JPS63298149A - Thin film type ozone sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、オゾンと還元性ガスとの共存下において、オ
ゾンに対する選択性を高めた高感度の薄膜型オゾンセン
サに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a highly sensitive thin film ozone sensor that has enhanced selectivity to ozone in the coexistence of ozone and a reducing gas.
オゾンはその強力な酸化力のため、殺菌、脱臭、酸化等
の目的で医療用、食品工業、排水処理、半導体製造プロ
セスなど多方面に亘って使用され、その使用量も増大の
一途をたどっている。しかし、オゾンは酸化力が強いた
め、人体への毒性が強（、その許容濃度は０．ｌｐｐｍ
と規定されており、従って、従来より取り扱いが簡便で
信頼性が高く、しかも安価な高感度センサの開発が望ま
れている。Due to its strong oxidizing power, ozone is used for purposes such as sterilization, deodorization, and oxidation in a wide variety of fields, including medical, food industry, wastewater treatment, and semiconductor manufacturing processes, and the amount used continues to increase. There is. However, due to its strong oxidizing power, ozone is highly toxic to the human body (its permissible concentration is 0.1 ppm).
Therefore, it is desired to develop a high-sensitivity sensor that is easier to handle, more reliable, and less expensive than conventional sensors.
従来、低濃度オゾンの測定方法としては、酸化還元滴定
法、吸光光度法、電気化学的方法或いは紫外線吸収スペ
クＩ・ル法などが提案されているが、それらの方法は一
般に大型の測定装置を必要として高価であるとともに、
取り扱いが −複雑であるなどの欠点を有している。Conventionally, methods for measuring low concentration ozone have been proposed, such as redox titration, spectrophotometry, electrochemical methods, and ultraviolet absorption spectrometry, but these methods generally require large measuring equipment. It is necessary and expensive, and
It has drawbacks such as being complicated to handle.
そこで、本出願人は構造が簡略であって安価であり、取
り扱いに優れ、且つ感度に優れたオゾンセンサとして、
薄膜型のガスセンサを検討した。このガスセンサはアル
ミナなどの絶縁基板表面に金属酸化物半導体の薄層を形
成して成る薄膜型半導体素子の表面にＳｉＯ□層を形成
して構成されたもので、金属酸化物半導体の薄層を形成
するごとにより、極めて反応性の高いオゾンが表層で分
解することなく、センサの感知部にまで到達することが
できるようにし、また金属酸化物半導体の薄層の表面に
ＳｉＯ□層を形成することにより、オゾンに対する感度
を高めたものである。Therefore, the present applicant has developed an ozone sensor that is simple in structure, inexpensive, easy to handle, and has excellent sensitivity.
We investigated a thin film type gas sensor. This gas sensor is constructed by forming a SiO□ layer on the surface of a thin film semiconductor element, which is made by forming a thin layer of metal oxide semiconductor on the surface of an insulating substrate such as alumina. Each time it is formed, highly reactive ozone can reach the sensing part of the sensor without being decomposed on the surface layer, and a SiO□ layer is formed on the surface of the thin metal oxide semiconductor layer. This increases the sensitivity to ozone.
ところが、オゾンと共に還元性ガスが共存する場合には
次のような不都合を生じる。However, when reducing gas coexists with ozone, the following problems occur.
すなわち、上記薄膜型オゾンセンサがｎ型半導体である
場合には、オゾンがセンサに接触すると半導体の抵抗値
を増大させるが、還元性ガスが接触すると、逆に半導体
の抵抗値を減少させるものであり、また薄膜型オゾンセ
ンサがｎ型半導体である場合には、上記とは逆にオゾン
との接触は半導体の抵抗値を減少させるが、還元性ガス
は半導体の抵抗値を増大させるのである。つまり、いず
れの場合も還元性ガスが共存する場合には、該センサの
出力が実際のオゾンだけが存在する場合に比べて低下す
ることになり、正確なオゾン濃度を測定できないという
欠点があった。That is, when the thin film ozone sensor is an n-type semiconductor, when ozone comes into contact with the sensor, the resistance value of the semiconductor increases, but when it comes into contact with a reducing gas, the resistance value of the semiconductor decreases. In addition, when the thin film ozone sensor is an n-type semiconductor, contact with ozone decreases the resistance value of the semiconductor, contrary to the above, but reducing gas increases the resistance value of the semiconductor. In other words, in either case, when reducing gas coexists, the output of the sensor will be lower than when only actual ozone is present, which has the disadvantage that accurate ozone concentration cannot be measured. .
