JPS63269031A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS63269031A JPS63269031A JP10410087A JP10410087A JPS63269031A JP S63269031 A JPS63269031 A JP S63269031A JP 10410087 A JP10410087 A JP 10410087A JP 10410087 A JP10410087 A JP 10410087A JP S63269031 A JPS63269031 A JP S63269031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- metal layer
- solder
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、近年自動車をはじめ広い産業分野にて圧力の
検出または測定に使用されている半導体圧力センサに関
する。
検出または測定に使用されている半導体圧力センサに関
する。
半導体圧力センサは、第2図fa1.(b)に示すよう
な半導体感圧部1を用いる。感圧部1は、数鶴角のシリ
コン片11の中央部を片側よりエツチングして数10−
の厚さにした円形のダイヤフラム部12ニ拡散により形
成したゲージ抵抗13を有する。このゲージ抵抗は、ダ
イヤフラム部12に圧力が加わると、ピエゾ抵抗効果に
より抵抗値が変化する。敢鶴角のシリコン片11のゲー
ジ抵抗以外の部分には、抵抗値変化を増幅したり温度等
の補償をする電パ回路が周知のIC技術により作り込ま
れ、電極5不14に接続されている。この感圧部1は、
第3図(コ如く導圧部21を有する金属基板22へ、半
導体とilF似した熱膨張係数をもつ材料からなるスペ
ーサ23を介して固定される。基板22上のスペーサ固
定部以外の部分には、前記シリコン片11上へ作り込ま
れない電子回路部分、例えばチップコンデンサや調整用
の抵抗などからなる電子回路を搭載したイーラミック基
板24が組み込まれている。感圧部1の電極14とセラ
ミック基板24上の電子回路は金やアルミニウム等の細
線25にて接続され、セラミック基板24上の電子回路
は外部端子26へ接続用金属片27をはんだ付けする方
法あるいはアルミニ4+ム腺等のボンディングにて接続
される。外部端子26はガラスブッシング28を介して
基板22の外へ引出される。また感圧部を含む電子回路
は、金属からなる蓋2を金属基板22に溶接にて固定す
ることによって外部より保護されている。
な半導体感圧部1を用いる。感圧部1は、数鶴角のシリ
コン片11の中央部を片側よりエツチングして数10−
の厚さにした円形のダイヤフラム部12ニ拡散により形
成したゲージ抵抗13を有する。このゲージ抵抗は、ダ
イヤフラム部12に圧力が加わると、ピエゾ抵抗効果に
より抵抗値が変化する。敢鶴角のシリコン片11のゲー
ジ抵抗以外の部分には、抵抗値変化を増幅したり温度等
の補償をする電パ回路が周知のIC技術により作り込ま
れ、電極5不14に接続されている。この感圧部1は、
第3図(コ如く導圧部21を有する金属基板22へ、半
導体とilF似した熱膨張係数をもつ材料からなるスペ
ーサ23を介して固定される。基板22上のスペーサ固
定部以外の部分には、前記シリコン片11上へ作り込ま
れない電子回路部分、例えばチップコンデンサや調整用
の抵抗などからなる電子回路を搭載したイーラミック基
板24が組み込まれている。感圧部1の電極14とセラ
ミック基板24上の電子回路は金やアルミニウム等の細
線25にて接続され、セラミック基板24上の電子回路
は外部端子26へ接続用金属片27をはんだ付けする方
法あるいはアルミニ4+ム腺等のボンディングにて接続
される。外部端子26はガラスブッシング28を介して
基板22の外へ引出される。また感圧部を含む電子回路
は、金属からなる蓋2を金属基板22に溶接にて固定す
ることによって外部より保護されている。
金属基板22と蓋2により形成される空間3は圧力測定
または検出の用途、即ち絶対圧測定か相対圧かにより密
閉、開放の両方式がとられる。相対圧測定には空間部3
へ一方の圧力を導入する導圧管31を開放とし、絶対圧
測定には空間部3を真空または所定の圧力にし、導圧管
31を押つぶしたり、はんだにて気密に封じる。もちろ
ん、端子26の基板22の貫通部はガラスブッシング2
8により気密に封じられており、基板22.12の溶接
も気密を保ち固定されている。
または検出の用途、即ち絶対圧測定か相対圧かにより密
閉、開放の両方式がとられる。相対圧測定には空間部3
へ一方の圧力を導入する導圧管31を開放とし、絶対圧
測定には空間部3を真空または所定の圧力にし、導圧管
31を押つぶしたり、はんだにて気密に封じる。もちろ
ん、端子26の基板22の貫通部はガラスブッシング2
8により気密に封じられており、基板22.12の溶接
も気密を保ち固定されている。
圧力の検出または測定は、導圧部21より圧力が加わる
と、感圧部1のゲージ抵抗13の抵抗値変化として検知
され、チップ11内電子回路およびセラミック基板24
に搭載された電子回路によって増幅。
と、感圧部1のゲージ抵抗13の抵抗値変化として検知
され、チップ11内電子回路およびセラミック基板24
に搭載された電子回路によって増幅。
補償されて外部端子26へ出力されることによって行わ
れる。
れる。
上記のような半導体圧力センサの金属基板および金属蓋
よりなる容器は、その構造において既存のパワートラン
ジスタのパッケージを踏堕したものが多く、外部端子が
長いリード線として突出しているため形状が太き(なり
、自動車等において狭い空間に挿入して使用しようとす
るときには大きな障害になっていた。また、感圧部をス
