JPS6329971A - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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- JPS6329971A JPS6329971A JP61173479A JP17347986A JPS6329971A JP S6329971 A JPS6329971 A JP S6329971A JP 61173479 A JP61173479 A JP 61173479A JP 17347986 A JP17347986 A JP 17347986A JP S6329971 A JPS6329971 A JP S6329971A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、X線、γ線等の放射線を、1次元あるいは2
次元的に検出する放射線撮像装置に関する。
次元的に検出する放射線撮像装置に関する。
(従来の技術)
X線、γ線等の放射線を検出する装置として、放射線の
イオン化現象を利用したガス検出器(0M管、比例計数
管、イオンチェンバ−5霧箱等)や螢光発光現象を利用
した検出器(シンチレーンヨン検出器)が知られている
。
イオン化現象を利用したガス検出器(0M管、比例計数
管、イオンチェンバ−5霧箱等)や螢光発光現象を利用
した検出器(シンチレーンヨン検出器)が知られている
。
半導体素子を放射線検出にポイントセンサとして使用す
るには螢光作用によって生じた光をホトセルで検出する
法あるいは、Llを活性剤としたSi。
るには螢光作用によって生じた光をホトセルで検出する
法あるいは、Llを活性剤としたSi。
GeのPNダイオード構造に逆バイアス電圧を加えた空
乏層内の放射線による励起キャリヤを検出する方法があ
る。
乏層内の放射線による励起キャリヤを検出する方法があ
る。
2次元的に検出する技術にはCslを放射線の吸収体お
よび発光体として利用し、この発光を光電陰極により光
電子に変換し加速、収束させて螢光体を発光させるX線
イメージインテンシファイヤや酸化鉛の放射線に対する
光導電性を利用した撮像管がある。
よび発光体として利用し、この発光を光電陰極により光
電子に変換し加速、収束させて螢光体を発光させるX線
イメージインテンシファイヤや酸化鉛の放射線に対する
光導電性を利用した撮像管がある。
また上述の螢光板によって放射線像を光に変換し、これ
を位置検出能力のあるCCDやMO3光検出素子あるい
は可視光像を読み取る撮像管で検出する方法もとられて
いる。
を位置検出能力のあるCCDやMO3光検出素子あるい
は可視光像を読み取る撮像管で検出する方法もとられて
いる。
第7図を参照して放射線(T線、X線)を螢光板によっ
て光に変換して、放射線の線量率や位置を検出する従来
の放射線撮像装置を説明する。
て光に変換して、放射線の線量率や位置を検出する従来
の放射線撮像装置を説明する。
放射線は試料70に吸収されて試料70の放射線透過率
に応じた量が螢光体71を輝かす。
に応じた量が螢光体71を輝かす。
このとき直接この像を写真乾板72で撮像することもで
きる。
きる。
ここでは螢光体71の像をレンズ73によって縮小した
像をフォーカス面である位置に固体撮像素子74あるい
は撮像管75をおいて2次元光像を2次元電気信号に変
換し時系列信号として映像信号を得ている。
像をフォーカス面である位置に固体撮像素子74あるい
は撮像管75をおいて2次元光像を2次元電気信号に変
換し時系列信号として映像信号を得ている。
高解像度を必要とするときには撮像管75を、必要とし
ないときには固体撮像素子74を用いている。
ないときには固体撮像素子74を用いている。
第8図(A)にMOSの画素構造の固体撮像素子の例、
同図(B)にその等価回路を示す。
同図(B)にその等価回路を示す。
入射光(放射線)がホトダイオード部81で電気信号と
して変換され貯えられる。
して変換され貯えられる。
これをゲート部82に信号を加えることによってこの電
気信号はゲート下のダイオード部82に移動し、これを
信号線に電荷を移動し、φ1.φ2゜・・・・・・によ
って順次にゲートを駆動し次々に信号を読み出す。
気信号はゲート下のダイオード部82に移動し、これを
信号線に電荷を移動し、φ1.φ2゜・・・・・・によ
って順次にゲートを駆動し次々に信号を読み出す。
(発明が解決しようとする問題点)
前述した装置のように、放射線を螢光体によって光に変
換して後に検出することには、種々の問題がある。
換して後に検出することには、種々の問題がある。
螢光体には各種のものが考案され実用化されている。し
かし、発光効率が低いことで感度の問題がある。
かし、発光効率が低いことで感度の問題がある。
また、発光には時間的立ち上がり光減衰が伴うので、こ
れらの特性で時間的応答が遅くなる。
れらの特性で時間的応答が遅くなる。
位置情報として発光現象をとらえても発光には光拡散に
よる拡がりが生じる。
よる拡がりが生じる。
さらに光に変換された像を光学レンズによって縮小して
固体撮像素子に結像する。
固体撮像素子に結像する。
このため固体撮像素子の分解能と共に、より解像度の上
で不満がある。
で不満がある。
そのために固体撮像素子に直接放射線を入射させる例も
ある。
ある。
放射線像は、光学的レンズにより倍率を替えるなどの変
