JPS63271856A - イオンビ−ム蒸着装置 - Google Patents
イオンビ−ム蒸着装置Info
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- JPS63271856A JPS63271856A JP62106695A JP10669587A JPS63271856A JP S63271856 A JPS63271856 A JP S63271856A JP 62106695 A JP62106695 A JP 62106695A JP 10669587 A JP10669587 A JP 10669587A JP S63271856 A JPS63271856 A JP S63271856A
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- deceleration electrode
- electrode
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 10
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体集積回路等の薄膜を形成するイオン
ビーム蒸着装置に関し、さらに詳しくは、2種類のイオ
ンビームを低エネルギーで同時に試料に照射する方法を
可能にする装置に関する。
ビーム蒸着装置に関し、さらに詳しくは、2種類のイオ
ンビームを低エネルギーで同時に試料に照射する方法を
可能にする装置に関する。
従来の技術
イオンビーム蒸着法のために数eVから数100eVの
低エネルギーイオンビームを得る1つの手法として、高
電圧で引き出されたイオンビームを減速する方法がある
。
低エネルギーイオンビームを得る1つの手法として、高
電圧で引き出されたイオンビームを減速する方法がある
。
従来のこの種のイオンビーム蒸着装置は、例えば、J、
H,Freeman、at al、:Nucl、In5
tr、andMe t h、ぎ01.135(1976
)P、1 、 に示されている。第4図にFreem
an らが設計したイオンビームの減速系を示す。
H,Freeman、at al、:Nucl、In5
tr、andMe t h、ぎ01.135(1976
)P、1 、 に示されている。第4図にFreem
an らが設計したイオンビームの減速系を示す。
第4図において、1は真空室、この真空室1の内部には
真空室1とは電気的に絶縁された試料台2、試料台の手
前にはアース電位減速電極3、減速電極3の手前にはア
ース電位のビーム制限電極4が取り付けられている。ま
たそれぞれの電極にはイオンビーム5が通過できる穴が
開けである。
真空室1とは電気的に絶縁された試料台2、試料台の手
前にはアース電位減速電極3、減速電極3の手前にはア
ース電位のビーム制限電極4が取り付けられている。ま
たそれぞれの電極にはイオンビーム5が通過できる穴が
開けである。
以上のように構成されたイオンビーム蒸着装置について
、以下その動作について説明する。例えば、12KeV
のエネルギーを持つイオンビーム6が試料台2に入射
してきた時、減速電源6により、試料台2電位を11.
95KVにすると、試料台2のリング部7と減速電極3
との間で形成される電界によってイオンピーA5は減速
され、試料台2上では50eVのエネルギーになる。ま
た、イオンビーム6の空間電荷による発散を抑えるため
に、第5図に示したように、試料台2のリング部8の形
状を変えることによシ、減速電極3とリング部8が形成
する電界により、イオンビーム6は試料台2上で集束す
る。また、第6図に示したように試料台2と減速電極3
とをイオンビーム5の入射方向に対して傾ける事によシ
、イオンビーム5を試料台2上で曲げる事ができる。
、以下その動作について説明する。例えば、12KeV
のエネルギーを持つイオンビーム6が試料台2に入射
してきた時、減速電源6により、試料台2電位を11.
95KVにすると、試料台2のリング部7と減速電極3
との間で形成される電界によってイオンピーA5は減速
され、試料台2上では50eVのエネルギーになる。ま
た、イオンビーム6の空間電荷による発散を抑えるため
に、第5図に示したように、試料台2のリング部8の形
状を変えることによシ、減速電極3とリング部8が形成
する電界により、イオンビーム6は試料台2上で集束す
る。また、第6図に示したように試料台2と減速電極3
とをイオンビーム5の入射方向に対して傾ける事によシ
、イオンビーム5を試料台2上で曲げる事ができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、減速電極と試料台
とを一組として動かしてイオンビーム軌道を変化させる
ので、一方向のビームに対してだけ減速電界を自由に変
えることしかできないので、2方向から入射してくる2
種類のイオンビームを同時に減速して、試料上でスポッ
トを合わせることは困難であった。
とを一組として動かしてイオンビーム軌道を変化させる
ので、一方向のビームに対してだけ減速電界を自由に変
えることしかできないので、2方向から入射してくる2
種類のイオンビームを同時に減速して、試料上でスポッ
トを合わせることは困難であった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決する技術的な手段として、高
電圧減速電極が2本のイオンビームが成す角度の2等分
線上で折れ曲がるとともにアース電位減速電極に対する
角度が上記2等分線を中心として左右同じだけ連続的に
変化するようにしたものである。
電圧減速電極が2本のイオンビームが成す角度の2等分
線上で折れ曲がるとともにアース電位減速電極に対する
角度が上記2等分線を中心として左右同じだけ連続的に
変化するようにしたものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、高電圧減速電極のアース電位減速電極に対す
る角度を変えることにより、ビームに対する減速電界の
均一性が変化するために、2方向から入射してくるビー
ムを偏向させることができ、試料台上でビームスポット
を合わせることができる。
る角度を変えることにより、ビームに対する減速電界の
均一性が変化するために、2方向から入射してくるビー
ムを偏向させることができ、試料台上でビームスポット
を合わせることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとづいて説明す
る。
