JPS6329314A - Electrically lapping guide and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は概して動的磁気情報記憶装置検索装置と、磁気
トランスデユーサの製造を制御するための方法および装
置に関し、特に薄膜磁気ヘッドをバッチ製造するのに有
用な電気的ラッピング・ガイド構造に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A. INDUSTRIAL APPLICATIONS The present invention relates generally to dynamic magnetic information storage retrieval devices and methods and apparatus for controlling the manufacturing of magnetic transducers, and more particularly to a method and apparatus for controlling the manufacturing of thin film magnetic heads in batches. The present invention relates to electrical wrapping guide structures useful for manufacturing.
Ｂ、従来技術
高速データ処理装置において、大きな記憶容量が必要な
ため磁気ディスクが用いられてきた。ディスクのトラッ
ク上のデータの検索および記憶の間、ディスク上に位置
付けられる一般に磁気ヘッドと呼ばれる磁気トランスデ
ユーサによってデータが読み取られかつディスクに書き
込まれる。磁気ディスク上でデータ密度をより高くする
という要求はディスク上に位置するより狭いトラック上
に、より多くのデータを読み書きするという要求を課し
た。さらに、ディスク上のデータの完全性を維持するの
に保磁力を改善するため、ディスクはより薄くなった。B. Prior Art In high-speed data processing devices, magnetic disks have been used because large storage capacities are required. During retrieval and storage of data on tracks of a disk, data is read and written to the disk by a magnetic transducer, commonly referred to as a magnetic head, positioned on the disk. The demand for higher data densities on magnetic disks has imposed the requirement to read and write more data onto narrower tracks located on the disk. Additionally, disks have become thinner to improve coercivity in maintaining the integrity of the data on the disk.
より高いデータ密度への要求はより高い磁束密度の発生
と検出の能力をトランスデユーサに課した。トランスデ
ユーサまたはヘット素子から最大効率を得るために、素
子または磁極片は磁性材料の薄膜から形成される。磁極
片は一般に首部（スロート）の高さと呼ばれる磁極先端
の高さ寸法を有さねばならず、これは所与のヘッドから
最大量の電気信号を発生するためある限定された許容範
囲内に維持されねばならない。The demand for higher data densities has imposed higher magnetic flux density generation and detection capabilities on transducers. To obtain maximum efficiency from a transducer or head element, the element or pole piece is formed from a thin film of magnetic material. A pole piece must have a height dimension at the pole tip, commonly referred to as the throat height, which must be maintained within certain limited tolerances in order to generate the maximum amount of electrical signal from a given head. must be done.
首部の高さをある距離に維持する必要性に関するこれ以
上の論議については、共に本発明の譲受人に譲渡された
米国特許第４１９０８７２号および第４２９５１７３号
を参照されたい。For further discussion of the need to maintain neck height at a certain distance, see US Pat.
必要な首部の高さを発生する方法は研摩研削表面が磁極
先端を所望の長さに正確に研削するラッピング状態を含
む。ラッピング動作の間首部の高さを制御するための適
切な技術はやはり本発明の譲受人に譲渡された米国特許
第３８２１８１５号に記載されている。この特許では、
最終的な首部の高さへとラッピングされるトランスデユ
ーサを含む基板上に置かれた素子の抵抗を甜定するため
の技術が用いられている。この抵抗素子はトランスデユ
ーサの磁極先端と同じ程度の寸法でラッピングされる。The method of generating the required neck height involves a lapping condition in which an abrasive grinding surface precisely grinds the pole tip to the desired length. A suitable technique for controlling neck height during a lapping operation is described in commonly assigned US Pat. No. 3,821,815. In this patent,
Techniques are used to determine the resistance of elements placed on a substrate containing a transducer that is lapped to the final neck height. This resistive element is wrapped with dimensions comparable to the magnetic pole tip of the transducer.
任意の所与の時間における素子の抵抗は素子から除去さ
れた材料の量を示し、したがって、抵抗はラッピングさ
れるトランスデユーサの最終的な首部の高さの表示であ
る。The resistance of the element at any given time is indicative of the amount of material removed from the element, and therefore the resistance is an indication of the final neck height of the lapped transducer.
やはり本発明の譲受人に譲渡される他の米国特許第４０
１４１４１号は電気的ラッピング・ガイドの制御下で磁
気ヘッド表面の研削およびラッピングを制御するための
別の装置を記載している。No. 40, also assigned to the assignee of this invention.
No. 14141 describes another apparatus for controlling the grinding and lapping of a magnetic head surface under the control of an electrical lapping guide.
本発明は、例えば、上述のこれら装置において薄膜磁気
ヘッドの最終的な首部の高さがバッチ処理技術を用いて
達成できるようにラッピング工程を制御するのに有用な
改良された電気的ラッピング・ガイドを提供する。The present invention provides an improved electrical lapping guide useful for controlling the lapping process so that the final neck height of the thin film magnetic head can be achieved using batch processing techniques in, for example, these apparatuses described above. I will provide a.
電気的ラッピング・ガイドは薄膜トランスデユーサの処
理においては周知である。電気的ラッピング・ガイドは
ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・ブレティン（Ｉ
ＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＢｕ
ｌｌｅｔｉｎ）、Ｖｏｌ、 １８、Ｎａ１ｌ、１９７６
年４月、Ｐ３７８２−３に示すように、大抵複数の磁気
トランスデユーサ素子の列の各端部に電気的ガイド抵抗
の１つを置かせた平坦な素子である。同様な電気的ラッ
ピング・ガイド素子はＩＢＭテクニカル・ディスクロー
ジャ・ブレティン、Ｖｏｌ、２３、Ｎｏ ４．１９８０
年９月、Ｐ１６３１およびＶｏｌ。Electrical wrapping guides are well known in thin film transducer processing. The Electrical Wrapping Guide is from the IBM Technical Disclosure Bulletin (I
BM Technical DisclosureBu
lletin), Vol. 18, Na1l, 1976
April 2005, P3782-3, is usually a flat element with one electrically guided resistor placed at each end of an array of magnetic transducer elements. A similar electrical wrapping guide element is described in IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 23, No. 4.1980.
September, P1631 and Vol.
２３、Ｎｃｉ２．１９８０年７月、ｐ７７６に開示され
ている。これらの論文の全てにおいて、電気的ラッピン
グ・ガイドが読取り素子、データ素子または装置列とし
て示される一列の磁気トランスデユーサの両端に付着さ
れる。これらの論文に開示されるように、ラッピングが
進行するとき、電気的ラッピング・ガイドの導体間の抵
抗はガイドの導体間の材料が除去されるにつれ増大され
る。これらの論文は、仕上げられたヘッドの最終的な首
部の高さを制御する１つの手段を開示しているが、それ
は適正な首部の高さにおいてラッピング工程を停止する
ため電気的ラッピング・ガイドが比較される独立した試
験素子を付着することによる。23, Nci2. July 1980, p776. In all of these articles, electrical wrapping guides are attached to both ends of a row of magnetic transducers, designated as read elements, data elements, or device rows. As disclosed in these articles, as lapping progresses, the resistance between the conductors of the electrical lapping guide increases as material between the conductors of the guide is removed. These articles disclose one means of controlling the final neck height of the finished head, which involves using an electrical lapping guide to stop the lapping process at the proper neck height. By attaching independent test elements to be compared.
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的はしたがって、薄膜磁気ヘッドの正確な首
部の高さを得るための研削およびラッピング工程に有用
な改良された電気的ラッピング・ガイド装置を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an improved electrical lapping guide apparatus useful in the grinding and lapping process for obtaining accurate neck heights of thin film magnetic heads. It is in.
本発明の別の目的は完成された磁気ヘッドの首部の高さ
を正確な長さに保つことができるように製造工程を正確
に制御するよう設計された電気的ラッピング・ガイドを
提供することにある。Another object of the present invention is to provide an electrical wrapping guide designed to precisely control the manufacturing process so that the neck height of the finished magnetic head can be maintained at the correct length. be.
本発明の他の目的は薄膜磁気ヘッドの正確な首部の高さ
を生じるためラッピング動作の間モニタできる電気的ラ
ッピング・ガイド装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide an electrical lapping guide system that can be monitored during lapping operations to produce accurate neck heights for thin film magnetic heads.
本発明のさらに別の目的は薄膜磁気ヘットをパッチ製造
する電気的ラッピング・ガイド装置を提供することにあ
る。Yet another object of the present invention is to provide an electrical lapping guide apparatus for patch manufacturing thin film magnetic heads.
従来の電気的ラッピング・ガイドは導体とストラップ間
に接合接続のみを含んだ。接合接続がラッピング工程中
に破壊したときは、ストラップへの電気的結合が切られ
るので導体間の抵抗は無限大になった。第２のラッピン
グ・ガイドが与えられるまで抵抗の甜定は全く不可能で
あるので、ラッピング工程はそれ以上制御できなかった
。Conventional electrical wrapping guides included only bond connections between conductors and straps. When the bonded connection broke during the lapping process, the electrical connection to the strap was broken and the resistance between the conductors became infinite. The lapping process could not be further controlled since no determination of the resistance was possible until the second lapping guide was applied.
本発明のさらに別の目的は、ラッピング・ガイドにおけ
る通常より高い電気抵抗のストラップに下記のような電
気的接触をもたらす接合を有する電気的ラッピング・ガ
イドを提供することにある。Yet another object of the present invention is to provide an electrical lapping guide having a joint that provides electrical contact to the higher than normal electrical resistance straps of the lapping guide.
即ちこの接合は破壊したとき抵抗素子を橋絡し、さらに
磁気ヘッドの首部の高さを決定するためラッピングの進
行の表示を与える電気伝導の変化を発生する。That is, this junction, when broken, bridges the resistive element and produces a change in electrical conduction that provides an indication of the progress of lapping to further determine the neck height of the magnetic head.
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明によれば、基板上へのヘッド素子の付着の間に、
抵抗性の電気的ラッピング・ガイドが１列の磁気ヘッド
素子の少くとも一端に付着される。Means for Solving the D0 Problem According to the present invention, during the deposition of the head element on the substrate,
A resistive electrical wrapping guide is attached to at least one end of the row of magnetic head elements.