ペーサを介して固定するため構造が複雑で、組立てに手
数がかかった。
よりなる容器は、その構造において既存のパワートラン
ジスタのパッケージを踏堕したものが多く、外部端子が
長いリード線として突出しているため形状が太き(なり
、自動車等において狭い空間に挿入して使用しようとす
るときには大きな障害になっていた。また、感圧部をス
ペーサを介して固定するため構造が複雑で、組立てに手
数がかかった。
本発明の目的は、上記の障害を除くために、外部端子が
リード線として突出していない小形で、かつ構造の単純
な半導体圧力センサを提供することにある。
リード線として突出していない小形で、かつ構造の単純
な半導体圧力センサを提供することにある。
C問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために本発明は、ゲージ抵抗が形
成されたダイヤフラム部を有する半導体片および付属電
子回路が絶縁性基板と蓋よりなる容器に収容され、絶縁
性基板に設けられた圧力導入孔の周辺に半導体片が固定
され、絶縁性基板に設けられた貫通孔の内壁を覆う金属
層が電子回路と接続される基板上の配線と連結され、貫
通孔を充填し前記金属層に密着するろうにより基板の外
面側に突出する球形状突起電極が固定されたものとする
。
成されたダイヤフラム部を有する半導体片および付属電
子回路が絶縁性基板と蓋よりなる容器に収容され、絶縁
性基板に設けられた圧力導入孔の周辺に半導体片が固定
され、絶縁性基板に設けられた貫通孔の内壁を覆う金属
層が電子回路と接続される基板上の配線と連結され、貫
通孔を充填し前記金属層に密着するろうにより基板の外
面側に突出する球形状突起電極が固定されたものとする
。
外部端子を球形状突起電極とすることにより長いリード
線の突出がなくなり、基板を絶縁性基板とすることによ
り直接感圧部を基板上に固定でき、扁平な外形を形成し
、小形化される。
線の突出がなくなり、基板を絶縁性基板とすることによ
り直接感圧部を基板上に固定でき、扁平な外形を形成し
、小形化される。
第1図(al、(blは本発明の一実施例を示し、第3
図と共通の部分には同一の符号が付されており、(al
が断面図、山)が蓋をとった上面図である。この場合容
器は、底部をなす絶縁性基板4と金属製の蓋2とからな
る。基板4には中央部分に外部よりの圧力を導入する圧
力導入孔5および複数個の外部端子用の貫通孔6を存し
ている。また基板4は、電子回路配線基板を兼ねており
、例えば印刷焼成された導電性厚膜からなる配&171
が形成されている。配線71は、スパッタ方式による導
電材料層によって形成してもよい、さらに、基板4上に
は、電子回路配線71と同じ材料からなる金1N12が
圧力導入孔5の周囲および蓋2が結合される周縁部に形
成されている。また貫通孔6の内面から基板4の下面に
かけて配線71と連結される金属層73が形成されてい
る。絶縁性基板4としては、セラミック基板が適用でき
るが、感圧チップと熱膨張係数の近似した他の材質、例
えば珪化炭素、 AfNなどからなる板も用いることが
できる。
図と共通の部分には同一の符号が付されており、(al
が断面図、山)が蓋をとった上面図である。この場合容
器は、底部をなす絶縁性基板4と金属製の蓋2とからな
る。基板4には中央部分に外部よりの圧力を導入する圧
力導入孔5および複数個の外部端子用の貫通孔6を存し
ている。また基板4は、電子回路配線基板を兼ねており
、例えば印刷焼成された導電性厚膜からなる配&171
が形成されている。配線71は、スパッタ方式による導
電材料層によって形成してもよい、さらに、基板4上に
は、電子回路配線71と同じ材料からなる金1N12が
圧力導入孔5の周囲および蓋2が結合される周縁部に形
成されている。また貫通孔6の内面から基板4の下面に
かけて配線71と連結される金属層73が形成されてい
る。絶縁性基板4としては、セラミック基板が適用でき
るが、感圧チップと熱膨張係数の近似した他の材質、例
えば珪化炭素、 AfNなどからなる板も用いることが
できる。
半導体感圧部1は圧力導入孔5の周囲の金属層72とは
んだにより固定され、チップ11の面上の電極14が配
線71と導線25のワイヤボンディングで接続されてい
る。感圧部1よりの信号を調整、補償。
んだにより固定され、チップ11の面上の電極14が配
線71と導線25のワイヤボンディングで接続されてい
る。感圧部1よりの信号を調整、補償。
増幅するための電子回路は、チップ11内に集積される
部分と基板4上配線に実装される部分とからなり、例え
ばチップコンデンサ74や抵抗75がはんだ付けなどの
周知技術により配線71に接続される。
部分と基板4上配線に実装される部分とからなり、例え
ばチップコンデンサ74や抵抗75がはんだ付けなどの
周知技術により配線71に接続される。
貫通孔6ば、第4図に拡大して示すように、内面を経て
基板4の裏面まで導かれる金属層73の切断を避けるた
め、上下面周辺の角がとられている。
基板4の裏面まで導かれる金属層73の切断を避けるた
め、上下面周辺の角がとられている。
そして、貫通孔6の内径より大きい径を有する球状体8
がはんだ9により固定されている。この部分の組立は、
球状体8を基板4の貫通孔6の位置に対応する位置に置
いてから、その上に貫通孔が来るように基板4を載せ、
貫通孔6の上からはんだ片を落とし込み、炉などで加熱
する方法によって行うことができる。
がはんだ9により固定されている。この部分の組立は、
球状体8を基板4の貫通孔6の位置に対応する位置に置
いてから、その上に貫通孔が来るように基板4を載せ、
貫通孔6の上からはんだ片を落とし込み、炉などで加熱
する方法によって行うことができる。
球状体8の材質は、導電性を有し、はんだ付は可能なも
のであればよく、例えば銅球にニッケルめっきを施して
