JPS63276778A - 磁気記憶素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。

（従来の技術） この磁気記憶素子は情報読み出し手段と情報書き込み手
段と情報蓄積手段を備え、膜面に垂直方向を磁化容易方
向とする強磁性体膜（フェリ磁性体膜を含む）に存在す
るストライプドメインの周囲のブロッホ磁壁の中に作っ
た相隣り合う垂直ブロッホライン（以下、ＶＢＬと称す
る）を対としてブロッホ磁壁内で保持、転送する手段を
有する。例えば、素子構成をメイジャ、マイナループ構
成とする場合、メイジャラインでは、バブルを情報担体
とし、マイナループはストライプドメインで構成し、そ
の周囲のブロッホ磁壁内に存在するＶＢＬ対を情報担体
とする。全体の情報の流れを示すと、まず、バブル発生
器で書き込まれた情報（バブルの有無の列）は書き込み
メイジャラインを移動する。メイジャライン上に１ペ一
ジ分の情報が書き込まれると、それをマイナループへ記
憶させるため、バブルの有無で示されたメイジャライン
上の情報をマイナループヘＶＢＬ対の形でトランスファ
する。したがって、書き込みトランスファゲートはバブ
ルの有無をＶＢＬ対の有無に変換する機能を持ってｌ／
’する。マイナルーブはＶＢＬ対を保持できるブロッホ
磁壁で構成している。また、マイナルーブは構成するス
トライプドメイン磁壁土のＶＢＬ対を必要に応じて読み
出しトランスファゲートへ移動させる機能を持っている
。マイナループから読み出しメイジャラインへの情報ト
ランスファはＶＢＬ対からバブルへの変換を伴う。変換
されたバブルの有無の列をバブル検出器で読み取る。こ
のように、マイナルーブをバブル材料に存在するストラ
イプドメインで構成し、マイナループ上での情報担体と
してバブルの代りに、ＶＢＬ対を用いることにより、バ
ブル素子に比べて、約二桁の記憶密度の向上を達成でき
る。

この素子においては多数本の磁気ドメインをチップ上の
定められた位置に安定性よく配列することが重要な技術
である。

これに対する一つの方法は、ストライプドメイン磁壁を
ストライプドメイン保持層に形成した溝掘り部境界膜厚
段差部の外側にもっていくことである（特願昭６Ｏ−０
７９６５８）。この理由は溝掘り部およびその境界の外
側を含むようにストライプドメインを設定すると、溝掘
り部境界の膜厚段差は境界外側にある磁壁が膜厚段差部
に近づくのを妨げる反磁界を生じる。このような方法で
磁壁位置を安定化すると、磁壁が外部から加えられるＶ
ＢＬ対駆動駆動用ルス磁界に対して、障害を受けること
なく応答ができ、しかも磁壁の応答を可逆的にできる。

これはＶＢＬ対保持用磁壁安定化の必要条件である。他
方、溝掘り部内にストライプドメインを閉じ込めると、
膜厚段差はそのストライプドメインが溝掘り境界の外へ
出ることを強く抑える反磁界を生じる。このため、磁壁
は外部印加磁界に対して自由に応答して動くことができ
ない。したがって、ストライプドメイン磁壁が溝掘り部
境界膜厚段差部の外側にくるように、ストライプドメイ
ンを初期設定する必要がある。