電気的ラッピング・ガイドは電気抵抗性材料の一部分と
導体の間に形成した複数のスイッチング接合を含む。導
体は外部の試験装置に対する電気的相互接続を与える。The electrical wrapping guide includes a plurality of switching junctions formed between a portion of electrically resistive material and a conductor. The conductors provide electrical interconnection to external test equipment.
導体と抵抗性材料またはストラップの一部分との間の相
互接続またはスイッチング接合は接合がラッピング工程
により切られるとき既知のスイッチング平面を与える。The interconnect or switching joint between the conductor and a portion of the resistive material or strap provides a known switching plane when the joint is cut by a lapping process.
既知の首部の高さが到達されたとき、各スイッチング接
合は切られて電気的状態の変化を生じる。薄膜トランス
デユーサの形成と同時に電気的ラッピング・ガイド抵抗
ストラップおよびスイッチング接合を形成することは首
部の高さの測定値と磁気ヘットの実際の磁極先端寸法の
間を良好に整合させる。When a known neck height is reached, each switching junction is cut resulting in a change in electrical state. Forming the electrical wrapping guide resistive straps and switching junctions at the same time as forming the thin film transducer provides good alignment between neck height measurements and the actual pole tip dimensions of the magnetic head.
スイッチング接合と平行に付着された分路抵抗はスイッ
チング接合の開放の検出を増強する一方電気伝導を継続
する。好適な実施例において、ストラップの抵抗は磁気
ヘッドの形成の間に付着される磁気ヘッドの製造のため
の工程で用いられる層の１つにより形成する。ストラッ
プ抵抗は従来技術の電気的ラッピング・ガイドで用いら
れたものより薄く、したがって正式に用いられるものよ
り抵抗が高い。A shunt resistor placed parallel to the switching junction enhances detection of an open switching junction while continuing electrical conduction. In a preferred embodiment, the strap resistance is formed by one of the layers used in the process for manufacturing the magnetic head that is deposited during the formation of the magnetic head. The strap resistors are thinner than those used in prior art electrical wrapping guides and therefore have higher resistance than those used formally.
したがって、本発明は、電気的ラッピング・ガイドによ
るラッピングの正確な制御を与えるため幾つかの首部の
高さにおいて導体−ストラップ接合点を切ることにより
磁気ヘッドの加工の間電気的ラッピング・ガイドを流れ
る電流が種々の経路から切換えられる複数の点を有する
、磁気ヘッドのバッチ製造のための電気的ラッピング・
ガイドを提供する。Therefore, the present invention improves the flow through the electrical lapping guide during processing of the magnetic head by cutting the conductor-strap junctions at several neck levels to provide precise control of the lapping by the electrical lapping guide. Electrical wrapping for batch manufacturing of magnetic heads with multiple points where current is switched from different paths
Provide guidance.
したがって、従来技術により用いられるより高い抵抗を
導体間に有する電気的ラッピング・ガイドを提供する。Thus, an electrical wrapping guide is provided that has a higher resistance between conductors than that used by the prior art.
導体とストラップの間の接触が接合を介するラッピング
により切られたときスイッチング接合の状態の変化の検
出を増強するため電気的ラッピング・ガイドのスイッチ
ング接合を横切る分路抵抗を与えることにある。The purpose is to provide a shunt resistance across the switching junction of the electrical wrapping guide to enhance the detection of changes in the state of the switching junction when the contact between the conductor and the strap is broken by lapping through the junction.
さらに本発明の実施例によれば、磁気トランスデユーサ
に隣接しかつこれと整合するウェハ上の特別な場所を選
択する少くとも１つのバッチ製造された磁気トランスデ
ユーサにおける形成の工程の間に電気的ラッピング・ガ
イドを作る方法が提供される。次に導電材料の層を基板
上の選択された場所に付着して、ストラップ−接合型電
気的ラッピング・ガイドのストラップを形成し、さらに
一端が導電性フィルム材料のストラップに電気的に接続
されるようにＳ字状長さを形成する。次に電気的絶縁材
料を選択された場所における２つの離隔した領域におい
て第１の導電層に付着する。Further according to embodiments of the invention, during the process of forming at least one batch-fabricated magnetic transducer, selecting a special location on the wafer adjacent to and aligned with the magnetic transducer. A method of making an electrical wrapping guide is provided. A layer of conductive material is then deposited at selected locations on the substrate to form the straps of the strap-bonded electrical wrapping guide, with one end electrically connected to the strap of conductive film material. This forms an S-shaped length. An electrically insulating material is then deposited on the first conductive layer in two spaced areas at selected locations.
絶縁層は同時に付着されかつトランスデユーサの首部の
高さを決定する同じ材料から形成される。The insulating layer is deposited at the same time and is formed from the same material that determines the height of the transducer neck.
絶縁材料はガイドにおいても導電材料へのバイア（以下
、通路孔と云う）を含む０通路孔はトランスデユーサに
関連した選択された首部の高さに形成される。導電材料
の第２の層を通路孔を覆って形成して、ストラップの電
気的測定のため導体を離隔した領域に形成する。第２の
導電層を第１の導電材料のＳ字状長さの第２の端部と接
触させる。The insulating material is also formed in the guide with a zero passage hole containing a via to the conductive material at a selected neck level associated with the transducer. A second layer of conductive material is formed over the via hole to form conductors in isolated areas for electrical measurements of the strap. A second conductive layer is in contact with a second end of the S-shaped length of the first conductive material.
最終的なヘッド素子の首部の高さを得るため、磁気ヘッ
ド列のラッピングの間電気的ラッピング・ガイド・スト
ラップ抵抗の抵抗をモニタする。最終的な首部の高さよ
りも大きい既知の首部の高さにおいて、スイッチング接
合は開放して電気的ラッピング・ガイドの導体間におけ
る電気的状態を変化させる。この状態変化は電気的ラッ
ピング・ガイドに接続した試験装置により直ちに検出さ
れる明確で直ちに検出可能な抵抗変化を与える。スイッ
チング接合の状態変化の検出は電気的ガイドにおけるス
トラップの抵抗測定から決定される首部の高さと比較で
きる既知の首部の高さを与える。The resistance of the electrical wrapping guide strap resistor is monitored during wrapping of the magnetic head array to obtain the final head element neck height. At a known neck height that is greater than the final neck height, the switching junction opens to change the electrical state between the conductors of the electrical wrapping guide. This change in state provides a clear and readily detectable change in resistance that is immediately detected by a test device connected to the electrical wrapping guide. Detection of a change in state of the switching junction provides a known neck height that can be compared with the neck height determined from resistance measurements of the straps in the electrical guide.
これらの状態変化はその後の抵抗測定値が状態変化を与
えたスイッチング接合の中断に照らして較正されること
を可能にし、ラッピング工程で除去される材料の量を正
確に決定し、それによりラッピングされている磁気ヘッ
ト列の首部の高さを正確に決定する。These state changes allow subsequent resistance measurements to be calibrated against the interruption of the switching junction that gave the state change, accurately determining the amount of material removed in the lapping process, and thereby determining the amount of material removed in the lapping process. Accurately determine the height of the neck of the magnetic head row.
したがって、本発明の実施例ではラッピングされている
列における磁気ヘッドの首部の高さを。Therefore, in embodiments of the present invention, the height of the neck of the magnetic head in the row being lapped.
以前可能であったよりも一層正確な状態に形成するため
用いられるラッピング工程を一層正確に制御する方法を
提供する。A method is provided for more precisely controlling the wrapping process used to form more precise conditions than previously possible.
従来技術の装置では、ストラップの接合および接合電気
的ラッピング・ガイドがラッピング工程により破壊され
たときは、ガイドのその部分に対する電気的結合全体が
永久に断絶された。本発明では、接合スイッチがラッピ
ング工程により破壊されたときは、電気的結合は接合ス
イッチを橋絡する抵抗を介して継続する。したがって、
電気的ラッピング・ガイドは継続するラッピング工程の
継続した制御を付与できる抵抗により橋絡される第２の
接合スイッチ、またはそれ以上の接合スイッチを有して
もよい。In prior art devices, when a strap bond and a bonded electrical lapping guide were destroyed by the lapping process, the entire electrical connection to that portion of the guide was permanently severed. In the present invention, when the junction switch is destroyed by the lapping process, electrical coupling continues through the resistor bridging the junction switch. therefore,
The electrical lapping guide may have a second junction switch, or more junction switches, bridged by a resistor that can provide continued control of the continuing lapping process.
したがって、本発明の別の目的は電気的ラッピング・ガ
イドの接合スイッチを橋絡して薄膜磁気トランスデユー
サのラッピング工程の継続した制御を可能にする電気的
ラッピング・ガイドを提供することにある。本発明のこ
れらおよび他の目的は説明が進むにつれて当業者には明
らかになるであろう。Accordingly, another object of the present invention is to provide an electrical lapping guide that bridges the junction switch of the electrical lapping guide to enable continuous control of the lapping process of a thin film magnetic transducer. These and other objects of the invention will become apparent to those skilled in the art as the description proceeds.
Ｄ、実施例
本発明は好適には薄膜ヘッド組立体の製造に用いられる
。薄膜ヘッドのトランスデユーサ部分は周知の磁極片お
よび変換機能に必要な磁気ギャップを形成するための磁
性材料、導電性材料および絶縁材料をディスク上に形成
された磁性被覆とともに付着することにより形成される
。複数のトランスデユーサをウェハ上に付着し、次にウ
ェハを裁断してトランスデユーサが並置関係に置かれる
ようにトランスデユーサの列を形成する。トランスデユ
ーサを付着するのと同時に電気的ラッピング・ガイドを
ウェハ上に形成する。少くとも１つの電気的ラッピング
・ガイドをトランスデユーサの列の各端部に付着する。D. Embodiments The present invention is preferably used in the manufacture of thin film head assemblies. The transducer portion of the thin film head is formed by depositing magnetic, conductive, and insulating materials along with a magnetic coating formed on the disk to form the known magnetic pole pieces and the magnetic gap required for the transduction function. Ru. A plurality of transducers are deposited on a wafer and the wafer is then cut to form rows of transducers such that the transducers are placed in side-by-side relationship. Electrical lapping guides are formed on the wafer at the same time as the transducer is deposited. At least one electrical wrapping guide is attached to each end of the row of transducers.
