JPS63293832A - 低温薄膜形成方法 - Google Patents
低温薄膜形成方法Info
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- JPS63293832A JPS63293832A JP12811887A JP12811887A JPS63293832A JP S63293832 A JPS63293832 A JP S63293832A JP 12811887 A JP12811887 A JP 12811887A JP 12811887 A JP12811887 A JP 12811887A JP S63293832 A JPS63293832 A JP S63293832A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマを用いた膜形成に係り、とくに、表
面被覆性に優れた薄膜形成方法に関する。
面被覆性に優れた薄膜形成方法に関する。
従来のプラズマＣＶＤ法においては、ｒＭＯ８ＬＳＩ製
造技術（口径マグロウヒル社刊）第６章第３節」に述べ
られているように、基板温度を室温以上５００℃以下と
した状態で、ＡＱ配線後の保護膜および層間絶縁膜の形
成が行なわれていた。
造技術（口径マグロウヒル社刊）第６章第３節」に述べ
られているように、基板温度を室温以上５００℃以下と
した状態で、ＡＱ配線後の保護膜および層間絶縁膜の形
成が行なわれていた。
プラズマ重合を用いた有機膜の形成については、「プロ
シーディング オブ １９８３ ドライプロセス シン
ポジウム、東京、５１頁」において論じられている。
シーディング オブ １９８３ ドライプロセス シン
ポジウム、東京、５１頁」において論じられている。
上記従来方法は、室温以上５００℃以下の温度において
膜形成が行なわれていた。しかし、その温度範囲では、
基板に対するガス状原子９分子の吸着係数が小さく、そ
の結果、堆積速度が小さいという欠点があった。また、
サブミクロンデバイス形成工程にみられるような高段差
部において、表面被覆率が悪くなることが多く、スルー
プットが小さいという問題点があった。
膜形成が行なわれていた。しかし、その温度範囲では、
基板に対するガス状原子９分子の吸着係数が小さく、そ
の結果、堆積速度が小さいという欠点があった。また、
サブミクロンデバイス形成工程にみられるような高段差
部において、表面被覆率が悪くなることが多く、スルー
プットが小さいという問題点があった。
本発明の目的は、堆積速度が大きく、かつ、段差部また
は深溝の被覆性に優れた膜形成法を提供することにある
。
は深溝の被覆性に優れた膜形成法を提供することにある
。
上記目的は、膜形成時の基板温度を、０℃以下の低温に
することにより、達成される。
することにより、達成される。
基板を冷却し、０℃以下の低温に保つと、プラズマから
基板に入射する反応粒子の基板表面への吸着率が大きく
なり、とくに、段差部のカドにおいて、吸着率が大きく
なる。したがって、堆積速度が大きくなり、かつ、段差
部での膜堆積が速くなるので、高速で、かつ、被覆率が
向上する。
基板に入射する反応粒子の基板表面への吸着率が大きく
なり、とくに、段差部のカドにおいて、吸着率が大きく
なる。したがって、堆積速度が大きくなり、かつ、段差
部での膜堆積が速くなるので、高速で、かつ、被覆率が
向上する。
〔実施例］
〈実施例１〉
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する０本実
施例は、膜形成速度の温度依存性を示す。
施例は、膜形成速度の温度依存性を示す。
使用した装置は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置であり
、陽極電極上に基板を載置し、該電極を冷却し、基板を
低温にした。導入したガスは、５１１１ｍと０２ガスと
し、５ｉＯｚｌｌｌを形成した。その結果、ガス圧力を
１０丁ｏｒｒに保持した場合、基板温度が一３０℃以下
において堆積速度が増加することがわかった。また、そ
の−３０℃以下の温度域では１段差部の被覆率も極めて
良好となる。その−例を第２図に示した。堆積膜の膜厚
が、段差部でとくに厚く、被覆性が良くなることがわか
る。
、陽極電極上に基板を載置し、該電極を冷却し、基板を
低温にした。導入したガスは、５１１１ｍと０２ガスと
し、５ｉＯｚｌｌｌを形成した。その結果、ガス圧力を
１０丁ｏｒｒに保持した場合、基板温度が一３０℃以下
において堆積速度が増加することがわかった。また、そ
の−３０℃以下の温度域では１段差部の被覆率も極めて
良好となる。その−例を第２図に示した。堆積膜の膜厚
が、段差部でとくに厚く、被覆性が良くなることがわか
る。
第２図からさらに、膜形成時間を長くすると、平坦な５
ｉ０２表面が得られ、極めて被覆性に優れることがわか
った。堆積有効温度域は、ガス圧力。
ｉ０２表面が得られ、極めて被覆性に優れることがわか
った。堆積有効温度域は、ガス圧力。
