JPS63301613A - バッテリ式負荷駆動回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｒ産業上の利用分野ｊ 本発明はバッテリを電源とする負荷駆動回路において、
そのバッテリを順方向と逆方向、いずれの方向にも接続
できるようにした装置に関する。

「従来の技術」 周知の通り、自動市の電装装置など、負荷とパワーＭＯ
９ＦＥＴとを備えた負荷駆動回路では、電源として八ツ
テリを用いるのが一般である。

第４図は、かかる負荷駆動回路装置の一例であり、ｌは
負荷駆動回路、ｌｅはその負荷駆動回路ｌの電源（電圧
）ライン、２はバッテリ、３１．３２はランプ（または
モータ）などの負荷、４１はＮチャネル型のパワーＭＯ
９ＦＥＴ、４２はＰチャネル型のパワーＭＯＳ　ＦＥＴ
、５１．５２はこれらパワーＭＯ５ＦＥＴ４１．４？の
寄生ダイオードである。

第４図において、Ｎチャネル型のパワーＭＯＳＦＥＴ　
ｈを用いるとき、負荷３１は電源ラインｌｅとパワーパ
ー３−　ＭＯＳ　ＦＥＴ　４＋との間に接続され、Ｐチ
ャネル型のパワーＭＯＳ　ＦＥＴ４７を用いるとき、負
４ｉｉ１３２は電源ラインｌｅとグランド（アース）と
の間に接続されるのが一般である。

ｒ発明が解決しようとする聞届点１ １ユ述した第４図の装置において、同図のごとく八ツテ
リ２が負荷駆動回路ｌに逆方向に接続されたとき、つぎ
のようなｊｌ（ｙｍが生じる。

すなわち、パワーＭＯＳ　ＦＥＴ４＋、４２にそれぞれ
゛Ｓ生ダイオード５１．５２があるので、電流が寄生ダ
イオード５１と負荷３１、または電流は寄生ダイオード
５２と負荷３２を通じて電源ライン１ｅよりバッテリ２
に流れこんでしまい、寄生ダイオード５１．５２がダイ
オード順方向の電圧降下により発熱する。

この際のダイオード順方向の電圧降下は、０．７〜１．
０Ｖ程度であるが、これはＦＥＴのＯＮ抵抗による電圧
降下よりもかなり大きく、特に、負荷３１．３２が屯い
場合、Ｌ記へツテリ２の逆方向接続によるパ’７−　Ｍ
ＯＳ　ＦＥＴ４＋、４２ｔ７）　発１．ｓ　；１″’（
カ大キ＜　すＩＪ、これらパワーＭＯＳ　ＦＥＴ４＋、
４２が熱破壊する虞れが生じる。

本発明は上記の問題点に鑑み、負荷駆動回路にバッテリ
を逆方向接続した場合でも、パワーＭＯＳＦＥＴの発熱
が抑制できるバッテリ式負荷駆動回路装置を提供しよう
とするものである。

ｒ問題点を解決するための手段ｊ 本発明は所期の目的を達成するため、負荷とその負荷を
直接駆動させるためのパワーＭＯＳＦＥＴとを備えた負
荷駆動回路に、バッテリを順方向と逆方向、いずれの方
向にも接続できるようにした負荷駆動回路装置において
、上記負荷駆動回路には、バッテリが逆方向に接続され
たときに発振する発振回路と、該発振回路からの出力を
受けてパワーＭＯＳ　ＦＥＴを駆動可能なるよう−を圧
り昇させる昇圧回路とが組みこまれ、該昇圧回路の出力
端子がパワーＭＯＳ　ＦＥＴのゲート端子に接続されて
いることを特徴とする。

ｒ実　施　例Ｊ 以下、本発明装置の実施例につき１図面を参照して説明
する。

はじめ、本発明の一実施例である第１図の負荷駆動回路
装置について説明する。

第１図において、　１１は負荷駆動回路、ｌｌｅは負荷
駆動回路１１の電源（電圧）ライン、１２はバッチＩハ
１３１　はランプまたはモータなどの負荷、ｌｉはＮチ
ャネル型のパワーＭＯＳ　ＦＥＴ、　１５＋　はパワー
ＭＯＳＦＥＴ１４＋の寄生ダイオードである。

さらに第１図において、１６は発振回路、１７１　は昇
圧回路であり、１８．１９．２０＋　、　２１＋　は、
いずれも電流の回りごみを防止するためのダイオードで
ある。

第１図の発振回路１６は一例として第３図のごとき回路
構成からなり、第１図の昇圧回路１７１　は同図に例示
のごとくコンデンサ２２Ｉ、抵抗２３＋　、整流ダイオ
ード２４１、コンデンサ２５１、抵抗２６２　などを介
して構成されている。

第１図の実施例に示した本発明装置において、負荷駆動
回路１１にバッテリ１２が順方向（正常）に接続された
場合、電流回りこみ防ＩＬ用のダイオード１８．１９が
あるため、発振回路１６には電流が流れず、昇圧回路１
７１　　も作動しない。

上記負荷駆動回路１１にバッテリ１２が逆方向に接続さ
れた場合、発振回路１６が発振し、その発振信号が昇圧
回路１７＋　に入力される。

昇圧回路１７＋　に発振信号が入力されると、当該昇圧
回路１７１　は、パワーＭＯＳＦＥＴ１４＋　をＯＮす
るにｔ−分な昇圧状態となり、その昇圧された電圧が電
流回りこみ防止用のダイオード２０を介してパワーＭＯ
Ｓ　ＦＥＴ　１ｔ＋のゲートに印加されるので、パワＭ
ＯＳ　ＦＥＴ　ｌｔ＋がＯＮの状態となる。

したがって、第１図の実施例において負荷駆動回路１１
にバッテリ１２が逆方向に接続されたとしても、その際
の電流は、パワーＭＯＳ　ＦＥＴ１４＋内の寄生ダイオ
ード１５＋　を介して流れることがない。

」二足において、発振回路１６からの発振信号が昇圧回
路１７．に入力されると、その発振信号は、当該昇圧回
路１７１　のコンデンサ２１１　　と抵抗２２２　とで
構成される微分回路により交流波形となり、さらにその
交流波形は、整流ダイオード２４＋　により整流される
とともに、上記５１圧回路１７．のコンデンサ１５＋　
　と抵抗２８１　　とで構成されるモ滑回路を通じて、
前記のシ１圧された電圧としてパワーＭＯＳＦＥＴ１４
１　に印加される。

つぎに、本発明装置の他実施例である第２図の負荷駆動
回路装置について説明する。

第２図において、１１は負荷駆動回路、ｌｉｅは負荷駆
動回路１１の電源（電圧）ライン、１２は八ツテ１ハ１
３２はランプまたはモータなどの負荷、１４２はＰチャ
ネル型のパワーＭＯＳ　ＦＥＴ、　１５２はパワーＭＯ
９ＦＥＴ１４２の寄生ダイオードである。

さらに第２図において、１Ｂは発振回路、１７２はシ１
圧回路であり、１８．１９，２０２　、２１２は、いず
れも′上流の回りごみを防止するためのダイオードであ
る。

第２図の発振回路１６は、前記第３図に例示の回路構成
でよいが、第２図の昇圧回路１７２はコンデンサ２２ｚ
、抵抗２３２　、　ｇｌ流ダイオード２４２．：１７デ
ンサ２５２、抵抗２６２などを介して、同図に例示のご
とく構成されている。

第２図の実施例に示した本発明装置において、負荷駆動
回路１１にバッテリ１２が順方向に接続されたとき、こ
の場合も、電流回りこみ防止用のダイオード１Ｂ、１９
があるため１発振回路１６には電流が流れず、昇圧回路
１７２　も作動しないが、上記負荷駆動回路１１にバッ
テリ１２が逆方向に接続された場合は、前記と同じく発
振回路１６が発振し、その発振信号を入力された外圧回
路１７２が前記と同様の只圧状ｔ、となり、ｈ該り昇電
圧が電流回りこみ防止用のダイオード２０を介してパワ
ーＭＯＳ　ＦＥＴＩｈのゲートに印加されるので、パワ
ー１４０ｓ　ＦＥＴ＋４２がＯＮの状態となる。

かくて第２図の実施例でも、負荷駆動回路１１にバッテ
リ１２が逆方向に接続されたときの電流は、パワーＭＯ
９ＦＥＴ１４１内の寄生ダイオード１５１　を介して流
れることがない。

なお、第２図の実施例におけるその他の°バ項は前記第
１図の実施例と同じである。

「発明の効果Ｊ 以を説ＩＪＩ　した通り、本発明装置によるときは。

負荷駆動回路にバッテリを逆方向に接続した際、負荷駆
動用のパワーＭＯ９ＦＥＴがＯＮ状態となるので、その
パワーＭＯＳ　ＦＥＴ内の寄生ダイオードを介して電流
が流れることがなく、シたがって、当該パワーＭＯ５Ｆ
ＥＴの発熱を抑制してこれを防護することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を示した回路説明図、第
２図は本発明装置の他実施例を示した回路説明図、第３
図は上記両実施例における発振回路を例示した説明図、
第４図は従来装置の回路説明図である。 １１・・・・・・・・・・・・負荷駆動回路１２・・・
・・・・・・・・・バッテリ１３１．１３２・・・・・
・負荷 １４＋、１４２　・・・・・・パワーＭＯＳ　ＦＥＴ１
６・・・・・・・・・・・・発振回路１７１．１７２　
・・・・・・シ１．圧回路代理人　弁理士　斎　藤　義
　雄 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 負荷とその負荷を直接駆動させるための前置プロセッサ
   とを備えた負荷駆動回路に、バッテリを順方向と逆方向
   、いずれの方向にも接続できるようにした負荷駆動回路
   装置において、上記負荷駆動回路には、バッテリが逆方
   向に接続されたときに発振する発振回路と、該発振回路
   からの出力を受けてパワーＭＯＳＦＥＴを駆動可能なる
   よう電圧上昇させる昇圧回路とが組みこまれ、該昇圧回
   路の出力端子がパワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子に接続
   されていることを特徴とするバッテリ式負荷駆動回路装
   置。