電気的ラッピング・ガイドはトランスデユーサの首部の
高さを決定するラッピング工程の間用いられる。ウェハ
は最終的に磁気ヘッドのスライダになるように形成する
。An electrical lapping guide is used during the lapping process to determine the height of the transducer neck. The wafer is formed to eventually become a slider of a magnetic head.
スライダを懸架装置に取付け、次に懸架装置を、回転デ
ィスクへの書込み時に磁気ヘッドを磁気ヘッドにより形
成されたトラックに位置付けるためのアクセス装置上に
取付ける。したがって、電気的ラッピング・ガイドはバ
ッチ製造工程における一列のトランスデユーサのラッピ
ングを制御する。The slider is mounted on a suspension, and the suspension is then mounted on an access device for positioning the magnetic head in the track formed by the magnetic head when writing to the rotating disk. Thus, the electrical lapping guide controls the lapping of a row of transducers in a batch manufacturing process.
第２図に、両端に置かれた電気的ラッピング・ガイド装
置１４および１６を有する複数のトランスデユーサ素子
１２を有する基板列１０のラッピングを制御する装置の
全体的構成図を示す、前述したように、トランスデユー
サ１２のこの列１０と電気的ラッピング・ガイド１４お
よび１６はトランスデユーサ素子の複数の行とともに複
数の列を含むウェハ全体からの一部分にすぎない。基板
列１０をホルダ１８に固定するとともに、ラッピング板
２４と離隔した関係に基板を位置付ける２つのアクチュ
エータ２０および２２に向かい合わせに置く。アクチュ
エータ２０．２２は基板列１０をラッピング板２４に対
して押し付け、ホルダ１８に対してかかる圧力の量を制
御する。ラッピング板２４は当業者には周知のように、
相対運動を介して基板列１０のラッピングを行なう研摩
表面である。基板列１０はトランスデユーサ１２の首部
を電気的ラッピング・ガイド装置１４および１６の制御
下に正確に置くことができるように材料を除去するため
ラッピングされる。FIG. 2 shows a general block diagram of an apparatus for controlling the lapping of a substrate array 10 having a plurality of transducer elements 12 with electrical lapping guide devices 14 and 16 located at opposite ends, as previously described. In fact, this column 10 of transducers 12 and electrical wrapping guides 14 and 16 are only a portion of an entire wafer that includes multiple columns as well as multiple rows of transducer elements. The array 10 of substrates is secured to a holder 18 and placed facing two actuators 20 and 22 which position the substrates in spaced relationship with a lapping plate 24 . Actuators 20 , 22 force substrate array 10 against lapping plate 24 and control the amount of pressure applied to holder 18 . The wrapping plate 24 is, as is well known to those skilled in the art,
The polishing surface provides lapping of the array of substrates 10 through relative motion. The array of substrates 10 is lapped to remove material so that the necks of the transducers 12 can be precisely placed under the control of electrical lapping guide devices 14 and 16.
ラッピング板２４により与えられるラッピングの深度を
２台の電気的ラッピング・ガイド装置１４および１６を
介してモニタする。電気的ラッピング・ガイド装置１４
および１６はトランスデユーサ素子１２のそれぞれの層
と同時に基板上に付着され、トランスデユーサ素子の首
部の高さを電気的に決定する手段を与える。電気的ラッ
ピング・ガイド装置１４および１６をマルチプレクサ２
６に接続する。マルチプレクサ２６は個々の電気的ラッ
ピング・ガイド装置の電気抵抗を検出してこの情報をオ
ーム計即ちメータ２８に送り、メータ２８は電気抵抗を
測定する標準的な、好適にはディジタルのオーム計でよ
く、さらにこの情報をコントローラ３０に送るものであ
る。コントローラ３０は次の２つのアクチュエータ２０
および２２を制御して、基板列１０を各アクチュエータ
により基板列のその端部に加えられる圧力の量を変える
ことにより水平に保つことができるようにする。The depth of lapping provided by lapping plate 24 is monitored via two electrical lapping guide devices 14 and 16. Electrical wrapping guide device 14
and 16 are deposited on the substrate simultaneously with each layer of transducer element 12 and provide a means for electrically determining the neck height of the transducer element. Electrical wrapping guide devices 14 and 16 are connected to multiplexer 2
Connect to 6. Multiplexer 26 detects the electrical resistance of the individual electrical wrapping guide devices and sends this information to an ohmmeter or meter 28, which may be a standard, preferably digital, ohmmeter for measuring electrical resistance. , and further sends this information to the controller 30. The controller 30 has the following two actuators 20
and 22 so that the substrate array 10 can be kept horizontal by varying the amount of pressure applied by each actuator to its end of the substrate array.
列の各端部における電気的ラッピング・ガイド装置１４
および１６により、基板列の各端部が受ける圧力の量を
制御することが可能であり、したがって、アクチュエー
タ２０および２２が基板列１０をラッピング表面と同じ
高さに保つことを可能にする。したがって、各ラッピン
グ・ガイド装置からの関連する抵抗測定値を比較するこ
とにより、列に沿った複数のトランスデユーサの各々の
首部の高さをラッピングの間同じ長さに維持できる。電
気的ラッピング・ガイド装置１４および１６により与え
られる抵抗測定値はマルチプレクサ２６およびメータ２
８から決定する。コントローラ３ｏの制御下で、′電気
的ラッピング・ガイド装置１４および１６により与えら
れる抵抗測定値の各々をマルチプレクサ２６およびメー
タ２８を介してアドレスできる。測定の結果はコントロ
ーラ３０に記憶され、ラッピング工程の間トランスデユ
ーサ素子のため得られた首部の高さの表示として利用さ
れる。コントローラ３０は電気的ラッピング・ガイド装
置の各々の抵抗を絶えず測定することにより、基板列１
０をラッピング板２４に対して同じ高さに維持できる。Electrical wrapping guide device 14 at each end of the row
and 16 make it possible to control the amount of pressure that each end of the substrate row is subjected to, thus allowing actuators 20 and 22 to keep the substrate row 10 flush with the lapping surface. Thus, by comparing the associated resistance measurements from each lapping guide device, the neck height of each of the plurality of transducers along the row can be maintained at the same length during lapping. The resistance measurements provided by electrical wrapping guide devices 14 and 16 are transferred to multiplexer 26 and meter 2.
Decide from 8. Under the control of controller 3o, each of the resistance measurements provided by electrical wrapping guide devices 14 and 16 can be addressed via multiplexer 26 and meter 28. The results of the measurements are stored in controller 30 and utilized as an indication of the neck height obtained for the transducer element during the lapping process. The controller 30 controls the substrate array 1 by continuously measuring the resistance of each of the electrical lapping guide devices.
0 can be maintained at the same height with respect to the lapping plate 24.
さらに、ラッピング工程を介して得られたある首部の高
さが検出されたときは、コントローラ３０はアクチュエ
ータ２０および２２に命令してラッピング工程を終了さ
せるためラッピング表面から基板列１０を引上げること
ができる。Additionally, when a certain neck height obtained through the lapping process is detected, controller 30 may command actuators 20 and 22 to lift substrate array 10 from the lapping surface to terminate the lapping process. can.
一般に、各々電気的ラッピング・ガイド装＊１４および
１６の抵抗および切換方向はコントローラ３０により検
出される。コントローラ３ｏはより低い抵抗を有する基
板列の端部に付加的な抵抗を加えることにより、例えば
ラッピング・ガイド装置間のあらゆる抵抗差に反応する
ので、余分な材料をその端部から除去することができ、
電気的ラッピング・ガイドの抵抗を一層速く除去し、そ
れにより後述するようにその電気的ラッピング・ガイド
において測定された抵抗を増大させる。ラッピング工程
中、切換接合が開かれると、コントローラ３０は基板列
１ｏをラッピング工程との接触から引上げるという応答
をする。または、工程を概略ラッピング工程から精密ラ
ッピング工程に変更することができるので、例えばラッ
ピングの始めにおいて多くの材料を除去でき、理想的な
首部の高さとしての一層望ましい制御のため用いられる
それ以上のラッピングは電気的ラッピング・ガイド装置
により指示される通りに行なう、第２図に示すラッピン
グ装置の制御を行なうようにすることのできるラッピン
グ装置の例は前述の米国特許第３８２１８１５号および
第４０１４１４１号に開示されている。第２図に示す電
気的ラッピング・ガイド・システム１４および１６の各
々は同等である。第２図の電気的ラッピング・ガイド装
置１４および１６の一方の構造をさらに詳細に第１図に
示す。Generally, the resistance and switching direction of each electrical wrapping guide arrangement 14 and 16 is sensed by controller 30. The controller 3o reacts to any resistance difference, for example between lapping guide devices, by adding an additional resistance to the end of the substrate row having a lower resistance, so that excess material can be removed from that end. I can,
It removes the resistance of the electrical wrapping guide more quickly, thereby increasing the resistance measured in the electrical wrapping guide as described below. During the lapping process, when the switching junction is opened, the controller 30 responds by pulling the substrate array 1o out of contact with the lapping process. Alternatively, the process can be changed from a rough lapping process to a precision lapping process so that more material can be removed, for example at the beginning of the lapping, and more material can be used for more desirable control as the ideal neck height. Examples of lapping machines that can be adapted to control the lapping machine shown in FIG. Disclosed. Each of the electrical wrapping guide systems 14 and 16 shown in FIG. 2 are equivalent. The structure of one of the electrical wrapping guide devices 14 and 16 of FIG. 2 is shown in more detail in FIG.
第１図を参照すると、電気的ラッピング・ガイド装置１
６はそれぞれ絶縁層５０．５２．５４および５６に形成
されたバイア即ち通路孔４２．４４．４６および４８を
介して端部導体３６および３８、および中央導体４０に
相互接続された２つのストラップ３２および３４を備え
ている。本発明のための接合または接合スイッチと呼ば
れるこれら通路孔はそこにおいて導体がストラップと電
気的に接続する制御された点である。各端部導体３６お
よび３８は一方のストラップ３２または３４に接続し、
一方、中央導体４０は両ストラップの一端に接続する。Referring to FIG. 1, an electrical wrapping guide device 1
6 are two straps 32 interconnected to end conductors 36 and 38 and to center conductor 40 through vias 42, 44, 46 and 48 formed in insulating layers 50, 52, 54 and 56, respectively. and 34. These passage holes, referred to as junctions or junction switches for the present invention, are controlled points at which the conductor makes electrical connection with the strap. Each end conductor 36 and 38 connects to one strap 32 or 34;
Meanwhile, the center conductor 40 connects to one end of both straps.