球状体を作成する。しかし、基板4の絶縁材料と熱膨張
係数が近似していることも有効で、Ni、 Coあるい
はFe−Ni合金で作成するかあるいは基板と同じ絶縁
材料を用い表面を金属被覆して導電性、はんだ付は性を
持たせてもよい。
のであればよく、例えば銅球にニッケルめっきを施して
球状体を作成する。しかし、基板4の絶縁材料と熱膨張
係数が近似していることも有効で、Ni、 Coあるい
はFe−Ni合金で作成するかあるいは基板と同じ絶縁
材料を用い表面を金属被覆して導電性、はんだ付は性を
持たせてもよい。
球状体8の形状は、第1図(atの右側の貫通孔に固定
されているような半球と円錐と円柱との複合形状体81
にしてもよい。
されているような半球と円錐と円柱との複合形状体81
にしてもよい。
蓋2は基板4の金属層72とはんだ9によりろう付けさ
れる。このはんだ付は部、感圧チップ11と金属Ji7
2とのはんだ付は部および球状体8.81のはんだによ
る固定部は気密であることが必要であり、また外気雰囲
気に対し耐食性を持たせる点よりはんだ9にAu−3n
系はんだを用いるのが望ましく、外気に触れる部分にあ
る金属層はすべてこのはんだで完全に被覆しておく。
れる。このはんだ付は部、感圧チップ11と金属Ji7
2とのはんだ付は部および球状体8.81のはんだによ
る固定部は気密であることが必要であり、また外気雰囲
気に対し耐食性を持たせる点よりはんだ9にAu−3n
系はんだを用いるのが望ましく、外気に触れる部分にあ
る金属層はすべてこのはんだで完全に被覆しておく。
このような圧力センサの外部回路との接続は、基板4の
下面より突出している球状体8あるいは81からなる突
起電極を、例えば印刷配線基板上の配線導体へろう付け
することによって行われる。
下面より突出している球状体8あるいは81からなる突
起電極を、例えば印刷配線基板上の配線導体へろう付け
することによって行われる。
従って、配線基板上面からの高さは低く、大きな空間を
占有しない。
占有しない。
第1図0)lに示された貫通孔61.62に設けられる
突起電極は外部で接地配線に接続される。すなわち、貫
通孔61に設けられる電極を接地することにより配線7
1.金属N72を介して蓋2が接地され、外部電界の遮
蔽の役目をする。また貫通孔62に設けられる電極を接
地することにより、例えば感圧チップ11に集積される
電子回路の分、!il!層を接地することかでき、感圧
チップ全体の安定動作に有効である。
突起電極は外部で接地配線に接続される。すなわち、貫
通孔61に設けられる電極を接地することにより配線7
1.金属N72を介して蓋2が接地され、外部電界の遮
蔽の役目をする。また貫通孔62に設けられる電極を接
地することにより、例えば感圧チップ11に集積される
電子回路の分、!il!層を接地することかでき、感圧
チップ全体の安定動作に有効である。
本発明によれば、半導体圧力センサの容器の基板を絶縁
性とし、半導体感圧片を直接基板上に固定し、基板に設
けた貫通孔を埋めるろう暦により外面側に突出する突起
電極を固定し、基板上に形成した配線によりその1lt
F!iと感圧部との接続を行うと共に、その配線にも電
子回路部品を実装することにより、リード端子を用いな
いで突起電極で外部回路との接続可能となる。また感圧
片と基板の間のスペーサが不要で、容器が扁平となり、
狭い空間への取付けが容易にできる半導体圧力センサを
単純化した構造で得ることができる。
性とし、半導体感圧片を直接基板上に固定し、基板に設
けた貫通孔を埋めるろう暦により外面側に突出する突起
電極を固定し、基板上に形成した配線によりその1lt
F!iと感圧部との接続を行うと共に、その配線にも電
子回路部品を実装することにより、リード端子を用いな
いで突起電極で外部回路との接続可能となる。また感圧
片と基板の間のスペーサが不要で、容器が扁平となり、
狭い空間への取付けが容易にできる半導体圧力センサを
単純化した構造で得ることができる。
第1図(a)、(blは本発明の一実施例を示し、[+
11が断面図、(blが蓋を外した状態での上面図、第
2図fat、(blは半導体感圧部を示し、(δ)が断
面図、Q)lが上面図、第3図は従来の半導体圧力セン
サの断面図、第4図は第1図Ort通孔部の拡大断面図
である。 1:半導体感圧部、11:感圧チップ、2;蓋、4:絶
縁性基板、5:圧力導入孔、6:貫通孔、71:配線、
72.73=金属層、8:球状体、9:は巻圧部 第1図 (G) (b)第2図
11が断面図、(blが蓋を外した状態での上面図、第
2図fat、(blは半導体感圧部を示し、(δ)が断
面図、Q)lが上面図、第3図は従来の半導体圧力セン
サの断面図、第4図は第1図Ort通孔部の拡大断面図
である。 1:半導体感圧部、11:感圧チップ、2;蓋、4:絶
縁性基板、5:圧力導入孔、6:貫通孔、71:配線、
72.73=金属層、8:球状体、9:は巻圧部 第1図 (G) (b)第2図
Claims (1)
- 1) ゲージ抵抗が形成されたダイヤフラム部を有する
半導体片および付属電子回路が絶縁性基板と蓋よりなる
容器に収容され、該絶縁性基板は設けられた圧力導入孔
の周辺に前記半導体片が固定され、絶縁性基板に設けら
れた貫通孔の内壁を覆う金属層が電子回路に接続される
基板上の配線と連結され、該貫通孔を充填し前記金属層
に密着するろうにより基板の外面側に突出する球形状突
起電極が固定されたことを特徴とする半導体圧力センサ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10410087A JPS63269031A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10410087A JPS63269031A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63269031A true JPS63269031A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14371700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10410087A Pending JPS63269031A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63269031A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0392539A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and sealing method therefore |
JP2012073233A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | センサ装置及び半導体センサ素子の実装方法 |
WO2012133065A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | オムロン株式会社 | 圧力センサパッケージ |
CN106461474A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | 北陆电气工业株式会社 | 力检测器 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP10410087A patent/JPS63269031A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0392539A2 (en) * | 1989-04-17 | 1990-10-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device package and sealing method therefore |
JP2012073233A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | センサ装置及び半導体センサ素子の実装方法 |
WO2012133065A1 (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | オムロン株式会社 | 圧力センサパッケージ |
CN106461474A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | 北陆电气工业株式会社 | 力检测器 |
CN106461474B (zh) * | 2014-06-27 | 2019-04-30 | 北陆电气工业株式会社 | 力检测器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4129042A (en) | Semiconductor transducer packaged assembly | |
US4314225A (en) | Pressure sensor having semiconductor diaphragm | |
JPH10173324A (ja) | 表面実装型パッケージ及びその実装方法 | |
JPH0119528B2 (ja) | ||
JPH1082698A (ja) | 測定抵抗体を有する温度センサ | |
JP2011519041A (ja) | 圧力センサ | |
JPH11295174A (ja) | 圧力センサ | |
JP2001208626A (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
JPS63269031A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP4863571B2 (ja) | 圧力センサ | |
JPS63275926A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPS6227544B2 (ja) | ||
JP2691352B2 (ja) | 電子部品塔載装置 | |
JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
JPH0926371A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
JP2005114734A (ja) | 圧力センサ | |
JP4651763B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2000105163A (ja) | 圧力センサ | |
JP2625225B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPS62217643A (ja) | 混成集積回路素子収納用パツケ−ジ | |
JPS623984B2 (ja) | ||
JP2545964B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JPH09243654A (ja) | 加速度センサ | |
JP2873105B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JP2631397B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ |