JPS63299286A - Hall device - Google Patents
Hall deviceInfo
- Publication number
- JPS63299286A JPS63299286A JP62134033A JP13403387A JPS63299286A JP S63299286 A JPS63299286 A JP S63299286A JP 62134033 A JP62134033 A JP 62134033A JP 13403387 A JP13403387 A JP 13403387A JP S63299286 A JPS63299286 A JP S63299286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- semiconductor thin
- hall element
- magnetic
- predetermined pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 92
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 49
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 35
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 9
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はモータの回転制御、磁気による非接触スイッチ
等に有効に用いられるホール素子、特に。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a Hall element that is effectively used in motor rotation control, magnetic non-contact switches, etc.
主体となる磁性体基板を含んで構成されている基板上に
形成させた所定のパターンの半導体薄膜上に集磁用の磁
性体の小片が設けられている如き構成形態のホール素子
に関する。The present invention relates to a Hall element having a configuration in which a small piece of a magnetic material for collecting magnetism is provided on a semiconductor thin film in a predetermined pattern formed on a substrate including a main magnetic material substrate.
（従来の技術）
集磁効果の向上によって高感度のホール素子を構成させ
ることは従来から知られており、この種の高感度のホー
ル素子としては、例えば磁性体基板上にガラス、５ｉ０
２の薄膜等による絶縁膜を介して所定のパターンを有す
る半導体膜ＩＩＩ（例えば、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓの薄膜
）を形成し、前記した半導体薄膜上の予め定められた部
分に集磁用の磁性体の小片を固着させた構成のいわゆる
サンドイッチ構造のホール素子が既に提供されている。(Prior Art) It has been known for a long time that a highly sensitive Hall element can be constructed by improving the magnetic concentrating effect, and this type of highly sensitive Hall element is, for example, made of glass, 5i0, etc. on a magnetic substrate.
A semiconductor film III (for example, a thin film of InSb or InAs) having a predetermined pattern is formed through an insulating film made of a thin film or the like of No. 2, and a magnetic material for magnetization is applied to a predetermined portion of the semiconductor thin film. Hall elements having a so-called sandwich structure in which small pieces are fixed have already been provided.
第１１図乃至第１４図は従来のサンドインチ構造のホー
ル素子の構成例を説明するための図であり、゛まず、第
１１図に示されているホール素子において、１はフェラ
イト基板、２は前記したフェライト基板１上に形成させ
たガラスの薄膜あるいは二酸化シリコンの薄膜による絶
縁膜であり、３は前記した絶縁膜２上に例えばフォトリ
ソグラフィ法によって所定のパターンに付着形成させた
半導体膜である。FIGS. 11 to 14 are diagrams for explaining configuration examples of conventional sandwich-type Hall elements. First, in the Hall element shown in FIG. 11, 1 is a ferrite substrate, 2 is a It is an insulating film made of a thin glass film or a thin film of silicon dioxide formed on the above-described ferrite substrate 1, and 3 is a semiconductor film formed in a predetermined pattern on the above-described insulating film 2 by, for example, photolithography. .
また、４〜７は前記した所定のパターンを有する半導体
薄膜３における各端部に電気的に接続した状態となるよ
うにして前記した絶縁膜２上に例えばフォトリソグラフ
ィ法によって所定のパターンに付着形成させた端子電極
であり、８〜１１はワイヤボンディングによって前記し
た端子電極４〜７に接続されている接続線である。Further, 4 to 7 are formed on the insulating film 2 in a predetermined pattern by photolithography, for example, so as to be electrically connected to each end of the semiconductor thin film 3 having the predetermined pattern. The terminal electrodes 8 to 11 are connected to the terminal electrodes 4 to 7 by wire bonding.
１３はフェライトのチップであって、このフェライトの
チップ１３は前記した所定のパターンを有する半導体薄
膜３における感磁動作部に対応している部分に接着剤層
１２によって接着されている。Reference numeral 13 denotes a ferrite chip, and this ferrite chip 13 is bonded by an adhesive layer 12 to a portion of the semiconductor thin film 3 having the above-mentioned predetermined pattern that corresponds to the magnetically sensitive operating portion.
次に、第１２図の平面図と第１２図中のＡ−Ａ線位置で
の縦断側面図を示す第１３図とによって示されているホ
ール素子及び第１４図の斜視図に示されているホール素
子において、１はフェライト基板、３は所定のパターン
を有する半導体膜、４〜７は前記した所定のパターンを
有する半導体膜１ａ３における各端部に電気的に接続し
た状態となるようにして設けられた端子電極、８〜１１
はワイヤボンディングによって前記した端子電極４〜７
に接続されている接続線、１３はフェライトのチップ、
１２．１５は接着剤層であり、また。Next, the Hall element shown in the plan view of FIG. 12 and FIG. 13 showing a longitudinal side view taken along line A-A in FIG. 12, and the perspective view of FIG. 14. In the Hall element, 1 is a ferrite substrate, 3 is a semiconductor film having a predetermined pattern, and 4 to 7 are provided so as to be electrically connected to each end of the semiconductor film 1a3 having a predetermined pattern. terminal electrodes, 8-11
are the terminal electrodes 4 to 7 described above by wire bonding.
13 is a ferrite chip,
12.15 is an adhesive layer;
第１３図中に示されている符号１４は例えばエポキシ樹
脂による保護層である。Reference numeral 14 shown in FIG. 13 is a protective layer made of, for example, epoxy resin.
前記した第１２図及び第１３図に示されているホール素
子及び第１４図に示されているホール素子においては、
まず、半導体薄膜３の構成物質における結晶構造と近似
した結晶構造を有し、かつ。In the Hall element shown in FIGS. 12 and 13 and the Hall element shown in FIG. 14,
First, it has a crystal structure similar to that of the constituent material of the semiconductor thin film 3, and.
半導体薄膜３の構成物質における格子定数に近い格子定
数を有しているような物質によって作られている極めて
平゛滑度の高い表面を備えている基板上に、真空蒸着法
により所定の厚さの半導体薄膜を付着形成させ１次に、
前記した半導体薄膜の表面側を接着剤層１５を介してフ
ェライト基板１上に接着した後に、前記した基板を剥離
して、フェライト基板１上に接着剤層１５を介して半導
体薄膜が付着されている状態のものを作り、以下、第１
１図を参照して既述したと同様にしてホール素子が構成
される。A predetermined thickness is deposited by vacuum evaporation onto a substrate having an extremely smooth surface made of a material having a lattice constant close to that of the constituent material of the semiconductor thin film 3. Firstly, a semiconductor thin film is deposited and formed.
After the front side of the semiconductor thin film described above is adhered to the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15, the substrate described above is peeled off, and the semiconductor thin film is adhered onto the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15. 1.
The Hall element is constructed in the same manner as described above with reference to FIG.