薄膜抵抗５８．６０．６２および６４を形成する導電材
料の層は導体３６．３８および４０の導電材料とストラ
ップ３２および３４の導電材料を相互接続して、通路孔
である相互接続接合スイッチ４２．４４．４６および４
８を効果的に橋絡する。したがって、例えば、薄膜抵抗
５８は接合スイッチ４２を介してストラップ３２の右端
に接続する左側の導体３６において接合スイッチ４２を
橋絡する。薄膜抵抗６ｏはストラップ３２の右端を中央
導体４０に相互接続する接合スイッチ４４を橋絡する。The layer of conductive material forming the thin film resistors 58, 60, 62 and 64 interconnects the conductive material of the conductors 36, 38 and 40 and the conductive material of the straps 32 and 34 to form the interconnect junction switch 42, which is a via hole. 44.46 and 4
Effectively bridges 8. Thus, for example, thin film resistor 58 bridges junction switch 42 at left conductor 36 which connects to the right end of strap 32 via junction switch 42 . A thin film resistor 6o bridges a junction switch 44 that interconnects the right end of strap 32 to center conductor 40.
薄膜抵抗６２は中央導体４ｏを右側のストラップ３４に
接続する接合スイッチ４６を橋絡し、一方、薄膜抵抗６
４はストラップ３４を右側の導体３８に接続する接合ス
イッチ４８を橋絡する。導体３６．３８および４０は薄
膜抵抗、接合スイッチ、およびストラップ自体により生
じる導体間における抵抗の検出のため外部配線を介して
マルチプレクサ２６に接続する。The thin film resistor 62 bridges the junction switch 46 connecting the center conductor 4o to the right strap 34, while the thin film resistor 6
4 bridges a junction switch 48 that connects the strap 34 to the right conductor 38. Conductors 36, 38 and 40 connect to multiplexer 26 via external wiring for sensing the resistance between the conductors caused by the thin film resistor, junction switch, and strap itself.
ストラップおよび薄膜抵抗を形成する材料は、その抵抗
ができるだけ高くなるように、好適には導電性材料から
作られる。薄膜抵抗の幅はストラップのそれよりもはる
かに小さいので、薄膜抵抗はストラップに比較してはる
かに高い抵抗を有する。好適には電気的ラッピング・ガ
イドの層はトランスデユーサ素子の部分と同時に付着さ
れるので、後続の電気めっき動作のため基板を電気的に
活性化するのに用いる種（シード）層の１つをストラッ
プ３２および３４と薄膜抵抗５８−６４との両方を形成
するため用いることができる。したがって、トランスデ
ユーサ素子の磁極のどちらか一方を形成するニッケル鉄
材料を付着する電気めっき工程に備えて材料を基板上に
ニッケル鉄スパッタリング付着することができる。本発
明によれば、好適には、トランスデユーサの形成の際に
接着増強層、またはトランスデユーサのそれぞれの部分
を光学的に一層良好に画定するための層として付着され
るクロム層から形成する。絶縁層５０．５２．５４およ
び５６はトランスデユーサ素子において用いられる絶縁
層の１つと同時に形成することができる。したがって、
絶縁層はトランスデユーサの磁気ギャップとして好適な
酸化アルミニウムから形成してもよい。または、絶縁層
はトランスデユーサの導電層を磁極片から絶縁する層の
任意の１つでよい。したがって、絶縁層５０−５６は導
電層を付着する前に第１の磁極片を覆って形成される堅
く焼成されたホトレジストから形成してもよく、または
第２の磁極片を付着する前に導体を覆って置かれるホト
レジスト絶縁材料から形成してもよい、絶縁層５０−５
６の各々はそれぞれ通路孔４２−４８を含み、これら通
路孔には絶縁材料は無く、導体３６−４０とストラップ
３２および３４の間の電気的接続を可能にする。The materials forming the straps and the thin film resistors are preferably made from electrically conductive materials so that their resistance is as high as possible. Since the width of the thin film resistor is much smaller than that of the strap, the thin film resistor has much higher resistance compared to the strap. Preferably, the layer of electrical lapping guide is deposited at the same time as the portion of the transducer element, so that it is one of the seed layers used to electrically activate the substrate for subsequent electroplating operations. can be used to form both straps 32 and 34 and thin film resistors 58-64. Thus, the material can be sputter deposited onto the substrate in preparation for an electroplating process to deposit the nickel-iron material forming either of the magnetic poles of the transducer element. According to the invention, it is preferably formed from a chromium layer deposited during the formation of the transducer as an adhesion-enhancing layer or as a layer for better optically defining the respective parts of the transducer. do. Insulating layers 50, 52, 54 and 56 can be formed at the same time as one of the insulating layers used in the transducer element. therefore,
The insulating layer may be formed from aluminum oxide, which is suitable for the magnetic gap of the transducer. Alternatively, the insulating layer may be any one of the layers that insulates the conductive layer of the transducer from the pole piece. Thus, the insulating layers 50-56 may be formed from a hard fired photoresist that is formed over the first pole piece prior to depositing the conductive layer, or may be formed from a hard fired photoresist that is formed over the first pole piece prior to depositing the conductive layer. an insulating layer 50-5, which may be formed from a photoresist insulating material placed over the
6 each include a respective passage hole 42-48 which is free of insulating material and allows electrical connection between conductors 36-40 and straps 32 and 34.
次に導体３６．３８および４０を通路孔を介する点を除
いてストラップから電気的に絶縁されるように図示のよ
うなおよその形態で絶縁材料の上に付着させる。通路孔
における導体とストラップの間のこれら相互接続は接合
を介する導体とストラップの相互接続を意味するストラ
ップ−接合配置と呼ばれる電気的ラッピング・ガイドと
の接合または接合スイッチと呼ばれる。導体３６．３８
および４ｏはトランスデユーサ素子で用いられる導電材
料の任意の１つとともに形成してもよい。Conductors 36, 38 and 40 are then deposited onto the insulating material in the approximate configuration shown so that they are electrically isolated from the strap except through the passage holes. These interconnections between the conductor and the strap in the passage holes are called a bond with an electrical wrapping guide or a bond switch, referred to as a strap-bond arrangement, meaning the interconnection of the conductor and the strap through the bond. Conductor 36.38
and 4o may be formed with any one of the conductive materials used in transducer elements.
導体は一般に低い抵抗を有するように作り、したがって
、好適にはトランスデユーサ素子の第１の磁極片かまた
は第２の磁極片のいずれかを形成するのと同時に電気め
っきするニッケル鉄材料で形成する。または、導電材料
はトランスデユーサ素子の導体またはトランスデユーサ
素子の形成で用いる他の導電層と共に形成される電気め
っきした銅でよい、好適には、トランスデユーサ素子の
首部の高さを決定する層と同時に絶縁層５０−５６を付
着する。首部の高さを決定する層と同時にかつ同じ工程
で接合を付着するので、接合をトランスデユーサ素子に
対して正確に置くことができ、したがってラッピング工
程の間首部の高さを正確に表示する。したがって、好適
には、第１の磁極片をトランスデユーサ素子の導体から
分離する第１の絶縁層と共に絶縁層５２−５６を形成し
、トランスデユーサ素子の第２の磁極片と同時に導体３
６．３８および４ｏを電気めっきする。The conductor is generally made to have a low resistance and is therefore preferably formed of a nickel-iron material that is electroplated at the same time as forming either the first pole piece or the second pole piece of the transducer element. do. Alternatively, the conductive material may be an electroplated copper formed with the conductor of the transducer element or other conductive layers used in the formation of the transducer element, preferably determining the neck height of the transducer element. Insulating layers 50-56 are deposited at the same time as the other layers. Depositing the bond at the same time and in the same process as the layer that determines the neck height allows the bond to be accurately placed relative to the transducer element, thus accurately indicating the neck height during the lapping process. . Accordingly, insulating layers 52-56 are preferably formed in conjunction with a first insulating layer that separates the first pole piece from the conductor of the transducer element, and simultaneously with the second pole piece of the transducer element.
6. Electroplate 38 and 4o.
第６図に示す本発明の実施例でも、その構造を製造する
基本的な装置及び方法は第１図に関連して上記で説明し
たのとほぼ同じである。しかし−方のストラップを他方
のストラップよりもかなり長くすることによって、最終
的にできる首部の高さの精度をかなり上げることができ
る。そのラッピング動作は高レベルの電気的ノイズを常
に生じ、また長いストラップであれば信号対雑音比が高
いため電気的な測定精度も改善される。In the embodiment of the invention shown in FIG. 6, the basic apparatus and method for manufacturing the structure is substantially the same as described above in connection with FIG. However, by making one strap significantly longer than the other strap, the accuracy of the final neck height can be significantly increased. The wrapping action always produces high levels of electrical noise, and longer straps also improve electrical measurement accuracy due to their higher signal-to-noise ratio.
第６図の実施例は、左のストラップ３２の約２倍の長さ
の右のストラップ３４′ を含む。この理由から、右の
ストラップ３４′の抵抗が高くなり、ストラップ３４′
の並列抵抗６４に対する抵抗の比が高くなって、並列抵
抗６４の影響が小さくなる。右のストラップ３４′は長
いストラップとして選択される。内攻なら首部の高さの
線ＴＨ（第３図参照）とほぼ一致する接合スイッチ４６
がもつとも重要で、この接合スイッチ４６が右のストラ
ップ３４′に接続されるからである。第６図に示す本発
明の実施例が電気的な間室精度を改善するので、この実
施例は他のものより好適な実施例である。The embodiment of FIG. 6 includes a right strap 34' that is approximately twice as long as the left strap 32. For this reason, the resistance of the right strap 34' is higher and the strap 34'
The ratio of the resistance to the parallel resistance 64 becomes higher, and the influence of the parallel resistance 64 becomes smaller. The right strap 34' is selected as a long strap. For internal attack, connect switch 46 that almost matches the neck height line TH (see Figure 3).
is also important because this junction switch 46 is connected to the right strap 34'. Because the embodiment of the invention shown in FIG. 6 improves electrical interstitial accuracy, this embodiment is preferred over the others.