本発明は上記の実情に着目してなされたものであって、
取り扱いが簡便で、また安価である上に、還元性ガスが
存在する場合でも比較的正確にオゾン濃度が測定でき、
しかも低濃度オゾンに対して高感度な薄膜型オゾンセン
サを提供することを目的とする。The present invention has been made focusing on the above-mentioned circumstances, and
It is easy to handle, inexpensive, and can relatively accurately measure ozone concentration even in the presence of reducing gases.
Moreover, it is an object of the present invention to provide a thin film type ozone sensor that is highly sensitive to low concentration ozone.
すなわち、本発明に係る薄膜型オゾンセンサの特徴構成
は、前記金属酸化物半導体の薄層とＳｉＯ２層との間に
、金属及び金属酸化物から選ばれた一種、もしくは多種
から成る一層又は多層の薄膜層を介在させてある点にあ
り、その作用及び効果は次の通りである。That is, the characteristic configuration of the thin film type ozone sensor according to the present invention is that a single layer or multiple layers made of one or more types selected from metals and metal oxides are provided between the metal oxide semiconductor thin layer and the SiO2 layer. The point is that a thin film layer is interposed, and its functions and effects are as follows.
金属酸化物半導体の薄層と５Ｉ０２層との間に、金属及
び金属酸化物から選ばれた一種、もしくは多種から成る
一層又は多層の薄膜層を介在させたので、還元性ガスが
共存する時のオゾンに対するセンサ出力の大幅な低下を
抑制することができる。つまり、オゾンに対する出力を
上げるために、薄膜型半導体素子表面にＳｉＯ２層を形
成したものでは、還元性ガスが共存していない時のオゾ
ン出力は増大するけれども、還元性ガスが共存する時の
出力低下が大きいのであるが、」二記構成のように金属
酸化物半導体の薄層表面に一旦前記薄膜層を形成し、こ
の薄膜層表面に８１０２層を形成することにより、還元
性ガス共存下におけるオゾン出力が大きく低下するのを
抑制することができるのである。One or more thin film layers made of one or more selected metals and metal oxides are interposed between the metal oxide semiconductor thin layer and the 5I02 layer, so that when reducing gas coexists, It is possible to suppress a significant decrease in sensor output for ozone. In other words, when a SiO2 layer is formed on the surface of a thin-film semiconductor element in order to increase the output against ozone, the ozone output increases when no reducing gas coexists, but the output when a reducing gas coexists. However, by forming the thin film layer on the surface of the thin layer of the metal oxide semiconductor and forming the 8102 layer on the surface of this thin film layer as in the second structure, it is possible to reduce the This makes it possible to suppress a large drop in ozone output.
その結果、取り扱いが簡便であり、また安価な薄膜型オ
ゾンセンサを提供できるようになった。加えて本発明に
おいては、還元性ガスが共存する場合でも、比較的正確
に低濃度のオゾンでも測定することができ、高感度で信
頼性の高い薄膜型オゾンセンサを提供できる効果を奏す
るものである。As a result, it has become possible to provide a thin film ozone sensor that is easy to handle and inexpensive. In addition, the present invention has the effect of providing a highly sensitive and reliable thin film ozone sensor that can relatively accurately measure ozone at low concentrations even when reducing gases coexist. be.
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。 Examples of the present invention will be described in detail below.
第１図には薄膜型オゾンセンサの模式図の断面が示され
ており、図に示すように該センサは薄膜型半導体素子（
１）表面に薄膜層（２）を形成するとともに、この薄膜
層（２）表面にＳｉｎ、層（３）を形成して構成されて
いる。FIG. 1 shows a cross section of a schematic diagram of a thin-film ozone sensor, and as shown in the figure, the sensor consists of a thin-film semiconductor element (
1) A thin film layer (2) is formed on the surface, and a Sin layer (3) is formed on the surface of this thin film layer (2).