換ができないために、またあるていどの分解を得るため
に、放射線像の検出には、試料に対応する充分な大きさ
をもつ固体撮像素子が必要になる。
換ができないために、またあるていどの分解を得るため
に、放射線像の検出には、試料に対応する充分な大きさ
をもつ固体撮像素子が必要になる。
これらの要請を充たすために、Si材料を用いて種々の
実用化実験が行われているが、Stでは放射線に対する
信号変換効率が低いという問題がある。
実用化実験が行われているが、Stでは放射線に対する
信号変換効率が低いという問題がある。
そのため現時点では、大面積で高解像度で高感度の素子
は得られていない。
は得られていない。
本発明の目的は、放射線像の検出に通した大面積で高い
感度をもち、かつ製造が容易である放射線検出装置を提
供することにある。
感度をもち、かつ製造が容易である放射線検出装置を提
供することにある。
(問題点を解決するための手段)
前記目的を達成するために、本発明による放射線描像装
置は、放射線の吸収体である信号の創成層と信号電荷の
蓄積層とが半導体異種接合で形成されている光電変換部
と、前記異種接合で得られた信号電荷を読み出す薄膜ト
ランジスタ部との対を一体化して1次元または2次元に
配列して構成されている。
置は、放射線の吸収体である信号の創成層と信号電荷の
蓄積層とが半導体異種接合で形成されている光電変換部
と、前記異種接合で得られた信号電荷を読み出す薄膜ト
ランジスタ部との対を一体化して1次元または2次元に
配列して構成されている。
前記信号電荷の創成層は高比抵抗体となる重元素の化合
物半導体であり、Cd” Te52またはCd48Se
34またはZn” Te52が通している。
物半導体であり、Cd” Te52またはCd48Se
34またはZn” Te52が通している。
前記信号電荷の蓄積層は、水素化アモルファスシリコン
が適している。
が適している。
前記薄膜トランジスタはアモルファスシリコンと絶縁物
とゲート電極によって信号電荷移動を制御するものであ
る。
とゲート電極によって信号電荷移動を制御するものであ
る。
(実施例)
以下図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する。
第1図は本発明による放射線撮像装置の第1の実施例の
断面図、第2図は同底面図、第3図は等価回路である。
断面図、第2図は同底面図、第3図は等価回路である。
この装置は主として、放射線を検出して信号電荷として
1mするホトダイオード部■と、蓄積された信号電荷を
読み出す薄膜トランジスタ部■から構成されている。
1mするホトダイオード部■と、蓄積された信号電荷を
読み出す薄膜トランジスタ部■から構成されている。
このホトダイオード部■は水素化アモルファスシリコン
(a−3i : H) Jilとカドミュームテルル(
Cd487e52 )層2から形成されている。
(a−3i : H) Jilとカドミュームテルル(
Cd487e52 )層2から形成されている。
この異種接合ではカドミュームテルル層2が高純度高抵
抗率の多結晶の層である。
抗率の多結晶の層である。
さらにこの接合に電界を加えるための電極としてN形の
水素化アモルファスシリコン層1側には、N+の水素化
アモルファスシリコン層3を介してモリブデン金属(M
O)の電極4が設けられており、カドミュームテルル層
2は窒化シリコン(Si3N4)膜6を介して、ガラス
基板7上のモリブデン金1m(Mo)の電極5に接続さ
れている。
水素化アモルファスシリコン層1側には、N+の水素化
アモルファスシリコン層3を介してモリブデン金属(M
O)の電極4が設けられており、カドミュームテルル層
2は窒化シリコン(Si3N4)膜6を介して、ガラス
基板7上のモリブデン金1m(Mo)の電極5に接続さ
れている。
電極4に正、電極5に負を印加すると、この異種接合に
おいて空乏層は主としてカドミュームテルル層2測に拡
がる。
おいて空乏層は主としてカドミュームテルル層2測に拡
がる。
この状態で放射線(T線、X線)が入射すると電子、正
孔対が生成し異種接合によって形成されているコンデン
サを放電する。
孔対が生成し異種接合によって形成されているコンデン
サを放電する。
負電極すなわちガラス板7上に配置された電極5は放射
線量に応じて電位が高くなっていく。
線量に応じて電位が高くなっていく。
これが信号電荷によるものである。
この蓄積電荷は薄膜トランジスタ部Hのゲート電極9に
正電圧を加えるとアモルファス窒化シリコン(Si3N
4)膜10の下のチャネルを通して信号電極12に伝達
される。
正電圧を加えるとアモルファス窒化シリコン(Si3N
4)膜10の下のチャネルを通して信号電極12に伝達
される。
第3図は、前記第1の実施例装置の等価回路である。
N形の水素化アモルファスシリコン層1とカドミューム
テルル層2で形成されるホトダイオードはそれぞれ画素
を形成するように分離されて形成される。
テルル層2で形成されるホトダイオードはそれぞれ画素
を形成するように分離されて形成される。
正電橿4は共通電極として配置されている。
負電極5は画素毎に■、■、■、・・・・・・と配置さ
れ薄膜トランジスタ部■のゲート電極9の対応するゲー
ト電極■、■、■・・・・・・と対向して配置されてい
る。
れ薄膜トランジスタ部■のゲート電極9の対応するゲー
ト電極■、■、■・・・・・・と対向して配置されてい
