JPS63274883A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
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- JPS63274883A JPS63274883A JP11151487A JP11151487A JPS63274883A JP S63274883 A JPS63274883 A JP S63274883A JP 11151487 A JP11151487 A JP 11151487A JP 11151487 A JP11151487 A JP 11151487A JP S63274883 A JPS63274883 A JP S63274883A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体測定装置に関し、特に半導体装置の電
気的試験を行なうものに関するものである。
気的試験を行なうものに関するものである。
第２図は従来の温度試験用の半導体測定装置を示し、図
において、１は測定用チェンバ、２は測定下の半導体装
置、３は加熱用または冷却用の装置、４は温度センサ、
５は導入チューブ、６は搬出チューブ１．７は収納チュ
ーブ、８は測定前の半導体装置、９は加算器、１０は温
度設定用基準電圧、１１は誤差増幅器である。
において、１は測定用チェンバ、２は測定下の半導体装
置、３は加熱用または冷却用の装置、４は温度センサ、
５は導入チューブ、６は搬出チューブ１．７は収納チュ
ーブ、８は測定前の半導体装置、９は加算器、１０は温
度設定用基準電圧、１１は誤差増幅器である。
次に動作について説明する。
測定用チェンバ１には測定用ヘッドが組み込まれており
、内部温度は温度センサ４や誤差増幅器１１により、測
定温度（設定温度）に近い温度になっている。また、導
入チューブ５内も同様の働きにより、前記設定温度に準
じる温度となっている。この設定温度は温度設定用基準
電圧１０を調整することで変更できる。導入チューブ５
は、通常、測定前の半導体装置８で満たされており、こ
のため、被測定用半導体装置２が導入チューブ５に入っ
てから、測定用チェンバ１にたどりつくまでの時間は、
はぼ一定となり、測定開始時における半導体装置２の温
度を一定の幅内に抑えることができる。
、内部温度は温度センサ４や誤差増幅器１１により、測
定温度（設定温度）に近い温度になっている。また、導
入チューブ５内も同様の働きにより、前記設定温度に準
じる温度となっている。この設定温度は温度設定用基準
電圧１０を調整することで変更できる。導入チューブ５
は、通常、測定前の半導体装置８で満たされており、こ
のため、被測定用半導体装置２が導入チューブ５に入っ
てから、測定用チェンバ１にたどりつくまでの時間は、
はぼ一定となり、測定開始時における半導体装置２の温
度を一定の幅内に抑えることができる。
従来の温度試験用の半導体測定装置は以上のように構成
されているので、導入チューブ５の通過時間により、被
測定半導体装置の温度が左右され、しかも、モニタされ
る温度が導入チューブ５または測定用チェンバ１の内部
温度であるため、被測定半導体装置の内部ペレット温度
との差異が生じやすく、特に、パワー素子では、この傾
向が著しくなるという問題点があった。
されているので、導入チューブ５の通過時間により、被
測定半導体装置の温度が左右され、しかも、モニタされ
る温度が導入チューブ５または測定用チェンバ１の内部
温度であるため、被測定半導体装置の内部ペレット温度
との差異が生じやすく、特に、パワー素子では、この傾
向が著しくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定できる半導体測定装置を得る
こと目的とする。
たもので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定できる半導体測定装置を得る
こと目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体測定装置は、被測定半導体装置内
部に形成されているＰＮ接合部の順方向降下電圧が設定
温度に対応する値となるよう上記被測定半導体装置の温
度調整を行う温度調整手段を設けたものである。
部に形成されているＰＮ接合部の順方向降下電圧が設定
温度に対応する値となるよう上記被測定半導体装置の温
度調整を行う温度調整手段を設けたものである。
この発明においては、被測定半導体装置内部に形成され
ているＰＮ接合部の順方向降下電圧が設定温度に対応す
る値となるよう上記被測定半導体装置の温度調整を行う
ようにしたので、被測定半導体装置内部のダイオードの
順方向降下電圧がその温度変化により常温値に対し一定
の割合で増減することから、上記ダイオードを含む被測
定半導体装置の内部ペレットの温度を正確に把握でき、
測定温度精度を向上できる。
ているＰＮ接合部の順方向降下電圧が設定温度に対応す