前記薄膜型半導体素子（１）としては、アルミナなどの
絶縁性基板（１ａ）の表面にＩｎ２Ｏ３，５ｎＯｚ、Ｚ
ｎＯ等の金属酸化物半導体を主成分とする薄層（１ｂ）
を形成したものを使用することができる。The thin film type semiconductor element (1) has In2O3, 5nOz, Z
Thin layer (1b) mainly composed of metal oxide semiconductor such as nO
can be used.
また、前記薄膜層（２）は金属及び金属酸化物から選ば
れた一種、もしくは多種から成る一層又は多層のもので
形成されている。ここで、前記金属としては、例えばＰ
ｄ、 Ｐｔなどを使用することができ、また金属酸化物
としては、例えばＣｒ、、Ｍｎ、Ｆａ、 Ｃｏ、 Ｐｄ
、 Ｐｔ、 Ｃｕ、 Ｃｃ等の遷移金属の酸化物を使用
することができる。また、前記金属と同種の金属酸化物
とを併用して一層又は多層にしたり、金属と異種の金属
酸化物とを併用して一層又は多層にしたり、或いは一種
又は多種の金属酸化物で一層又は多層にしたり、さらに
は一種又は多種の金属で一層又は多層にして薄膜層（２
）を形成することもできる。この薄膜層（２）は金属化
合物の熱分解法、化学蒸着法、物理蒸着法その他の膜作
製法によって薄膜型半導体素子（１）の表面に形成する
ことができる。Further, the thin film layer (2) is formed of one or more layers selected from metals and metal oxides. Here, as the metal, for example, P
d, Pt, etc. can be used, and metal oxides include, for example, Cr, , Mn, Fa, Co, Pd.
, Pt, Cu, Cc, and other transition metal oxides can be used. Furthermore, the metal and the same type of metal oxide may be used together to form a single layer or multiple layers, the metal and a different type of metal oxide may be used together to form a single layer or multiple layers, or one or more types of metal oxide may be used to form a single layer or multiple layers. It can be made into multiple layers, or even made into a thin film layer (2 layers) made of one or more metals.
) can also be formed. This thin film layer (2) can be formed on the surface of the thin film semiconductor element (1) by thermal decomposition of a metal compound, chemical vapor deposition, physical vapor deposition, or other film fabrication methods.
そして、この薄膜層（２）の表面には前記したようにＳ
ｉＯ２層（３）が形成されており、このＳｉＯ□層（３
）は例えば薄膜層（２）表面にヘギサメチルジシロキサ
ンなどの有機珪素化合物を化学蒸着することにより形成
することができる。尚、図中（４）は絶縁基板（１ａ）
と薄層（１ｂ）との間に埋設された櫛型電極、（５）は
絶縁基板（１ａ）裏面に付着されたヒータである。The surface of this thin film layer (2) is covered with S as described above.
An iO2 layer (3) is formed, and this SiO□ layer (3)
) can be formed, for example, by chemical vapor deposition of an organosilicon compound such as hexamethyldisiloxane on the surface of the thin film layer (2). In addition, (4) in the figure is an insulating substrate (1a)
and the thin layer (1b), and (5) is a heater attached to the back surface of the insulating substrate (1a).
次に、還元性ガスとしてエチルアルコールとの共存下に
おけるオゾンに対するセンサ出力の影響について説明す
る。第２図（イ）乃至（ニ）は、以下に述べる各オゾン
センサによる、オゾンに対する応答波形とエチルアルコ
ール共存によるオゾン感度の低下を模式的に示したもの
である。Next, the influence of the sensor output on ozone in the coexistence of ethyl alcohol as a reducing gas will be explained. FIGS. 2(a) to 2(d) schematically show the response waveforms to ozone and the decrease in ozone sensitivity due to the coexistence of ethyl alcohol by each ozone sensor described below.