る。
薄膜トランジスタ部Hの信号電極12は共通に設けられ
ている。
ている。
ゲート電極9へのパルス電圧によって電極5と電極12
間のスイッチが、オン−オフさせられる。
間のスイッチが、オン−オフさせられる。
第4図は、前記第1の実施例装置の製造過程を示す略図
である。
である。
(1)硼珪酸ガラスのガラス板7上にモリブデン金属を
スパッタ蒸着して電極5■、5■・・・と信号電極12
を形成する。
スパッタ蒸着して電極5■、5■・・・と信号電極12
を形成する。
(II)高周波スパッタまたは蒸着法によりまずP形の
カドミュームテルル層2を形成する。このとき薄膜トラ
ンジスタ■が形成される部分を金属マスクで覆っておく
。そしてN膨水素化アモルファスシリコン層2およびN
+水水素化7ルルフアスシ9フフ3をモノシラン(S
i H4)ガスのグロー放電法により形成する。
カドミュームテルル層2を形成する。このとき薄膜トラ
ンジスタ■が形成される部分を金属マスクで覆っておく
。そしてN膨水素化アモルファスシリコン層2およびN
+水水素化7ルルフアスシ9フフ3をモノシラン(S
i H4)ガスのグロー放電法により形成する。
そして最後に正の電極4を形成する金属を蒸着する。
(I[[)次に前記工程により形成されたにホトダイオ
ード部■を覆っておき前記グロー放電法により水素化ア
モルファスシリコン層11と、アモルファス窒化シリコ
ン層10を堆積させる。
ード部■を覆っておき前記グロー放電法により水素化ア
モルファスシリコン層11と、アモルファス窒化シリコ
ン層10を堆積させる。
最後にゲート電極9■、9■、9■・・を形成するモリ
ブデン金属を蒸着する。
ブデン金属を蒸着する。
この後ホトエンチング技術により各画素を分離する。
第5図は、前記第1の実施例装置の特性を示すグラフで
ある。
ある。
横軸を毎分当りの入射放射線量、縦軸を電極12から取
り出される信号電流値としである。
り出される信号電流値としである。
第1図に示した実施例のホトダイオードの電極4゜5間
にダイオードに逆方向に10.20,30Vの各電圧を
印加したときの出力電極12からの出力電流を示したも
のである。
にダイオードに逆方向に10.20,30Vの各電圧を
印加したときの出力電極12からの出力電流を示したも
のである。
この感度は現在実用化されているシリコンを利用したも
のと比較して感度が5〜10倍向上している。第6図は
、本発明による放射線撮像装置の第2の実施例を示す断
面図である。
のと比較して感度が5〜10倍向上している。第6図は
、本発明による放射線撮像装置の第2の実施例を示す断
面図である。
先に第1図〜第3図に関連して説明した実施例の部分と
共通する機能を持つ部分には共通の数字を付しである。
共通する機能を持つ部分には共通の数字を付しである。
ガラス板7の上にホトダイオード部■の電極5■・5■
・・を形成し、その上に窒化シリコンF161を形成す
る。さらにP形のカドミュームテルル層62を形成し、
その上にN形の水素化アモルファスシリコン層63を形
成する。
・・を形成し、その上に窒化シリコンF161を形成す
る。さらにP形のカドミュームテルル層62を形成し、
その上にN形の水素化アモルファスシリコン層63を形
成する。
そしてホトダイオード部Iの電極4と薄膜トランジスタ
部■の出力電極12を同時に形成する。
部■の出力電極12を同時に形成する。
その上に窒化シリコン層64を形成して、最後に薄膜ト
ランジスタ部■のゲート電極9■、9■。
ランジスタ部■のゲート電極9■、9■。
9■・・・を形成する。
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、本発明による放射線撮像装
置は、信号電荷の蓄積層と放射線の吸収体である信号の
創成層が半導体異種接合で形成されている信号変換部と
、前記異種接合で得られた信号電荷を読み出す薄膜トラ
ンジスタ部との対を1次元または2次元に配列して構成
されている。
置は、信号電荷の蓄積層と放射線の吸収体である信号の
創成層が半導体異種接合で形成されている信号変換部と
、前記異種接合で得られた信号電荷を読み出す薄膜トラ
ンジスタ部との対を1次元または2次元に配列して構成
されている。
本発明によれば、放射線の吸収体である信号の創成層を
カドミュームテルルの高周波スパッタ法または蒸着法に
より高抵抗状態で成膜できる。
カドミュームテルルの高周波スパッタ法または蒸着法に
より高抵抗状態で成膜できる。
前述した製造方法によれば、スパッタ装置の真空槽の大
きさまで均一な成膜ができ、通常の手法でも6インチは
いうにおよばず9インチ径のものまで容易に製作できる
。
きさまで均一な成膜ができ、通常の手法でも6インチは
いうにおよばず9インチ径のものまで容易に製作できる
。
もちろんこの上に形成される信号電荷の蓄積層水素化ア
モルファスシリコンはユバフタ法またはグロー放電法に
より高抵抗膜に形成できる。
モルファスシリコンはユバフタ法またはグロー放電法に
より高抵抗膜に形成できる。
放射線検出器では放射線を検出するためには吸収係数の
大きなものが最も望ましい。
大きなものが最も望ましい。
実施例として示した前記カドミュームテルル層は原子量
が大きいもの同志の化合物半導体層であるから吸収係数
も大きい。
が大きいもの同志の化合物半導体層であるから吸収係数
も大きい。
また力ドミュームテルルはIn添加によりN形。
sb添加によりP形にすることができる。
現在実用になっているpbo半導体もCdTeに匹敵す
るXIJIT線の吸収体ではあるが、Pb。
るXIJIT線の吸収体ではあるが、Pb。
は空気によって著るしい変化を受は炭酸塩、水素化物に
変わり半導体としての性質をmなう点で問題になる。
変わり半導体としての性質をmなう点で問題になる。
前述したようにCd49Se34またはzn30Te5
2層も前記カドミュームテルル層と同様に原子量が大き
いもの同志の化合物半導体層であり信号生成層に適して
いる。
2層も前記カドミュームテルル層と同様に原子量が大き
いもの同志の化合物半導体層であり信号生成層に適して
いる。
また本発明による放射線撮像装置は、カドミュームテル
ルと水素化アモルファスシリコンのベテロ接合にX線に
よって生じた信号電荷を水素化アモルファスシリコンの
薄膜トランジスタによりゲート信号制御で読み出せる。
ルと水素化アモルファスシリコンのベテロ接合にX線に
よって生じた信号電荷を水素化アモルファスシリコンの
薄膜トランジスタによりゲート信号制御で読み出せる。
したがって、信号処理が水素化アモルファスシリコンの
ゲート(スイッチ)を用いて駆動されるので非常に簡便
で増幅器への導入が容易である。
ゲート(スイッチ)を用いて駆動されるので非常に簡便
で増幅器への導入が容易である。
構造が簡単であるので、微細加工技術も回数が少なくで
きるので精度良くできる。
きるので精度良くできる。
第1図は、本発明による放射線↑Ii像装置の第1の実
施例を示す断面図である。 第2図は、前記実施例装置の図である。 第3図は、前記実施例装置の等価回路を示す回路図であ
る。 第4図は、前記第1の実施例装置の製造過程を示す略図
である。 第5図は、前記第1の実施例装置の特性を示すグラフで
ある。 第6図は、本発明による放射線撮像装置の第2の実施例
を示す断面図である。 第7図は、従来の放射線撮像装置を示す略図である。 第8図は、前記従来の放射線撮像装置に利用されるMO
Sの画素構造の固体撮像素子の断面図(A)とその等価
回路図(B)である。 ホトダイオード部1 1・・・N形の水素化アモルファスシリコン層2・・・
カドミュームテルル層 3・・・N+の水素化アモルファスシリコン層4・・・
正電極 5■、5■、5■・・・・・・電極 6・・・窒化シリコン膜 7・・・ガラス板 薄膜トランジスタ部■ 9■、9■、9■・・・ゲート電極 10・・・窒化シリコン層 11・・・水素化アモルファスシリコン層12・・・信
号電極 24図 才5図 くり QJ 〜′#(−ン一、n)−
m−)r−一一 26図 オフ図 才8図
施例を示す断面図である。 第2図は、前記実施例装置の図である。 第3図は、前記実施例装置の等価回路を示す回路図であ
る。 第4図は、前記第1の実施例装置の製造過程を示す略図
である。 第5図は、前記第1の実施例装置の特性を示すグラフで
ある。 第6図は、本発明による放射線撮像装置の第2の実施例
を示す断面図である。 第7図は、従来の放射線撮像装置を示す略図である。 第8図は、前記従来の放射線撮像装置に利用されるMO
Sの画素構造の固体撮像素子の断面図(A)とその等価
回路図(B)である。 ホトダイオード部1 1・・・N形の水素化アモルファスシリコン層2・・・
カドミュームテルル層 3・・・N+の水素化アモルファスシリコン層4・・・
正電極 5■、5■、5■・・・・・・電極 6・・・窒化シリコン膜 7・・・ガラス板 薄膜トランジスタ部■ 9■、9■、9■・・・ゲート電極 10・・・窒化シリコン層 11・・・水素化アモルファスシリコン層12・・・信
号電極 24図 才5図 くり QJ 〜′#(−ン一、n)−
m−)r−一一 26図 オフ図 才8図
Claims (6)
- (1)放射線の吸収体である信号の創成層と信号電荷の
蓄積層とが半導体異種接合で形成されている光電変換部
と、前記異種接合で得られた信号電荷を読み出す薄膜ト
ランジスタ部との対を一体化して1次元または2次元に
配列して構成した放射線撮像装置。 - (2)前記信号電荷の創成層は高比抵抗体となる重元素
の化合物半導体である特許請求の範囲第1項記載の放射
線撮像装置。 - (3)前記信号電荷の創成層の半導体は高比抵抗体の化
合物半導体、カドミュームテルル(Cd^4^8Te^
5^2)またはカドミュームセレン(Cd^4^8Se
^3^4)または亜鉛テルル(Zn^3^0Te^5^
2)である特許請求の範囲第2項記載の放射線撮像装置
。 - (4)前記信号電荷の創成層の異種接合を形成する他の
半導体は、水素化アモルファスシリコンである特許請求
の範囲第1項記載の放射線撮像装置。 - (5)前記薄膜トランジスタはアモルファスシリコンと
絶縁物とゲート電極によって信号電荷移動を制御するも
のである特許請求の範囲第1項記載の放射線撮像装置。 - (6)前記薄膜トランジスタの絶縁物は窒化シリコン(
SiN)である特許請求の範囲第1項記載の放射線撮像
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61173479A JP2697767B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61173479A JP2697767B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 放射線撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6329971A true JPS6329971A (ja) | 1988-02-08 |
JP2697767B2 JP2697767B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=15961255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61173479A Expired - Lifetime JP2697767B2 (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697767B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5985975A (en) * | 1995-01-31 | 1999-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid composition, ink set and method and apparatus for image by using the composition and ink set |
WO2006054796A1 (en) | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printing apparatus, method of manufacturing ink absorber, and ink absorber |
US7396120B2 (en) | 2002-10-25 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Inkjet recording method and recording product |
US7654662B2 (en) | 2004-11-19 | 2010-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printing method and ink jet printing apparatus |
US7988276B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printing method and ink jet printing apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5548978A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Photo-electromotive element |
JPS56137684A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Ricoh Co Ltd | Photoelectric transducing element |
JPS59227168A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 半導体放射線検出器 |
JPS6184863A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Nec Corp | イメ−ジセンサ |
JPS6187479A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-05-02 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61173479A patent/JP2697767B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US7396120B2 (en) | 2002-10-25 | 2008-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Inkjet recording method and recording product |
WO2006054796A1 (en) | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printing apparatus, method of manufacturing ink absorber, and ink absorber |
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US7988276B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-08-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printing method and ink jet printing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2697767B2 (ja) | 1998-01-14 |
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