JPS63274883A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
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- JPS63274883A JPS63274883A JP11151487A JP11151487A JPS63274883A JP S63274883 A JPS63274883 A JP S63274883A JP 11151487 A JP11151487 A JP 11151487A JP 11151487 A JP11151487 A JP 11151487A JP S63274883 A JPS63274883 A JP S63274883A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体測定装置に関し、特に半導体装置の電
気的試験を行なうものに関するものである。
気的試験を行なうものに関するものである。
第2図は従来の温度試験用の半導体測定装置を示し、図
において、1は測定用チェンバ、2は測定下の半導体装
置、3は加熱用または冷却用の装置、4は温度センサ、
5は導入チューブ、6は搬出チューブ1.7は収納チュ
ーブ、8は測定前の半導体装置、9は加算器、10は温
度設定用基準電圧、11は誤差増幅器である。
において、1は測定用チェンバ、2は測定下の半導体装
置、3は加熱用または冷却用の装置、4は温度センサ、
5は導入チューブ、6は搬出チューブ1.7は収納チュ
ーブ、8は測定前の半導体装置、9は加算器、10は温
度設定用基準電圧、11は誤差増幅器である。
次に動作について説明する。
測定用チェンバ1には測定用ヘッドが組み込まれており
、内部温度は温度センサ4や誤差増幅器11により、測
定温度(設定温度)に近い温度になっている。また、導
入チューブ5内も同様の働きにより、前記設定温度に準
じる温度となっている。この設定温度は温度設定用基準
電圧10を調整することで変更できる。導入チューブ5
は、通常、測定前の半導体装置8で満たされており、こ
のため、被測定用半導体装置2が導入チューブ5に入っ
てから、測定用チェンバ1にたどりつくまでの時間は、
はぼ一定となり、測定開始時における半導体装置2の温
度を一定の幅内に抑えることができる。
、内部温度は温度センサ4や誤差増幅器11により、測
定温度(設定温度)に近い温度になっている。また、導
入チューブ5内も同様の働きにより、前記設定温度に準
じる温度となっている。この設定温度は温度設定用基準
電圧10を調整することで変更できる。導入チューブ5
は、通常、測定前の半導体装置8で満たされており、こ
のため、被測定用半導体装置2が導入チューブ5に入っ
てから、測定用チェンバ1にたどりつくまでの時間は、
はぼ一定となり、測定開始時における半導体装置2の温
度を一定の幅内に抑えることができる。
従来の温度試験用の半導体測定装置は以上のように構成
されているので、導入チューブ5の通過時間により、被
測定半導体装置の温度が左右され、しかも、モニタされ
る温度が導入チューブ5または測定用チェンバ1の内部
温度であるため、被測定半導体装置の内部ペレット温度
との差異が生じやすく、特に、パワー素子では、この傾
向が著しくなるという問題点があった。
されているので、導入チューブ5の通過時間により、被
測定半導体装置の温度が左右され、しかも、モニタされ
る温度が導入チューブ5または測定用チェンバ1の内部
温度であるため、被測定半導体装置の内部ペレット温度
との差異が生じやすく、特に、パワー素子では、この傾
向が著しくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定できる半導体測定装置を得る
こと目的とする。
たもので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定できる半導体測定装置を得る
こと目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体測定装置は、被測定半導体装置内
部に形成されているPN接合部の順方向降下電圧が設定
温度に対応する値となるよう上記被測定半導体装置の温
度調整を行う温度調整手段を設けたものである。
部に形成されているPN接合部の順方向降下電圧が設定
温度に対応する値となるよう上記被測定半導体装置の温
度調整を行う温度調整手段を設けたものである。
この発明においては、被測定半導体装置内部に形成され
ているPN接合部の順方向降下電圧が設定温度に対応す
る値となるよう上記被測定半導体装置の温度調整を行う
ようにしたので、被測定半導体装置内部のダイオードの
順方向降下電圧がその温度変化により常温値に対し一定
の割合で増減することから、上記ダイオードを含む被測
定半導体装置の内部ペレットの温度を正確に把握でき、
測定温度精度を向上できる。
ているPN接合部の順方向降下電圧が設定温度に対応す
る値となるよう上記被測定半導体装置の温度調整を行う