尚、図中１・−→１で示した区間がオゾンとエチルアル
コールとの共存区間である。そして第２図（イ）は絶縁
基板（１ａ）に金属酸化物半導体の薄層（１ｂ）を形成
した通常の薄膜型オゾンセンサを使用したものを示し、
同図（＋１）は上記薄膜型半導体素子（１）に金属酸化
物の薄膜層（２）を形成したセンサを使用したものを示
し、同図（ハ）は上記薄膜型半導体素子（１）表面にＳ
ｉｎ７層（３）を形成したセンサを使用したものを示し
、さらに同図（ニ）は本発明に係る薄膜型オゾンセンサ
を使用したものを示している。Note that the section indicated by 1.-→1 in the figure is the section where ozone and ethyl alcohol coexist. FIG. 2(A) shows an ordinary thin film ozone sensor in which a thin layer (1b) of metal oxide semiconductor is formed on an insulating substrate (1a).
The figure (+1) shows a sensor using a thin film layer (2) of metal oxide formed on the thin film semiconductor element (1), and the figure (c) shows the surface of the thin film semiconductor element (1). niS
A sensor using an in7 layer (3) is shown, and (d) of the same figure shows a sensor using a thin film ozone sensor according to the present invention.
各図から明らかなように、通常の薄膜型半導体素子（第
２図（イ）で示されている）に金属酸化物の薄膜層を形
成した場合（第２図（υ）で示されている）においては
、エチルアルコール共存下でのオゾン出力低下に関し悪
化の方向であり、また通常の薄膜型半導体素子（第２図
（イ）で示されている）にＳｉＯ□層を形成した場合（
第２図（ハ））で示されている）においては、エチルア
ルコールが存在しない場合でのセンサ出力は増大してい
るが、エチルアルコール共存時でのオゾン出力低下に関
しほとんど改善が見られないのに対して、本発明のオゾ
ンセンサ（第２図（ニ））で示されている）では、エチ
ルアルコール共存時における出力低下に関して大きな改
善が見られることが分かる。つまり、金属酸化物の薄膜
層を薄膜型半導体素子とＳｉＯ□層との間に介在させる
ことにより、エチルアルコールが存在しない時のオゾン
に対するセンサ出力をほぼ維持しながら、エチルアルコ
ール共存下において出力低下が大きく改善できることが
確認された。As is clear from each figure, when a thin film layer of metal oxide is formed on a normal thin-film semiconductor element (shown in Fig. 2 (a)), ), the ozone output decreases in the presence of ethyl alcohol, and when a SiO
As shown in Figure 2 (c)), the sensor output increases in the absence of ethyl alcohol, but there is almost no improvement in the decrease in ozone output when ethyl alcohol coexists. On the other hand, it can be seen that the ozone sensor of the present invention (shown in FIG. 2 (d)) shows a significant improvement in the decrease in output when ethyl alcohol coexists. In other words, by interposing a thin film layer of metal oxide between the thin film type semiconductor element and the SiO□ layer, the sensor output for ozone in the absence of ethyl alcohol is almost maintained, but the output decreases in the presence of ethyl alcohol. It was confirmed that this can be greatly improved.
次に、本発明を実験例に基づいて具体的に説明する。 Next, the present invention will be specifically explained based on experimental examples.
実験例１
真空蒸着法により作成したＩｎ２Ｏ３を主成分とする薄
膜型半導体素子上に、第１表に示す金属の金属塩の溶液
を塗布・乾燥・焼成することにより、金属酸化物の薄膜
層、又は種類の異なる金属酸化物の薄膜層、若しくは金
属と金属酸化物との薄膜層を形成し、しかる後ヘキサメ
チルジシロキサンを化学蒸着することにより、薄膜層表
面にＳｉｎ、層を形成して薄膜型オゾンセンサを作成し
た。Experimental Example 1 A thin film layer of metal oxide, Or, by forming a thin film layer of different types of metal oxides, or a thin film layer of metal and metal oxide, and then chemically vapor depositing hexamethyldisiloxane, a layer of Sin is formed on the surface of the thin film layer to form a thin film. A model ozone sensor was created.