導体とストラップ間の相互接続のこれ以上の詳細は第３
図および第４図を参照することにより得ることができる
。第３図および第４図は第１図の右側のストラップの詳
細を示す、この記載全体を通して共通の参照番号を用い
る０本発明と共に記載されるトランスデユーサ素子のこ
れ以上の記載については、前述の米国特許第４１９０８
７２号を参照する。Further details of the interconnections between conductors and straps are given in Section 3.
This can be obtained by referring to the figures and FIG. FIGS. 3 and 4 show details of the strap on the right side of FIG. 1; common reference numerals are used throughout this description. U.S. Patent No. 41908
See No. 72.
第３図および第４図に示すように、好適にはクロムであ
るストラップ３４の導電材料を基板列１０として示すウ
ェハ基板材料に付着させる０次に絶縁層５４および５６
を少くともストラップ３４の部分を覆って置く、絶縁層
５４および５６はストラップ３４を露出した状態に置く
通路孔４６および４８を含む０通路孔４６および４８は
トランスデユーサ素子の首部の高さの最適な測定と関連
して正確に位置する。好適には次に導体３８および４ｏ
を電気めっきする。導体３８および４ｏを薄膜抵抗６２
および６４にそれぞれ電気的に接続し、さらに通路孔４
６および４８を介してストラップ３４に接続する。通路
孔４６および４８は前述したように本発明の電気的ラッ
ピング・ガイドの接合スイッチ素子を形成する。線ＴＨ
は接合スイッチ４６の頂部とほぼ同じ高さに示される。As shown in FIGS. 3 and 4, the conductive material of strap 34, preferably chromium, is deposited on the wafer substrate material shown as substrate array 10 with zero-order insulating layers 54 and 56.
The insulating layers 54 and 56 include passage holes 46 and 48 that leave the strap 34 exposed.The passage holes 46 and 48 are at the neck height of the transducer element. Position accurately in relation to optimal measurements. Preferably then conductors 38 and 4o
electroplating. Conductors 38 and 4o are connected to thin film resistors 62
and 64, respectively, and furthermore, the passage hole 4
6 and 48 to strap 34. Passage holes 46 and 48 form the mating switch elements of the electrical wrapping guide of the present invention as previously described. line TH
is shown approximately at the same height as the top of junction switch 46.
線ＴＨは変換素子の首部の高さを最終的に決定する層を
形成した絶縁層と共に接合スイッチ４６を決定したマス
ク・セットを介して測定された所望の最終的な首部の高
さを表わすことができる。したがって、ラッピング工程
で接合スイッチ４６が開放されるときは、最終的な首部
の高さが到達されたので、コントローラ３０は信号を出
してラッピング工程を停止させる。導体４ｏがらストラ
ップ３４への電気的接続は存在しないので、接合スイッ
チ４６は実質的に開放されている。唯一の相互接続は薄
膜抵抗６２を介するものである。導体４０とストラップ
３４の実質的に低抵抗の材料を薄膜抵抗６２を短絡する
ブリッジとして除去するので、接続材料をラッピングし
ている間に接合スイッチ４６を開放することは抵抗レベ
ルの跳躍を生じる０本発明の電気的ラッピング・ガイド
装置１４および１６の一方の電気的に表現した回路を第
５図に示す。The line TH represents the desired final neck height measured through the mask set that determined the junction switch 46 with the insulating layer forming the layer that ultimately determines the neck height of the transducer element. Can be done. Therefore, when bonding switch 46 is opened during the lapping process, the final neck height has been reached and controller 30 issues a signal to stop the lapping process. Since there is no electrical connection from conductor 4o to strap 34, junction switch 46 is substantially open. The only interconnection is through thin film resistor 62. Opening junction switch 46 while wrapping the connection material creates a jump in resistance level since the substantially low resistance material of conductor 40 and strap 34 is removed as a bridge shorting thin film resistor 62. An electrical representation of one of the electrical wrapping guide devices 14 and 16 of the present invention is shown in FIG.
第５図を参照すると、それぞれの抵抗およびスイッチの
参照番号は構成要素自体のそれと同じ数字が与えられて
いる。第５図に示す典型的な電気的構成は第２図に示す
電気的ラッピング・ガイド１６に対する直接的な電気的
置換である。それぞれの導体の抵抗を参照番号Ｒ３６−
Ｒ４０により表わす、同様に薄膜抵抗を参照番号Ｒ５８
−Ｒ６４により表わす０図示のストラップ３２および３
４はラッピング工程の間に抵抗値が変ることを示す可能
抵抗Ｒ３２およびＲ３４である。次に接合スイッチ４２
−４８を参照番号３４２−３４８により表わし、第５図
のスイッチと第１図の接合スイッチ間の直接的な電気的
置換を示す。スイッチ５４２−３４８はそれぞれ薄膜抵
抗Ｒ５８−Ｒ６４を短絡するように示す。Referring to FIG. 5, each resistor and switch is given the same reference number as the component itself. The typical electrical configuration shown in FIG. 5 is a direct electrical replacement for the electrical wrapping guide 16 shown in FIG. The resistance of each conductor is given by reference number R36-
A thin film resistor, also designated by R40, has the reference number R58.
- 0 shown straps 32 and 3 represented by R64;
4 are potential resistors R32 and R34 whose resistance values change during the lapping process. Next, the junction switch 42
-48 are designated by the reference numerals 342-348 and represent a direct electrical replacement between the switch of FIG. 5 and the junction switch of FIG. Switches 542-348 are shown shorting thin film resistors R58-R64, respectively.
次に本発明の電気的ラッピング・ガイド装置の動作を説
明する。トランスデユーサ素子を電気的ラッピング・ガ
イドと共にウェハ上に付着した後、第１図に示すように
基板列１ｏを電気的ラッピング・ガイド装置１４および
１６と共にトランスデユーサ素子１２の列の各端部に形
成するようにウェハを裁断する。基板列１ｏをホルダ１
８に固定し、次に基板列１０の一方の表面上の材料の一
部分をラッピングするため基板列１０がラッピング板２
４に隣接するようにラッピング装置内に置く。Next, the operation of the electric lapping guide device of the present invention will be explained. After depositing the transducer elements with the electrical lapping guides on the wafer, the substrate row 1o is attached to each end of the row of transducer elements 12 with electrical lapping guide devices 14 and 16 as shown in FIG. The wafer is cut to form a wafer. Holder 1 for board row 1o
8 and then the substrate row 10 is placed on the lapping plate 2 for lapping a portion of the material on one surface of the substrate row 10.
Place it in the wrapping device so that it is adjacent to 4.
トランスデユーサ素子１２の適正な首部の高さを得るよ
うに、電気的ラッピング・ガイド装置１４および１６に
よりラッピングを制御する。ラップ板２４と基板列１ｏ
の間の相対運動を与える材料のラッピングを開始する。The wrapping is controlled by electrical wrapping guide devices 14 and 16 to obtain the proper neck height of the transducer element 12. Wrap plate 24 and board row 1o
Begin wrapping the material to give relative motion between.
ラッピング工程の間にトランスデユーサの首部の高さ、
すなわち磁極片の長さを短縮し、ストラップの幅をせば
める。電気的ガイド装置の抵抗を結合のためマルチプレ
クサ２６に向け、測定のためメータ２８に、さらにコン
トローラ３０に向ける。コントローラ３ｏは次にアクチ
ュエータ２ｏおよび２２を作動させて基板列１０をラッ
ピング板３４に抗して置き、ラッピング工程を開始させ
る。コントローラ３ｏは電気的ラッピング・ガイド装置
１４および１６の両方からの４つの直並列電気回路の各
々の電気抵抗を検出する。一方の電気的ラッピング・ガ
イド装置を第５図に示し、したがって、電気的ラッピン
グ・ガイド装置１６に対するコントローラは導体抵抗Ｒ
３６により測定された電気抵抗を接合スイッチＳ４２、
ストラップ抵抗Ｒ３２、第２の接合スイッチＳ４４およ
びセンタタップ導体抵抗Ｒ４０を介して検出する。コン
トローラ３ｏはまた再びセンタタップ導体抵抗Ｒ４０、
接合スイッチＳ４６、ストラップ抵抗Ｒ３４、第２の接
合スイッチＳ４８および右側の導体抵抗Ｒ３８を介して
抵抗を検出することによりこの電気的ラッピング装置１
６の他の半分からの抵抗を測定する。同様に、コントロ
ーラ３ｏは基板列１ｏの反対端に置かれた他方の電気的
ラッピング・ガイド装置１４の抵抗を検出する。The height of the neck of the transducer during the wrapping process,
That is, the length of the pole piece is shortened and the width of the strap is narrowed. The resistance of the electrical guide device is directed to a multiplexer 26 for coupling, to a meter 28 for measurement, and then to a controller 30. Controller 3o then actuates actuators 2o and 22 to place substrate array 10 against lapping plate 34 and begin the lapping process. Controller 3o senses the electrical resistance of each of the four series-parallel electrical circuits from both electrical wrapping guide devices 14 and 16. One electrical wrapping guide device is shown in FIG.
The electrical resistance measured by 36 is connected to the switch S42,
Detection is via strap resistor R32, second junction switch S44 and center tap conductor resistor R40. The controller 3o again has a center tap conductor resistor R40,
This electrical wrapping device 1 by sensing resistance via junction switch S46, strap resistor R34, second junction switch S48 and right conductor resistor R38.
Measure the resistance from the other half of 6. Similarly, the controller 3o senses the resistance of the other electrical lapping guide device 14 placed at the opposite end of the substrate row 1o.
