JPS63282662A - Flow speed sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は空気の流れ速度を測定する流速センサに関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a flow rate sensor that measures the flow rate of air.
市販されている空気の流れ速度に関するセンサは、一般
には、空気の流れの中に挿入する長いプローブの先に、
１本の熱源かサーミスタを配置するものである。これは
、空気の流れによる冷却効果によって引き起こされる温
度低下と、それにともなう電気抵抗値の変化により空気
の流れ速度を測定するものである。さらに、最近２個の
センサと、ヒータ素子からなるマイクロブリッジ流速セ
ンサが知られている。このような半導体センサは例えば
、米国特許４４７２２３９．４４７８０７６．４４７８
０７？、４５４８０７８．４５８１９２８．４６２４１
３７などに示されている。Commercially available airflow velocity sensors typically include a long probe inserted into the airflow.
A single heat source or a thermistor is installed. This measures the air flow velocity based on the temperature drop caused by the cooling effect of the air flow and the accompanying change in electrical resistance. Furthermore, recently, a microbridge flow rate sensor consisting of two sensors and a heater element has been known. Such semiconductor sensors are disclosed, for example, in US Pat.
07? ,4548078.4581928.46241
37 etc.
マイクロブリッジ流速センサの従来例の一つを第３図か
ら第７図に示す。これらは米国特許４５０１１４４に示
されているものである。これは２個のセンサ２２．２４
とヒータ２６を基板２０上に有しているものである。セ
ンサ２２．２４はヒータ２６の両側に配されている。基
板２０は例えばＳｉのようなエツチング、及び生産の容
易な物質からなる半導体である。そしてこの基板上に形
成される格子形状をなす全く同一の２個の測温抵抗素子
は薄膜の熱感知センサ２２．２４として働き、この２個
のセンサの中央部に配置される格子形状をなす発熱抵抗
素子は薄膜のヒータ２６として働く。熱感知センサ２２
．２４及びヒータ２６としては、鉄とニッケルの合金、
例えば８０％のニッケルと２０％の鉄からなるパーマロ
イといったものを使うことが適している。これら熱感知
センサ２２．２４及びヒータ２６は、例えば窒化シリコ
ンからなるｇＪ膜の絶縁層２８．２９により包まれて、
薄膜部材を形成する。第３図及び第４図の実施例に示す
ように、センサはヒータ２Ｇの半分と熱感知センサ２２
からなる薄膜部材３２と、ヒータ２６の半分と熱感知セ
ンサ２４からなる薄膜部材３２とから構成され、巾１５
０μ長さ４００μの大きさを有する。One conventional example of a microbridge flow rate sensor is shown in FIGS. 3 to 7. These are shown in US Pat. No. 4,501,144. This is two sensors 22.24
and a heater 26 on the substrate 20. Sensors 22 , 24 are placed on both sides of heater 26 . Substrate 20 is a semiconductor made of a material that is easy to etch and produce, such as Si. Two identical temperature-detecting resistance elements forming a grid shape formed on this substrate act as thin film heat sensing sensors 22 and 24, and forming a grid shape arranged in the center of these two sensors. The heating resistor element functions as a thin film heater 26. Heat detection sensor 22
．． 24 and the heater 26 are made of an alloy of iron and nickel,
For example, it is suitable to use something like permalloy, which is made of 80% nickel and 20% iron. These heat sensing sensors 22, 24 and heater 26 are surrounded by insulating layers 28, 29 of gJ film made of silicon nitride, for example.
Form a thin film member. As shown in the embodiments of FIGS. 3 and 4, the sensors include half of the heater 2G and the heat sensing sensor 22.
and a thin film member 32 consisting of half of the heater 26 and the heat sensing sensor 24, and has a width of 15 mm.
It has a size of 0μ and a length of 400μ.