交流電力により変動する。しかし、いずれの場合も一３
０℃以下で有効であり、パワーが小さく堆積速度が比較
的遅い場合には、１０℃においても効果があった。すな
わち、１０℃以下においても有効である。
０℃以下で有効であり、パワーが小さく堆積速度が比較
的遅い場合には、１０℃においても効果があった。すな
わち、１０℃以下においても有効である。
同様の装置で、ＳｉＮの膜形成を行なった結果。
５ｉｏｔの形成時と同様、低温において堆積速度の増加
と被覆率の向上が達成できろことがわかった。すなわち
、５ｉｎｓだけに限らず、ＳｉＮ謹の形成においても、
氷温未満の温度で、高速での膜堆積が可能である。また
、本発明は、マイクロ波放電を用いたＣＶＤ装置におい
ても、同等の結果が得られた。
と被覆率の向上が達成できろことがわかった。すなわち
、５ｉｎｓだけに限らず、ＳｉＮ謹の形成においても、
氷温未満の温度で、高速での膜堆積が可能である。また
、本発明は、マイクロ波放電を用いたＣＶＤ装置におい
ても、同等の結果が得られた。
〈実施例２〉
プラズマを用いる重合膜の形成速度の高速化にも、基板
温度を低温にすることが有効である。
温度を低温にすることが有効である。
容量結合型プラズマ発生装置において１石英ガラス容器
内に、Ａｒとトリメチルメタクリレートとスチレンの混
合ガスを導入し、プラズマを発生させ、冷却された基板
上に重合膜を堆積させた。
内に、Ａｒとトリメチルメタクリレートとスチレンの混
合ガスを導入し、プラズマを発生させ、冷却された基板
上に重合膜を堆積させた。
堆積速度は、−１０℃において室温の５７４倍、−３０
℃において７７４倍と低温になると大きくなることがわ
かった。すなわち冷却の効果は０℃以下で大きくなった
。
℃において７７４倍と低温になると大きくなることがわ
かった。すなわち冷却の効果は０℃以下で大きくなった
。
本発明によれば、堆積速度を大きく、かつ、段差被覆性
を向上できるので、処理時間を短縮し、コスト低減する
ことに効果がある。
を向上できるので、処理時間を短縮し、コスト低減する
ことに効果がある。
第１図は゛、本発明の一実施例の膜堆積速度の基板温度
依存特性図、第２図は、本発明の一実施例による成膜形
状を示す基板断面図である。
依存特性図、第２図は、本発明の一実施例による成膜形
状を示す基板断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧容器にガスを導入し、交流電力によりガスをプ
ラズマ化し、発生プラズマにより基板上に膜堆積を行な
う膜堆積方法において、基板を０℃以下の低温に保持す
ることを特徴とする低温薄膜形成方法。 ２、被膜堆積基板が、直接、プラズマに接しないアフタ
ーグロー中に載置されることを特徴とする請求の範囲第
１項記載の低温薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12811887A JPS63293832A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 低温薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12811887A JPS63293832A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 低温薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293832A true JPS63293832A (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=14976822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12811887A Pending JPS63293832A (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 低温薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217639A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Toshiba Corp | シリコン酸化膜形成方法 |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP12811887A patent/JPS63293832A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0217639A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Toshiba Corp | シリコン酸化膜形成方法 |
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