第９図（ａ）、　（ｂ）にストライプドメインを安定化
する領域の主要部を示している。基板２上のドメイン保
持層１のドメインを配置したい領域の中心部３３をくり
ぬき、そのエツジ３４を取り囲むように閉じたドメイン
磁壁を配置するための形成技術の例は１９８６年４月の
国際応用磁気学会（Ｉｎｔｅｒｍａｇ’８６）ＤＤ−０
５において報告されている。しかし、この方法では溝掘
り部が平行に並んでいる領域と溝掘り部がない領域とで
バブルドメインがストライプドメインに変化するバイア
ス磁界の大きさにかなりの違いがあり、溝掘り部領域で
は他の領域に比べてバイアス磁界をもっと低くしないと
、ドメインが伸長しない欠点があることが分かった。溝
掘り部の一端で発生したドメインを溝と溝との間の領域
を伸長させるため、バイアス磁界を下げていくと、ドメ
インはまず溝掘り部領域の内のどれか一箇所を伸びてバ
ブル発生器８がある側と反対側、つまりドメイン結合用
の導体パターン９がある領域に出る。その途端にドメイ
ンは広がって９がある領域全面に迷図状ドメインをつく
ってしまう。このため、いま伸びたドメインに遅れて溝
掘り領域を伸びてきたドメインは迷図状ドメインに邪魔
されてドメイン接合用の導体パターン９の下を横切ると
ころまで伸び出させるのが困難であった。いま１つの問
題は溝掘り部３３の外側を磁壁が取り囲むドメインを安
定化した後、ドメインの先端部が外部からドメイン安定
化用に加えているバイアス磁界（７と逆向き）の変動あ
るいはチップの温度変化に伴い、任意に伸び出してしま
う確率が高かった。

これらの理由で、上述の方法は多数本の磁気ドメインを
安定性よく配列する方法として問題であった。そこで、
これらの欠点を取り除き、ストライプドメインを安定性
よく配列するための工夫をした。具体的には、第１０図
（ａ）、（ｂ）に示すように、前記ストライプドメイン
を安定化したい領域に亘って選択的に保持層を削って溝
３３（第１の溝）を作り、溝を中心にしてその周囲にド
メイン磁壁を安定化させる方法において、政情の長手方
向に沿って政情とは分離して補助用の溝３５（第２の溝
）を設け、かつストライプドメイン安定化用の溝の両端
にドメイン発生器および局所磁界印加手段を置き、所要
ドメインの形成を容易にした。補助用の溝（第２の溝）
を作ることにより、ストライプドメイン安定化用溝掘り
領域を伸び出したドメインに対するポテンシャルウェル
が急激に深くなることを防ぎ、目的とする溝掘り部長手
方向に沿って所定の位置までストライプドメインを安定
性よく伸ばすことができるようになった。

第１０図はストライプドメイン保持層のマイナループ部
の主要部の構成である。第１０図（ａ）はストライプド
メイン保持層の主要部である。ストライプドメイン保持
層１上のドメインを保持したい領域に溝３３を、またこ
の溝に沿って長手方向のとなり合う領域に補助用の溝３
５を形成する。これらの溝は、例えばストライプドメイ
ン保持層の溝掘り部に相当する領域に選択的にＨ２＋な
どのイオンを注入した後、ホットリン硫酸でエツチング
することによって得られる。その溝３３の両端部にドメ
イン発生用導体パターン８，９を配置している。なお、
８，９には第２図の１４で示す形状のドメインを制御性
よく発生できるように第３図に示す形状のドメイン発生
器を用いた。第１１図は閉じたドメイン磁壁１９を３３
の周囲に安定化した、状態を示している。第２の方法は
前記ストライプドメイン保持層表面に前記ストライプメ
インを安定化したい、領域にわたって選択的に溝掘りし
て、溝の中に前記ストライプドメインをリング状ストラ
イプドメインの形で安定化させる。

第１２図に示すストライプドメイン保持層１の表面にス
トライプドメインをリング状に保持したい部分だけ選択
的に溝掘りして溝３７をつける。この幅はストライプド
メインの自然幅Ｗｏ（無磁界状態での幅）より大きく、
かつ２ＷＱ以下程度とする。この理由は溝が狭すぎると
、ドメインが溝の中を安定性よく伸びて行かない。また
広すぎると、ドメインが内側の膜厚段差境界から逃げ出
したり、溝にドメインがもう１本人ったりする。溝の境
界の内、境界３９はその内側に凸部が存在するため、リ
ング状ストライプドメイン２３の内側磁壁を３９に引き
つける役目をし、境界４０はリング状ストライプドメイ
ン２３を初期設定する時、内側磁壁が３９からあまり離
れた状態にならないようにするためのガイドの役目をし
ている。さらに、３９の境界を持つ凸部の幅はＷｏ以上
にしておく必要がある。こうしておかないとリング状ス
トライプドメイン２３を溝の中に保持した時、境界３９
を持つ凸部を挾む両側の直線状ドメイン間の反発相互作
用が強くなり、リング状ストライプドメインの内側磁壁
が境界３９直下にしっかり固定されなくなる。以上の条
件を満たすように溝３７をつけると、ストライプドメイ
ンは第１２図２３に示すように溝掘り境界３９を内側径
とするリング状に固定される。