更にこのセンサは、熱感知センサ２２．２４及びヒータ
２６を効果的に囲む空気スペース３０を有する。この空
気スペース３０はシリコンの表面３６に微細構造をもっ
て形成される。すなわち熱感知センサ２２．２４及びヒ
ータ２６は、約０゜０８〜０．１２μの厚さで線間に約
５μの間隔を有する巾５μの線からなり、しかもこれら
は全体の厚さが約０．８μ以下になるような窒化シリコ
ンの薄い膜によって包まれるように構成される。Additionally, the sensor has an air space 30 that effectively surrounds the heat sensitive sensor 22,24 and the heater 26. This air space 30 is formed with a microstructure on the surface 36 of the silicon. That is, the heat sensing sensors 22, 24 and the heater 26 are made of wires with a width of 5μ with a thickness of about 0°08 to 0.12μ and an interval of about 5μ between the lines, and furthermore, these have a total thickness of about 0. The structure is such that it is surrounded by a thin silicon nitride film having a thickness of .8 μm or less.
そしてエツチングにより（ぼみである空気スペース３０
が、薄膜部材３２．３４の下のシリコン基板２０の中に
１２５μの深さで正確に形成される。薄膜部材３２．３
４は、空気スペース３０の１つまたはそれ以上のエツジ
において、シリコン基板２０の表面３６の最上部に接続
される。例えば第３図に示すように、薄膜部材３２．３
４は、空気スペース３０を架橋するように構成される。And by etching (air space 30 which is a recess)
is formed in the silicon substrate 20 below the thin film members 32, 34 to a depth of exactly 125μ. Thin film member 32.3
4 is connected to the top of the surface 36 of the silicon substrate 20 at one or more edges of the air space 30. For example, as shown in FIG.
4 is configured to bridge the air space 30.
窒化シリコンは非常に優れた熱的絶縁体である、薄膜部
材３２．３４を包む窒化シリコンの膜が極めて薄くかつ
熱的絶縁もよいことから、窒化シリコン膜によるヒータ
２６の熱の損失は極めて小さくヒータ２６から熱感知セ
ンサ２２．２４に伝わる熱のほとんどがヒータ２６を取
り囲む空気を通して伝えられることになる。すなわち窒
化シリコン膜の熱伝導率が小さいことから、熱感知セン
サ２２．２４をヒータ２６に極めて隣接して配置するこ
とができ、ヒータ２６からの熱のほとんどは窒化シリコ
ン膜を通らずにヒータ２６を取り囲む空気を通して伝え
られることになる。そして、ヒータ２６の近傍の空気中
に効果的に強固にささえられた熱感知センサ２２．２４
はヒータ２６を取り囲む空気とヒータ２６上の温度を測
定するプローブとして働（ことになる。Silicon nitride is a very good thermal insulator. Since the silicon nitride film surrounding the thin film members 32 and 34 is extremely thin and has good thermal insulation, the heat loss of the heater 26 through the silicon nitride film is extremely small. Most of the heat transferred from the heater 26 to the heat sensitive sensors 22, 24 will be transferred through the air surrounding the heater 26. That is, since the thermal conductivity of the silicon nitride film is low, the heat sensing sensors 22, 24 can be placed very close to the heater 26, and most of the heat from the heater 26 is transferred to the heater 26 without passing through the silicon nitride film. It will be transmitted through the air surrounding it. Heat sensing sensors 22 and 24 are effectively and firmly supported in the air near the heater 26.
will act as a probe to measure the temperature of the air surrounding the heater 26 and above the heater 26.
空気の流速を検出する原理を第４図に基づいて説明する
。ヒータ２６は、基板２０の温度より２００゛Ｃ高くな
る一定の温度に加熱される。ヒータ２６の温度を 流れ
る空気の温度より２００°Ｃ高く保つといっても０．Ｏ
ＩＷより小さな電力が要求されるにすぎない。The principle of detecting the air flow velocity will be explained based on FIG. 4. The heater 26 is heated to a constant temperature 200°C higher than the temperature of the substrate 20. Even though the temperature of the heater 26 is kept 200°C higher than the temperature of the flowing air, the temperature is 0. O
Only less power is required than IW.
