JPS63288072A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS63288072A JPS63288072A JP62123506A JP12350687A JPS63288072A JP S63288072 A JPS63288072 A JP S63288072A JP 62123506 A JP62123506 A JP 62123506A JP 12350687 A JP12350687 A JP 12350687A JP S63288072 A JPS63288072 A JP S63288072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- type
- emitting device
- epitaxial
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 17
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003955 hot wall epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は表示用インジケータや光を用いた情報処理シス
テムにおける光源として使用される半導体発光装置に関
する。更に詳しくは、青色発光を呈する半導体発光装置
の構造に関する。
テムにおける光源として使用される半導体発光装置に関
する。更に詳しくは、青色発光を呈する半導体発光装置
の構造に関する。
青色発光を呈する半導体発光装置は、発光ダイオードを
用いたフルカラーディスプレイの(1′N成要素や、高
密度光情報処理システムにおける光源として、実用化が
期待されている。
用いたフルカラーディスプレイの(1′N成要素や、高
密度光情報処理システムにおける光源として、実用化が
期待されている。
青色発光を呈する半導体発光装置の構造に関して、従来
提案されているものの断面概略図をm5図に示す、第5
図はZnSeエピタキシャル膜を−S c m i c
o n d u c t o r )型LEDを示し
ているan−uGaAs基板35上に厚さ5〜10μm
11度のn−型ZnSeエピタキシャル膜36が形成
されている。37は% S iOx 、S isN、
、AI、0.、高抵抗Zn5eなどからなる絶R1nで
ある。38は、金、ITO,In* o8などからなる
電極であり、39はn−型GaAs基板に形成したオー
ム性コンタクトである。1′u極38を直流電源の■極
、オーム性コンタクト39をe極に接続し、順方向バイ
アスを印加すると、絶縁11237とn−IJ1ZnS
ezピタキシar ルB 36の界面近傍から青色発光
が得られる。 (例えば、公開特許公報 昭50−0
4470.昭58−80883、昭58−21383、
昭57−188889など参照) 〔発明が解決しようとする問題点〕 n;f述の従来技術は次の様な問題点を有する。基板材
r[であるGaAsとエピタキシャル膜であるZn5e
とは、室温において0,27%の格子不整合がある。こ
のために、エピタキシャル膜の基板界面近傍には多数の
ミスフィツト転位が発止してしまう。エピタキシャル膜
と基板の界面を通して発光層であるZn5e層に電流注
入を行なう場合、ミスフィツト転位を任する基板界面近
傍は電気抵抗の高い領域となるため、通電に伴なう発熱
が増加し、半導体発光装置の寿命を短かくする原因とな
る。また、結晶成長時の基板加熱や半導体発光HW使用
時の通電による発熱に伴なって、基板からGaやAsな
どが不純物としてZnSeエピタキシャル較中に拡散す
る現象が、ミスフィツト転位の存在によって即進される
。発光層内部に拡散した不純物は、非発光性の再結合中
心や、望ましくない発光のオリジンとなる発光中心を形
成するため、発光装置の特性劣化や特性の経時的変化の
原因となる。
提案されているものの断面概略図をm5図に示す、第5
図はZnSeエピタキシャル膜を−S c m i c
o n d u c t o r )型LEDを示し
ているan−uGaAs基板35上に厚さ5〜10μm
11度のn−型ZnSeエピタキシャル膜36が形成
されている。37は% S iOx 、S isN、
、AI、0.、高抵抗Zn5eなどからなる絶R1nで
ある。38は、金、ITO,In* o8などからなる
電極であり、39はn−型GaAs基板に形成したオー
ム性コンタクトである。1′u極38を直流電源の■極
、オーム性コンタクト39をe極に接続し、順方向バイ
アスを印加すると、絶縁11237とn−IJ1ZnS
ezピタキシar ルB 36の界面近傍から青色発光
が得られる。 (例えば、公開特許公報 昭50−0
4470.昭58−80883、昭58−21383、
昭57−188889など参照) 〔発明が解決しようとする問題点〕 n;f述の従来技術は次の様な問題点を有する。基板材
r[であるGaAsとエピタキシャル膜であるZn5e
とは、室温において0,27%の格子不整合がある。こ
のために、エピタキシャル膜の基板界面近傍には多数の
ミスフィツト転位が発止してしまう。エピタキシャル膜
と基板の界面を通して発光層であるZn5e層に電流注
入を行なう場合、ミスフィツト転位を任する基板界面近
傍は電気抵抗の高い領域となるため、通電に伴なう発熱
が増加し、半導体発光装置の寿命を短かくする原因とな
る。また、結晶成長時の基板加熱や半導体発光HW使用
時の通電による発熱に伴なって、基板からGaやAsな
どが不純物としてZnSeエピタキシャル較中に拡散す
る現象が、ミスフィツト転位の存在によって即進される
。発光層内部に拡散した不純物は、非発光性の再結合中
心や、望ましくない発光のオリジンとなる発光中心を形
成するため、発光装置の特性劣化や特性の経時的変化の
原因となる。
そこで、本発明は上述の問題点を解決するもので、長寿
命かつ特性の安定した半導体発光装置を提供することに
ある。
命かつ特性の安定した半導体発光装置を提供することに
ある。
本発明の半導体発光装置は、GaAs基板上に形成した
Zn5cエピタキシヤル薄膜を少なくとも−Ω以上打す
る半導体発光装置において、前記GaAs基板と前記Z
nSeエピタキシャルinの間に、G2LAsと1nA
sからなるバッフ1一層を仔することを特徴とする。
Zn5cエピタキシヤル薄膜を少なくとも−Ω以上打す
る半導体発光装置において、前記GaAs基板と前記Z
nSeエピタキシャルinの間に、G2LAsと1nA
sからなるバッフ1一層を仔することを特徴とする。
以下、実施例に従がって、本発明の説明をさらに詳しく
行なう。
行なう。
(実施例1〕
第1図は、本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示
ず断面概略図である。
ず断面概略図である。
n−UGaAs基板1上に、厚さ5000λ〜1 u
m 11度のn−型GaAsエピタキシャル膜2が形成
されている。3はInAsとGaAsからなる厚さ5〜
10μma度のn −HIC伝性を存する混晶エピタキ
シャル膜でtGaAsとZn5eに存在する0゜27%
の格子不整合を緩和するバッフ1一層である。 n−型
Ink、025GaO,075Asは、格子定数がZn
5eのそれと一致している。バフファー届としては、均
一組成(7)n−型1n0.025GaO,075As
を形成しても良いし、GaAs膜2から連続的にInA
sの組成を増加させてInk、025GaO。
m 11度のn−型GaAsエピタキシャル膜2が形成
されている。3はInAsとGaAsからなる厚さ5〜
10μma度のn −HIC伝性を存する混晶エピタキ
シャル膜でtGaAsとZn5eに存在する0゜27%
の格子不整合を緩和するバッフ1一層である。 n−型
Ink、025GaO,075Asは、格子定数がZn
5eのそれと一致している。バフファー届としては、均
一組成(7)n−型1n0.025GaO,075As
を形成しても良いし、GaAs膜2から連続的にInA
sの組成を増加させてInk、025GaO。
075ΔSに至る組成分布を内包する混晶エピタキシャ
ル層でも良い。両者ともバッフ1一層としては同様の効
果が得られる。 4はI’7−さ5〜10μm程度のn
−型ZnSeエピタキシャル瞑、5は厚さ300〜20
00人程度のS i O* s S is N = 、
A l * Os 、高抵抗Zn5eなどの絶縁膜、6
はGaAs基板1に形成したオーム性コンタクト、7は
金、 ITOなどからなる電極である。オーム性コン
タクト6及び電極7を電源のe極、■極にそれぞれ接続
し、直流電圧を印加すると、460〜480nmに発光
ピークをイrする青色発光が得られる0発光装置の定電
流駆動を行なったところ、発光強度、発光スペクトルの
経時変化は全く観測されず、極めて安定した発光特性が
得られた。同一条件下で実施した発光装置の信頼性詳価
では、従来の発光装置に比べ、5〜6倍の寿命が得られ
た。
ル層でも良い。両者ともバッフ1一層としては同様の効
果が得られる。 4はI’7−さ5〜10μm程度のn
−型ZnSeエピタキシャル瞑、5は厚さ300〜20
00人程度のS i O* s S is N = 、
A l * Os 、高抵抗Zn5eなどの絶縁膜、6
はGaAs基板1に形成したオーム性コンタクト、7は
金、 ITOなどからなる電極である。オーム性コン
タクト6及び電極7を電源のe極、■極にそれぞれ接続
し、直流電圧を印加すると、460〜480nmに発光
ピークをイrする青色発光が得られる0発光装置の定電
流駆動を行なったところ、発光強度、発光スペクトルの
経時変化は全く観測されず、極めて安定した発光特性が
得られた。同一条件下で実施した発光装置の信頼性詳価
では、従来の発光装置に比べ、5〜6倍の寿命が得られ
た。
〔実施例2〕
第2図は、本発明に係る半導体発光vt置の一実施例を
示す断面概略図である。
示す断面概略図である。
〔実施例1〕と同様に、n−UGaAs基板8上に厚さ
5000人〜lItmri度のn−型GaAsエピタキ
シャル膜9を介して、n−!J1C伝性を育するGaA
sとInAsからなる混晶エピタキシャル膜のバッファ
一層10が形成されている。厚さは1〜10μm程度で
ある。バッフy−Hとしては、均一組成のn−型Ink
、025Ga0゜975Asを形成しても良いしN G
a A s較9から連続的にInAsの組成を増加さ
せてInk。
5000人〜lItmri度のn−型GaAsエピタキ
シャル膜9を介して、n−!J1C伝性を育するGaA
sとInAsからなる混晶エピタキシャル膜のバッファ
一層10が形成されている。厚さは1〜10μm程度で
ある。バッフy−Hとしては、均一組成のn−型Ink
、025Ga0゜975Asを形成しても良いしN G
a A s較9から連続的にInAsの組成を増加さ
せてInk。
025GaO,975Asに至る様な組成分布を内包す
る混晶エピタキシャル届でも良い0両者ともバッファ一
層としては同様の効果が得られる。
る混晶エピタキシャル届でも良い0両者ともバッファ一
層としては同様の効果が得られる。
11は厚さ5〜10μmのn−型Zn5eエピタキシャ
ル校、12は厚さ5〜10μmのP−型2nSeエピタ
キシヤル膜である。13.14はGaAs基板8及びi
’−ZnSeエピタキシャル痕12に対1−るオーム性
コンタクトである。13.14を電源のO極、■極にそ
れぞれ接続し、直流電圧を印加すると、 460〜48
0nmに発光ピークを有する青色発光が得られる。発光
袋はの特性の経時変化、寿命等に関しては、 〔実施
例1〕と同様の結果が得られ、バッファ一層の効果が確
認された。
ル校、12は厚さ5〜10μmのP−型2nSeエピタ
キシヤル膜である。13.14はGaAs基板8及びi
’−ZnSeエピタキシャル痕12に対1−るオーム性
コンタクトである。13.14を電源のO極、■極にそ
れぞれ接続し、直流電圧を印加すると、 460〜48
0nmに発光ピークを有する青色発光が得られる。発光
袋はの特性の経時変化、寿命等に関しては、 〔実施
例1〕と同様の結果が得られ、バッファ一層の効果が確
認された。
〔実施例3〕
第3図は、本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示
す断面概略図である。
す断面概略図である。
n−WGaAs基板15上に厚さ5000人〜1μm程
度のn −’MG aA sエピタキシャル膜16が形
成されている。17は、n−型4伝性を仔するGaAs
とInAsからなるa品エピタキシャル膜のバッファ一
層である。厚さは1〜10μm程度とした。 バッフ1
一層としては、均一組成のn−型Ink、025GaO
,975Asを形成しても良いし、GaAs膜16から
連続的に1nAsの組成を増加させてInk、025G
aO,975Asに至る様な組成分布を内包する混晶エ
ピタキシャル層でも良い、 両者ともバフツア一層とし
ては同様の効果が得られる。18は、厚さ50〜500
人程度のn−!!GaAszビタキシャル膜I9と、厚
さ50〜500λ程度のn−MI I n A sエピ
タキシャル較20とを交互に10〜100届ずつ程度積
層してなる歪超格子層である。歪超格子層18内部では
、結晶成長面内の格子定数がInk、025GaO,9
75Asのそれと一致する様に、GaAsとInAsの
結晶格子が互いに歪み合ったV通を保持しつつ積層構造
を形成している。結晶格子の歪により結晶を構成する元
素同志の結合状態が変化するため、歪超格子A!!1B
内部での転位や格子欠陥の発生は抑制される。さらに、
バブファ一層17に存在していた転位の伝搬も歪超格子
層18で停止され、歪超格子層の上部に積層する膜中へ
は伸長していかない、従って、バッフyF117と歪超
格子層1Bにより、結晶成長面内の格子定数がZn5e
に一致し、かつ転位や欠陥が極めて少ないバフファ一層
を形成することができる。21は厚さ5〜10μm程度
のn−型Zn5eエピタキシャル膜、22は厚さ300
〜2000人程度の510m、S11 Na Ale
Os 、高抵抗Zn5eなどの絶縁膜、23はGaAs
E&板15に形成したオーム性コンタクト、24は金、
ITOなどからなる電極である。オーム性コンタクト2
3及び電極24をrrL源のO極、■極にそれぞれ接続
し、直流電圧を印加すると、460〜480nmに発光
ピークをイfする青色発光が得られる。発光k aの特
性の経時変化、寿命等に関しては、〔実施例1.2〕と
同様の結果が得られ、バフファ一層及び歪超格子層の効
果が確認された。
度のn −’MG aA sエピタキシャル膜16が形
成されている。17は、n−型4伝性を仔するGaAs
とInAsからなるa品エピタキシャル膜のバッファ一
層である。厚さは1〜10μm程度とした。 バッフ1
一層としては、均一組成のn−型Ink、025GaO
,975Asを形成しても良いし、GaAs膜16から
連続的に1nAsの組成を増加させてInk、025G
aO,975Asに至る様な組成分布を内包する混晶エ
ピタキシャル層でも良い、 両者ともバフツア一層とし
ては同様の効果が得られる。18は、厚さ50〜500
人程度のn−!!GaAszビタキシャル膜I9と、厚
さ50〜500λ程度のn−MI I n A sエピ
タキシャル較20とを交互に10〜100届ずつ程度積
層してなる歪超格子層である。歪超格子層18内部では
、結晶成長面内の格子定数がInk、025GaO,9
75Asのそれと一致する様に、GaAsとInAsの
結晶格子が互いに歪み合ったV通を保持しつつ積層構造
を形成している。結晶格子の歪により結晶を構成する元
素同志の結合状態が変化するため、歪超格子A!!1B
内部での転位や格子欠陥の発生は抑制される。さらに、
バブファ一層17に存在していた転位の伝搬も歪超格子
層18で停止され、歪超格子層の上部に積層する膜中へ
は伸長していかない、従って、バッフyF117と歪超
格子層1Bにより、結晶成長面内の格子定数がZn5e
に一致し、かつ転位や欠陥が極めて少ないバフファ一層
を形成することができる。21は厚さ5〜10μm程度
のn−型Zn5eエピタキシャル膜、22は厚さ300
〜2000人程度の510m、S11 Na Ale
Os 、高抵抗Zn5eなどの絶縁膜、23はGaAs
E&板15に形成したオーム性コンタクト、24は金、
ITOなどからなる電極である。オーム性コンタクト2
3及び電極24をrrL源のO極、■極にそれぞれ接続
し、直流電圧を印加すると、460〜480nmに発光
ピークをイfする青色発光が得られる。発光k aの特
性の経時変化、寿命等に関しては、〔実施例1.2〕と
同様の結果が得られ、バフファ一層及び歪超格子層の効
果が確認された。
(実施例4)
第4図は、本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示
す断面概略図である。
す断面概略図である。
n−IJ1GaAs基板25上に厚さ5000λ〜1μ
mri度のn−型GaAszピタキシャルIQ 26が
形成されている。27は、n−型埠伝性を存するGaA
sと1nAsからなる況晶エピタキシャル設のバブ7゛
y−1iaである。厚さは1〜10μm11度とした。
mri度のn−型GaAszピタキシャルIQ 26が
形成されている。27は、n−型埠伝性を存するGaA
sと1nAsからなる況晶エピタキシャル設のバブ7゛
y−1iaである。厚さは1〜10μm11度とした。
バブファ一層としては、均一組成のn−Ulna、02
5Ga0.075Asを形成しても良いし、GaAs膜
26から連続的に1n八Sの組成を増加させて、Ink
、025GaO,975Asに至る槌な組成分布を内包
する混晶エピタキシャル層でも良い、 両者ともバフ7
ア一層とし工は同様の効果が得られる。28は、厚さ5
0〜500人ri度のn−型GnAsZビタキ7ヤル膜
29と厚さ50〜500人程度のn −型1nAsエピ
タキシヤルt230とを、交互に10〜100層ず゛つ
程度積層してなる歪超格子層である。歪超格子A!i2
8の411itは〔実施例3〕と同様に、転位や格子欠
陥の発生を抑制することと、転位の伝搬を停止すること
にある。 31は厚さ5〜10μmf1度のn−型Z
n5eエピタキシャル穀、32は厚さ5〜10umri
度のp−型Zn5cエピタキシヤル膜である。33.3
4はGaAs基板25及びp−2nSeエピタキシヤル
膜32に対するオーム性プ/タクトである。33.34
を電源のe極、■極にそれぞれ接続し、直流電圧を印加
すると、460〜480nmに発光ピークを有する青色
発光が得られる。発光装置の特性の経時変化、寿命等に
関しては、〔実施例1〜3〕と同様の結果が得られ、バ
ッフ1一層及び歪超格子層の効果が確認された。
5Ga0.075Asを形成しても良いし、GaAs膜
26から連続的に1n八Sの組成を増加させて、Ink
、025GaO,975Asに至る槌な組成分布を内包
する混晶エピタキシャル層でも良い、 両者ともバフ7
ア一層とし工は同様の効果が得られる。28は、厚さ5
0〜500人ri度のn−型GnAsZビタキ7ヤル膜
29と厚さ50〜500人程度のn −型1nAsエピ
タキシヤルt230とを、交互に10〜100層ず゛つ
程度積層してなる歪超格子層である。歪超格子A!i2
8の411itは〔実施例3〕と同様に、転位や格子欠
陥の発生を抑制することと、転位の伝搬を停止すること
にある。 31は厚さ5〜10μmf1度のn−型Z
n5eエピタキシャル穀、32は厚さ5〜10umri
度のp−型Zn5cエピタキシヤル膜である。33.3
4はGaAs基板25及びp−2nSeエピタキシヤル
膜32に対するオーム性プ/タクトである。33.34
を電源のe極、■極にそれぞれ接続し、直流電圧を印加
すると、460〜480nmに発光ピークを有する青色
発光が得られる。発光装置の特性の経時変化、寿命等に
関しては、〔実施例1〜3〕と同様の結果が得られ、バ
ッフ1一層及び歪超格子層の効果が確認された。
本発明に係る半導体発光装置の製造にあたっては、分子
線エピタキシー法(MnE法)、有機金属気相熱分解法
(MOCVD法)、 CVD法、ホットウォールエピタ
キシー法(II W E法)などの各種エピタキシャル
成長法を用いることができる。
線エピタキシー法(MnE法)、有機金属気相熱分解法
(MOCVD法)、 CVD法、ホットウォールエピタ
キシー法(II W E法)などの各種エピタキシャル
成長法を用いることができる。
組成分布を内包するバフファ一層の形成は、GaAs基
板に供給する原料の供給量比を連続して変化させること
により実施できる。また、歪超格子層の形成は、G a
A s及びInAsを成長させるための原料を、交互
にGaAs基板に供給するか、あるいは、連続して供給
される2%1類の昂料フラフクス中に交互にGaAs基
板を挿入するかいずれかの方法により実施できる。その
他、エピタキシャル膜、絶縁膜、オーム性電極などの形
成は、発光ダイオード、半導体レーザなどで行われてい
る手法と同様のプロセスにより容易に実施できる。
板に供給する原料の供給量比を連続して変化させること
により実施できる。また、歪超格子層の形成は、G a
A s及びInAsを成長させるための原料を、交互
にGaAs基板に供給するか、あるいは、連続して供給
される2%1類の昂料フラフクス中に交互にGaAs基
板を挿入するかいずれかの方法により実施できる。その
他、エピタキシャル膜、絶縁膜、オーム性電極などの形
成は、発光ダイオード、半導体レーザなどで行われてい
る手法と同様のプロセスにより容易に実施できる。
以上述べた様に、本発明によれば、G a A s基板
上に形成したZnSeエピタキシャルFJ膜を、少なく
とも一層以上存する半導体発光&t’ Rにおいて、G
λAs基板とZnSeエピタキシャルFj膜の間に、G
a A sとIn−Asからなるバフファ一層を有す
る半導体発光装置を作製することにより青色発光光源と
して長寿命かつ安定した特性を呈する半導体発光装置が
得られる様になった6本発明が、光を用いた表示装置や
情報処理システムの光源として、極めて重要なデバイス
となることを確信する。
上に形成したZnSeエピタキシャルFJ膜を、少なく
とも一層以上存する半導体発光&t’ Rにおいて、G
λAs基板とZnSeエピタキシャルFj膜の間に、G
a A sとIn−Asからなるバフファ一層を有す
る半導体発光装置を作製することにより青色発光光源と
して長寿命かつ安定した特性を呈する半導体発光装置が
得られる様になった6本発明が、光を用いた表示装置や
情報処理システムの光源として、極めて重要なデバイス
となることを確信する。
m1図は、本発明に係る半導体発光装置の一実施例を示
す断面概略図。 1・・・GλAs基板 2・・・n−型GaAsエピタキシャル膜3・・・バッ
フy−T!J 4・・・n−型Zn5eエピタキシャル膜5 ・・・絶
縁膜 6・・・オーム性:+7タクト 7・・・電極 第2図は、本発明に係る半4体発光装置の一実施例を示
す断面概■δ図。 8−G a A s U;、板 9・・・n−型GaAsエビクキシャル鮫lO・・・バ
フファ一層 11・・・n−型Zn5eエピタキシャル膜12・・・
p−型ZnSeエピタキシャル較13.14・・・オー
ム性コンタクト 第3図は、本発明に係る半導体レーザはの一実施例を示
す断面概略図。 15−G a A s基板 16・・・n−型GaAsエピタキシャル膜17・・・
バッフy−IWJ 18・・・歪超格子層 19・・・n−型GaAsエピクキシャル模20・・・
n−WInAsエピタキシャル較21・・・n −HI
Z n S eエピタキシャル膜22・・・絶縁膜 23・・・オーム性コンタクト 24・・・rr1極 第4図は、本発明に係る半導体発光袋2の一実施例を示
す断面概略図。 25− G a A s基板 26・・・n −型G aA sエピタキシャル膜27
・・・バッフ1一層 28・・・歪超格子層 20・・・n−型GaAsエピタキシャル痕30・・・
n−型1nAsエピタキシヤル膜31・・・n −1j
lZ n S eエピタキンヤル膜32・・・p−型Z
n5eエピタ牛ンヤル膜33.34・・・オーム性コン
タクト 第5図は、従来提案されている半導体発光!aF!lの
断面I!略図。 35−G a A s u板 36・・・ロー型Zn5eエピタキシャル膜37・・・
絶縁膜 38 ・・・電極 39・・・オーム性コンタクト 以 上 出4)″“°−”27′株″′:0社 ・−・1゜
代理人 弁理士 最 上 務 他1名 :)羊斗m
l
す断面概略図。 1・・・GλAs基板 2・・・n−型GaAsエピタキシャル膜3・・・バッ
フy−T!J 4・・・n−型Zn5eエピタキシャル膜5 ・・・絶
縁膜 6・・・オーム性:+7タクト 7・・・電極 第2図は、本発明に係る半4体発光装置の一実施例を示
す断面概■δ図。 8−G a A s U;、板 9・・・n−型GaAsエビクキシャル鮫lO・・・バ
フファ一層 11・・・n−型Zn5eエピタキシャル膜12・・・
p−型ZnSeエピタキシャル較13.14・・・オー
ム性コンタクト 第3図は、本発明に係る半導体レーザはの一実施例を示
す断面概略図。 15−G a A s基板 16・・・n−型GaAsエピタキシャル膜17・・・
バッフy−IWJ 18・・・歪超格子層 19・・・n−型GaAsエピクキシャル模20・・・
n−WInAsエピタキシャル較21・・・n −HI
Z n S eエピタキシャル膜22・・・絶縁膜 23・・・オーム性コンタクト 24・・・rr1極 第4図は、本発明に係る半導体発光袋2の一実施例を示
す断面概略図。 25− G a A s基板 26・・・n −型G aA sエピタキシャル膜27
・・・バッフ1一層 28・・・歪超格子層 20・・・n−型GaAsエピタキシャル痕30・・・
n−型1nAsエピタキシヤル膜31・・・n −1j
lZ n S eエピタキンヤル膜32・・・p−型Z
n5eエピタ牛ンヤル膜33.34・・・オーム性コン
タクト 第5図は、従来提案されている半導体発光!aF!lの
断面I!略図。 35−G a A s u板 36・・・ロー型Zn5eエピタキシャル膜37・・・
絶縁膜 38 ・・・電極 39・・・オーム性コンタクト 以 上 出4)″“°−”27′株″′:0社 ・−・1゜
代理人 弁理士 最 上 務 他1名 :)羊斗m
l
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)GaAs基板上に形成したZnSeエピタキシャル
薄膜を少なくとも一層以上有する半導体発光装置におい
て、前記GaAs基板と前記ZnSeエピタキシャル薄
膜の間に、GaAsとInAsからなるバッファー層を
有することを特徴とする半導体発光装置。 2)GaAsとInAsからなるバッファー層が、Ga
AsとInAsの混晶エピタキシャル膜であり、該混晶
エピタキシャル膜の格子定数がZnSeと一致すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体発光装
置。 3)GaAsとInAsからなるバッファー層が、Zn
Seの格子定数に等しい格子定数を有するGaAsと、
InAsの混晶エピタキシャル膜と該混晶エピタキシャ
ル膜上に形成したGaAsとInAsの歪超格子層とか
らなることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の
半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62123506A JPS63288072A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62123506A JPS63288072A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63288072A true JPS63288072A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14862308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62123506A Pending JPS63288072A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63288072A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
CN1321488C (zh) * | 1991-05-15 | 2007-06-13 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 激光二极管 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62123506A patent/JPS63288072A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5213998A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors |
CN1321488C (zh) * | 1991-05-15 | 2007-06-13 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 激光二极管 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6055996B2 (ja) | 電場発光半導体装置 | |
WO2021102696A1 (zh) | 一种红外发光二极管 | |
US4575742A (en) | Epitaxial wafer for use in the production of an infrared LED | |
JP3567926B2 (ja) | pn接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 | |
KR100901427B1 (ko) | 반도체 재료 및 이를 이용한 반도체 소자 | |
JP3102647B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JPS63288072A (ja) | 半導体発光装置 | |
US9627578B2 (en) | Epitaxial wafer for light-emitting diodes | |
JPS61183977A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JPH02146779A (ja) | ダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハ | |
JP2001068731A (ja) | AlGaInP発光ダイオード | |
JPH0831620B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2000174341A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JPH08139358A (ja) | エピタキシャルウエーハ | |
JPS6017969A (ja) | 発光半導体装置 | |
JP2005136136A (ja) | 半導体装置の製造方法およびウエーハの製造方法 | |
JP2001102627A (ja) | AlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法 | |
JP2001007445A (ja) | AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ | |
JPS5958878A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH0766450A (ja) | 発光ダイオード素子とその製造方法 | |
JPH0220086A (ja) | 半導体レーザ | |
CN115588720A (zh) | 一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光管和激光器及其制备方法 | |
JP2010219320A (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
JP2002314127A (ja) | 半導体発光ダイオードおよび半導体発光ダイオード用エピタキシャルウェハ | |
JP2004247681A (ja) | 酸化物半導体発光素子 |