検出された抵抗に従って関連のアクチュエータ２０およ
び２２を調節することにより、電気的ラッピング・ガイ
ド装置１４および１６の各々の抵抗を出来るだけ等しく
保つコントローラ３０と協働してラッピングは継続する
。ラッピングは第２図の線６６により示す点に達するま
でこのようにして継続する。この点において、スイッチ
Ｓ４２により表わされる接合スイッチ４２は開放される
ので、接合スイッチ４２を基板列１０の両端においてほ
ぼ同時に開放しなければならない。第５図に示すように
、接合スイッチＳ４２の開放は薄膜抵抗の抵抗Ｒ５８を
図の左側の直列回路内に置き、それにより回路のこの半
分の抵抗を増大させる。Wrapping continues in conjunction with controller 30 to keep the resistance of each of electrical lapping guide devices 14 and 16 as equal as possible by adjusting the associated actuators 20 and 22 according to the sensed resistance. Wrapping continues in this manner until the point indicated by line 66 in FIG. 2 is reached. At this point, junction switch 42, represented by switch S42, is opened, so junction switch 42 must be opened at both ends of substrate array 10 at approximately the same time. As shown in FIG. 5, opening of junction switch S42 places thin film resistor R58 in the series circuit on the left side of the figure, thereby increasing the resistance of this half of the circuit.
この抵抗変化はマルチプレクサ２６に伝えられ、メータ
２８およびコントローラ３０により検出される。コント
ローラ３ｏはこの変化を用いて複数の動作の任意の１つ
を表わすことができる。例えば、接合スイッチ４２が開
くまで概略ラッピングを行ない、次に中間または最終ラ
ッピングへの変更を行なうことができる。あるいは、ア
クチュエータ２０および２２により加えられる圧力をも
つと遅い、もつと十分に制御されたラッピングを得るた
め多分減少することができる。または、抵抗の変化をさ
らに起る事柄の表示としてコントローラ３０により単に
検出してもよい、第５図に示す電気抵抗回路の各半分は
また重複したラッピング・ガイドとして用いてもよい。This resistance change is communicated to multiplexer 26 and detected by meter 28 and controller 30. The controller 3o can use this change to represent any one of a plurality of actions. For example, rough lapping can be performed until mating switch 42 is opened, and then a change to intermediate or final lapping can be performed. Alternatively, the pressure applied by actuators 20 and 22 could perhaps be reduced to obtain a slower, more controlled wrapping. Alternatively, each half of the electrical resistance circuit shown in FIG. 5 may also be used as a redundant wrapping guide, where changes in resistance may simply be detected by the controller 30 as an indication of what is further occurring.
すなわち、電気的ラッピング・ガイドの形成における付
着の欠陥のため回路の一方の半分が働かないときに、コ
ントローラ３０がそれに適応することで他方の半分がと
って代ることができる。That is, when one half of the circuit fails due to an adhesion defect in the formation of the electrical wrapping guide, the other half can take over as the controller 30 adapts.
所望ならば、さらに好適な工程では事実、ラッピングは
スイッチング接合５４２−５４８が全て切られるまで継
続する。第４図に示すように、最終スイッチ接合４６の
開放はラッピングが線ＴＨに達したことを意味する。こ
れはあらかじめトランスデユーサ素子の首部の最適な高
さに決めることができる。この時点において、コントロ
ーラはアクチュエータ２ｏおよび２２による全ての圧力
を除去し、基板列１０をラッピング板２４との接触から
除去する。ホルダ１８および基板列１０をラッピング装
置から除去する。続いて基板列１０をホルダ１８から除
去し、回転ディスクに対する最終的な飛翔動作のための
スライダのレールを形成する機械の上に基板列を置く。If desired, and in fact in a preferred process, lapping continues until all switching junctions 542-548 are cut. As shown in FIG. 4, opening of the final switch junction 46 means that the wrapping has reached line TH. This can be determined in advance to be the optimal height of the neck of the transducer element. At this point, the controller removes all pressure from actuators 2o and 22 and removes substrate array 10 from contact with lapping plate 24. The holder 18 and substrate array 10 are removed from the lapping apparatus. The substrate array 10 is then removed from the holder 18 and placed on a machine that forms the rails of the slider for final flying motion relative to the rotating disk.
電気的ラッピング・ガイド装置１４および１３を基板列
から切り離し、トランスデユーサ素子１２を個々の磁気
ヘットに分ける。次にディスク・ファイルへの最終的挿
入のため個々の磁気ヘッドを懸架素子に結合する。Electrical wrapping guide devices 14 and 13 are separated from the substrate array, separating transducer elements 12 into individual magnetic heads. Individual magnetic heads are then coupled to suspension elements for final insertion into the disk file.
本発明による電気的ラッピング・ガイド装置の利点は多
い、電気的ラッピング・ガイドは薄膜磁気ヘッドに対す
る所定の製造工程を実行するのと同時に製造することが
できる。ホトリトグラフィ工程、スパッタリング付着お
よび電気めっき等の標準的な製造工程を用いることがで
きる。電気的ラッピング・ガイド装置は薄膜ヘッドの製
造に用いるのと同じマスクで形成することができ、それ
によりトランスデユーサ素子と電気的ラッピング・ガイ
ド間の正確な関係を保証する。好適な素子を変発明の電
気的ラッピング・ガイドに用いて、磁気ギャップ層の付
着後に電気的ラッピング・ガイドを製造できる。このこ
とはほぼ１０００オングストロームの非常に薄いクロム
層を付着し、第２図のストラップ３２および３４と薄膜
抵抗５８−６４に対し示すようなパターンを得るための
クロム層をエツチングすることにより達成できる。次に
第１図に示す絶縁層５０−５６を、第１の磁極片を磁気
トランスデユーサの導体層に対して電気的に絶縁するた
め第１の磁極片上に付着されたホトレジスト絶縁層と共
にウェハへ置き、ホトリトグラフィ工程によりパターン
化し、さらに永続性のため堅く焼成することができる。The advantages of the electrical lapping guide device according to the present invention are many: the electrical lapping guide can be manufactured at the same time as the predetermined manufacturing steps for the thin film magnetic head are carried out. Standard manufacturing processes such as photolithography steps, sputter deposition and electroplating can be used. The electrical lapping guide arrangement can be formed with the same mask used in manufacturing the thin film head, thereby ensuring a precise relationship between the transducer elements and the electrical lapping guide. Suitable elements can be used in the electrical lapping guide of the invention to produce an electrical lapping guide after deposition of the magnetic gap layer. This can be accomplished by depositing a very thin layer of chrome, approximately 1000 Angstroms, and etching the chrome layer to obtain a pattern as shown for straps 32 and 34 and thin film resistors 58-64 in FIG. The insulating layers 50-56 shown in FIG. 1 are then applied to the wafer along with a photoresist insulating layer deposited over the first pole piece to electrically isolate the first pole piece from the conductor layer of the magnetic transducer. It can be deposited, patterned by a photolithography process, and then hard fired for durability.
電気的ラッピング・ガイドの絶縁層５０−５６は正確な
位置検出のため接合スイッチ４２−４８を形成する。ト
ランスデユーサの第２の磁極層を付着するのと同時に第
２図の電気的ラッピング・ガイドの導体３６−４ｏを電
気めっきにより付着する。第２の磁極片は概してニッケ
ル鉄から作られ、導体３６一４０の低抵抗Ｒ３６−Ｒ３
８として働く。導体３６−４０は高抵抗のストラップ抵
抗Ｒ３２および３４、薄膜抵抗Ｒ５８−Ｒ６４、および
電気的ラッピング・ガイドをマルチプレクサ２６に接続
する配線を相互接続する。The insulating layers 50-56 of the electrical wrapping guide form junction switches 42-48 for accurate position sensing. Conductor 36-4o of the electrical wrapping guide of FIG. 2 is deposited by electroplating at the same time that the second pole layer of the transducer is deposited. The second pole piece is generally made of nickel iron and has a low resistance R36-R3 of conductors 36-40.
Work as 8. Conductors 36-40 interconnect high resistance strap resistors R32 and 34, thin film resistors R58-R64, and traces connecting electrical wrapping guides to multiplexer 26.
再び、薄膜トランスデユーサの形成に用いる個々の層を
確認するため米国特許第４１９０８７２号を参照する。Reference is again made to US Pat. No. 4,190,872 to identify the individual layers used to form a thin film transducer.
同様に、この特許は首部の特定の高さの重要性とその首
部の高さの測定方法を教示する。Similarly, this patent teaches the importance of a particular height of the neck and how to measure that neck height.
さらに第１図を参照すると、接合スイッチ４２−４８に
対するスイッチング平面はそれぞれ２０ミクロン、２１
７２ミクロン、２ミクロンおよび１０ミクロンの首部の
高さ位置に適切に置かれているのが示される。ストラッ
プ３２および３４は好適には公称導電率または面積抵抗
Ｒ３を有するクロム材料の薄膜抵抗素子Ｒ３２およびＲ
３４であるのが適当である。典型的には、５００Ｘ８０
マイクロメータ（ミクロン）の寸法を有するクロムの長
方形の棒がストラップ３２および３４の各々に対して十
分である。やはり好適にはクロム材料の薄膜抵抗５８−
６４の各々は８００Ｘ１０ミクロンの外形寸法を有する
。薄膜抵抗はもちろん同時に基板上に付着され、したが
ってストラップ３２および３４と同じ厚さを有する。Still referring to FIG. 1, the switching planes for junction switches 42-48 are 20 microns and 21 microns, respectively.
The neck heights of 72 microns, 2 microns and 10 microns are shown properly placed. Straps 32 and 34 preferably include thin film resistive elements R32 and R of chromium material having a nominal conductivity or sheet resistance R3.
34 is appropriate. Typically 500X80
A rectangular bar of chrome with micrometer dimensions is sufficient for each of the straps 32 and 34. Also preferably a thin film resistor 58- of chromium material.
64 each have external dimensions of 800 x 10 microns. The thin film resistor is of course deposited on the substrate at the same time and thus has the same thickness as straps 32 and 34.