ヒータ２６からの熱伝導率の大部分は空気スペース３０
も含んだ周囲の空気を通して行われるが、従来例におい
て空気の流れのないとき、熱感知センサ２２．２４は平
均温度で約１４０°ｃ（２００°Ｃの約７０％）に熱せ
られる。すなわち、図に示すように、熱感知センサ２２
．２４はヒータ２６に対して正確に対称に配置されるの
で、空気の流速がＯの時にはこの２つのセンサの温度は
同一になりこの２つのセンサの抵抗値に差は生じない空
気の流れのある時には、上流に位置する熱感知センサ２
２はヒータ２６へ向かう空気の流れにより熱が運び去ら
れるので冷却され、一方下流に位置する熱感知センサ２
４はヒータ２６がらの空気の流れによって熱せられるこ
とになる。これによって生ずる熱感知センサ２２と２４
の間の抵抗値の差が電圧値の差をもたらし流速が測定さ
れる、増幅しないときのこの電圧差は、７６０ｃｍ／秒
の空気の流速において０．１Ｖ程度のものであるヒータ
と熱感知センサの熱容量が極めて小さいことと、基板へ
の接続手段である窒化シリコン膜により与えられる熱的
絶縁性と、空気スペースの存在により当センサの応答性
は測定結果によれば時定数が０．００５秒と非常に速い
ものとなる。Most of the thermal conductivity from heater 26 is in air space 30
In the prior art, when there is no airflow, the thermal sensor 22.24 is heated to an average temperature of about 140°C (about 70% of 200°C). That is, as shown in the figure, the heat sensing sensor 22
．． 24 is placed exactly symmetrically with respect to the heater 26, so when the air flow velocity is O, the temperatures of these two sensors are the same, and there is no difference in the resistance values of these two sensors. Sometimes, a heat sensing sensor 2 located upstream
2 is cooled as the heat is carried away by the flow of air toward the heater 26, while the heat sensing sensor 2 located downstream
4 will be heated by the air flow from the heater 26. The resulting heat sensing sensors 22 and 24
The difference in resistance value between the heater and the heat sensing sensor causes a difference in voltage value and the flow velocity is measured. This voltage difference when not amplified is of the order of 0.1 V at an air flow velocity of 760 cm/s. Due to the extremely small heat capacity of the sensor, the thermal insulation provided by the silicon nitride film that is the connection means to the substrate, and the presence of air space, the response of this sensor is reduced to a time constant of 0.005 seconds according to measurement results. It becomes very fast.
すなわち熱感知センサ２２と２４は空気の流れの変化に
非常に速く応答できることになる。This means that the thermal sensors 22 and 24 can respond very quickly to changes in air flow.
従来例においてヒータ２６は空気の温度に対して一定の
温度となるように駆動され、熱感知センサ２２と２４は
定電流で駆動されることから、熱感知センサ２２と２４
の温度変化は抵抗値の変化として検知されることになる
。これらの機能を実現するための回路例を第６図及び第
７図に示す。In the conventional example, the heater 26 is driven to maintain a constant temperature relative to the air temperature, and the heat sensing sensors 22 and 24 are driven with a constant current.
A change in temperature will be detected as a change in resistance value. Examples of circuits for realizing these functions are shown in FIGS. 6 and 7.
第６図に示される温度制御回路は、ヒータ２６の温度を
比較抵抗３８によって検出される周囲温度よりも高い一
定温度に保つためのホイストンブリッジ回路４６により
構成される。ここで前述したように、この一定値は約２
００°Ｃに設定されている。ホイストンブリッジ回路４
６は、ヒータ２６と抵抗４０により一辺を、比較抵抗３
８と抵抗４２．４４により一辺を構成している。アンプ
４８と５０からなる積分回路は、出力の電位を変化させ
ることでブリッジ回路４６がバランスするように動作し
、ヒータ２６によって消費される電力を一定に保つよう
にする。The temperature control circuit shown in FIG. 6 is comprised of a Whiston bridge circuit 46 for keeping the temperature of the heater 26 at a constant temperature higher than the ambient temperature detected by the comparison resistor 38. As mentioned above, this constant value is approximately 2
It is set to 00°C. whiston bridge circuit 4
6 has one side connected to the heater 26 and the resistor 40, and the comparison resistor 3
8 and resistors 42 and 44 constitute one side. The integrating circuit consisting of amplifiers 48 and 50 operates to balance the bridge circuit 46 by changing the output potential, thereby keeping the power consumed by the heater 26 constant.