ようにしたので、被測定半導体装置内部のダイオードの
順方向降下電圧がその温度変化により常温値に対し一定
の割合で増減することから、上記ダイオードを含む被測
定半導体装置の内部ペレットの温度を正確に把握でき、
測定温度精度を向上できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体測定装置を示し
、図において、1は測定用チェンバ、2は測定下のPN
接合部を有する半導体装置、3は加熱又は冷却装置、5
は導入チューブ、6は搬出チューブ、7は収容チューブ
、8は測定前の被測定半導体装置、10は温度設定用基
準電圧、11は温度に関する信号入力つまりその温度に
おけるPN接合部の順方向降下電圧を被測定半導体装置
2の端子から得て、温度設定用基準電圧10と比較し、
測定用チェンバ1内の加熱用又は冷却用の装置3を制御
する誤差増幅器、12は導入チューブ5内の加熱・冷却
装置3の駆動(制御)用増幅器、13は導入チューブ内
での温度設定用基準電圧である。
、図において、1は測定用チェンバ、2は測定下のPN
接合部を有する半導体装置、3は加熱又は冷却装置、5
は導入チューブ、6は搬出チューブ、7は収容チューブ
、8は測定前の被測定半導体装置、10は温度設定用基
準電圧、11は温度に関する信号入力つまりその温度に
おけるPN接合部の順方向降下電圧を被測定半導体装置
2の端子から得て、温度設定用基準電圧10と比較し、
測定用チェンバ1内の加熱用又は冷却用の装置3を制御
する誤差増幅器、12は導入チューブ5内の加熱・冷却
装置3の駆動(制御)用増幅器、13は導入チューブ内
での温度設定用基準電圧である。
また、第3図及び第4図はPN接合ダイオードの基本特
性を示し、第3図は順方向降下電圧■。
性を示し、第3図は順方向降下電圧■。
と順方向電流■、の特性を、第4図は一定の順方向電流
を加えた状態での順方向降下電圧VFの温度T、に対す
る特性を示す。これらの図から、常温T0及びこれと異
なる温度T、での順方向降下電圧を各々V、。、■、1
とすると、 T+ T。
を加えた状態での順方向降下電圧VFの温度T、に対す
る特性を示す。これらの図から、常温T0及びこれと異
なる温度T、での順方向降下電圧を各々V、。、■、1
とすると、 T+ T。
となり、これから
が得られる。ここで■2゜、に、Toは予め測定可能な
ものであるから、■□を測定すれば、半導体装置内部ペ
レットの温度T、を求められることがわかる。一般に半
導体装置、とりわけバイポーラ型集積回路では、PN接
合ダイオードを多数内蔵し、かつまた、構造上も、P型
基板をアノードとする寄生ダイオードも随所に存在する
。この寄生ダイオードは、通常のバイアス状態ではダイ
オードとして働かないように設定されているが、電位関
係を逆転した場合などではPN接合が順方向にバイアス
され、ダイオード特性を示す。
ものであるから、■□を測定すれば、半導体装置内部ペ
レットの温度T、を求められることがわかる。一般に半
導体装置、とりわけバイポーラ型集積回路では、PN接
合ダイオードを多数内蔵し、かつまた、構造上も、P型
基板をアノードとする寄生ダイオードも随所に存在する
。この寄生ダイオードは、通常のバイアス状態ではダイ
オードとして働かないように設定されているが、電位関
係を逆転した場合などではPN接合が順方向にバイアス
され、ダイオード特性を示す。
第1図に示す本実施例装置では上記データの順方向降下
電圧と内部ペレット温度との一意性を用いて温度試験を
行なう装置である。
電圧と内部ペレット温度との一意性を用いて温度試験を
行なう装置である。
次に動作について説明する。
被測定半導体装置では予め温度をモニタするためのPN
接合が決められており、上記第t1)、 +23弐にあ
る■、。やKが求められている。温度設定基準電圧αω
は測定温度T+での順方向降下電圧V、であるVFIに
設定される。被測定半導体装置8は導入チューブ5で前
加熱されて、測定チューブ1内の測定ヘッドに入る。こ
の後、その順方向降下電圧V、の値が上記V□になるよ
う誤差増幅器11が加熱用又は冷却用の装置3を制御す
る。このようにして、内部ペレットの温度が設定温度に
なったことを確認してから測定を開始できるので、温度
ズレによる誤測定を極力抑えることができる。
接合が決められており、上記第t1)、 +23弐にあ
る■、。やKが求められている。温度設定基準電圧αω
は測定温度T+での順方向降下電圧V、であるVFIに
設定される。被測定半導体装置8は導入チューブ5で前
加熱されて、測定チューブ1内の測定ヘッドに入る。こ
の後、その順方向降下電圧V、の値が上記V□になるよ
う誤差増幅器11が加熱用又は冷却用の装置3を制御す
る。このようにして、内部ペレットの温度が設定温度に
なったことを確認してから測定を開始できるので、温度
ズレによる誤測定を極力抑えることができる。
このように本実施例では、温度試験装置の温度信号を被
測定半導体装置内部のダイオード(PN接合)の順方向
降下電圧を用いて求めるようにしたので、測定温度精度
を向上できる。