すなわち、フェライト基板上に接着剤層１５を介して付
着されている半導体薄膜に１例えばフォトリソグラフィ
法によって所定のパターンを有する半導体膜３を形成さ
せ、また、前記した所定のパターンを有する半導体薄膜
３における各端部に電気的に接続した状態となるように
して例えばフォトリソグラフィ法によって所定のパター
ンの端子電極４〜７を付着形成させ、次いで、前記した
各端子電極４〜７にワイヤボンディングによって接続線
８〜１１を接着した後に、前記した半導体薄膜３におけ
る感磁動作部に対応している部分に接着剤層１２によっ
てフェライトのチップ１３を接着させることによってホ
ール素子が構成されるのである。第１３図示のホール素
子は、前記のように構成された状態のものの上面にエポ
キシ樹脂による保護層１４を設けた場合を示している。That is, a semiconductor thin film 3 having a predetermined pattern is formed on a semiconductor thin film attached to a ferrite substrate via an adhesive layer 15 by, for example, photolithography, and a semiconductor thin film 3 having a predetermined pattern described above is formed. Terminal electrodes 4 to 7 of a predetermined pattern are deposited and formed in a state of being electrically connected to each end of the terminal electrodes by, for example, photolithography, and then connected to each of the terminal electrodes 4 to 7 by wire bonding. After bonding the wires 8 to 11, a ferrite chip 13 is bonded to a portion of the semiconductor thin film 3 corresponding to the magnetically sensitive operating portion using an adhesive layer 12, thereby constructing a Hall element. The Hall element shown in FIG. 13 has a protective layer 14 made of epoxy resin provided on the upper surface of the Hall element constructed as described above.
前記した第１１図乃至第１４図に示されている状態のも
の（ホール素子のチップ）は、前記した各接続ｇ８〜１
１がそれぞれ個別の端子に電気的に接続された後に１合
成樹脂を用いたモールドによって外部容器中に収納され
た状態の完成品となされるのである。The state (Hall element chip) shown in FIGS. 11 to 14 described above is connected to each of the connections g8 to
After 1 is electrically connected to individual terminals, 1 is molded using synthetic resin to form a finished product housed in an external container.
（発明が解決しようとする問題点）
第１１図乃至第１４図を参照して説明した従来のホール
素子は、前述したところから明らかなように、それらの
何れのものにおいてもフェライト基板１上に付着形成さ
れた絶縁膜上に付着形成された所定のパターンの半導体
薄膜３上に、接着剤層１２を介して集磁用のフェライト
のチップが設けられているために、所定のパターンの半
導体薄膜３上の予め定められた部分に位置されるべき集
磁用のフェライト１３のチップの下面と半導体簿膜３の
上面間に、可成りの厚さの接着剤層１２による磁気空隙
が介在しているために集磁効果が減少し、ホール出力電
圧の低下をもたらすとともに、ホール素子のチップを外
部容器中に収納する際のトランスファーモールド時に、
接着剤層が変形することにより半導体薄膜３に生じる機
械的な応力による歪によって、不平衡電圧ｖＯが大にな
るという欠点がある他、所定のパターンの半導体薄膜３
上の予め定められた部分に集磁用のフェライト１３のチ
ップを正確に配置することが困難であり。(Problems to be Solved by the Invention) As is clear from the above, the conventional Hall elements described with reference to FIGS. Since the magnetic flux collecting ferrite chip is provided on the semiconductor thin film 3 with a predetermined pattern formed on the insulating film, the semiconductor thin film 3 with a predetermined pattern is provided with the adhesive layer 12 interposed therebetween. A magnetic gap formed by the adhesive layer 12 with a considerable thickness is interposed between the lower surface of the magnetic flux collecting ferrite 13 chip to be located at a predetermined portion on the semiconductor layer 3 and the upper surface of the semiconductor film 3. Because of this, the magnetic collecting effect decreases, leading to a decrease in the Hall output voltage.
In addition to the disadvantage that the unbalanced voltage vO becomes large due to distortion due to mechanical stress generated in the semiconductor thin film 3 due to deformation of the adhesive layer, the semiconductor thin film 3 of a predetermined pattern
It is difficult to accurately place the magnetic flux collecting ferrite 13 chip at a predetermined portion above.
そして集磁用のフェライトの配置が正確でない場合には
集磁効果の減少によるホール電圧の低下が生じ、また所
定のパターンの半導体薄膜３上の予め定められた部分に
集磁用のフェライト１３のチップを配置する際に、集磁
用のフェライト１３のチップによって半導体薄膜３を損
傷させることも起こり、それによりホール素子の不平衡
電圧Ｖ。If the arrangement of the magnetic flux collecting ferrite 13 is not accurate, the Hall voltage will decrease due to a reduction in the magnetic flux collecting effect, and the magnetic flux collecting ferrite 13 may be placed in a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern. When arranging the chip, the semiconductor thin film 3 may be damaged by the magnetically collecting ferrite 13 chip, which causes an unbalanced voltage V of the Hall element.
を大にするという欠点があるので、それの改善が求めら
れた。Since it has the disadvantage of increasing the number of digits, it was necessary to improve it.
（問題点を解決するための手段）
本発明は主体となる磁性体基板を含んで構成されている
磁性体支持基板上に形成させた所定のパターンの半導体
薄膜上、あるいは前記の半導体薄膜上に形成させた保護
膜上に、集磁用の磁性体を設けるようにした構成形態の
ホール素子であって、前記した所定のパターンの半導体
薄膜上、あるいは前記の半導体薄膜上に形成させた保護
膜上における予め定められた部分に、集磁用の磁性体の
少なくとも一部となされるべき磁性体層をメッキ法また
は真空蒸着法により付着形成させてなるホール素子を提
供して、前述した従来の欠点を解消させたものである。(Means for Solving the Problems) The present invention is directed to a semiconductor thin film having a predetermined pattern formed on a magnetic support substrate including a main magnetic substrate, or on the semiconductor thin film described above. A Hall element having a configuration in which a magnetic body for magnetic flux collection is provided on the formed protective film, and the protective film is formed on the semiconductor thin film of the above-mentioned predetermined pattern or on the above-mentioned semiconductor thin film. By providing a Hall element in which a magnetic material layer to be formed as at least a part of a magnetic material for magnetic flux collection is deposited on a predetermined portion of the upper surface by a plating method or a vacuum evaporation method, the above-described conventional method is improved. This eliminates the shortcomings.
（実施例）
以下、添付図面を参照して本発明のホール素子の具体的
な内容を詳細に説明する。第１図及び第２図はそれぞれ
本発明のホール素子の異なる実施例の斜視図であり、ま
た、第３図乃至第８図は本発明のホール素子の製作工程
の概略を示す図であり、さらに第９図及び第１０図は特
性を説明するための図である。(Example) Hereinafter, specific contents of the Hall element of the present invention will be explained in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are perspective views of different embodiments of the Hall element of the present invention, and Figures 3 to 8 are diagrams schematically showing the manufacturing process of the Hall element of the present invention, Furthermore, FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining the characteristics.