第７図に示す回路は、空気の流れの上流に位置する熱感
知センサ２２と、下流に位置する熱感知センサ２４との
間の抵抗値の差を検出するためのものである。この回路
は、アンプ７２からなる定電流電源部５２と、アンプ６
８と７０からなる差動増幅部５４から構成される。定電
流電源部５２は、１辺に高インピーダンス抵抗５６．５
８と、他辺に零調用可変抵抗６０及び熱感知センサ２２
．２４を有するホイストンブリッジ回路を駆動する。差
動増幅部５４の利得は可変抵抗６２により調整される。The circuit shown in FIG. 7 is for detecting the difference in resistance between the heat sensing sensor 22 located upstream of the air flow and the heat sensing sensor 24 located downstream. This circuit includes a constant current power supply section 52 consisting of an amplifier 72, and an amplifier 6.
It is composed of a differential amplifier section 54 consisting of 8 and 70. The constant current power supply section 52 has a high impedance resistor 56.5 on one side.
8, and a zero adjustment variable resistor 60 and a heat sensing sensor 22 on the other side.
．． Drive a Whiston bridge circuit with 24. The gain of the differential amplifier section 54 is adjusted by a variable resistor 62.
出力端６４は熱感知センサ２２と２４の間の抵抗値の差
に比例する出力電圧を出力する。Output terminal 64 outputs an output voltage proportional to the difference in resistance between heat sensitive sensors 22 and 24.
第３．４．５図で示す従来の流速センサは、ヒータ２６
及び熱感知センサ２２．２４の間の絶縁窒化層の熱容量
が非常に小さく、そのため各々のセンサ抵抗体の温度は
周囲の空気の状態によって大きく変化することとなる。The conventional flow rate sensor shown in Fig. 3.4.5 has a heater 26
The heat capacity of the insulating nitride layer between the sensor and the thermal sensor 22, 24 is very small, and therefore the temperature of each sensor resistor varies greatly depending on the state of the surrounding air.
上流側の検出器（出力信号を送出する）は空気の流れに
よって、この空気流の温度に近づくまで冷却される。そ
の結果、出力信号は流速が約１５２０ｃｍ／秒で飽和状
態に達する。下流側のセンサ抵抗は空気流による熱伝達
により幾分加熱されるため、出力信号がその分、変化す
るが、飽和状態に達すると加熱より冷却が強まり変化は
検出できな（なる。The upstream detector (which delivers the output signal) is cooled by the air flow until it approaches the temperature of this air flow. As a result, the output signal reaches saturation at a flow rate of about 1520 cm/sec. The sensor resistance on the downstream side is heated to some extent by heat transfer due to the airflow, so the output signal changes accordingly, but when the saturation state is reached, cooling becomes stronger than heating and no change can be detected.
本発明は、上述の従来の流速センサの技術を基本として
、さらに従来のマイクロブリッジ流速センサでは測定困
難な高速流領域での測定を可能としたものである。従来
のマ・イクロブリッジ流速センサでは、センサ上の流速
が平均１５２０ｃｍ／秒を超えると熱伝達が飽和状態と
なり、これ以上の流速での変化をとらえることはできな
かった。本発明は、従来のセンサの約６倍の流速が測定
可能であり、平均流速１０１４０ｃｍ／秒までは熱伝達
が飽和状態とならない構成を有する。The present invention is based on the above-described conventional flow velocity sensor technology, and further enables measurement in a high-speed flow region that is difficult to measure with a conventional microbridge flow velocity sensor. In the conventional micro-bridge flow rate sensor, when the flow rate on the sensor exceeds an average of 1520 cm/sec, heat transfer reaches a saturated state, and changes at a flow rate higher than this cannot be detected. The present invention is capable of measuring a flow rate approximately six times higher than that of conventional sensors, and has a configuration in which heat transfer does not reach a saturated state up to an average flow rate of 10,140 cm/sec.
測定可能領域を拡大するためには、第１図で示すような
２層構造によりセンサ１２２．１２４とヒータ１２６を
熱的に連結することが有効である〔実施例〕
本発明の１実施例を第１図に示す。本発明は、１対の薄
膜の熱感知センサ１２２．１２４と薄膜のヒータ１２６
、及び基体２０とからなり、センサとヒータは架橋部１
３２によって基体と非接触状態となっている。センサ１
２２．１２４はヒータ１２６上の層に配置されている。In order to expand the measurable area, it is effective to thermally connect the sensor 122, 124 and the heater 126 with a two-layer structure as shown in FIG. Shown in Figure 1. The present invention includes a pair of thin film thermal sensors 122, 124 and a thin film heater 126.
, and a base 20, and the sensor and heater are connected to the bridge part 1.
32, it is in a non-contact state with the base body. sensor 1
22 and 124 are arranged in a layer above the heater 126.
本構成の従来例筒３．４．５図との根本的な差異は、第
１図に示すデバイスが２つの並行な薄膜抵抗層から構成
されていることである。ヒータの層、及び上流、下流の
熱感知センサの層が橋架部１３２に各々別々の層に形成
されている。２層構造としたのは上流、下流の熱感知セ
ンサ１２２．１２４をヒータ１２６の上部に配置する必
要性からである。The fundamental difference between this configuration and the conventional example shown in FIG. 3.4.5 is that the device shown in FIG. 1 is constructed from two parallel thin film resistive layers. A heater layer and upstream and downstream heat sensing sensor layers are formed in separate layers in the bridge portion 132. The reason for the two-layer structure is that it is necessary to arrange the upstream and downstream heat sensing sensors 122 and 124 above the heater 126.
本センサの製造にはシリコンウェハー２０が用いられ、
この表面に窒化シリコン層１２９が形成される。層１２
９は典型的には４０００人の厚さにスパッタにより形成
される。次に、同様スパン夕によりパーマロイの層が８
００人形成される。A silicon wafer 20 is used to manufacture this sensor,
A silicon nitride layer 129 is formed on this surface. layer 12
9 is typically sputtered to a thickness of 4000 nm. Next, 8 layers of permalloy were added using the same spun technique.
00 people are formed.
適当なフォトマスク、フォトレジストとエツチング液を
使用し、上述のニレメン１−２２．２４，２６．３８と
同様のパーマロイエレメント１２６が描かれる。このエ
レメント１２６は橋架部１３２の巾全体に形成される。Using a suitable photomask, photoresist and etching solution, permalloy elements 126 similar to those of Niremen 1-22, 24, 26, and 38 described above are drawn. This element 126 is formed over the entire width of the bridge section 132.
第２層の窒化シリコン層は、このパーマロイニレメン「
１２６を完全に覆うようにスパッタにより４０００人の
厚みで形成される。次に、第２層であるパーマロイの層
が層１２８上に８００人形成される。そして、センサニ
レメンｌ−１２２，１２４が上述したヒータエレメント
１２６と同様に描かれる。窒化シリコンの第３７Ｗ１２
７はパーマロイエレメント１２２．１２４を完全に覆う
ようにスパッタにより４０００人の厚みで形成される。The second silicon nitride layer is made of this permalloin membrane.
It is formed by sputtering to a thickness of 4000 mm so as to completely cover 126. A second layer of permalloy is then formed over layer 128. The sensor elements 122 and 124 are then drawn in the same manner as the heater element 126 described above. Silicon nitride No. 37W12
7 is formed by sputtering to a thickness of 4000 mm so as to completely cover the permalloy elements 122 and 124.
これにより、エレメントの酸化が防止される。このよう
に、１対のセンサ１２２．１２４はヒータ１２６層と平
行な層に近接して配置される。１対のセンサとヒータ間
には４０００人の絶縁層が存在することとなる。橋架部
１３２直下のスペースの製造過程は第１．２．３図の従
来例で述べたと同様である。This prevents oxidation of the element. In this manner, a pair of sensors 122, 124 are placed proximate a layer parallel to the heater 126 layer. There will be 4000 insulating layers between the pair of sensors and the heater. The manufacturing process for the space directly below the bridge section 132 is the same as that described in the conventional example shown in FIG. 1.2.3.
この構成により両センサの冷却には、さらに高速の空気
流が必要となる。たとえば、ヒータが１６０°Ｃを保つ
とすると、上流、下流の各々のセンサはそのヒータの温
度変化に対して、より忠実に追随することになる。これ
はすなわち、ヒータから発生する熱の空気流による伝播
を、第１図に示す２Ｎ構造とすることで、より近接した
２つの位置で測定し、空気流による熱損失の出力信号に
対する影響を少なくしたものであるといえる。This configuration requires a higher velocity air flow to cool both sensors. For example, if the heater maintains a temperature of 160° C., each upstream and downstream sensor will more faithfully follow the temperature change of the heater. This means that by adopting the 2N structure shown in Figure 1, the propagation of heat generated by the heater through the airflow can be measured at two closer locations, thereby reducing the effect of heat loss due to the airflow on the output signal. It can be said that this is the case.
第２図は、それぞれ流速０のもとての橋架部１３２の面
上での温度分布を示すものである。本発明（ａ及びＣ）
におけるセンサ１２２．１２４が、従来例（ｂ及びｄ）
のセンサに比較してヒータ端部で、温度分布が大きく異
なっているのが分かる。FIG. 2 shows the temperature distribution on the surface of the original bridge section 132 at a flow rate of 0. The present invention (a and C)
The sensors 122 and 124 in the conventional example (b and d)
It can be seen that the temperature distribution at the heater end is significantly different compared to the sensor.
第１図はこの発明の実施例を示す断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）はそれぞれ本発明、従来例の構成を示す断面図
、第２図（ｃ）、（ｄ）は第２図（ａ）、（ｂ）それぞ
れに対応する温度分布図、第３図、第４図、第５図は従
来のセンサの構成を示す断面図及び平面図、第６図、第
７図はセンサの機能を達成するための回路例を示す図で
ある。
１２２．１２４−熱怒知センサエレメント、１２６−
ヒータエレメント、１２７．１２８．１２９・−窒化シ
リコン層。
特許出願人 山武ハネウェル株式会社代理人 弁
理士 松下 義冶
第１図
第２図（０） 第２図（ｂ）第 ２図（Ｃ
） 第２図（ｄｌ手 続 主甫 正 書
（方式）
特許庁長官 小 川 邦 夫 殿
１、事件の表示
昭和６３年特許願第 ５１３１９号
２、発明の名称
３、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都渋谷区渋谷２丁目１２番１９号名
称 （６６６）山武ハネウェル株式会社代表者
井 戸 −朗４、代理人
居 所 〒１４４東京都大田区西六瑯４丁目２８番
１号山武ハネウェル株式会社 １田工場内
昭和６３年 ５月３１日発送
７、補正の内容
（１）明細書、発明の詳細な説明の横筒２頁第１４行の
「第７図」を「第８図」と補正する。
（２）明細書、発明の詳細な説明の横笛７頁第９行の「
第６図及び第７図」を［第７図及び第８図Ｊと補正する
。
（３）明細書、発明の詳細な説明の横笛７頁第１０行の
「第６図」を「第７図」と補正する。
（４）明細書、発明の詳細な説明の横筒８頁第２行の「
第７図」を「第８図」と補正する。
（５）明細書、発明の詳細な説明の（間第８頁第１６行
の「第３．４．５」の後に「６」を挿入する。
（６）明細書、図面の簡単な説明の横筒１３頁第３行の
「第５図」の後に「第６図」を挿入する。
（７）明細書、図面の簡単な説明の横梁１３頁第４行の
「第６図Ｊを「第７図」と補正する。
（８）明細書、図面の簡単な説明の（資）第１３頁第４
行の「第７図」を「第８図」と補正する。
以上Fig. 1 is a sectional view showing an embodiment of the invention, Fig. 2(a)
, (b) are cross-sectional views showing the configurations of the present invention and the conventional example, respectively, FIGS. 2(c) and (d) are temperature distribution diagrams corresponding to FIGS. 2(a) and (b), respectively, and FIG. , FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views and plan views showing the configuration of a conventional sensor, and FIGS. 6 and 7 are diagrams showing an example of a circuit for achieving the function of the sensor. 122.124-Heat anger sensor element, 126-
Heater element, 127.128.129 - silicon nitride layer. Patent Applicant Yamatake Honeywell Co., Ltd. Agent Patent Attorney Yoshiharu Matsushita Figure 1 Figure 2 (0) Figure 2 (b) Figure 2 (C)
) Figure 2 (dl Procedures Principal Authorization (Method) Kunio Ogawa, Commissioner of the Patent Office, 1. Indication of the case, Patent Application No. 51319 of 1988, 2. Title of the invention, 3. Person making the amendment. Related Patent Applicant Address: 2-12-19 Shibuya, Shibuya-ku, Tokyo Name (666) Yamatake Honeywell Co., Ltd. Representative: Akira Ido 4, Agent Address: 4-28 Nishirokuro, Ota-ku, Tokyo 144 No. 1 Yamatake Honeywell Co., Ltd. 1 Ta Factory Shipped on May 31, 1988 7. Contents of amendment (1) "Figure 7" on page 2, line 14 of the horizontal tube of the detailed description of the specification and detailed explanation of the invention. (2) In the specification and detailed explanation of the invention, page 7, line 9 of the transverse flute is amended as “Fig. 8.”