このようにストライプドメインを保持すると、リング状
ドメインの外側の磁壁２４（境界３９から離れて存在す
る磁壁）部のポテンシャルウェルは主にストライプドメ
イン幅から決まる反磁界効果によって定まり、溝掘り部
境界の微細な出来上がりむらに影響されなくなる。この
様な磁壁に外部印加パルスバイアス磁界に加えた場合の
磁壁移動は磁壁２４の全体に亘って均一となる。従って
、この磁壁の中にＶＢＬ対の有無の形で記憶した情報を
ドメイン保持用の静バイアス磁界２７と同じ方向にパル
スバイアス磁界を印加して、生じるジャイロ力を利用し
てＶＢＬ対を移動させる際に、その移動量をパルスバイ
アス磁界形状によって制御することが容易になる。図中
２５．２６はそれぞれドメイン内外の磁化の向きである
。しかし、この方法では、膜厚段差境界３９と膜厚段差
境界４０の磁壁を引き寄せる効果が同じ性質であるため
、段差の出来具合に依存してしばしばリング状ドメイン
の内側磁壁が境界３９をはずれ、逆に外側磁壁が境界４
０に引き寄せられてしまうことがある。なお、第１２図
に１０で示しているトランスファゲート部に関しては特
願昭６０−０８９３２１および特願昭６１−００２３９
９に例を示している。

そこで、前記ストライプドメイン保持層表面に前記スト
ライプドメインを安定化した領域にわたって選択的に第
１の溝掘りをして、溝の中に前記ストライプドメインを
リング状ストライプドメインの形で安定化させ、さらに
その溝の外側境界４０の外側４１をもう一段掘った第２
の領域を作った。上述の構成をとることにより、従来技
術の前記ストライプドメイン保持層表面に単に前記スト
ライプドメインを安定化したい領域にわたって選択的に
溝掘りして、溝の中に前記ストライプドメインをリング
状ストライプドメインの形で安定化させている構造にお
いてドメインが溝部の内側段差境界から離れ易かった欠
点を改善し、マイナーループ用ストライプドメインの初
期設定に関する問題点を解決した。第１３図はこの方法
を用いて、多数本のリング状ストライプドメインを安定
化させる構造を示している。

（本発明が解決しようとする問題点） これらの方法の欠点はドメイン保持層表面に膜厚段差が
できるため、ドメイン保持層表面に直接もう１種類の磁
性体膜を形成して、この膜をパターン化し、ＶＢＬ対用
のビット位置設定に使おうとする場合パターンにドメイ
ン保持層の前述の膜厚段差に伴う不連続が入り、不都合
を生じてしまうことであった。また、溝掘りには余分の
製作プロセスを必要とし、さらに後工程のために膜厚段
差を解消する、いわゆる平坦化技術も欠くことができず
、素子製作に技術的な難しさ、時間的損失を伴ってしま
う。

