JPS63302436A

JPS63302436A - 光記録体およびその製造方法

Info

Publication number: JPS63302436A
Application number: JP62094956A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Umeda; 和夫梅田; Masaaki Asano; 雅朗浅野
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1987-01-24
Filing date: 1987-04-17
Publication date: 1988-12-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、レーザ光により情報記録ビットを読み取るリ
ード・オンリ・メモリ（ＲＯＭ＞タイプ、レーザ光によ
り書き込みが可能なダイレクト・リード・アフタ・ライ
ト（ＤＲＡＷ）タイプ、或いは消去、書き込みが可能な
タイプの光記録体およびその製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来のＲＯＭタイプの光記録体の例を第６図により説明
すると、光カード５０上には、高反射部分５１に対して
低反射部分５２からなる情報記録ビット５３が形成され
ている。該光カード５０は透明基板５４上に写真製版法
（フォト・リソ法）により情報記録ビットとして光反射
材料５５を形成し、これを接着剤５６により、予め黒色
の印刷層５７を形成した基板５８に接着することにより
形成されている。

また、特公昭５８−４８３５７号公報に示されているＲ
ＯＭタイプの例を第７図により説明すると、基材上にハ
ロゲン化銀乳剤の膜６０を形成し、この膜６０に対して
パターン露光および特殊現像により、周囲の部分６１と
光反射率の異なる情報記録ビット６２を形成している。

一方、従来のＤＲＡＷタイプの光記録体を第８図により
説明すると、フォトポリマ７１の片面を凹凸状に形成し
、この凹凸面に沿ってＴｅ等の光記録材料７２の薄膜を
設け、これを接着剤７３により基板７４に接着すると共
に、フォトポリマ７１の上面には光透過性のアクリル樹
脂７５等を積層することにより光記録体が形成されてい
る。そして、第９図に示すように、例えば一本のレーザ
ビーム７６により光記録材料７２の凹凸部を走査して、
例えば凸部に焦点を合わせて位置を確認した後、光記録
材料７２の凸部にビ・ノド情報を書き込んでいる。

また、特公昭５　Ｂ−４８３５７号公報に示されている
従来のＤＲＡＷタイプの光記録体を第１０図により説明
すると、基材上にノ＼ロゲン化銀乳剤の膜８０を形成し
、この膜８０に対してパターン露光および特殊現像によ
り、光反射率の異なる部分８１および８２を形成し、光
の反射率の相違により部分８１の位置を確認して、部分
８１上にビット情報を書き込むものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記第６図に示した写真製版法により情
婦記録ビットを形成する光記録体においては、反射材料
のパターニングを強酸等の湿式エツチングにより行うた
め、 ■エツチング液の水洗、乾燥等の工程が繁雑であ■エツ
チング液の洗浄に時間がかかり、また、もし洗浄が不十
分の場合にはカード完成後も経時的に腐食が進行するた
め、カードの寿命を短縮させる。

■エツチング液のＰＨ管理が困難であると共に、エツチ
ング液中の異物による障害が発生する。

等の問題を有している。

また、第７図に示した例においては、特殊現像を行うた
め、工程が繁雑であり管理が難しく黒色部分の濃度が出
しにくいと共に、ハロゲン化銀乳剤等の特定の写真材料
を必要とするため、製造コストが増大するという問題を
有している。

また、第８図に示す凹凸面に沿って光記録材料を形成す
るＤＲＡＷタイプの光記録体においては、凸面の形成に
おいて、その高さ、幅等の精度が要求されることから、
その制御方式が困難になるという問題を有し、また、製
造工程が複雑化しコストが増大するという問題を有して
いる。

また、上記第１０図に示す例においては、トラックの幅
のみの精度が要求される点においては、上記の第８図に
示すものより製造は容易であるが、特殊なハロゲン化銀
乳剤等の特定の写真材料を必要とするため、製造コスト
が増大するという問題を有している。

本発明は上記問題を解決するものであって、製造工程が
簡単であり、かつ、特定の光記録材料に限定されること
なく製造コストを低減できる光記録体およびその製造方
法を提供することを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