る値となるよう上記被測定半導体装置の温度調整を行う
ようにしたので、被測定半導体装置内部のダイオードの
順方向降下電圧がその温度変化により常温値に対し一定
の割合で増減することから、上記ダイオードを含む被測
定半導体装置の内部ペレットの温度を正確に把握でき、
測定温度精度を向上できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体測定装置を示し
、図において、１は測定用チェンバ、２は測定下のＰＮ
接合部を有する半導体装置、３は加熱又は冷却装置、５
は導入チューブ、６は搬出チューブ、７は収容チューブ
、８は測定前の被測定半導体装置、１０は温度設定用基
準電圧、１１は温度に関する信号入力つまりその温度に
おけるＰＮ接合部の順方向降下電圧を被測定半導体装置
２の端子から得て、温度設定用基準電圧１０と比較し、
測定用チェンバ１内の加熱用又は冷却用の装置３を制御
する誤差増幅器、１２は導入チューブ５内の加熱・冷却
装置３の駆動（制御）用増幅器、１３は導入チューブ内
での温度設定用基準電圧である。
、図において、１は測定用チェンバ、２は測定下のＰＮ
接合部を有する半導体装置、３は加熱又は冷却装置、５
は導入チューブ、６は搬出チューブ、７は収容チューブ
、８は測定前の被測定半導体装置、１０は温度設定用基
準電圧、１１は温度に関する信号入力つまりその温度に
おけるＰＮ接合部の順方向降下電圧を被測定半導体装置
２の端子から得て、温度設定用基準電圧１０と比較し、
測定用チェンバ１内の加熱用又は冷却用の装置３を制御
する誤差増幅器、１２は導入チューブ５内の加熱・冷却
装置３の駆動（制御）用増幅器、１３は導入チューブ内
での温度設定用基準電圧である。
また、第３図及び第４図はＰＮ接合ダイオードの基本特
性を示し、第３図は順方向降下電圧■。
性を示し、第３図は順方向降下電圧■。
と順方向電流■、の特性を、第４図は一定の順方向電流
を加えた状態での順方向降下電圧ＶＦの温度Ｔ、に対す
る特性を示す。これらの図から、常温Ｔ０及びこれと異
なる温度Ｔ、での順方向降下電圧を各々Ｖ、。、■、１
とすると、 Ｔ＋ Ｔ。
を加えた状態での順方向降下電圧ＶＦの温度Ｔ、に対す
る特性を示す。これらの図から、常温Ｔ０及びこれと異
なる温度Ｔ、での順方向降下電圧を各々Ｖ、。、■、１
とすると、 Ｔ＋ Ｔ。
となり、これから
が得られる。ここで■２゜、に、Ｔｏは予め測定可能な
ものであるから、■□を測定すれば、半導体装置内部ペ
レットの温度Ｔ、を求められることがわかる。一般に半
導体装置、とりわけバイポーラ型集積回路では、ＰＮ接
合ダイオードを多数内蔵し、かつまた、構造上も、Ｐ型
基板をアノードとする寄生ダイオードも随所に存在する
。この寄生ダイオードは、通常のバイアス状態ではダイ
オードとして働かないように設定されているが、電位関
係を逆転した場合などではＰＮ接合が順方向にバイアス
され、ダイオード特性を示す。
ものであるから、■□を測定すれば、半導体装置内部ペ
レットの温度Ｔ、を求められることがわかる。一般に半
導体装置、とりわけバイポーラ型集積回路では、ＰＮ接
合ダイオードを多数内蔵し、かつまた、構造上も、Ｐ型
基板をアノードとする寄生ダイオードも随所に存在する
。この寄生ダイオードは、通常のバイアス状態ではダイ
オードとして働かないように設定されているが、電位関
係を逆転した場合などではＰＮ接合が順方向にバイアス
され、ダイオード特性を示す。
第１図に示す本実施例装置では上記データの順方向降下
電圧と内部ペレット温度との一意性を用いて温度試験を
行なう装置である。
電圧と内部ペレット温度との一意性を用いて温度試験を
行なう装置である。
次に動作について説明する。
被測定半導体装置では予め温度をモニタするためのＰＮ
接合が決められており、上記第ｔ１）、 ＋２３弐にあ
る■、。やＫが求められている。温度設定基準電圧αω
は測定温度Ｔ＋での順方向降下電圧Ｖ、であるＶＦＩに
設定される。被測定半導体装置８は導入チューブ５で前
加熱されて、測定チューブ１内の測定ヘッドに入る。こ
の後、その順方向降下電圧Ｖ、の値が上記Ｖ□になるよ
う誤差増幅器１１が加熱用又は冷却用の装置３を制御す
る。このようにして、内部ペレットの温度が設定温度に
なったことを確認してから測定を開始できるので、温度
ズレによる誤測定を極力抑えることができる。
接合が決められており、上記第ｔ１）、 ＋２３弐にあ
る■、。やＫが求められている。温度設定基準電圧αω
は測定温度Ｔ＋での順方向降下電圧Ｖ、であるＶＦＩに
設定される。被測定半導体装置８は導入チューブ５で前
加熱されて、測定チューブ１内の測定ヘッドに入る。こ
の後、その順方向降下電圧Ｖ、の値が上記Ｖ□になるよ
う誤差増幅器１１が加熱用又は冷却用の装置３を制御す
る。このようにして、内部ペレットの温度が設定温度に
なったことを確認してから測定を開始できるので、温度
ズレによる誤測定を極力抑えることができる。
このように本実施例では、温度試験装置の温度信号を被
測定半導体装置内部のダイオード（ＰＮ接合）の順方向