"Figs. 6 and 7" are corrected to "Figs. 7 and 8 J. (3) "Figure 6" on page 7, line 10 of the detailed description of the invention is corrected to "Figure 7." (4) "In the second line of page 8 of the horizontal column of the specification and detailed explanation of the invention"
"Fig. 7" is corrected to "Fig. 8." (5) Insert “6” after “3.4.5” on page 8, line 16 in the description and detailed explanation of the invention. (6) In the description and brief explanation of the drawings. Insert "Fig. 6" after "Fig. 5" on the 3rd line on page 13 of the horizontal beam. (7) Insert "Fig. 6 J" on the 4th line on page 13 of the horizontal beam in the brief explanation of the specification and drawings. (8) Brief explanation of the specification and drawings, page 13, page 4.
Correct the line ``Figure 7'' to ``Figure 8''. that's all
Claims (3)
半導体基板とからなる流速センサにおいて、上記半導体
基板と、上記薄膜のヒータ及び一対の薄膜の熱感知セン
サとの間に空間を形成し、かつ上記一対の薄膜の熱感知
センサは上記薄膜のヒータの上層に絶縁部を介し、上記
ヒータと略平行に形成してなることを特徴とする流速セ
ンサ。(1) A thin film heater, a pair of thin film heat sensing sensors,
A flow velocity sensor comprising a semiconductor substrate, wherein a space is formed between the semiconductor substrate and the thin film heater and the pair of thin film heat sensing sensors, and the pair of thin film heat sensing sensors are connected to the thin film heater. A flow velocity sensor, characterized in that it is formed in an upper layer substantially parallel to the heater with an insulating section interposed therebetween.
は、パーマロイから構成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項の流速センサ。(2) The flow rate sensor according to claim 1, wherein the thin film heater and the pair of thin film heat sensing sensors are made of permalloy.
する特許請求の範囲第１項の流速センサ。(3) The flow rate sensor according to claim 1, wherein the insulating portion is made of silicon nitride.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US2217887A | 1987-03-05 | 1987-03-05 | |
| US22178 | 1987-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63282662A true JPS63282662A (en) | 1988-11-18 |
| JPH0474672B2 JPH0474672B2 (en) | 1992-11-26 |
Family
ID=21808216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051319A Granted JPS63282662A (en) | 1987-03-05 | 1988-03-04 | Flow speed sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63282662A (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618750A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Gas detector |
| JPS60142268A (en) * | 1983-12-27 | 1985-07-27 | 株式会社山武 | Flow rate sensor |
| JPS62106129U (en) * | 1985-12-23 | 1987-07-07 |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63051319A patent/JPS63282662A/en active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618750A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Gas detector |
| US4343768A (en) * | 1979-07-25 | 1982-08-10 | Ricoh Co., Ltd. | Gas detector |
| JPS60142268A (en) * | 1983-12-27 | 1985-07-27 | 株式会社山武 | Flow rate sensor |
| JPS62106129U (en) * | 1985-12-23 | 1987-07-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474672B2 (en) | 1992-11-26 |
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