そのために本発明の光記録体は、基材上に周囲に対して
光反射率の異なる情報記録パターンを形成してなる光記
録体において、低反射率部分が有色材料からなることを
特徴とする。

また、本発明の光記録体の製造方法は、基材上に周囲に
対して光反射率の異なる情報記録パターンを形成してな
る光記録体であって、低反射率部分が有色のフォトレジ
ストである光記録体の製造方法において、光透過性の基
材上にフォトレジストを塗布し、マスク露光および現像
により前記情報記録パターンを除く部分にフォトレジス
トを残した後、基材全面に光反射材料層または光記録材
料層を設けることを特徴とする。

〔作用〕

本発明においては、例えば第４図に示すように、光透過
性の基材１０から光が入射されると、例えば、高反射率
部分１３ｂにおいては光が強く反射され、低反射率部分
１３ｃにおいては反射率が低下することになる。そして
、ＲＯＭタイプの光記録体を製造する場合には、ＪＷ１
３として光反射材料を採用することにより、低反射率部
分１３ｃに第１図で示した情報記録ビット４を形成し、
一方、ＤＲＡＷタイプの光記録体を製造する場合には、
層１３として光記録材料を採用することにより、高反射
率部分１３ｂに第２図で示した光記録トラック８を形成
し、低反射率部分１３ｃに案内トラック９を形成するも
のである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明す
る。第１図は本発明の光記録体の１実施例であるＲＯＭ
タイプの光カードを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜
視図、第２図は本発明の光記録体の他の実施例であるＤ
ＲＡＷタイプの光カードを示す図、第３図は同じく他の
実施例であるＲＯＭタイプ、ＤＲＡＷタイプ併用の光カ
ードを示す図、第４図は本発明の光記録体の製造方法の
１実施例を説明するための図、第５図は本発明の光記録
体の書き込み方式を説明するための図である。図中、１
は光カード、４は情報記録ビット、８は光記録トラック
、９は案内トラック、１０は光透過性基材、１１はフォ
トレジスト層、１２はフォトマスク、１３は光反射材料
または光記録材料、１３ｂは高反射率部分、１３ｃは低
反射率部分、１５は基板を示す。

第１図は本発明の光記録体の１実施例であるＲＯＭタイ
プの光カードを示す図であり、光カード１上には、高反
射率部分２に対して低反射率部分３からなる情報記録ビ
ット４が形成されている。

該光カードｌは透明基材５と基板６との間に光反射材料
層７が形成され、該光反射材料Ｎ７上には存色の情報記
録ビット４が形成されている。

第２図は、本発明の光記録体の１実施例であるＤＲＡＷ
タイプの光カードを示す図であり、光カード１上には、
高反射率部分を形成し光により書き込み可能な光記録ト
ラック８と、低反射率部分を形成する案内トラック９が
形成されている。なお、上記実施例においては、光記録
トラック８と案内トラック９が交互に形成されているが
、案内トラック９の本数を減少させることも可能である
。

第３図は第１図のＲＯＭタイプ、第２図のＤＲＡＷタイ
プ併用の光カードを示す図であり、光カード１の左右に
情報記録ビット４．４が形成され、中央部に光記録トラ
ック８および案内トラック９が形成されている。なお、
情報記録ビット４および光記録トラック８の位置は任意
に設定可能である。

第４図は上記ＲＯＭタイプ或いはＤＲＡＷタイプの光記
録体の製造方法の１実施例を示している。

図中、高反射率部分１３ｂと低反射率部分１３Ｃは凹凸
状に図示されているが、これらの凹凸差は数μｍ程度で
あり、実際上はほぼ平面或いは同一平面として形成され
るものである。