次に、上記各種オゾンセンサをオゾンとエチルアルコー
ルとの混合ガスに暴露させて、各オゾンセンサの規格化
されたオゾンに対するセンサ出力を測定した。測定結果
を次頁の表１右欄に記載する。この結果から、いずれの
金属又は金属酸化物を用いた場合も、還元性ガス共存下
において出力低下の防止に効果があることが確認された
。Next, the various ozone sensors described above were exposed to a mixed gas of ozone and ethyl alcohol, and the sensor output of each ozone sensor relative to standardized ozone was measured. The measurement results are listed in the right column of Table 1 on the next page. From this result, it was confirmed that no matter which metal or metal oxide is used, it is effective in preventing a decrease in output in the presence of a reducing gas.
表１
実験例２
真空蒸着法により作成したＳｎＯ□を主成分とする薄膜
型半導体素子上に、第２表に示す金属の金属塩の溶液を
塗布・乾燥・焼成することにより、金属酸化物の薄膜層
、又は種類の異なる金属酸化物の薄膜層、若しくは金属
と金属酸化物との薄膜層を形成し、しかる後へキサメチ
ルジシロキサンを化学蒸着することにより、薄膜層表面
にＳｉＯ□層を形成して薄膜型オゾンセンサを作成した
。Table 1 Experimental Example 2 A solution of metal salts of the metals shown in Table 2 was applied, dried, and fired on a thin film type semiconductor device made by vacuum evaporation and mainly composed of SnO□. By forming a thin film layer, a thin film layer of different types of metal oxides, or a thin film layer of metal and metal oxide, and then chemically depositing hexamethyldisiloxane, a SiO□ layer is formed on the surface of the thin film layer. A thin-film ozone sensor was created by forming a thin film type ozone sensor.
次に、上記各種オゾンセンサをオゾンとエチルアルコー
ルとの混合ガスに暴露させて、各オゾンセンサの規格化
されたオゾンに対するセンサ出力を測定した。測定結果
を次頁の表２右欄に記載する。この結果から、上記実験
例１に比べてややオゾンに対するセンサ出力は低下して
いるが、薄膜型半導体素子表面の金属酸化物の種類を変
えた場合も実験例１と同様に、薄膜層の形成によって還
元性ガス共存下において出力低下の防止に効果があるこ
とが確認された。Next, the various ozone sensors described above were exposed to a mixed gas of ozone and ethyl alcohol, and the sensor output of each ozone sensor relative to standardized ozone was measured. The measurement results are listed in the right column of Table 2 on the next page. From this result, the sensor output for ozone is slightly lower than in Experimental Example 1 above, but even when the type of metal oxide on the surface of the thin-film semiconductor element is changed, the formation of a thin film layer is similar to Experimental Example 1. It was confirmed that this method is effective in preventing a decrease in output in the presence of reducing gas.
表２
実験例３
真空蒸着法により作成したＺｎＯを主成分とする薄膜型
半導体素子上に、表３に示す金属の金属塩の溶液を塗布
・乾燥・焼成することにより、金属酸化物の薄膜層、又
は種類の異なる金属酸化物の薄膜層、若しくは金属と金
属酸化物との薄膜層を形成し、しかる後ヘキサメチルジ
シロキサンを化学蒸着することにより、薄膜層表面にＳ
ｉＯ２層を形成して薄膜型オゾンセンサを作成した。Table 2 Experimental Example 3 A thin film layer of metal oxide was formed by coating, drying, and baking a solution of the metal salt of the metal shown in Table 3 on a thin film type semiconductor element mainly composed of ZnO, which was created by vacuum evaporation method. , or by forming a thin film layer of different types of metal oxides, or a thin film layer of metal and metal oxide, and then chemical vapor depositing hexamethyldisiloxane, S is added to the surface of the thin film layer.
A thin film ozone sensor was created by forming an iO2 layer.