以上の２つの方法のいずれにおいても、ドメイン保持層
の表面に急峻な膜厚段差ができ、その後の工程に対して
問題になることがあった。本発明ではこのような膜厚段
差を可能な限り除去した安定性のよいストライプドメイ
ンの配列法を取り入れた超高密度固体磁気記憶素子を提
供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明の第１は膜面に垂直方向を磁化容易方向とする強
磁性体膜に存在するストライプドメイン境界のブロッホ
磁壁中に作った相隣り合う２本のＶＢＬからなるＶＢＬ
対を記憶担体として用いる磁気記憶素子において、前記
ストライプドメインを安定化したい領域に亘って選択的
に保持層表面にシリコン膜で形成したパターン（第１パ
ターン）を配置し、該パターンを中心にしてその周囲に
ドメイン磁壁を安定化させる。さらに、この方法におい
て、該パターンの長手方向に沿って該パターンとは分離
して補助用のシリコン膜で形成したパターン（第２パタ
ーン）をつけた。その後、チップを熱処理する。この熱
処理により、シリコン膜で形成したパターン直下のドメ
イン保持層の飽和磁化だけが選択的に小さくできる。そ
の後、ストライプドメイン安定化用の第１のパターンの
両端にドメイン発生器および局所磁界印加手段を与えて
、所要ドメインの形成を容易にした。第２のパターン部
の効果で、ストライプドメイン安定化用の各パターンに
挟まれた領域を伸び出したドメインに対するポテンシャ
ルウェルが急激に深くなることが避けられ、目的とする
第１のパターン部の長手方向に沿って所定の位置までス
トライプドメインを安定性よく伸ばすことができるよう
になった。

以下、構成の詳細な説明をする。

第１図は本発明におけるストライプドメイン保持層のマ
イナループ部の主要部の構成である。第１図（ａ）は本
発明の方法を用いた時のストライプドメイン保持層の主
要部である。ストライプドメイン保持層１上のドメイン
を保持したい領域にシリコン膜で形成したパターン３を
、また該パターンに沿って分離した領域を挟んで補助用
のシリコン膜で作ったパターン５を配置する。その後、
チップを空気中、または窒素雰囲気中で、６００−８０
０°Ｃで３０−６０分間熱処理する。そうすると、第１
図（ｂ）に１２で示すパターン直下のストライプドメイ
ン保持層の飽和磁化を選択的に小さくできる。その後、
パターン３゜５を剥離し、そのパターン部の両端にドメ
イン発生器および局所面内磁界発生用手段８，９を配置
している。なお、８には第２図の１４で示す形状のドメ
インを制御よく発生できるように第３図に示す形状のド
メイン発生器を用いた。第４、第５、第６図は１２の領
域を取り囲むドメイン形成過程を示している。

本発明の別の方法は前記ストライプドメイン保持層表面
に前記ストライプドメインを安定化したい領域にわたっ
て選択的にシリコン膜で形成したパターンを配置した後
、熱処理をして、該パターン直下のドメイン保持層に前
記ストライプドメインをリング状ストライプドメインの
形で安定化させている磁気記憶素子である。

以下、構成の詳細な説明をする。第１図に示すストライ
プドメイン保持層１の表面をストライプドメインをリン
グ状に保持したい部分にだけ選択的にシリコン膜で形成
したパターン３をつける。このパターンの幅はをストラ
イプドメインの自然幅Ｗｏ（無磁界状態での幅）より大
きく、かつ２ＷＱ以下程度どする。この理由はこのパタ
ーン部の幅が狭すぎると、ドメインが該パターン部の下
に安定性よく伸びて行かない。また広すぎると、ドメイ
ンが該パターン部の内側の境界から逃げ出したり、ドメ
インがもう１本該パターン部に入ったりする。このシリ
コン膜で形成したパターンを付けたまま、チップを熱処
理すると、シリコン膜パターン３　直下（１）　９Ａ域
２０のみで、その飽和磁化が小さくなる。該パターン部
の境界の内、境界２１はその内側に飽和磁化が大きい領
域が存在するため、ストライプドメインの内側磁壁を２
１に引きつける役目をする。境界２２はリング状ストラ
イプドメイン２３を初期設定する時、内側磁壁が２１か
らあまり離れた状態にならないようにするためのガイド
の役目をしている。２１の境界を持つ飽和磁化が大きい
領域の幅はＷｏ以上にしておく必要がある。こうしてお
がないと、ストライプドメインをリング状に保持した時
、境界２１を持つ飽和磁化が大きい領域を挾む両側の直
線状ドメイン間の反発相互作用が強くなり、リング状ス
トライプドメイン２３の内側磁壁が境界２１にしっかり
固定されなくなる。以上の方法でストライプドメイン安
定化領域２０を作りつけると、ストライプドメインは第
７図に２３で示すように飽和磁化が大きい領域の境界２
１を内側径とするリング状に固定される。

