知する検出器を有するプローブ装置およびZ軸上
の表面接触を感知する複数個のこのようなデータ
検出器プローブを有して表面縁を検出し、平面化
の監視を可能として半導体薄片の表面への過剰移
動を制御するマルチプローブテスト装置に関する
ものである。
知する検出器を有するプローブ装置およびZ軸上
の表面接触を感知する複数個のこのようなデータ
検出器プローブを有して表面縁を検出し、平面化
の監視を可能として半導体薄片の表面への過剰移
動を制御するマルチプローブテスト装置に関する
ものである。
電子回路の形成において集積回路は上面に多数
のマトリクス即ちマイクロ回路を有する半導体薄
片から製作することができる。一般に各薄片は同
種のマイクロ回路の多数の同じ繰返しマトリクス
を有している。個々のユニツト即ち回路はしばし
ば集積回路チツプもしくは個別バー(individual
bar)と呼ばれる。
のマトリクス即ちマイクロ回路を有する半導体薄
片から製作することができる。一般に各薄片は同
種のマイクロ回路の多数の同じ繰返しマトリクス
を有している。個々のユニツト即ち回路はしばし
ば集積回路チツプもしくは個別バー(individual
bar)と呼ばれる。
配送する前に薄片は所望の集積回路要素もしく
はその組合せに分離するに先立つて薄片即ちウエ
ハ上の各集積回路チツプの各回路をテストするの
が現状である。
はその組合せに分離するに先立つて薄片即ちウエ
ハ上の各集積回路チツプの各回路をテストするの
が現状である。
各ウエハの各マイクロ回路即ち集積回路は通常
隣接回路ユニツトに関して所定の精度で配置され
ているため、プローブを被試験回路に対応する各
所定点上に正確に配置できるならば回路をテスト
することができる。例えば一つの集積回路上のい
くつかの異なる点を同時にテストすることができ
る。
隣接回路ユニツトに関して所定の精度で配置され
ているため、プローブを被試験回路に対応する各
所定点上に正確に配置できるならば回路をテスト
することができる。例えば一つの集積回路上のい
くつかの異なる点を同時にテストすることができ
る。
薄片を損傷せずに信頼できるテストを行なうに
はテスト手順中に克服すべき障害がいくつかあ
る。針が接続された支持体を有するテストプロー
ブの使用における困難の一つは、プローブ針頭が
接触すると半導体ウエハの表面上に擦傷ができる
ことである。これは有効なZ軸制御が行われない
ために生じる。Z軸はチヤツクのプローブ先端に
対する垂直運動により確立される方向である。特
にZ軸制御は大きな薄片表面上の127ミクロン
(5mミル)にも達する薄片の表面反りを補償し、
ウエハとの接触点を定め、プローブ先端が薄片か
ら離れる時点を定める即ち縁検出に必要である。
はテスト手順中に克服すべき障害がいくつかあ
る。針が接続された支持体を有するテストプロー
ブの使用における困難の一つは、プローブ針頭が
接触すると半導体ウエハの表面上に擦傷ができる
ことである。これは有効なZ軸制御が行われない
ために生じる。Z軸はチヤツクのプローブ先端に
対する垂直運動により確立される方向である。特
にZ軸制御は大きな薄片表面上の127ミクロン
(5mミル)にも達する薄片の表面反りを補償し、
ウエハとの接触点を定め、プローブ先端が薄片か
ら離れる時点を定める即ち縁検出に必要である。
半導体薄片テストはカリフオルニア州メンロパ
ーク、エレクトログラス社(Electroglas Corp.)
製モデル1034Xマルチプローブ等のマルチプロー
ブ機上で行われる。マルチプローブ機は半導体薄
片に対して信号を注入してテストデータを集める
一連のデータプローブを付随する印刷回路板であ
るプローブカードを有している。この方法は電気
スイツチ機構を有するデータプローブ形状のプロ
ーブカード上に縁センサを有する。動作上従来の
縁センサはプローブ先端がシリコン薄片と接触す
る時電気的に開路するように作用する。この開路
はマルチプローブ装置によつて検出されテスト手
順が継続される。チヤツク即ち半導体薄片の支持
ブロツクが垂直に移動してプローブ先端と接触し
た時縁センサが接触を検出しないと開路状態は生
じず、マルチプローブ装置はインデツクス手順を
行ない薄片を移動してデータプローブが集積回路
チツプの次の列上に来るようにする。この従来の
縁センサは信頼度が低く、チヤツクが連続的に上
向きに移動してプローブ先端接触が確認されない
時にチツプに損傷を与えマルチプローブ装置の故
障時間の大きな原因となつている。プローブ先端
が薄片と接触した後チヤツクを更に25.4〜27.μ
(1〜5ミル)だけ余分に移動させて酸化物層を
貫通させて能動回路素子と電気的に良好に接触さ
せる必要があり、この技術はスクラブ―イン
(scrub―in)と呼ばれている。プローブと薄片と
の接触が確認されないと過剰移動は制御されず、
その結果プローブ先端が破損し余分な過剰移動が
生じチツプが破損してマルチプローブ機のダウン
タイムを生じる。
ーク、エレクトログラス社(Electroglas Corp.)