第１図に示されている本発明のホール素子において、１
はフェライト基板、２は前記したフェライト基板１上に
形成させたガラスの薄膜あるいは二酸化シリコンの薄膜
による絶縁膜であり、前記したフェライト基板１と絶縁
膜２とによって磁性体支持基板ＭＳが構成されている。In the Hall element of the present invention shown in FIG.
is a ferrite substrate, 2 is an insulating film made of a glass thin film or a silicon dioxide thin film formed on the ferrite substrate 1 described above, and the magnetic material support substrate MS is constituted by the ferrite substrate 1 and the insulating film 2 described above. There is.
３は前記した絶縁膜２上に例えばフォトリソグラフィ法
によって所定のパターンに付着形成させた半導体膜（例
えば、ＩｎＳｂの薄膜）である。Reference numeral 3 denotes a semiconductor film (for example, a thin film of InSb) which is deposited in a predetermined pattern on the above-mentioned insulating film 2 by, for example, photolithography.
また、４〜７は前記した所定のパターンを有する半導体
薄膜３における各端部に電気的に接続した状態となるよ
うにして、磁性体支持基板ＭＳにおける前記した絶縁膜
２上に例えばフォトリソグラフィ法によって所定のパタ
ーンに付着形成させた端子電極であり、８〜１１はワイ
ヤボンディングによって前記した端子電極４〜７に接続
されている接続線である。Further, 4 to 7 are electrically connected to each end of the semiconductor thin film 3 having the above-described predetermined pattern, and are coated on the above-mentioned insulating film 2 on the magnetic support substrate MS using, for example, photolithography. Terminal electrodes are attached and formed in a predetermined pattern by wire bonding, and connection lines 8 to 11 are connected to the terminal electrodes 4 to 7 by wire bonding.
また、第１図においてＭＡは、前記した所定のパターン
の半導体薄膜３上における予め定められた部分にメッキ
法または真空蒸着法により付着形成させた磁性体層であ
り、この磁性体層ＭＡは集磁用の磁性体、すなわち集磁
部材ＭＡの少なくとも一部を構成しているものである。Further, in FIG. 1, MA is a magnetic layer deposited on a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in the predetermined pattern described above by a plating method or a vacuum evaporation method, and this magnetic layer MA is an aggregate. This is a magnetic material for magnetism, that is, constitutes at least a part of the magnetic flux collecting member MA.
前記した集磁部材ＭＡは、前記した磁性体支持基板ＭＳ
における所定のパターンの半導体薄膜３上に接着剤層が
存在していない状態で直接に付着形成されているから、
前記した磁性体支持基板ＭＳ上に付着形成されている所
定のパターンの半導体薄膜３と前記した集磁用部材ＭＡ
との両者間は密着状態になされていて、集磁用部材ＭＡ
における集磁用の磁性体と、磁性体支持基板ＭＳ上に付
着形成されている所定のパターンの半導体薄膜３におけ
る感磁部動作層の部分には集磁された磁束が有効に通過
することができ、大きなホール電圧を発生させることの
できるホール素子が構成できる。The magnetic flux collecting member MA described above is connected to the magnetic material support substrate MS described above.
Since the adhesive layer is directly deposited on the predetermined pattern of the semiconductor thin film 3 in the absence of an adhesive layer,
The semiconductor thin film 3 with a predetermined pattern adhered and formed on the magnetic support substrate MS described above and the magnetic flux collecting member MA described above.
The magnetic flux collecting member MA
It is possible for the collected magnetic flux to effectively pass through the magnetic body for magnetic flux collection in and the magnetic sensing part operating layer portion of the semiconductor thin film 3 of a predetermined pattern adhered and formed on the magnetic body support substrate MS. Therefore, a Hall element capable of generating a large Hall voltage can be constructed.
また、集磁用部材ＭＡと磁性体支持基板ＭＳとの間には
、接着剤層が存在していないから、ホール素子のチップ
を外容器中に収納する際のトランスファーモールド時に
、接着剤層が変形して半導体薄膜３に機械的な応力によ
る歪を生じさせることがなく、不平衡電圧Ｖｏを大にす
るという欠点もない。In addition, since there is no adhesive layer between the magnetic flux collecting member MA and the magnetic support substrate MS, the adhesive layer is removed during transfer molding when storing the Hall element chip in the outer container. The semiconductor thin film 3 is not deformed to cause strain due to mechanical stress, and there is no disadvantage of increasing the unbalanced voltage Vo.
第３図は前記した第１図に示されている本発明のホール
素子の製作工程の概略を説明するための図であり、第３
図の（ａ）はフェライト基板１上にガラスの薄膜あるい
は二酸化シリコンの薄膜による絶縁膜２を形成させてな
る磁性体支持基板ＭＳにおける前記した絶縁膜２上に１
例えばフォトリソグラフィ法によって所定のパターンを
有する半導体膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３と、導電
材料による電極４〜７のパターンを付着形成させた状態
のホール素子の素材である（第３図（後述の第５図及び
第７図でも同じ）では１図示の簡略化のためにホール素
子の素材として、ホール素子１個分の素材だけしか示し
ていないが、ホール素子の素材としては、ガラスの薄膜
あるいは二酸化シリコンの薄膜による絶縁膜２を形成さ
せである大きなフェライト基板に多数のホール素子のパ
ターンを同時に形成させつるようにされたものが使用さ
れるのである）。FIG. 3 is a diagram for explaining the outline of the manufacturing process of the Hall element of the present invention shown in FIG.
(a) of the figure shows a magnetic support substrate MS in which an insulating film 2 made of a glass thin film or a silicon dioxide thin film is formed on a ferrite substrate 1.
For example, the material of the Hall element is a semiconductor film (for example, an InSb thin film) 3 having a predetermined pattern and a pattern of electrodes 4 to 7 made of a conductive material attached by photolithography (see Fig. 3 (described later). (The same applies to Figures 5 and 7), only the material for one Hall element is shown as the material for the Hall element to simplify the illustration, but the material for the Hall element is a thin glass film. Alternatively, a large ferrite substrate on which an insulating film 2 made of a thin film of silicon dioxide is formed and patterns of a large number of Hall elements simultaneously formed thereon is used).
さて、第３図の（ａ）に示されているホール素子の素材
にフォトレジストを塗布してフォトレジストＭ１７を形
成させ（第３図の（ｂ）参照）た後に。Now, after coating the material of the Hall element shown in FIG. 3(a) with a photoresist to form a photoresist M17 (see FIG. 3(b)).
所要のマスクパターンを用いて露光及び現像処理を行っ
て、ホール素子における所定のパターンを有する半導体
膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３の予め定められた部分
と対応する部分のフォトレジストを除去しく第３図の（
Ｃ）参照）１次に、前記したフォトレジストが除去され
た部分に、例えば、メッキ法を適用して強磁性体物質を
付着させ（第３図の（ｄ）参照）１次いで、フォトレジ
スト層を除去すると第３図の（ｅ）に示されるように所
定のパターンの半導体薄膜３上における予め定められた
部分に、集磁部材ＭＡの少なくとも一部となされる磁性
体層が付着された状態のホール素子が得られる。Exposure and development are performed using a required mask pattern to remove the photoresist in a portion corresponding to a predetermined portion of the semiconductor film (for example, an InSb thin film) 3 having a predetermined pattern in the Hall element. Figure 3 (
(See C)) 1. Next, a ferromagnetic material is applied to the portion from which the photoresist has been removed, for example, by plating (see FIG. 3(d)). 1. Next, a photoresist layer is applied. When removed, as shown in FIG. 3(e), a magnetic layer, which forms at least a part of the magnetic flux collecting member MA, is attached to a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern. A Hall element is obtained.