このようにストライプドメインを保持すると、リング状
ドメインの外側の磁壁（境界２１から離れて存在する磁
壁）部のポテンシャルウェルは主にストライプドメイン
幅から決まる反磁界効果によって定まり、飽和磁化が大
きい領域の境界の微細な出来上がりむらに影響されなく
なる。この様な磁壁に外部印加パルスバイアス磁界を加
えた場合の磁壁移動は磁壁２４の全体に亘って均一とな
る。従って、この磁壁の中にＶＢＬ対の有無の形で記憶
した情報をドメイン保持用の静バイアス磁界７と同じ方
向に加えたパルスバイアス磁界によってＶＢＬ対に生じ
るジャイロ力を利用して移動させる際に、その移動量を
パルスバイアス磁界形状によって制御することが容易に
なる。図中２５．２６はそれぞれドメイン内外の磁化の
向きである。

（作用） 第２図から第６図までを使ってストライプドメイン安定
化の動作を説明する。まず、ストライプドメイン保持層
の磁化をバイアス磁界を加えることによって１２の周囲
の安定化したいドメイン内の磁化と同じ向きに飽和させ
ておく。その後、ドメイン発生器８に矢印の向きの電流
を与えてその磁界によって第２図に１４で示すドメイン
を発生する。このような形状のドメインを作るためには
、まず８の上側のエツジ１５に沿ってドメインが発生す
るように発生器８の形状を設計する必要がある。その具
体的形状の一例が第３図である。その後、バイアス磁界
の絶対値を小さくしていき、ドメインが第４図に示すよ
うに第１のパターン部を通り越して補助パターン部１３
がある領域まで伸張する。その後、ドメイン発生器９に
第５図に示す矢印の向きの電流を与える。この電流によ
る磁界によって、ドメイン１４は第１のパターン部の下
方の端部で互いに接合し、逆に各第１のパターンを取り
囲む閉磁壁に囲まれたドメイン１７が形成される。外部
印加磁界を零にし、さらにその向きを７で示す向きと逆
にして、磁界の強さを増加していくと、第６図に示すよ
うに第１のパターン部を取り囲む磁壁をもつドメイン１
７が形成される。このドメインがＶＢＬ対保持用に使わ
れる。他方、補助用の第２のパターンにくっついていた
ドメインはこのバイアス磁界変化によって完全に消去さ
れる。このようにして、１２の周囲を取り囲む磁壁によ
って囲まれたドメインを安定化できたが、８の側のポテ
ンシャルウェルは依然として深いまま残されており、導
体電流による局所バイアス磁界をドメイン先端部に付加
できるようにしておかないと、チップの温度変化などに
よってドメイン先端部が伸び出してしまう危険性が取り
除かれていない。そこで、第１図に６で示すシリコン膜
で形成した第３のパターン部を前記の第１、第２のパタ
ーンと一緒に設けておく。そうすると、該パターンに挟
まれた領域のポテンシャルウェルが浅くなり、ドメイン
先端部の任意の伸び出しを防止できる。該パターンはブ
ロッホラインメモリに必要なＶＢＬ対−バブル変換ゲー
ト部１０の動作時に、ドメインが１２の長手方向に一致
した向きで、ゲート１０の中へ伸び出していくことも助
ける。メイジャライン１１のポテンシャルウェルは導体
電流磁界によって動作時のみ、かさ上げることで十分で
ある。