基板列１０のラッピングの間、各ストラップ３２および
３４の抵抗Ｒ３２およびＲ３４は次式に従う。During wrapping of substrate array 10, resistances R32 and R34 of each strap 32 and 34 follow the equation:
ＲＸ＝Ｒ５Ｘ −＋ＲＣ（１）
Ｘ＋Ｈ
ここで、ＲＸは未知のラッピング平面位ＲＸにおいて読
まれる実際の抵抗、Ｒ５はストラップの面積抵抗、ＲＣ
は適切に接続された導体３６−４０の接触およびリード
抵抗、Ｌはラッピングに供するストラップの長さ、Ｈは
ストラップ／接合の寸法である。ストラップ／接合の寸
法はラッピングされる端部と平行なストラップの端部お
よび特定の接合スイッチング平面からの距離であり、又
はラッピング表面およびそれぞれの接合スイッチからの
距離である。距離（Ｘ＋Ｈ）はストラップの幅を表わす
。−度最終的な首部の高さが達成されると、Ｘは首部の
高さゼロの状態に完全に合わせられる。実際には、スト
ラップ−接合の寸法は好適には１０ミクロンでよい、こ
の大きさのストラップ−接合の寸法を含むことにより、
ストラップの製造中に生じ、ストラップの抵抗を非線形
にする傾向のあるストラップの後端における言わゆるラ
ット・バイト（ｖａｔ ｂｉｔｅ）の効果を回避する。RX = R5X - + RC (1) X + H where RX is the actual resistance read at the unknown wrapping plane position RX, R5 is the sheet resistance of the strap, RC
is the contact and lead resistance of properly connected conductors 36-40, L is the length of the strap to be wrapped, and H is the strap/junction dimension. The strap/junction dimensions are the end of the strap parallel to the wrapped end and the distance from the particular junction switching plane, or the distance from the lapping surface and the respective junction switch. The distance (X+H) represents the width of the strap. - degrees When the final neck height is achieved, X is fully aligned with the zero neck height condition. In practice, the strap-junction dimensions may preferably be 10 microns; by including strap-junction dimensions of this magnitude,
Avoids the effect of so-called vat bite at the trailing end of the strap, which occurs during strap manufacture and tends to make the strap resistance non-linear.
ラッピングの間におけるストラップ幅Ｘ＋Ｈの減少は抵
抗の測定値ＲＸの増大を招くであろう。A decrease in strap width X+H during wrapping will result in an increase in the measured resistance RX.
次に第２図の装置により実行される工程を第５図の等価
電気回路と関連して説明する。The steps performed by the apparatus of FIG. 2 will now be described in conjunction with the equivalent electrical circuit of FIG.
寸法Ｘが７０ミクロンから２０ミクロンに減少される好
適には概略ラッピングである最初のラッピング段階の間
において、ストラップ３２および３４の各々の側室抵抗
Ｒ３２およびＲ３４と、測定抵抗Ｒ３２およびＲ３４の
和を次のように示すことができる。During the first lapping stage, preferably a rough lapping, in which dimension It can be shown as follows.
Ｘ＋Ｈ
Ｓ −Ｌ
Ｘ＋Ｈ
ストラップの公称の幅（Ｗ）および長さくＬ）は８０ミ
クロンおよび５００ミクロンであり、Ｈは１０ミクロン
である。X+H S -L X+H The nominal width (W) and length L) of the strap are 80 microns and 500 microns, and H is 10 microns.
これら４式の最初のものは４つの未知数を含む。The first of these four equations contains four unknowns.
１つの公称値をＲＣ３に割当てることにより、第２、第
３および第４式を解くことができ、抵抗Ｒ８の概略値と
接触抵抗ＲＣＩおよびＲＣ２を得る。By assigning one nominal value to RC3, the second, third and fourth equations can be solved to obtain the approximate value of resistance R8 and contact resistances RCI and RC2.
次に式５をこれらの仮定および決定値から解くことによ
りラッピング平面の位置を又として決定する。Next, by solving Equation 5 from these assumptions and determined values, the position of the wrapping plane is determined as a fold.
接合スイッチ４２の最初のものが距離Ｘ２２０ミクロン
、すなわち線６６において状態を変えるとき、抵抗変化
は導体３６および４０において検出され、薄膜抵抗５８
が今やストラップ３２の抵抗の直列調定にあることを示
す階段状変化を示すであろう。ラッピング平面のこの既
知の位置において、概略ラッピング段階から前に決定し
たＲＣｌ、ＲＣ２およびＲＣ３の値を採用することがで
きる。When the first of junction switches 42 changes state at distance
will now show a step change indicating that there is a series adjustment of the resistance of strap 32. At this known position of the lapping plane, the values of RCl, RC2 and RC3 previously determined from the rough lapping stage can be adopted.
２０＋Ｈリ０ ２０＋Ｈｖ” ２０＋ＨＷ” ここで、Ｗ はストラップの幅である。20+Hri0 20+Hv” 20+HW” Here, W is the width of the strap.
ラッピングが継続すると、接合スイッチ４２の状態の変
化を注目することにより得られた較正されたパラメータ
を表わすこれらのさらに決定されたＨ、Ｒ３およびＷの
レベルを用いて、ここでラッピング平面の位置を次の式
から決定できる。As lapping continues, these further determined levels of H, R3 and W, representing the calibrated parameters obtained by noting the change in state of junction switch 42, are now used to determine the position of the lapping plane. It can be determined from the following formula.
接合スイッチ４８の開放はストラップ３４の抵抗謂定値
の階段状変化を与える。接合スイッチ４８の開放はした
がって薄膜抵抗６４をストラップ３４の直列抵抗測定に
置く。Opening junction switch 48 provides a step change in the nominal resistance of strap 34. Opening junction switch 48 thus places thin film resistor 64 in series resistance measurement of strap 34.
Ｈ，Ｒ３，Ｗ、ＲＣＩおよびＲＣ２のすでに決定した値
を用いて、さらに次の３式を決定することができる。Using the already determined values of H, R3, W, RCI, and RC2, the following three equations can be further determined.
Ｒ３２，１０＝Ｒ３−−５４連＋Ｊ町＋ＲＣ１＋ＲＣ２
（１０）１０＋Ｈｗ”
Ｒ３４，１０＝Ｒ５−ｌ＋ −！ｉ男し＋ＲＣ２＋ＲＣ
３（１１）１０＋）ｌ Ｖ”
Ｒ３２＋Ｒ３４，１０＝Ｒ３−ｉ四東＋」叫東＋ＲＣ３
＋ＲＣ１（１２）１０＋）Ｉ Ｗ”
ここで、Ｗｏは薄膜抵抗５８−６４の幅である。R32,10=R3--54 consecutive + J town + RC1 + RC2
(10) 10+Hw” R34,10=R5-l+ -!i man+RC2+RC
3(11)10+)l V” R32+R34,10=R3-i Shito+”Kyoto+RC3
+RC1(12)10+)I W” Here, Wo is the width of the thin film resistor 58-64.
次に、Ｘ＝１０ミクロンから、この実施例ではほぼ２ミ
クロンに設定された公称の首部高までのこの精密ラッピ
ング状態の間、Ｘ＝１０ミクロンのスイッチング点、お
よびＸ＝２０ミクロンのスイッチング点において生じる
６つの式（６）、（７）、（８）、（１０）、（１１）
および（１２）を解き、未知数ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３
、Ｗ、ＲＳおよびＷの全ての値を決定することが可能で
ある。したがって、抵抗Ｒ３２およびＲ３４は精密ラッ
ピング段階の間に完全に較正され、精密ラッピングはコ
ントローラ３０において式（１）により定義されるこの
抵抗レベルをモニタすることにより達成でき、２ミクロ
ンの公称首部高がいつ達成されるかを決定する。Then, during this precision lapping condition from X=10 microns to a nominal neck height set to approximately 2 microns in this example, at the switching point of X=10 microns, and at the switching point of X=20 microns. The resulting six equations (6), (7), (8), (10), (11)
Solve (12) and find the unknowns RC1, RC2, RC3
, W, RS and W can all be determined. Therefore, resistors R32 and R34 are fully calibrated during the precision lapping stage, and precision lapping can be achieved by monitoring this resistance level defined by equation (1) in the controller 30, with a nominal neck height of 2 microns. Determine when it will be achieved.
既に２および２１７２ミクロンに置かれるものとして確
認された残りの接合スイッチ４４および４６は基板列の
ラッピングを終了させるために用いることができる。接
合スイッチ４４および４６の開放はストラップ３２およ
び３４に対する抵抗甜定値にさらに２つの階段状変化を
生じる。この時点において、コントローラ３０はアクチ
ュエータ２０および２２を制御してラッピングを終了さ
せる。ホルダ１８は引込められ、基板列１０をラッピン
グ板２４から移動し、精密表面研摩を開始させる。The remaining junction switches 44 and 46, previously identified as being placed at 2 and 2172 microns, can be used to finish lapping the substrate row. Opening junction switches 44 and 46 produces two additional step changes in the resistance values for straps 32 and 34. At this point, controller 30 controls actuators 20 and 22 to finish wrapping. Holder 18 is retracted to remove substrate array 10 from lapping plate 24 and begin precision surface polishing.
上記の実施例は電気的ラッピング・ガイド装置の一方１
６の動作に関して記載した。第１図に示す残りのラッピ
ング・ガイド装置１４は同様に構成され、所望の首部の
高さに関してラッピング平面の位置の正確な決定を可能
にするためなされる抵抗測定は同じである。したがって
、基板列１０の各々の側におけるラッピング平面位置を
コントローラ３０の中で比較してそれらを同じにするこ
とが可能である。当業者により知られるように、基板列
１０はラッピング板２４とアクチュエータ２０および２
２により加えられる応力から湾曲効果を受けるかも知れ
ない、この湾曲効果は中央部のトランスデユーサ１２に
対する磁極先端の平面を基板列の外側端部におけるそれ
らに近づけるかまたは遠ざけるように動かす。そげたけ
で、湾曲効果は好適な実施例に従って２ミクロンの公称
首部高を確立することにより実行される。したがって、
外側のトランスデユーサは電気的ラッピング・ガイドに
より決定されるように所望の平面がら２ミクロン離れて
位置するとは言え、中央に置かれたトランスデユーサ素
子はゼロよりも大きい磁極片を有するであろう。The above embodiment is one of the electrical wrapping guide devices.
The operation of No. 6 has been described. The remaining wrapping guide devices 14 shown in FIG. 1 are similarly constructed and the resistance measurements made are the same to allow accurate determination of the position of the wrapping plane with respect to the desired neck height. It is therefore possible to compare the lapping plane positions on each side of the substrate array 10 in the controller 30 to make them the same. As known by those skilled in the art, the substrate array 10 includes a lapping plate 24 and actuators 20 and 2.