る。
第1図において9は真空室、この真空室9内部には真空
室9とは電気的に絶縁された試料台10、試料台10の
手前には試料台と同じ電位の高電圧減速電極111.高
電圧減速電極11の手前にはアース電位減速電極12、
アース電位減速電極12の手前にはアース電位のビーム
制限電極13が取り付けられている。
室9とは電気的に絶縁された試料台10、試料台10の
手前には試料台と同じ電位の高電圧減速電極111.高
電圧減速電極11の手前にはアース電位減速電極12、
アース電位減速電極12の手前にはアース電位のビーム
制限電極13が取り付けられている。
また、それぞれの電極は試料台上で出合うようにイオン
ビームA14及びイオンビームB15が通過できる2個
の穴が開けてあり、それぞれのイオンビームの入射方向
に垂直になるように、くの字型に曲げである。
ビームA14及びイオンビームB15が通過できる2個
の穴が開けてあり、それぞれのイオンビームの入射方向
に垂直になるように、くの字型に曲げである。
また、高電圧減速電極11はイオンビームA14とイオ
ンビームB115の入射方向の成す角度の2等分線の方
向のX線上で2枚に分かれておシ、蝶番16で連結され
ている。高電圧減速電極11を構成する2枚の板の一方
は、真空室9に真空を保つように取り付けられた直線導
入機17に絶縁棒18を介して連結されており、もう一
方の板は試料台10に装着しであるレール19の上を自
由にり付けられた絶縁物ガイド棒2oにて移動可能に案
内されている。すなわち、高電圧減速電極11は直線導
入機17をY方向に動かすことにより、アース電位減速
電極12の2個の穴に対してX軸を中心に対称にかつ等
しい角度を形成するように、ガイド棒20に添って折れ
曲がる。また、試料台10及び高電圧減速電極11は電
源21によって、イオンビームの最終エネルギーを決め
る電位に制御される。
ンビームB115の入射方向の成す角度の2等分線の方
向のX線上で2枚に分かれておシ、蝶番16で連結され
ている。高電圧減速電極11を構成する2枚の板の一方
は、真空室9に真空を保つように取り付けられた直線導
入機17に絶縁棒18を介して連結されており、もう一
方の板は試料台10に装着しであるレール19の上を自
由にり付けられた絶縁物ガイド棒2oにて移動可能に案
内されている。すなわち、高電圧減速電極11は直線導
入機17をY方向に動かすことにより、アース電位減速
電極12の2個の穴に対してX軸を中心に対称にかつ等
しい角度を形成するように、ガイド棒20に添って折れ
曲がる。また、試料台10及び高電圧減速電極11は電
源21によって、イオンビームの最終エネルギーを決め
る電位に制御される。
以上のように構成されたイオンビーム蒸着装置について
、第1図、第2図及び第3図を用いてその動作を説明す
る。まず第2図はタンタルイオンビーム゛22及び酸素
イオンビーム23の最終エネルギーが50eV (12
KeV のイオンビームに対して試料台1oの電位を+
11.95KVにしである)、電流量がそれぞれ20μ
A、50μAの時のビーム軌道のシミュレーション結果
である。
、第1図、第2図及び第3図を用いてその動作を説明す
る。まず第2図はタンタルイオンビーム゛22及び酸素
イオンビーム23の最終エネルギーが50eV (12
KeV のイオンビームに対して試料台1oの電位を+
11.95KVにしである)、電流量がそれぞれ20μ
A、50μAの時のビーム軌道のシミュレーション結果
である。
高電圧減速電極11とアース電位減速電極12が平行の
時は高電圧減速電極11の両方の穴にはいり込んだ電界
24の傾斜のためビームが試料台10の手前で曲げられ
る。
時は高電圧減速電極11の両方の穴にはいり込んだ電界
24の傾斜のためビームが試料台10の手前で曲げられ
る。
第3図は第2図でのビームの曲がりを補正するために高
電圧減速電極11をアース電位減速電極12に対して傾
けた時のシミュレーション結果であり、高電圧減速電極
11の角度を変えることにより、タンタルイオンビーム
22と酸素イオンビーム23が、試料台10上で出合わ
せることができる。すなわち、高電圧減速電極11とア
ース電位減速電極12の間にかかる電界を不均一にする
ことにより、ビーム軌道を補正することができる。
電圧減速電極11をアース電位減速電極12に対して傾
けた時のシミュレーション結果であり、高電圧減速電極
11の角度を変えることにより、タンタルイオンビーム
22と酸素イオンビーム23が、試料台10上で出合わ
せることができる。すなわち、高電圧減速電極11とア
ース電位減速電極12の間にかかる電界を不均一にする
ことにより、ビーム軌道を補正することができる。
また、第1図において真空室9の外部から直線導入機1
7を使って高電位減速電極11の角度を連続的に変えら
れるようにすることにより、イオンビームA14とイオ
ンビームB15の電流量やエネルギーをそれぞれ独立に
変化させても両方のビームが試料台10上で出合う所を
見つけることができる。
7を使って高電位減速電極11の角度を連続的に変えら
れるようにすることにより、イオンビームA14とイオ
ンビームB15の電流量やエネルギーをそれぞれ独立に
変化させても両方のビームが試料台10上で出合う所を
見つけることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、2方向から入射して来るイオン
ビームを同時に減速して試料に堆積させる時に、高電圧
減速電極のアース電位減速電極に対する角度を真空室外
側から2本のビームに対して相対的に変化させることに
より、試料台上でのイオンビームのスポットを合わせる
ことができる。
ビームを同時に減速して試料に堆積させる時に、高電圧
減速電極のアース電位減速電極に対する角度を真空室外
側から2本のビームに対して相対的に変化させることに
より、試料台上でのイオンビームのスポットを合わせる
ことができる。
これによりイオンビームによる2元物質の合成が可能に
なる。また、例えば組成比はビーム量を変えることによ
りコントロールできるので、高品質の2元物質膜を形成
することができる。
なる。また、例えば組成比はビーム量を変えることによ
りコントロールできるので、高品質の2元物質膜を形成
することができる。
第1図は本発明の実施例におけるイオンビーム蒸着装置
の断面図、第2図及び第3図は第1図の動作説明図、第
4図は従来のイオンビーム蒸着装置の断面図、第6図及
び第6図は第4図の動作説明図である。 9・・・・・・真空室、10・・・・・・試料台、11