製モデル1034Xマルチプローブ等のマルチプロー
ブ機上で行われる。マルチプローブ機は半導体薄
片に対して信号を注入してテストデータを集める
一連のデータプローブを付随する印刷回路板であ
るプローブカードを有している。この方法は電気
スイツチ機構を有するデータプローブ形状のプロ
ーブカード上に縁センサを有する。動作上従来の
縁センサはプローブ先端がシリコン薄片と接触す
る時電気的に開路するように作用する。この開路
はマルチプローブ装置によつて検出されテスト手
順が継続される。チヤツク即ち半導体薄片の支持
ブロツクが垂直に移動してプローブ先端と接触し
た時縁センサが接触を検出しないと開路状態は生
じず、マルチプローブ装置はインデツクス手順を
行ない薄片を移動してデータプローブが集積回路
チツプの次の列上に来るようにする。この従来の
縁センサは信頼度が低く、チヤツクが連続的に上
向きに移動してプローブ先端接触が確認されない
時にチツプに損傷を与えマルチプローブ装置の故
障時間の大きな原因となつている。プローブ先端
が薄片と接触した後チヤツクを更に25.4〜27.μ
(1〜5ミル)だけ余分に移動させて酸化物層を
貫通させて能動回路素子と電気的に良好に接触さ
せる必要があり、この技術はスクラブ―イン
(scrub―in)と呼ばれている。プローブと薄片と
の接触が確認されないと過剰移動は制御されず、
その結果プローブ先端が破損し余分な過剰移動が
生じチツプが破損してマルチプローブ機のダウン
タイムを生じる。
本発明の出願人に譲渡された1978年1月30日出
願の米国特許出願第873564号「プローブ接触決定
方法および装置」(Method and apparatus for
determining probe contact)(昭和54年11月13
日公開の特開昭54−145482号に相当)には端検出
およびZ軸制御装置が説明されている。この装置
は感力材を取付けたプローブ形状をしており、プ
ローブ先端との面接触が行なわれると感力材上に
分布される力が信号を発生し外部検出器回路で検
出されてマルチプローブ装置へ送出される。この
装置は上面に集積回路を有する半導体薄片の縁感
知に使用される。
願の米国特許出願第873564号「プローブ接触決定
方法および装置」(Method and apparatus for
determining probe contact)(昭和54年11月13
日公開の特開昭54−145482号に相当)には端検出
およびZ軸制御装置が説明されている。この装置
は感力材を取付けたプローブ形状をしており、プ
ローブ先端との面接触が行なわれると感力材上に
分布される力が信号を発生し外部検出器回路で検
出されてマルチプローブ装置へ送出される。この
装置は上面に集積回路を有する半導体薄片の縁感
知に使用される。
前記出願に示された感知器はより機械的な縁感
知装置より改良されたものではあるが、一個の縁
感知器を使用すれば固有の問題が生じる。半導体
薄片はその上に規定された集積回路が一連の矩形
パターンであるという性質を有する。半導体薄片
が円形状であるため半導体薄片の縁上には一連の
部分集積回路チツプが生じる。一個の縁感知器を
使用した場合および半分の部分チツプを被試験表
面として確認し、その結果マルチプローブ装置は
これらの部分導帯をテストしようとする時間を浪
費し、部分導帯を不良回路として確認し部分導帯
に確認インクを印す。この一連の事象により時間
とマシンスループツトとインクの損失および支持
構造にインクを印す可能性が生じ無駄な清掃時間
を生じる原因となる。
知装置より改良されたものではあるが、一個の縁
感知器を使用すれば固有の問題が生じる。半導体
薄片はその上に規定された集積回路が一連の矩形
パターンであるという性質を有する。半導体薄片
が円形状であるため半導体薄片の縁上には一連の
部分集積回路チツプが生じる。一個の縁感知器を
使用した場合および半分の部分チツプを被試験表
面として確認し、その結果マルチプローブ装置は
これらの部分導帯をテストしようとする時間を浪
費し、部分導帯を不良回路として確認し部分導帯
に確認インクを印す。この一連の事象により時間
とマシンスループツトとインクの損失および支持
構造にインクを印す可能性が生じ無駄な清掃時間
を生じる原因となる。
部分チツプ数が増加する破損した半導体薄片の
テスト時にも問題が生じ、縁検出は一連重要とな
る。
テスト時にも問題が生じ、縁検出は一連重要とな
る。
本発明により表面接触を感知する感知材を有す
る一個の縁感知Z軸制御装置を4象限縁感知装置
に置き替えることが提案される。4象限縁感出装
置は物理的電気的に接続された複数個のデータプ
ローブと支持体からなる4個のデータ検出器プロ
ーブとを有する印刷回路板と、支持体に接続され
そこから鉤状に延在する腕とを有する。プローブ
先端はプローブ先端面を変えるねじ等の調節機構
を有する腕に接続されている。テスト検出器プロ
ーブは例えば鉛ジルコネート―鉛チタネート
(PZT)等の感力材が腕に固着される時データプ
ローブおよび縁感知器として働き、プローブ先端
が半導体薄片等の表面と接触する時に機械的に変
形される。半導体薄片をテストする時4個のデー
タ検出器プローブが集積回路チツプの各隅に来る
ように印刷回路板上に配設することにより、薄片
縁のみならず部分集積回路チツプも検出すること
ができる。感力材の発生する信号は検出器回路で
検出されたマルチプローブ装置に信号を送出して
部分導帯の確認と半導体薄片の支持体のインデク
シングを行い、次列の集積回路チツプをテストす
る。4個のデータ検出器プローブが集積回路チツ
プの各隅に1個ずつ配設されているため、いずれ
かの方向に動かして縁感知を行うことができる。
これは不規則な縁を有する破損チツプのテスト時
に特に重要である。
る一個の縁感知Z軸制御装置を4象限縁感知装置
に置き替えることが提案される。4象限縁感出装
置は物理的電気的に接続された複数個のデータプ
ローブと支持体からなる4個のデータ検出器プロ
ーブとを有する印刷回路板と、支持体に接続され
そこから鉤状に延在する腕とを有する。プローブ
先端はプローブ先端面を変えるねじ等の調節機構
を有する腕に接続されている。テスト検出器プロ
ーブは例えば鉛ジルコネート―鉛チタネート
(PZT)等の感力材が腕に固着される時データプ
ローブおよび縁感知器として働き、プローブ先端
が半導体薄片等の表面と接触する時に機械的に変
形される。半導体薄片をテストする時4個のデー
タ検出器プローブが集積回路チツプの各隅に来る
ように印刷回路板上に配設することにより、薄片
縁のみならず部分集積回路チツプも検出すること
ができる。感力材の発生する信号は検出器回路で
検出されたマルチプローブ装置に信号を送出して
部分導帯の確認と半導体薄片の支持体のインデク
シングを行い、次列の集積回路チツプをテストす
る。4個のデータ検出器プローブが集積回路チツ
プの各隅に1個ずつ配設されているため、いずれ
かの方向に動かして縁感知を行うことができる。
これは不規則な縁を有する破損チツプのテスト時
に特に重要である。
図面特に第1図にプローブカードアセンブリ1
0を示す。プローブカードアセンブリ10は印刷
回路12を使用して複数個のデータプローブ14
と4個のデータ検出器プローブ16を支持するよ
うな構造となつている。データ検出器プローブ1
6には感知装置から信号を送出する導線18が接
続されている。第1図でデータ検出器プローブ1
6およびデータプローブ14は半導体薄片20に
平行に間隔をとつて示されている。
0を示す。プローブカードアセンブリ10は印刷
回路12を使用して複数個のデータプローブ14
と4個のデータ検出器プローブ16を支持するよ
うな構造となつている。データ検出器プローブ1
6には感知装置から信号を送出する導線18が接
続されている。第1図でデータ検出器プローブ1
6およびデータプローブ14は半導体薄片20に
平行に間隔をとつて示されている。
データ検出器プローブ16を更に第2図に示
す。構造的にデータ検出器プローブ装置110は
夫々第1,第2開口114,116を有する支持
体112を有している。支持体112はL型構造
とすることができ、第1開口114はL型の長辺
に配設され第2開口116はL型構造112の短
辺のフランジ内に配設されている。支持体112
は例えば真ちゆう等の導電材とすることができ更
に金被膜を施すことができる。
す。構造的にデータ検出器プローブ装置110は
夫々第1,第2開口114,116を有する支持
体112を有している。支持体112はL型構造
とすることができ、第1開口114はL型の長辺
に配設され第2開口116はL型構造112の短
辺のフランジ内に配設されている。支持体112
は例えば真ちゆう等の導電材とすることができ更
に金被膜を施すことができる。
支持体112に腕118が取付けられそこから
延在している。延在腕118もL型構造とするこ
とができL型腕の短辺はL型支持構造の短辺へ付
着されている。延在腕も真ちゆう等の導電材とす
ることができ、金被膜を施すことができる。
延在している。延在腕118もL型構造とするこ
とができL型腕の短辺はL型支持構造の短辺へ付
着されている。延在腕も真ちゆう等の導電材とす
ることができ、金被膜を施すことができる。
支持構造112内の前記第2開口116内に配
設された調節ねじ120が延在腕118へ貫通し
ている。
設された調節ねじ120が延在腕118へ貫通し
ている。
針124と針支持スリーブ126を有する試験
針アセンブリ122が延在腕118へ取付けられ
ている。針124は上面に集積回路を有する半導
体薄片と接触して、特定集積回路チツプの不良を
示す適切な電気データを得るために使用する。こ
れはデータ収集プローブとして使用する場合の針
124の主要機能である。
針アセンブリ122が延在腕118へ取付けられ
ている。針124は上面に集積回路を有する半導
体薄片と接触して、特定集積回路チツプの不良を
示す適切な電気データを得るために使用する。こ
れはデータ収集プローブとして使用する場合の針
124の主要機能である。
Z軸接触即ち試験針124が半導体表面と接触
する時点を感知するため、テストプローブ検出器
装置110の延在腕118へ感力材128を取付
けることができる。感力材は銀被膜領域129で
縁どられている。感力材128をプローブ装置1
10の残りの導電材から絶縁するため、感力材1
28の銀被膜129を絶縁エポキシ材130によ
り延在腕118へ付着することができる。感力材
128は圧電基板即ちモノモルフもしくはバイモ
ルフと呼ばれる圧電サンドイツチ構造を有するこ
とができる。圧電材は発電機として作用できる性
質を有する。この性質は圧電材が変形もしくは撓
んだ時材料自体から電圧信号が発生するようなも
のである。感力材128の銀被膜129へ一対の
導線即ち導体132がはんだ付けされている。こ
うして圧電材を感力材128として使用すると、
変形によつて電圧が発生し導線132間で感知さ
れる。導線132は互いに絶縁されている。各導
線は適合する絶縁で被覆されプローブ検出器テス
ト構造110の支持体112内の第1開口114
を貫通している。次に信号は第3図に示し以下に
説明する検出器回路へ送出される。導線132は
エポキシ134により腕118へ固着することが
できる。
する時点を感知するため、テストプローブ検出器
装置110の延在腕118へ感力材128を取付
けることができる。感力材は銀被膜領域129で
縁どられている。感力材128をプローブ装置1
10の残りの導電材から絶縁するため、感力材1
28の銀被膜129を絶縁エポキシ材130によ
り延在腕118へ付着することができる。感力材
128は圧電基板即ちモノモルフもしくはバイモ
ルフと呼ばれる圧電サンドイツチ構造を有するこ
とができる。圧電材は発電機として作用できる性
質を有する。この性質は圧電材が変形もしくは撓
んだ時材料自体から電圧信号が発生するようなも
のである。感力材128の銀被膜129へ一対の
導線即ち導体132がはんだ付けされている。こ
うして圧電材を感力材128として使用すると、
変形によつて電圧が発生し導線132間で感知さ
れる。導線132は互いに絶縁されている。各導
線は適合する絶縁で被覆されプローブ検出器テス
ト構造110の支持体112内の第1開口114
を貫通している。次に信号は第3図に示し以下に
説明する検出器回路へ送出される。導線132は
エポキシ134により腕118へ固着することが
できる。
第2図のテスト検出器プローブ装置110を第
1図のプローブカードアセンブリ10で使用する
ことにより、第1図の4個のデータ検出器プロー
ブ16を半導体薄片20上に載せて、半導体薄片
20上の被試験集積回路チツプの4象限の各々に
1個のテスト検出器プローブ16が来るようにす
ることができる。この4象限手法により縁検出と
薄片縁上の部分集積回路の検出と破損半導体薄片
上の部分集積回路の検出が可能となる。この検出
方法は4個のデータ検出器プローブ16の半導体
薄片20に対する移動方向に無関係に使用でき
る。以下第3図のマルチプローブ装置の説明にお
いて4象限手法の詳細動作説明を行なう。
1図のプローブカードアセンブリ10で使用する
ことにより、第1図の4個のデータ検出器プロー
ブ16を半導体薄片20上に載せて、半導体薄片
20上の被試験集積回路チツプの4象限の各々に
1個のテスト検出器プローブ16が来るようにす
ることができる。この4象限手法により縁検出と
薄片縁上の部分集積回路の検出と破損半導体薄片
上の部分集積回路の検出が可能となる。この検出
方法は4個のデータ検出器プローブ16の半導体
薄片20に対する移動方向に無関係に使用でき
る。以下第3図のマルチプローブ装置の説明にお
いて4象限手法の詳細動作説明を行なう。
次に第3図にマルチプローブテスト装置200
を示す。構造上マルチプローブテスト装置200
は第1図に示した前記したプローブカードアセン
ブリと同様なプローブカードアセンブリユニツト
210を有する。プローブカードアセンブリユニ
ツト210は半導体薄片220上に配置されてい
る。プローブカーブアセンブリ210には4個の
データ検出器プローブ212と複数個のデータプ
ローブ214が取付けられている。データプロー
ブ214およびデータ検出器プローブ212は電
気的にプローブカード218へ接続されており、
半導体薄片220から得られるデータを電気的に
マルチプローブ222へ転送することができる。
マルチプローブ装置222はカリフオルニア州
Menlo Park,エレクトログラス社(Electroglas
Corp.)製モデル1034Xとすることができる。
を示す。構造上マルチプローブテスト装置200
は第1図に示した前記したプローブカードアセン
ブリと同様なプローブカードアセンブリユニツト
210を有する。プローブカードアセンブリユニ
ツト210は半導体薄片220上に配置されてい
る。プローブカーブアセンブリ210には4個の
データ検出器プローブ212と複数個のデータプ
ローブ214が取付けられている。データプロー
ブ214およびデータ検出器プローブ212は電
気的にプローブカード218へ接続されており、
半導体薄片220から得られるデータを電気的に
マルチプローブ222へ転送することができる。
マルチプローブ装置222はカリフオルニア州
Menlo Park,エレクトログラス社(Electroglas
Corp.)製モデル1034Xとすることができる。
各データ検出器プローブ212が夫々の導体2
24上へ電圧信号を送出する。導体224は検出
器回路226とインターフエイスしている。検出
器回路226は4チヤネル検出器回路であり、各
チヤネル224に対し一本のチヤネルを使用して
いる。各チヤネルは利得が1のバツフア増幅器2
30に電気的に接続されたRC波器アセンブリ
228を有し、RC波器228はデータ検出器
プローブ212から受信する電圧信号のノイズを
波して応答時間を減衰し、利得が1のバツフア
増幅器は信号を高インピーダンス信号から低イン
ピーダンス信号へ変換する。次にこの低インピー
ダンス信号はレベル識別器アセンブリ232へ接
続される。レベル識別器アセンブリ232はしき
い値型であり、信号が例えば30mVの所定しきい
値に達しない限り信号は確認されず本質的に阻止
される。しかしながら信号がしきい値以上である
と信号は例えば第3図の回路の5Vの最大電圧に
設定される。スプリアス信号を遮へいした後正規
5Vの所望信号が単安定マルチバイブレータユニ
ツト234へ送出される。この単安定マルチバイ
ブレータユニツト234はマルチプローブがデー
タを受信する前に必要な例えば0.5msの信号遅延
を提供する。次にこの信号は例えばそれを0Vに
ラツチするラツチ回路236へ送出され、他のチ
ヤネルからの信号と共にその信号を一連の正の
“AND”回路238へ送出する。全てのデータ検
出器プローブが表面と接触するとマルチプローブ
ユニツト222へ出力割込信号が送出される。し
かしながら“ANP”回路へのいずれか一つの入
力が“ハイ”とならない場合、それは一個以上の
データ検出器プローブ212が半導体薄片220
と接触しておらず縁が検出されたことを示す。こ
の縁検出により割込信号が生じるマルチプローブ
222はインデクスを行い新しい列の集積回路チ
ツプのテストを開始する。割込信号であるかある
いは全データプローブ感知器212が薄片220
と接触したことを示す信号であるかにかかわらず
マルチプローブ222へ信号が送出されると、マ
ルチプローブ222はラツチ回路236へリセツ
ト信号を戻し、ラツチを所定状態へリセツトして
次のチツプをプローブする準備を行なう。
24上へ電圧信号を送出する。導体224は検出
器回路226とインターフエイスしている。検出
器回路226は4チヤネル検出器回路であり、各
チヤネル224に対し一本のチヤネルを使用して
いる。各チヤネルは利得が1のバツフア増幅器2
30に電気的に接続されたRC波器アセンブリ
228を有し、RC波器228はデータ検出器
プローブ212から受信する電圧信号のノイズを
波して応答時間を減衰し、利得が1のバツフア
増幅器は信号を高インピーダンス信号から低イン
ピーダンス信号へ変換する。次にこの低インピー
ダンス信号はレベル識別器アセンブリ232へ接
続される。レベル識別器アセンブリ232はしき
い値型であり、信号が例えば30mVの所定しきい
値に達しない限り信号は確認されず本質的に阻止
される。しかしながら信号がしきい値以上である
と信号は例えば第3図の回路の5Vの最大電圧に
設定される。スプリアス信号を遮へいした後正規
5Vの所望信号が単安定マルチバイブレータユニ
ツト234へ送出される。この単安定マルチバイ
ブレータユニツト234はマルチプローブがデー
タを受信する前に必要な例えば0.5msの信号遅延
を提供する。次にこの信号は例えばそれを0Vに
ラツチするラツチ回路236へ送出され、他のチ
ヤネルからの信号と共にその信号を一連の正の
“AND”回路238へ送出する。全てのデータ検
出器プローブが表面と接触するとマルチプローブ
ユニツト222へ出力割込信号が送出される。し
かしながら“ANP”回路へのいずれか一つの入
力が“ハイ”とならない場合、それは一個以上の
データ検出器プローブ212が半導体薄片220
と接触しておらず縁が検出されたことを示す。こ
の縁検出により割込信号が生じるマルチプローブ
222はインデクスを行い新しい列の集積回路チ
ツプのテストを開始する。割込信号であるかある
いは全データプローブ感知器212が薄片220
と接触したことを示す信号であるかにかかわらず
マルチプローブ222へ信号が送出されると、マ
ルチプローブ222はラツチ回路236へリセツ
ト信号を戻し、ラツチを所定状態へリセツトして
次のチツプをプローブする準備を行なう。
こうして動作的に検出器回路226は4個のデ
ータ検出器プローブ212の1個以上が半導体薄
片220の表面と接触しない時をマルチプローブ
ユニツト222が確認できるようにする。テスト
開始前に4個全部のデータ検出器プローブ212
が接触しなければならないため、この情報により
部分導帯をテストすることなくプローブ212,
214に対して新しい列の集積回路チツプをイン
デクス指示することができる。従つてデータ検出
器プローブアセンブリは半導体薄片の縁を検出す
るのみならず、部分集積回路チツプがテストされ
る時点をも確認してテストを阻止し、部分チツプ
上の時間とインクを節約してマシンスル―プツト
を増大する。
ータ検出器プローブ212の1個以上が半導体薄
片220の表面と接触しない時をマルチプローブ
ユニツト222が確認できるようにする。テスト
開始前に4個全部のデータ検出器プローブ212
が接触しなければならないため、この情報により
部分導帯をテストすることなくプローブ212,
214に対して新しい列の集積回路チツプをイン
デクス指示することができる。従つてデータ検出
器プローブアセンブリは半導体薄片の縁を検出す
るのみならず、部分集積回路チツプがテストされ
る時点をも確認してテストを阻止し、部分チツプ
上の時間とインクを節約してマシンスル―プツト
を増大する。
第4図に破損して異常にぎざぎざした縁310
を有する半導体薄片300を示す。このような場
合異常にぎざぎざした縁310はその縁に沿つた
部分集積回路チツプ312の可能性を増強する。
第5図に右下象限の一部が切離され従つて不良チ
ツプである部分集積回路チツプ400を示す。従
来の縁検出器即ち単に一個の縁検出器を使用する
場合、検出器がいずれかの良好な部分領域内に来
る限り部分チツプであることが表示されない。し
かしながら前記第2図に示したデータ検出器プロ
ーブ110を同様なデータ検出器プローブ410
を集積回路チツプの4隅に近い各ボンデイングパ
ツド412上で使用すれば、、一つのデータ検出
器プローブ410が表面を離れ第3図に示し前記
したマルチプローブ装置200において部分チツ
プ即ち縁が検出されたことを示す信号がマルチプ
ローブへ送られインデクス手順が始まることが判
る。
を有する半導体薄片300を示す。このような場
合異常にぎざぎざした縁310はその縁に沿つた
部分集積回路チツプ312の可能性を増強する。
第5図に右下象限の一部が切離され従つて不良チ
ツプである部分集積回路チツプ400を示す。従
来の縁検出器即ち単に一個の縁検出器を使用する
場合、検出器がいずれかの良好な部分領域内に来
る限り部分チツプであることが表示されない。し
かしながら前記第2図に示したデータ検出器プロ
ーブ110を同様なデータ検出器プローブ410
を集積回路チツプの4隅に近い各ボンデイングパ
ツド412上で使用すれば、、一つのデータ検出
器プローブ410が表面を離れ第3図に示し前記
したマルチプローブ装置200において部分チツ
プ即ち縁が検出されたことを示す信号がマルチプ
ローブへ送られインデクス手順が始まることが判
る。
第6図は第4図のぎざぎざした縁を持たない標
準半導体薄片500でも4象限手法が有用である
ことを示す。第6図の半導体薄片500は滑らか
な縁512に沿つた一連の部分集積回路チツプ5
10をも示している。再びデータ検出器プローブ
514を半導体薄片500上の被試験集積回路チ
ツプの各隅に近いボンデインクパツド上に置け
ば、縁512上に部分チツプがある場合一つのデ
ータ検出器プローブ514が表面を離れ、前記し
た第3図の検出器回路と同様な検出回路によりマ
ルチプローブユニツトは部分チツプ即ち縁を確認
し、それが所望の動作である場合インデクスを行
い新しい列の集積回路チツプのテストを開始す
る。
準半導体薄片500でも4象限手法が有用である
ことを示す。第6図の半導体薄片500は滑らか
な縁512に沿つた一連の部分集積回路チツプ5
10をも示している。再びデータ検出器プローブ
514を半導体薄片500上の被試験集積回路チ
ツプの各隅に近いボンデインクパツド上に置け
ば、縁512上に部分チツプがある場合一つのデ
ータ検出器プローブ514が表面を離れ、前記し
た第3図の検出器回路と同様な検出回路によりマ
ルチプローブユニツトは部分チツプ即ち縁を確認
し、それが所望の動作である場合インデクスを行
い新しい列の集積回路チツプのテストを開始す
る。
本発明を特定実施例について説明してきたが本
発明の精神および範囲内でさまざまな変更が可能
なことは理解されよう。
発明の精神および範囲内でさまざまな変更が可能
なことは理解されよう。
第1図は本発明に従つて取付けられた4個のデ
ータ検出器プローブを有するプローブカードアセ
ンブリの頂面図、第2図は第1図の線2―2に沿
つた部分側面断面図で、本発明によるデータ検出
器プローブを示す図、第3図は検出器回路に取付
けられたマルチプローブとインターフエイスして
いる4個のデータ検出器プローブを有するプロー
ブカードを有するマルチプローブテスト装置を示
す部分ブロツクおよび部分回路図、第4図は半導
体薄片の破砕状態透視図、第5図は第4図の半導
体薄片の破砕に沿つた集積回路チツプの拡大図、
第6図は縁に沿つて一連の部分集積回路チツプを
有する通常の半導体薄片の拡大図である。 参照符号の説明、10,218…プローブカー
ドアセンブリ、12…印刷回路板、14,214
…データプローブ、16,18,110,21
2,410,514…データ検出器プローブ、2
0,220,300,500…半導体薄片、12
2…試験針アセンブリ、124…試験針、128
…感力材、200…マルチプローブテスト装置、
222…マルチプローブ、226…検出器回路、
228…RC波器アセンブリ、230…バツフ
ア増幅器、232…レベル識別器アセンブリ、2
34…単安定マルチバイブレータユニツト、23
6…ラツチ回路、238…AND回路、312,
400,510…部分集積回路チツプ。
ータ検出器プローブを有するプローブカードアセ
ンブリの頂面図、第2図は第1図の線2―2に沿
つた部分側面断面図で、本発明によるデータ検出
器プローブを示す図、第3図は検出器回路に取付
けられたマルチプローブとインターフエイスして
いる4個のデータ検出器プローブを有するプロー
ブカードを有するマルチプローブテスト装置を示
す部分ブロツクおよび部分回路図、第4図は半導
体薄片の破砕状態透視図、第5図は第4図の半導
体薄片の破砕に沿つた集積回路チツプの拡大図、
第6図は縁に沿つて一連の部分集積回路チツプを
有する通常の半導体薄片の拡大図である。 参照符号の説明、10,218…プローブカー
ドアセンブリ、12…印刷回路板、14,214
…データプローブ、16,18,110,21
2,410,514…データ検出器プローブ、2
0,220,300,500…半導体薄片、12
2…試験針アセンブリ、124…試験針、128
…感力材、200…マルチプローブテスト装置、
222…マルチプローブ、226…検出器回路、
228…RC波器アセンブリ、230…バツフ
ア増幅器、232…レベル識別器アセンブリ、2
34…単安定マルチバイブレータユニツト、23
6…ラツチ回路、238…AND回路、312,
400,510…部分集積回路チツプ。
Claims (1)
- 1 プローブ支持装置と、そのプローブ支持装置
に装着されそれぞれプローブ先端を備えた複数個
のデータプローブにしてマイクロ電子ユニツトの
4隅とプローブ先端との所期の圧力接触につきテ
ストされている半導体薄片上に前記マイクロ電子
ユニツトがありそのユニツトと一致するように適
合された空間領域の4象限のそれぞれの象限内に
細長いプローブ先端が配置された少なくとも4個
のデータ検出器プローブを含む前記複数個のデー
タプローブと、前記4個のデータ検出器プローブ
のそれぞれに接して設けられ前記各データ検出器
プローブの先端とマイクロ電子回路ユニツトの隅
部との圧力接触に応動して自身の変形によりその
接触を表わす電気信号を発生する装置とを有す
る、半導体薄片上のマイクロ電子ユニツトをテス
トする4象限マルチプローブ感知システム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/879,038 US4219771A (en) | 1978-02-21 | 1978-02-21 | Four-quadrant, multiprobe-edge sensor for semiconductor wafer probing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54158175A JPS54158175A (en) | 1979-12-13 |
JPS6330585B2 true JPS6330585B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=25373314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1795579A Granted JPS54158175A (en) | 1978-02-21 | 1979-02-20 | Four quadrant detector |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4219771A (ja) |
JP (1) | JPS54158175A (ja) |
DE (1) | DE2906041A1 (ja) |
FR (1) | FR2417778A1 (ja) |
GB (1) | GB2014743B (ja) |
IT (1) | IT1162272B (ja) |
NL (1) | NL7901287A (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4951370A (en) * | 1979-11-05 | 1990-08-28 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an intelligent multiprobe tip |
EP0028719B1 (en) * | 1979-11-05 | 1984-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Probe assembly for testing integrated circuits |
US4390885A (en) * | 1981-06-26 | 1983-06-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for fluid transfer |
US4888550A (en) * | 1981-09-14 | 1989-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Intelligent multiprobe tip |
US4780670A (en) * | 1985-03-04 | 1988-10-25 | Xerox Corporation | Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing |
US4749942A (en) * | 1985-09-26 | 1988-06-07 | Tektronix, Inc. | Wafer probe head |
IL79820A0 (en) * | 1985-09-26 | 1986-11-30 | Tektronix Inc | Wafer probe head,and method of assembling same |
JPS62134243U (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-24 | ||
JPH0342682Y2 (ja) * | 1986-02-18 | 1991-09-06 | ||
DE3628104A1 (de) * | 1986-08-19 | 1988-02-25 | Feinmetall Gmbh | Kontaktelement fuer pruefkarten |
US4758785A (en) * | 1986-09-03 | 1988-07-19 | Tektronix, Inc. | Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station |
US5331275A (en) * | 1991-12-09 | 1994-07-19 | Fujitsu Limited | Probing device and system for testing an integrated circuit |
US5608172A (en) * | 1995-03-16 | 1997-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Die bond touch down detector |
US5883519A (en) * | 1996-02-23 | 1999-03-16 | Kinetic Probe, Llc | Deflection device |
US6252414B1 (en) * | 1998-08-26 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for testing circuits having different configurations with a single test fixture |
DE102004027886A1 (de) * | 2004-05-28 | 2005-12-22 | Feinmetall Gmbh | Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings sowie Verfahren zur Herstellung einer Prüfeinrichtung |
KR101061593B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2011-09-01 | 윌테크놀러지(주) | 프로브 카드 |
US8963567B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-02-24 | International Business Machines Corporation | Pressure sensing and control for semiconductor wafer probing |
CN109427923B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-06-16 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种半导体薄膜四象限光照传感器及其制备方法 |
JP2023006993A (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 株式会社日本マイクロニクス | 検査装置、位置調整ユニット及び位置調整方法 |
CN114252753B (zh) * | 2021-12-24 | 2022-08-19 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种用于筛选四象限探测器的方法和*** |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2558563A (en) * | 1948-10-29 | 1951-06-26 | Gen Electric | Piezoelectric strain gauge |
US2782636A (en) * | 1950-08-21 | 1957-02-26 | Max P Peucker | Internal balances for wind force measurements on aerodynamic objects |
US3093710A (en) * | 1959-07-06 | 1963-06-11 | Gulton Ind Inc | Piezoelectric electromechanical transducer |
GB1063381A (en) * | 1963-01-18 | 1967-03-30 | Wilmot Breeden Ltd | Improvements in or relating to surface testing apparatus |
US3446065A (en) * | 1965-08-11 | 1969-05-27 | Transistor Automation Corp | Automatic probing apparatus |
US3810017A (en) * | 1972-05-15 | 1974-05-07 | Teledyne Inc | Precision probe for testing micro-electronic units |
US3849728A (en) * | 1973-08-21 | 1974-11-19 | Wentworth Labor Inc | Fixed point probe card and an assembly and repair fixture therefor |
-
1978
- 1978-02-21 US US05/879,038 patent/US4219771A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-02-08 GB GB7904456A patent/GB2014743B/en not_active Expired
- 1979-02-14 FR FR7903696A patent/FR2417778A1/fr active Granted
- 1979-02-16 DE DE19792906041 patent/DE2906041A1/de not_active Withdrawn
- 1979-02-19 NL NL7901287A patent/NL7901287A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-02-20 IT IT48061/79A patent/IT1162272B/it active
- 1979-02-20 JP JP1795579A patent/JPS54158175A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT7948061A0 (it) | 1979-02-20 |
FR2417778A1 (fr) | 1979-09-14 |
DE2906041A1 (de) | 1979-10-11 |
FR2417778B1 (ja) | 1983-06-03 |
US4219771A (en) | 1980-08-26 |
NL7901287A (nl) | 1979-08-23 |
GB2014743A (en) | 1979-08-30 |
IT1162272B (it) | 1987-03-25 |
JPS54158175A (en) | 1979-12-13 |
GB2014743B (en) | 1982-08-04 |
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