2 may undergo a curvature effect from the stress exerted by 2, which curvature effect moves the plane of the pole tips for the transducer 12 in the center towards or away from those at the outer ends of the array of substrates. In short, the curvature effect is implemented by establishing a nominal neck height of 2 microns in accordance with the preferred embodiment. therefore,
Although the outer transducers are located 2 microns away from the desired plane as determined by the electrical wrapping guide, the centrally located transducer element has a pole piece greater than zero. Dew.
本発明の原理はこれで説明のための実施例において明ら
かにされた。本発明の実施に用いられる構造、配置、割
合、素子、材料および構成要素のどのような多くの変形
も当業者には直ちに明らかとなろう。例えば、本発明の
ストラップ材料は好適にはクロムであるが、任意の導電
材料を用い得ることは明らかであろう、また、本書に記
載した電気的ラッピング・ガイド装置の片側半分のみで
電気的ラッピング・ガイド装置全体を形成することもで
きる。既に説明したように、必要なら各半分が重複装置
を形成することもできる。センタタップ導体から側部導
体の一方までの装置の片側半分でもラッピング工程を制
御するのに十分であり本発明の利点および目的を達成す
る。薄膜ヘッドの製造のための工程において周知である
種々の付着技術を電気的ラッピング・ガイドの付着に用
いることができる１例えば、任意のタイプの真空蒸着を
電気的ラッピング・ガイドの層の全てに対して用いるこ
ともでき、電気めっきは本発明による電気的ラッピング
・ガイドの製造にとって絶対必要なものではない。した
がって、頭書の特許請求の範囲は本発明の真の精神と範
囲のみの範囲内でいかなる変形をも包含するものである
。The principles of the invention have now been demonstrated in illustrative examples. Any and many variations in structure, arrangement, proportions, elements, materials and components that may be used in the practice of this invention will be readily apparent to those skilled in the art. For example, although the strap material of the present invention is preferably chromium, it will be apparent that any conductive material may be used, and it is also possible to conduct electrical wrapping with only one half of the electrical wrapping guide device described herein. - It is also possible to form the entire guide device. As already explained, each half can also form a redundant device if desired. Even one half of the device from the center tap conductor to one of the side conductors is sufficient to control the lapping process and achieve the advantages and objectives of the present invention. Various deposition techniques known in the process for manufacturing thin film heads can be used to deposit the electrical lapping guide. For example, any type of vacuum deposition may be applied to all of the layers of the electrical lapping guide. Electroplating is not absolutely necessary for the manufacture of electrical wrapping guides according to the present invention. It is therefore intended that the appended claims cover any modifications that fall within the true spirit and scope of the invention.
Ｆ０発明の効果
本発明による電気的ラッピング・ガイドは薄膜磁気ヘッ
ドの正確な首部（スロート）の高さを得るための研削や
ラッピングを継続的に制御し易くする効果がある。F0 Effects of the Invention The electric lapping guide according to the invention has the effect of facilitating continuous control of grinding and lapping to obtain an accurate neck (throat) height of a thin film magnetic head.
本発明による電気的ラッピング・ガイドの製造方法は、
薄膜磁気ヘッド・トランスデユーサの製造工程と類似す
るため、該ヘッドと同時に製造でき、従って該トランス
デユーサとラッピング・ガイドとの位置関係も正確にな
り、−層正確な寸法のトランスデユーサを製造し易くす
る効果がある。The method of manufacturing an electrical wrapping guide according to the present invention includes:
Since the manufacturing process is similar to that of thin film magnetic head transducers, the head can be manufactured at the same time, and the positional relationship between the transducer and the wrapping guide is therefore accurate, allowing for accurate layer dimensioning of the transducer. This has the effect of making it easier to manufacture.
第２図は本発明によるガイドと共に用いることができる
ラッピング装置を示す全体的な装置構成図、第１図は本
発明の一実施例による電気的ラッピング・ガイドをさら
に詳細に示す第２図でラッピングされる基板の一端部を
表わす概略図、第３図は本発明で有用なストラップおよ
び接合設計の詳細を示す第１図の電気的ラッピング・ガ
イドの部分的拡大図、第４図は電気的ラッピング・ガイ
ドの接合における導体とストランプ間の相互接続の詳細
を示すため第３図のａ４−４に沿って取った断面図、第
５図は第１図の電気的ラッピング・ガイド構造の電気的
概略図である。
第６図は第２図でラッピングされた基板の一つの端部を
示し、本発明の好適な実施例に従う電気的ラッピング・
ガイドの詳細図である。
１０・・・・基板列、１２・・・・トランスデユーサ素
子、１４．１６・・・・電気的ラッピング・ガイド装置
、２０．２２・・・・アクチュエータ、２４・・・・ラ
ッピング板、２６・・・・マルチプレクサ、２８・・・
・メータ、３０・・・・コントローラ、３２．３４・・
・・ストラップ、３６．３８．４０・・・・導体、４２
．４４．４６．４８・・・・通路孔、５０．５２．５４
．５６・・・・絶縁体、５８．６０．６２．６４・・・
・薄膜抵抗。
出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション
代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名）FIG. 2 is an overall system block diagram showing a lapping device that can be used with a guide according to the present invention; FIG. FIG. 3 is a partial enlarged view of the electrical wrapping guide of FIG. 1 showing details of strap and bonding designs useful in the present invention; FIG. - A cross-sectional view taken along a4-4 in Figure 3 to show details of the interconnection between the conductor and the strump at the guide junction; Figure 5 is an electrical schematic of the electrical wrapping guide structure of Figure 1; It is a diagram. FIG. 6 shows one end of the lapped substrate in FIG.
It is a detailed diagram of the guide. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Substrate row, 12... Transducer element, 14. 16... Electric wrapping guide device, 20. 22... Actuator, 24... Wrapping plate, 26 ...Multiplexer, 28...
・Meter, 30... Controller, 32.34...
...Strap, 36.38.40...Conductor, 42
．． 44.46.48... Passage hole, 50.52.54
．． 56... Insulator, 58.60.62.64...
・Thin film resistor. Applicant International Business Machines Corporation Representative Patent Attorney Oka 1) Next (1 other person)
Claims (4)
材料でできた絶縁体、 前記ストラップの長さに沿つて各々が他方から離隔し、
且つ前記ストラップと電気的に接続した対の導電性導体
、及び 前記絶縁体に形成され、さらに薄膜トランスデューサに
対して既知の位置関係を示すように置かれた少くとも１
つのバイアを含み、 前記導体の少くとも１つは前記バイアを介して前記スト
ラップと電気的に接続し、 前記バイアの１つにより互いに接続された前記導体の各
々と前記ストラップとの間に導電性材料の抵抗を更に接
続させて成る、薄膜トランデユーサをバッチ製造するた
めの電気的ラッピング・ガイド。(1) a strap of conductive material, an insulator made of electrically insulating material affixed to at least a portion of said strap, each spaced apart from the other along the length of said strap;
a pair of electrically conductive conductors electrically connected to the strap, and at least one pair formed in the insulator and positioned in a known positional relationship relative to the thin film transducer.
at least one of the conductors is electrically connected to the strap through the via, and an electrically conductive conductor is provided between each of the conductors connected to each other by one of the vias and the strap. Electrical wrapping guide for batch fabrication of thin film transducers comprising additionally connected resistors of materials.
り、 前記対の導電性導体が２対であり、第１の対の導電性導
体が前記第１のストラップと電気的に接続され、且つ第
２の対の導電性導体が前記第２のストラップと電気的に
接続されたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の電気的ラッピング・ガイド。(2) the straps are first and second straps, the pairs of conductive conductors are two pairs, the first pair of conductive conductors are electrically connected to the first strap, and The electrical wrapping guide of claim 1, wherein a second pair of electrically conductive conductors is electrically connected to the second strap.
約２倍の長さであることを特徴とする特許請求の範囲第
（２）項記載の電気的ラッピング・ガイド。(3) The electrical wrapping guide according to claim (2), wherein the second strap is approximately twice as long as the first strap.
ーサを形成する際、所望の首の高さを正確に得るように
該支持基板上に電気的ラッピング・ガイドを製造する方
法にして、 前記基板上で前記薄膜トランスデューサに隣接し且つ該
トランスデューサと整列する特定の位置を選択し、 少なくとも前記選択された特定の位置を覆う導電性材料
の第１の導電性薄膜層を、ストラップを形成するように
付着し、 前記付着した第１の導電性薄膜層上の２つの離隔した領
域に電気的絶縁材料でできた絶縁層であつて、磁気ヘッ
ドの首の高さを決定するための層を含み且つ前記第１の
導電性薄膜を覆う細長い形状の前記絶縁層の少なくとも
向い合う端部のところに前記導電性薄膜層を露呈するバ
イアを含み、前記バイアとともに、所望の首の高さを決
定するのを助ける１つの辺の少なくとも一部を前記細長
い形状が有するようにした前記絶縁層を付着し、そして 前記第１の導電性薄膜層を露呈するバイアの上及び、第
１の導電性薄膜層の他の部分と電気的接続を生じるよう
に第２の導電性薄膜層を付着し、前記第２の導電性薄膜
層が前記第１の導電性薄膜層と接合スイッチを形成する
バイアを介して電気的接続を生じるようにした電気的ラ
ッピング・ガイドを製造する方法。(4) A method for manufacturing an electrical wrapping guide on a support substrate to precisely obtain a desired neck height when forming a batch-fabricated thin film transducer on the support substrate; selecting a particular location adjacent to and in alignment with the thin film transducer, and depositing a first conductive thin film layer of conductive material covering at least the selected particular location to form a strap. an insulating layer of electrically insulating material in two spaced areas on the deposited first conductive thin film layer, the layer for determining the neck height of the magnetic head; a via exposing the conductive thin film layer at least at opposite ends of the elongated insulating layer overlying the first conductive thin film; depositing the insulating layer such that the elongated shape has at least a portion of one side supporting the via and exposing the first conductive thin film layer and the other side of the first conductive thin film layer; a second electrically conductive thin film layer is deposited to create an electrical connection with the first electrically conductive thin film layer through a via forming a junction switch with the first electrically conductive thin film layer; A method of manufacturing an electrical wrapping guide adapted to produce a connection.
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