降下電圧を用いて求めるようにしたので、測定温度精度
を向上できる。
測定半導体装置内部のダイオード（ＰＮ接合）の順方向
降下電圧を用いて求めるようにしたので、測定温度精度
を向上できる。
以上のように、この発明にかかる半導体測定装置によれ
ば、被測定半導体装置内部に形成されているＰＮ接合部
の順方向降下電圧が設定温度に対応する値となるよう上
記被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を設
けたので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定でき、これにより測定温度精
度を向上できる効果がある。
ば、被測定半導体装置内部に形成されているＰＮ接合部
の順方向降下電圧が設定温度に対応する値となるよう上
記被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を設
けたので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定でき、これにより測定温度精
度を向上できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体測定装置の概
要を示す図、第２図は従来の半導体測定装置の概要を示
す図、第３図及び第４図はそれぞれダイオード（ＰＮ接
合）の基本特性を示す図である。 １・・・測定用チェンバ、２・・・被測定半導体装置、
３・・・加熱・冷却装置、５・・・導入チューブ、６・
・・搬出チューブ、７・・・収納チューブ、８・・・測
定前の被測定半導体装置、１０・・・温度設定用基準電
圧、１１・・・誤差増幅器、１２・・・駆動用増幅器、
１３・・・温度設定用基準電圧。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
要を示す図、第２図は従来の半導体測定装置の概要を示
す図、第３図及び第４図はそれぞれダイオード（ＰＮ接
合）の基本特性を示す図である。 １・・・測定用チェンバ、２・・・被測定半導体装置、
３・・・加熱・冷却装置、５・・・導入チューブ、６・
・・搬出チューブ、７・・・収納チューブ、８・・・測
定前の被測定半導体装置、１０・・・温度設定用基準電
圧、１１・・・誤差増幅器、１２・・・駆動用増幅器、
１３・・・温度設定用基準電圧。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）被測定半導体装置を常温以外の所定の温度に設定
した状態で被測定半導体装置の電気的試験を行なう半導
体測定装置において、 被測定半導体装置内部に形成されているＰＮ接合部の順
方向降下電圧値が設定温度に対応する値となるよう上記
被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を備え
たことを特徴とする半導体測定装置。 - （２）上記温度調整手段は、試験用チェンバ内に設けら
れた加熱・冷却装置及び温度設定用基準電圧と上記ＰＮ
接合部の順方向降下電圧とを比較し、その結果に基づい
て上記加熱・冷却装置を制御する増幅器から構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151487A JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151487A JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63274883A true JPS63274883A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14563242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11151487A Pending JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63274883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05180898A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 低温ハンドラの温度制御方式 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11151487A patent/JPS63274883A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05180898A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 低温ハンドラの温度制御方式 |
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