前記したメッキ工程において所定のパターンを有する半
導体膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３の予め定められた
部分と対応する部分に付着させる強磁性体物質としては
、高い電気抵抗値を有する磁性体フェライトを用いるの
が良く１分散メッキの適用によってメッキを行うことが
できる。なお１分散メッキによる磁性フェライトのメッ
キに先立って、ニッケルの薄膜を無電解メッキによって
付着させておくようにすることは望ましい実施の態様で
ある。In the above-mentioned plating process, a magnetic ferrite having a high electrical resistance value is used as the ferromagnetic material to be deposited on a portion corresponding to a predetermined portion of the semiconductor film (for example, an InSb thin film) 3 having a predetermined pattern. It is preferable to use monodispersion plating. Note that it is a desirable embodiment to deposit a thin nickel film by electroless plating prior to plating magnetic ferrite by dispersion plating.
第３図について説明したような工程に従って所定のパタ
ーンの半導体薄膜３上における予め定められた部分に付
着される集磁部材ＭＡの厚さには、実用的な範囲内でメ
ッキ時間を長くして強磁性体物質の層を成長させたとし
ても限りがある。それで、第３図の（ｅ）に示されてい
るように所定のパターンの半導体薄膜３上における予め
定められた部分に付着された集磁部材ＭＡに、接着剤に
よって別の強磁性体のチップを固着させることにより、
大きな集磁部材が設けられた状態のホール素子を構成さ
せることもできる（第４図の（ａ）、（ｂ）参照）。The thickness of the magnetic flux collecting member MA to be deposited on a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern according to the process explained with reference to FIG. 3 is determined by increasing the plating time within a practical range. Even if layers of ferromagnetic material can be grown, there are limits. Then, as shown in FIG. 3(e), another ferromagnetic chip is attached to the magnetic flux collecting member MA attached to a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern using an adhesive. By fixing the
It is also possible to configure a Hall element provided with a large magnetic flux collecting member (see (a) and (b) in FIG. 4).
第４図の（ａ）は前記した第３図の（８）に示されてい
るホール素子と同じものであり（ただし、集磁部材の図
面符号はＭＡＬとされている）、この第４図の（ａ）に
示されているホール素子における集磁部材ＭＡＩに接着
剤層１６を介して強磁性体のチップＭＡ２を固着させる
と、第４図の（ｂ）に示されているホール素子が得られ
る。4(a) is the same as the Hall element shown in FIG. 3(8) described above (however, the drawing code of the magnetic flux collecting member is MAL), and this When the ferromagnetic chip MA2 is fixed to the magnetic flux collecting member MAI in the Hall element shown in (a) of FIG. 4 through the adhesive layer 16, the Hall element shown in (b) of FIG. can get.
このように第４図に示されているホール素子は。In this way, the Hall element shown in FIG.
集磁部材として例えばメッキ手段によって所定のパター
ンの半導体薄膜３上における予め定められた部分に直接
に付着された集磁部材ＭＡＩに、接着剤によって別の強
磁性体のチップＭＡ２を固着させて、大きな集磁部材が
設けられた状態のホール素子が得られるようにしている
が、この場合の接着剤［１６は、粘度の小さな接着剤の
を使用により極めて薄いものにすることができるので接
着剤層１６による集磁効果の減少を問題にならない程度
に少なくすることが可能であり、また、ホール素子のチ
ップを外容器中に収納する際のトランスファーモールド
時に、前記の接着剤層１６が変形したとしても、それに
よって半導体薄膜３に機械的な応力による歪を生じさせ
ることはないので、前記の接着剤層１６の存在により不
平衡電圧Ｖ。Another ferromagnetic chip MA2 is fixed with an adhesive to the magnetic flux collecting member MAI, which is directly attached to a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern by plating means, as a magnetic flux collecting member, for example. A Hall element with a large magnetic flux collecting member is provided, but in this case, the adhesive [16] is an adhesive with a low viscosity because it can be made extremely thin. It is possible to reduce the reduction in the magnetism collecting effect due to the layer 16 to the extent that it does not become a problem, and also to prevent the adhesive layer 16 from being deformed during transfer molding when storing the Hall element chip in the outer container. However, this does not cause strain in the semiconductor thin film 3 due to mechanical stress, so the presence of the adhesive layer 16 causes an unbalanced voltage V.
が大になるというようなことは起こらない。There is no such thing as becoming large.
第１図及び第３図ならびに第４図を参照して説明したホ
ール素子は、所定のパターンの半導体薄膜３上における
予め定められた部分に、集磁部材ＭＡの少なくとも一部
となされる磁性体層を直接に付着させた構成のものであ
ったから、所定のパターンの半導体薄膜３上における予
め定められた部分に、付着させる強磁性体物質としては
、それが付着されることによっても所定のパターンの半
導体薄膜３の電気的な特性に悪影響を与えないような高
い電気抵抗値を有する強磁性体物質が使用される必要が
ある。The Hall element described with reference to FIG. 1, FIG. 3, and FIG. Since the layer was directly attached, the ferromagnetic material to be attached to a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 having a predetermined pattern could also be attached to a predetermined pattern. It is necessary to use a ferromagnetic material having a high electrical resistance value that does not adversely affect the electrical characteristics of the semiconductor thin film 3.
第５図は前記した第１図示のホール素子における所定の
パターンを有する半導体薄膜３上に例えばポリイミド樹
脂によって極めて薄い保護層（絶縁性保護層）１８を構
成させた構造のものとして実施した場合のホール素子の
製作工程を示している。FIG. 5 shows a structure in which an extremely thin protective layer (insulating protective layer) 18 made of, for example, polyimide resin is formed on the semiconductor thin film 3 having a predetermined pattern in the Hall element shown in FIG. It shows the manufacturing process of the Hall element.
第５図の（ａ）はフェライト基板１上にガラスの薄膜あ
るいは二酸化シリコンの薄膜による絶縁膜２を形成させ
てなる磁性体支持基板ＭＳにおける前記した絶縁膜２上
に１例えば、フォトリソグラフィ法によって所定のパタ
ーンを有する半導体膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３と
、導電材料による電極４〜７のパターンを付着形成させ
た状態のホール素子の素材であるが、これは第３図の（
、）を参照して既述したホール素子の素材と同じである
。FIG. 5(a) shows a magnetic material supporting substrate MS in which an insulating film 2 made of a thin glass film or a thin film of silicon dioxide is formed on a ferrite substrate 1. The material of the Hall element is a semiconductor film (for example, an InSb thin film) 3 having a predetermined pattern and a pattern of electrodes 4 to 7 made of a conductive material, which is made of a material as shown in FIG.
, ) is the same as the material of the Hall element described above.