本発明は上述の構成を取ることにより、従来技術の前記
ストライプドメイン保持層表面に前記ストライプドメイ
ンを安定化したい領域にわたって選択的に溝掘りして、
溝の中に前記ストライプドメインをリング状ストライプ
ドメインの形で安定化させている構造において生じてい
たドメイン保持層表面に出来る急峻な膜厚段差を解消で
きた。

（実施例１） Ｇｄ３Ｇａ５０１２（１１１）基板上に４１１ｍバブル
材料（ＹＳｍＬｕ）ａ（ＦｅＧａ）５０１２ガーネツト
膜を２１１ｍの厚さＬＰＥ成長した。第１図の構造にな
るように、ストライプドメインを安定化した領域にシリ
コン膜パターン３（幅３ｐｍ、配置周期１２ｐｍ）を配
置した後、空気中、または窒素雰囲気中で熱処理し、そ
の後パターンを剥離して形成した。その上に、５ｉ０２
スペーサ−１６（０，５ｐｍ厚さ）を介して、第２図に
示す形状のドメイン発生器を配置して上述のドメイン発
生から始まる一連の動作により、第６図に示す１２を取
り囲む閉磁壁を持つドメイン１７を形成できた。

第７図を使ってストライプドメインをリング状に形成し
て行く過程を、この素子で必要条件とされているストラ
イプドメイン磁壁内にＶＢＬ対の形で記憶された情報を
読み出しの際、バブルドメインに変換し、あるいは書き
込みの際、メジャライン１１にバブルの有無の形で表し
たデータをストライプドメイン磁壁内にＶＢＬ対の形で
記憶する機能を果たすためのゲート部１０を含むシリコ
ン膜で形成したパターン形状の一例について具体的動作
過程を示す。該パターン部２０の先端３０にバブル発生
器２８および発生したバブルを飽和磁化がその周囲に比
べて大きい領域の先端部３０に押しつけるための導体パ
ターン２９を置く。予め、有効チップ全体に２６と同じ
向きの磁界を加えてチップ全体の磁化を２６の向きに飽
和させておく。そして、適当なバイアス磁界Ｈｚを加え
た状態で、このバブル発生器２８にパルス電流を与える
と、３ｏにバブルを発生し、そのバブルが１０の向きに
伸びていくのを導体パターン２９から生じる電流磁界で
防ぎ、Ｈｚを下げた時、バブルが飽和磁化が周囲に比べ
て大きい領域の境界２１に沿って２０の中を伸びるよう
にする。

そうすると、パターン部３に沿って伸びるストライプド
メインは、その先端がそれぞれ導入ガイド３１゜３１′
に入ったＵ字型になる。

この様なストライプドメインに対して導体パターン３２
にパルス電流を与えて、二つの導体パターンの間の領域
でストライプドメインの内、３１の中に伸びた部分と３
１′の中に伸びた部分とを接合する。

接合されたストライプドメイン形状はバイアス磁界Ｈｚ
と磁壁の表面エネルギーを最小にしようとする磁壁表面
張力の作用で決まる。バイアス磁界Ｈｚを調整すると、
最終的には第７図に２３で示すようにリング状ストライ
プドメインになる。このドメイン２３の外周磁壁２４に
情報担体であるＶＢＬ対を書き込む。溝１０はブロッホ
ラインメモリに必要なバブルの有無で情報を表したメイ
ジャライン１１とＶＢＬ対の有無の形で情報を記憶して
いるリング状ストライプドメイン部とを結ぶゲート用の
ものである。