測定半導体装置内部のダイオード(PN接合)の順方向
降下電圧を用いて求めるようにしたので、測定温度精度
を向上できる。
以上のように、この発明にかかる半導体測定装置によれ
ば、被測定半導体装置内部に形成されているPN接合部
の順方向降下電圧が設定温度に対応する値となるよう上
記被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を設
けたので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定でき、これにより測定温度精
度を向上できる効果がある。
ば、被測定半導体装置内部に形成されているPN接合部
の順方向降下電圧が設定温度に対応する値となるよう上
記被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を設
けたので、被測定半導体装置の内部ペレットの温度を所
定の測定温度に正確に設定でき、これにより測定温度精
度を向上できる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体測定装置の概
要を示す図、第2図は従来の半導体測定装置の概要を示
す図、第3図及び第4図はそれぞれダイオード(PN接
合)の基本特性を示す図である。 1・・・測定用チェンバ、2・・・被測定半導体装置、
3・・・加熱・冷却装置、5・・・導入チューブ、6・
・・搬出チューブ、7・・・収納チューブ、8・・・測
定前の被測定半導体装置、10・・・温度設定用基準電
圧、11・・・誤差増幅器、12・・・駆動用増幅器、
13・・・温度設定用基準電圧。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
要を示す図、第2図は従来の半導体測定装置の概要を示
す図、第3図及び第4図はそれぞれダイオード(PN接
合)の基本特性を示す図である。 1・・・測定用チェンバ、2・・・被測定半導体装置、
3・・・加熱・冷却装置、5・・・導入チューブ、6・
・・搬出チューブ、7・・・収納チューブ、8・・・測
定前の被測定半導体装置、10・・・温度設定用基準電
圧、11・・・誤差増幅器、12・・・駆動用増幅器、
13・・・温度設定用基準電圧。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)被測定半導体装置を常温以外の所定の温度に設定
した状態で被測定半導体装置の電気的試験を行なう半導
体測定装置において、 被測定半導体装置内部に形成されているPN接合部の順
方向降下電圧値が設定温度に対応する値となるよう上記
被測定半導体装置の温度調整を行う温度調整手段を備え
たことを特徴とする半導体測定装置。 - (2)上記温度調整手段は、試験用チェンバ内に設けら
れた加熱・冷却装置及び温度設定用基準電圧と上記PN
接合部の順方向降下電圧とを比較し、その結果に基づい
て上記加熱・冷却装置を制御する増幅器から構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導
体測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11151487A JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11151487A JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63274883A true JPS63274883A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14563242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11151487A Pending JPS63274883A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 半導体測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63274883A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05180898A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 低温ハンドラの温度制御方式 |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11151487A patent/JPS63274883A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05180898A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 低温ハンドラの温度制御方式 |
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