第４図（ａ）において光透過性の基材１ｏは、ポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）　、ポリカーボネイト、
ポリエステル、エポキシ、ポリオレフィン、ポリスチレ
ン等の所望の精度に加工可能であり、かつ、途中の工程
で腐食しない高分子材料等から形成され、この光透過性
の基材１０上に回転式フォトレジスト塗布機によりフォ
トレジスト層１１を４０００〜１５０００人の厚さで均
一に塗布する。次にマスク合わせ装置を用いて、情報記
録パターンに応じて形成したフォトマスク１２をフォト
レジス）Ｉ！ｉｌｌに重ね合わせた後、露光する。次に
（ｂ）図に示すように、フォトレジスト層１１を現像す
ると、ポジタイプのレジストでは、紫外線の当たったと
ころのフォトレジストは流れ去り、当たらない部分のレ
ジストが残り、フォトマスク１２のパターンが光透過性
の基材１０上に転写され、これによりフォトレジスト層
１１が、第１図で示した情報記録ピント４或いは第２図
で示した案内トラック９の形状として、例えば、幅５μ
程度、ピッチ１５μ程度で形成され、次に（Ｃ）図に示
すように、染料としてアミニールブランクＦＧＬ　（住
友化学）、カヤセットブラック２Ｒ−ＬＲ−５００（日
本化薬）、カヤセットブラウンＲ−５００（日本化薬）
等の酸性染料を用い、酸性染料、酢酸、水の混合比を例
えば３：５：９２　　（重量％）とした染色液を用いて
、該染色液に対応した液温４０度Ｃでフォトレジストを
染色する。なお、使用する染料としては、上記酸性染料
に限られず適宜色を選択して使用する。

次いで（ｄ）図に示すように、後述する光反射材料また
は光記録材料１３の薄膜層を蒸着、スパッタリング或い
は化学的方法等により形成させる。

次に（ｅ）図に示すように、光透過性の基材１０にポリ
塩化ビニール等の基板１５を接着し、高反射率部分１３
ｂと低反射率部分１３ｃを存する光記録体を製造する。

この光記録体は、光透過性の基材１０から光が入射され
ると、例えば、高反射率部分１３ｂにおいては光が強く
反射され、低反射率部分１３ｃにおいては反射率が低下
することになる。そして、ＲＯＭタイプの光記録体を製
造する場合には、層１３として光反射材料を採用するこ
とにより、低反射率部分１３Ｃに第１図で示した情報記
録ビット４を形成し、一方、ＤＲＡＷタイプの光記録体
を製造する場合には、層１３として光記録材料を採用す
ることにより、高反射率部分１３ｂに第２図で示した光
記録トラック８を形成し、低反射率部分１３Ｇに案内ト
ラック９を形成するものである。　上記ＲＯＭタイプに
用いる光反射材料としては、基材と屈折率が異なる材料
であればいずれの材料でも使用可能であり、例えば、Ａ
１、Ｔ１、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ５Ｃｕ、、Ｚｎｓ　
Ｓｅ−Ｍｏ、Ａｇ５Ｃｄ、Ｉｎ、５ｎＳＳｂ、Ｔｅ、、
ＰＬ’。

Ａｕ等の金属及びこれらの合金、化合物、その他Ｔｉ０
ｇ、ＴｉＮ等に代表される酸化物、窒化物、有機系色素
薄膜等光反射率の高い材料を使用する。

また、上記ＤＲＡＷタイプに用いる光記録材料としでは
、例えば、金属系（Ｔａ、Ｂ　Ｌ　　Ｉ　ｎ、Ａ１、Ｃ
／Ａ１、Ｃｒ／Ａ１２Ｚｎ／Ａｆｆ、Ｓｉ。

Ｇｅ、ＳｍＳ等）、カルボン系（Ｔｏ、Ｔｅ−Ａｓ、、
Ｔｅ−３ｓ、Ｔｅ−３ｓ−Ａｓ、Ｔｅ−Ｃ３ｚ　、Ｔ　
ｅ　−Ｃ１Ｔ　ｅ複合物、Ａｓ−３ｅ−３−Ｇｅ等）、
酸化物系（Ｔ　ａ　Ｏｘ　、Ｇ　ｅ　０１１　、Ｍ　ｏ
　０８、ＶＯ□等）、有機物系（色素薄膜＋樹脂、Ａｇ
＋ポリマー、熱可塑性樹脂、Ｃｕ　−Ｐ　ｃ　／　Ｔ　
ｅ等）が用いられる。

なお、消去、書き込みが可能なタイプに用いる光記録材
料としては、光照射により膜を構成する原子間の秩序状
態が可逆的に変化し、かつ、両者間の光反射率が異なる
材料として、例えば、Ｔ。

−Ａｓｓ　Ｔｅ−３ｅｓ　Ｔｅ−３ｅ−Ａｓ、Ｔｅ−Ｃ
５，、Ｔｅ−Ｃ，Ａｓ−３ｅ−３−Ｇｅ等の材料が用い
られる。

さらに、フォトレジスト１１としては、オルソキノンジ
アジド／ノボラック系、アジド／ゴム系、ｐ−ジアゾジ
フェニルアミン・パラホルムアルデヒド縮合系、アジド
ポリマー系、ポリケイ皮酸ビニル系、ポリシンナミリデ
ン酢酸ビニル系等の材料が用いられる。

そして、上記のようにして製造したＲＯＭタイプの光記
録体においては、低反射率の情報記録ビットをラインセ
ンサ例えばＣＯＤラインセンサ或いはレーザビームによ
り読み取ることになる。なお、ＲＯＭタイプの光記録体
においては、案内トラックは必ずしも必要でなく、情報
記録ピント列を案内トラックとして使用できる。

また、上記のようにして製造したＤＲＡＷタイプの光記
録体においては、光記録トラック１３ｂと案内トラック
１３ｃとの光反射率を４００〜７００ｎｍの白色光ラン
プを用いて測定した結果、例えば、光記録トラック１３
ｂは５０％程度、案内トラック１３ｃは１０％程度の光
反射率となった。光記録体にビット情報を書き込む場合
には、２ビーム或いは３ビームを用いるが、３ビームを
用いる例においては第５図に示すように、両側のビーム
Ａ、Ｃにより案内トラック１３ｃと光記録トラック１３
ｂの反射率の差を検出することによリ、案内トラック１
３ｃ、１３ｃの位置を確認にして左右にずれないように
して、真中のビーム已により光記録トラック１３ｂにビ
ット情報を書き込むもので、制御方式が１ビームのもの
と比較して簡単となる。なお、案内トラック１３ｃは必
ずしも光記録トラック１３ｂと交互に形成することなく
、案内トラックの本数を間引いてもよい。この場合には
、案内トラック１３ｃの距離を演算して光記録トラック
１３ｂの位置を決め、ビット情報を書き込むものである
。

（製造例） ■　厚さ０．４　＊ｍ、　サイズ１００　Ｘ　１００　
ａｍ（Ｄ　Ｐ　Ｍ　Ｍ　Ａ基材を使用し、 ■　基材表面にフォトレジストを以下の条件で塗布した
。

スピンナーコート：　２００Ｏｒｐｍ　、　２０ｓｅｃ
レジスト：レスペケミカル製ジアゾレジンＤ−０１１５％新田ゼラチン製ゼラチンＰ２１５１　９５％厚み＝１μｍ ■　次に、５０度Ｃ１３０分間乾燥を行った。

■　次に、パターン露光を以下の条件で行った。

マスク：Ｃｒスパッタマスクパターンｎ　ＤＲＡＷＲＯＭタイプランク巾５μｍ情報トラック巾１０μｍＲＯＭタイプ情報記録ビット巾　５μｍ長さ５〜２０μｍ超高圧水銀灯：４ｋｗ、３分 ■　露光後、水現像をした後、水洗した。

■　次に、以下の染色液に５分間浸漬の後、水洗、乾燥
してフォトレジストを染色した。

染色液ニアミニ−ルブラツクＦＧＬ　　　３％酢酸　　
　　　　　　　　　　５％水　　　　　　　　　　　　　　　　９２％■　フォト
レジストの染色後、記録層形成を以下の条件で形成した
。

直流２極スパツタリング装置を用いて厚さ５００人の層
を形成。

ＤＲＡＷタイプ二ＴｅスパッタリングＲＯＭタイプ：Ａｌスパッタリング ■　基板と基材の接着は、接着剤として東し製ハイソー
ルを用いて、基板の塩ビ０．３＊ｍ厚を上記で得られた
基材にラミ・ネートして一体化し、■　カードのサイズ
に打ち抜いて、本発明の光記録体の１例である光カード
を得た。

なお、上記製造例において、ＤＲＡＷ、ＲＯＭ併用カー
ドを製造する場合には、工程■、■において適宜ＤＲＡ
ＷとＲＯＭの工程を組み合わせる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
種々の変形が可能であることは勿論である。

例えば、上記実施例においては、フォトレジストに黒色
の染色を形成して低反射率部分１３ｃとしているが、黒
色に限定されるものではなく例えば白色等、高反射率部
分１３ｂの反射率と異なる染色であればよい。

また、上記実施例においては、フォトレジストに染色を
行って低反射率部分１３ｃを形成しているが、予め、染
料含有のフォトレジストを使用して直接バターニングし
てもよい。この染料としては、キノン系染料、シアン系
染料等が挙げられる。

さらに、フォトレジストの露光工程の代わりに、印刷等
のパターニング方式により、低反射率部分１３ｃを形成
してもよい。

そして、本発明の光記録体はフレキシブルディスク、カ
ード、テープ等として利用することができ、例えば以下
の用途に適用される。

（１）金融流通産業：キャッシングカード、クレジット
カード、プリペイドカード。

（２）医療健康産業：健康証書、カルテ、医療カード、
緊急カード。

（３）娯楽産業：ソフトウェア媒体、会員カード、入場
券、遊職機械制御媒体、テレビゲーム用媒体、カラオケ
用媒体。

（４）運輸旅行産業：旅行者カード、免許証、定期券、
パスポート。

（５）出版産業；電子出版。

（６）情帳処理産業：電子機械の外部記録装置、ファイ
リング。

（７）教育産業：教材プログラム、成績管理カード、図
書館の人出管理および書籍管理。

（８）　自動車産業：整備記録、運行管理。

（９）ＦＡ　：　ＭＣ，ＮＣ，ロボット等のプログラム
記録媒体。

（１０）その他：ビルコントロール、ホームコントロー
ル、ＩＤカード、自動販売機用媒体。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、基材上に周囲に対
して光反射率の異なる情報′記録パターンを形成してな
る光記録体において、低反射率部分が有色材料からなる
ため、エツチング等による工程の繁雑化を避けることが
でき、製造工程が簡単化しかつ、特定の光記録材料に限
定されることなく、製造コストを低減させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録体の１実施例であるＬＯＭタイ
プの光カードを示す図で（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視
図、第２図は本発明の光記録体の他の実施例であるＤＲ
ＡＷタイプの光カードを示す図、第３図は同じく他の実
施例であるＬＯＭタイプ、ＤＲＡＷタイプ併用の光カー
ドを示す図、第４図は本発明の光記録体の製造方法の１
実施例を説明するための図、第５図は本発明の光記録体
の書き込み方式を説明するための図、第６図は従来の光
カードの１例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図
、第７図は従来の光カードの他例を示す斜視図、第８図
は従来の光カードの他例を示す断面図、第９図は第８図
の書き込み方式を説明するための図、第１０図は従来の
光記録体の他例を示す斜視図である。１・・・光カード、４・・・情報記録ビット、８・・・
光記録トラック、９・・・案内トラック、１０・・・光
透過性基材、１１・・・フォトレジスト層、１２・・・
フォトマスク、１３・・・光反射材料または光記録材料
、１３ｂ・・・高反射率部分、１３ｃ・・・低反射率部
分、１５・・・基板。第１図（α〕第２図第３図第４図第６図（失）１、’ｐ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基材上に周囲に対して光反射率の異なる情報記録
パターンを形成してなる光記録体において、低反射率部
分が有色材料からなることを特徴とする光記録体。
（２）上記低反射率部分が染色されたフォトレジストで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記
録体。
（３）上記情報記録パターンにはビット情報が形成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録
体。
（４）上記情報記録パターンには複数組の光記録トラッ
クと案内トラックが形成されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光記録体。
（５）上記情報記録パターンにはビット情報および複数
組の光記録トラックと案内トラックが形成されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録体。
（６）基材上に周囲に対して光反射率の異なる情報記録
パターンを形成してなる光記録体であって、低反射率部
分が有色のフォトレジストである光記録体の製造方法に
おいて、光透過性の基材上にフォトレジストを塗布し、
マスク露光および現像により前記情報記録パターンを除
く部分にフォトレジストを残した後、基材全面に光反射
材料層または光記録材料層を設けることを特徴とする光
記録体の製造方法。