次に、上記各種オゾンセンサをオゾンとエチルアルコー
ルとの混合ガスに暴露させて、各オゾンセンサの規格化
されたオゾンに対するセンサ出力を測定した。測定結果
を次頁の表３右欄に記載する。この結果から、上記実験
例１に比べてややオゾンに対するセンサ出力は低下して
いるが、薄膜型半導体素子表面の金属酸化物の種類を変
えた場合も実験例１と同様に、薄膜層の形成によって還
元性ガス共存下において出力低下の防止に効果があるこ
とが確認された。Next, the various ozone sensors described above were exposed to a mixed gas of ozone and ethyl alcohol, and the sensor output of each ozone sensor relative to standardized ozone was measured. The measurement results are listed in the right column of Table 3 on the next page. From this result, the sensor output for ozone is slightly lower than in Experimental Example 1 above, but even when the type of metal oxide on the surface of the thin-film semiconductor element is changed, the formation of a thin film layer is similar to Experimental Example 1. It was confirmed that this method is effective in preventing a decrease in output in the presence of reducing gas.
表３
〔別実施例〕
第３図に示すように、絶縁基板（１ａ）の同一表面上に
櫛型電極（４）とヒータ（５）をそれぞれ形成し、この
電極（４）を覆うように基板（１ａ）上に前記薄層（１
ｂ）を形成しても良く、ヒータ（５）を基板（１ａ）内
部に埋設しても良い。また第４図に示すように、絶縁基
板（１ａ）表面に、ヒータ（５）を兼ねた電極（４）を
形成し、これを覆うように基板（ｌａ）表面に薄層（１
ｂ）を形成しても良い。また、第５図に示すように、前
記ヒータ（５）を覆うように絶縁基板（１ａ）裏面にＳ
ｉＯ□層（３）を形成しても良い、この構成によれば、
上記効果に加え、５ｉＯｚ層（３）でヒータ（５）表面
が空気に露出するのを防いでヒータ（５）を保護するこ
とができるから、長期使用におけるヒータ（５）の加熱
特性を安定に維持でき、薄膜型オゾンセンサの長期信頼
性を高めることができる。Table 3 [Another Example] As shown in Fig. 3, a comb-shaped electrode (4) and a heater (5) were formed on the same surface of an insulating substrate (1a), and a comb-shaped electrode (4) was formed so as to cover this electrode (4). Said thin layer (1) on the substrate (1a)
b) may be formed, or the heater (5) may be embedded inside the substrate (1a). Further, as shown in FIG. 4, an electrode (4) which also serves as a heater (5) is formed on the surface of the insulating substrate (1a), and a thin layer (1) is formed on the surface of the substrate (la) to cover this electrode (4).
b) may also be formed. Further, as shown in FIG. 5, an S
According to this configuration, an iO□ layer (3) may be formed.
In addition to the above effects, the 5iOz layer (3) can protect the heater (5) by preventing the surface of the heater (5) from being exposed to the air, making the heating characteristics of the heater (5) stable during long-term use. The long-term reliability of the thin film ozone sensor can be improved.
さらに、上記実施例では、薄膜層を薄膜型半導体素子と
ＳｉＯ□層との間に均一な層が形成されるように介在さ
せたが、不均一に、例えば金属又は金属酸化物が高濃度
に分散した状態で形成しても良い。また、上記実施例で
は還元性ガスとしてオゾンに対する出力低下に最も影響
の大きいエチルアルコールについて説明したが、他の還
元性ガス、例えば水素、アンモニア、メタンなどについ
ても適用できるものである。Furthermore, in the above embodiments, the thin film layer was interposed between the thin film type semiconductor element and the SiO□ layer so that a uniform layer was formed. It may be formed in a dispersed state. Furthermore, in the above embodiments, ethyl alcohol, which has the greatest influence on output reduction relative to ozone, has been described as the reducing gas, but other reducing gases such as hydrogen, ammonia, and methane can also be used.
尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を便利にする為
に符号を記すが、該記入により本発明は添付図面の構造
に限定されるものではない。Incidentally, although reference numerals are written in the claims section for convenient comparison with the drawings, the present invention is not limited to the structure shown in the accompanying drawings.
図面は本発明に係る薄膜型オゾンセンサの実施例を示し
、第１図は薄膜型オゾンセンサの断面図、第２図（イ）
乃至（ニ）は各種オゾンセンサのオゾンに対する応答波
形及びエチルアルコールガス共存下による出力低下を示
す図、第３図乃至第５図はそれぞれ薄膜型オゾンセンサ
の別実施例の断面図である。
（１）・・・・・・薄膜型半導体素子、（１ａ）・・・
・・・絶縁性基板、（１ｂ）・・・・・・金属酸化物半
導体の薄層、（２）・・・・・・薄膜層、（３）・・・
・・・ＳｉＯ□層。The drawings show an embodiment of the thin-film ozone sensor according to the present invention, and FIG. 1 is a cross-sectional view of the thin-film ozone sensor, and FIG. 2 (A)
FIGS. 3 to 5 are diagrams showing response waveforms of various ozone sensors to ozone and output decreases due to the coexistence of ethyl alcohol gas, and FIGS. 3 to 5 are cross-sectional views of other embodiments of thin-film ozone sensors, respectively. (1)... Thin film semiconductor element, (1a)...
... Insulating substrate, (1b) ... Thin layer of metal oxide semiconductor, (2) ... Thin film layer, (3) ...
...SiO□ layer.
Claims (1)
）を形成して成る薄膜型半導体素子（１）表面に、Ｓｉ
Ｏ＿２層（３）を形成してある薄膜型オゾンセンサであ
って、前記薄層（１ｂ）とＳｉＯ＿２層（３）との間に
、金属及び金属酸化物から選ばれた一種、もしくは多種
から成る一層又は多層の薄膜層（２）を介在させてある
薄膜型オゾンセンサ。 ２、前記薄膜層（２）の金属が遷移金属である特許請求
の範囲第１項に記載の薄膜型オゾンセンサ。 ３、前記薄層（１ｂ）がＩｎ＿２Ｏ＿３を主成分として
形成されたものである特許請求の範囲第１項又は第２項
に記載の薄膜型オゾンセンサ。[Claims] 1. A thin layer of metal oxide semiconductor (1b) on the surface of the substrate (1a)
) on the surface of the thin film semiconductor element (1)
A thin film ozone sensor in which an O_2 layer (3) is formed, and between the thin layer (1b) and the SiO_2 layer (3), one or more types selected from metals and metal oxides are formed. A thin film ozone sensor with one or multiple thin film layers (2) interposed. 2. The thin film ozone sensor according to claim 1, wherein the metal of the thin film layer (2) is a transition metal. 3. The thin film ozone sensor according to claim 1 or 2, wherein the thin layer (1b) is formed mainly of In_2O_3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135610A JPH0663993B2 (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Thin film ozone sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135610A JPH0663993B2 (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Thin film ozone sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63298149A true JPS63298149A (en) | 1988-12-05 |
| JPH0663993B2 JPH0663993B2 (en) | 1994-08-22 |
Family
ID=15155836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135610A Expired - Lifetime JPH0663993B2 (en) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Thin film ozone sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0663993B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263146A (en) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ozone sensor |
| JPH041563A (en) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ozone detecting element and production thereof |
| JPH04204242A (en) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Osaka Prefecture | Analytical device for ozone in solution |
| JPH0526833A (en) * | 1991-07-22 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ozone sensor |
| JP2011503528A (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-27 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー | Semiconductor transducers and their use in sensors for detecting electron donor or electron acceptor species |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135610A patent/JPH0663993B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263146A (en) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | Ozone sensor |
| JPH041563A (en) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ozone detecting element and production thereof |
| JPH04204242A (en) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 | Osaka Prefecture | Analytical device for ozone in solution |
| JPH0526833A (en) * | 1991-07-22 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ozone sensor |
| JP2011503528A (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-27 | ユニベルシテ ピエール エ マリー キュリー | Semiconductor transducers and their use in sensors for detecting electron donor or electron acceptor species |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0663993B2 (en) | 1994-08-22 |
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