第８図は第７図に示したユニットを多数本配列してメイ
ジャ・マイナ構成の１例である。

（発明の効果） 本発明により、従来問題となっていた安定化されたドメ
イン周辺の保持層表面の急峻な膜厚段差が解消され、Ｖ
ＢＬ対のビット位置設定用パターンへの障害が取り除か
れた。またストライプドメイン安定化の際の磁壁部のポ
テンシャルウェルの不均一性は従来通り取り除くことが
できるため、ブロッホライン対の転送の安定性が高くな
り、したがって、ブロッホラインメモリの信頼性が改善
された。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明におけるドメイン保持するだめの主要構
造の例を示す図、第２〜６図は本発明のドメイン形成過
程を示す図。第７図は本発明におけるもう１つのドメイ
ン保持の構造を示す図。第８図は第７図の方法を用いて
多数本のドメインを安定化させる構造の一例を示す図。 第９図、第１０図は溝掘り部を取り囲む閉磁壁をもつド
メイン安定化法の従来法の例を示す図。第１１図は第１
０図の方法により、安定化されたドメインを示す図。第
１２図、第１３図リング状ドメインを安定化させる従来
法の例を示す図。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報読み出し手段、情報書き込み手段及び情報蓄
   積手段を有し、かつ膜面に垂直方向を磁化容易方向とす
   る強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストラ
   イプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣る２
   本の垂直ブロッホラインからなる対をブロッホ磁壁内で
   保持転送する手段を有する磁気記憶素子の製造方法にお
   いて、ストライプドメインを配置する領域に亘ってスト
   ライプドメイン保持層の表面に直接付けたシリコン膜で
   形成した第１のパターンを形成し、かつ該第１のシリコ
   ン膜パターンの長手方向に該第１のシリコン膜パターン
   形成領域をはさむ２つの領域にそれぞれ補助用の第２の
   シリコン膜パターンと、第１のシリコン膜の各パターン
   の中間に相当する位置に第３のシリコン膜パターンを形
   成した後、熱処理をし、その後第１のシリコン膜パター
   ンの先端部領域にドメイン発生および局所磁界発生の手
   段を形成することを特徴とする磁気記憶素子の製造方法
   。
2. （２）情報読み出し手段、情報書き込み手段及び情報蓄
   積手段を有し、かつ膜面に垂直方向を磁化容易方向とす
   る強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するストラ
   イプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣る２
   本の垂直ブロッホラインからなる対をブロッホ磁壁内で
   保持転送する手段を有する磁気記憶素子の製造方法にお
   いて、ストライプドメインを配置する領域に亘ってスト
   ライプドメイン保持層の表面に直接付けたシリコン膜で
   形成した第１のパターンを形成し、かつ該第１のシリコ
   ン膜パターンの長手方向に沿って該第１のシリコン膜パ
   ターン形成領域をはさむ２つの領域にそれぞれ補助用の
   溝と、第１のシリコン膜の各パターンの中間に相当する
   位置に第３の溝を形成し、その後熱処理をし、さらに第
   １のシリコン膜パターンの先端部領域にドメイン発生お
   よび局所磁界発生手段を形成することを特徴とする磁気
   記憶素子の製造方法。
3. （３）情報読み出し手段、情報書き込み手段及び情報蓄
   積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
   する強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するスト
   ライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣る
   ２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホライン
   対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホラインを
   ブロッホ磁壁内で転送する手段を有する磁気記憶素子の
   製造方法において、前記強磁性体膜表面に選択的にシリ
   コン膜パターンを形成した後、熱処理をしてリング状ス
   トライプドメインを形成し、ドメイン発生および局所磁
   界発生の手段を形成することを特徴とする磁気記憶素子
   の製造方法。
4. （４）情報読み出し手段、情報書き込み手段及び情報蓄
   積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向と
   する強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するスト
   ライプドメインの境界のブロッホ磁壁中に作った相隣る
   ２本の垂直ブロッホラインからなる垂直ブロッホライン
   対を記憶情報単位として用い、該垂直ブロッホラインを
   ブロッホ磁壁内で転送する手段を有する磁気記憶素子の
   製造方法において、前記強磁性体膜表面に選択的にシリ
   コン膜パターンを形成し、その外側を溝掘りして、熱処
   理をして前記ストライプドメインを、リング状ストライ
   プドメインを形成し、ドメイン発生および局所磁界発生
   の手段を形成することを特徴とする磁気記憶素子の製造
   方法。