JPS63300523A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPS63300523A JPS63300523A JP13725787A JP13725787A JPS63300523A JP S63300523 A JPS63300523 A JP S63300523A JP 13725787 A JP13725787 A JP 13725787A JP 13725787 A JP13725787 A JP 13725787A JP S63300523 A JPS63300523 A JP S63300523A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、時に温度検出用の温度
センサーを備えて構成される半導体集積回路の改良に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and sometimes relates to an improvement in a semiconductor integrated circuit configured to include a temperature sensor for detecting temperature.
従来、この種の半導体集積回路においては、温度検出用
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対を利用
しているのが大半であり、一般的である。Conventionally, most semiconductor integrated circuits of this type have generally used thermocouples made of special metal as temperature sensors for temperature detection.
上述した従来の半導体集積回路においては、温度検出用
の温度センサーとして、特殊金属を用いた熱電対が利用
されている。このため、半導体集積回路の１チツプ上に
前記温度センサーのユニットを設ける場合には、そのた
めの特殊な製造プロセスが必要となり、半導体集積回路
の製造を複雑化し、製造コストの増大を招くという欠点
がある。In the conventional semiconductor integrated circuit described above, a thermocouple made of a special metal is used as a temperature sensor for detecting temperature. Therefore, when a temperature sensor unit is provided on one chip of a semiconductor integrated circuit, a special manufacturing process is required, which has the drawback of complicating the manufacturing of the semiconductor integrated circuit and increasing manufacturing costs. be.
本発明の半導体集積回路は、温度検出用の半導体容量と
、前記半導体容量における電荷保持時間を測定する手段
と、を備えて構成される。A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a semiconductor capacitor for temperature detection and means for measuring charge retention time in the semiconductor capacitor.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例の構成図である。第１図
に示されるように、本実施例は、ＶＣＣ電源１に対応し
て、スイッチ２と、半導体容量３と、インバータ４と、
タイマー５と、データ変換器６と、ラッチ用レジスタ７
と、を備えて構成される。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this embodiment includes a switch 2, a semiconductor capacitor 3, an inverter 4, and a VCC power supply 1.
Timer 5, data converter 6, and latch register 7
It is composed of and.
第１図において、温度の測定に当っては、最初にスイッ
チ２を“ＯＮ″とし、半導体容量３をＶｃｃレベルまで
充電しておく。次に温度測定の時点において、端子５１
から所定のトリガーを１パルス入力する。このトリガー
によりスイッチ２は“ＯＦＦ″となり、半導体容量３に
充電されている電荷はダイナミック保持状態となる。こ
の時点において、同時に、前記トリガーを介してタイマ
ー５におけるカウントが開始される。In FIG. 1, when measuring the temperature, first the switch 2 is turned on and the semiconductor capacitor 3 is charged to the Vcc level. Next, at the time of temperature measurement, terminal 51
Input one pulse of the predetermined trigger from . This trigger turns the switch 2 "OFF", and the charges stored in the semiconductor capacitor 3 enter a dynamic holding state. At this point, counting in the timer 5 is simultaneously started via the trigger.
半導体容量３においてダイナミック保持された電荷はリ
ーク等により減少してゆくが、半導体容量３の電圧■ｃ
は、前記電荷の減少にともないＶＣＣレベルよりも低下
する。更に電圧■ｃのレベルが低下してゆき、インバー
タ４の低レベル論理しきい値の電圧に到達すると、イン
バータ４の出力レベルが“Ｌ”レベルからＨ１ルベルに
転移し、この時点においてタイマー５におけるカウント
が停止される。すなわち、タイマー５によって半導体容
量３における電荷保持時間が測定される。前記電荷保持
時間の測定値はデータ変換器６に送られるが、この電荷
保持時間は半導体容量３における温度変化に対応して変
動する特性を有しており、この特性を利用して、データ
変換器６においては、前記保持時間の測定値が温度デー
タに変換される。データ変換器６における前記温度デー
タは、ラッチ用レジスタ７によりラッチされ、保持され
る。The charge dynamically held in the semiconductor capacitor 3 decreases due to leakage, etc., but the voltage of the semiconductor capacitor 3 c
decreases below the VCC level as the charge decreases. When the level of the voltage ■c further decreases and reaches the voltage of the low-level logic threshold of the inverter 4, the output level of the inverter 4 transitions from the "L" level to the H1 level, and at this point the timer 5 is Counting is stopped. That is, the timer 5 measures the charge retention time in the semiconductor capacitor 3. The measured value of the charge retention time is sent to the data converter 6, but this charge retention time has a characteristic that changes in response to temperature changes in the semiconductor capacitor 3, and this characteristic is used to perform data conversion. In the device 6, the measured value of the holding time is converted into temperature data. The temperature data in the data converter 6 is latched and held by the latching register 7.
第２図は本発明の第２の実施例の構成図である。FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.
第２図に示されるように、本実施例は、ＶＣＣ電源８に
対応して、スイッチ９と、パルス発生器１０と、半導体
容量１１と、インバータ１２と、タイマー１３と、コン
パレータ１４と、保持時間設定レジスタ１５と、割込信
号発生器１６と、を備えて構成される。As shown in FIG. 2, in this embodiment, a switch 9, a pulse generator 10, a semiconductor capacitor 11, an inverter 12, a timer 13, a comparator 14, and a holding device are provided in correspondence with the VCC power supply 8. It is configured to include a time setting register 15 and an interrupt signal generator 16.
第２図において、パルス発生器１０から出力されるパル
スに対応して、前記第１の実施例の場合と同様に、スイ
ッチ９、インバータ１２およびタイマー１３の動作を介
して、半導体容量１１の電荷保持時間が測定たれる。す
なわち、パルス発生器１０から出力される１パルスごと
に、前記電荷保持時間がサンプリングされて測定される
。この電荷保持時間の測定値はコンパレータ１４に送ら
れ、コンパレータ１４において、保持時間設定レジスタ
１５から入力される事前設定された保持時間と比較され
る。前記電荷保持時間の測定値が設定範囲を越えると、
割込信号発生器１６を介して割込信号が生成される。In FIG. 2, in response to a pulse output from a pulse generator 10, a charge is generated in a semiconductor capacitor 11 through the operation of a switch 9, an inverter 12, and a timer 13, as in the first embodiment. Retention time is measured. That is, the charge retention time is sampled and measured for each pulse output from the pulse generator 10. This measured value of the charge retention time is sent to the comparator 14, where it is compared with a preset retention time input from the retention time setting register 15. If the measured value of the charge retention time exceeds the set range,
An interrupt signal is generated via an interrupt signal generator 16.
以上説明したように、本発明は、温度センサーとして半
導体容量を用いて温度測定する方式を用いているため、
半導体集積回路の１チツプ上に特殊なプロセスを用いる
必要がなくなり、半導体集積回路の製造を簡易化し１．
製造コストを低減することができるという効果がある。As explained above, since the present invention uses a method of measuring temperature using a semiconductor capacitor as a temperature sensor,
There is no need to use a special process on one chip of a semiconductor integrated circuit, which simplifies the manufacturing of semiconductor integrated circuits.1.
This has the effect of reducing manufacturing costs.
第１図および第２図は、それぞれ本発明な第１および第
２の実施例の構成図である。
図において、１，８・・・Ｖｃｃ電ｆｉ、２．９・・・
スイッチ、３．１１・・・半導体容量、４，１２・・・
インバータ、５，１３・・・タイマー、６・・・データ
変換器、７・・・ラッチ用レジスタ、１ｏ・・・パルス
発生器、１４・・・コンパレータ、１５・・・保持時間
設定レジスタ、１６・・・割込信号発生器。
代理人 弁理士 内 原 音ハ真
し・FIG. 1 and FIG. 2 are block diagrams of first and second embodiments of the present invention, respectively. In the figure, 1,8...Vcc electric fi, 2.9...
Switch, 3.11...Semiconductor capacitor, 4,12...
Inverter, 5, 13... Timer, 6... Data converter, 7... Latch register, 1o... Pulse generator, 14... Comparator, 15... Holding time setting register, 16 ...Interrupt signal generator. Agent Patent Attorney Masashi Uchihara Otoha
Claims (1)
荷保持時間を測定する手段と、を備えることを特徴とす
る半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor capacitor for temperature detection; and means for measuring charge retention time in the semiconductor capacitor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13725787A JPS63300523A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13725787A JPS63300523A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300523A true JPS63300523A (en) | 1988-12-07 |
Family
ID=15194436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13725787A Pending JPS63300523A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63300523A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841843B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-01-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| WO2010073424A1 (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | パナソニック株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13725787A patent/JPS63300523A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841843B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-01-11 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| WO2010073424A1 (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | パナソニック株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
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