さて、第５図の（ａ）に示されているホール素子の素材
における所定のパターンを有する半導体膜（例えば、Ｉ
ｎＳｂの薄膜）３の部分に、例えば、フォトリソグラフ
ィ法によって、ポリイミド樹脂によって極めて薄い保護
層（絶縁性保護層）１８を付着させると第５図の（ｂ）
に示されている素材が得られる。Now, a semiconductor film (for example, I
If an extremely thin protective layer (insulating protective layer) 18 is attached to the nSb thin film 3 using a polyimide resin using, for example, photolithography, the result will be as shown in FIG. 5(b).
The material shown is obtained.
第５図の（ｂ）に示されている素材にフォトレジストを
塗布してフォトレジスト層１７を形成させ（第５図の（
ｃ）参照）た後に、所要のマスクパターンを用いて露光
及び現像処現を行って、ホール素子における所定のパタ
ーンを有する半導体膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３の
予め定められた部分と対応する部分のフォトレジストを
除去しく第５図の（ｄ）参照）１次に、前記したフォト
レジストが除去された部分に、例えば、メッキ法を適用
して強磁性体物質を付着させ（第５図の（８）参照）１
次いでフォトレジスト層を除去すると第５図の（ｆ）に
示されるように所定のパターンの半導体膜１１！１３上
における予め定められた部分と対応する保護層１８上に
、集磁部材ＭＡの少なくとも一部となされる磁性体層が
付着された状態のホール素子が得られる。A photoresist is applied to the material shown in FIG. 5(b) to form a photoresist layer 17 (see FIG. 5(b)).
c)) After that, exposure and development are performed using a required mask pattern to correspond to a predetermined portion of the semiconductor film (for example, an InSb thin film) 3 having a predetermined pattern in the Hall element. 1. Next, a ferromagnetic material is attached to the portion from which the photoresist has been removed by, for example, plating (see FIG. 5(d)). (See (8))1
Next, when the photoresist layer is removed, as shown in FIG. A Hall element is obtained to which a magnetic layer, which is a part of the magnetic material layer, is attached.
前記したメッキ工程において所定のパターンを有する半
導体膜（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）３の予め定められた
部分と対応する保護［１８上に付着させる強磁性体物質
としては、任意のものを選択使用することができる。In the above plating process, any ferromagnetic material can be selected and used as the ferromagnetic material to be deposited on the protection [18] corresponding to a predetermined portion of the semiconductor film (for example, InSb thin film) 3 having a predetermined pattern. be able to.
第５図について説明したような工程に従って所定のパタ
ーンの半導体薄膜３上における予め定められた部分に付
着される集磁部材ＭＡの厚さには、実用的な範囲内でメ
ッキ時間を長くして強磁性体物質の層を成長させたとし
ても限りがある。それで、第５図の（ｆ）に示されてい
るように所定のパターンの半導体薄膜３上における予め
定められた部分と対応する保護層１８上に付着された集
磁部材ＭＡに、接着剤によって別の強磁性体のチップを
固着させることにより、大きな集磁部材が設けられた状
態のホール素子を構成させることもできる（第６図の（
ａ）、 （ｂ）参照）。The thickness of the magnetic flux collecting member MA to be deposited on a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern according to the process explained with reference to FIG. 5 is determined by increasing the plating time within a practical range. Even if layers of ferromagnetic material can be grown, there are limits. Then, as shown in FIG. 5(f), the magnetic flux collecting member MA attached to the protective layer 18 corresponding to a predetermined portion on the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern is applied with an adhesive. By fixing another ferromagnetic chip, it is also possible to configure a Hall element with a large magnetic flux collecting member (see Fig. 6).
a), (b)).
第６図の（ａ）は前記した第５図の（ｆ）に示されてい
るホール素子と同じものであり（ただし、集磁部材の図
面符号はＭＡＬとされている）、この第６図の（ａ）に
示されているホール素子における集磁部材ＭＡＩに接着
剤層１６を介して強磁性体のチップＭＡ２を固着させる
と、第６図の（ｂ）に示されているホール素子が得られ
る。6(a) is the same as the Hall element shown in FIG. 5(f) described above (however, the drawing code of the magnetic flux collecting member is MAL), and this FIG. When the ferromagnetic chip MA2 is fixed to the magnetic flux collecting member MAI in the Hall element shown in (a) of FIG. 6 through the adhesive layer 16, the Hall element shown in (b) of FIG. can get.
このように第６図に示されているホール素子は。In this way, the Hall element shown in FIG.
集磁部材として例えばメッキ手段によって所定のパター
ンの半導体薄膜３上における予め定められた部分と対応
する保護層１８上における予め定められた部分に付着さ
れた集磁部材ＭＡＩに、接着剤によって別の強磁性体の
チップＭＡ２を固着させて、大きな集磁部材が設けられ
た状態のホール素子が得られるようにしているが、この
場合の接着剤層１６は、粘度の小さな接着剤のを使用に
より極めて薄いものにすることができるので接着剤層１
６による集磁効果の減少を問題にならない程度に少なく
することが可能であり、また、ホール素子のチップを外
容器中に収納する際のトランスファーモールド時に、前
記の接着剤層１６が変形したとしても、それによって半
導体薄膜３に機械的な応力による歪を生じさせることは
ないので、前記の接着剤層１６の存在により不平衡電圧
Ｖ。For example, a magnetism collecting member MAI is attached to a predetermined part on the protective layer 18 corresponding to a predetermined part on the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern by plating means, and another one is attached using an adhesive. The ferromagnetic chip MA2 is fixed to obtain a Hall element provided with a large magnetic flux collecting member, but the adhesive layer 16 in this case is made of an adhesive with a low viscosity. Adhesive layer 1 can be made extremely thin.
6 can be reduced to the extent that it does not become a problem, and the adhesive layer 16 can be prevented from being deformed during transfer molding when the Hall element chip is housed in the outer container. However, since this does not cause strain in the semiconductor thin film 3 due to mechanical stress, the existence of the adhesive layer 16 causes an unbalanced voltage V.
が大になるというようなことは起こらない。There is no such thing as becoming large.
次に、第２図に示されているホール素子は、まず、半導
体薄膜の構成物質（例えばＩｎ５ｂ）における結晶構造
と近似した結晶構造を有し、かつ半導体膜膜３の構成物
質における格子定数に近い格子定数を有しているような
物質によって作られている極めて平滑度の高い表面を備
えている基板（例えばマイカ板）上に、真空蒸着法によ
り所定の厚さの半導体薄膜を付着形成させ、次に、前記
した半導体薄膜の表面側を接着剤層１５を介してフェラ
イト基板上に接着した後に、前記した基板を剥離して、
フェライト基板１上に接着剤層１５を介して半導体薄膜
が付着されている状態のものを作り１次いで、フェライ
ト基板１上に接着剤層１５を介して付着されている半導
体薄膜に、例えばフォトリングラフィ法によって所定の
パターンを有する半導体膜３を形成させたものを素材に
して作られているものである。Next, the Hall element shown in FIG. 2 first has a crystal structure similar to that of the constituent material of the semiconductor thin film (for example, In5b), and has a lattice constant similar to that of the constituent material of the semiconductor film 3. A semiconductor thin film of a predetermined thickness is deposited and formed using a vacuum evaporation method on a substrate (for example, a mica plate) that is made of a substance with a similar lattice constant and has an extremely smooth surface. Next, after adhering the front side of the semiconductor thin film described above to the ferrite substrate via the adhesive layer 15, the substrate described above is peeled off.
A semiconductor thin film is attached to the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15. Next, the semiconductor thin film attached to the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15 is coated with, for example, photorin. It is made from a material in which a semiconductor film 3 having a predetermined pattern is formed using a graphic method.
第２図示の実施例では、前記した所定のパターンの半導
体薄膜３上における予め定められた部分にメッキ法また
は真空蒸着法により付着形成させた磁性体層ＭＡＬに接
着剤層１６により、強磁性体物質のチップＭＡ２を固着
して集磁用の磁性体、すなわち集磁部材を構成している
。In the embodiment shown in the second figure, a ferromagnetic material is attached to the magnetic layer MAL by plating or vacuum evaporation on a predetermined portion of the semiconductor thin film 3 having the predetermined pattern. The material chip MA2 is fixed to constitute a magnetic body for magnetic flux collection, that is, a magnetic flux collecting member.
前記した集磁部材ＭＡＬは、前記した磁性体支持基板Ｍ
Ｓにおける所定のパターンの半導体薄膜３上に接着剤層
が存在していない状態で直接に付着形成されているから
、前記した磁性体支持基板ＭＳ上に付着形成されている
所定のパターンの半導体薄膜３と前記した集磁用部材と
の両者間は密着状態になされていて、集磁用部材におけ
る集磁用の磁性体と、磁性体支持基板ＭＳ上に付着形成
されている所定のパターンの半導体薄膜３における感磁
部動作層の部分には集磁された磁束が有効に通過するこ
とができ、大きなホール電圧を発生させることのできる
ホール素子が構成できる。The above-mentioned magnetic flux collecting member MAL includes the above-described magnetic support substrate M.
Since the predetermined pattern of the semiconductor thin film 3 in S is directly deposited and formed without an adhesive layer, the predetermined pattern of the semiconductor thin film deposited on the magnetic support substrate MS described above 3 and the above-mentioned magnetic flux collecting member are in close contact with each other, and the magnetic flux collecting member in the magnetic flux collecting member and a semiconductor having a predetermined pattern adhered and formed on the magnetic material supporting substrate MS. The concentrated magnetic flux can effectively pass through the magnetically sensitive active layer portion of the thin film 3, and a Hall element capable of generating a large Hall voltage can be constructed.
また、集磁用部材ＭＡＬと磁性体支持基板ＭＳとの間に
は、接着剤層が存在していないから、ホール素子のチッ
プを外容器中に収納する際のトランスファーモールド時
に、接着剤層が変形して半導体Ｕ膜３に機械的な応力に
よる歪を生じさせることがなく、不平衡電圧Ｖｏを大に
するという欠点もない。In addition, since there is no adhesive layer between the magnetic flux collecting member MAL and the magnetic support substrate MS, the adhesive layer is removed during transfer molding when storing the Hall element chip in the outer container. It does not deform and cause strain in the semiconductor U film 3 due to mechanical stress, and does not have the disadvantage of increasing the unbalanced voltage Vo.
この第２図示の実施例の場合においても第５図を参照し
て既述したように、集磁部材として例えばメッキ手段に
よって所定のパターンの半導体薄膜３上における予め定
められた部分と対応する保護層１８上における予め定め
られた部分に付着された集磁部材ＭＡＩに、接着剤によ
って別の強磁性体のチップＭＡ２を固着させて、大きな
集磁部材が設けられた状態のホール素子が構成できるこ
とはいうまでもない。In the case of the embodiment shown in the second figure, as described above with reference to FIG. By fixing another ferromagnetic chip MA2 with an adhesive to the magnetic flux collecting member MAI attached to a predetermined portion on the layer 18, a Hall element provided with a large magnetic flux collecting member can be constructed. Needless to say.
第７図は前記した第２図に示されている本発明のホール
素子の製作工程の概略を説明するための図であり、第７
図の（ａ）は半導体薄膜の構成物質（例えばＩｎ５ｂ）
における結晶構造と近似した結晶構造を有し、かつ半導
体薄膜の構成物質における格子定数に近い格子定数を有
しているような物質によって作られている極めて平滑度
の高い表面を備えている基板（例えばマイカ板）上に、
真空蒸着法により所定の厚さの半導体膜Ｗ４３を付着形
成させ、次に、前記した半導体薄膜の表面側を接着剤層
１５を介してフェライト基板１上に接着した後に、前記
した基板（例えばマイカ板）を剥離して、フェライト基
板１上に接着剤層１５を介して半導体薄膜３が付着され
ている状態のものを作り１次いで、フェライト基板１上
に接着剤層１５を介して付着されている半導体薄膜に、
例えばフォトリソグラフィ法によって所定のパターンを
有する半導体膜３を形成させ、また、導電材料による電
極４〜７のパターンを付着形成させた状態のホール素子
の素材である。FIG. 7 is a diagram for explaining the outline of the manufacturing process of the Hall element of the present invention shown in FIG.
(a) of the figure shows the constituent material of the semiconductor thin film (for example, In5b)
A substrate with an extremely smooth surface made of a material that has a crystal structure similar to that of the semiconductor thin film and a lattice constant close to that of the constituent materials of the semiconductor thin film ( For example, on mica board)
A semiconductor film W43 of a predetermined thickness is deposited and formed by a vacuum evaporation method, and then the surface side of the semiconductor thin film described above is adhered to the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15, and then the aforementioned substrate (for example, mica The semiconductor thin film 3 is peeled off from the ferrite substrate 1 and the semiconductor thin film 3 is attached to the ferrite substrate 1 via the adhesive layer 15. In the semiconductor thin film that
For example, it is a material for a Hall element in which a semiconductor film 3 having a predetermined pattern is formed by photolithography, and patterns of electrodes 4 to 7 made of a conductive material are attached.
さて、第７図の（ａ）に示されているホール素子の素材
における所定のパターンを有する半導体膜（例えば、Ｉ
ｎＳｂの薄膜）３の部分に、例えば、フォトリングラフ
ィ法によって、ポリイミド樹脂によって極めて薄い保護
層（絶縁性保護層）１８を付着させると第７図の（ｂ）
に示されている素材が得られる。Now, a semiconductor film (for example, I
If an extremely thin protective layer (insulating protective layer) 18 is deposited on the nSb thin film 3 using a polyimide resin, for example, by photolithography, the result will be as shown in FIG. 7(b).
The material shown is obtained.
第７図の（ｂ）に示されている素材にフォトレジストを
塗布してフォトレジスト層１７を形成させた（第７図の
（ｃ）参照）後に、所要のマスクパターンを用いて露光
及び現像処理を行って、ホール素子における所定のパタ
ーンを有する半導体１１１（例えば、ＩｎＳｂの薄膜）
３の予め定められた部分と対応する部分のフォトレジス
トを除去しく第７図の（ｄ）参照）、次に、例えば、真
空蒸着法を適用して強磁性体物質１９を付着させ（第７
図の（ｅ）参照）だ後に、フォトレジストでパターン２
０を形成させ（第７図の（ｆ）参照）１次に腐食液に入
れてフォトレジストのパターンが無い部分の強磁性体物
質１９を溶解させ（第７図の（ｇ）参照）だ後に、フォ
トレジスト２０．１７を除去すると第７図の（ｈ）に示
されるように所定のパターンの半導体膜１！ｉｌａ上に
おける予め定められた部分と対応する保護層１８上に、
集磁部材の少なくとも一部となされる磁性体層１９ａが
付着された状態のホール素子が得られる。After applying photoresist to the material shown in FIG. 7(b) to form a photoresist layer 17 (see FIG. 7(c)), it is exposed and developed using a required mask pattern. A semiconductor 111 (for example, a thin film of InSb) having a predetermined pattern in a Hall element is processed.
The photoresist in the portion corresponding to the predetermined portion of No. 3 is removed (see (d) in FIG.
(see (e) in the figure), then pattern 2 with photoresist.
0 (see FIG. 7(f)). Next, the ferromagnetic material 19 in the photoresist pattern-free area is dissolved in an etchant (see FIG. 7(g)). , when the photoresist 20.17 is removed, a predetermined pattern of the semiconductor film 1! is shown in FIG. 7(h). On the protective layer 18 corresponding to a predetermined portion on ila,
A Hall element is obtained to which a magnetic layer 19a, which forms at least a part of the magnetic flux collecting member, is attached.
第８図は前記した第７図の（ｈ）に示されているホール
素子における集磁部材１９ａに接着剤層２１を介して強
磁性体のチップ２２を固着させた構成のホール素子であ
る。FIG. 8 shows a Hall element having a configuration in which a ferromagnetic chip 22 is fixed to the magnetic flux collecting member 19a via an adhesive layer 21 in the Hall element shown in FIG. 7(h).
このように第８図に示されているホール素子は、集磁部
材として例えば真空蒸着手段によって所定のパターンの
半導体薄膜３上における予め定められた部分と対応する
保護層１８上における予め定められた部分に付着された
集磁部材１９ａに、接着剤２１によって別の強磁性体の
チップ２２を固着させて、大きな集磁部材が設けられた
状態のホール素子であるが、この場合の接着剤Ｍ２１は
、粘度の小さな接着剤のを使用により極めて薄いものに
することができるので接着剤層２１による集磁効果の減
少を問題にならない程度に少なくすることが可能であり
、また、ホール素子のチップを外容器中に収納する際の
トランスファーモールド時に、前記の接着剤層２１が変
形したとしても。In this way, the Hall element shown in FIG. 8 is a magnetic flux collecting member that is formed by using, for example, a vacuum evaporation means to deposit a predetermined portion on the protective layer 18 corresponding to a predetermined portion on the semiconductor thin film 3 in a predetermined pattern. This is a Hall element in which a large magnetic flux collecting member is provided by fixing another ferromagnetic chip 22 to the magnetic flux collecting member 19a attached to the part using an adhesive 21. In this case, the adhesive M21 can be made extremely thin by using an adhesive with low viscosity, so that the decrease in the magnetic collecting effect due to the adhesive layer 21 can be minimized to the extent that it does not become a problem. Even if the adhesive layer 21 is deformed during transfer molding when storing it in the outer container.
それによって半導体薄膜３に機械的な応力による歪を生
じさせることはないく、不平衡電圧Ｖｏが大になるとい
う欠点もない。As a result, distortion due to mechanical stress does not occur in the semiconductor thin film 3, and there is no drawback that the unbalanced voltage Vo becomes large.
第１図及び第２図を参照して説明された本発明のホール
素子（ホール素子のチップ）は、従来例について説明し
たと同様に、前記した各接続線８〜１１がそれぞれ個別
の端子に電気的に接続された後に、合成樹脂を用いたモ
ールドによって外容器中に収納された状態の完成品とな
されるのである。In the Hall element (chip of the Hall element) of the present invention explained with reference to FIG. 1 and FIG. After electrical connections are made, the finished product is housed in an outer container using a synthetic resin mold.
第９図は５００ガウスの磁界中におかれたホール素子の
電流端子間に１．０ボルトの直流電圧を加えた時の磁気
空隙長（横軸）とホール起電圧（縦軸）との関係を示す
特性例図であり、また、第１０図は本発明によるホール
素子と従来構成のホール素子とを５００ガウスの磁界中
におき、ホール素子の電流端子間に１．０ボルトの直流
電圧を加えた時のホール起電圧（縦軸）を示す特性例図
であり、次の表１は、本発明のホール素子と従来構成の
ホール素子との各１０００個のサンプルについて、それ
を５００ガウスの磁界中でホール素子の電流端子間に１
．０ボルトの直流電圧を加えた時に現われた不平衡電圧
の百分率を示す表である。Figure 9 shows the relationship between the magnetic gap length (horizontal axis) and Hall electromotive force (vertical axis) when a 1.0 volt DC voltage is applied between the current terminals of a Hall element placed in a 500 Gauss magnetic field. FIG. 10 is a characteristic example diagram showing a Hall element according to the present invention and a Hall element having a conventional structure, placed in a magnetic field of 500 Gauss, and a DC voltage of 1.0 volts applied between the current terminals of the Hall elements. This is a characteristic example diagram showing the Hall electromotive force (vertical axis) when applied, and Table 1 below shows 1000 samples each of the Hall element of the present invention and the Hall element of the conventional configuration, and the voltage of 500 Gauss. 1 between the current terminals of the Hall element in a magnetic field
．． 1 is a table showing the percentage of unbalanced voltage that appears when a DC voltage of 0 volts is applied;
（表 １）
（発明の効果）
以上、詳細に説明したところから明らかなように１本発
明のホール素子は主体となる磁性体基板を含んで構成さ
れている磁性体支持基板上に形成させた所定のパターン
の半導体薄膜上、あるいは前記の半導体薄膜上に形成さ
せた保護膜上に、集磁用の磁性体を設けるようにした構
成形態のホール素子であって、前記した所定のパターン
の半導体薄膜上、あるいは前記の半導体薄膜上に形成さ
せた保護膜上における予め定められた部分に、集磁用の
磁性体の少なくとも一部となされるべき磁性体層をメッ
キ法または真空蒸着法により付着形成させてなるホール
素子であるから、本発明のホール素子においては集磁用
部材ＭＡにおける集磁用の磁性体と、磁性体支持基板上
に付着形成されている所定のパターンの半導体薄膜３に
おける感磁部動作層の部分には集磁された磁束が有効に
通過することになり、大きなホール電圧を発生させるこ
とができるのであり、また、半導体薄膜３のパターン上
には接着剤層が存在していないから。(Table 1) (Effects of the Invention) As is clear from the above detailed explanation, the Hall element of the present invention is formed on a magnetic support substrate that includes a main magnetic substrate. A Hall element having a structure in which a magnetic body for collecting magnetic fields is provided on a semiconductor thin film having a predetermined pattern or on a protective film formed on the semiconductor thin film, the semiconductor having the predetermined pattern described above. A magnetic material layer to be formed as at least a part of the magnetic material for magnetic flux collection is deposited on a predetermined portion of the thin film or the protective film formed on the semiconductor thin film by a plating method or a vacuum evaporation method. Therefore, in the Hall element of the present invention, the magnetic material for magnetism collecting in the magnetism collecting member MA and the semiconductor thin film 3 of a predetermined pattern adhered and formed on the magnetic material support substrate in the Hall element of the present invention. The concentrated magnetic flux effectively passes through the active layer of the magnetically sensitive part, and a large Hall voltage can be generated.Also, there is an adhesive layer on the pattern of the semiconductor thin film 3. Because I haven't.
ホール素子のチップを外容柵中に収納する際のトランス
ファーモールド時に、接着剤層が変形しても半導体膜［
３には機械的な応力による歪が生じることがなく、不平
衡電圧Ｖｏが大になるという欠点もないのであり、本発
明によれば既述した従来の問題点は良好に解決されるの
である。Even if the adhesive layer is deformed during transfer molding when the Hall element chip is housed in the outer enclosure, the semiconductor film [
3 does not cause distortion due to mechanical stress and does not have the disadvantage of increasing unbalanced voltage Vo, and the present invention satisfactorily solves the conventional problems mentioned above. .
第１図及び第２図はそれぞれ本発明のホール素子の異な
る実施例の斜視図、第３図乃至第８図は本発明のホール
素子の製作工程の概略を示す図、第９図及び第１０図は
特性を説明するための図。
第１１図乃至第１４図は従来のサンドイッチ構造のホー
ル素子の構成例を説明するための図である。
１・・・フェライト基板、２・・・フェライト基板１上
に形成させたガラスの薄膜あるいは二酸化シリコンの薄
膜による絶縁膜、３・・・所定のパターンを有する半導
体膜、４〜７・・・端子電極、８〜１１・・・ワイヤボ
ンディングによって端子電極４〜７に接続されている接
続線、１３．２２・・・フェライトのチップ、１２，１
５，１６，２１・・・接着剤層、１４゜１８・・・保護
層、１７・・・フォトレジストの層、ＭＡ。
ＭＡＩ、ＭＡ２・・・集磁用部材、ＭＳ・・・磁性体支
持基板。
特許出願人 日本ビクター株式会社
Ｑつ
一 の
Σ
第１０口
第 ９ 口FIGS. 1 and 2 are perspective views of different embodiments of the Hall element of the present invention, FIGS. 3 to 8 are diagrams schematically showing the manufacturing process of the Hall element of the present invention, and FIGS. 9 and 10. The figure is a diagram for explaining the characteristics. FIGS. 11 to 14 are diagrams for explaining configuration examples of a conventional sandwich-structured Hall element. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Ferrite substrate, 2... Insulating film made of a glass thin film or silicon dioxide thin film formed on the ferrite substrate 1, 3... Semiconductor film having a predetermined pattern, 4-7... Terminals Electrodes, 8-11... Connection wires connected to terminal electrodes 4-7 by wire bonding, 13.22... Ferrite chips, 12,1
5, 16, 21... Adhesive layer, 14° 18... Protective layer, 17... Photoresist layer, MA. MAI, MA2...Magnetic collecting member, MS...Magnetic support substrate. Patent applicant Victor Japan Co., Ltd. Qtsuichi no Σ 10th share 9th share
Claims (1)
持基板上に形成させた所定のパターンの半導体薄膜上、
あるいは前記の半導体薄膜上に形成させた保護膜上に、
集磁用の磁性体を設けるようにした構成形態のホール素
子であって、前記した所定のパターンの半導体薄膜上、
あるいは前記の半導体薄膜上に形成させた保護膜上にお
ける予め定められた部分に、集磁用の磁性体の少なくと
も一部となされるべき磁性体層をメッキ法または真空蒸
着法により付着形成させてなるホール素子On a semiconductor thin film in a predetermined pattern formed on a magnetic support substrate that includes a main magnetic substrate,
Alternatively, on the protective film formed on the semiconductor thin film,
A Hall element having a configuration in which a magnetic body for magnetic flux collection is provided, the semiconductor thin film having the above-mentioned predetermined pattern,
Alternatively, a magnetic material layer to be formed as at least a part of the magnetic material for magnetic flux collection is deposited on a predetermined portion of the protective film formed on the semiconductor thin film by a plating method or a vacuum evaporation method. Hall element
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134033A JPS63299286A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Hall device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134033A JPS63299286A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Hall device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299286A true JPS63299286A (en) | 1988-12-06 |
Family
ID=15118801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134033A Pending JPS63299286A (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Hall device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63299286A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108011A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Magnetic sensor and its manufacturing method |
| JP2016058421A (en) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | ローム株式会社 | Hall sensor substrate structure and hall sensor |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62134033A patent/JPS63299286A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108011A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Magnetic sensor and its manufacturing method |
| JP2016058421A (en) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | ローム株式会社 | Hall sensor substrate structure and hall sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2006124252A2 (en) | Integrated magnetic flux concentrator | |
| US7193288B2 (en) | Magnetoelectric transducer and its manufacturing method | |
| JPS63299286A (en) | Hall device | |
| EP1125288A1 (en) | Magnetoresistive devices, giant magnetoresistive devices and methods for making same | |
| US3213359A (en) | Non-inductive hall-cell magnetometer | |
| JP4410320B2 (en) | Magnetoelectric conversion element and manufacturing method thereof | |
| JPS63301577A (en) | Hall element and manufacture thereof | |
| KR100704856B1 (en) | Compact Micro Magnetic Field Detecting Sensor Using Magneto Impedance Effects and Method for Making the Same | |
| JPS63182877A (en) | Hall element | |
| JP4573368B2 (en) | Manufacturing method of small magnetoelectric transducer for face-down connection | |
| JPH0562727A (en) | Anisotropic conductive connection member and its manufacture | |
| JPS6249994B2 (en) | ||
| JP3968384B2 (en) | Manufacturing method of small magnetoelectric transducer | |
| JP4467090B2 (en) | Small magnetoelectric transducer and manufacturing method thereof | |
| JPS63299285A (en) | Hall device | |
| JPS63181483A (en) | Hall element | |
| JPH0438484A (en) | Magnetic sensor and preparation thereof | |
| JP2004055851A (en) | Magnetoelectronic transducer and its manufacturing method | |
| JPH11330584A (en) | Magnetoelectric transducer, magnetic sensor using the transducer, and manufacture of the magnetoelectric transducer | |
| JP2000012919A (en) | Electromagnetic transfer element and manufacture of the same | |
| JPH0429581Y2 (en) | ||
| JPH0368882A (en) | Magnetic sensor and preparation thereof | |
| JPS58147783A (en) | Liquid crystal display | |
| JPS63226084A (en) | Magnetoresistance element | |
| JPS61216371A (en) | Mold type magnetic resistance element |