・・・・・・高電圧減速電極、12・・・・・・アース
電位減速電極、14・・・・・・イオンビームA、16
・・・・・・イオンビームB。 17・・・・・・直線導入機。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名9−
X宇室 to−Hr46 1f−壬電A5べ還覧兎 f2・−アースを位“ t3−げ−7,@P¥膏砲 14−−−イχンビー4A f7−・一連麿に専へ羽( jB−−H!を捧 1q−−−L−ル
の断面図、第2図及び第3図は第1図の動作説明図、第
4図は従来のイオンビーム蒸着装置の断面図、第6図及
び第6図は第4図の動作説明図である。 9・・・・・・真空室、10・・・・・・試料台、11
・・・・・・高電圧減速電極、12・・・・・・アース
電位減速電極、14・・・・・・イオンビームA、16
・・・・・・イオンビームB。 17・・・・・・直線導入機。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名9−
X宇室 to−Hr46 1f−壬電A5べ還覧兎 f2・−アースを位“ t3−げ−7,@P¥膏砲 14−−−イχンビー4A f7−・一連麿に専へ羽( jB−−H!を捧 1q−−−L−ル
Claims (3)
- (1)真空室と、真空室の内部に取り付けられ真空室と
は電気的に絶縁された試料台と、2方向から試料台上で
出合うように入射される2本の正イオンビームと、試料
台の手前にあって前記2本のイオンビームが通過できる
ように2個の穴が開けられた高電圧減速電極と、その手
前に前記2本のビームが通過できるように2個の穴が開
けられたくの字型のアース電位減速電極と、イオンビー
ムの最終エネルギーを決めるために試料台と高電圧減速
電極にイオンビームを減速する電位を印加する手段と、
高電圧減速電極とアース電位減速電極との間で減速電界
が印加できる手段とを備え、上記高電圧減速電極は前記
2本のイオンビームが成す角度の2等分線上で折れ曲が
るとともにアース電位減速電極に対する角度が前記2等
分線を中心として左右同じだけ連続的に変化するように
構成したイオンビーム蒸着装置。 - (2)高電圧減速電極は、真空室外部に設けられた直線
導入機にてアース電位減速電極に対する角度が変わるよ
うに構成されている特許請求の範囲第1項記載のイオン
ビーム蒸着装置。 - (3)2本のイオンビームが試料台上で作る角度は10
度以上80度以下である特許請求の範囲第1項記載のイ
オンビーム蒸着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62106695A JPH088084B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | イオンビ−ム蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62106695A JPH088084B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | イオンビ−ム蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63271856A true JPS63271856A (ja) | 1988-11-09 |
JPH088084B2 JPH088084B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14440166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62106695A Expired - Fee Related JPH088084B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | イオンビ−ム蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH088084B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054528A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Ulvac Co., Ltd | イオン注入装置 |
JP2022510432A (ja) * | 2018-12-07 | 2022-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
US11715621B2 (en) | 2018-12-17 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62106695A patent/JPH088084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006054528A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Ulvac Co., Ltd | イオン注入装置 |
KR100848959B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2008-07-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 이온주입장치 |
US7511288B2 (en) | 2004-11-19 | 2009-03-31 | Ulvac Co., Ltd | Ion implantation device |
JP2022510432A (ja) * | 2018-12-07 | 2022-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
US11967489B2 (en) | 2018-12-07 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and techniques for angled etching using multielectrode extraction source |
US11715621B2 (en) | 2018-12-17 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH088084B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |